JP2006140373A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 下地絶縁膜1上の層間絶縁膜2にトレンチ3を設け、トレンチ3に第1バリアメタル膜5を介して埋め込む第1Cu膜6を成膜し、20℃〜200℃範囲の第1の熱処理を施し清浄化した第1Cu膜6aにする。次に、第1Cu膜6aの第1キャップ層2c上の不要部分を化学的機械研磨で除去し、上記トレンチ3にCu配線8を形成する。その後に、300℃〜400℃の温度でCu配線8に第2の熱処理を施し、結晶性の優れたCu配線8aを形成する。同様に、ビアホールに埋め込む第2Cu膜を成膜した後に、300℃〜400℃範囲の第3の熱処理を施し、その後に化学的機械研磨してCuビアプラグを形成する。
【選択図】 図2
Description
2002 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers,p.34-35
しかし、上述したように半導体装置の素子は、その設計基準が65nmから45nmへとその微細化が進み、また、ダマシン配線の層間絶縁膜に用いる低誘電率膜の比誘電率は2.5程度以下の値になってくると、層間絶縁膜の多孔質化は必須の状況になり、このような技術推移の中にあっては、上記シングルダマシン法で形成したCuダマシン配線のSM等の信頼性にかかる問題は無視できないようになってきた。
シリコン基板上に化学気相成長(CVD)法でシリコン酸化膜を堆積させ、下地絶縁膜1を形成する。続いて、第1エッチングストッパー層2aとして膜厚が25nm程度であり、比誘電率が3.5程度のSiC膜をCVD法により成膜し、例えば多孔質構造の炭素含有シリコン酸化膜(SiOC膜)のCVD成膜により比誘電率が2.5程度、膜厚が200nm〜300nm程度になる第1低誘電率膜2bを形成する。そして、上記第1低誘電率膜2b表面に、CVD法で成膜した膜厚が100nm程度のSiO2膜から成る第1キャップ層2cを形成し、多層構造の第1層間絶縁膜2を形成する(図1(a))。ここで、第1低誘電率膜2bの空孔の含有比率は15%〜30%である。この含有比率は、多孔質膜の密度をMpとし多孔質膜のバルク(空孔を有しない材料膜)の密度をMbとして、(Mb−Mp)/Mbなる比率のことである。この含有比率が大きくなると共に膜の比誘電率が小さくなる。
このようにして、第1レジストマスク4をH2ガス、Heガス等のプラズマで除去した後、残渣物を除去する洗浄処理を施して、第1キャップ層2c、第1低誘電率膜2bにトレンチ3を形成する(図1(c))。
図5(a)に示すように、図1(c)と同様に下地絶縁膜1上であって第1キャップ層2cおよび第1低誘電率膜2bに、第1エッチングストッパー層2a表面に達するトレンチ3を形成する。ここで、第1低誘電率膜2bは塗布法を用いて形成され、その膜組成が例えば[CH3 SiO3/2 ]nとなるメチルシルセスキオキサン(MSQ:Methyl Silsesquioxane)膜を多孔質化した低誘電率膜である(以下、p−MSQ膜ともいう)。
2 第1層間絶縁膜
2a 第1エッチングストッパー層
2b 第1低誘電率膜
2c 第1キャップ層
3 トレンチ
4 第1レジストマスク
5 第1バリアメタル膜
6,6a 第1Cu膜
7 第1バリア層
8,8a (第1)Cu配線
9 第2層間絶縁膜
9a 第2エッチングストッパー層
9b 第2低誘電率膜
9c 第2キャップ層
10 ビアホール
11 第2レジストマスク
12 第2バリアメタル膜
13 第2Cu膜
14 第2バリア層
15 Cuビアプラグ
16 保護絶縁膜
17 側壁保護絶縁膜
18 第3層間絶縁膜
18a 第3エッチングストッパー層
18c 第3低誘電率膜
18c 第3キャップ層
19 第3バリア層
20 第2Cu配線
21 絶縁性バリア層
22 パッシベーション膜
Claims (3)
- 半導体基板上に形成した多孔質絶縁膜を含む層間絶縁膜に配線用溝およびビアホールを設け、前記配線用溝およびビアホールに銅系金属膜を充填する半導体装置の製造方法であって、
銅系金属膜を配線用溝に埋め込んで成膜した後に20℃〜200℃範囲の第1の熱処理を前記銅系金属膜に施す工程と、
前記第1の熱処理の後に前記銅系金属膜の不要部分を化学的機械研磨により除去し前記銅系金属膜を前記配線用溝に充填する工程と、
前記化学的機械研磨後に300℃〜400℃範囲の第2の熱処理を前記配線用溝に充填した前記銅系金属膜に施す工程と、
銅系金属膜をビアホールに埋め込んで成膜した後に300℃〜400℃範囲の第3の熱処理を前記銅系金属膜に施す工程と、
前記第3の熱処理の後に前記銅系金属膜の不要部分を化学的機械研磨により除去し前前記銅系金属膜を前記ビアホールに充填する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理は、水素ガス、窒素ガスあるいは希ガス雰囲気で行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線用溝あるいは前記ビアホールの側壁に前記多孔質絶縁膜とは異種の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2004330181A JP2006140373A (ja) | 2004-11-15 | 2004-11-15 | 半導体装置の製造方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009026866A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011526078A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-09-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄いバリア層を用いた多孔性誘電体への溶媒および溶液の侵入の阻止および低減 |
JP2013197407A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2004
- 2004-11-15 JP JP2004330181A patent/JP2006140373A/ja active Pending
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