JP2006165598A - 光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パッケージ本体中に形成された波長ロッカを有する光半導体モジュールにおいて、レーザダイオードとパッケージ本体とを熱的に結合する伝熱部材を設ける。
【選択図】図5
Description
本発明は上記の課題を、パッケージと、前記パッケージ中に格納され、光ビームを形成する半導体レーザと、前記半導体レーザに熱的に接続され、温度制御素子を備え、前記半導体レーザを所定の温度に制御する温度制御部と、前記温度制御部に熱的に接続され、波長に対して所定の傾きを持った波長透過率特性を有する光学フィルタと、前記半導体レーザからの光ビームを前記光学フィルタを介して受光し、前記光学フィルタを透過した前記光ビームの強度を検出する受光部と、前記半導体レーザに駆動電力を供給する給電体と、
前記給電体とは別体で設けられ、前記半導体レーザへ前記パッケージの温度を伝達する伝熱体とを備え、前記伝熱体は、前記パッケージのうち、前記温度制御部が設けられた底面よりも高い位置で、前記パッケージに接続されることを特徴とする光半導体装置により、解決する。
図5(A),(B)は、本発明の第1実施例による光半導体モジュール20の構成を示す、それぞれ平面図および断面図である。ただし図5(A),(B)中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
[第2実施例]
図11(A),(B)は、本発明の第2実施例による光半導体モジュール30の構成を示す。ただし図11(A),(B)中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
[第3実施例]
図12(A)は、本発明の第3実施例による光半導体モジュール40の構成を、図12(B)は図12(A)の光半導体モジュール40中で使われるビームスプリッタ5Gの構成を示す。ただし、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
1 半導体レーザ
1A,1B 光ビーム
1C 給電ワイヤ
1a,1b レンズ
2 パッケージ本体
2A 光学窓
2B 空間
3 温度制御部
3A ペルチェ素子
3B ペルチェ素子駆動ワイヤ
4 キャリア
4A サーミスタ
4B ワイヤ
5,5A ビームスプリッタ
5A0,5G0 ガラス板
5B,5H 反射膜
5C,5I 透過膜
6 波長フィルタ
6A 多層膜
6B ホルダ
7,8 フォトダイオード
9 伝熱体
21 制御回路
Claims (13)
- パッケージと、
前記パッケージ中に格納され、光ビームを形成する半導体レーザと、
前記半導体レーザに熱的に接続され、温度制御素子を備え、前記半導体レーザを所定の温度に制御する温度制御部と、
前記温度制御部に熱的に接続され、波長に対して所定の傾きを持った波長透過率特性を有する光学フィルタと、
前記半導体レーザからの光ビームを前記光学フィルタを介して受光し、前記光学フィルタを透過した前記光ビームの強度を検出する受光部と、
前記半導体レーザに駆動電力を供給する給電体と、
前記給電体とは別体で設けられ、前記半導体レーザへ前記パッケージの温度を伝達する伝熱体とを備え、
前記伝熱体は、前記パッケージのうち、前記温度制御部が設けられた底面よりも高い位置で、前記パッケージに接続されることを特徴とする光半導体装置。 - 前記波長フィルタは、その温度によって前記波長透過率特性が波長方向に変動するものであることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記温度制御部は、前記受光部が所定の光ビーム強度になるように、その温度を制御するものであることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記伝熱体は、金属ワイヤ、金属箔、金属板材、あるいは金属膜を担持した部材よりなることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記半導体レーザはキャリア部材上に設けられ、前記伝熱体は当該キャリア部材を介して前記半導体レーザに熱的に接続されることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記キャリア部材は接地電極を担持し、前記半導体レーザは前記接地電極上に設けられ、前記伝熱体は、前記接地電極を介して前記半導体レーザに熱的に接続されることを特徴とする請求項5記載の光半導体装置。
- 前記波長フィルタは、熱伝導性ホルダ中に保持され、当該熱伝導性ホルダは前記温度制御部に熱的に接続されることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記パッケージは、減圧、真空、または熱伝導度が空気よりも低い気体によってその内部が封止されてなることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記半導体レーザと前記受光部との間には、光ビームを分岐するビームスプリッタが設けられ、当該ビームスプリッタは互いに非平行をなす第1および第2の主面で画成された光学媒体よりなり、前記光ビームは当該第1または第2の主面に対して入射または出射することを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記ビームスプリッタは、前記半導体レーザから前記波長フィルタの手前までの間の光路中に設けられ、当該ビームスプリッタによって分岐された前記光ビームは、その光ビーム強度を計測して前記半導体レーザの出力を制御するための別の受光部に入射することを特徴とする請求項9記載の光半導体装置。
- さらに前記光ビームの波長を検知する波長検知部を備え、前記半導体レーザと前記波長検知部との間には、対向する面が互いに非平行をなす第1および第2の主面で画成された光学媒体よりなるビームスプリッタが設けられ、前記光ビームは当該第1または第2の主面に対して入射または出射することを特徴とする請求項1〜10のうち、いずれか一項記載の光半導体装置。
- 前記波長検知部は、波長フィルタと光強度検知部を備えており、光ビームを前記波長フィルタによって波長−強度変換を行った後に、前記光強度検知部によってその強度を検知することで波長検知を行うことを特徴とする請求項11記載の光半導体装置。
- 前記光半導体装置はさらに、前記半導体レーザの出力光強度を制御する出力光強度制御部を備えており、前記ビームスプリッタは、前記光ビームを前記波長検知部と出力光強度制御部とに分岐するものであることを特徴とする請求項12記載の光半導体装置。
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