以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、以下に述べる構成は例示であり、本発明の範囲を何ら限定するものではない。例えば、以下では、イオン注入が行われる物体として半導体ウエハを例として説明するが、他の物質や部材であっても良い。
はじめに、後述する本願発明の実施の形態に至った経緯について説明する。イオン注入装置は、加工物内に構築されるべき所望の特性に基づいて、注入されるイオン種を選択し、そのエネルギー及びドーズ量を設定することが可能である。イオン注入装置は一般に、注入されるイオンのエネルギーとドーズ量の範囲により、いくつかのカテゴリーに分けられる。代表的なカテゴリーには、高ドーズ高電流イオン注入装置(以下、HCともいう)、中ドーズ中電流イオン注入装置(以下、MCともいう)、及び、高エネルギーイオン注入装置(以下、HEともいう)がある。
図1は、典型的なシリアル型高ドーズ高電流イオン注入装置(HC)、シリアル型中ドーズ中電流イオン注入装置(MC)、シリアル型高エネルギーイオン注入装置(HE)のエネルギー範囲及びドーズ範囲を模式的に示す。図1は、横軸にドーズを、縦軸にエネルギーを示す。ここで、ドーズとは、単位面積(例えばcm2)あたりの注入イオン(原子)の個数であり、注入された物質の総量はイオン電流の時間積分で与えられる。イオン注入によって与えられるイオン電流は通例mA又はμAで表される。ドーズは、注入量またはドーズ量と呼ばれることもある。図1には、HC、MC、HEのエネルギー及びドーズの範囲をそれぞれ符号A、B、Cで示す。これらは、各注入毎の注入条件(レシピともいう)によって必要とされる注入条件の集合範囲であり、現実的に許容できる生産性を勘案して、注入条件(レシピ)に合わせた現実的合理的な装置構成カテゴリーを表す。図示される各範囲は、各カテゴリーの装置が処理可能な注入条件(レシピ)範囲を示す。ドーズ量は現実的な処理時間を想定した場合のおおよその値を示している。
HCは、0.1〜100keV程度の比較的低いエネルギー範囲かつ1×1014〜1×1017atoms/cm2程度の高ドーズ範囲のイオン注入に使用される。MCは、3〜500keV程度の中間のエネルギー範囲かつ1×1011〜1×1014atoms/cm2程度の中程度のドーズ範囲のイオン注入に使用される。HEは、100keV〜5MeV程度の比較的高いエネルギー範囲かつ1×1010〜1×1013atoms/cm2程度の比較的低いドーズ範囲のイオン注入に使用される。このようにして、エネルギー範囲については5桁程度、ドーズ範囲については7桁程度に及ぶ広範な注入条件の範囲がHC、MC、HEによって分担されている。ただし、これらのエネルギー範囲やドーズ範囲は代表的な例であり、厳密なものではない。また、注入条件の与え方はドーズ及びエネルギーには限られず、様々である。注入条件は、ビーム電流値(ビームの断面プロファイルにおける面積積分ビーム量を電流で表したもの)、スループット、注入均一性などによって設定されてもよい。
あるイオン注入処理のための注入条件はエネルギー及びドーズの特定の値を含むので、図1において個々の点として表すことが可能である。例えば、注入条件aは、ある高いエネルギー及びある低いドーズの値をもつ。注入条件aは、MCの運転範囲にありかつHEの運転範囲にあるから、MCまたはHEを用いて処理し得る。注入条件bは中程度のエネルギー/ドーズであり、HC、MC、HEのいずれかで処理し得る。注入条件cは中程度のエネルギー/ドーズであり、HCまたはMCで処理し得る。注入条件dは低エネルギー/高ドーズであり、HCのみによって処理し得る。
イオン注入装置は半導体デバイスの生産に欠かせない機器であり、その性能や生産性の向上はデバイスメーカーにとって重要な意味を持つ。デバイスメーカーは、製造しようとするデバイスに必要な注入特性を実現できる装置をこれら複数のイオン注入装置カテゴリーの中から選択する。その際に、デバイスメーカーは、最良の製造効率の実現、装置の所有コストなど種々の事情を考慮して、カテゴリーの装置の台数を決定する。
あるカテゴリーの装置が高い稼働率で使用されており、他のカテゴリーの装置の処理能力に比較的余裕がある場合を考える。このとき、カテゴリーごとに注入特性が厳密には異なることによって所望のデバイスを得るために前者の装置を後者の装置で代用できないとしたら、前者の装置の故障は生産工程上のボトルネックを生み、それによって全体の生産性が損なわれることになる。このようなトラブルは、あらかじめ故障率などを想定し、それに基づいて台数構成を決定することによって、ある程度回避可能である。
製造するデバイスが需要の変化や技術の進展に伴って変更され、必要な装置の台数構成が変化して装置の不足や非稼働装置が発生し、装置の運用効率が低下する場合もある。このようなトラブルは、将来的な製品のトレンドを予測して台数構成に反映させることである程度回避可能である。
他のカテゴリーの装置で代用が可能であったとしても、装置の故障や製造デバイスの変化は、デバイスメーカーに製造効率の低下や無駄な投資をもたらし得る。例えば、これまで主として中電流イオン注入装置で処理されていた製造プロセスが、製造デバイスの変更により高電流イオン注入装置で処理されるようになることがある。そうすると、高電流イオン注入装置の処理能力が不足する一方で、中電流イオン注入装置の処理能力が余るようになる。変更後の状態がその後長期間変化しないと見込まれるのであれば、新規の高電流イオン注入装置の購入及び所有している中電流イオン注入装置の売却という対策を取ることで、装置の運用効率を改善することができる。しかし、頻繁にプロセスが変更されたり、そうした変更が予測困難である場合には、生産に支障を来すことになるかもしれない。
実際には、あるデバイスの製造のためにあるカテゴリーのイオン注入装置で既に行われているプロセスを他のカテゴリーのイオン注入装置で直ちに代用することはできない。イオン注入装置上でのデバイス特性の合わせ込みの作業が必要になるからである。つまり、新たなイオン注入装置において同じイオン種、エネルギー、ドーズ量でプロセスを実行して得られたデバイス特性は、以前のイオン注入装置で得られたデバイス特性から大きく乖離し得る。イオン種、エネルギー、ドーズ量以外の諸条件、例えば、ビーム電流密度(すなわち、ドーズレイト)、注入角度、注入領域の塗り重ね方法などもデバイス特性に影響するからである。カテゴリーが異なる場合は一般に装置構成も異なるので、イオン種、エネルギー及びドーズ量を揃えたとしても、デバイス特性に影響するその他の条件まで自動的に一致させることはできない。これらの諸条件は注入方式に依存する。注入方式には例えば、ビームと加工物との相対移動の方式(例えば、スキャンビーム、リボンビーム、二次元ウエハスキャンなど)や、次に述べるバッチ型とシリアル型の種別などがある。
加えて、高ドーズ高電流イオン注入装置と高エネルギーイオン注入装置はバッチ型、中ドーズ中電流イオン注入装置はシリアル型と大きく棲み分けされていることも、装置間の差異を大きくしている。バッチ型は多数のウエハに一度に処理する方式であり、これらウエハは例えば円周上に配置されている。シリアル型は一枚ずつのウエハを処理する方式であり、枚葉式とも呼ばれる。なお、高ドーズ高電流イオン注入装置と高エネルギーイオン注入装置はシリアル型をとる場合もある。
さらに、バッチ型の高ドーズ高電流イオン注入装置のビームラインにおいては、高ドーズ高電流ビーム特性によるビームライン設計上の要請により、シリアル型の中ドーズ中電流イオン注入装置よりも典型的に短く作られている。高ドーズ高電流ビームライン設計において、低エネルギー/高ビーム電流条件でのイオンビームの発散によるビーム損失を抑制するためである。とりわけ、ビームを形成するイオンが互いに反発し合う荷電粒子を含むことにより径方向外側に拡大する傾向、いわゆるビームブローアップを軽減させるためである。このような設計の必要性は、高ドーズ高電流イオン注入装置がシリアル型である場合に比べてバッチ型である場合に、より顕著である。
シリアル型の中ドーズ中電流イオン注入装置のビームラインが相対的に長く作られているのは、イオンビームの加速やビーム成形のためである。シリアル型中ドーズ中電流イオン注入装置においては、かなりの運動量を有するイオンが高速移動している。これらのイオンは、ビームラインに追加される加速用間隙の一または幾つかを通過することにより運動量が増加される。さらに、かなりの運動量を有する粒子の軌道を修正するには、フォーカシング部は、フォーカシング力を十分に印加すべく相対的に長くなければならない。
高エネルギーイオン注入装置では、線形加速方式やタンデム加速方式を採用しているために、高ドーズ高電流イオン注入装置や中ドーズ中電流イオン注入装置の加速方式と本質的に異なる。こうした本質的な相違は、高エネルギーイオン注入装置がシリアル型であってもバッチ型であっても同様である。
このように、イオン注入装置HC、MC、HEはカテゴリーによってビームラインの形式や注入方式が異なり、それぞれ全く異なる装置として認識されている。カテゴリーの異なる装置間の構成上の違いは不可避であるとみなされている。HC、MC、HEというように異なる形式の装置間では、デバイス特性に与える影響を考慮したプロセス互換性は保証されていない。
したがって、既存のカテゴリーの装置よりも広いエネルギー範囲及び/またはドーズ範囲を有するイオン注入装置が望まれる。特に、注入装置の形式を変えることなく、既存の少なくとも2つのカテゴリーを包含する広い範囲におけるエネルギー及びドーズ量での注入を可能とするイオン注入装置が望まれる。
また、近年は全ての注入装置がシリアル型を採用することが主流となりつつある。したがって、シリアル型の構成を有し、かつ、広いエネルギー範囲及び/またはドーズ範囲を有するイオン注入装置が望まれる。
更に、HEが本質的に異なる加速方式を用いるのに対して、HCとMCは、直流電圧でイオンビームを加速または減速するビームラインを備える点で共通する。そのため、HCとMCのビームラインは共用できる可能性がある。したがって、HCとMCの両方の役割を1台で果たすことのできるイオン注入装置が望まれる。
このように広い範囲で運転可能な装置は、デバイスメーカにおける生産性や運用効率の改善に役立つ。
なお、中電流イオン注入装置(MC)は、高電流イオン注入装置(HC)に比べて高いエネルギー範囲かつ低いドーズ範囲で運転することが可能であることから、本願では低電流イオン注入装置と呼ぶことがある。同様にして、中電流イオン注入装置(MC)についてエネルギー及びドーズをそれぞれ、高エネルギー及び低ドーズと呼ぶことがある。あるいは、高電流イオン注入装置(HC)についてのエネルギー及びドーズをそれぞれ、低エネルギー及び高ドーズと呼ぶことがある。ただし、本願においてこうした表現は中電流イオン注入装置(MC)のエネルギー範囲及びドーズ範囲のみを限定的に指し示すわけではなく、文脈によっては文字通りに、「ある高い(又は低い)エネルギー(又はドーズ)の範囲」を意味し得る。
図2は、本発明のある実施の形態に係るイオン注入装置100を概略的に示す図である。イオン注入装置100は、所与のイオン注入条件に従って被処理物Wの表面にイオン注入処理をするよう構成されている。イオン注入条件は例えば、被処理物Wに注入されるべきイオン種、イオンのドーズ量、及びイオンのエネルギーを含む。被処理物Wは、例えば基板であり、例えばウエハである。よって以下では説明の便宜のため被処理物Wを基板Wと呼ぶことがあるが、これは注入処理の対象を特定の物体に限定することを意図していない。
イオン注入装置100は、イオン源102と、ビームライン装置104と、注入処理室106と、を備える。また、イオン注入装置100は、イオン源102、ビームライン装置104、及び注入処理室106に所望の真空環境を提供するための真空排気系(図示せず)を備える。
イオン源102は、基板Wに注入されるべきイオンを生成するよう構成されている。イオン源102は、ビームの電流調整のための要素の一例である引出電極ユニット118によりイオン源102から加速引き出しされたイオンビームB1を、ビームライン装置104に与える。以下ではこれを初期イオンビームB1と呼ぶことがある。
ビームライン装置104は、イオン源102から注入処理室106へとイオンを輸送するよう構成されている。ビームライン装置104は、イオンビームを輸送するためのビームラインを提供する。ビームラインは、イオンビームの通路であり、ビーム軌道の道筋ともいえる。ビームライン装置104は、初期イオンビームB1に、例えば、偏向、加速、減速、整形、走査などを含む操作をすることによりイオンビームB2を形成する。以下ではこれを注入イオンビームB2と呼ぶことがある。ビームライン装置104は、こうしたビーム操作のために配列されている複数のビームライン構成要素を備える。このようにして、ビームライン装置104は、注入イオンビームB2を注入処理室106に与える。
注入イオンビームB2は、ビームライン装置104のビーム輸送方向(又はビーム軌道に沿う方向)に垂直な面内にビーム照射域105を有する。ビーム照射域105は通常、基板Wの幅を包含する幅を有する。例えば、ビームライン装置104がスポット状のイオンビームを走査するビーム走査装置を備える場合には、ビーム照射域105はビーム輸送方向に垂直な長手方向に沿って走査範囲にわたって延びる細長照射域である。また、ビームライン装置104がリボンビーム発生器を備える場合にも同様に、ビーム照射域105は、ビーム輸送方向に垂直な長手方向に延びる細長照射域である。ただし、この細長照射域は当該リボンビームの断面である。細長照射域は、長手方向に基板Wの幅(基板Wが円形である場合には直径)よりも長い。
注入処理室106は、基板Wが注入イオンビームB2を受けるように基板Wを保持する物体保持部107を備える。物体保持部107は、ビームライン装置104のビーム輸送方向及びビーム照射域105の長手方向に垂直な方向に基板Wを移動可能に構成されている。すなわち、物体保持部107は、基板Wのメカニカルスキャンを提供する。本願において、メカニカルスキャンは、機械式走査と同義である。なお、ここで、「垂直な方向」は、当業者には理解されるように、厳密な直交のみには限定されない。「垂直な方向」は、例えば、基板Wを上下方向にいくらか傾けて注入する場合には、そうした傾斜角度を含み得る。
注入処理室106は、シリアル型の注入処理室として構成されている。よって物体保持部107は典型的には一枚の基板Wを保持する。しかし、物体保持部107は、バッチ型のように複数の(例えば小型の)基板を保持する支持台を備え、この支持台を直線的に往復移動させることによりこれら複数の基板のメカニカルスキャンをするよう構成されていてもよい。ある他の実施形態においては、注入処理室106は、バッチ型の注入処理室として構成されていてもよい。この場合例えば、物体保持部107は、複数の基板Wを円周上にかつ回転可能に保持する回転ディスクを備えてもよい。回転ディスクはメカニカルスキャンを提供するよう構成されていてもよい。
図3には、ビーム照射域105とそれに関連するメカニカルスキャンの一例を示す。
イオン注入装置100は、スポット状のイオンビームB2の1次元ビームスキャンSBと基板Wの1次元メカニカルスキャンSMを併用するハイブリッドスキャン方式によるイオン注入を実施可能とするよう構成されている。物体保持部107の側方においてビーム照射域105に重なるようにビーム計測器130(例えばファラデーカップ)が設けられ、その計測結果が制御部116に与えられてもよい。
こうして、ビームライン装置104は、ビーム照射域105を有する注入イオンビームB2を、注入処理室106に供給するよう構成されている。ビーム照射域105は、基板Wのメカニカルスキャンと協働して基板Wの全体にわたって注入イオンビームB2が照射されるよう形成されている。したがって、基板Wとイオンビームとの相対移動によって基板Wにイオンを注入することができる。
他の実施形態においては、イオン注入装置100は、リボン状のイオンビームB2と基板Wの1次元メカニカルスキャンを併用するリボンビーム+ウエハスキャン方式によるイオン注入を実施可能とするよう構成されている。リボンビームはその横幅が均一性を保ちつつ拡げられており、基板Wがリボンビームと交差するよう走査される。更に他の実施形態においては、イオン注入装置100は、スポット状のイオンビームB2のビーム軌道を固定した状態で基板Wを二次元的にメカニカルスキャンする方式によるイオン注入を実施可能とするよう構成されていてもよい。
なお、イオン注入装置100は、基板W上の広い領域にわたってイオン注入をするための特定の注入方式には限定されない。メカニカルスキャンを使用しない注入方式も可能である。例えば、イオン注入装置100は、スポット状のイオンビームB2を基板W上で二次元的にスキャンする二次元ビームスキャン方式によるイオン注入を実施可能とするよう構成されていてもよい。あるいは、二次元的に拡げたイオンビームB2を用いるラージサイズビーム方式によるイオン注入を実施可能とするよう構成されていてもよい。このラージサイズビームは、均一性を保ちつつビームサイズを基板サイズ以上となるよう広げられており、基板全体を一度に処理することができる。
詳しくは後述するが、イオン注入装置100は、高ドーズ注入用の第1ビームライン設定S1又は低ドーズ注入用の第2ビームライン設定S2のもとで運転されることができる。したがって、ビームライン装置104は、第1ビームライン設定S1または第2ビームライン設定S2を運転中に有する。これら2つの設定は共通する注入方式のもとで異なるイオン注入条件のためのイオンビームを生成するよう定められている。そのため、第1ビームライン設定S1と第2ビームライン設定S2とでイオンビームB1、B2の基準となるビーム中心軌道は同一である。ビーム照射域105についても、第1ビームライン設定S1と第2ビームライン設定S2とで同一である。
基準となるビーム中心軌道とは、ビームをスキャンする方式においては、ビームをスキャンしていないときのビーム軌道を指す。また、リボンビームの場合には、基準となるビーム中心軌道は、ビーム断面の幾何学的な中心の軌跡にあたる。
ところで、ビームライン装置104は、イオン源102側のビームライン上流部分と注入処理室106側のビームライン下流部分とに区分することができる。ビームライン上流部分には例えば、質量分析磁石と質量分析スリットとを備える質量分析装置108が設けられている。質量分析装置108は、初期イオンビームB1を質量分析することにより必要なイオン種のみをビームライン下流部分に与える。ビームライン下流部分には例えば、注入イオンビームB2のビーム照射域105を定めるビーム照射域決定部110が設けられている。
ビーム照射域決定部110は、入射するイオンビーム(例えば初期イオンビームB1)に電場または磁場(またはその両方)を印加することにより、ビーム照射域105を有するイオンビーム(例えば注入イオンビームB2)を出射するよう構成されている。ある実施形態においては、ビーム照射域決定部110は、ビーム走査装置とビーム平行化装置とを備える。これらのビームライン構成要素の例示については図5を参照して後述する。
なお上述の上流部分及び下流部分との区分はビームライン装置104における構成要素の相対的な位置関係を説明の便宜のために言及したものにすぎないと理解されたい。よって、例えばビームライン下流部分のある構成要素が注入処理室106よりもイオン源102に近い場所に配置されていてもよい。逆も同様である。したがって、ある実施形態においては、ビーム照射域決定部110はリボンビーム発生器とビーム平行化装置とを備えてもよく、リボンビーム発生器は質量分析装置108を備えてもよい。
ビームライン装置104は、エネルギー調整系112と、ビーム電流調整系114と、を備える。エネルギー調整系112は、基板Wへの注入エネルギーを調整するよう構成されている。ビーム電流調整系114は、基板Wへの注入ドーズ量を広範囲で変化させるために、ビーム電流を大きな範囲で調整することが可能なように構成されている。ビーム電流調整系114は、イオンビームのビーム電流を(質的というよりも)量的に調整するために設けられている。ある実施の形態においては、ビーム電流の調整のためにイオン源102の調整を用いることも可能であり、この場合、ビーム電流調整系114は、イオン源102を備えるとみなしてもよい。エネルギー調整系112及びビーム電流調整系114の詳細は後述する。
また、イオン注入装置100は、イオン注入装置100の全体又はその一部(例えばビームライン装置104の全体又はその一部)を制御するための制御部116を備える。制御部116は、第1ビームライン設定S1と第2ビームライン設定S2とを含む複数のビームライン設定からいずれかを選択し、選択されたビームライン設定のもとでビームライン装置104を運転するよう構成されている。具体的には、制御部116は、選択されたビームライン設定に従ってエネルギー調整系112及びビーム電流調整系114を設定し、エネルギー調整系112及びビーム電流調整系114を制御する。なお、制御部116は、エネルギー調整系112及びビーム電流調整系114を制御するための専用の制御装置であってもよい。
制御部116は、第1ビームライン設定S1と第2ビームライン設定S2とを含む複数のビームライン設定のうち、所与のイオン注入条件に適するいずれかのビームライン設定を選択するよう構成されている。第1ビームライン設定S1は、基板Wへの高ドーズ注入のための高電流ビームの輸送に適する。よって、制御部116は例えば、基板Wに注入される所望のイオンドーズ量が概略1×1014〜1×1017atoms/cm2の範囲にあるとき第1ビームライン設定S1を選択する。また、第2ビームライン設定S2は、基板Wへの低ドーズ注入のための低電流ビームの輸送に適する。よって、制御部116は例えば、基板Wに注入される所望のイオンドーズ量が概略1×1011〜1×1014atoms/cm2の範囲にあるとき第2ビームライン設定S2を選択する。これらビームライン設定の詳細は後述する。
エネルギー調整系112は、ビームライン装置104に沿って配設されている複数のエネルギー調整要素を備える。これら複数のエネルギー調整要素はそれぞれビームライン装置104上で固定された位置に配置されている。図2に示されるように、エネルギー調整系112は、例えば3つの調整要素、具体的には、上流調整要素118、中間調整要素120、及び下流調整要素122を備える。これら調整要素の各々は、初期イオンビームB1及び/または注入イオンビームB2を加速または減速させるための電場を作用させるよう構成されている1つ又は複数の電極を備える。
上流調整要素118は、ビームライン装置104の上流部分、例えば最上流部に設けられている。上流調整要素118は例えば、イオン源102から初期イオンビームB1をビームライン装置104に引き出すための引出電極系を備える。中間調整要素120は、ビームライン装置104の中間部分に設けられており、例えば、静電式のビーム平行化装置を備える。下流調整要素122は、ビームライン装置104の下流部分に設けられており、例えば、加速/減速コラムを備える。下流調整要素122は、加速/減速コラムの下流に配置される角度エネルギーフィルタ(AEF)を備えてもよい。
また、エネルギー調整系112は、上述のエネルギー調整要素のための電源系を備える。これについては、図6及び図7を参照して後述する。なお、これら複数のエネルギー調整要素はビームライン装置104上の任意の場所に任意の個数で設けられていてもよく、図示の配置には限られない。また、エネルギー調整系112は、1つのエネルギー調整要素のみを備えてもよい。
ビーム電流調整系114は、ビームライン装置104の上流部分に設けられており、初期イオンビームB1のビーム電流を調整するためのビーム電流調整要素124を備える。ビーム電流調整要素124は、初期イオンビームB1がビーム電流調整要素124を通過するときに初期イオンビームB1の少なくとも一部を遮断するよう構成されている。ある実施形態においては、ビーム電流調整系114は、ビームライン装置104に沿って配設されている複数のビーム電流調整要素124を備えてもよい。また、ビーム電流調整系114は、ビームライン装置104の下流部分に設けられていてもよい。
ビーム電流調整要素124は、ビームライン装置104のビーム輸送方向に垂直なイオンビーム断面の通過領域を調整するための可動部分を備える。この可動部分によって、ビーム電流調整要素124は、初期イオンビームB1の一部を制限する可変幅スリットまたは可変形状開口を有するビーム制限装置を構成する。また、ビーム電流調整系114は、ビーム電流調整要素124の可動部分を連続的、または、不連続的に調整する駆動装置を備える。
それとともに又はそれに代えて、ビーム電流調整要素124は、複数の異なる面積及び/または形状のビーム通過領域を各々が有する複数の調整部材(例えば調整アパチャー)を備えてもよい。ビーム電流調整要素124は、複数の調整部材のうちビーム軌道上に配置される調整部材を切り換えることができるよう構成されている。このようにして、ビーム電流調整要素124は、ビーム電流を段階的に調整するよう構成されていてもよい。
図示されるように、ビーム電流調整要素124は、エネルギー調整系112の複数のエネルギー調整要素とは別個のビームライン構成要素である。ビーム電流調整要素とエネルギー調整要素とを別々に設置することにより、ビーム電流の調整とエネルギーの調整とを個別的に行うことができる。これにより、個々のビームライン設定におけるビーム電流範囲及びエネルギー範囲の設定の自由度を高くすることができる。
第1ビームライン設定S1は、エネルギー調整系112のための第1エネルギー設定と、ビーム電流調整系114のための第1ビーム電流設定と、を含む。第2ビームライン設定S2は、エネルギー調整系112のための第2エネルギー設定と、ビーム電流調整系114のための第2ビーム電流設定と、を含む。第1ビームライン設定S1は、低エネルギーかつ高ドーズのイオン注入を指向し、第2ビームライン設定S2は、高エネルギーかつ低ドーズのイオン注入を指向する。
よって、第1エネルギー設定は、第2エネルギー設定に比べて低エネルギービームの輸送に適するよう定められている。また、第2ビーム電流設定は、第1ビーム電流設定に比べてイオンビームのビーム電流を小さくするよう定められている。注入イオンビームB2のビーム電流の調整と照射時間の調整とを組み合わせることにより、所望のドーズ量を基板Wに注入することができる。
第1エネルギー設定は、エネルギー調整系112とその電源系との接続を定める第1電源接続設定を含む。第2エネルギー設定は、エネルギー調整系112とその電源系との接続を定める第2電源接続設定を含む。第1電源接続設定は、中間調整要素120及び/または下流調整要素122がビーム輸送を支援するための電場を発生させるよう定められている。例えば、ビーム平行化装置及び加速/減速コラムは全体として、第1エネルギー設定のもとで注入イオンビームB2を減速し、第2エネルギー設定のもとで注入イオンビームB2を加速するよう構成されている。これらの電源接続設定により、エネルギー調整系112の各調整要素の電圧調整範囲が定まる。その調整範囲において、各調整要素に対応する電源の電圧を、注入イオンビームB2に所望の注入エネルギーを与えるように調整することができる。
第1ビーム電流設定は、ビーム電流調整要素124のイオンビーム通過領域を定める第1開口設定を含む。第2ビーム電流設定は、ビーム電流調整要素124のイオンビーム通過領域を定める第2開口設定を含む。第2開口設定は、第1開口設定に比べてイオンビーム通過領域を小さくするよう定められている。これら開口設定は例えば、ビーム電流調整要素124の可動部分の移動範囲を定める。あるいは、開口設定は、使用されるべき調整部材を定めていてもよい。こうして、開口設定により定められている調整範囲内において、所望のビーム電流に対応するイオンビーム通過領域をビーム電流調整要素124に設定することができる。実施されるイオン注入処理に許容される処理時間内に所望のドーズ量が基板Wに注入されるようにイオンビーム通過領域を調整することができる。
よって、ビームライン装置104は、第1ビームライン設定S1のもとで第1エネルギー調整範囲を有し、第2ビームライン設定S2のもとで第2エネルギー調整範囲を有する。広い範囲にわたる調整を可能とするために、第1エネルギー調整範囲は、第2エネルギー調整範囲と重複部分をもつ。つまり、2つの調整範囲は少なくとも各々の端部で相互に重なり合う。重複部分は直線状であってもよく、この場合、2つの調整範囲は接している。ある他の実施形態においては、第1エネルギー調整範囲は、第2エネルギー調整範囲から分離されていてもよい。
同様に、ビームライン装置104は、第1ビームライン設定S1のもとで第1ドーズ調整範囲を有し、第2ビームライン設定S2のもとで第2ドーズ調整範囲を有する。第1ドーズ調整範囲は、第2ドーズ調整範囲と重複部分をもつ。つまり、2つの調整範囲は少なくとも各々の端部で相互に重なり合う。重複部分は直線状であってもよく、この場合、2つの調整範囲は接している。ある他の実施形態においては、第1ドーズ調整範囲は、第2ドーズ調整範囲から分離されていてもよい。
このようにして、第1ビームライン設定S1のもとでビームライン装置104は第1運転モードで運転される。第1運転モードを以下では低エネルギーモード(または高ドーズモード)と呼ぶこともある。また、第2ビームライン設定S2のもとでビームライン装置104は第2運転モードで運転される。第2運転モードを以下では高エネルギーモード(または低ドーズモード)と呼ぶこともある。第1ビームライン設定S1は、被処理物Wへの高ドーズ注入のための低エネルギー/高電流ビームの輸送に適する第1注入設定構成と呼ぶこともできる。第2ビームライン設定S2は、被処理物Wへの低ドーズ注入のための高エネルギー/低電流ビームの輸送に適する第2注入設定構成と呼ぶこともできる。
イオン注入装置100の操作者は、あるイオン注入処理を実行する前にその処理の注入条件に応じてビームライン設定を切り換えることができる。したがって、低エネルギー(または高ドーズ)から高エネルギー(または低ドーズ)までの広い範囲を1台のイオン注入装置で処理することができる。
また、イオン注入装置100は、同一の注入方式で、注入条件の広い範囲に対応する。すなわち、イオン注入装置100は、実質的に同一のビームライン装置104で広い範囲を処理する。さらに、イオン注入装置100は、最近主流となりつつあるシリアル型の構成をもつ。したがって、詳しくは後述するが、イオン注入装置100は、既存のイオン注入装置(例えばHC及び/またはMC)の共用手段としての使用に好適である。
ビームライン装置104は、イオンビームを制御するビーム制御装置と、イオンビームを調整するビーム調整装置と、イオンビームを整形するビーム整形装置と、を備えるとみなすこともできる。ビームライン装置104は、ビーム制御装置、ビーム調整装置、及びビーム整形装置によって、注入処理室106において被処理物Wの幅を超えるビーム照射域105を有するイオンビームを供給する。イオン注入装置100においては、第1ビームライン設定S1と第2ビームライン設定S2とでビーム制御装置、ビーム調整装置、及びビーム整形装置が同一のハードウェア構成を有してもよい。この場合、第1ビームライン設定S1と第2ビームライン設定S2とでビーム制御装置、ビーム調整装置、及びビーム整形装置が同一のレイアウトで配置されていてもよい。それにより、イオン注入装置100は、第1ビームライン設定S1と第2ビームライン設定S2とで同一の設置床面積(いわゆるフットプリント)を有してもよい。
基準となるビーム中心軌道は、ビームをスキャンする方式においては、ビームをスキャンをしていないときのビーム断面の幾何学的な中心の軌跡であるビームの軌道である。また、静止したビームであるリボンビームの場合には、基準となるビーム中心軌道は、下流部分の注入イオンビームB2におけるビーム断面形状の変化にかかわらず、ビーム断面の幾何学的な中心の軌跡にあたる。
ビーム制御装置は、制御部116を備えてもよい。ビーム調整装置は、ビーム照射域決定部110を備えてもよい。ビーム調整装置は、エネルギーフィルターまたは偏向要素を備えてもよい。ビーム整形装置は、後述する第1XY収束レンズ206、第2XY収束レンズ208、及び、Y収束レンズ210を備えてもよい。
ビームライン装置104の上流部分では初期イオンビームB1が単一のビーム軌道をとるのに対して下流部分では注入イオンビームB2が、ビームをスキャンする方式においては基準となるビーム中心軌道を中心に平行化されたスキャンビームによる複数のビーム軌道をとるとみなすこともできる。ただし、リボンビームの場合には、単一のビーム軌道のビーム断面形状が変化してビーム幅が広がって照射ゾーンとなっているから、ビーム軌道としてはなお単一である。こうした見方によると、ビーム照射域105は、イオンビーム軌道ゾーンと呼ぶこともできる。したがって、イオン注入装置100は、第1ビームライン設定S1と第2ビームライン設定S2とで注入イオンビームB2が同一のイオンビーム軌道ゾーンを有する。
図4は、本発明のある実施の形態に係るイオン注入方法を表すフローチャートである。このイオン注入方法は、イオン注入装置100における使用に適している。この方法は、制御部116により実行される。図4に示されるように、この方法は、ビームライン設定選択ステップ(S10)と、イオン注入ステップ(S20)と、を備える。
制御部116は、複数のビームライン設定のうち所与のイオン注入条件に適するいずれかのビームライン設定を選択する(S10)。複数のビームライン設定は、上述のように、被処理物への高ドーズ注入のための高電流ビームの輸送に適する第1ビームライン設定S1と、被処理物への低ドーズ注入のための低電流ビームの輸送に適する第2ビームライン設定S2と、を含む。例えば、制御部116は、基板Wに注入される所望のイオンドーズ量がしきい値を超える場合に第1ビームライン設定S1を選択し、所望のイオンドーズ量がそのしきい値を下回る場合に第2ビームライン設定S2を選択する。なお、後述するように、複数のビームライン設定(または注入設定構成)は、第3ビームライン設定(または第3注入設定構成)及び/または第4ビームライン設定(または第4注入設定構成)を含んでもよい。
第1ビームライン設定S1が選択された場合には、制御部116は、第1エネルギー設定を用いてエネルギー調整系112を設定する。それにより、エネルギー調整系112とその電源系とが第1電源接続設定に従って接続される。また、制御部116は、第1ビーム電流設定を用いてビーム電流調整系114を設定する。それにより、第1開口設定に従ってイオンビーム通過領域(またはその調整範囲)が設定される。同様にして、第2ビームライン設定S2が選択された場合には、制御部116は、第2エネルギー設定を用いてエネルギー調整系112を設定し、第2ビーム電流設定を用いてビーム電流調整系114を設定する。
この選択処理は、選択されたビームライン設定に応じた調整範囲においてビームライン装置104を調整する処理を含んでもよい。この調整処理においては、所望の注入条件のイオンビームが生成されるように、ビームライン装置104の各調整要素が対応する調整範囲内で調整される。例えば、制御部116は、所望の注入エネルギーが得られるように、エネルギー調整系112の各調整要素に対応する電源の電圧を決定する。また、制御部116は、所望の注入ドーズ量が得られるように、ビーム電流調整要素124のイオンビーム通過領域を決定する。
こうして、制御部116は、選択されたビームライン設定のもとで、イオン注入装置100を運転する(S20)。ビーム照射域105を有する注入イオンビームB2が生成され、基板Wに供給される。注入イオンビームB2は、基板Wのメカニカルスキャンと協働して(またはビーム単独で)基板Wの全体を照射する。その結果、所望のイオン注入条件のエネルギーとドーズ量で基板Wにイオンが注入される。
デバイス生産に使用されているシリアル型高ドーズ高電流イオン注入装置では現状、ハイブリッドスキャン方式、二次元メカニカルスキャン方式、リボンビーム+ウエハスキャン方式が採用されている。しかしながら、二次元メカニカルスキャン方式は、メカニカルスキャンの機械的な駆動機構の負荷のためにスキャン速度の高速化に制限があり、それ故に注入ムラを十分に抑制できないという問題をもつ。また、リボンビーム+ウエハスキャン方式は、横方向にビームサイズを拡げるときに均一性の低下が生じ易い。そのため、特に低ドーズ条件(低ビーム電流条件)で、均一性およびビーム角度の同一性に問題をもつ。ただし、得られる注入結果が許容範囲にある場合には、二次元メカニカルスキャン方式またはリボンビーム+ウエハスキャン方式で本発明のイオン注入装置を構成してもよい。
一方で、ハイブリッドスキャン方式は、ビームスキャン速度を高精度に調整することにより、ビームスキャン方向に良好な均一性を達成することができる。また、ビームスキャンを十分に高速にすることにより、ウエハスキャン方向の注入ムラを十分に抑制することもできる。したがって、ハイブリッドスキャン方式が広範囲のドーズ条件にわたって最適であると考えられる。
図5(a)は、本発明のある実施の形態に係るイオン注入装置200の概略構成を示す平面図、図5(b)は、本発明のある実施の形態に係るイオン注入装置200の概略構成を示す側面図である。イオン注入装置200は、図2に示すイオン注入装置100に関してハイブリッドスキャン方式を適用した場合の1つの実施例である。また、イオン注入装置200は、図2に示すイオン注入装置100と同様にシリアル型の装置である。
イオン注入装置200は、図示されるように複数のビームライン構成要素を備える。イオン注入装置200のビームライン上流部分は、上流側から順に、イオンソース201、質量分析磁石202、ビームダンプ203、リゾルビングアパチャー204、電流抑制機構205、第1XY収束レンズ206、ビーム電流計測器207、及び、第2XY収束レンズ208を備える。イオンソース201と質量分析磁石202との間には、イオンソース201からイオンを引き出すための引出電極218(図6及び図7参照)が設けられている。
ビームライン上流部分と下流部分との間に、スキャナー209が設けられている。ビームライン下流部分は、上流側から順に、Y収束レンズ210、ビーム平行化機構211、AD(Accel/Decel)コラム212、及びエネルギーフィルター213を備える。ビームライン下流部分の最下流部にウエハ214が配置されている。イオンソース201からビーム平行化機構211までのビームライン構成要素は、ターミナル216に収容されている。
電流抑制機構205は、上述のビーム電流調整系114の一例である。電流抑制機構205は、低ドーズモードと高ドーズモードとを切り換えるために設けられている。電流抑制機構205は、一例としてCVA(Continuously Variable Aperture)を備える。CVAは、駆動機構により開口サイズを調整できるアパチャーである。したがって、電流抑制機構205は、低ドーズモードにおいては比較的小さい開口サイズ調整範囲で動作し、高ドーズモードにおいては比較的大きい開口サイズ調整範囲で動作するよう構成されている。ある実施形態においては、電流抑制機構205とともに又はこれに代えて、異なる開口幅を持つ複数のリゾルビングアパチャー204が、低ドーズモードと高ドーズモードとで異なる設定で動作するよう構成されていてもよい。
電流抑制機構205は、下流まで到達するイオンビーム量を制限して、低ビーム電流の条件でのビーム調整を助ける役割を持つ。電流抑制機構205は、ビームライン上流部分(すなわち、イオンソース201からのイオン引出後からスキャナー209の上流側までの間)に設けられている。そのため、ビーム電流の調整範囲を大きくすることができる。なお、電流抑制機構205は、ビームライン下流部分に設けられていてもよい。
ビーム電流計測器207は例えば、可動式のフラグファラデーである。
第1XY収束レンズ206、第2XY収束レンズ208、及び、Y収束レンズ210は、縦横方向のビーム形状(XY面内のビーム断面)を調整するためのビーム整形装置を構成する。このように、ビーム整形装置は、質量分析磁石202とビーム平行化機構211との間でビームラインに沿って配設されている複数のレンズを備える。ビーム整形装置は、これらのレンズの収束/発散効果によって、広範囲のエネルギー・ビーム電流の条件で下流まで適切にイオンビームを輸送することができる。すなわち、低エネルギー/低ビーム電流、低エネルギー/高ビーム電流、高エネルギー/低ビーム電流、及び、高エネルギー/高ビーム電流のいずれの条件下においてもイオンビームをウエハ214まで適切に輸送することができる。
第1XY収束レンズ206は例えばQレンズであり、第2XY収束レンズ208は例えばXY方向アインツェルレンズであり、Y収束レンズ210は例えばY方向アインツェルレンズまたはQレンズである。第1XY収束レンズ206、第2XY収束レンズ208、及びY収束レンズ210は、それぞれ単一のレンズであってもよいし、レンズ群であってもよい。このようにして、ビーム整形装置は、ビームポテンシャルが大きくビームの自己発散が問題となる低エネルギー/高ビーム電流の条件から、ビームポテンシャルが小さくビームの断面形状制御が問題となる高エネルギー/低ビーム電流の条件まで、イオンビームを適切に制御できるように設計されている。
エネルギーフィルター213は例えば、偏向電極、偏向電磁石、またはその両方を備えるAEF(Angular Energy Filter)である。
イオンソース201で生成されたイオンは、引出電場(図示せず)によって加速される。加速されたイオンは、質量分析磁石202で偏向される。こうして、所定のエネルギーと質量電荷比を持つイオンのみがリゾルビングアパチャー204を通過する。続いて、イオンは、電流抑制機構(CVA)205、第1XY収束レンズ206、及び第2XY収束レンズ208を経由して、スキャナー209へと導かれる。
スキャナー209は、周期的な電場または磁場(またはその両方)を印加することでイオンビームを横方向(縦方向または斜め方向でもよい)に往復走査する。スキャナー209によって、イオンビームはウエハ214上で横方向に均一な注入ができるように調整される。スキャナー209で走査されたイオンビーム215は、電場または磁場(またはその両方)の印加を利用するビーム平行化機構211で進行方向を揃えられる。その後、イオンビーム215は、電場を印加することによりADコラム212で所定のエネルギーまで加速または減速される。ADコラム212を出たイオンビーム215は最終的な注入エネルギーに達している(低エネルギーモードでは、注入エネルギーよりも高いエネルギーに調整し、エネルギーフィルター内で減速させながら偏向させることも行われる。)。ADコラム212の下流のエネルギーフィルター213は、偏向電極または偏向電磁石による電場または磁場(またはその両方)の印加によりイオンビーム215をウエハ214の方へと偏向する。それにより、目的とするエネルギー以外のエネルギーを持つコンタミ成分が排除される。こうして浄化されたイオンビーム215がウエハ214に注入される。
なお、質量分析磁石202とリゾルビングアパチャー204の間には、ビームダンプ203が配置されている。ビームダンプ203は、必要に応じて電場を印加することでイオンビームを偏向する。それにより、ビームダンプ203は、下流へのイオンビーム到達を高速で制御することができる。
次に、図6及び図7に示す高電圧電源系230の構成系統図を参照して、図5に示すイオン注入装置200における低エネルギーモード及び高エネルギーモードを説明する。図6に低エネルギーモードの電源切替状態を示し、図7に高エネルギーモードの電源切替状態を示す。図6及び図7には、図5に示すビームライン構成要素のうち、イオンビームのエネルギー調整に関連する主要な要素を示す。図6及び図7においてはイオンビーム215を矢印で示す。
図6及び図7に示されるように、ビーム平行化機構211(図5参照)は、二重Pレンズ220を備える。この二重Pレンズ220は、イオンの移動方向に沿って離間配置された第1電圧ギャップ221及び第2電圧ギャップ222を有する。第1電圧ギャップ221が上流に、第2電圧ギャップ222が下流にある。
第1電圧ギャップ221は一組の電極223、224間に形成されている。それら電極223、224の下流に配置されたもう一組の電極225、226間に第2電圧ギャップ222が形成されている。第1電圧ギャップ221及びこれを形成する電極223、224は上流側に向かって凸形状を有する。逆に、第2電圧ギャップ222及びこれを形成する電極225、226は下流側に向かって凸形状を有する。なお以下では説明の便宜上、これらの電極をそれぞれ、第1Pレンズ上流電極223、第1Pレンズ下流電極224、第2Pレンズ上流電極225、第2Pレンズ下流電極226と呼ぶことがある。
二重Pレンズ220は、第1電圧ギャップ221及び第2電圧ギャップ222に印加される電場の組み合わせによって、入射するイオンビームを平行化して出射するともに、イオンビームのエネルギーを調整する。すなわち、二重Pレンズ220は、第1電圧ギャップ221及び第2電圧ギャップ222の電場によってイオンビームを加速または減速する。
また、イオン注入装置200は、ビームライン構成要素のための電源を備える高電圧電源系230を備える。高電圧電源系230は、第1電源部231、第2電源部232、第3電源部233、第4電源部234、及び第5電源部235を備える。図示されるように、高電圧電源系230は、第1ないし第5の電源部231〜235をイオン注入装置200に接続するための接続回路を備える。
第1電源部231は、第1電源241と第1スイッチ251とを備える。第1電源241は、イオンソース201と第1スイッチ251との間に設けられており、イオンソース201に正の電圧を与える直流電源である。第1スイッチ251は、低エネルギーモードにおいては第1電源241をグランド217に接続し(図6参照)、高エネルギーモードにおいては第1電源241をターミナル216に接続する(図7参照)。したがって、第1電源241は、低エネルギーモードにおいては接地電位を基準としてイオンソース201に電圧VHVを与える。これはそのままイオンのトータルエネルギーを与えることになる。一方、高エネルギーモードにおいては、第1電源241は、ターミナル電位を基準としてイオンソース201に電圧VHVを与える。
第2電源部232は、第2電源242と第2スイッチ252とを備える。第2電源242は、ターミナル216とグランド217との間に設けられており、第2スイッチ252の切替により正負の電圧のいずれかをターミナル216に与える直流電源である。第2スイッチ252は、低エネルギーモードにおいては第2電源242の負極をターミナル216に接続し(図6参照)、高エネルギーモードにおいては第2電源242の正極をターミナル216に接続する(図7参照)。したがって、第2電源242は、低エネルギーモードにおいては接地電位を基準としてターミナル216に電圧VT(VT<0)を与える。一方、高エネルギーモードにおいては、第2電源242は、接地電位を基準としてターミナル216に電圧VT(VT>0)を与える。第2電源242の電圧VTは第1電源241の電圧VHVよりも大きい。
よって、引出電極218の引出電圧VEXTは、低エネルギーモードにおいてはVEXT=VHV−VTであり、高エネルギーモードにおいてはVEXT=VHVである。イオンの電荷をqとすると、最終エネルギーは、低エネルギーモードにおいてはqVHVとなり、高エネルギーモードにおいてはq(VHV+VT)となる。
第3電源部233は、第3電源243と第3スイッチ253とを備える。第3電源243は、ターミナル216と二重Pレンズ220との間に設けられている。第3電源243は、第1Pレンズ電源243−1及び第2Pレンズ電源243−2を備える。第1Pレンズ電源243−1は、ターミナル電位を基準として第1Pレンズ下流電極224及び第2Pレンズ上流電極225に電圧VAPを与える直流電源である。第2Pレンズ電源243−2は、第3スイッチ253を介する接続先にターミナル電位を基準として電圧VDPを与える直流電源である。第3スイッチ253は、切替により第1Pレンズ電源243−1及び第2Pレンズ電源243−2のいずれかを第2Pレンズ下流電極226に接続するように、ターミナル216と二重Pレンズ220との間に設けられている。なお第1Pレンズ上流電極223はターミナル216に接続されている。
第3スイッチ253は、低エネルギーモードにおいては第2Pレンズ電源243−2を第2Pレンズ下流電極226に接続し(図6参照)、高エネルギーモードにおいては第1Pレンズ電源243−1を第2Pレンズ下流電極226に接続する(図7参照)。したがって、第3電源243は、低エネルギーモードにおいてはターミナル電位を基準として第2Pレンズ下流電極226に電圧VDPを与える。一方、高エネルギーモードにおいては、第3電源243は、ターミナル電位を基準として第2Pレンズ下流電極226に電圧VAPを与える。
第4電源部234は、第4電源244と第4スイッチ254とを備える。第4電源244は、第4スイッチ254とグランド217との間に設けられており、ADコラム212の出口(即ち下流側末端)に負の電圧を与えるための直流電源である。第4スイッチ254は、低エネルギーモードにおいては第4電源244をADコラム212の出口に接続し(図6参照)、高エネルギーモードにおいてはADコラム212の出口をグランド217に接続する(図7参照)。したがって、第4電源244は、低エネルギーモードにおいては接地電位を基準としてADコラム212の出口に電圧Vadを与える。一方、高エネルギーモードにおいては、第4電源244は使用されない。
第5電源部235は、第5電源245と第5スイッチ255とを備える。第5電源245は、第5スイッチ255とグランド217との間に設けられている。第5電源245は、エネルギーフィルター(AEF)213のために設けられている。第5スイッチ255は、エネルギーフィルター213の運転モードの切替のために設けられている。エネルギーフィルター213は、低エネルギーモードにおいてはいわゆるオフセットモードで運転され、高エネルギーモードにおいては通常モードで運転される。オフセットモードとは正電極と負電極の平均値を負電位とするAEFの運転モードである。オフセットモードのビーム収束効果によりAEFでのビーム発散によるビーム損失を防ぐことができる。一方、通常モードとは正電極と負電極の平均値を接地電位とするAEFの運転モードである。
ウエハ214には接地電位が与えられている。
図8(a)は、低エネルギーモードにおいてイオン注入装置200の各部に印加される電圧の一例を示し、図8(b)は、低エネルギーモードにおいてイオン注入装置200の各部に印加されるエネルギーの一例を示す。図9(a)は、高エネルギーモードにおいてイオン注入装置200の各部に印加される電圧の一例を示し、図9(b)は、高エネルギーモードにおいてイオン注入装置200の各部に印加されるエネルギーの一例を示す。図8(a)及び図9(a)の縦軸は電圧を示し、図8(b)及び図9(b)の縦軸はエネルギーを示す。各図の横軸はイオン注入装置200における場所を符号aないしgで示す。符号aはイオンソース201、符号bはターミナル216、符号cは加速Pレンズ(第1Pレンズ下流電極224)、符号dは減速Pレンズ(第2Pレンズ下流電極226)、符号eはADコラム212の出口、符号fはエネルギーフィルター213、符号gはウエハ214を表す。
二重Pレンズ220は、注入条件により必要に応じて、加速Pレンズc単体にて、または、減速Pレンズd単体にて使用される構成、あるいは、加速Pレンズcおよび減速Pレンズdを両方使用される構成を有する。加速Pレンズcおよび減速Pレンズdを両方使用する構成において、二重Pレンズ220は、加速作用と減速作用の両方ともを使用して加速と減速の作用配分を変更可能とする構成とすることが可能である。この場合、二重Pレンズ220は、二重Pレンズ220への入射ビームエネルギーと二重Pレンズ220からの出射ビームエネルギーとの差によりビームが加速され又は減速されるよう構成されることが可能である。あるいは、二重Pレンズ220は、入射ビームエネルギーと出射ビームエネルギーの差がゼロでビームを加速も減速もしないよう構成されることが可能である。
一例として、二重Pレンズ220は、図示されるように、低エネルギーモードにおいて、イオンビームを、減速Pレンズdにて減速するとともに、必要に応じてゼロからいくらかの範囲で加速Pレンズcにて加速して、全体としてはイオンビームを減速するよう構成されている。一方、高エネルギーモードにおいて二重Pレンズ220は加速Pレンズcにてイオンビームを加速するよう構成されている。なお、高エネルギーモードにおいて二重Pレンズ220は、全体としてイオンビームを加速する限り、必要に応じてゼロからいくらかの範囲でイオンビームを減速Pレンズdにて減速するよう構成されていてもよい。
このように高電圧電源系230が構成されていることにより、ビームライン上のいくつかの領域に印加される電圧を電源の切替によって変更することができる。また、ある領域における電圧印加経路を変更することもできる。これらを利用して、同一のビームラインにおいて低エネルギーモードと高エネルギーモードとを切り換えることができる。
低エネルギーモードにおいては、イオンソース201の電位VHVは接地電位を基準として直接印加される。これにより、ソース部への高精度の電圧印加が可能になり、エネルギーの設定精度を高くして低エネルギーでイオンを注入できるようになる。また、ターミナル電圧VT、Pレンズ電圧VDP、及びADコラム出口電圧Vadを負に設定することにより、コラム出口まで比較的高エネルギーでイオンを輸送することが可能となる。そのため、イオンビームの輸送効率を向上させ、高電流を取得することができる。
また、低エネルギーモードにおいては、減速Pレンズを採用することで、高エネルギー状態でのイオンビーム輸送を促進している。このことは、低エネルギーモードを高エネルギーモードと同一のビームラインに共存させることに役立っている。さらに、低エネルギーモードにおいては、ビームの自己発散を最小化するように、ビームラインの収束・発散要素を調整し、ビームを意図的に拡げて輸送している。このことも、低エネルギーモードを高エネルギーモードと同一のビームラインに共存させることに役立っている。
高エネルギーモードにおいては、イオンソース201の電位は加速引出電圧VHVとターミナル電圧VTとの和である。これにより、ソース部への高電圧の印加が可能になり、高エネルギーでイオンを加速することができる。
図10は、本発明のある実施の形態に係るイオン注入方法を表すフローチャートである。この方法は例えば、イオン注入装置のためのビーム制御装置により実行されてもよい。図10に示されるように、まず、注入レシピが選択される(S100)。制御装置は、そのレシピ条件を読み取り(S102)、レシピ条件に応じたビームライン設定を選択する(S104)。選択されたビームライン設定のもとでイオンビームの調整作業が行われる。調整作業は、ビーム出し及び調整と(S106)、取得ビーム確認(S108)とを含む。こうしてイオン注入のための準備作業が終了する。次に、ウエハが搬入され(S110)、イオン注入が実行され(S112)、ウエハが搬出される(S114)。ステップ110ないし114は所望の枚数が処理されるまで繰り返されてもよい。
図11は、イオン注入装置200により実現されるエネルギー及びドーズ量の範囲Dを模式的に示す。図11においても図1と同様に、現実的に許容できる生産性において処理可能なエネルギーとドーズ量の範囲を示す。比較のために、図1に示すHC、MC、HEのエネルギー及びドーズ量の範囲A、B、Cを併せて図11に示す。
図11に示されるように、イオン注入装置200は、既存の装置HC及びMCの運転範囲をいずれも包含することがわかる。よって、イオン注入装置200は、既存の枠組みを超える新規な装置である。この新規なイオン注入装置は、同一のビームラインと注入方式を保ちながら既存の二種類のカテゴリーHC、MCの役割を1台で果たすことができる。よってこの装置をHCMCと呼ぶことができる。
したがって、本実施形態によると、シリアル型高ドーズ高電流イオン注入装置とシリアル型中ドーズ中電流イオン注入装置とを単一の装置で構成した装置HCMCを提供することができる。HCMCでは電圧印加方法を低エネルギー条件と高エネルギー条件で変化させ、さらにCVAでビーム電流を高電流から低電流まで変化させることにより、広範囲のエネルギー条件とドーズ条件で注入を実施することが可能となる。
なお、HCMC式のイオン注入装置は、既存のHC、MCの注入条件範囲をすべて包含していなくてもよい。装置の製造コストと注入性能とのトレードオフを考慮して、図11に示す範囲Dよりも狭い範囲E(図12参照)をもつ装置を提供することも考えられる。こうした場合においても、デバイスメーカーに必要とされるイオン注入条件を十分にカバーする限り、実用性に優れるイオン注入装置を提供することができる。
デバイス製造工程においてHCMCにより実現される装置運用の効率性の向上について説明する。一例として、図13に示すように、あるデバイスメーカーがある製造プロセスXを処理するためにHCを6台、MCを4台を使用していたと仮定する(つまりこのデバイスメーカーは既存の装置HC、MCのみを所有している)。その後、このデバイスメーカーが、製造デバイスの変化に伴ってプロセスXをプロセスYに変更し、その結果としてHCを8台、MCを2台必要とするようになった。そうすると、このメーカーはHCを2台増設することになり、そのための増加投資とリードタイムが必要になる。同時に、MCを2台非稼働とすることになり、このメーカーはこれらを無駄に所有する。既述のように、一般にHCとMCとは注入方式が異なるため、非稼働のMCを新たに必要なHCに転用することは困難である。
これに対して、図14に示すように、デバイスメーカーがプロセスXを処理するためにHCを6台、MCを2台、HCMCを2台使用する場合を考える。この場合、製造デバイスの変化に伴ってプロセスXをプロセスYに変更しても、HCMCはHCとMCのプロセス共用機であるため、HCとしてHCMCを稼働することができる。そのため、装置の増設や非稼働は不要である。
このように、デバイスメーカーがある台数のHCMC装置を所有することには大きなメリットがある。HCMC装置によってHCとMCのプロセス変更を吸収することができるからである。また、一部の装置が故障やメンテナンスで使用できない場合にHCMC装置をHCまたはMCとして使用することもできる。したがって、HCMC装置を所有することにより、装置稼働率を全体として大幅に改善することができる。
なお、究極的には全ての装置をHCMCとすることも考えられる。しかし、多くの場合には、HCMCとHC(またはMC)との価格差や、既に所有しているHCやMCを活用することを考慮して、一部の装置のみをHCMCとすることが現実的であろう。
また、あるイオン注入処理のために、既存のある形式のイオン注入装置を、ウエハへのイオン注入方式が異なる他の装置で代用する場合には、注入特性の合わせ込みが困難になることがある。そのイオン注入処理のために、それら二種類のイオン注入装置でエネルギー及びドーズを一致させたとしても、ビーム発散角やビーム密度が異なり得るからである。ところが、HCMC装置は、同一ビームライン上(同じイオンビーム軌道)で高ドーズ高電流イオン注入条件と中ドーズ中電流イオン注入条件を処理することができる。このようにしてHCMC装置は高ドーズ高電流イオン注入条件と中ドーズ中電流イオン注入条件とを使い分ける。したがって、装置の代用に伴う注入特性の変化が十分に抑制され合わせ込みが容易になることが期待される。
HCMC装置は、HCとMCの共用装置であるだけでなく、既存のHC装置またはMC装置の運転範囲の外側にある注入条件を処理することもできる。図11に示されるように、HCMC装置は、高エネルギー/高ドーズ注入(範囲Dの右上領域F)及び低エネルギー/低ドーズ注入(範囲Dの左下領域G)も新たに処理可能な装置となる。したがって、上述の第1ビームライン設定S1及び第2ビームライン設定S2に加えて又はこれらに代えて、ある実施形態においては、イオン注入装置は、高エネルギー/高ドーズ注入のための第3ビームライン設定、及び/または、低エネルギー/低ドーズ注入のための第4ビームライン設定を備えてもよい。
以上説明したように、本実施形態においては、シリアル型高ドーズ高電流イオン注入装置と中ドーズ中電流イオン注入装置のビームラインを整合して共通化されている。そのうえで、ビームライン構成を切り換える仕組みが構築されている。こうして、同一ビームライン上(同じイオンビーム軌道と同じ注入方式)で広範なエネルギー/ビーム電流領域にわたる注入処理が可能となる。
以上、本発明を実施例にもとづいて説明した。本発明は上記実施形態に限定されず、種々の設計変更が可能であり、様々な変形例が可能であること、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは、当業者に理解されるところである。
上述の構成に代えて又はそれとともに、ビーム電流調整系によるビーム電流の量的調整は種々の構成が可能である。例えば、ビーム電流調整系がビームライン上に配設されている可変幅アパチャーを備える場合には、その可変幅アパチャーの場所は任意である。よって、可変幅アパチャーは、イオン源と質量分析磁石間、質量分析磁石と質量分析スリット間、質量分析スリットとビーム整形装置間、ビーム整形装置とビーム制御装置間、ビーム制御装置とビーム調整装置間、ビーム調整装置の各要素間、及び/または、ビーム調整装置と被処理物間にあってもよい。可変幅アパチャーは質量分析スリットであってもよい。
ビーム電流の調整は、固定幅アパチャーの前後に発散・収束レンズ系を配置することにより、アパチャーを通過するイオンビームの量を調整することで構成することもできる。固定幅アパチャーは質量分析スリットであってもよい。
ビーム電流の調整は、エネルギースリット開口幅可変(及び/またはビームライン終端開口幅可変スリット装置)を用いて行われてもよい。ビーム電流の調整は、アナライザマグネット(質量分析磁石)及び/またはステアラマグネット(軌道修正磁石)を用いて行われてもよい。ドーズ量の調整は、機械式走査の速度の可変範囲拡大(例えば、超低速から超高速まで)、及び/または、機械式走査の回数の変化を伴ってもよい。
ビーム電流の調整は、イオン源の調整(例えば、ガス量、アーク電流)によって行われてもよい。ビーム電流の調整は、イオン源の交換によって行われてもよい。この場合、MC用イオン源とHC用イオン源とが選択的に使用されてもよい。ビーム電流の調整は、イオン源の引出電極のギャップ調整によって行われてもよい。ビーム電流の調整は、イオン源の直下にCVAを設けることにより行われてもよい。
ビーム電流の調整は、リボンビームの上下幅の変更によって行われてもよい。ドーズ量の調整は、二次元メカニカルスキャン時のスキャン速度の変更によって行われてもよい。
ビームライン装置は、第1ビームライン設定または第2ビームライン設定のいずれかのみのもとで運転されるよう構成されている複数のビームライン構成要素を備え、それによって、イオン注入装置は、高電流イオン注入装置または中電流イオン注入装置として構成されていてもよい。すなわち、HCMC装置をプラットフォームとして、例えば一部のビームライン構成要素を交換したり、電源構成を変更したりすることによって、シリアル型高ドーズ・中ドーズ汎用イオン注入装置から、シリアル型高ドーズイオン注入専用装置またはシリアル型中ドーズイオン注入専用装置を生み出すことも可能となる。各々の専用装置は汎用装置よりも安価に製造できると見込まれるから、デバイスメーカーの製造コスト削減に貢献できる。
MCでは二価イオンや三価イオンの多価イオンを利用することにより、さらに高エネルギーでの注入もあり得る。しかし、通常のイオンソース(熱電子放出型イオンソース)における多価イオンの生成効率は、一価のイオンの生成効率よりかなり低い。そのため、そうした高エネルギー範囲における実用的なドーズ注入は現実的には難しい。イオンソースとしてRFイオンソースのような多価イオン増強ソースを採用すれば、四価、五価のイオンを取得することも可能である。したがって、さらに高エネルギーの条件で多くのイオンビームを取得することもできる。
よって、イオンソースとしてRFイオン源のような多価イオン増強ソースを採用することにより、HCMC装置をシリアル型高エネルギーイオン注入装置(HE)として運用することも可能である。これにより、シリアル型高エネルギー/低ドーズイオン注入装置でしかこれまで処理し得なかった注入条件の一部をHCMC装置で処理することが可能となる(図8に示されるMCの範囲を、範囲Cの少なくとも一部を包含するよう拡張することができる)。
以下、本発明の幾つかの態様を挙げる。
ある実施形態に係るイオン注入装置は、
イオンを生成しイオンビームとして引き出すイオン源と、
被処理物に前記イオンを注入するための注入処理室と、
前記イオン源から前記注入処理室へと前記イオンビームを輸送するためのビームラインを提供するビームライン装置と、を備え、
前記ビームライン装置は、前記注入処理室において前記被処理物の幅を超えるビーム照射域を有する前記イオンビームを供給し、
前記注入処理室は、前記ビーム照射域に対して前記被処理物を機械式に走査する機械式走査装置を備え、
前記ビームライン装置は、注入条件に応じて複数の注入設定構成のうちいずれかのもとで動作し、前記複数の注入設定構成は、前記被処理物への高ドーズ注入のための低エネルギー/高電流ビームの輸送に適する第1注入設定構成と、前記被処理物への低ドーズ注入のための高エネルギー/低電流ビームの輸送に適する第2注入設定構成と、を含み、
前記ビームライン装置は、前記第1注入設定構成と前記第2注入設定構成とにおいて、前記ビームラインにおける基準となるビーム中心軌道が前記イオン源から前記注入処理室まで同一となるよう構成されている。
ある実施形態に係るイオン注入装置は、
イオンを生成しイオンビームとして引き出すイオン源と、
被処理物に前記イオンを注入するための注入処理室と、
前記イオン源から前記注入処理室へと前記イオンビームを輸送するためのビームラインを提供するビームライン装置と、を備えるイオン注入装置であって、
前記イオン注入装置は、前記被処理物のメカニカルスキャンと協働して前記イオンビームを前記被処理物に照射するよう構成されており、
前記ビームライン装置は、注入条件に応じて複数の注入設定構成のうちいずれかのもとで動作し、前記複数の注入設定構成は、前記被処理物への高ドーズ注入のための低エネルギー/高電流ビームの輸送に適する第1注入設定構成と、前記被処理物への低ドーズ注入のための高エネルギー/低電流ビームの輸送に適する第2注入設定構成と、を含み、
前記ビームライン装置は、前記第1注入設定構成と前記第2注入設定構成とにおいて、前記ビームラインにおける基準となるビーム中心軌道が前記イオン源から前記注入処理室まで同一となるよう構成されている。
前記ビームライン装置は、前記第1注入設定構成と前記第2注入設定構成とで同一の注入方式をとってもよい。前記ビーム照射域は、前記第1注入設定構成と前記第2注入設定構成とで同一であってもよい。
前記ビームライン装置は、前記イオンビームを調整するビーム調整装置と、前記イオンビームを整形するビーム整形装置と、を備えてもよい。前記ビームライン装置は、前記第1注入設定構成と前記第2注入設定構成とで前記ビーム調整装置及び前記ビーム整形装置が同一のレイアウトで配置されていてもよい。前記イオン注入装置は、前記第1注入設定構成と前記第2注入設定構成とで同一の設置床面積を有してもよい。
前記ビームライン装置は、前記イオンビームのビーム電流の総量を調整するためのビーム電流調整系を備えてもよい。前記第1注入設定構成は、前記ビーム電流調整系のための第1ビーム電流設定を含み、前記第2注入設定構成は、前記ビーム電流調整系のための第2ビーム電流設定を含み、前記第2ビーム電流設定は、前記第1ビーム電流設定に比べて前記イオンビームのビーム電流を小さくするよう定められていてもよい。
前記ビーム電流調整系は、当該調整要素を通過するときに前記イオンビームの少なくとも一部を遮断するよう構成されていてもよい。前記ビーム電流調整系は、前記ビームライン上に配設されている可変幅アパチャーを備えてもよい。前記ビーム電流調整系は、ビームライン終端開口幅可変スリット装置を備えてもよい。前記イオン源は、前記イオンビームのビーム電流の総量を調整するよう構成されていてもよい。前記イオン源は、前記イオンビームを引き出すための引出電極を備え、前記引出電極の開口を調整することにより前記イオンビームのビーム電流の総量が調整されてもよい。
前記ビームライン装置は、前記イオンの前記被処理物への注入エネルギーを調整するためのエネルギー調整系を備えてもよい。前記第1注入設定構成は、前記エネルギー調整系のための第1エネルギー設定を含み、前記第2注入設定構成は、前記エネルギー調整系のための第2エネルギー設定を含み、前記第1エネルギー設定は、前記第2エネルギー設定に比べて低エネルギービームの輸送に適するものであってもよい。
前記エネルギー調整系は、前記イオンビームの平行化のためのビーム平行化装置を備えてもよい。前記ビーム平行化装置は、前記第1注入設定構成のもとで前記イオンビームを減速し、または減速及び加速し、前記第2注入設定構成のもとで前記イオンビームを加速し、または加速及び減速するよう構成されていてもよい。前記ビーム平行化装置は、前記イオンビームを加速する加速レンズと、前記イオンビームを減速する減速レンズと、を備え、加減速の配分を変更可能に構成されており、前記ビーム平行化装置は、前記第1注入設定構成のもとで前記イオンビームを主に減速し、前記第2注入設定構成のもとで前記イオンビームを主に加速するよう構成されていてもよい。
前記ビームライン装置は、前記イオンビームのビーム電流の総量を調整するためのビーム電流調整系と、前記イオンの前記被処理物への注入エネルギーを調整するためのエネルギー調整系と、を備え、前記ビーム電流の総量と前記注入エネルギーとを個別に又は同時に調整してもよい。前記ビーム電流調整系と前記エネルギー調整系とは別個のビームライン構成要素であってもよい。
前記イオン注入装置は、前記第1注入設定構成と前記第2注入設定構成とを含む複数の注入設定構成のうち所与のイオン注入条件に適するいずれかの注入設定構成を手動で又は自動で選択するよう構成されている制御部を備えてもよい。
前記制御部は、前記被処理物に注入される所望のイオンドーズ量が概略1×1014〜1×1017atoms/cm2の範囲にあるとき前記第1注入設定構成を選択し、前記被処理物に注入される所望のイオンドーズ量が概略1×1011〜1×1014atoms/cm2の範囲にあるとき前記第2注入設定構成を選択してもよい。
前記ビームライン装置は、前記第1注入設定構成のもとで第1エネルギー調整範囲を有し、前記第2注入設定構成のもとで第2エネルギー調整範囲を有し、前記第1エネルギー調整範囲と前記第2エネルギー調整範囲とは部分的に重複した範囲をもってもよい。
前記ビームライン装置は、前記第1注入設定構成のもとで第1ドーズ調整範囲を有し、前記第2注入設定構成のもとで第2ドーズ調整範囲を有し、前記第1ドーズ調整範囲と前記第2ドーズ調整範囲とは部分的に重複した範囲をもってもよい。
前記ビームライン装置は、ビーム輸送方向に垂直な長手方向に延びる細長照射域を形成するよう前記イオンビームを走査するビームスキャン装置を備えてもよい。前記注入処理室は、前記ビーム輸送方向及び前記長手方向に垂直な方向に前記被処理物のメカニカルスキャンを提供するよう構成されている物体保持部を備えてもよい。
前記ビームライン装置は、ビーム輸送方向に垂直な長手方向に延びる細長照射域を有するリボンビームを生成するリボンビーム発生器を備えてもよい。前記注入処理室は、前記ビーム輸送方向及び前記長手方向に垂直な方向に前記被処理物のメカニカルスキャンを提供するよう構成されている物体保持部を備えてもよい。
前記注入処理室は、ビーム輸送方向に垂直な面内で互いに直交する2つの方向に前記被処理物のメカニカルスキャンを提供するよう構成されている物体保持部を備えてもよい。
前記ビームライン装置は、前記第1注入設定構成または前記第2注入設定構成のいずれかのみのもとで運転されるよう構成されている複数のビームライン構成要素から選択可能なように構成され、それによって、前記イオン注入装置は、高電流イオン注入専用装置または中電流イオン注入専用装置として構成されていてもよい。
ある実施形態に係るイオン注入方法は、
被処理物への高ドーズ注入のための低エネルギー/高電流ビームの輸送に適する第1注入設定構成と、前記被処理物への低ドーズ注入のための高エネルギー/低電流ビームの輸送に適する第2注入設定構成と、を含む複数の注入設定構成のうち所与のイオン注入条件に適するいずれかの注入設定構成をビームライン装置に関して選択することと、
選択された注入設定構成のもとで前記ビームライン装置を使用して、イオン源から注入処理室までビームラインにおける基準となるビーム中心軌道に沿ってイオンビームを輸送することと、
前記被処理物のメカニカルスキャンと協働して前記被処理物に前記イオンビームを照射することと、を備え、
前記基準となるビーム中心軌道は、前記第1注入設定構成と前記第2注入設定構成とで同一である。
前記輸送することは、前記イオンビームのビーム電流の総量を調整することにより前記被処理物への注入ドーズ量を調整することを備えてもよい。前記注入ドーズ量は、前記第1注入設定構成のもとでは第1ドーズ調整範囲で調整され、前記第2注入設定構成のもとでは前記第1ドーズ調整範囲よりも小さいドーズ範囲を含む第2ドーズ調整範囲で調整されてもよい。
前記輸送することは、前記被処理物への注入エネルギーを調整することを備えてもよい。前記注入エネルギーは、前記第1注入設定構成のもとでは第1エネルギー調整範囲で調整され、前記第2注入設定構成のもとでは前記第1エネルギー調整範囲よりも高いエネルギー範囲を含む第2エネルギー調整範囲で調整されてもよい。
1.ある実施形態に係るイオン注入装置は、減速を主体とする電源の接続と加速を主体とする電源の接続とを切り替えることによって、同じビーム軌道と同じ注入方式を持ちながら、広いエネルギーレンジを持つ。
2.ある実施形態に係るイオン注入装置は、高電流を得られるビームラインにビームライン上流部でビームの一部をカットする機器を備えることで、同じビーム軌道と同じ注入方式を持ちながら、広いビーム電流レンジを持つ。
3.ある実施形態に係るイオン注入装置は、上記実施形態1および上記実施形態2の特性を共に備えることにより、同じビーム軌道と同じ注入方式を持ちながら、広いエネルギーレンジと広いビーム電流レンジを併せ持っていてもよい。
ある実施形態に係るイオン注入装置は、上記実施形態1から3において、同じ注入方式としてビームスキャンと機械的ウエハスキャンを組み合わせる装置であってもよい。ある実施形態に係るイオン注入装置は、上記実施形態1から3において、同じ注入方式としてリボン状のビームと機械的ウエハスキャンを組み合わせる装置であってもよい。ある実施形態に係るイオン注入装置は、上記実施形態1から3において、同じ注入方式として二次元の機械的ウエハスキャンを組み合わせる装置であってもよい。
4.ある実施形態に係るイオン注入装置またはイオン注入方法は、同一ビームライン(同じイオンビーム軌道と同じ注入方式)上に、高ドーズ高電流イオン注入ビームライン要素と中ドーズ中電流イオン注入ビームライン要素を並列して構成することにより、高ドーズ高電流イオン注入と中ドーズ中電流イオン注入とを選択/切換自在に構成し、低エネルギーから高エネルギーの極めて広いエネルギー範囲と、低ドーズから高ドーズまでの極めて広いドーズ範囲とをカバーする。
5.上記実施形態4において、同一ビームライン上に、高ドーズ用と中ドーズ用で共用される各ビームライン要素と、高ドーズ用/中ドーズ用で個別に切換される各ビームライン要素とが、それぞれ構成されていてもよい。
6.上記実施形態4又は5において、ビーム電流量を広い範囲で調節することを目的として、ビームの一部をビームライン上流部で物理的にカットするビーム制限装置(上下又は左右の可変幅スリット、または、四角状又は円形状の可変開口)を設けてもよい。
7.上記実施形態4から6のいずれかにおいて、被処理物に注入される所望のイオンドーズ量に基づいて、高ドーズ高電流イオン注入と中ドーズ中電流イオン注入とを選択するように構成する切換コントローラ制御装置を設けてもよい。
8.上記実施形態7において、切換コントローラは、被処理物に注入される所望のイオンドーズ量が、概略1×1011〜1×1014atoms/cm2の中ドーズ中電流範囲にあるとき、ビームラインを中ドーズ加速(引出)/加速(Pレンズ)/減速(ADコラム)モードで作動させるように構成され、また、被処理物に注入される所望のイオンドーズ量が、概略1×1014〜1×1017atoms/cm2の高ドーズ高電流範囲にあるとき、ビームラインを高ドーズ加速(引出)/減速(Pレンズ)/減速(ADコラム)モードで作動させてもよい。
9.上記実施形態4から8のいずれかにおいて、加速モードを使用して比較的高いエネルギーのイオンを注入する装置と、減速モードを使用して比較的低いエネルギーのイオンを注入する装置とは、互いに重複するエネルギー範囲を有してもよい。
10.上記実施形態4から8のいずれかにおいて、加速モードを使用して比較的高いエネルギーのイオンを注入する装置と、減速モードを使用して比較的低いエネルギーのイオンを注入する装置とは、互いに重複するドーズ範囲を有してもよい。
11.上記実施形態4から6のいずれかにおいて、ビームライン構成要素を制限することにより、高ドーズ高電流イオン注入専用装置、または、中ドーズ中電流イオン注入専用装置へと、構成を容易に変更できるようになっていてもよい。
12.上記実施形態4から11のいずれかにおいて、ビームラインの構成は、ビームスキャンとメカニカル基板スキャンとを組み合わせていてもよい。
13.上記実施形態4から11のいずれかにおいて、ビームラインの構成は、基板(又はウエハ又は被処理物)幅以上の幅を持つリボン状のビームとメカニカル基板スキャンとを組み合わせていてもよい。
14.上記実施形態4から11のいずれかにおいて、ビームラインの構成は、二次元方向のメカニカル基板スキャンを備えてもよい。
ここまでは、広い範囲から選択される所望のビーム電流及び/またはエネルギーを有するイオンビームを提供することができるイオン注入装置及びイオン注入方法を説明した。ところが、最近の先端的なイオン注入においては、こうした基本的な特性だけではなく、ビーム密度分布(形状)やビームの角度拡がりなどその他の特性についても制御することが望まれている。
ビームの角度拡がりを定量化するために、イオンビームのもつ角度分布(即ち、個々のイオンの進行方向角度の分布)が用いられる。イオンビームの角度分布を表す代表的な指標として、「ビーム平行度」と「ビームダイバージェンス」がある。詳しくは後述するが、ビーム平行度は角度分布の重心に関連し、ビームダイバージェンスは角度分布の幅に関連する。
望まれるのは例えば、ビームダイバージェンスが小さい(ゼロに近い)イオンビームである。しかし、イオンビームは下流へと被処理物に向けて輸送されるにつれて拡がり、ビームダイバージェンスは大きくなる傾向にある。なぜなら、イオンビームにはいわゆる空間電荷効果と呼ばれるイオンどうしの反発力によるビームの発散効果(つまりビームポテンシャルによる発散現象)が働くためである。
ある程度の大きさのビームダイバージェンスをもつイオンビームが望まれる場合もある。このようにイオンビームのもつ角度分布に意図的にある程度の幅を与えることにより、イオンビームの被処理物への注入角度の変動または誤差の影響を軽減し、イオン注入のロバスト性を高めることができる。
そこで、本発明のある実施の形態においては、ビームダイバージェンスの制御を可能とするイオン注入装置及びイオン注入方法が提供される。詳しくは後述するが、ある実施の形態においては、ビームダイバージェンスがイオンビームの焦点調整によって制御される。例えば、ビーム走査部への入射イオンビームの焦点位置を入射イオンビームの中心軸上でビーム走査部の走査原点と異なる位置に移動させることにより、被処理物に注入されるイオンビームのビームダイバージェンスが制御される。ビーム走査部への入射イオンビームの焦点位置を適切に設定することにより、被処理物の表面に入射するときのビームダイバージェンスが所望の値に制御される。
図15(a)は、イオンビームの個々のイオンの進行方向を例示する図であり、図15(b)は、イオンビームのもつ角度分布を例示する図である。ここで、イオンビームの設計上の進行方向をZ方向とし、Z方向に垂直なある方向をX方向と表記する。Z軸は、設計上のイオンビームの中心軌道に相当する。よって、Z軸は、ビーム走査部に入射するイオンビームの中心軸である。X方向は、例えば水平方向であり、ビーム走査方向であってもよい。
イオンビームは多数のイオンで形成されており、おおまかには、これらのイオンはZ方向に平行な速度を有する。しかし、現実にはすべてのイオンの速度がZ方向に厳密に平行であるわけではない。言い換えれば、個々のイオンの進行方向はZ方向に対しある角度をなす。この角度のX方向成分を本書ではX’と表記する。図15(a)に示されるように、所与のZ方向位置におけるi番目のイオン(i=1,2,・・・,n)の速度のX方向成分はZ方向に対し角度Xi’の方向に向けられている。
大半のイオンの進行方向はZ方向に概ね平行であり、進行方向がZ方向と大きな角度をなすイオンは一部である。したがって、イオン進行方向の角度X’に対するイオンの個数Nを例示すると、図15(b)に示されるように、中央に最大値をもつ山形の分布となる。なお、こうした角度分布を実際に取得するときには、ビーム電流を測定しこれをイオンの個数Nとみなすことができる。
イオンビームの「ビーム平行度」は、多数のイオンの集団としてのイオンビームのもつ角度分布の重心とそのイオンビームの設計上の中心軌道とが成す角度を表す。ビーム平行度は次式(1)により計算される。図15(b)に示される角度分布においては、分布の中央値Xa’がビーム平行度に相当する。
イオンビームの「ビームダイバージェンス」は、多数のイオンの集団としてのイオンビームのもつ角度分布の「拡がりの大きさ」と「発散/収束の状態」とを表す。ビームダイバージェンスは例えば次式(2)により計算されてもよい。図15(b)に示される角度分布においては、分布の幅<X’>がビームダイバージェンスに相当する。
ビームダイバージェンスが正の値であるときは(k=0)、イオンビームが発散(divergence)ビームであることを意味する。一方、ビームダイバージェンスが負の値であるときは(k=1)、イオンビームが収束(convergence)ビームであることを意味する。例えば、図15(a)に例示するイオンビームは収束ビームであり、このイオンビームのビームダイバージェンスは上式(2)により計算されるとき負の値である。
また、ビームダイバージェンスがゼロであるときは、イオンビームのすべてのイオンが同一の進行方向を有する理想的な状態にあることを意味する。ビームダイバージェンス(正確には、その絶対値)が小さい値であるときは個々のイオンの進行方向にバラツキが小さく、逆にビームダイバージェンスが大きい値であるときは個々のイオンの進行方向にバラツキが大きい。
「ビーム平行度」と「ビームダイバージェンス」とはいずれもイオンビームの角度情報を表す量であるが、その意味は異なる。よって、あるイオンビームと別のイオンビームとがたとえ等しいビーム平行度を有するとしても、一般にそれら2つのイオンビームのビームダイバージェンスが等しいとは限らない(むしろ、それら2つのイオンビームはふつう、異なるビームダイバージェンスを有する)。
図16は、本発明のある実施の形態に係るイオン注入装置300の構成を概略的に示す図である。イオン注入装置300は、そのビームラインの上流側から、イオンソース302、ビーム収束部304、ビーム走査部306、ビーム平行化部308、及びビームダイバージェンス測定部310をこの記載の順に備える。よって、ビーム収束部304はビーム走査部306の上流に配設され、ビーム平行化部308はビーム走査部306の下流に配設されている。ビームダイバージェンス測定部310はビーム平行化部308の下流に配設されている。
ビーム走査部306は、イオンビームを走査するためのビーム走査機器であり、例えばスキャナー209(例えば図5(a)参照)であってもよい。ビーム走査部306は、上述の「ビーム中心軌道」に対して一方と他方にビームを偏向することにより一定の角度範囲内でイオンビームを周期的に走査するよう構成されている。ビーム走査部306は、入射するイオンビームの中心軸上に走査原点を有するよう設計されている。ビーム走査部306の走査原点は、ビーム走査部306の中央部に位置する。
ビーム平行化部308は、走査されたビームを平行にするためのビーム平行化機器であり、例えばビーム平行化機構211(例えば図5(a)参照)またはPレンズ220(例えば図6参照)であってもよい。ビーム平行化部308は、静電式のビーム平行化機器であってもよいし、磁場式のビーム平行化機器であってもよい。
ビーム平行化部308は、平行化レンズとしての焦点をビーム走査部306の走査原点に有するよう設計されている。原理的にビーム平行化部308は焦点から放射されるビームを平行化するよう構成されているから、走査原点にて走査角度範囲内で偏向されビーム平行化部308に入射するイオンビームはすべて、ビーム平行化部308により平行化される。
イオン注入装置300は、平行化されたイオンビームをウエハ(基板)に注入するよう構成されている。ビーム平行化部308からウエハまでの間には必要に応じて、エネルギーを変化させるための加減速機器(例えばADコラム212)やエネルギー分析機器(例えばエネルギーフィルター213)などのビーム調整機器が設けられていてもよい(例えば図5(a)参照)。
ビーム収束部304は、ビーム走査部306に入射するイオンビームの焦点位置を、少なくとも当該イオンビームの中心軸方向に制御可能なビーム収束機器である。ビーム収束部304は、ビーム走査部306に入射するイオンビームに対し少なくともビーム走査方向と同じ方向に収束・発散作用を働かせるよう構成されている。ビーム収束部304は、ビーム走査部306への入射イオンビームの焦点位置が入射イオンビームの中心軸に沿って走査原点より上流側に位置するよう構成されている。なお、この焦点位置が走査原点より下流側に位置するようにビーム収束部304が構成されていてもよく、その場合、焦点位置は、(非走査時においてビーム走査部306から出射する)イオンビームの中心軸に沿って走査原点より下流側に位置する。
ビーム収束部304は、例えば、第1XY収束レンズ206(例えばQレンズ)または第2XY収束レンズ208(例えばXY方向アインツェルレンズ)であってもよい(例えば図5(a)参照)。ビーム収束部304がQレンズを備える場合、このQレンズは、シングルのQレンズ、ダブレットのQレンズ、またはトリプレットのQレンズであってもよい。ビーム収束部304がアインツェルレンズを備える場合、このアインツェルレンズは、3枚電極構成のアインツェルレンズであってもよい。
ビーム収束部304は、イオンビームの焦点位置を制御可能である任意のビームライン構成要素であってもよく、したがって、引出電極218または質量分析磁石202であってもよい(例えば図5(a)参照)。例えば、引出電極218の電圧、引出電極218のビーム進行方向の位置、及び/または、質量分析磁石202の面角を調節することにより、ビーム走査部306に入射するイオンビームの焦点位置が調整されてもよい。
よって、ビーム収束部304は、ビーム収束要素(例えば、Qレンズ、アインツェルレンズ等)、引出電極、及び質量分析磁石のうち少なくとも1つを備えてもよい。この場合、ビーム収束部304は、ビーム走査部306とは別のビームライン構成要素とみなされる。
あるいは、ビーム収束部304は、ビーム走査部306の一部として構成されていてもよい。言い換えれば、ビーム走査部306に入射するイオンビームの焦点位置を、ビーム走査部306自体が調整するよう構成されていてもよい。ビーム走査部306は、走査のためのビーム偏向作用に複合されたビーム収束作用を提供するよう構成されていてもよい。例えば、ビーム走査部306は、走査電極の近傍に配設され、いわゆるゼロ電場効果を補正するための補正電極により、ビーム走査部306に入射するイオンビームの焦点位置を調整してもよい。
ビームダイバージェンス測定部310は、被処理物の位置またはその近傍におけるビームダイバージェンスを測定するよう構成されている。そのため、ビームダイバージェンス測定部310は、イオンビームのもつ角度分布を測定するための測定器を備える。この測定器は、ビームが注入される被処理物(例えばウエハ214)の位置またはその近傍の測定位置でビームの角度分布を事前に測定し、注入処理中は測定位置から待避し測定を停止するか又は測定位置の近傍でビームをモニターする。
こうしたビーム角度分布の測定器は、既知の位置を有するスリットと、スリットの下流に配置されたビーム検出器と、を備えてもよい。ビーム検出器は例えば、一次元または二次元に配列されたビーム検出素子を有する。ビーム検出器により検出されたビーム受光点とスリットとの相対位置からそのビームの進行方向の角度を取得することができる。測定器は、ビーム中心軌道に垂直な面内で(例えばビーム走査方向に)移動可能であってもよく、当該面内の任意の位置で角度分布を測定してもよい。
なお、ビームダイバージェンス測定部310は、ビーム平行化部308と被処理物との間に配置され、被処理物の上流でビームダイバージェンスを測定してもよい。あるいは、ビームダイバージェンス測定部310は、被処理物の背後に配置され、被処理物の下流でビームダイバージェンスを測定してもよい。
イオン注入装置300は、ビームダイバージェンス制御部312を備える。ビームダイバージェンス制御部312は、上述の制御部116(図2参照)又はその一部であってもよい。ビームダイバージェンス制御部312は、ビームダイバージェンス測定部310により測定されるビームダイバージェンスに基づいて、ビーム走査部306に入射するイオンビームの焦点位置を調整するよう構成されている。例えば、ビームダイバージェンス制御部312は、ビームダイバージェンス測定部310により測定されるビームダイバージェンスを所望の値と比較し当該所望の値に一致させるように、ビーム走査部306への入射イオンビームの焦点位置を調整する。
ビームダイバージェンス制御部312は、測定された角度情報を元に、ビーム収束部304(及び/またはビーム走査部306)に指令を送る。この指令によりビーム収束部304(及び/またはビーム走査部306)のビーム収束力が制御され、ビーム焦点位置が変更され、その結果、ウエハ位置で目的のビームダイバージェンスを得ることができる。
ビームダイバージェンス制御部312は例えば、ウエハ位置にあるビーム角度分布測定器により、ウエハに注入する直前に測定したビーム角度分布の結果を元に、ビーム収束部304(及び/またはビーム走査部306)にフィードバックしてパラメータを設定する。
あるいは、図17に示されるように、イオンビームの焦点位置を制御するためのパラメータは、ビーム条件(例えば、イオン種、エネルギー、ビーム電流など)の関数又はテーブル314を使用して設定されてもよい。この関数又はテーブル314は、ビーム角度分布測定器により得られたビーム角度分布の結果に基づいて予め定められており、ビームダイバージェンス制御部312又はこれに付随する記憶部に保持されていてもよい。
本実施の形態に係る焦点調整処理は、イオン注入の準備段階で行われてもよい。例えば、焦点調整処理は、図4に示されるビームライン設定選択ステップ(S10)において実行されてもよいし、図10に示されるビーム出し及び調整(S106)において実行されてもよい。あるいは、本実施の形態に係る焦点調整処理は、イオン注入中に行われてもよい。
図18は、ビーム走査部306の走査原点Sを示す概略図である。ビーム走査部306は、周期的に変化する偏向角度で走査原点SにてイオンビームをX方向に偏向することによりイオンビームを走査するよう構成されている。図18に示されるように、走査原点Sは、ビーム走査部306への入射ビーム軌道317aの延長線とビーム走査部306からの出射ビーム軌道317bの延長線との交点である。上述のように、ビーム走査部306の走査原点Sは、ビーム平行化部308の平行化レンズとしての焦点に一致する。
ビーム走査部306は例えば、周期変動する電場によりX方向にイオンビームを周期的に往復走査させる偏向走査装置である。図18に示されるように、ビーム走査部306は、ビーム進行方向に関してイオンビームの通過域を挟むようにして対向配置された一対(2枚)の走査電極307a、307b(二極式偏向走査電極)を備える。走査原点Sは走査電極307a、307b間に位置する。0.5Hz〜4000Hzの範囲の一定の周波数で正負に変動する三角波に近似する走査電圧が、2枚の走査電極307a、307bにそれぞれ逆符号で印加される。この走査電圧は、2枚の走査電極307a、307bのギャップ内において、そこを通過するビームを偏向させる変動する電場を生成する。そして、走査電圧の周期的な変動により、ギャップを通過するビームがX方向に走査される。
図19(a)、図19(b)、図20(a)、図20(b)を参照してイオンビームの焦点調整とビームダイバージェンスとの関係を説明する。まず簡単のため空間電荷効果を考慮しない場合(図19(a)、図19(b))を説明し、それから空間電荷効果が実在する場合(図20(a)、図20(b))を説明する。これら2つの場合それぞれにおいて、ビーム走査部306への入射イオンビームの焦点が走査原点Sに位置するとき(図19(a)、図20(a))と、走査原点Sより上流に位置するとき(図19(b)、図20(b))とを比較する。
以下では説明の便宜上、ビーム走査部306に入射するイオンビームを「入射イオンビーム316」と称し、ビーム平行化部308から出射するイオンビームを「出射イオンビーム318」と称することがある。また、入射イオンビーム316の焦点を「ビーム焦点F」と称することがある。
図19(a)に示されるように、走査原点Sに焦点を結んだ入射イオンビーム316は、全てのイオンが走査原点S(即ちビーム平行化部308の焦点)から出射されることになるため、ビーム平行化部308で全てのイオンが平行になる。よって、出射イオンビーム318のビームダイバージェンスは小さい値となる(理想的にはゼロである)。空間電荷効果がないと仮定した場合にはイオンどうしの反発力が生じないので、ビーム平行化部308からの出射イオンビーム318はウエハ位置320においても平行を維持する。
もう少し詳しく説明する。i番目のイオン(以下、イオン(i)という)がビーム走査部306に入射角度Xi1’で入射し走査原点Sにてある角度θで偏向されるとき、i番目のイオンのビーム走査部306からの出射角度Xi2’は、
Xi2’=Xi1’+θ
と表される。
このイオン(i)の「ビーム平行化部308への入射位置」と「走査原点S」を結ぶ直線がZ軸(すなわち入射イオンビーム316の中心軸)と成す角度は、θ+Δθiと表すことができる。この場合、イオン(i)がビーム平行化部308により偏向される角度は、逆符号の−(θ+Δθi)となる。したがって、出射イオンビーム318におけるイオン(i)の角度(つまりビーム平行化部308を通過したイオン(i)の角度)Xi3’は、
Xi3’=Xi2’−(θ+Δθi)=Xi1’−Δθi
となる。
図19(a)に示されるようにビーム焦点Fが走査原点Sに一致する場合には、Δθi=Xi1’であるから、出射イオンビーム318におけるイオン(i)の角度Xi3’はゼロとなる。すなわち、ビーム平行化部308を出たイオン(i)の進行方向は、設計中心軌道(Z軸)と平行になる。その他のイオンについても同様にZ軸と平行になる。
しかし、実際には空間電荷効果が働くので、図20(a)に破線の矢印で例示するように、出射イオンビーム318は下流に向けて輸送されるにつれて拡がっていく。そうして、出射イオンビーム318はウエハ位置320では発散ビームになってしまう。よって、出射イオンビーム318のビームダイバージェンスは正のある大きい値となる。比較のために図20(a)では実線の矢印で、図19(a)に示すように空間電荷効果を無視したときの出射イオンビーム318を示す。なお、ビーム角度分布の重心位置は空間電荷効果の影響を受けないので、空間電荷効果を考慮する場合(図20(a))としない場合(図19(a))とで「ビーム平行度」は同じである。
図19(b)には、ビーム焦点Fが走査原点Sより上流に位置する場合を示す。図19(a)に例示した場合と同様に、イオン(i)がビーム走査部306に入射角度Xi1’で入射するとき、出射イオンビーム318におけるイオン(i)の角度Xi3’は、
Xi3’=Xi1’−Δθi
となる。Xi1’<Δθiであるので、Xi3’<0となる。また、イオン(i)とはビーム中心軸に関し反対側にあるk番目のイオン(以下、イオン(k)という)について同様に考察すると、Xk1’>Δθkであるので、Xk3’>0となる。
このように、ビーム焦点Fが走査原点Sより上流に位置する場合には、出射イオンビーム318は収束ビームとなる。よって、出射イオンビーム318のビームダイバージェンスは負であり、ビーム焦点Fが走査原点Sにあるときに比べて大きい値となる。空間電荷効果がないと仮定した場合には、そうした収束ビームがウエハ位置320に到達する。
しかし、実際には、図20(b)に破線の矢印で例示するように、出射イオンビーム318には空間電荷効果の発散作用が働く。したがって、この発散作用を利用して、出射イオンビーム318のビームダイバージェンスを補正することができる。比較のために図20(b)では実線の矢印で、図19(b)に示すように空間電荷効果を無視したときの出射イオンビーム318を示す。なお、ビーム角度分布の重心位置は空間電荷効果の影響を受けないので、空間電荷効果を考慮する場合(図20(b))としない場合(図19(b))とで「ビーム平行度」は同じである。
実際に働く空間電荷効果の影響を打ち消すようなΔθを得られるようにビーム焦点Fを走査原点Sから上流にずらすことで、ウエハ位置320でイオンビームを平行化することができる。あるいは、ビーム焦点Fを走査原点Sから上流または下流に適切に変位させることにより、イオンビームが目的のビームダイバージェンスを有するよう制御することができる(例えば、低ダイバージェンスビームを得ることができる)。
このようにして、イオン注入装置300は、ビーム走査部306への入射イオンビーム316のビーム焦点Fを入射イオンビーム316の中心軸に沿って走査原点Sより上流側において調整するよう構成されている。図19(b)には、走査原点Sから上流側へのビーム焦点Fの移動量322、及び、ビーム収束部304によるビーム焦点Fの調整可能範囲324を例示する。そうした焦点調整により、イオン注入装置300は、空間電荷効果による発散現象を、ビーム平行化部308からの出射イオンビーム318において補正し、補正されたイオンビームで注入処理を行うことができる。
見方を変えると、ビーム平行化部308から被処理物までイオンビームが輸送される間に作用する空間電荷効果を考慮して、ビーム平行化部308は、走査されたイオンビームを完全に又は不完全に平行化するよう構成されている。例えば、ビーム平行化部308は、被処理物の表面に入射するイオンビームが空間電荷効果の助けによって完全に平行化されるように、不完全に平行化されたイオンビームを被処理物に向けて出射する。あるいは、ビーム平行化部308は、被処理物の表面に入射するイオンビームが空間電荷効果の助けによって所望のビームダイバージェンスを有するように、完全に又は不完全に平行化されたイオンビームを被処理物に向けて出射する。
本実施の形態のようにビーム焦点Fを走査原点Sより上流に配置することは、高電流ビームの輸送に適する。高電流ビームは空間電荷効果が大きいからである。したがって、ある実施の形態においては、上述の第1ビームライン設定S1(図2参照)または第1注入設定構成において入射イオンビーム316のビーム焦点Fが走査原点Sより上流の第1焦点位置に配置されてもよい。また、上述の第2ビームライン設定S2(図2参照)または第2注入設定構成において入射イオンビーム316のビーム焦点Fが第1焦点位置と異なる第2焦点位置に配置されてもよい。第2焦点位置は走査原点Sであってもよい。
ある実施形態においては、イオン注入装置は、ビーム走査部への入射イオンビームの焦点位置が当該イオンビームの中心軸に沿って走査原点より下流側において調整されるよう構成されていてもよい。この場合、イオン注入装置の制御部は、ビームダイバージェンスを測定する測定部により測定されるビーム平行化部からの出射イオンビームのビームダイバージェンスを所望の値と比較し当該所望の値に一致させるように、ビーム走査部への入射イオンビームの焦点位置を当該イオンビームの中心軸に沿って走査原点より下流側において調整するよう構成されていてもよい。