JP2003195783A

JP2003195783A - 表示装置及び表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2003195783A
Application number: JP2001394405A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Okuyama; 浩之奥山; Toyoji Ohata; 豊治大畑
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-12-26
Filing date: 2001-12-26
Publication date: 2003-07-09
Anticipated expiration: 2021-12-26
Also published as: JP3876711B2

Abstract

(57)【要約】【課題】表示装置と入力装置が共に形成される装置に
おいて、入力装置のボタンを操作する際の違和感を抑制
する。【解決手段】本発明の表示装置においては、基板上に
複数の発光素子がマトリクス状に配列され、前記複数の
発光素子の間の空間に夫々センサが配設される。マトリ
クス状に配列された発光素子の間の空間に夫々センサが
配設されることから、各センサの位置を発光素子群と同
じ面内にすることが可能となり、ボタン操作における違
和感を抑えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は画像信号に応じて所
要の画像を表示する表示装置と、そのような表示装置の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】表示装置としては、現在種々の構造のも
のが開発されており、代表的な例としては陰極線管や液
晶表示パネルが、テレビジョン受像機、パーソナルコン
ピュータのモニター、金融機関の自動取引機や大規模施
設の自動案内機の操作画面などに多く用いられている。
表示装置の中には、表示するだけではなく、入力装置を
一体にした構造のものがあり、ボタンを所定の領域に表
示した上でその領域に対する透明な所謂タッチパネルに
て接触を検知した場合には、該表示にかかる入力ボタン
が押されたものとして処理を進め、複雑な操作も容易に
行えるように工夫されたものがある。

【０００３】例えば、特開平５−１１４０８８号公報に
記載の電子式行先表示装置では、所在表示部には直接に
制御可能な押圧スイッチ又はタッチスイッチが設けられ
る構造とされ、所在表示部にはLED（発光ダイオード）
が使用されている。また、前記電子式行先表示装置では
LEDは点灯用であって画像表示用とはならないが、液晶
表示装置の上にタッチスイッチ手段が設けられた構造の
装置として例えば特開平９−１３４４６７号公報に記載
される接触式入力装置等が知られる。更に、特開平６−
２３６１５４号公報に記載されるように、プラズマディ
スプレイ上にシートが湾曲することで透明電極間が導通
する構造のタッチスイッチを配設する例も知られてい
る。

【０００４】タッチパネル等を設ける場合、前述の特開
平９−１３４４６７号公報に開示されるように、通常、
装置の表示部の画面上にタッチパネルが配設されること
が多く、タッチパネルに対する接触ないし近接操作およ
びその位置を表示内容に応じた入力情報として取り込む
もので、表示内容を変えることによって他種類の取引等
に対応できるという利点がある。このような入力装置を
一体にした表示装置を用いることで、入力キーや入力ボ
タンの数を増やすことなく、処理を進めることができ、
異なる業務に対しても柔軟に対応できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、タッチパネ
ル式の入力装置を一体にした表示装置においては、装置
の表示部の画面上に透明なタッチパネルが配設される。
このようなタッチパネル付きの表示装置においては、操
作者が触れた場合に奥行き方向に違和感があり、特に、
入力ボタンの配置を細かく設定した場合では、その違和
感に基づくボタンの押し間違いなどが発生し易く、的確
な処理が難しくなると言った問題点が生ずる。

【０００６】そこで、本発明は、上述の技術的な課題に
鑑み、入力装置を備えた表示装置において、その操作性
の良好な装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、基
板上に複数の発光素子がマトリクス状に配列され、前記
複数の発光素子の間の空間に夫々センサが配設されるこ
とを特徴とする。本発明の表示装置によれば、複数の発
光素子がマトリクス状に配列され、これらの発光素子を
駆動することで所要の画像信号等に応じた画像を表示す
ることができる。特に、本発明においては、複数の発光
素子の間の空間に夫々センサが配設されることから、各
センサの位置を発光素子群と同じ面内にすることが可能
となり、ボタン操作における違和感を抑えることができ
る。

【０００８】また、本発明の他の表示装置は、基板上に
複数の発光素子からなる発光素子群と複数のセンサから
なるセンサ素子群とが略同一平面上に形成されることを
特徴とする。本発明の表示装置によれば、複数の発光素
子からなる発光素子群と複数のセンサからなるセンサ素
子群とが略同一平面上に配設されるため、同様にボタン
操作における違和感を抑えることができる。

【０００９】本発明の表示装置において、前記センサは
種々のセンサを用いることが可能であるが、該センサの
サイズが発光素子と同じ面内に配設可能なものとするこ
とが望まれる。このようなセンサの例としては、押圧を
出力信号に変換する感圧素子や、入射光を出力信号に変
換する受光素子などを用いることができる。

【００１０】本発明の表示装置の製造方法においては、
支持基板上に発光素子を微小パッケージ内に配設するよ
うに形成し、前記発光素子を該微小パッケージごと装置
基板上に転写する工程と、他の支持基板上にセンサを微
小パッケージ内に配設するように形成し、前記センサを
該微小パッケージごと前記装置基板上に転写する工程と
を有することを特徴とする。

【００１１】本発明の表示装置の製造方法によれば、セ
ンサと発光素子の双方を夫々微小パッケージ内に配設し
た上で装置基板上に転写される。このためセンサと発光
素子で同一の転写機構を用いることもでき、これにより
転写精度を合わせることもできる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について説明する。本実施形態の表示装置
では、夫々発光素子としての発光ダイオードを有する複
数の発光ダイオードパッケージ１１がマトリクス状に配
列され、各発光ダイオードパッケージ１１の間の空間に
センサ１２が配設されている。

【００１３】発光ダイオードパッケージ１１は、透明樹
脂材の内部に赤、青、緑の各色の発光ダイオード素子を
並べて封止した部材であり、後述するように、当該発光
ダイオードパッケージ１１の一部にはパッド電極や各発
光ダイオード素子を駆動するための駆動素子も形成され
ている。発光ダイオードパッケージ１１には、赤色、青
色及び緑色の発光ダイオード素子用に3本の信号線１５
が配線されており、これら3本の信号線１５は図中垂直
方向に延長されている。発光ダイオードパッケージ１１
内に形成された発光ダイオードは、画像信号に応じた所
定の駆動電流によって発光し、マトリクス状に配列され
た全体では所要の画像表示が可能となる。マトリクス状
に配列される発光ダイオードパッケージ１１は、隣接す
る発光ダイオードパッケージ１１との間には、所要のス
ペースをとることができる。これは液晶表示デバイスな
どとは異なり、発光ダイオードは輝度が比較的に高いこ
とから、素子間の距離を大きくとっても十分に表示装置
として機能させることが可能なためである。一例として
は、発光ダイオードパッケージ１１は例えば２００μｍ
角のサイズであり、例えば３倍乃至３６倍程度、好まし
くは３倍乃至２４倍程度の間隔を離間するように配置す
ることが可能である。また、このパッケージはRGB一体
でも、別々のものでも差し支えない。また、発光ダイオ
ードパッケージ１１は、垂直方向に延長される信号線１
５が装置基板上に形成された後に該信号線１５上に電気
的な接続が可能なように転写されるが、信号線１５は発
光ダイオードパッケージ１１に信号を供給できる構造で
あれば良く、発光ダイオードパッケージ１１を転写など
によって装置基板上に配列させた後に信号線１５用の配
線層を形成しても良い。

【００１４】センサ１２は、外的な状態に応じて所要の
出力信号を発生させる素子であり、後述する構造のタッ
チスイッチからなる感圧センサとすることもでき、ま
た、CCD型センサやMOS型センサなどからなる受光素子な
どによって構成することも可能である。また、タッチス
イッチや受光素子に限定されずに、圧電センサ、温度セ
ンサ、ガスセンサ、磁気センサなどの種々のセンサを配
置しても良い。センサ１２は、発光ダイオードパッケー
ジ１１の間のスペースに配され、マトリクス状に配列さ
れる発光ダイオードパッケージ１１の配列面と略同一の
面内に配列することができる。センサ１２は、図１に示
すように、マトリクス状に配列され、例えば水平方向に
隣接する一対の発光ダイオードパッケージ１１の略中点
近傍に配置される。なお、センサ１２の数は、必ずしも
発光ダイオードパッケージ１１の数と等しくなくとも良
く、例えば、発光ダイオードパッケージ１１の数に比べ
てセンサ１２の数を減らしたり、逆にセンサ１２の数を
増やしたりすることができる。また、異なる２種類以上
のセンサを組み合わせて、その組み合わせからなるセン
サを発光ダイオードパッケージ１１の間のスペースに配
することもでき、発光ダイオードパッケージ１１とセン
サ１２のパッケージを一体化するように構成しても良
い。

【００１５】図２及び図３は前述のセンサ１２をタッチ
スイッチによって構成した場合の平面図と断面図であ
る。一対の配線層２１が基板１０上で離間して対峙する
構造とされ、一対の配線層２１の対峙する端部にはそれ
ぞれ下側接触電極２２、２２が略矩形状のパターンに形
成されている。下側接触電極２２、２２の上には、基板
１０の法線方向に微小な間隔を空けて対向する上側接触
電極２３が形成されている。上側接触電極２３は略帯状
の配線層であり、一対の下側接触電極２２、２２にそれ
ぞれ対向し、押された場合では一対の下側接触電極２
２、２２の間を電気的に接続できる長さを有している。

【００１６】この上側接触電極２３は金属薄膜をばね性
を有するように微細加工された板バネ部材２５に両側か
ら支持されており、板バネ部材２５自体の形状は細い帯
状の部分が蛇行して構成される。この板バネ部材２５の
両端部２４は基板１０上若しくは下側接触電極２２、２
２上で支持されており、板バネ部材２５はそこから斜め
に立ち上がって上側接触電極２３に結合されている。上
側接触電極２３近傍では該上側接触電極２３を支持する
ために上側接触電極２３の長手方向に垂直な方向におけ
る両側から板バネ部材２５が上側接触電極２３に接続す
る。板バネ部材２５は弾性部材であり、押し圧などによ
って当該板バネ部材２５が弾性変形することで上側接触
電極２３が一対の下側接触電極２２、２２に接触し、そ
の結果、一対の配線層２１が上側接触電極２３及び一対
の下側接触電極２２、２２を介して導通して、スイッチ
が閉成した状態となる。逆に、押し圧を開放した際に
は、弾性変形する板バネ部材２５が元の位置に戻って上
側接触電極２３及び一対の下側接触電極２２、２２の間
の電気的な接続が解除されることになり、スイッチ自体
は開成した状態となる。

【００１７】このような金属薄膜による板バネ部材２５
の微細加工は、フォトリソグラフィー技術を用いること
で可能である。例えば、一対の配線層２１と一対の下側
接触電極２２、２２を所定のパターンに形成した後、タ
ッチスイッチとして用いられる領域を保護するように、
シリコン酸化膜或いは合成樹脂膜などの絶縁膜を形成
し、その絶縁膜上に上側接触電極２３及び金属薄膜を形
成した後に該金属薄膜を板バネ部材２５を有するパター
ンに加工する。絶縁膜の表面が斜めになるように形成す
ることで、その絶縁膜上に形成される金属薄膜も表面が
斜めに延長される形に形成されることになる。フォトリ
ソグラフィー技術を用いて金属薄膜を蛇行する帯状の形
状に加工することで、金属薄膜の弾性特性を利用してタ
ッチスイッチを構成することができ、最後にシリコン酸
化膜或いは合成樹脂膜などの絶縁膜をエッチングやアッ
シング等の手段によって除去することで、上側接触電極
２３と一対の下側接触電極２２、２２の間に必要な空隙
が得られることになる。

【００１８】上述のタッチスイッチは、装置基板に対し
て直接形成することも可能であるが、別の基板上に形成
し、その後で装置基板上に転写するようにしても良い。
この場合には、後述する製造方法の例に示すように、タ
ッチスイッチを微小パッケージ上に形成し、微小パッケ
ージごと転写するようにしても良く、発光素子を微小パ
ッケージに形成した場合では同じ転写手段を活用して高
効率な転写が実現される。

【００１９】前述のタッチスイッチなどのセンサ１２
は、発光ダイオードパッケージ１１の間の空間に配置さ
れるが、発光ダイオードパッケージ１１には図４に示す
ような発光ダイオードを搭載することが可能である。図
４の（ａ）が素子断面図であり、図４の（ｂ）が平面図
である。この発光ダイオードはＧａＮ系の発光ダイオー
ドであり、たとえばサファイア基板上に結晶成長される
素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードで
は、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレー
ションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなっ
てサファイア基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥
がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有し
ている。

【００２０】まず、その構造については、ＧａＮ系半導
体層からなる下地成長層３１上に選択成長された六角錐
形状のＧａＮ層３２が形成されている。なお、下地成長
層３１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状の
ＧａＮ層３２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ
法などによって形成される。このＧａＮ層３２は、成長
時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合
にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長
層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧ
ａＮ層３２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造の
クラッドとして機能する。ＧａＮ層３２の傾斜したＳ面
を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層３３が形成され
ており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層３４
が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層３４
もクラッドとして機能する。

【００２１】このような発光ダイオードには、ｐ電極３
５とｎ電極３６が形成されている。ｐ電極３５はマグネ
シウムドープのＧａＮ層３４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ
／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料
を蒸着して形成される。ｎ電極３６は前述の図示しない
絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの
金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層３１
の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極３６
の形成は下地成長層３１の表面側には不要となる。

【００２２】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブ
レーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離
することができ、レーザビームを選択的に照射すること
で選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダ
イオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される
構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構
造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子
や化合物半導体素子などであっても良い。

【００２３】本実施形態の表示装置は、図１に示すよう
に発光ダイオードパッケージ１１を微小な樹脂で封止す
るパッケージで構成することも可能であるが、図５に示
すように、各発光素子ごとに異なるパッケージとするこ
とも可能である。図５は、本実施形態の表示装置に用い
られるマトリクス状に配列される画素のうち１つの画素
部分に対応するレイアウトであり、１画素内には、赤、
青、緑の３色それぞれの発光源となる発光ダイオードを
内包した赤色発光樹脂形成チップ４１、青色発光樹脂形
成チップ４２、緑色発光樹脂形成チップ４３、及び発光
ダイオードを発光駆動するための駆動トランジスタを設
けた集積回路装置４４が例えば透明ガラス製の装置基板
４５上に配置されている。各樹脂形成チップ４１、４
２、４３が固定される配列ピッチは、約２００μｍ程度
である。また、装置基板４５には、これら樹脂形成チッ
プ４１、４２、４３及び駆動トランジスタを設けた集積
回路装置４４の配線を行うための配線パターンが予め形
成されている。配線パターンは、接地線４６、電源線４
７、アドレス線４８、信号線４９、信号線５０、信号線
５１からなり、各樹脂形成チップ８１，８２，８３及び
駆動トランジスタ８４は、これら配線パターンと接続さ
れ、相互に電気的に接続されている。

【００２４】前述のような図２、図３に示すタッチスイ
ッチは、図５に示すような画素領域同士の間にスペース
にも配置することができ、図１に示す発光ダイオードパ
ッケージ１１は必ずしも１つの樹脂パッケージとしてま
とまった構造を有していなくとも良い。

【００２５】次に、図６乃至図９を参照して、本実施形
態の表示装置の製造方法の一例について説明する。ここ
で説明する表示装置の製造方法の一例は、発光ダイオー
ドパッケージとタッチスイッチパッケージをそれぞれ転
写して装置基板上に配列する例である。

【００２６】先ず、例えばサファイア基板上に形成され
たＧａＮ系の発光ダイオード６３は、個々の発光ダイオ
ードごとに素子分離され、樹脂形成パッケージ６４内に
封止されている。この発光ダイオード６３は、例えば図
４に示した如きピラミッド構造を有するが、プレナー型
の発光素子であっても良い。発光ダイオード６３を内包
する樹脂形成パッケージ６４は、成長用基板から透明ガ
ラス基板などの一時保持用基板６１に転写され、図６に
示すように、一時保持用基板６１上に塗布された粘着膜
６２に複数の樹脂形成パッケージ６４が貼り付けられて
いる。その一時保持用基板６１の樹脂形成パッケージ６
４側の面を装置基板６５に対峙させたところで該一時保
持用基板６１の裏面からエキシマレーザーやＹＡＧレー
ザーなどのレーザー光を選択的に照射して、図７に示す
ように発光ダイオード６３を樹脂形成パッケージ６４ご
と装置基板６５上に選択的に転写できる。

【００２７】この発光ダイオード６３を内包する樹脂形
成パッケージ６４の転写に際して、予め装置基板６５上
には配線層を形成しておくことも可能であり、転写によ
ってこれらの配線層に対する電気的な接続を例えばバン
プなどによって確保するように構成することも可能であ
る。装置基板６５上には予め接着層を形成しておいても
良く、装置基板６５は透明樹脂製のシート材などで構成
することも可能である。

【００２８】このような発光素子の転写と前後して、タ
ッチスイッチ７４も支持基板７１上に図８に示すように
形成される。支持基板７１上には、粘着膜７２を介して
樹脂パッケージ７３が形成され、その樹脂パッケージ７
３の上面に貼り付けられた形でタッチスイッチ７４が配
列される。このような樹脂パッケージ７３を用いること
で、真空チャッキングが可能な治具７５によって把持す
ることが可能となり、特に樹脂パッケージ７３の側面を
保持しながら転写が可能となることから、タッチスイッ
チ７４を金属薄膜を微細加工した構造としても良いこと
になる。また、タッチスイッチ７４の下部の樹脂パッケ
ージ７３が、タッチスイッチ７４の底上げ部材として機
能し、表示装置として表面にシートやパネルを配置した
場合に、タッチスイッチ７４の可動部がシートやパネル
に接して確実に動作することになる。従って、発光ダイ
オードの樹脂形成パッケージ６４の厚みに因らず、ま
た、樹脂形成パッケージ６４の間の空間に配列した場合
であっても、センサとして押圧を確実に検知できること
になる。

【００２９】次に図８に示すように、各タッチスイッチ
７４は樹脂パッケージ７３ごと治具７５に把持され、同
時に粘着層７２の粘着力を低下させるために選択的な加
熱を行う。この加熱には、例えば支持基板７１の裏面か
らのレーザー光の照射が利用されるが、他の加熱手段、
例えばＲＴＡなどの赤外線加熱手段を利用しても良い。

【００３０】治具７５が把持した樹脂パッケージ７３付
きのタッチスイッチ７４は、図９に示すように前述の装
置基板６５上で樹脂形成パッケージ６４の間の所定領域
に配される。なお、本実施形態では、装置基板６５上に
先に発光素子側の樹脂形成パッケージ６４が転写され、
次いでタッチスイッチ７４側の樹脂パッケージ７３が転
写されるものとして説明したが、先にタッチスイッチ７
４側の樹脂パッケージ７３を転写し、次いで発光素子側
の樹脂形成パッケージ６４を転写するようにしても良
い。また、タッチスイッチの代りにＭＯＳ型やＣＣＤ型
などの受光素子をセンサとして配設することも可能であ
る。また、発光素子としては発光ダイオードの代わり
に、半導体レーザーを形成しても良い。

【００３１】ここで本実施形態の表示装置に用いて好適
な二段階拡大転写法による素子の配列方法について説明
する。二段階拡大転写法による素子の配列方法は、高集
積度をもって第一基板上に作成された素子を第一基板上
で素子が配列された状態よりは離間した状態となるよう
に一時保持用部材に転写し、次いで一時保持用部材に保
持された前記素子をさらに離間して第二基板上に転写す
る二段階の拡大転写を行う。なお、本例では転写を２段
階としているが、素子を離間して配置する拡大度に応じ
て転写を三段階やそれ以上の多段階とすることもでき
る。

【００３２】図１０はそれぞれ二段階拡大転写法の基本
的な工程を示す図である。まず、図１０の（ａ）に示す
第一基板９０上に、例えば発光素子のような素子９２を
密に形成する。素子を密に形成することで、各基板当た
りに生成される素子の数を多くすることができ、製品コ
ストを下げることができる。第一基板９０は例えば半導
体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基
板、プラスチック基板などの種々素子形成可能な基板で
あるが、各素子９２は第一基板９０上に直接形成したも
のであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列
したものであっても良い。

【００３３】次に、図１０の（ｂ）に示すように、第一
基板９０から各素子９２が一時保持用部材に転写され、
この一時保持用部材の上に各素子９２が保持される。こ
のとき、同時に素子９２毎に素子周りの樹脂の被覆を行
う。素子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易く
し、転写工程での取り扱いを容易にするなどのために形
成される。なお、隣接する素子９２は例えば複数の一時
保持用部材間での転写などにより選択分離を行うことに
より、最終的には一時保持用部材上で離間され、図示の
ようにマトリクス状に配される。すなわち素子９２はｘ
方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される
が、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げ
るように転写される。このとき離間される距離は、特に
限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や電
極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。

【００３４】このような第一転写工程の後、図１０の
（ｃ）に示すように、一時保持用部材９１上に存在する
素子９２は離間されていることから、各素子９２毎に電
極パッドの形成が行われる。電極パッドの形成は、後述
するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行
われるため、その際に配線不良が生じないように比較的
大き目のサイズに形成されるものである。なお、図１０
の（ｃ）には電極パッドは図示していない。樹脂９３で
固められた各素子９２に電極パッドを形成することで樹
脂形成チップ９４が形成される。素子９２は平面上、樹
脂形成チップ９４の略中央に位置するが、一方の辺や角
側に偏った位置に存在するものであっても良い。

【００３５】次に、図１０の（ｄ）に示すように、第二
転写工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用
部材９１上でマトリクス状に配される素子９２が樹脂形
成チップ９４ごと更に離間するように第二基板１５上に
転写される。第二転写工程においても、隣接する素子９
２は樹脂形成チップ９４ごと離間され、図示のようにマ
トリクス状に配される。すなわち素子９２はｘ方向にも
それぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向
に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転
写される。第二転写工程によって配置された素子の位置
が画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置で
あるとすると、当初の素子９２間のピッチの略整数倍が
第二転写工程によって配置された素子９２のピッチとな
る。ここで第一基板９０から一時保持用部材９１での離
間したピッチの拡大率をｎとし、一時保持用部材９１か
ら第二基板９５での離間したピッチの拡大率をｍとする
と、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎ×ｍで表される。

【００３６】第二基板９５上に樹脂形成チップ９４ごと
離間された各素子９２には、配線が施される。この時、
先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑
えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子９２
が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、ｐ電極、
ｎ電極への配線を含み、液晶制御素子の場合は、選択信
号線、電圧線や、配向電極膜などの配線等を含む。

【００３７】図１０に示した二段階拡大転写法において
は、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッ
ドの形成などを行うことができ、そして第二転写後に配
線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用して
接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。従って、
画像表示装置の歩留まりを向上させることができる。ま
た、本例の二段階拡大転写法においては、素子間の距離
を離間する工程が２工程であり、このような素子間の距
離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、実際は
転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、ここで
第一基板９０から一時保持用部材９１での離間したピッ
チの拡大率を２（ｎ＝２）とし、一時保持用部材９１か
ら第二基板９５での離間したピッチの拡大率を２（ｍ＝
２）とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に転写し
ようとしたときでは、最終拡大率が２×２の４倍で、そ
の二乗の１６回の転写すなわち第一基板のアライメント
を１６回行う必要が生ずるが、本例の二段階拡大転写法
では、アライメントの回数は第一転写工程での拡大率２
の二乗の４回と第二転写工程での拡大率２の二乗の４回
を単純に加えただけの計８回で済むことになる。即ち、
同じ転写倍率を意図する場合においては、（ｎ＋ｍ）^２
＝ｎ^２＋２ｎｍ＋ｍ^２であることから、必ず２ｎｍ回だ
け転写回数を減らすことができることになる。従って、
製造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、特に拡
大率の大きい場合に有益となる。

【００３８】図１１は図１の表示装置の変形例であり、
夫々発光素子としての発光ダイオードを有する複数の発
光ダイオードパッケージ８１がマトリクス状に配列さ
れ、各発光ダイオードパッケージ８１の間の空間にセン
サ８２が配設されている。センサ８２の位置は、水平方
向に並ぶ発光ダイオードパッケージ８１同士の間ではな
く、斜め方向に隣接する発光ダイオードパッケージ８１
同士の間の位置に決められており、複数の発光ダイオー
ドパッケージ８１で構成するマトリクスと、複数のセン
サ８２で構成するマトリクスとが水平方向と垂直方向の
両方で所定距離だけシフトした構成とされる。このよう
な構成によれば、水平方向や垂直方向でのピッチがセン
サを配置するのに十分でない場合であっても、斜め方向
で距離がとれる分だけ余裕を持って配置することができ
る。

【００３９】なお、本実施形態では、マトリクス状に配
列される発光素子の間に、センサ１２、８２が配される
構造について説明したが、センサの代わり或いはセンサ
と共に所要の能動素子を配列することも可能である。こ
のような能動素子としてはトランジスタやダイオードな
どが挙げられるが、エレクトロクロミック材などを組み
合わせることも可能である。また、発光素子と共に形成
する素子として、上述の実施形態の素子に限らず、例え
ば液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トラン
ジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチ
ング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素
子若しくはその部分、これらの組み合わせなどを用いる
ことも可能である。

【００４０】

【発明の効果】本発明の表示装置によれば、複数の発光
素子の間の空間に夫々センサが配設されることから、各
センサの位置を発光素子群と同じ面内にすることが可能
となり、ボタン操作における違和感を確実に抑えること
ができる。また、本発明の表示装置を製造する場合に
は、転写法を用いることで、センサや発光素子を量産し
ながら、所定の表示装置を構成することが可能となり、
特に大画面化を図る場合に有利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示装置の一例を示す概略平面図であ
る。

【図２】本発明の表示装置の一例に用いられるタッチス
イッチの一例を示す平面図である。

【図３】本発明の表示装置の一例に用いられるタッチス
イッチの一例を示す断面図である。

【図４】本発明の表示装置の一例に用いられる発光ダイ
オードの一例を示す図であって、（ａ）は発光ダイオー
ドの断面図であり、（ｂ）は発光ダイオードの平面図で
ある。

【図５】本発明の表示装置の一例に用いられる各発光素
子ごとに異なるパッケージとした例の平面図である。

【図６】本発明の表示装置の製造方法の一例にかかる工
程断面図であって、発光素子側の樹脂形成パッケージの
選択的な転写工程を示す工程断面図である。

【図７】本発明の表示装置の製造方法の一例にかかる工
程断面図であって、転写後の装置基板の状態を示す工程
断面図である。

【図８】本発明の表示装置の製造方法の一例にかかる工
程断面図であって、タッチスイッチ側の樹脂パッケージ
の選択的な転写工程を示す工程断面図である。

【図９】本発明の表示装置の製造方法の一例にかかる工
程断面図であって、タッチスイッチ側の樹脂パッケージ
の転写後の装置基板の状態を示す工程断面図である。

【図１０】本発明の表示装置に適用される素子の配列方
法を示す模式図である。

【図１１】本発明の表示装置の他の一例を示す概略平面
図である。

【符号の説明】

１１、８１発光ダイオードパッケージ１２、８２センサ６３発光ダイオード６４樹脂形成パッケージ７３樹脂パッケージ７４タッチセンサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 ＬＦターム(参考） 5B087 CC01 CC16 CC41 5C094 AA14 AA56 BA12 BA23 CA19 CA20 CA24 FA04 GB10 HA08 5F041 AA43 BB03 CA40 CA49 CA57 CA65 CA77 CA82 CB31 DA13 DA20 DA25 DA32 DA35 DA82 DB08 FF06 5G435 AA17 BB04 CC09 CC12 KK05 LL04 LL08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に複数の発光素子がマトリクス状
に配列され、前記複数の発光素子の間の空間に夫々セン
サが配設されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】前記センサは押圧を出力信号に変換する
感圧素子であることを特徴とする請求項１記載の表示装
置。
【請求項３】前記感圧素子は弾性部材を設けた構造と
され、前記弾性部材の弾性変形によって前記押圧を検知
することを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】前記弾性部材は金属薄膜を微細加工した
板状部材からなることを特徴とする請求項３記載の表示
装置。
【請求項５】前記発光素子は微小パッケージ内に形成
され、該微小パッケージは前記基板上に転写されたもの
であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】前記感圧素子は微小パッケージに形成さ
れ、該微小パッケージ内に形成された前記感圧素子は微
小パッケージ内に形成された前記発光素子と共に前記基
板上に転写されたものであることを特徴とする請求項２
記載の表示装置。
【請求項７】前記発光素子は発光ダイオード若しくは
半導体レーザーからなることを特徴とする請求項１記載
の表示装置。
【請求項８】前記センサは入射光を出力信号に変換す
る受光素子であることを特徴とする請求項１記載の表示
装置。
【請求項９】前記受光素子は半導体素子からなること
を特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】基板上に複数の発光素子からなる発光
素子群と複数のセンサからなるセンサ素子群とが略同一
平面上に形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】前記センサは前記発光素子の間の空間
に配されることを特徴とする請求項１０記載の表示装
置。
【請求項１２】前記センサは押圧を出力信号に変換す
る感圧素子若しくは入射光を出力信号に変換する受光素
子であることを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項１３】基板上に複数の発光素子がマトリクス
状に配列され、前記複数の発光素子の間の空間に夫々能
動素子が配設されることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】支持基板上に発光素子を微小パッケー
ジ内に配設するように形成し、前記発光素子を該微小パ
ッケージごと装置基板上に転写する工程と、他の支持基
板上にセンサを微小パッケージ内に配設するように形成
し、前記センサを該微小パッケージごと前記装置基板上
に転写する工程とを有することを特徴とする表示装置の
製造方法。