JP2006156247A - 低エネルギービーム増大化方法及びビーム照射装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 イオン源1からのビームを、質量分析電磁石装置3、ビーム整形装置を通過させた後、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置7ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段の角度エネルギーフィルター18によりエネルギー分析を行なった後、ウエハ23に照射するビーム照射装置において、前記ビーム平行化装置を静電式の減速パラレルレンズ10で構成し、前記加速/減速装置を独立に高電圧を印加できる第1、第2のA/Dコラム電極11、12で構成し、前記減速パラレルレンズと前記第1、第2のA/Dコラム電極とを組み合わせることによって、低エネルギーでもビームの発散を抑え、前記偏向走査装置で横方向にスキャンされたビームの平行度を良好に維持できるようにした。
【選択図】 図1
Description
(B)ディスクの高速回転に伴い、パーティクルがウエハ上を動くことによってウエハ表面の構造が傷付けられるおそれがある。
(C)必ず1バッチ当たり十数枚のウエハをロードしなければならないので、少数枚のウエハを処理しようとすると、多数のダミーウエハが必要になる。
(D)ウエハ冷却系に使用されるエラストマー(ゴム)がウエハとの接触によって削られるため、ウエハ裏面のパーティクル汚染量が大きい。
これらは、基本的にバッチ式高電流イオン注入装置において使用されているものと同じものを用い、高電流ビームの引出し・分析ができるようにしている。但し、引出電極2は、上下・左右・水平チルト軸による前後の傾きを調整できる三軸調整構造とし、ビーム中心軸合わせに使えるようにした。図11に示されるように、引出電極2は、三軸駆動機構2−1により前後方向の移動、左右方向の移動、及びチルト軸に関して前後に傾動可能にされている。
直流四極電磁石(QD)5及び直流四極電磁石(QF)6によって、偏向走査装置7から下流側でのビーム断面を横(水平)方向に長い楕円形に整形する。偏向走査装置7より下流側では、ビームがスキャンされるので横方向のビーム通過領域が非常に広く、横方向にビームを収束する機器を置くことができない。従って、偏向走査装置7より下流側では、空間電荷効果によるビーム発散力が横方向にはあまり働かないようにしなければならない。これは、ビームの断面形状を横長にすることによって実現される。
数式(1−1)、(1−2)から分かるように、空間電荷効果は、ビームエネルギーの1.5乗に反比例して弱くなる。そこで、大電流ビームを輸送するためには、ビームエネルギーはできるだけ高い方が良い。しかし、ビームスキャン方式のイオン注入装置においては、ウエハ面内全体に同じ角度でビームを注入するためには、何らかの方法でスキャン後のビーム中心軌道を平行化しなければならない。減速P−レンズ10の電界は、イオンに、外側の軌道ほど内側に大きく曲がるような横方向の力を働かせる。このとき、同時にビーム軸方向にイオンを減速させる力が働く。このため、ビームエネルギーは、減速P−レンズ10を通過するときに数分の1に低下する。さらに、減速P−レンズ10から第1のA/Dコラム電極11の区間には強い電界がかかっているため、これらで挟まれた区間には電子がほとんど存在しない。このため、この区間ではビームに強い空間電荷効果が働く。
数式(2)において、Vextは引出電圧(イオン源1とターミナル37との間の電位差)、aは比例定数である。シンクロナイズド四極電磁石のコイル電流IQは、その磁場勾配に比例し、磁場勾配は図5に見られるように、(1−cosθ)に逆比例する。これらの比例係数と切片をb,cとすると、
IQ=b・(1−cosθ)+c (3)
となる。
数式(4)では、定数部分を整理して新たに係数A,Bで表してある。
静電式の減速P−レンズ10は、水平方向の収束作用でスキャンビームを平行化するが、鉛直方向にもかなり強い収束力を持つ。減速P−レンズ10通過後のビームは、放置すると、オーバーフォーカスによって、鉛直方向に急激に発散してしまう。この作用は、低エネルギービームで特に大きい。
電極や電磁石などのビームライン上の機器は、実際には設計通りの位置には設置されず、必ずわずかなアライメントエラーが生じている。例えば、質量分析電磁石装置3が、ビーム軸を回転軸として、わずかに回転していると、本来無いはずの水平方向の磁場成分が現れ、ビームをわずかに上下方向に偏向させる。四極電磁石のビーム軸と垂直な面内での平行移動誤差、電極のビーム軸に対する傾き、ビーム軸回りの回転誤差等も、ビームの中心軌道をわずかに曲げ、本来の設計軌道からビームを外す作用がある。これを放置すると、ウエハへのイオン注入角度が狂うだけでなく、ひどい場合には、輸送できるビーム電流が大幅に低下することになる。この問題に対する対策として、以下の中心軌道補正システムを搭載した。
b12Δθ1+b22Δθ2=−x2 (5)
ここで、b11,b21,b12,b22は、それぞれ質量分折電磁石装置3からビームプロファイルモニター15まで、水平方向のステアリング電磁石(STX)13からビームプロファイルモニター15まで、質量分析電磁石装置3からビームプロファイルモニター17まで、水平方向のステアリング電磁石(STX)13からビームプロファイルモニター17までの輸送行列の1行2列成分で、ビームオプティクスの計算によって理論的に求められる係数である。数式(5)を解けば、必要な偏向角θが以下の数式(6−1)、(6−2)で求められる。
(b21x2−b22x1)/(b11b22−b12b21) (6−1)
Δθ2=
(b12x1−b11x2)/(b11b22−b12b21) (6−2)
これは、鉛直方向についても同様である。
角度エネルギーフィルターとエネルギースリットは、枚葉式中電流イオン注入装置でも使われているが、AEF18は低エネルギー・高電流ビームの発散防止のため、電界と磁界とを切替え可能なハイブリット型にしてある。一方、エネルギースリット19は、図9に示すように、高電流ビームのスパッターによるクロスコンタミネーション防止のために、回転による三面自動切替式(実際は、ダイバージェンスマスク25がもう1面を使うので、回転による四面自動切替式)とし、B(またはBF2)、P、Asの各イオン種が同じ面を打たないようにしてある。
これは、磁界AEFの水平方向の磁場を利用して、AEFプラズマシャワー20から引出した電子をビームに供給する(ノーマルモード)ことによって、減速後の低エネルギービームのイオン電荷を中和するシステムである。あるいはまた、引出した電子を一次電子とし、電界AEFの電極をプラズマアーク室の壁、磁界AEFの磁界をプラズマ閉じこめ磁場として用い、ビームが通過する領域にプラズマを生成して多量に電子を供給する(プラズマボックスモード)ことによって、減速後の低エネルギービームのイオン電荷を中和するシステムでも良い。
プラズマシャワー22は、ウエハ23の帯電防止と同時に、AEF18とウエハ23間のビームに電子を供給してイオンの電荷を中和し、空間電荷効果を弱くする働きがある。
ビームダンプ24は、ウエハ近傍で最も多くのビームが当たる場所なので、汚染源としてのリスクが最も高い場所である。そこで、図16に示すように、ビームダンプ24を3つの回転式の三面構造体24−1,24−2,24−3で構成し、B(またはBF2)、P、Asのイオン種毎にビームの当たる面が自動的に切り替わるようにして、汚染を防止する。例えば、B(またはBF2)イオンを注入している時には三面構造体24−1、24−2、24−3の面24−1a、24−2a,24−3aがビーム照射方向を向き、Pイオンを注入している時には三面構造体24−1、24−2、24−3の面24−1b、24−2b、24−3bがビーム照射方向を向くようにしている。なお、図示の状態において三面構造体の隣接する頂点は重なり合うようにしてウエハに照射されなかったビームがビームダンプの底部に漏れないようにしている。このようなシステムを搭載することにより、高電流注入プロセスのクロスコンタミネーションレベルを低く抑えられる。
ダイバージェンスマスク25とビームプロファイルモニター17とで、水平方向のスキャン軌道の平行度と、ビームの発散角の測定系を構成している。図9に示すように、ダイバージェンスマスク25は、トリプルサーフェスエネルギースリット19と共に、羽板付きの二本の四角柱における第四面を使用している。ダイバージェンスマスク25の羽板の先端には凹凸が付いており、回転によって二枚の羽板の端が最も接近したとき、凸部25−1は符合してビームを遮断し、凹部25−2のみビームが通過できるようになっている。この状態で上流から下流を見ると、10個程度(図9では7個)の穴が一枚の板に明いているように見える。
電子サプレッション電極を、電子を吸収する正電圧の電極の前後、及び電子を加速する方向の電界ができる電極の手前に置いて、裸のイオンビームの持つポテンシャルより高い負電圧を印加する。これによって、電子を跳ね返し、ビームラインから電子が流失することを防ぐ。電子は、プラズマシャワーなどの積極的な供給系が無くとも、イオンがアパチャー周縁部に当たったり、残留ガスと衝突することによってある程度発生する。これをビームラインに保持し、ビーム電荷の中和に用いることで、輸送できるビーム電流が増える。
一般にイオン源とその電源はターミナル37の中(ターミナル電位の上)に置かれ、注入エネルギーは、イオン源電圧とターミナル電圧との和になる。この場合、エネルギー精度を上げようとすると、ターミナル高圧電源33及びターミナル37における全ての高圧電源の精度を上げなければならない。ターミナル37中で発生する放電も、直接注入エネルギーを変化させる。そこで、イオン源1をターミナル37の外に出し、アース電位から高電圧を印加すると、注入エネルギーがイオン源1の電位のみで決まるようにできる。この場合、このイオン高圧電源32の精度のみ上げれば、注入エネルギー精度が確保されることになる。ダイナミックレンジが1桁を大きく超える範囲で、電源精度を保証することは難しい。そこで、イオン源電圧を高エネルギー用と低エネルギー用に分け、それぞれ精度の良い電源装置を用いて自動切替えすることにより、0.2keV〜80keVの全エネルギー領域で、精度が保証されることになる。
2 引出電極
3 質量分析電磁石装置
4 質量分析スリット
5 上下方向集束用の直流四極電磁石(QD)
6 横方向集束用の直流四極電磁石(QF)
7 偏向走査装置
8 上下方向集束用のシンクロナイズド四極交流電磁石(syQD)
9 横方向集束用のシンクロナイズド四極交流電磁石(syQF)
10 減速式P−レンズ
11、12 第1、第2のA/Dコラム電極
13 水平方向中心軌道補正用のステアリング電磁石(STX)
14 鉛直方向中心軌道補正用のステアリング電磁石(STY)
15 二線式のビームプロファイルモニター
16 インジェクションファラデーカップ
17 ビームプロファイルモニター
18 角度エネルギーフィルター(AEF)
19 トリプルサーフェスエネルギースリット
20 AEFプラズマシャワー
21 永久磁石
22 プラズマシャワー
23 ウエハ
24 トリプルサーフェスビームダンプ
37 ターミナル
38 AEFチャンバー
39 プロセスチャンバー(真空処理室)
Claims (17)
- ビーム発生源からのイオンビームまたは荷電粒子ビーム(以下、ビームと総称する)を、前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置を通過させ、ビームをビーム進行方向と直交する方向にスキャンする偏向走査装置ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、基板に照射するよう構成したビーム照射装置において、
断面が円形あるいは長円形もしくは楕円形のビームを縦方向集束用の直流四極電磁石(QD)と横方向集束用の直流四極電磁石(QF)とから成るビーム整形装置により、偏向走査後のビームラインの区間で、その断面がスキャン方向に長い長円形状もしくは楕円形状となるよう整形することを特徴とするビーム照射装置における低エネルギービーム増大化方法。 - ビーム発生源からのイオンビームまたは荷電粒子ビーム(以下、ビームと総称する)を、前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置を通過させ、ビームをビーム進行方向と直交する方向にスキャンする偏向走査装置ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、基板に照射するよう構成したビーム照射装置において、
縦方向集束用の直流四極電磁石(QD)と横方向集束用の直流四極電磁石(QF)とを、ビームの縦と横の収束発散に合わせてそれぞれ最適箇所に配置するよう前記ビーム整形装置を構成し、縦方向集束用の直流四極電磁石(QD)と横方向集束用の直流四極電磁石(QF)とをそれぞれ独立して制御することを特徴とするビーム照射装置の低エネルギービーム増大化方法。 - ビーム発生源からのイオンビームまたは荷電粒子ビーム(以下、ビームと総称する)を、前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置を通過させた後、ビームをビーム進行方向と直交する方向にスキャンする偏向走査装置ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、基板に照射するように構成したビーム照射装置において、
前記偏向走査装置でビーム進行方向と直交する方向にスキャンされたビームを、前記ビーム平行化装置を構成している静電式の減速パラレルレンズおよび加速/減速装置によって、スキャン方向およびスキャン方向と直交する方向のビーム発散を防ぎながら平行化することにより、低エネルギービームを増大させるようにしたことを特徴とするビーム照射装置における低エネルギービーム増大化方法。 - ビーム発生源からのイオンビームまたは荷電粒子ビーム(以下、ビームと総称する)を、前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置を通過させた後、ビームをビーム進行方向と直交する方向にスキャンする偏向走査装置ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、基板に照射するように構成したビーム照射装置において、
前記偏向走査装置で横方向にスキャンされたビームを、前記加速/減速装置を構成し、独立に高電圧を印加できる複数の加速/減速コラム電極によってスキャン方向およびスキャン方向と直交する方向のビーム発散を防ぎながら加速/減速することを特徴とするビーム照射装置における低エネルギービーム増大化方法。 - ビーム発生源からのイオンビームまたは荷電粒子ビーム(以下、ビームと総称する)を、前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置を通過させた後、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、基板に照射するように構成したビーム照射装置において、
前記偏向走査装置で横方向にスキャンされたビームを、前記ビーム平行化装置を構成している静電式の減速パラレルレンズと、前記加速/減速装置を構成し独立に高電圧を印加できる複数の加速/減速コラム電極とを組み合わせることによってスキャン方向およびスキャン方向と直交する方向のビーム発散を防ぎながら平行化並びに加速/減速することにより、低エネルギービームを増大させるようにしたことを特徴とするビーム照射装置における低エネルギービーム増大化方法。 - ビーム発生源からのイオンビームまたは荷電粒子ビーム(以下、ビームと総称する)を、前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置を通過させた後、ビームをビーム進行方向と直交する方向にスキャンする偏向走査装置ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、基板に照射するように構成したビーム照射装置において、
前記ビーム平行化装置を静電式の減速パラレルレンズで構成し、
前記偏向走査装置で横方向にスキャンされたビームを、前記静電式の減速パラレルレンズによって、スキャン方向およびスキャン方向と直交する方向のビーム発散を防ぎながら平行化することにより、低エネルギービームを増大させるようにしたことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項6に記載のビーム照射装置において、
前記静電式の減速パラレルレンズは3枚の電極で構成され、中間の電極を電子サプレッション電極として共用するようにしたことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項6に記載のビーム照射装置において、
前記静電式の減速パラレルレンズは入射してくるビームに対して円弧状に略一定曲率をもつ彎曲した略弓形の電極で構成するようにしたことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項6または7に記載のビーム照射装置において、
前記静電式の減速パラレルレンズの減速比をn:1(nは整数で、2〜4)としたことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項6〜9のいずれかに記載のビーム照射装置において、
前記偏向走査装置における下流側の偏向電極と前記静電式の減速パラレルレンズとの距離を短く構成するととともに、前記減速比を大きくするために当該静電式の減速パラレルレンズの曲率を小さく構成したことを特徴とするビーム照射装置。 - ビーム発生源からのイオンビームまたは荷電粒子ビーム(以下、ビームと総称する)を、前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置を通過させた後、ビームをビーム進行方向と直交する方向にスキャンする偏向走査装置ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、基板に照射するように構成したビーム照射装置において、
前記加速/減速装置を独立に高電圧を印加できる複数の加速/減速コラム電極で構成し、
前記偏向走査装置で横方向にスキャンされたビームを、前記複数の加速/減速コラム電極によって、上下のビーム発散を防ぎながら加速/減速することを特徴とするビーム照射装置。 - ビーム発生源からのイオンビームまたは荷電粒子ビーム(以下、ビームと総称する)を、前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置を通過させた後、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、基板に照射するように構成したビーム照射装置において、
前記ビーム平行化装置を静電式の減速パラレルレンズで構成し、
前記加速/減速装置を独立に高電圧を印加できる複数の加速/減速コラム電極で構成し、
前記静電式の減速パラレルレンズと前記複数の加速/減速コラム電極と組み合わせることによって、低エネルギーでもビームの発散を抑え、前記偏向走査装置で横方向にスキャンされたビームの平行度を良好に維持できるようにしたことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項12に記載のビーム照射装置において、
前記静電式の減速パラレルレンズと、前記複数の加速/減速コラム電極との距離を短くしたことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項12に記載のビーム照射装置において、
前記静電式の減速パラレルレンズにおける前記加速/減速コラム電極側の各電極の間隔を不均等にしたことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項12に記載のビーム照射装置において、
前記静電式の減速パラレルレンズと、前記複数の加速/減速コラム電極との距離を短くして前記静電式の減速パラレルレンズにおける前記加速/減速コラム電極側の各電極の間隔を不均等にしたことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項6〜15のいずれかに記載のビーム照射装置において、
前記ビームは、その断面が円形あるいは一方向に長い長円形もしくは楕円形のビームを、その断面がスキャン方向に長い長円形状もしくは楕円形状となるよう整形されたのち偏向走査されるビームであることを特徴とするビーム照射装置。 - イオン源からのイオンビームまたは荷電粒子ビームを、前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置を通過させ、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、基板に照射するよう構成したビーム照射装置において、
前記質量分析装置の下流側に質量分析スリットを配置し、
該質量分析スリットは、通常注入用スリット、高分解能を有する高分解能用スリット、及び開口の狭いビーム中心軸合わせ用スリットの3つのスリットが一体的に構成され、通常注入、高分解能、ビーム中心軸合わせに応じて切り替えられるとともに、
断面が円形あるいは長円形もしくは楕円形のビームを縦方向集束用の直流四極電磁石(QD)と横方向集束用の直流四極電磁石(QF)とから成るビーム整形装置により、偏向走査後のビームラインの区間で、その断面がスキャン方向に長い長円形状もしくは楕円形状となるよう整形することを特徴とする低エネルギービームを増大させるようにしたビーム照射装置。
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TW094128050A TWI364052B (en) | 2004-11-30 | 2005-08-17 | Method to increase low-energy beam current in irradiation system with ion beam |
EP05255334A EP1662544A2 (en) | 2004-11-30 | 2005-08-31 | Ion beam irradiation system and related method |
KR1020050099008A KR101226507B1 (ko) | 2004-11-30 | 2005-10-20 | 이온 빔 조사 시스템의 저에너지 빔 전류를 증가시키는방법 |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008001685A1 (fr) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Appareil d'implantation ionique et procédé de correction d'angle de déflexion de faisceau ionique |
JP2010245053A (ja) * | 2006-06-26 | 2010-10-28 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置 |
US8357895B2 (en) | 2008-09-26 | 2013-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect inspection apparatus, defect inspection method, and semiconductor device manufacturing method |
KR20150122581A (ko) * | 2014-04-23 | 2015-11-02 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
KR20150141141A (ko) * | 2014-06-09 | 2015-12-17 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
KR20150146427A (ko) * | 2014-06-23 | 2015-12-31 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 이온주입장치 |
KR20190059228A (ko) * | 2017-11-22 | 2019-05-30 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 이온 주입 장치 및 이온 주입 장치의 제어 방법 |
JP2019537203A (ja) * | 2016-10-18 | 2019-12-19 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | スキャン後の湾曲電極 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7504621B2 (en) * | 2004-03-04 | 2009-03-17 | Mds Inc. | Method and system for mass analysis of samples |
JP5085887B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-11-28 | 株式会社Sen | ビーム処理装置及びビーム処理方法 |
US20080099696A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Shaped apertures in an ion implanter |
GB0703044D0 (en) * | 2007-02-16 | 2007-03-28 | Nordiko Technical Services Ltd | Apparatus |
WO2009039884A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Ion Beam Applications S.A. | Particle beam transport apparatus and method of transporting a particle beam with small beam spot size |
JP2009295475A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置およびビーム軌道補正方法 |
JP2011086643A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Panasonic Corp | 不純物注入方法及びイオン注入装置 |
US8330125B2 (en) * | 2010-09-21 | 2012-12-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion beam tuning |
TWI452595B (zh) * | 2010-10-22 | 2014-09-11 | Advanced Ion Beam Tech Inc | 用於加速或減速離子束之電極組、離子植入系統及減速點狀或帶狀離子束之方法 |
JP6257411B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-01-10 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置、最終エネルギーフィルター、及びイオン注入方法 |
US9978556B2 (en) * | 2015-12-11 | 2018-05-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Parallelizing electrostatic acceleration/deceleration optical element |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6391945A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-22 | Fuji Electric Co Ltd | イオンビ−ム装置 |
JPH04226021A (ja) * | 1990-04-09 | 1992-08-14 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 物体を荷電粒子ビームで照射する方法 |
JPH0668837A (ja) * | 1992-03-06 | 1994-03-11 | Eaton Corp | 交差平面集束を行うイオンビーム注入装置および方法 |
JPH08212965A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-20 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
JPH11283552A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Tadamoto Tamai | イオン注入装置、イオン注入方法、イオンビーム源、及び可変スリット機構 |
JP2001043823A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
JP2003132835A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
JP2003288857A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオンビームの電荷中和装置とその方法 |
US6774377B1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-08-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic parallelizing lens for ion beams |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4985634A (en) * | 1988-06-02 | 1991-01-15 | Oesterreichische Investitionskredit Aktiengesellschaft And Ionen Mikrofabrications | Ion beam lithography |
EP0405855A3 (en) * | 1989-06-30 | 1991-10-16 | Hitachi, Ltd. | Ion implanting apparatus and process for fabricating semiconductor integrated circuit device by using the same apparatus |
US5847401A (en) * | 1996-11-01 | 1998-12-08 | Atomic Energy Of Canada Limited | Simultaneous double sided irradiation |
JP3727047B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2005-12-14 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
US20060043316A1 (en) * | 2003-06-10 | 2006-03-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implanter having enhanced low energy ion beam transport |
JP4560712B2 (ja) * | 2003-07-18 | 2010-10-13 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | 超高および超低運動イオン・エネルギーによるターゲットのイオン照射 |
JP2007526458A (ja) * | 2004-03-04 | 2007-09-13 | エムディーエス インコーポレイテッド ドゥーイング ビジネス スルー イッツ エムディーエス サイエックス ディヴィジョン | 試料を質量分析するための方法およびシステム |
JP5100963B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-12-19 | 株式会社Sen | ビーム照射装置 |
JP4901094B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-03-21 | 株式会社Sen | ビーム照射装置 |
-
2004
- 2004-11-30 JP JP2004347511A patent/JP5068928B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-12 US US11/202,099 patent/US7361892B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-17 TW TW094128050A patent/TWI364052B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-08-31 EP EP05255334A patent/EP1662544A2/en not_active Withdrawn
- 2005-10-20 KR KR1020050099008A patent/KR101226507B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6391945A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-22 | Fuji Electric Co Ltd | イオンビ−ム装置 |
JPH04226021A (ja) * | 1990-04-09 | 1992-08-14 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 物体を荷電粒子ビームで照射する方法 |
JPH0668837A (ja) * | 1992-03-06 | 1994-03-11 | Eaton Corp | 交差平面集束を行うイオンビーム注入装置および方法 |
JPH08212965A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-20 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
JPH11283552A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Tadamoto Tamai | イオン注入装置、イオン注入方法、イオンビーム源、及び可変スリット機構 |
JP2001043823A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
JP2003132835A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
JP2003288857A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオンビームの電荷中和装置とその方法 |
US6774377B1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-08-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic parallelizing lens for ion beams |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008034360A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-02-14 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置およびイオンビームの偏差角補正方法 |
JP2010245053A (ja) * | 2006-06-26 | 2010-10-28 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置 |
JP4600426B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2010-12-15 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置およびイオンビームの偏差角補正方法 |
US8008630B2 (en) | 2006-06-26 | 2011-08-30 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion implantation apparatus and method of correcting deviation angle of ion beam |
WO2008001685A1 (fr) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Appareil d'implantation ionique et procédé de correction d'angle de déflexion de faisceau ionique |
US8357895B2 (en) | 2008-09-26 | 2013-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect inspection apparatus, defect inspection method, and semiconductor device manufacturing method |
KR102353625B1 (ko) * | 2014-04-23 | 2022-01-21 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
KR20150122581A (ko) * | 2014-04-23 | 2015-11-02 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
JP2015207536A (ja) * | 2014-04-23 | 2015-11-19 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
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