JP2006150482A - 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 173
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title abstract 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 150000001323 aldoses Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- MNQZXJOMYWMBOU-UHFFFAOYSA-N glyceraldehyde Chemical class OCC(O)C=O MNQZXJOMYWMBOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 102
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 150000001322 aldose derivatives Chemical class 0.000 claims description 20
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 6
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M D-gluconate Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 2
- 229940050410 gluconate Drugs 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 14
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 7
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 6
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 5
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAJILQKETJEXLJ-UHFFFAOYSA-N Galacturonsaeure Natural products O=CC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O IAJILQKETJEXLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 4
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- UQDJGEHQDNVPGU-UHFFFAOYSA-N serine phosphoethanolamine Chemical compound [NH3+]CCOP([O-])(=O)OCC([NH3+])C([O-])=O UQDJGEHQDNVPGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000855 fungicidal effect Effects 0.000 description 3
- 239000000417 fungicide Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 2
- JPIJQSOTBSSVTP-PWNYCUMCSA-N D-erythronic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)C(O)=O JPIJQSOTBSSVTP-PWNYCUMCSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 2
- QXKAIJAYHKCRRA-UHFFFAOYSA-N D-lyxonic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)=O QXKAIJAYHKCRRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SRBFZHDQGSBBOR-IOVATXLUSA-N D-xylopyranose Chemical compound O[C@@H]1COC(O)[C@H](O)[C@H]1O SRBFZHDQGSBBOR-IOVATXLUSA-N 0.000 description 2
- VQUZNVATTCZTQO-UHFFFAOYSA-N D-xyluronic acid Natural products O=CC(O)C(O)C(O)C(O)=O VQUZNVATTCZTQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L EDTA disodium salt (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].OC(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 2
- PYMYPHUHKUWMLA-UHFFFAOYSA-N arabinose Natural products OCC(O)C(O)C(O)C=O PYMYPHUHKUWMLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SRBFZHDQGSBBOR-UHFFFAOYSA-N beta-D-Pyranose-Lyxose Natural products OC1COC(O)C(O)C1O SRBFZHDQGSBBOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFNQLYDPNAZRCH-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O.OC(O)=O HFNQLYDPNAZRCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229960002920 sorbitol Drugs 0.000 description 2
- 235000010356 sorbitol Nutrition 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J tetrasodium;2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(carboxylatomethyl)amino]acetate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 150000003628 tricarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- VQUZNVATTCZTQO-JJYYJPOSSA-N (2S,3R,4S)-2,3,4-trihydroxy-5-oxopentanoic acid Chemical compound O=C[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)C(O)=O VQUZNVATTCZTQO-JJYYJPOSSA-N 0.000 description 1
- AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 2,3,9,10-tetramethoxy-6,8,13,13a-tetrahydro-5H-isoquinolino[2,1-b]isoquinoline Chemical compound C1CN2CC(C(=C(OC)C=C3)OC)=C3CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L Copper gluconate Chemical class [Cu+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 1
- AEMOLEFTQBMNLQ-PKKLWIBTSA-N D-Alluronic Acid Chemical compound OC1O[C@H](C(O)=O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O AEMOLEFTQBMNLQ-PKKLWIBTSA-N 0.000 description 1
- YTBSYETUWUMLBZ-UHFFFAOYSA-N D-Erythrose Natural products OCC(O)C(O)C=O YTBSYETUWUMLBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-CBPJZXOFSA-N D-Gulose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@H](O)[C@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-CBPJZXOFSA-N 0.000 description 1
- AEMOLEFTQBMNLQ-BZINKQHNSA-N D-Guluronic Acid Chemical compound OC1O[C@H](C(O)=O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O AEMOLEFTQBMNLQ-BZINKQHNSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-WHZQZERISA-N D-aldose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-WHZQZERISA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-IVMDWMLBSA-N D-allopyranose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-IVMDWMLBSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-AIHAYLRMSA-N D-altronic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-AIHAYLRMSA-N 0.000 description 1
- QXKAIJAYHKCRRA-JJYYJPOSSA-N D-arabinonic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)C(O)=O QXKAIJAYHKCRRA-JJYYJPOSSA-N 0.000 description 1
- VQUZNVATTCZTQO-UZBSEBFBSA-N D-arabinuronic acid Chemical compound O=C[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)C(O)=O VQUZNVATTCZTQO-UZBSEBFBSA-N 0.000 description 1
- YTBSYETUWUMLBZ-IUYQGCFVSA-N D-erythrose Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)C=O YTBSYETUWUMLBZ-IUYQGCFVSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-MGCNEYSASA-N D-galactonic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-MGCNEYSASA-N 0.000 description 1
- DSLZVSRJTYRBFB-LLEIAEIESA-N D-glucaric acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O DSLZVSRJTYRBFB-LLEIAEIESA-N 0.000 description 1
- MNQZXJOMYWMBOU-VKHMYHEASA-N D-glyceraldehyde Chemical compound OC[C@@H](O)C=O MNQZXJOMYWMBOU-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- QXKAIJAYHKCRRA-UZBSEBFBSA-N D-lyxonic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)C(O)=O QXKAIJAYHKCRRA-UZBSEBFBSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-MBMOQRBOSA-N D-mannonic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-MBMOQRBOSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N D-mannopyranose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N 0.000 description 1
- AEMOLEFTQBMNLQ-VANFPWTGSA-N D-mannopyranuronic acid Chemical compound OC1O[C@H](C(O)=O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H]1O AEMOLEFTQBMNLQ-VANFPWTGSA-N 0.000 description 1
- HMFHBZSHGGEWLO-SOOFDHNKSA-N D-ribofuranose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H]1O HMFHBZSHGGEWLO-SOOFDHNKSA-N 0.000 description 1
- JPIJQSOTBSSVTP-GBXIJSLDSA-N D-threonic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)C(O)=O JPIJQSOTBSSVTP-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- YTBSYETUWUMLBZ-QWWZWVQMSA-N D-threose Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)C=O YTBSYETUWUMLBZ-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- QXKAIJAYHKCRRA-FLRLBIABSA-N D-xylonic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O QXKAIJAYHKCRRA-FLRLBIABSA-N 0.000 description 1
- VQUZNVATTCZTQO-NUNKFHFFSA-N D-xyluronic acid Chemical compound O=C[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)C(O)=O VQUZNVATTCZTQO-NUNKFHFFSA-N 0.000 description 1
- 206010056474 Erythrosis Diseases 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSLZVSRJTYRBFB-UHFFFAOYSA-N Galactaric acid Natural products OC(=O)C(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O DSLZVSRJTYRBFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VSOAQEOCSA-N L-altropyranose Chemical compound OC[C@@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VSOAQEOCSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-QTBDOELSSA-N L-gulonic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-QTBDOELSSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-SKNVOMKLSA-N L-idonic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SKNVOMKLSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLCFGWHYROZGBI-JJKGCWMISA-M Potassium gluconate Chemical compound [K+].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O HLCFGWHYROZGBI-JJKGCWMISA-M 0.000 description 1
- PYMYPHUHKUWMLA-LMVFSUKVSA-N Ribose Natural products OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)C=O PYMYPHUHKUWMLA-LMVFSUKVSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 1
- IAJILQKETJEXLJ-RSJOWCBRSA-N aldehydo-D-galacturonic acid Chemical compound O=C[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)C(O)=O IAJILQKETJEXLJ-RSJOWCBRSA-N 0.000 description 1
- IAJILQKETJEXLJ-QTBDOELSSA-N aldehydo-D-glucuronic acid Chemical compound O=C[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)C(O)=O IAJILQKETJEXLJ-QTBDOELSSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- HMFHBZSHGGEWLO-UHFFFAOYSA-N alpha-D-Furanose-Ribose Natural products OCC1OC(O)C(O)C1O HMFHBZSHGGEWLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-PHYPRBDBSA-N alpha-D-galactose Chemical compound OC[C@H]1O[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-PHYPRBDBSA-N 0.000 description 1
- SRBFZHDQGSBBOR-STGXQOJASA-N alpha-D-lyxopyranose Chemical compound O[C@@H]1CO[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O SRBFZHDQGSBBOR-STGXQOJASA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003429 antifungal agent Substances 0.000 description 1
- 229940121375 antifungal agent Drugs 0.000 description 1
- PYMYPHUHKUWMLA-WDCZJNDASA-N arabinose Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)C=O PYMYPHUHKUWMLA-WDCZJNDASA-N 0.000 description 1
- AEMOLEFTQBMNLQ-UHFFFAOYSA-N beta-D-galactopyranuronic acid Natural products OC1OC(C(O)=O)C(O)C(O)C1O AEMOLEFTQBMNLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000002778 food additive Substances 0.000 description 1
- 235000013373 food additive Nutrition 0.000 description 1
- DSLZVSRJTYRBFB-DUHBMQHGSA-N galactaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)C(O)=O DSLZVSRJTYRBFB-DUHBMQHGSA-N 0.000 description 1
- 229930182830 galactose Natural products 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 229940097043 glucuronic acid Drugs 0.000 description 1
- 159000000011 group IA salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002453 idose derivatives Chemical class 0.000 description 1
- IAJILQKETJEXLJ-LECHCGJUSA-N iduronic acid Chemical compound O=C[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)C(O)=O IAJILQKETJEXLJ-LECHCGJUSA-N 0.000 description 1
- 239000008235 industrial water Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002772 monosaccharides Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004224 potassium gluconate Substances 0.000 description 1
- 235000013926 potassium gluconate Nutrition 0.000 description 1
- 229960003189 potassium gluconate Drugs 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000176 sodium gluconate Substances 0.000 description 1
- 235000012207 sodium gluconate Nutrition 0.000 description 1
- 229940005574 sodium gluconate Drugs 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09G1/00—Polishing compositions
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- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
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-
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
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Abstract
【課題】 酸化物単結晶基板等を研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、研磨材と、アルドースの酸化によって得られる酸及びそれの塩のうちの少なくともいずれか一方であるアルドース誘導体と、水とを含有する。
【選択図】 なし
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、研磨材と、アルドースの酸化によって得られる酸及びそれの塩のうちの少なくともいずれか一方であるアルドース誘導体と、水とを含有する。
【選択図】 なし
Description
本発明は、酸化物単結晶基板等の研磨対象物を研磨する用途に用いられる研磨用組成物、及びそうした研磨用組成物を用いて酸化物単結晶基板等の研磨対象物を研磨する方法に関する。
特許文献１に開示されている研磨用組成物は、フュームドアルミナ又はフュームドシリカ、及びコロイダルシリカを含有し、タンタル酸リチウムウエハを始めとする酸化物単結晶基板等を研磨する用途に用いられる。酸化物単結晶基板はモース硬度で５〜６と硬度が高く且つ化学的にも極めて安定なことから、酸化物単結晶基板の研磨には通常、長大な時間がかかる。そのため、酸化物単結晶基板を研磨する用途に用いられる研磨用組成物には、研磨に要する時間を短縮するべく、高い研磨能力を有することが求められている。しかしながら、特許文献１に開示されている研磨用組成物はこうした要求を十分に満足するものではなく、依然として改良の余地を残している。
特開２００１−３４２４５５号公報
本発明の目的は、酸化物単結晶基板等を研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物を提供すること、及びそうした研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する研磨方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、研磨材と、アルドースの酸化によって得られる酸及びそれの塩のうちの少なくともいずれか一方であるアルドース誘導体と、水とを含有する研磨用組成物を提供する。
請求項２に記載の発明は、アルドースの酸化によって得られる前記酸がウロン酸、アルドン酸又はアルダル酸である請求項１に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項３に記載の発明は、前記アルドース誘導体がグルコン酸塩である請求項１に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項３に記載の発明は、前記アルドース誘導体がグルコン酸塩である請求項１に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項４に記載の発明は、酸化物単結晶基板を研磨する用途に用いられる請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項５に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する研磨方法を提供する。
請求項５に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する研磨方法を提供する。
本発明によれば、酸化物単結晶基板等を研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物が提供される。また本発明によれば、そうした研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する研磨方法も提供される。
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨材、アルドース誘導体、及び水からなる。
研磨対象物を機械的に研磨する役割を担う前記研磨材は、少なくともコロイダルシリカを含有することが好ましく、コロイダルシリカからなることがより好ましい。なぜならコロイダルシリカは、研磨後の研磨対象物の表面品質（例えば表面粗さ）を低下させる虞が少ないからである。
本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨材、アルドース誘導体、及び水からなる。
研磨対象物を機械的に研磨する役割を担う前記研磨材は、少なくともコロイダルシリカを含有することが好ましく、コロイダルシリカからなることがより好ましい。なぜならコロイダルシリカは、研磨後の研磨対象物の表面品質（例えば表面粗さ）を低下させる虞が少ないからである。
平均一次粒子径が１５ｎｍよりも小さいコロイダルシリカ、さらに言えば２５ｎｍよりも小さいコロイダルシリカは、研磨対象物を研磨する能力があまり高くない。従って、研磨速度の向上のためには、コロイダルシリカの平均一次粒子径は、好ましくは１５ｎｍ以上、より好ましくは２５ｎｍ以上である。一方、平均一次粒子径が１００ｎｍよりも大きいコロイダルシリカ、さらに言えば８０ｎｍよりも大きいコロイダルシリカは、製造にコストがかかる。従って、コスト低減のためには、コロイダルシリカの平均一次粒子径は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以下である。なお、コロイダルシリカの平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法により測定される研磨材の比表面積から求められる。
研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量が５質量％よりも少ない場合、さらに言えば１０質量％よりも少ない場合には、研磨用組成物があまり高い研磨能力を有さない虞がある。従って、研磨速度の向上のためには、研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量は、好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０質量％以上である。一方、研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量が６０質量％よりも多い場合、さらに言えば５０質量％よりも多い場合には、研磨用組成物の分散安定性が低下する虞がある。従って、研磨用組成物の分散安定性の低下防止のためには、研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量は、好ましくは６０質量％以下、より好ましくは５０質量％以下である。
前記アルドース誘導体は、アルドースの酸化によって得られる酸及びそれの塩のうちの少なくとも一方であり、研磨用組成物に添加されることによって研磨用組成物の研磨能力の向上及び分散安定性の向上に寄与する。アルドースの酸化によって得られる酸が一つ又は二つの末端カルボキシ基及び一つ以上のヒドロキシ基を有しているため、アルドースの酸化によって得られる酸及びそれの塩はキレート性を有する。
アルドースは化学式：ＣＨ2ＯＨ−（ＣＨＯＨ）n−ＣＨＯで表され、ｎは好ましくは１〜４の整数である。ｎが１のアルドースとしてはグリセルアルデヒドが挙げられる。ｎが２のアルドースとしてはエリトロース及びトレオースが挙げられる。ｎが３のアルドースとしてはリボース、アラビノース、キシロース、及びリキソースが挙げられる。ｎが４のアルドースとしてはアロース、アルトロース、グルコース、マンノース、グロース、イドース、ガラクトース、及びタロースが挙げられる。なお、例示したアルドースはＤ体及びＬ体のどちらであってもよい。
アルドースの酸化によって得られる酸としてはウロン酸、アルドン酸及びアルダル酸が挙げられる。アルドースはアルデヒド基を有する単糖類の総称であり、これを酸化して得られるウロン酸、アルドン酸及びアルダル酸も含めて環境負荷が非常に低い。
ウロン酸は、化学式：ＣＨＯ−（ＣＨＯＨ）n−ＣＯＯＨで表され、ｎは好ましくは１〜４の整数である。ｎが２のウロン酸としてはエリトルロン酸及びトレウロン酸が挙げられる。ｎが３のウロン酸としてはリブロン酸、アラビヌロン酸、キシルロン酸、及びリキスロン酸が挙げられる。ｎが４のウロン酸としてはアルロン酸、アルトルロン酸、グルクロン酸、マンヌロン酸、グルロン酸、イズロン酸、ガラクツロン酸、タルロン酸が挙げられる。なお、例示したウロン酸はＤ体及びＬ体のどちらであってもよい。
アルドン酸は、化学式：ＣＨ2ＯＨ−（ＣＨＯＨ）n−ＣＯＯＨで表され、ｎは好ましくは１〜４の整数である。ｎが２のアルドン酸としてはエリトロン酸及びトレオン酸が挙げられる。ｎが３のアルドン酸としてはリボン酸、アラビノン酸、キシロン酸、及びリキソン酸が挙げられる。ｎが４のアルドン酸としてはアロン酸、アルトロン酸、グルコン酸、マンノン酸、グロン酸、イドン酸、ガラクトン酸、タロン酸が挙げられる。なお、例示したアルドン酸はＤ体及びＬ体のどちらであってもよい。
アルダル酸は、化学式：ＣＯＯＨ−（ＣＨＯＨ）n−ＣＯＯＨで表され、ｎは好ましくは１〜４の整数である。ｎが２のアルダル酸としてはエリトラル酸及びトレアル酸が挙げられる。ｎが３のアルダル酸としてはリバル酸、アラビナル酸、キシラル酸が挙げられる。ｎが４のアルダル酸としてはアラル酸、アルトラル酸、グルカル酸、マンナル酸、イダル酸、ガラクタル酸が挙げられる。なお、例示したアルダル酸はＤ体及びＬ体のどちらであってもよい。
アルドースの酸化によって得られる酸及びそれの塩の中でも好ましいのはグルコン酸塩であり、より好ましいのはグルコン酸ナトリウム及びグルコン酸カリウムのようなグルコン酸のアルカリ塩である。グルコン酸のアルカリ塩は食品添加剤等の用途で大量生産されており、環境を汚染する不純物を含まないものが安価且つ容易に入手できる。
研磨用組成物中のアルドース誘導体の含有量が０．０１質量％よりも少ない場合、さらに言えば０．１質量％よりも少ない場合には、研磨用組成物があまり高い研磨能力を有さない虞がある。従って、研磨速度の向上のためには、研磨用組成物中のアルドース誘導体の含有量は、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上である。一方、研磨用組成物中のアルドース誘導体の含有量が３．０質量％以上である場合、さらに言えば２．５質量％よりも多い場合には、研磨用組成物の分散安定性が低下する虞がある。従って、研磨用組成物の分散安定性の低下防止のためには、研磨用組成物中のアルドース誘導体の含有量は、好ましくは３．０質量％未満、より好ましくは２．５質量％以下である。
前記水は、研磨用組成物中の水以外の成分を分散又は溶解する媒質としての役割を担う。水は、工業用水、水道水、蒸留水、又はそれらをフィルター濾過したものであってもよく、不純物をできるだけ含有しないことが好ましい。
研磨用組成物のｐＨが７よりも低い場合、さらに言えば８よりも低い場合、もっと言えば９よりも低い場合には、研磨用組成物の分散安定性が低下する虞がある。従って、研磨用組成物の分散安定性の低下防止のためには、研磨用組成物のｐＨは、好ましくは７以上、より好ましくは８以上、最も好ましくは９以上である。一方、研磨用組成物のｐＨが１２よりも高い場合、さらに言えば１１．５よりも高い場合、もっと言えば１１よりも高い場合には、研磨用組成物中の研磨材が溶解する虞がある。従って、研磨材の溶解の発生防止のためには、研磨用組成物のｐＨは、好ましくは１２以下、より好ましくは１１．５以下、最も好ましくは１１以下である。
本実施形態に係る研磨用組成物は、例えば、タンタル酸リチウムウエハ及びニオブ酸リチウムウエハといった酸化物単結晶基板の表面を研磨する用途に使用される。換言すれば、研磨用組成物は、例えば、研磨製品としての酸化物単結晶基板を得るべく、酸化物単結晶基板の半製品を研磨する用途に用いられる。
研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨するときには、例えば、研磨対象物に研磨パッド等の研磨部材を接触させて、その接触部分に研磨用組成物を供給しながら研磨対象物及び研磨部材のいずれか一方を他方に対して摺動させる。
本実施形態は、以下の利点を有する。
・ 本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与するアルドース誘導体を含有している。そのため、本実施形態に係る研磨用組成物は、従来の研磨用組成物と比べて高い研磨能力を有しており、研磨対象物、特に酸化物単結晶基板を迅速に研磨することができる。従って、本実施形態に係る研磨用組成物は、酸化物単結晶基板を研磨する用途において特に有用である。
・ 本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与するアルドース誘導体を含有している。そのため、本実施形態に係る研磨用組成物は、従来の研磨用組成物と比べて高い研磨能力を有しており、研磨対象物、特に酸化物単結晶基板を迅速に研磨することができる。従って、本実施形態に係る研磨用組成物は、酸化物単結晶基板を研磨する用途において特に有用である。
・ アルドース誘導体は、研磨用組成物の分散安定性の向上にも寄与するので、本実施形態に係る研磨用組成物は、従来の研磨用組成物と比べて高い分散安定性を有する。すなわち、研磨材を高濃度に含有する場合であっても、研磨用組成物中の研磨材がゲル化又は固化する虞が少ない。
前記実施形態は以下のように変更されてもよい。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は、アルミナ、フュームドシリカ、非晶質シリカパウダー、セリア又は二酸化マンガンをコロイダルシリカの代わりにあるいはコロイダルシリカに加えて研磨材として含有してもよい。ただし、研磨速度の向上のためには、研磨用組成物は、研磨材として少なくともコロイダルシリカ又はセリアを含有していることが好ましい。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は、アルミナ、フュームドシリカ、非晶質シリカパウダー、セリア又は二酸化マンガンをコロイダルシリカの代わりにあるいはコロイダルシリカに加えて研磨材として含有してもよい。ただし、研磨速度の向上のためには、研磨用組成物は、研磨材として少なくともコロイダルシリカ又はセリアを含有していることが好ましい。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は、ｐＨ調整剤、防カビ剤、界面活性剤等をさらに含有してもよい。ｐＨ調整剤は、硫酸や塩酸、硝酸、炭酸などの無機酸、又は酢酸やシュウ酸などの有機酸であってもよいし、無機酸又は有機酸の塩であってもよい。あるいはｐＨ調整剤は、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウムなどのアルカリ化合物であってもよい。防カビ剤は窒素及び硫黄を含有する有機系防カビ剤であることが好ましい。研磨用組成物中の防カビ剤の含有量は、好ましくは０．００１〜１．０質量％、より好ましくは０．０１〜０．１質量％である。界面活性剤は、例えば、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、及びフッ素系界面活性剤のいずれであってもよい。界面活性剤は、研磨用組成物中の研磨材の分散性を向上させる作用を有する。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は、酸化物単結晶基板以外の研磨対象物を研磨する用途に用いられてもよい。例えば、前記実施形態に係る研磨用組成物は、酸化物単結晶基板以外の酸化物基板を研磨する用途において使用されてもよいし、酸化物基板以外の酸化物を研磨する用途において使用されてもよい。あるいは、磁気ディスク用のガラス基板を研磨する用途において使用されてもよい。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は原液を水で希釈することによって調製されてもよい。
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１〜１１においては、研磨材、アルドース誘導体、及び水を混合し、必要に応じてｐＨ調整剤をさらに加えて研磨用組成物を調製した。比較例１〜２０においては、研磨材及び水を混合し、必要に応じてアルドース誘導体に代わる添加剤やｐＨ調整剤をさらに混合して研磨用組成物を調製した。実施例１〜１１及び比較例１〜２０に係る研磨用組成物中の研磨材、アルドース誘導体、及びアルドース誘導体に代わる添加剤の種類及び含有量は表１及び表２に示すとおりである。また各研磨用組成物のｐＨも表１及び表２に示すとおりである。なお、表１及び表２には示さないが、実施例４に係る研磨用組成物にはｐＨ調整剤として炭酸ナトリウムが添加されており、比較例１８及び比較例１９に係る研磨用組成物には同じくｐＨ調整剤として水酸化ナトリウムが添加されている。
実施例１〜１１及び比較例１〜２０に係る研磨用組成物を用いて表３に示す研磨条件で酸化物単結晶基板を研磨した。このとき、研磨前後の基板の厚みの差、すなわち研磨による基板の厚み減少量をダイヤルゲージで測定した。その結果を表１及び表２の“研磨速度”欄に示す。なお、表１及び表２の“研磨速度”欄に示す値は、６つのサンプルで各４点ずつ測定した厚み減少量の平均値である。
６５℃に設定された恒温槽中に各研磨用組成物を保管し、一定期間毎に取り出して研磨用組成物の外観を目視にて観察し、その観察結果に基づいて研磨用組成物の分散安定性を良（○）、可（△）、不良（×）の三段階で評価した。すなわち、７日目までに研磨用組成物にゲル化又は固化が生じた場合には×、７日目から３０日目までの間に研磨用組成物にゲル化又は固化が生じた場合には△、３０日目まで研磨用組成物にゲル化又は固化が生じなかった場合には○と評価した。分散安定性に関する研磨用組成物の評価の結果を表１及び表２の“分散安定性”欄に示す。
表１及び表２に示す結果を以下にまとめる。
・ 実施例１〜１１に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度（基板の厚み減少量）は、比較例１〜２０に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度に比べて概ね大きい。この結果は、実施例１〜１１に係る研磨用組成物が高い研磨能力を有することを示唆するものである。
・ 実施例１〜１１に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度（基板の厚み減少量）は、比較例１〜２０に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度に比べて概ね大きい。この結果は、実施例１〜１１に係る研磨用組成物が高い研磨能力を有することを示唆するものである。
・ アルドース誘導体を３．０質量％含有する実施例３及び７に係る研磨用組成物は、アルドース誘導体の含有量が３．０質量％未満である他の実施例に係る研磨用組成物に比べて分散安定性に関する評価が低い。この結果は、研磨用組成物中のアルドース誘導体の含有量を３．０質量％未満に設定することによって、研磨用組成物の分散安定性が向上することを示唆するものである。
・ 実施例１〜１１に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度は、アルドース誘導体と同様にキレート性を有するエチレンジアミンテトラ酢酸二ナトリウム塩又はエチレンジアミンテトラ酢酸四ナトリウム塩を含有する比較例３及び比較例４に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度に比べて大きい。このことから、同じキレート性化合物であってもアルドース誘導体はエチレンジアミンテトラ酢酸二ナトリウム塩及びエチレンジアミンテトラ酢酸四ナトリウム塩に比べて研磨用組成物の研磨能力を向上させる効果が大きいことが分かる。
・ また、実施例１〜１１に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度は、同じくキレート性を有するジカルボン酸又はトリカルボン酸のアルカリ塩を含有する比較例５〜８に係る研磨用組成物や、同じくキレート性を有するアミノ酸を含む比較例９及び比較例１０に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度に比べても大きい。このことから、同じキレート性化合物であってもアルドース誘導体はジカルボン酸又はトリカルボン酸のアルカリ塩やアミノ酸に比べて研磨用組成物の研磨能力を向上させる効果が大きいことが分かる。
・ 炭酸のアルカリ塩を含有する比較例１１〜１３に係る研磨用組成物は、分散安定性が悪くて実用に適さない。
・ 実施例１〜１１に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度は、アルドース誘導体の一種であるグルコン酸の末端カルボキシ基がヒドロキシメチル基で置換されているソルビトール（別名Ｄ−グルシトール）を含有する比較例１４に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度に比べて大きい。このことから、アルドース誘導体の末端カルボキシ基が研磨用組成物の研磨能力の向上にとって重要であることが推測される。
・ 実施例１〜１１に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度は、アルドース誘導体の一種であるグルコン酸の末端カルボキシ基がヒドロキシメチル基で置換されているソルビトール（別名Ｄ−グルシトール）を含有する比較例１４に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度に比べて大きい。このことから、アルドース誘導体の末端カルボキシ基が研磨用組成物の研磨能力の向上にとって重要であることが推測される。
・ アルドース誘導体の代わりに、非晶質シリカパウダーやフュームドシリカ、γ−アルミナなどの研磨材を添加しても、比較例１６〜２０から明らかなように、研磨速度は大して向上しない。
前記実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。
・ 研磨用組成物中のアルドース誘導体の含有量は３．０質量％未満である請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
・ 研磨用組成物中のアルドース誘導体の含有量は３．０質量％未満である請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
・ 前記研磨材はコロイダルシリカを含有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
・ 前記研磨対象物は酸化物単結晶からなる請求項５に記載の研磨方法。
・ 前記研磨対象物は酸化物単結晶からなる請求項５に記載の研磨方法。
・ 請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半製品を研磨する工程を経て得られる研磨製品。
・ 請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて酸化物単結晶基板の半製品を研磨する工程を経て得られる酸化物単結晶基板。
・ 請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて酸化物単結晶基板の半製品を研磨する工程を経て得られる酸化物単結晶基板。
Claims (5)
- 研磨材と、
アルドースの酸化によって得られる酸及びそれの塩のうちの少なくともいずれか一方であるアルドース誘導体と、
水と
を含有する研磨用組成物。 - アルドースの酸化によって得られる前記酸はウロン酸、アルドン酸又はアルダル酸である請求項１に記載の研磨用組成物。
- 前記アルドース誘導体はグルコン酸塩である請求項１に記載の研磨用組成物。
- 酸化物単結晶基板を研磨する用途に用いられる請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する研磨方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004342932A JP4718164B2 (ja) | 2004-11-26 | 2004-11-26 | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| KR1020050109446A KR101200348B1 (ko) | 2004-11-26 | 2005-11-16 | 연마용 조성물 및 그것을 이용한 연마방법 |
| TW094140958A TW200632081A (en) | 2004-11-26 | 2005-11-22 | Composite for polishing and polishing method using it |
| CNA2005101290568A CN1782014A (zh) | 2004-11-26 | 2005-11-24 | 抛光用组合物及使用该组合物的抛光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004342932A JP4718164B2 (ja) | 2004-11-26 | 2004-11-26 | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006150482A true JP2006150482A (ja) | 2006-06-15 |
| JP4718164B2 JP4718164B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=36629371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004342932A Active JP4718164B2 (ja) | 2004-11-26 | 2004-11-26 | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4718164B2 (ja) |
| KR (1) | KR101200348B1 (ja) |
| CN (1) | CN1782014A (ja) |
| TW (1) | TW200632081A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101206076B1 (ko) | 2010-12-30 | 2012-11-28 | 솔브레인 주식회사 | 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN101451044B (zh) * | 2007-11-30 | 2013-10-02 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
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-
2004
- 2004-11-26 JP JP2004342932A patent/JP4718164B2/ja active Active
-
2005
- 2005-11-16 KR KR1020050109446A patent/KR101200348B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-11-22 TW TW094140958A patent/TW200632081A/zh unknown
- 2005-11-24 CN CNA2005101290568A patent/CN1782014A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101200348B1 (ko) | 2012-11-12 |
| TW200632081A (en) | 2006-09-16 |
| JP4718164B2 (ja) | 2011-07-06 |
| CN1782014A (zh) | 2006-06-07 |
| KR20060059174A (ko) | 2006-06-01 |
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