JP2006156733A - 半導体発光素子装置、画像表示装置及び半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子装置、画像表示装置及び半導体発光素子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 光を発生させる活性層を第1導電型クラッド層と反対導電型クラッド層で挟んで構成される複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を基板上に配列させ、該窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の前記第1導電型クラッド層と接続する一方の電極を複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の間で共通配線させると共に、該第1導電型クラッド層の厚みを100nm以上とする。
【選択図】 図1
Description
次に、上述の如きリーク電流を抑えることのできる素子について行なった実施例について図3を参照しながら説明する。実施例では、p型クラッド層としてのp型GaN層の膜厚を80nm,180nm,360nmに設定して−5Vの逆バイアスを印加した時のリーク電流を測定したものである。
11、12 n型GaN層
13 InGaN/GaN多重量子井戸層
14 p型GaN層
15 コンタクトメタル層
16 配線層
17 電極層
Claims (11)
- 光を発生させる活性層を第1導電型クラッド層と反対導電型クラッド層で挟んで構成される複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を基板上に配列させ、該窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に接続する一方の電極を複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の間で共通配線させると共に、該第1導電型クラッド層の厚みが100nm以上とされることを特徴とする半導体発光素子装置。
- 前記複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子はマトリクス状に前記基板上に配列され、前記共通配線は単純マトリクス方式の配線であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子装置。
- 前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に接続する前記一方の電極は前記第1導電型クラッド層に接続する電極であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子装置。
- 前記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子装置。
- 前記第1導電型クラッド層はMgを不純物としてドーピングした層であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子装置。
- 前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は素子のサイズが100μm以下であり、前記基板上のマトリクス状に配列されることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子装置。
- 光を発生させる活性層を第1導電型クラッド層と反対導電型クラッド層で挟んで構成される複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を基板上にマトリクス状に配列させ、該窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に接続する一方の電極を複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の間で共通配線させると共に、該第1導電型クラッド層の厚みが100nm以上とされ、前記共通配線された電極には所要の画像信号に基づく信号が供給されることを特徴とする画像表示装置。
- 前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に接続する前記一方の電極は前記第1導電型クラッド層に接続する電極であることを特徴とする請求項7記載の画像表示装置。
- 選択された前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子には前記画像信号に基づいて動作電流が供給され、非選択の前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は逆バイアス状態に保持されることを特徴とする請求項7記載の画像表示装置。
- 前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は1つの画素が異なる発光色の発光素子を組み合わせて構成されることを特徴とする請求項7記載の画像表示装置。
- 窒化ガリウム系化合物を用いてそれぞれ形成される、光を発生させる活性層と、該活性層を挟む第1導電型クラッド層及び反対導電型クラッド層とを有し、当該半導体発光素子に接続する一方の電極は他の半導体発光素子の間で共通配線されると共に、該第1導電型クラッド層の厚みが100nm以上とされることを特徴とする半導体発光素子。
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JP2009016467A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Sony Corp | 窒化ガリウム系半導体素子及びこれを用いた光学装置並びにこれを用いた画像表示装置 |
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2004
- 2004-11-30 JP JP2004345505A patent/JP2006156733A/ja active Pending
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