JP2006135020A - Electromagnetic wave shielding film - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic wave shielding film which can prevent short-circuit of an electronic circuit and is superior in durability. <P>SOLUTION: The electromagnetic wave shielding film 1 covers the surface of the electronic component mounted in an electronic unit, and shields an electromagnetic wave. The electromagnetic wave shielding film 1 is provided with a substrate film 2 formed of resin, a metal layer 3 laminated on the upper face of the substrate film 2 and projection films 4 and 40 which are laminated on the upper face of the metal layer 3 and are formed of resin. The protection film 40 has end edges 41 of the protection film 40 on outer sides compared to the end edges 21 of the substrate film 2. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電子機器の内部に実装した電子部品を被い、電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムに関する。   The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film that covers an electronic component mounted inside an electronic device and shields an electromagnetic wave.

従来より、携帯電話機やデジタルカメラなどの電子機器の内部に実装したLSI(集積回路)等の電子部品を被い、電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムがある(特許文献1)。該電磁波シールドフィルムは、例えば、樹脂フィルムの表面に金属箔の融着やめっき等により金属層を形成してなる。そして、該金属層によって電磁波を吸収することにより、電磁波をシールドする。即ち、上記電磁波シールドフィルムは、上記電子部品から発生する電磁波による他の部品への影響を防止したり、外部からの電磁波が上記電子部品に影響することを防止したりする。   Conventionally, there is an electromagnetic wave shielding film that shields electromagnetic waves by covering an electronic component such as an LSI (integrated circuit) mounted inside an electronic device such as a mobile phone or a digital camera (Patent Document 1). The electromagnetic wave shielding film is formed, for example, by forming a metal layer on the surface of a resin film by fusing or plating a metal foil. The electromagnetic wave is shielded by absorbing the electromagnetic wave by the metal layer. That is, the electromagnetic wave shielding film prevents the electromagnetic wave generated from the electronic component from affecting other components, or prevents the external electromagnetic wave from affecting the electronic component.

しかしながら、電子機器における電子部品の高集積化、コンパクト化に伴い、電磁波シールドフィルムを配設すべき部分が小さく、狭くなる場合がある。この場合、電磁波シールドフィルムの金属層が他の電子部品と接触し、電子回路の短絡を招くおそれがある。また、金属層が露出していると、該金属層が腐食しやすくなり、充分な耐久性を得ることが困難となるおそれもある。   However, with the high integration and compactness of electronic components in electronic equipment, the portion where the electromagnetic wave shielding film should be disposed may be small and narrow. In this case, the metal layer of the electromagnetic wave shielding film may come into contact with other electronic components, causing a short circuit of the electronic circuit. Further, if the metal layer is exposed, the metal layer is likely to corrode, and it may be difficult to obtain sufficient durability.

特開2003−60387号公報JP 2003-60387 A

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、電子回路の短絡を防止することができる耐久性に優れた電磁波シールドフィルムを提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of such conventional problems, and an object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shielding film excellent in durability capable of preventing a short circuit of an electronic circuit.

本発明は、電子機器内に実装された電子部品の表面を被覆して電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムであって、
該電磁波シールドフィルムは、樹脂からなる基材フィルムと、該基材フィルムの上面に積層した金属層と、該金属層の上面に積層した樹脂からなる保護フィルムとを有し、
該保護フィルムは、該保護フィルムの端縁を上記基材フィルムの端縁よりも外側に有していることを特徴とする電磁波シールドフィルムにある(請求項1)。
The present invention is an electromagnetic wave shielding film that shields electromagnetic waves by covering the surface of an electronic component mounted in an electronic device,
The electromagnetic wave shielding film has a base film made of resin, a metal layer laminated on the upper surface of the base film, and a protective film made of resin laminated on the upper surface of the metal layer,
The protective film is an electromagnetic wave shielding film having an edge of the protective film on an outer side than an edge of the base film (Claim 1).

次に、本発明の作用効果につき説明する。
上記電磁波シールドフィルムは、金属層の上面に保護フィルムを積層してなる。そのため、金属層の露出を防ぎ、その腐食を防止することができる。
また、上記保護フィルムは、端縁を上記基材フィルムの端縁よりも外側に有している。そのため、電磁波シールドフィルムを使用したとき、上記基材フィルムの上面に形成した金属層の端面をも保護フィルムで被うことができる。これにより、金属層の端面が露出することを防ぎ、電子回路の短絡を防ぐことができる。
Next, the effects of the present invention will be described.
The electromagnetic wave shielding film is formed by laminating a protective film on the upper surface of the metal layer. Therefore, exposure of the metal layer can be prevented and corrosion thereof can be prevented.
Moreover, the said protective film has an edge on the outer side rather than the edge of the said base film. Therefore, when an electromagnetic wave shielding film is used, the end surface of the metal layer formed on the upper surface of the base film can be covered with the protective film. Thereby, it can prevent that the end surface of a metal layer exposes and can prevent a short circuit of an electronic circuit.

以上のごとく、本発明によれば、電子回路の短絡を防止することができる耐久性に優れた電磁波シールドフィルムを提供することができる。   As mentioned above, according to this invention, the electromagnetic wave shielding film excellent in durability which can prevent the short circuit of an electronic circuit can be provided.

本発明(請求項1)において、上記保護フィルムの端縁は、上記基材フィルムの端縁よりも0.5〜2mm外側に配されていることが好ましい。
保護フィルムの端縁が基材フィルムの端縁よりも外側に突出した長さが0.5mm未満の場合には、電磁波シールドフィルムを電子部品の表面に貼着したとき、上記金属層を充分に被うことが困難となるおそれがある。一方、上記突出長さが2mmを超える場合には、電磁波シールドフィルムの充分なコンパクト化が困難となるおそれがある。
In this invention (Invention 1), it is preferable that the edge of the said protective film is distribute | arranged 0.5-2 mm outside rather than the edge of the said base film.
When the length of the edge of the protective film protruding outward from the edge of the base film is less than 0.5 mm, the metal layer is sufficiently bonded when the electromagnetic wave shielding film is attached to the surface of the electronic component. It may be difficult to cover. On the other hand, when the protrusion length exceeds 2 mm, it may be difficult to make the electromagnetic shielding film sufficiently compact.

また、上記電磁波シールドフィルムは、厚みが30〜300μmであることが好ましい。これにより、充分な柔軟性を有する電磁波シールドフィルムを得ることができる。上記厚みが30μm未満の場合には、フィルム強度が不充分となるおそれがある。また、上記厚みが300μmを超える場合には、電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に得ることが困難となるおそれがある。   The electromagnetic wave shielding film preferably has a thickness of 30 to 300 μm. Thereby, an electromagnetic wave shielding film having sufficient flexibility can be obtained. When the said thickness is less than 30 micrometers, there exists a possibility that film strength may become inadequate. Moreover, when the said thickness exceeds 300 micrometers, there exists a possibility that it may become difficult to obtain the softness | flexibility of an electromagnetic wave shield film fully.

また、上記基材フィルム及び上記保護フィルムは、例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム、ポリイミドフィルム、PEN(ポリエチレンナフタレート)フィルム、ポリエチレンフィルムなどの樹脂フィルムとすることができる。この中でも、耐熱性、耐久性、柔軟性、コスト等の観点から、PETフィルムが好ましい。
また、基材フィルムの厚みは、15〜50μmであることが好ましい。また、保護フィルムの厚みは、15〜75μmであることが好ましい。
Moreover, the said base film and the said protective film can be used as resin films, such as a PET (polyethylene terephthalate) film, a polyimide film, a PEN (polyethylene naphthalate) film, a polyethylene film, for example. Among these, a PET film is preferable from the viewpoints of heat resistance, durability, flexibility, cost, and the like.
Moreover, it is preferable that the thickness of a base film is 15-50 micrometers. Moreover, it is preferable that the thickness of a protective film is 15-75 micrometers.

また、上記電磁波シールドフィルムは、複数の電子部品を一度に被うものであってもよいし、個々の電子部品を個別に被うものであってもよい。
なお、本明細書において、「上面」とは便宜的に用いた語であり、電子部品に貼着したときに電子部品側とは反対側となる面をいう。逆に電子部品側となる面を「下面」という。
The electromagnetic wave shielding film may cover a plurality of electronic components at once, or may cover individual electronic components individually.
Note that in this specification, the “upper surface” is a term used for convenience, and refers to a surface that is opposite to the electronic component side when attached to the electronic component. Conversely, the surface on the electronic component side is referred to as the “lower surface”.

また、上記保護フィルムは、上記金属層を部分的に露出させる開口部を設けてなることが好ましい(請求項2)。
この場合には、容易に上記金属層をグランドに接続(接地)し、金属層に流れる電流を効率よく逃がすことができる。
Moreover, it is preferable that the said protective film provides the opening part which exposes the said metal layer partially (Claim 2).
In this case, the metal layer can be easily connected (grounded) to the ground, and the current flowing through the metal layer can be efficiently released.

また、上記金属層は、スパッタリングによって形成した膜からなることが好ましい(請求項3)。
この場合には、基材フィルムに対する密着力が高く、薄くて膜厚が均一で、かつ緻密な金属層を容易に形成することができる。
なお、本発明の電磁波シールドフィルムにおける金属層は、特にスパッタリング層に限らず、例えば、蒸着法を用いたり、金属箔を基材フィルム上に融着する方法を用いたりすることもできる。
The metal layer is preferably made of a film formed by sputtering.
In this case, it is possible to easily form a dense metal layer that has high adhesion to the substrate film, is thin and has a uniform film thickness.
The metal layer in the electromagnetic wave shielding film of the present invention is not limited to a sputtering layer, and for example, a vapor deposition method or a method of fusing a metal foil on a substrate film can be used.

また、上記金属層は、上面側に配されて上記金属層の腐食を防止する防錆層と、該防錆層よりも電気抵抗率の低い導電層とからなり、該導電層は50〜500nmの厚みを有することが好ましい(請求項4)。   The metal layer includes a rust preventive layer disposed on the upper surface side to prevent corrosion of the metal layer, and a conductive layer having a lower electrical resistivity than the rust preventive layer, and the conductive layer has a thickness of 50 to 500 nm. It is preferable to have the thickness (Claim 4).

この場合には、金属層の最表面に配される防錆層を腐食しにくい金属により構成し、その下層に配される導電層を電気抵抗率の充分に小さい金属により構成することができる。
これにより、導電層によって電磁波シールド効果を確保し、防錆層によって金属層の腐食を防止することができる。そのため、電磁波シールドフィルムの耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。
In this case, the rust preventive layer disposed on the outermost surface of the metal layer can be composed of a metal that hardly corrodes, and the conductive layer disposed below the rust preventive layer can be composed of a metal having a sufficiently low electrical resistivity.
Thereby, the electromagnetic wave shielding effect can be ensured by the conductive layer, and the corrosion of the metal layer can be prevented by the rust preventive layer. Therefore, the electromagnetic wave shielding effect can be improved while ensuring the durability of the electromagnetic wave shielding film.

また、上記導電層の厚みが50〜500nmであるため、電磁波シールド効果及び電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に確保することができる。また、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
そのため、電磁波シールドフィルムの耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。
Moreover, since the thickness of the said electroconductive layer is 50-500 nm, the electromagnetic wave shielding effect and the softness | flexibility of an electromagnetic wave shielding film are fully securable. Further, deformation such as warping of the film can be prevented.
Therefore, the electromagnetic wave shielding effect can be improved while ensuring the durability of the electromagnetic wave shielding film.

上記導電層の厚みが50nm未満の場合には、電磁波シールド効果を充分に得ることが困難となるおそれがある。導電層の厚みが500nmを超える場合には、電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に確保することが困難となるおそれがある。また、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。   If the thickness of the conductive layer is less than 50 nm, it may be difficult to obtain a sufficient electromagnetic shielding effect. When the thickness of the conductive layer exceeds 500 nm, it may be difficult to ensure sufficient flexibility of the electromagnetic wave shielding film. In addition, there is a possibility that deformation such as warping of the film may occur, and productivity may be reduced.

また、上記金属層は、上記基材フィルムとの界面に配されて該基材フィルムとの密着を確保する密着層を有することが好ましい(請求項5)。
この場合には、金属層における基材フィルムとの界面に配される密着層を、基材フィルムとの密着力の高い金属により構成することにより、金属層と基材フィルムとの密着性を確保することができる。
Moreover, it is preferable that the said metal layer has an contact | adherence layer which is distribute | arranged to the interface with the said base film, and ensures contact | adherence with this base film (Claim 5).
In this case, the adhesion between the metal layer and the substrate film is ensured by configuring the adhesion layer arranged at the interface between the metal layer and the substrate film with a metal having a high adhesion to the substrate film. can do.

また、上記密着層は5〜50nmの厚みを有することが好ましい(請求項6)。
この場合には、金属層と基材フィルムとの密着性を充分に確保することができると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
上記密着層の厚みが5nm未満の場合には、金属層と基材フィルムとの密着性を充分に確保することが困難となり、場合によっては、金属層が基材フィルムから剥がれるおそれがある。一方、密着層の厚みが50nmを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。
The adhesion layer preferably has a thickness of 5 to 50 nm.
In this case, sufficient adhesion between the metal layer and the base film can be secured, and deformation such as warping of the film can be prevented.
When the thickness of the adhesion layer is less than 5 nm, it is difficult to ensure sufficient adhesion between the metal layer and the base film, and in some cases, the metal layer may be peeled off from the base film. On the other hand, when the thickness of the adhesion layer exceeds 50 nm, deformation such as warping of the film may occur, and productivity may decrease.

また、上記防錆層は10〜50nmの厚みを有することが好ましい(請求項7)。
この場合には、金属層の防錆効果を確保すると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
上記防錆層の厚みが10nm未満の場合には、金属層の防錆効果を確保することが困難となるおそれがある。防錆層の厚みが50nmを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。
The rust prevention layer preferably has a thickness of 10 to 50 nm.
In this case, it is possible to ensure the rust prevention effect of the metal layer and to prevent deformation such as warping of the film.
When the thickness of the rust preventive layer is less than 10 nm, it may be difficult to ensure the rust preventive effect of the metal layer. When the thickness of the rust preventive layer exceeds 50 nm, deformation such as warping of the film may occur, and productivity may decrease.

また、上記導電層は、電気抵抗率が50μΩcm以下であることが好ましい(請求項8)。
この場合には、電磁波シールド効果を充分に有する電磁波シールドフィルムを得ることができる。また、金属層の厚みが小さくても、充分な導電性を確保することができるため、電磁波シールドフィルムの厚みを小さくして柔軟性を確保することが容易となる。
上記導電層の電気抵抗率が50μΩcmを超える場合には、充分な電磁波シールド効果を得ることが困難となるおそれがある。
The conductive layer preferably has an electric resistivity of 50 μΩcm or less.
In this case, an electromagnetic wave shielding film having a sufficient electromagnetic wave shielding effect can be obtained. Moreover, even if the thickness of a metal layer is small, since sufficient electroconductivity can be ensured, it becomes easy to ensure flexibility by reducing the thickness of an electromagnetic wave shielding film.
When the electrical resistivity of the conductive layer exceeds 50 μΩcm, it may be difficult to obtain a sufficient electromagnetic wave shielding effect.

電気抵抗率が50μΩcm以下を満足する導電層の材料としては、例えば、Cu(銅)、Ag(銀)、Au(金)、Al(アルミニウム)等の金属、若しくはその合金、例えば、AgとCuとの合金、CuとNiとの合金がある。   Examples of the material of the conductive layer satisfying an electric resistivity of 50 μΩcm or less include metals such as Cu (copper), Ag (silver), Au (gold), and Al (aluminum), or alloys thereof such as Ag and Cu. And an alloy of Cu and Ni.

この中でも特に、上記導電層は、Cuからなることが好ましい(請求項9)。
この場合には、電気抵抗率が充分に小さい導電層を安価に得ることができる。そのため、電磁波シールド効果に優れた安価な電磁波シールドフィルムを得ることができる。
Among these, the conductive layer is preferably made of Cu (claim 9).
In this case, a conductive layer having a sufficiently small electric resistivity can be obtained at low cost. Therefore, an inexpensive electromagnetic wave shielding film excellent in the electromagnetic wave shielding effect can be obtained.

また、上記防錆層は、ステンレス鋼からなることが好ましい(請求項10)。
この場合には、耐腐食性に優れた金属層を容易に得ることができる。
なお、上記防錆層は、例えば、Ni(ニッケル)、Cr(クロム)、或いはNiとCrとの合金によって構成することもできる。
また、上記密着層についても、ステンレス鋼からなることが好ましく、Ni、Cr、或いはNiとCrとの合金によって構成することもできる。また、密着層と防錆層とは、同種材料であっても異種材料であってもよい。
Moreover, it is preferable that the said rust prevention layer consists of stainless steel (Claim 10).
In this case, a metal layer having excellent corrosion resistance can be easily obtained.
In addition, the said rust prevention layer can also be comprised by the alloy of Ni (nickel), Cr (chromium), or Ni and Cr, for example.
The adhesion layer is also preferably made of stainless steel, and may be composed of Ni, Cr, or an alloy of Ni and Cr. Further, the adhesion layer and the rust prevention layer may be the same material or different materials.

(実施例1)
本発明の実施例にかかる電磁波シールドフィルムにつき、図1〜図8を用いて説明する。
本例の電磁波シールドフィルム1は、図7、図8に示すごとく、電子機器内のプリント基板50上に実装された電子部品5の表面を被覆して電磁波を遮蔽する。
Example 1
The electromagnetic wave shielding film according to the example of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 7 and 8, the electromagnetic wave shielding film 1 of this example covers the surface of the electronic component 5 mounted on the printed circuit board 50 in the electronic device and shields electromagnetic waves.

図1に示すごとく、電磁波シールドフィルム1は、樹脂からなる基材フィルム2と、該基材フィルム2の上面に積層した金属層3と、該金属層3の上面に積層した樹脂からなる保護フィルム4、40とを有する。
保護フィルム40は、該保護フィルム40の端縁41を上記基材フィルム2の端縁21よりも外側に有している。
As shown in FIG. 1, the electromagnetic wave shielding film 1 includes a base film 2 made of resin, a metal layer 3 laminated on the upper surface of the base film 2, and a protective film made of resin laminated on the upper surface of the metal layer 3. 4, 40.
The protective film 40 has an edge 41 of the protective film 40 on the outer side than the edge 21 of the base film 2.

上記保護フィルム4、40は、2枚重ねられた状態で配設されている。即ち、金属層3の上面に粘着材層13によって直接貼り付けられた保護フィルム4と、該保護フィルム4の上から、粘着材層15によって貼り付けられた保護フィルム40とが重ねられている。そして、上側の保護フィルム40の端縁41が、上記基材フィルム2の端縁21よりも外側に位置している。   The protective films 4 and 40 are arranged in a state where two sheets are stacked. That is, the protective film 4 directly attached to the upper surface of the metal layer 3 by the adhesive material layer 13 and the protective film 40 attached by the adhesive material layer 15 from above the protective film 4 are overlapped. And the edge 41 of the upper protective film 40 is located outside the edge 21 of the base film 2.

上記電磁波シールドフィルム1は、全体の厚みが50〜300μmである。
また、上記基材フィルム2及び保護フィルム4は、PETフィルムからなる。基材フィルム2の厚みは、例えば15〜50μmとすることができる。
保護フィルム4の厚みは、例えば15〜75μmとすることができる。これは、下記の実施例3に示すごとく、金属層3の上面を部分的に露出させる加工を行う場合などにその加工を容易にすると共に、電磁波シールドフィルムの柔軟性を確保するためである。
また、上記粘着材層13、15は、例えばアクリル系樹脂等からなる。
The electromagnetic wave shielding film 1 has a total thickness of 50 to 300 μm.
Moreover, the said base film 2 and the protective film 4 consist of PET films. The thickness of the base film 2 can be set to, for example, 15 to 50 μm.
The thickness of the protective film 4 can be 15-75 micrometers, for example. This is because, as shown in Example 3 below, the processing is facilitated when the processing for partially exposing the upper surface of the metal layer 3 is performed, and the flexibility of the electromagnetic wave shielding film is ensured.
Moreover, the said adhesive material layers 13 and 15 consist of acrylic resin etc., for example.

図1に示すごとく、上記金属層3は、基材フィルム2との界面に配されて該基材フィルム2との密着を確保する密着層31と、該密着層31と反対側の面に配されて上記金属層3の腐食を防止する防錆層33と、密着層31と防錆層33との間に配されるとともに密着層31及び防錆層33よりも電気抵抗率の低い導電層32とからなる。   As shown in FIG. 1, the metal layer 3 is disposed on the interface with the base film 2 to ensure close contact with the base film 2, and the metal layer 3 is disposed on the surface opposite to the close contact layer 31. And a conductive layer having a lower electrical resistivity than the adhesion layer 31 and the rust prevention layer 33 while being disposed between the adhesion layer 31 and the rust prevention layer 33. 32.

上記密着層31は5〜50nmの厚みを有し、上記防錆層33は10〜50nmの厚みを有し、上記導電層32は50〜500nmの厚みを有する。
また、上記金属層3は、スパッタリングによって形成した膜からなる。
上記導電層32は、電気抵抗率が50μΩcm以下であり、具体的には、Cu(銅)によって構成する。
上記密着層31及び上記防錆層33は、ステンレス鋼(SUS)からなる。
The adhesion layer 31 has a thickness of 5 to 50 nm, the rust prevention layer 33 has a thickness of 10 to 50 nm, and the conductive layer 32 has a thickness of 50 to 500 nm.
The metal layer 3 is a film formed by sputtering.
The conductive layer 32 has an electric resistivity of 50 μΩcm or less, and is specifically composed of Cu (copper).
The adhesion layer 31 and the rust prevention layer 33 are made of stainless steel (SUS).

また、図5に示すごとく、基材フィルム2の下面(金属層3配設面と反対側の面)には、アクリル系樹脂等からなる粘着材層11を予め設けておくことが好ましい。この場合、使用前において粘着材層11を保護するための離型フィルム12を粘着材層11の下面に貼着しておく。
また、上記電磁波シールドフィルム1は、図7に示すごとく、個々の電子部品5を個別に被うものであってもよいし、図8に示すごとく、複数の電子部品5を一度に被うものであってもよい。
Moreover, as shown in FIG. 5, it is preferable to previously provide an adhesive layer 11 made of an acrylic resin or the like on the lower surface of the base film 2 (surface opposite to the surface on which the metal layer 3 is disposed). In this case, a release film 12 for protecting the adhesive layer 11 is attached to the lower surface of the adhesive layer 11 before use.
Further, the electromagnetic wave shielding film 1 may individually cover each electronic component 5 as shown in FIG. 7, or may cover a plurality of electronic components 5 at a time as shown in FIG. It may be.

以下に、本例の電磁波シールドフィルム1の製造方法の一例につき、説明する。
まず、幅500mm、厚さ20μmからなるPETフィルム(ポリエチレンテレフタレートフィルム)からなる基材フィルム2を200mの長さ分、送り出しロールに巻いて樹脂フィルム成膜用のスパッタ装置内に設置する。
Below, an example of the manufacturing method of the electromagnetic wave shielding film 1 of this example is demonstrated.
First, a base film 2 made of a PET film (polyethylene terephthalate film) having a width of 500 mm and a thickness of 20 μm is wound around a feed roll by a length of 200 m and placed in a sputtering apparatus for forming a resin film.

その後、成膜する金属層3と基材フィルム2との密着性、及び金属層3の電気的特性の向上を目的とし、ターボ分子ポンプを用い、スパッタ装置を5×10-4Paの高真空に真空引きし、スパッタ装置内の残留ガス、水分量を減らす。
このように高真空にスパッタ装置を真空引きした状態で、基材フィルム2を送り出しロールから巻き取りロールへ送りながら、スパッタ成膜を行なう。
Thereafter, for the purpose of improving the adhesion between the metal layer 3 to be deposited and the base film 2 and the electrical properties of the metal layer 3, a high molecular vacuum of 5 × 10 −4 Pa is used for the sputtering apparatus using a turbo molecular pump. To reduce the residual gas and moisture in the sputtering system.
Sputter deposition is performed while the base film 2 is fed from the feed roll to the take-up roll in a state where the sputtering apparatus is evacuated to high vacuum in this way.

まず金属層3における第1層である密着層21を成膜するに当っては、フィルム送りスピードを1.2m/分として基材フィルム2を搬送しつつ、ステンレス鋼(SUS)からなる金属ターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴン(Ar)ガスを200cc/分の量で導入する。そして、パルス波形を印加できるパルス型のDC(直流)電源を用い、基材フィルム2とターゲット材料との間に1.5kWの電力パワーで200Vの高電圧を印加する。
これにより、基材フィルム2上にSUSの金属膜を25nmの厚さで成膜して密着層31を形成しつつ、巻き取りロールにフィルムを巻き取る。
First, in forming the adhesion layer 21 as the first layer in the metal layer 3, the base film 2 is transported at a film feed speed of 1.2 m / min, and a metal target made of stainless steel (SUS). Argon (Ar) gas is introduced in an amount of 200 cc / min to the cathode electrode in the film formation chamber where the material is installed. Then, using a pulsed DC (direct current) power source capable of applying a pulse waveform, a high voltage of 200 V is applied between the base film 2 and the target material with a power of 1.5 kW.
As a result, a SUS metal film having a thickness of 25 nm is formed on the base film 2 to form the adhesion layer 31, and the film is wound on the take-up roll.

次いで、SUS金属からなる密着層31の上に、電磁波シールドの重要な役割を果たす低抵抗金属層としての導電層32の成膜を行なう。
即ち、まず、上記のごとく密着層31を成膜してロール状に巻き取られたフィルムを、フィルム送りスピードを0.3m/分にて送り出し、Cuターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを200cc/分の量で導入する。そして、パルス型のDC(直流)電源を用い、フィルムとターゲット材料との間に6.0kWの電力パワーで350Vの高電圧を印加する。
これにより、SUSからなる密着層31の上に、Cuからなる導電層32を200nmの厚さで成膜する。
Next, a conductive layer 32 as a low-resistance metal layer that plays an important role in electromagnetic wave shielding is formed on the adhesion layer 31 made of SUS metal.
That is, first, the cathode electrode in the film formation chamber in which the Cu target material is installed by sending out the film wound in a roll shape by forming the adhesion layer 31 as described above at a film feed speed of 0.3 m / min. In contrast, argon gas is introduced in an amount of 200 cc / min. Then, a high voltage of 350 V is applied between the film and the target material with a power of 6.0 kW using a pulsed DC (direct current) power source.
As a result, a conductive layer 32 made of Cu is formed to a thickness of 200 nm on the adhesion layer 31 made of SUS.

次いで、Cuからなる導電層32の上に、防錆効果を発揮する防錆層33の成膜を行う。
即ち、密着層31および導電層32を成膜したフィルムを、フィルム送りスピード1.2m/分にて搬送しつつ、SUSターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを200cc/分の量で導入する。そして、パルス型のDC(直流)電源を用い、フィルムとターゲット材料間に1.5kWの電力パワーで、200Vの高電圧を印加する。
これにより、Cuからなる導電層32の上に、ステンレス鋼(SUS金属)からなる防錆層33を25nmの厚さで成膜する。
Next, a rust preventive layer 33 that exhibits a rust preventive effect is formed on the conductive layer 32 made of Cu.
That is, while the film on which the adhesion layer 31 and the conductive layer 32 are formed is transported at a film feed speed of 1.2 m / min, 200 cc of argon gas is applied to the cathode electrode in the film formation chamber in which the SUS target material is installed. Introduce in an amount of / min. A high voltage of 200 V is applied between the film and the target material with a power of 1.5 kW using a pulsed DC (direct current) power source.
Thus, a rust prevention layer 33 made of stainless steel (SUS metal) is formed on the conductive layer 32 made of Cu with a thickness of 25 nm.

このようにして、図2に示すごとく、基材フィルム2上に三層の金属層3(密着層31、導電層32、防錆層33)を設けてなる電磁波シールドフィルム1を、金属膜付きロールフィルムの状態で作製する。   In this way, as shown in FIG. 2, the electromagnetic wave shielding film 1 in which the three metal layers 3 (adhesion layer 31, conductive layer 32, rust prevention layer 33) are provided on the base film 2 is provided with a metal film. It is produced in the state of a roll film.

次に、図3に示すごとく、この金属膜付きロールフィルム(図2の電磁波シールドフィルム1)の樹脂フィルム2の下面(金属層3と反対側の面)に、厚さ20μmからなるアクリル系の粘着材層11を形成する。これにより、LSIなどの電子部品に容易に貼り合わせることが可能なフィルムとする。また、使用前において粘着材層11を保護するための離型フィルム12を、粘着材層11の下面に貼着する。   Next, as shown in FIG. 3, the acrylic film having a thickness of 20 μm is formed on the lower surface (surface opposite to the metal layer 3) of the resin film 2 of the roll film with metal film (electromagnetic wave shielding film 1 in FIG. 2). The adhesive material layer 11 is formed. Thus, a film that can be easily bonded to an electronic component such as an LSI is obtained. Further, a release film 12 for protecting the adhesive material layer 11 is attached to the lower surface of the adhesive material layer 11 before use.

さらに、図3に示す粘着材層11を設けた金属膜付きロールフィルムにおける金属層3の上面に、厚さ20μmのPETからなる保護フィルム4を粘着材層13を介して貼り合わせる(図4)。これにより、短絡防止及び金属層3の防錆効果を上げることができる積層フィルム1aとする。
次に、図4に示す積層フィルム1aを、LSI等の電子部品の形状に合わせて型抜きを行なうことで、図5に示すごとく、例えば6mm×17mmの大きさに個片化する。ただし、離型フィルム12は、個片化することなく連続している。
Further, a protective film 4 made of PET having a thickness of 20 μm is bonded to the upper surface of the metal layer 3 in the roll film with a metal film provided with the adhesive material layer 11 shown in FIG. 3 via the adhesive material layer 13 (FIG. 4). . Thereby, it is set as the laminated film 1a which can raise the rust prevention effect of the short circuit prevention and the metal layer 3.
Next, the laminated film 1a shown in FIG. 4 is die-cut according to the shape of an electronic component such as an LSI, so that the laminated film 1a is separated into pieces of, for example, 6 mm × 17 mm as shown in FIG. However, the release film 12 is continuous without being separated.

次に、図6に示すごとく、上記保護フィルム4の上面に、更に保護フィルム40を、粘着材層15を介して貼り合わせる。そして、上記保護フィルム40を、個片化した積層フィルム1aの外形よりも大きな外形となるように切断する。即ち、保護フィルム40の端縁41が基材フィルム2の端縁21よりも外側となるように切断する。例えば、基材フィルム2の寸法を6mm×17mmとしたとき、保護フィルム40の寸法を8mm×19mmとする。
これにより、離型シート12上に、多数の個片化した電磁波シールドフィルム1を得る。
Next, as shown in FIG. 6, a protective film 40 is further bonded to the upper surface of the protective film 4 via an adhesive material layer 15. And the said protective film 40 is cut | disconnected so that it may become a bigger external shape than the external shape of the laminated | multilayer film 1a separated into pieces. In other words, the protective film 40 is cut so that the edge 41 is outside the edge 21 of the base film 2. For example, when the dimension of the base film 2 is 6 mm × 17 mm, the dimension of the protective film 40 is 8 mm × 19 mm.
As a result, a large number of separated electromagnetic wave shielding films 1 are obtained on the release sheet 12.

なお、図1〜図8は、便宜上、フィルムの厚さ、フィルムの幅など、縦横の尺度については考慮せずに描いてある。後述する図9〜11についても同様である。   1 to 8 are drawn for the sake of convenience without considering vertical and horizontal scales such as film thickness and film width. The same applies to FIGS. 9 to 11 described later.

また、本実施例においては、密着層31に厚さ5〜50nmのステンレス鋼からなる層を用いたが、密着性を上げる他の方法としては、例えば、導電層32の成膜前にアルゴンガスを導入した真空度1torr(133Pa)チャンバー雰囲気で、周波数20kHz、印加電圧200Vを加えることで、プラズマ処理による樹脂フィルム(基材フィルム2)のクリーニングを行い、密着性を上げることもできる。
ただし、高い信頼性を得るため、本実施例では密着層31を具備することとした。またこの密着層31には、SiO2やTiO2などの酸化膜からなる層を用いても構わないが、酸化膜の成膜レートは低いため、価格の点から金属を用いることとした。
In the present embodiment, a layer made of stainless steel having a thickness of 5 to 50 nm is used for the adhesion layer 31. As another method for improving the adhesion, for example, an argon gas is formed before the conductive layer 32 is formed. By applying a frequency of 20 kHz and an applied voltage of 200 V in a chamber atmosphere with a degree of vacuum of 1 torr (133 Pa) into which is introduced, the resin film (base film 2) can be cleaned by plasma treatment and the adhesion can be improved.
However, in order to obtain high reliability, the adhesion layer 31 is provided in this embodiment. The adhesion layer 31 may be a layer made of an oxide film such as SiO 2 or TiO 2, but a metal is used from the viewpoint of cost because the film formation rate of the oxide film is low.

次に、本例の作用効果につき説明する。
上記電磁波シールドフィルム1は、図1に示すごとく、金属層3の上面に保護フィルム4、40を積層してなる。そのため、金属層3の露出を防ぎ、その腐食を防止することができる。
また、上記保護フィルム40は、端縁41を上記基材フィルム2の端縁21よりも外側に有している。そのため、図7、図8に示すごとく、電磁波シールドフィルム1を使用したとき、上記基材フィルム2の上面に形成した金属層3の端面34をも保護フィルム40で被うことができる。これにより、金属層3の端面34が露出することを防ぎ、電子回路の短絡を防ぐことができる。
Next, the function and effect of this example will be described.
As shown in FIG. 1, the electromagnetic shielding film 1 is formed by laminating protective films 4 and 40 on the upper surface of a metal layer 3. Therefore, exposure of the metal layer 3 can be prevented and corrosion thereof can be prevented.
The protective film 40 has an edge 41 on the outer side than the edge 21 of the base film 2. Therefore, as shown in FIGS. 7 and 8, when the electromagnetic wave shielding film 1 is used, the end surface 34 of the metal layer 3 formed on the upper surface of the base film 2 can be covered with the protective film 40. Thereby, it can prevent that the end surface 34 of the metal layer 3 is exposed, and can prevent the short circuit of an electronic circuit.

また、上記金属層3は、スパッタリングによって形成した膜からなるため、基材フィルム2に対する密着力が高く、薄くて膜厚が均一で、かつ緻密な金属層3を容易に形成することができる。   In addition, since the metal layer 3 is made of a film formed by sputtering, the metal layer 3 having high adhesion to the base film 2 and having a thin, uniform film thickness can be easily formed.

また、金属層3は、厚み5〜50nmの密着層31と、厚み10〜50nmの防錆層33と、厚み50〜500nmの導電層32とからなる。即ち、基材フィルム2との界面に配される密着層31を基材フィルム2との密着力の高い金属により構成し、最表面に配される防錆層33を腐食しにくい金属により構成し、両者の間に配される導電層32を電気抵抗率の充分に小さい金属により構成することができる。   The metal layer 3 includes an adhesion layer 31 having a thickness of 5 to 50 nm, a rust prevention layer 33 having a thickness of 10 to 50 nm, and a conductive layer 32 having a thickness of 50 to 500 nm. That is, the adhesion layer 31 arranged at the interface with the base film 2 is made of a metal having high adhesion to the base film 2, and the rust preventive layer 33 arranged on the outermost surface is made of a metal that hardly corrodes. The conductive layer 32 disposed between the two can be made of a metal having a sufficiently low electrical resistivity.

これにより、密着層31によって金属層3と基材フィルム2との密着性を確保し、導電層32によって電磁波シールド効果を確保し、防錆層32によって金属層3の腐食を防止することができる。そのため、電磁波シールドフィルム1の耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。   Thereby, the adhesion between the metal layer 3 and the base film 2 can be secured by the adhesion layer 31, the electromagnetic wave shielding effect can be secured by the conductive layer 32, and the corrosion of the metal layer 3 can be prevented by the rust prevention layer 32. . Therefore, the electromagnetic wave shielding effect can be improved while ensuring the durability of the electromagnetic wave shielding film 1.

また、上記密着層31の厚みが5〜50nmであるため、金属層3と基材フィルム2との密着性を充分に確保することができると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
また、上記導電層32の厚みが50〜500nmであるため、電磁波シールド効果及び電磁波シールドフィルム1の柔軟性を充分に確保することができる。また、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
Moreover, since the thickness of the said adhesion layer 31 is 5-50 nm, while being able to fully ensure the adhesiveness of the metal layer 3 and the base film 2, deformation | transformation, such as curvature of a film, can be prevented.
Moreover, since the thickness of the conductive layer 32 is 50 to 500 nm, the electromagnetic wave shielding effect and the flexibility of the electromagnetic wave shielding film 1 can be sufficiently ensured. Further, deformation such as warping of the film can be prevented.

また、上記防錆層33の厚みが10〜50nmであるため、金属層3の防錆効果を確保すると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
また、導電層32の電気抵抗率が50μΩcm以下であるため、電磁波シールド効果を充分に有する電磁波シールドフィルム1を得ることができる。また、電気抵抗率を低くすることにより、金属層3の厚みが小さくても充分な導電性を確保することができる。その結果、電磁波シールドフィルム1の厚みを小さくして柔軟性を確保することが容易となる。
Moreover, since the thickness of the said rust prevention layer 33 is 10-50 nm, while ensuring the rust prevention effect of the metal layer 3, deformation | transformation, such as a curvature of a film, can be prevented.
Moreover, since the electrical resistivity of the conductive layer 32 is 50 μΩcm or less, the electromagnetic wave shielding film 1 having a sufficient electromagnetic wave shielding effect can be obtained. Further, by reducing the electrical resistivity, sufficient conductivity can be ensured even if the thickness of the metal layer 3 is small. As a result, it becomes easy to reduce the thickness of the electromagnetic wave shielding film 1 and ensure flexibility.

そして、導電層32をCuによって構成することにより、電気抵抗率が充分に小さい導電層32を安価に得ることができ、電磁波シールド効果に優れた安価な電磁波シールドフィルム1を得ることができる。
また、密着層31及び防錆層33は、ステンレス鋼からなるため、基材フィルム2との密着性を充分に確保すると共に、耐腐食性に優れた金属層3を容易に得ることができる。
And by comprising the conductive layer 32 with Cu, the conductive layer 32 having a sufficiently small electrical resistivity can be obtained at low cost, and the inexpensive electromagnetic wave shielding film 1 excellent in the electromagnetic wave shielding effect can be obtained.
Moreover, since the contact | adherence layer 31 and the rust prevention layer 33 consist of stainless steel, while ensuring sufficient adhesiveness with the base film 2, the metal layer 3 excellent in corrosion resistance can be obtained easily.

また、小さくて柔軟性のある電磁波シールドフィルム1とすることができるため、狭い場所における電磁波の遮蔽を目的とする使用を可能とする。例えば、携帯電話などコンパクトな電子機器の内部に配設された電子部品を容易に被覆することができる。   Moreover, since it can be set as the electromagnetic shield film 1 which is small and flexible, it can be used for the purpose of shielding electromagnetic waves in a narrow place. For example, an electronic component disposed inside a compact electronic device such as a mobile phone can be easily covered.

以上のごとく、本例によれば、電子回路の短絡を防止することができる耐久性に優れた電磁波シールドフィルムを提供することができる。   As described above, according to this example, it is possible to provide an electromagnetic wave shielding film excellent in durability capable of preventing a short circuit of an electronic circuit.

(実施例2)
本例は、図9に示すごとく、基材フィルム2よりも外形が大きい保護フィルム40を、金属層3の上面に直接貼設した電磁波シールドフィルム1の例である。
即ち、実施例1における電磁波シールドフィルム1が、図1に示すごとく、基材フィルム2と同寸法の保護フィルム4と、それよりも外形の大きい保護フィルム40とを積層したのに対し、本例の電磁波シールドフィルム1は、図9に示すごとく、外形の大きい保護フィルム40を単独で積層したものである。
(Example 2)
This example is an example of the electromagnetic wave shielding film 1 in which a protective film 40 having an outer shape larger than that of the base film 2 is directly pasted on the upper surface of the metal layer 3 as shown in FIG.
That is, the electromagnetic wave shielding film 1 in Example 1 was laminated with a protective film 4 having the same dimensions as the base film 2 and a protective film 40 having a larger outer shape as shown in FIG. As shown in FIG. 9, the electromagnetic wave shielding film 1 is obtained by laminating a protective film 40 having a large outer shape alone.

本例の電磁波シールドフィルム1は、実施例1において示した、導電層3を設けた後、保護フィルム4を設ける前の状態(図3)で、小片状に型抜きしたものに対して、外形の大きな保護フィルム40を貼り合わせることにより得られる。
その他は、実施例1と同様である。
The electromagnetic wave shielding film 1 of this example is the same as that shown in Example 1, after the conductive layer 3 is provided and before the protective film 4 is provided (FIG. 3). It can be obtained by bonding a protective film 40 having a large outer shape.
Others are the same as in the first embodiment.

本例の場合には、電磁波シールドフィルム1の厚みを小さくすることができ、柔軟性に優れた電磁波シールドフィルム1を容易に得ることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
ただし、金属層3を成膜した後、数々の工程を経て保護フィルム40を配設するに至るまでの間の経時変化による腐食を考慮した場合や、耐候性が高く要求される場合等には、実施例1に示す、保護フィルム4、40が二重に積層された電磁波シールドフィルム1の方が有利である。
In the case of this example, the thickness of the electromagnetic wave shielding film 1 can be reduced, and the electromagnetic wave shielding film 1 excellent in flexibility can be easily obtained.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.
However, in the case where corrosion due to changes over time after the metal layer 3 is formed and before the protective film 40 is disposed through a number of processes, or when weather resistance is required to be high, etc. The electromagnetic wave shielding film 1 in which the protective films 4 and 40 shown in Example 1 are double-layered is more advantageous.

(実施例3)
本例は、図10、図11に示すごとく、保護フィルム40に、金属層3を部分的に露出させる開口部42を設けてなる電磁波シールドフィルム10の例である。
図10に示す電磁波シールドフィルム10は、実施例2において示した電磁波シールドフィルム1(図9)に適用したものである。
(Example 3)
This example is an example of the electromagnetic wave shielding film 10 in which an opening 42 that partially exposes the metal layer 3 is provided in the protective film 40 as shown in FIGS. 10 and 11.
The electromagnetic wave shielding film 10 shown in FIG. 10 is applied to the electromagnetic wave shielding film 1 (FIG. 9) shown in Example 2.

なお、本例は、実施例1において示した電磁波シールドフィルム1(図1)に適用することもできる。この場合、開口部42は、2つの保護フィルム4、40に連続して形成する。
その他は、実施例1と同様である。
In addition, this example can also be applied to the electromagnetic wave shielding film 1 (FIG. 1) shown in Example 1. In this case, the opening 42 is formed continuously on the two protective films 4 and 40.
Others are the same as in the first embodiment.

この場合には、容易に金属層3をグランドに接続(接地)し、金属層3に流れる電流を効率よく逃がすことができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
In this case, the metal layer 3 can be easily connected (grounded) to the ground, and the current flowing through the metal layer 3 can be efficiently released.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

上記実施例1〜3においては、金属層を、密着層と導電層と防錆層とからなる三層構造とした例を示したが、本発明は、三層構造の金属層を有する電磁波シールドフィルムに限られるものではない。   In the above Examples 1 to 3, an example in which the metal layer has a three-layer structure including an adhesion layer, a conductive layer, and a rust-preventing layer has been shown. However, the present invention is an electromagnetic wave shield having a three-layer metal layer. It is not limited to film.

実施例1における、電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film in Example 1. FIG. 実施例1における、樹脂フィルムの上面に金属層を成膜した状態を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the state which formed the metal layer into the upper surface of the resin film in Example 1. FIG. 実施例1における、樹脂フィルムの下面に粘着材層を設けた状態を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the state which provided the adhesive material layer in the lower surface of the resin film in Example 1. FIG. 実施例1における、金属層の上面に1枚目の保護フィルムを積層した状態を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the state which laminated | stacked the 1st protective film on the upper surface of the metal layer in Example 1. FIG. 実施例1における、積層フィルムを個片化した状態を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the state which separated the laminated | multilayer film in Example 1. FIG. 実施例1における、離型フィルム上に個片状に形成した電磁波シールドフィルムの断面説明図。Sectional explanatory drawing of the electromagnetic wave shielding film formed in the shape of piece on the release film in Example 1. FIG. 実施例1における、個々の電子部品を個別に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the use aspect of the electromagnetic wave shielding film which covers each electronic component in Example 1 separately. 実施例1における、複数の電子部品を一度に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the usage condition of the electromagnetic wave shielding film which covers a some electronic component in Example 1 at once. 実施例2における、電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film in Example 2. FIG. 実施例3における、電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film in Example 3. FIG. 実施例3における、電磁波シールドフィルムの平面図。The top view of the electromagnetic wave shielding film in Example 3. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1、10 電磁波シールドフィルム
2 基材フィルム
21 端縁
3 金属層
31 密着層
32 導電層
33 防錆層
4、40 保護フィルム
41 端縁
5 電子部品
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 10 Electromagnetic wave shield film 2 Base film 21 Edge 3 Metal layer 31 Adhesion layer 32 Conductive layer 33 Rust prevention layer 4, 40 Protective film 41 Edge 5 Electronic component

Claims (10)

電子機器内に実装された電子部品の表面を被覆して電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムであって、
該電磁波シールドフィルムは、樹脂からなる基材フィルムと、該基材フィルムの上面に積層した金属層と、該金属層の上面に積層した樹脂からなる保護フィルムとを有し、
該保護フィルムは、該保護フィルムの端縁を上記基材フィルムの端縁よりも外側に有していることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
An electromagnetic wave shielding film that shields electromagnetic waves by covering the surface of an electronic component mounted in an electronic device,
The electromagnetic wave shielding film has a base film made of resin, a metal layer laminated on the upper surface of the base film, and a protective film made of resin laminated on the upper surface of the metal layer,
The protective film has an edge of the protective film on an outer side than an edge of the substrate film.
請求項1において、上記保護フィルムは、上記金属層を露出させる開口部を設けてなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。   2. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the protective film is provided with an opening for exposing the metal layer. 請求項1又は2において、上記金属層は、スパッタリングによって形成した膜からなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the metal layer is a film formed by sputtering. 請求項1〜3のいずれか一項において、上記金属層は、上面側に配されて上記金属層の腐食を防止する防錆層と、該防錆層よりも電気抵抗率の低い導電層とからなり、該導電層は50〜500nmの厚みを有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。   The metal layer according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal layer is disposed on an upper surface side to prevent corrosion of the metal layer, and a conductive layer having a lower electrical resistivity than the rust preventive layer. The electromagnetic wave shielding film, wherein the conductive layer has a thickness of 50 to 500 nm. 請求項4において、上記金属層は、上記基材フィルムとの界面に配されて該基材フィルムとの密着を確保する密着層を有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。   5. The electromagnetic wave shielding film according to claim 4, wherein the metal layer has an adhesion layer that is disposed at an interface with the substrate film and ensures adhesion with the substrate film. 請求項5において、上記密着層は5〜50nmの厚みを有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。   6. The electromagnetic wave shielding film according to claim 5, wherein the adhesion layer has a thickness of 5 to 50 nm. 請求項4〜6のいずれか一項において、上記防錆層は10〜50nmの厚みを有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 4 to 6, wherein the antirust layer has a thickness of 10 to 50 nm. 請求項4〜7のいずれか一項において、上記導電層は、電気抵抗率が50μΩcm以下であることを特徴とする電磁波シールドフィルム。   8. The electromagnetic wave shielding film according to claim 4, wherein the conductive layer has an electric resistivity of 50 μΩcm or less. 請求項8において、上記導電層は、Cuからなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。   9. The electromagnetic wave shielding film according to claim 8, wherein the conductive layer is made of Cu. 請求項4〜9のいずれか一項において、上記防錆層は、ステンレス鋼からなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 4 to 9, wherein the rust prevention layer is made of stainless steel.
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