JPWO2018008657A1 - Film for sealing, sealing method for electronic component mounting substrate, and film-covered electronic component mounting substrate for sealing - Google Patents
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Abstract
本発明の封止用フィルム100は、基板5と、基板5の一方の面側に搭載された電子部品4とを備える電子部品搭載基板45を封止するのに用いられ、絶縁層12と電磁波シールド層13とを備えるものであり、絶縁層12および電磁波シールド層13は樹脂材料を含有し、封止用フィルム100は、JIS K 6251に準拠して求められる軟化点における伸び率が150%以上3500%以下である。また、電磁波シールド層13は、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部を備えた構成とすることができる。The sealing film 100 of the present invention is used to seal an electronic component mounting substrate 45 including a substrate 5 and an electronic component 4 mounted on one surface side of the substrate 5. The insulating layer 12 and the electromagnetic wave shielding layer 13 contain a resin material, and the sealing film 100 has an elongation at a softening point required in accordance with JIS K 6251 of 150% or more. It is 3500% or less. Moreover, the electromagnetic wave shielding layer 13 can be configured to have a protruding portion that protrudes beyond the end portion of the insulating layer 12.
Description
本発明は、封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板に関するものである。 The present invention relates to a sealing film, an electronic component mounting substrate sealing method, and a sealing film-covered electronic component mounting substrate.
従来、携帯電話、スマートフォン、電卓、電子新聞、タブレット端末、テレビ電話、パーソナルコンピュータのような電子機器には、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイルのような電子部品が搭載された電子部品搭載基板が実装されるが、この電子部品搭載基板は、湿気や埃等の外部因子との接触を防止することを目的に、樹脂により封止がなされることがある。 Conventionally, in electronic devices such as mobile phones, smartphones, calculators, electronic newspapers, tablet terminals, videophones, personal computers, for example, electronic component mounting substrates on which electronic components such as semiconductor elements, capacitors, and coils are mounted. Although mounted, the electronic component mounting board may be sealed with resin for the purpose of preventing contact with external factors such as moisture and dust.
このような樹脂による封止は、例えば、電子部品搭載基板を金属キャビティ内に配置した後に、流動性の高いウレタン樹脂のような熱硬化性樹脂を注入して封止するポッティング法の他、熱可塑性樹脂を溶融状態で電子部品搭載基板に塗布した後に、固化させることで塗布した領域をコーティング(封止)するコーティング法が知られている。 Sealing with such a resin includes, for example, a potting method in which a thermosetting resin such as a highly fluid urethane resin is injected and sealed after an electronic component mounting substrate is placed in a metal cavity. A coating method is known in which a plastic resin is applied to an electronic component mounting substrate in a molten state and then solidified to be coated (sealed).
しかしながら、ポッティング法では、熱硬化性樹脂の硬化に時間を要し、さらには、通常、封止に金属キャビティを要するため、得られる電子機器の重量化を招くと言う問題があった。また、コーティング法では、溶融状態とする熱可塑性樹脂の粘度管理が必要であり、また、熱可塑性樹脂の塗布領域に対する塗り分けに時間と手間を有するという問題があった。 However, the potting method has a problem in that it takes time to cure the thermosetting resin, and further, usually requires a metal cavity for sealing, resulting in an increase in the weight of the resulting electronic device. In addition, the coating method requires the viscosity management of the thermoplastic resin in a molten state, and there is a problem that time and labor are required for separately coating the thermoplastic resin coating area.
かかる問題点を解決することを目的に、ホットメルト性を有するバリアフィルムを電子部品搭載基板に貼付することが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。 In order to solve such problems, it has been proposed to apply a barrier film having hot melt properties to an electronic component mounting substrate (see, for example, Patent Document 1).
ところが、この場合、電子部品搭載基板が電子部品を備えることに起因して形成される凹凸に対する追従性が十分に得られず、その結果、湿気や埃等の外部因子に対するバリア性を十分に向上させるには至っていない。 However, in this case, the followability to the unevenness formed due to the electronic component mounting substrate including the electronic component is not sufficiently obtained, and as a result, the barrier property against external factors such as moisture and dust is sufficiently improved. It has not reached.
また、湿気や埃等の外部因子に対するバリア性を付与する他に、前記電子部品に対する電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を、バリアフィルム(封止用フィルム)に付与することが求められることがあった。 In addition to providing barrier properties against external factors such as moisture and dust, the barrier film (sealing film) may be provided with electromagnetic wave shielding properties for reducing the influence of noise caused by electromagnetic waves on the electronic component. There was a demand.
本発明の目的は、電子部品搭載基板が備える電子部品の搭載に起因して生じる凹凸に対する優れた追従性、および、電子部品への電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を付与して封止することができる封止用フィルム、かかる封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法、ならびに、かかる封止用フィルムを備える封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を提供することにある。 An object of the present invention is to provide excellent followability to unevenness caused by mounting of an electronic component provided on the electronic component mounting board and electromagnetic wave shielding property to reduce the influence of noise due to electromagnetic waves on the electronic component. A sealing film that can be sealed in a sealed manner, a method for sealing an electronic component mounting substrate using such a sealing film, and a sealing film-covered electronic component mounting substrate provided with such a sealing film are provided. There is.
このような目的は、下記(1)〜(29)に記載の本発明により達成される。
(1) 基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、
絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、
前記絶縁層および前記電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、当該封止用フィルムは、JIS K 6251に準拠して求められる軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であることを特徴とする封止用フィルム。Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (29).
(1) A sealing film used for sealing an electronic component mounting substrate comprising a substrate and an electronic component mounted on one surface side of the substrate,
Having an insulating layer and an electromagnetic wave shielding layer laminated on one side of the insulating layer;
Both the insulating layer and the electromagnetic wave shielding layer contain a resin material, and the sealing film has an elongation at a softening point required in accordance with JIS K 6251 of 150% or more and 3500% or less. A film for sealing.
(2) 前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに有し、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えている上記(1)に記載の封止用フィルム。(2) The electronic component mounting substrate further includes an electrode provided on one surface side of the substrate and electrically connected to the electronic component,
The said electromagnetic wave shielding layer is a film for sealing as described in said (1) provided with the protrusion part which protrudes beyond the edge part of the said insulating layer.
(3) 前記突出部は、前記電極に対応して形成され、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記電極に接触する上記(2)に記載の封止用フィルム。 (3) The sealing film according to (2), wherein the protruding portion is formed corresponding to the electrode and contacts the electrode when the electronic component mounting substrate is sealed.
(4) 前記電極は、前記基板の縁部、もしくは電子部品の周囲に設けられている上記(2)または(3)に記載の封止用フィルム。 (4) The sealing film according to (2) or (3), wherein the electrode is provided on an edge of the substrate or around an electronic component.
(5) 前記電極は、グランド電極である上記(2)ないし(4)のいずれかに記載の封止用フィルム。 (5) The sealing film according to any one of (2) to (4), wherein the electrode is a ground electrode.
(6) 当該封止用フィルムは、前記電磁波シールド層の前記絶縁層と反対側に積層された被覆層をさらに備え、
前記絶縁層を前記基板の一方の面側にして、前記電子部品搭載基板を封止するように構成されている上記(1)に記載の封止用フィルム。(6) The sealing film further includes a coating layer laminated on the opposite side of the electromagnetic shielding layer from the insulating layer,
The sealing film according to (1), wherein the electronic component mounting substrate is sealed with the insulating layer on one surface side of the substrate.
(7) 前記被覆層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する第1突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第1突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている上記(6)に記載の封止用フィルム。 (7) The covering layer includes a first protruding portion that protrudes beyond an end portion of the electromagnetic wave shielding layer, and the first electronic component mounting substrate is sealed when the electronic component mounting substrate is sealed from one surface side of the substrate. The projecting portion is the sealing film according to (6), which is configured to cover the other surface side of the substrate by being folded on the other surface side of the substrate.
(8) 前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第2突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第2突出部は、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている上記(6)または(7)に記載の封止用フィルム。(8) The electronic component mounting substrate further includes an electrode provided on one surface side of the substrate and electrically connected to the electronic component,
The electromagnetic wave shielding layer includes a second protruding portion that protrudes beyond an end portion of the insulating layer, and when the electronic component mounting substrate is sealed from one surface side of the substrate, the second protruding portion is The sealing film according to (6) or (7), wherein the sealing film is configured to contact the electrode on one surface side of the substrate.
(9) 前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第2突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第2突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側で前記電極に接触するよう構成されている上記(6)または(7)に記載の封止用フィルム。(9) The electronic component mounting substrate further includes an electrode provided on the other surface side of the substrate and electrically connected to the electronic component,
The electromagnetic wave shielding layer includes a second protruding portion that protrudes beyond an end portion of the insulating layer, and when the electronic component mounting substrate is sealed from one surface side of the substrate, the second protruding portion is The sealing film according to (6) or (7), wherein the film is configured to be in contact with the electrode on the other surface side of the substrate by being folded on the other surface side of the substrate.
(10) 前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出し、前記第1突出部に接触して積層された第3突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第1突出部と前記第3突出部とは、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を前記第3突出部が接触して被覆するよう構成されている上記(7)に記載の封止用フィルム。 (10) The insulating layer includes a third protruding portion that protrudes beyond the end portion of the electromagnetic wave shielding layer and is stacked in contact with the first protruding portion, and the electronic component is provided from one surface side of the substrate. When the mounting substrate is sealed, the first projecting portion and the third projecting portion are folded to the other surface side of the substrate so that the third projecting portion is placed on the other surface side of the substrate. The sealing film according to (7), wherein the sealing film is configured to contact and cover.
(11) 前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記被覆層の端部を越えて突出する第4突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第4突出部は、前記基板の一方の面側に折り込まれることにより、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている上記(6)に記載の封止用フィルム。(11) The electronic component mounting substrate further includes an electrode provided on one surface side of the substrate and electrically connected to the electronic component,
The electromagnetic wave shielding layer includes a fourth projecting portion projecting beyond the end portion of the coating layer, and when sealing the electronic component mounting substrate from one surface side of the substrate, the fourth projecting portion is The sealing film according to (6), wherein the sealing film is configured to be in contact with the electrode on one surface side of the substrate by being folded on one surface side of the substrate.
(12) 前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する突出部を備えている上記(1)に記載の封止用フィルム。 (12) The said insulating layer is a film for sealing as described in said (1) provided with the protrusion part which protrudes beyond the edge part of the said electromagnetic wave shield layer.
(13) 前記電磁波シールド層は、前記電子部品に対応する位置に選択的に形成されている上記(12)に記載の封止用フィルム。 (13) The sealing film according to (12), wherein the electromagnetic wave shielding layer is selectively formed at a position corresponding to the electronic component.
(14) 前記突出部は、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている上記(12)または(13)に記載の封止用フィルム。 (14) The projecting portion covers the other surface side of the substrate by being folded into the other surface side of the substrate when the electronic component mounting substrate is sealed from the one surface side of the substrate. The film for sealing according to the above (12) or (13), which is configured to perform.
(15) 前記電子部品搭載基板は、開放端面を有し、前記電子部品に電気的に接続された接続部材をさらに有し、
当該封止用フィルムは、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記接続部材に対応する位置に逃げ部を有する上記(1)に記載の封止用フィルム。(15) The electronic component mounting substrate further includes a connection member having an open end surface and electrically connected to the electronic component,
The sealing film according to (1), wherein the sealing film has an escape portion at a position corresponding to the connection member when sealing the electronic component mounting substrate.
(16) 前記絶縁層および前記電磁波シールド層を構成する前記樹脂材料は、熱可塑性樹脂である上記(15)に記載の封止用フィルム。 (16) The sealing film according to (15), wherein the resin material constituting the insulating layer and the electromagnetic wave shielding layer is a thermoplastic resin.
(17) 前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより前記電極に接触するよう構成されている上記(1)に記載の封止用フィルム。(17) The electronic component mounting substrate further includes an electrode provided on the other surface side of the substrate and electrically connected to the electronic component,
The electromagnetic wave shielding layer includes a protruding portion that protrudes beyond the end portion of the insulating layer, and when the electronic component mounting substrate is sealed from one surface side of the substrate, the protruding portion is formed on the substrate. The sealing film according to (1), which is configured to be in contact with the electrode by being folded on the other surface side.
(18) 前記電極は、前記基板の縁部に設けられている上記(17)に記載の封止用フィルム。 (18) The sealing film according to (17), wherein the electrode is provided on an edge of the substrate.
(19) 前記電極は、グランド電極である上記(17)または(18)に記載の封止用フィルム。 (19) The sealing film according to (17) or (18), wherein the electrode is a ground electrode.
(20) 当該封止用フィルムは、25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率が100ppm/K以下である上記(1)ないし(19)のいずれかに記載の封止用フィルム。 (20) The sealing film according to any one of (1) to (19), wherein the sealing film has a linear expansion coefficient of 100 ppm / K or less in a temperature range of 25 ° C. or more and 80 ° C. or less.
(21) 前記絶縁層および前記電磁波シールド層のうち少なくとも一方は、前記樹脂材料として、ポリオレフィン系樹脂を含有する上記(1)ないし(20)のいずれかに記載の封止用フィルム。 (21) The sealing film according to any one of (1) to (20), wherein at least one of the insulating layer and the electromagnetic wave shielding layer contains a polyolefin resin as the resin material.
(22) 当該封止用フィルムは、その平均厚さが10μm以上700μm以下である上記(1)ないし(21)のいずれかに記載の封止用フィルム。 (22) The sealing film according to any one of (1) to (21), wherein the sealing film has an average thickness of 10 μm to 700 μm.
(23) 前記基板は、プリント配線基板である上記(1)ないし(22)のいずれかに記載の封止用フィルム。 (23) The sealing film according to any one of (1) to (22), wherein the substrate is a printed wiring board.
(24) 上記(2)ないし(5)のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極を封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品と前記電極を覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。(24) A sealing method of an electronic component mounting substrate for sealing the substrate, the electronic component, and the electrode using the sealing film according to any one of (2) to (5),
Placing the sealing film on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate, the electronic component, and the electrode;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
The step of sealing the substrate, the electronic component, and the electrode with the sealing film in a state where the protruding portion is in contact with the electrode by cooling and pressurizing the sealing film. A method for sealing an electronic component mounting substrate, comprising:
(25) 上記(6)ないし(11)のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。(25) A sealing method for an electronic component mounting substrate for sealing the substrate and the electronic component using the sealing film according to any one of (6) to (11),
Disposing the sealing film on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
A method for sealing an electronic component mounting substrate, comprising: cooling the sealing film and applying pressure to seal the substrate and the electronic component with the sealing film.
(26) 上記(12)ないし(14)のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記絶縁層を介して前記電磁波シールド層により前記電子部品を被覆した状態で、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。(26) A sealing method for an electronic component mounting substrate for sealing the substrate and the electronic component using the sealing film according to any one of (12) to (14),
Disposing the sealing film on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
By cooling and pressurizing the sealing film, the substrate and the electronic component are sealed with the sealing film while the electronic component is covered with the electromagnetic wave shielding layer through the insulating layer. And a step of stopping the electronic component mounting substrate.
(27) 上記(15)または(16)に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記接続部材に前記逃げ部が対応するように前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記接続部材が封止されることなく、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。(27) A sealing method for an electronic component mounting substrate for sealing the substrate and the electronic component using the sealing film according to (15) or (16),
A step of covering the substrate and the electronic component and disposing the sealing film on the electronic component mounting substrate so that the escape portion corresponds to the connection member;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
A step of sealing the substrate and the electronic component with the sealing film without sealing the connecting member by cooling and pressurizing the sealing film. An electronic component mounting substrate sealing method.
(28) 上記(17)ないし(19)のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置しつつ、前記突出部を、前記基板の他方の面側に折り込むことにより前記電極に接触させる工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。(28) A method for sealing an electronic component mounting substrate, wherein the substrate, the electronic component, and the electrode are sealed using the sealing film according to any one of (17) to (19). ,
The projecting portion is placed on the other side of the substrate while the sealing film is disposed on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component. The step of contacting the electrode by folding it to the surface side of
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
The step of sealing the substrate, the electronic component, and the electrode with the sealing film in a state where the protruding portion is in contact with the electrode by cooling and pressurizing the sealing film. A method for sealing an electronic component mounting substrate, comprising:
(29) 上記(1)ないし(23)のいずれかに記載の封止用フィルムと、該封止用フィルムにより被覆された前記基板、前記電子部品および前記電極を備える前記電子部品搭載基板とを有し、前記突出部は、前記電極に接触していることを特徴とする封止用フィルム被覆電子部品搭載基板。 (29) The sealing film according to any one of (1) to (23), and the electronic component mounting substrate including the substrate covered with the sealing film, the electronic component, and the electrode. A film-covered electronic component mounting substrate for sealing, wherein the protruding portion is in contact with the electrode.
本発明によれば、封止用フィルムが樹脂材料を主材料として構成され、JIS K 6251に準拠して求められる軟化点における封止用フィルムの伸び率が150%以上3500%以下となっている。かかる封止用フィルムを、まず、基板と電子部品とを覆うように電子部品搭載基板上に配置する。その後、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに減圧する。その後、封止用フィルムを冷却させるとともに加圧する。以上の工程を経ることにより、封止用フィルムが、基板に電子部品を搭載することで形成される凹凸に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、基板と電子部品とを被覆することができる。そのため、この封止用フィルムを被覆することで得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品(特に、電子部品)が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。
また、封止用フィルムにより、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層で封止されるため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。According to the present invention, the sealing film is composed mainly of a resin material, and the elongation rate of the sealing film at the softening point required in accordance with JIS K 6251 is 150% or more and 3500% or less. . First, the sealing film is placed on the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component. Thereafter, the sealing film is heated and softened, and the pressure is reduced. Thereafter, the sealing film is cooled and pressurized. Through the above steps, the sealing film covers the substrate and the electronic component in a state of sealing with excellent followability with respect to the unevenness formed by mounting the electronic component on the substrate. be able to. Therefore, in the sealing film-covered electronic component mounting substrate obtained by coating this sealing film, the electronic component (particularly, the electronic component) is accurately suppressed from coming into contact with external factors such as moisture and dust. Or it can be prevented.
Further, when the substrate and the electronic component are covered with the sealing film, the electronic component is sealed with the electromagnetic wave shielding layer through the insulating layer, so that the obtained sealing film-covered electronic component mounting substrate is obtained. In this case, the influence of noise due to electromagnetic waves on the electronic component is appropriately suppressed or prevented.
以下、本発明の封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, a sealing film, an electronic component mounting substrate sealing method, and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
本発明の封止用フィルムは、基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、、絶縁層および電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、この封止用フィルムは、JIS K 6251に準拠して求められる軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であることを特徴とする。 The sealing film of the present invention is a sealing film used for sealing an electronic component mounting substrate comprising a substrate and an electronic component mounted on one surface side of the substrate, and an insulating layer And an electromagnetic wave shielding layer laminated on one surface side of the insulating layer. Both the insulating layer and the electromagnetic wave shielding layer contain a resin material, and this sealing film conforms to JIS K 6251. The elongation at the softening point determined in conformity is 150% or more and 3500% or less.
また、本発明の電子部品搭載基板の封止方法は、上記の封止用フィルムを用いて、電子部品搭載基板が備える基板と電子部品とを被覆する電子部品搭載基板の封止方法であり、基板と電子部品とを覆うように、絶縁層を電子部品搭載基板側にして封止用フィルムを電子部品搭載基板上に配置する工程(配置工程)と、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程(加熱・減圧工程)と、封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、基板と電子部品とを封止用フィルムで封止する工程(冷却・加圧工程)とを有することを特徴とする。 Moreover, the sealing method of the electronic component mounting substrate of the present invention is a sealing method of the electronic component mounting substrate that covers the electronic component mounting substrate and the electronic component mounting substrate, using the sealing film described above. A step of placing the sealing film on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component (placement step), and heating and softening the sealing film The step of reducing pressure (heating / depressurization step) and the step of cooling the sealing film and pressurizing the substrate and the electronic component with the sealing film (cooling / pressurization step) It is characterized by having.
このような封止用フィルムを、基板上に電子部品が搭載されることにより形成された凹凸の被覆に適用すると、前記冷却・加圧工程において、軟化された状態の封止用フィルムが、加圧された状態で冷却されることから、凹凸に対して優れた追従性をもって封止した状態で、基板と電子部品とを被覆することができる。そのため、この封止用フィルムを被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を備える電子機器の信頼性の向上を図ることができる。 When such a sealing film is applied to an uneven coating formed by mounting an electronic component on a substrate, the softened sealing film is added in the cooling / pressurizing step. Since it cools in the pressed state, it can coat | cover a board | substrate and an electronic component in the state sealed with the outstanding followable | trackability with respect to an unevenness | corrugation. Therefore, in the sealing film-covered electronic component mounting substrate obtained by coating the sealing film, it is possible to accurately suppress or prevent the electronic component from coming into contact with external factors such as moisture and dust. Therefore, it is possible to improve the reliability of the obtained electronic device equipped with the sealing film-covered electronic component mounting substrate and thus the sealing film-covered electronic component mounting substrate.
また、封止用フィルムにより、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。 Further, when the substrate and the electronic component are covered with the sealing film, the electronic component is sealed with the electromagnetic wave shielding layer via the insulating layer. Therefore, in the obtained film-covered electronic component mounting substrate for sealing, the influence of noise due to electromagnetic waves on the electronic component is accurately suppressed or prevented.
なお、電子部品が搭載された基板の一方の面側に、電子部品に電気的に接続される電極が設けられている場合には、封止用フィルムが、基板上に電子部品および電極が搭載されることにより形成される凹凸に対する優れた追従性をもって、基板、電子部品および電極を封止(被覆)することができる。この場合にも、上述した効果が得られる。 When an electrode that is electrically connected to the electronic component is provided on one surface side of the substrate on which the electronic component is mounted, the sealing film is mounted on the substrate and the electronic component and the electrode are mounted on the substrate. Thus, the substrate, the electronic component, and the electrode can be sealed (coated) with excellent followability to the unevenness formed. Also in this case, the above-described effects can be obtained.
<第1実施形態>
[封止用フィルム]
まず、本発明の封止用フィルム100の第1実施形態について説明する。<First Embodiment>
[Sealing film]
First, 1st Embodiment of the
図1は、本発明の封止用フィルムの第1実施形態を示す縦断面図、図2(a)〜(c)は、本発明の封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図1、図2中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of a sealing film of the present invention, and FIGS. 2A to 2C are diagrams for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of the present invention. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating a method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 1 and 2 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
封止用フィルム100は、絶縁層12と、この絶縁層12の一方の面側(上面側)に積層された電磁波シールド層13とを備え、絶縁層12および電磁波シールド層13が、ともに、樹脂材料を含有し、JIS K 6251に準拠して求められる軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。
The sealing
このような絶縁層12と電磁波シールド層13とを備える積層体で構成される封止用フィルム100は、前記伸び率が前記範囲内を満足し得るものであれば、これら絶縁層12と電磁波シールド層13とに含まれる樹脂材料は、如何なるもので構成されていてもよい。かかる樹脂材料は、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン共重合体、延伸ポリプロピレン、未延伸ポリプロピレンのようなポリオレフィン系樹脂、アイオノマー樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートのようなポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ナイロン−6、ナイロン−6,6、ナイロン−6,10、ヘキサメチレンジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−6T、ヘキサメチレンジアミンとイソフタル酸とからなるナイロン−6I、ノナンジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−9T、メチルペンタジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−M5T、カプロラクタムとラウリルラクタムとからなるナイロン−6,12、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸とカプロラクタムとからなるナイロン−6、ナイロン−6,6のようなポリアミド系樹脂、アクリル樹脂、スチレン系樹脂、ポリ塩化ビニルおよびポリビニルアルコール等の熱可塑性樹脂が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。また、絶縁層12および電磁波シールド層13のそれぞれに含まれる樹脂材料は、同一であってもよいし、異なっても良い。
If the sealing
さらに、絶縁層12と電磁波シールド層13とに含まれる樹脂材料は、上述した熱可塑性樹脂材料の他に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂のような熱硬化性樹脂やアクリル樹脂やウレタン樹脂のようなUV硬化性樹脂が含まれていてもよい。
Further, the resin material contained in the insulating
このような樹脂材料を含有する絶縁層12および電磁波シールド層13のうち、絶縁層12は、前記樹脂材料を主材料として含有する層で構成され、電磁波シールド層13は、前記樹脂材料と、導電性を備える導電性粒子とを含有する層で構成される。絶縁層12および電磁波シールド層13をかかる構成とすることで、絶縁層12が、絶縁性を有し、電磁波シールド層13が、導電性および電磁波シールド性の双方を有する。
Of the insulating
上記のような樹脂材料を含有する絶縁層12と電磁波シールド層13とを備える封止用フィルム100は、ポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、絶縁層12および電磁波シールド層13のうちの少なくとも1層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を容易に150%以上3500%以下に設定することができる。
The sealing
そこで、以下では、前記樹脂材料を主材料として含有する絶縁層12と、前記樹脂材料と導電性粒子とを含有する電磁波シールド層13とを備え、絶縁層12に含まれる樹脂材料がポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム100を、一例として説明する。
Therefore, in the following, an insulating
図1、2に示すように、本実施形態において、封止用フィルム100は、電磁波シールド層13と、絶縁層12とを備え、これらが、被覆すべき電子部品搭載基板45の反対側(上面側)から、この順で積層されている積層体で構成されている。そして、電磁波シールド層13は、絶縁層12よりも大きく形成され、その端部が絶縁層12の端部(縁部)から露出している。換言すれば、電磁波シールド層13は、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部15を備えている。
As shown in FIGS. 1 and 2, in this embodiment, the sealing
なお、封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、基板5と、基板5の上面(一方の面)の中央部に搭載(載置)された電子部品4と、この電子部品4に電気的に接続され、基板5の上面の端部に形成された電極3とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4および電極3の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成され、この凹凸6が、封止用フィルム100を用いて被覆される。なお、基板5としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板5上に搭載する電子部品4としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられ、電極3としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品4を接地するためのグランド電極等が挙げられる。
The electronic
絶縁層12は、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下に設定して、凹凸6への優れた密着性および優れた形状追従性を持たせることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂(エチレン共重合体)としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。
The insulating
また、絶縁層12は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層である。この絶縁層12は、電子部品搭載基板45を封止用フィルム100で被覆する際に、電子部品4と導電性を有する電磁波シールド層13との間に介在することで、電子部品4同士、さらには電子部品4と電極3との間で短絡が生じるのを防止するための層として機能する。
The insulating
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるVA含有量が5重量%以上30重量%以下であることが好ましく、10重量%以上20重量%以下であることがより好ましい。前記下限値未満であると、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を前記範囲内に設定することが困難となるおそれがある。これに対して、前記上限値を超えると、絶縁層12を構成する樹脂の結晶部が減少し、非結晶部が増加する傾向を示すことに起因して、絶縁層12に残存する酸化防止剤等の添加剤が溶出するおそれがある。そのため、電子部品搭載基板45側に移行し、その結果、電子部品4の特性に不都合が生じるおそれがある。
In this ethylene-vinyl acetate copolymer, the VA content to be copolymerized is preferably 5% by weight to 30% by weight, and more preferably 10% by weight to 20% by weight. If it is less than the lower limit, it may be difficult to set the elongation at the softening point of the sealing
また、絶縁層12の平均厚さは、5μm以上200μm以下であることが好ましく、20μm以上120μm以下であることがより好ましい。絶縁層12の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下の範囲内に確実に設定することができる。また、電磁波シールド層13の電子部品4に対する絶縁性をより確実に確保することができる。
The average thickness of the insulating
なお、絶縁層12に含まれる樹脂材料としては、ポリオレフィン系樹脂(エチレン共重合体)としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、後述する電磁波シールド層13に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
The resin material contained in the insulating
電磁波シールド層13は、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下に設定して、凹凸6への密着性および形状追従性に優れたものとすること、さらには、封止用フィルム100を強靱性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有する。また、樹脂材料(アイオノマー)は、下記の導電性材料を層中に保持するバインダーとしても機能する。
The electromagnetic
また、電磁波シールド層13は、樹脂材料としてアイオノマー樹脂の他に、さらに、導電性を有する導電性粒子を含有することで、導電性および電磁波シールド性を備える層である。そして、この電磁波シールド層13は、絶縁層12よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層12が積層されるが、端部において、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部15を備えている。
The electromagnetic
このような電磁波シールド層13により、電子部品搭載基板45を封止用フィルム100で被覆する際に、その中央部では、絶縁層12を介して、電子部品4が被覆される。そのため、電子部品搭載基板45を封止用フィルム100で被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を、電子部品4への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。さらに、電磁波シールド層13の端部では、絶縁層12が介在することなく、導電性を有する突出部15が電極3を直接被覆することで、電極3が突出部15(電磁波シールド層13)に電気的に接続される。そのため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この突出部15を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
When the electronic
ここで、本明細書中において、樹脂材料としてのアイオノマー樹脂とは、エチレンおよび(メタ)アクリル酸を重合体の構成成分とする2元共重合体や、エチレン、(メタ)アクリル酸および(メタ)アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする3元共重合体を、金属イオンで架橋した樹脂のことを言い、これらのうちの1種または2種を組み合わせて用いることができる。 Here, in this specification, the ionomer resin as the resin material means a binary copolymer containing ethylene and (meth) acrylic acid as a constituent component of the polymer, ethylene, (meth) acrylic acid and (meta ) Refers to a resin obtained by crosslinking a terpolymer having an acrylic ester as a constituent of a polymer with a metal ion, and one or two of them can be used in combination.
また、金属イオンとしては、例えば、カリウムイオン(K+)、ナトリウムイオン(Na+)、リチウムイオン(Li+)、マグネシウムイオン(Mg++)、亜鉛イオン(Zn++)等が挙げられる。これらの中でも、ナトリウムイオン(Na+)または亜鉛イオン(Zn++)であることが好ましい。これにより、アイオノマー樹脂における架橋構造が安定化されるため、前述した電磁波シールド層13としての機能をより顕著に発揮させることができる。Examples of the metal ion include potassium ion (K + ), sodium ion (Na + ), lithium ion (Li + ), magnesium ion (Mg ++ ), and zinc ion (Zn ++ ). Among these, sodium ions (Na + ) or zinc ions (Zn ++ ) are preferable. Thereby, since the crosslinked structure in the ionomer resin is stabilized, the function as the electromagnetic
さらに、エチレンおよび(メタ)アクリル酸を重合体の構成成分とする2元共重合体、もしくは、エチレン、(メタ)アクリル酸および(メタ)アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする3元共重合体のカルボキシル基における陽イオン(金属イオン)による中和度は、好ましくは40mol%以上75mol%以下である。 Further, a binary copolymer having ethylene and (meth) acrylic acid as constituent components of the polymer, or a ternary copolymer having ethylene, (meth) acrylic acid and (meth) acrylic acid ester as constituent components of the polymer. The degree of neutralization by the cation (metal ion) in the carboxyl group of the polymer is preferably 40 mol% or more and 75 mol% or less.
また、導電性粒子は、電磁波シールド層13に導電性および電磁波シールド性の双方を付与し得るものであれば、特に限定されず、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、またはこれらを含む合金のような金属、および、AFe2O4(式中、Aは、Mn、Co、Ni、CuまたはZnである)で表されるフェライト、ITO、ATO、FTOのような金属酸化物等を含むものが挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、導電性粒子は、このような金属および/または金属酸化物を含むものの他、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ(p−フェニレン)、ポリフルオレンのような導電性高分子、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンブラックのような炭素系材料を含有するものであってもよい。Further, the conductive particles are not particularly limited as long as they can impart both conductivity and electromagnetic wave shielding properties to the electromagnetic
導電性粒子の平均粒径は、1.0μm以上10.0μm以下であるのが好ましく、3.0μm以上8.0μm以下であるのがより好ましい。これにより、導電性粒子を電磁波シールド層13中に均一に分散させることができる。そのため、電磁波シールド層13は、その特性を均質に発揮することができる。
The average particle size of the conductive particles is preferably 1.0 μm or more and 10.0 μm or less, and more preferably 3.0 μm or more and 8.0 μm or less. As a result, the conductive particles can be uniformly dispersed in the electromagnetic
また、電磁波シールド層13中における導電性粒子の含有量は、10重量%以上95重量%以下であることが好ましく、50重量%以上90重量%以下であることがより好ましい。導電性粒子の含有量をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド層13に導電性および電磁波シールド性の双方を確実に付与しつつ、軟化点における伸び率が150%以上3500%以下の範囲内に確実に設定された封止用フィルム100を得ることができる。
The content of the conductive particles in the electromagnetic
また、電磁波シールド層13の平均厚さは、1μm以上400μm以下であることが好ましく、5μm以上200μm以下であることがより好ましい。電磁波シールド層13の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100を強靱性に優れ、かつ、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下の範囲内に確実に設定することができる。さらに、電磁波シールド層13に、導電性および電磁波シールド性の双方を確実に付与することができる。
The average thickness of the electromagnetic
なお、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料としては、アイオノマー樹脂の他、絶縁層12に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体や、それ以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
In addition to the ionomer resin, the resin material contained in the electromagnetic
また、封止用フィルム100では、絶縁層12と電磁波シールド層13との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、絶縁層12と電子部品搭載基板45との間の接着性を高めるために、必要に応じて絶縁層12の内側に接着層を設けることもできる。
Further, in the
接着層に含まれる接着性樹脂としては、例えば、EVA、エチレン−無水マレイン酸共重合体、EAA、EEA、エチレン−メタクリレート−グリシジルアクリレート三元共重合体、あるいは、各種ポリオレフィンに、アクリル酸、メタクリル酸などの一塩基性不飽和脂肪酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などの二塩基性不飽和脂肪酸またはこれらの無水物をグラフトさせたもの、例えば、マレイン酸グラフト化EVA、マレイン酸グラフト化エチレン−α−オレフィン共重合体、スチレン系エラストマー、アクリル樹脂等、公知の粘着性樹脂や接着性樹脂を適宜、使用することができる。 Examples of the adhesive resin contained in the adhesive layer include EVA, ethylene-maleic anhydride copolymer, EAA, EEA, ethylene-methacrylate-glycidyl acrylate terpolymer, or various polyolefins such as acrylic acid, methacrylic acid. Monobasic unsaturated fatty acids such as acids, dibasic unsaturated fatty acids such as maleic acid, fumaric acid, itaconic acid or the like grafted with these anhydrides, such as maleic acid grafted EVA, maleic acid grafted ethylene Known adhesive resins and adhesive resins such as -α-olefin copolymers, styrene elastomers, and acrylic resins can be used as appropriate.
さらに、電磁波シールド層13と絶縁層12とが積層された封止用フィルム100を製造する製造方法については、特に限定されず、例えば、公知の共押出法、ドライラミネート法、押出ラミ法、塗工積層等を用いて、成膜および積層を行うことにより得ることができる。
Further, the production method for producing the sealing
ここで、封止用フィルム100を、上記のような構成の電磁波シールド層13と絶縁層12とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を比較的容易に150%以上3500%以下に設定することができるが、この伸び率は、150%以上3500%以下であればよいが、150%以上2000%以下であることが好ましく、1000%以上2000%以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルム100を用いて、電子部品搭載基板45が備える凹凸6の被覆に適用した際に、凹凸6の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができ、かつ、封止用フィルム100の途中で破断されるのを的確に抑制または防止することができる。
Here, by forming the sealing
また、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板5に設けられた凹凸6における段差が10mm以上のように大きい段差であったとしても、封止用フィルム100を凹凸6の形状に対応して追従させることができる。
Moreover, even if the level | step difference in the unevenness |
なお、破断伸び(軟化点における伸び率)の測定は、オートグラフ装置(例えば、島津製作所製、AUTOGRAPH AGS−X等)を用いて、JIS K 6251に記載の方法に準拠して測定することができる。 The elongation at break (elongation at the softening point) can be measured according to the method described in JIS K 6251 using an autograph device (for example, AUTOGRAPH AGS-X manufactured by Shimadzu Corporation). it can.
また、封止用フィルム100の軟化点は、動的粘弾性測定装置(例えば、セイコーインスツル社製、EXSTAR6000等)を用いて、チャック間距離20mm、昇温速度5℃/分および角周波数10Hzの条件で測定し得る。
In addition, the softening point of the sealing
さらに、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましく、5ppm/K以上50ppm/K以下であることがより好ましい。封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率がこのような範囲の値であると、封止用フィルム100の加熱時において、封止用フィルム100は、優れた伸縮性を有するため、封止用フィルム100の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム100と、基板5、電子部品4と、さらには電極3との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板45の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム100の電子部品搭載基板45からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。なお、封止用フィルム100の線膨張率は、例えば、動的粘弾性測定装置(例えば、セイコーインスツル社製、EXSTAR6000等)を用いて算出し得る。
Furthermore, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. or more and 80 ° C. or less of the sealing
封止用フィルム100の全体としての平均厚さは、10μm以上700μm以下であることが好ましく、20μm以上400μm以下であることがより好ましい。封止用フィルム100の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100の途中において、封止用フィルム100が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下の範囲内に確実に設定することができる。
The average thickness of the sealing
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第1実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting board using the sealing film of the first embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4と電極3とを覆うように封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する工程(配置工程)と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する工程(加熱・減圧工程)と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、基板5と電子部品4と電極3を封止用フィルム100で被覆する工程(冷却・加圧工程)とを有する。
The electronic component mounting substrate sealing method of the present embodiment includes a step of placing the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図2(a)に示すように、封止用フィルム100が備える電磁波シールド層13および絶縁層12のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4と電極3とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 2 (a), the electronic component mounting board in the state where the insulating
(加熱・減圧工程)
次に、図2(b)に示すように、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, as shown in FIG. 2B, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち電磁波シールド層13および絶縁層12が軟化し、その結果、基板5上に電子部品4および電極3を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の上側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4および電極3の形状に若干追従した状態となる。
Thereby, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
なお、封止用フィルム100の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム100を、凹凸6の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
The heating of the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図2(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 2C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなり、その結果、凹凸6の形状(電子部品4および電極3の形状)に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆される。なお、前記加熱減圧工程において、凹凸6の形状に対応して封止用フィルム100が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
この際、本発明では、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。そのため、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを優れた密着性をもって被覆することができる。
At this time, in the present invention, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
And in the state which coat | covered the board |
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
Thus, the sealing film-covered electronic component in which the
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12と電磁波シールド層13との積層体で構成されるが、電磁波シールド層13は、絶縁層12よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層12が積層されるが、端部において、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部15を備えている。
In addition, the sealing
そのため、本工程において、電磁波シールド層13の中央部では、絶縁層12を介して、電子部品4が被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50では、電子部品4への電磁波によるノイズの影響を的確に抑制または防止することができる。
Therefore, in this step, the
さらに、電磁波シールド層13の端部では、絶縁層12が介在することなく、導電性を有する突出部15が電極3を直接被覆することで、電極3が突出部15(電磁波シールド層13)に電気的に接続される。そのため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この突出部15を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
Further, at the end portion of the electromagnetic
なお、封止用フィルム100の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸6の形状に対応して、封止用フィルム100をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
In addition, although cooling of the
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
<第2実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第2実施形態について説明する。By passing through said process, the sealing film covering electronic component mounting board |
Second Embodiment
[Sealing film]
Next, 2nd Embodiment of the
図3は、本発明の封止用フィルムの第2実施形態を示す縦断面図、図4(a)〜(c)は、図3に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図3、図4(a)〜(c)中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a second embodiment of the sealing film of the present invention, and FIGS. 4A to 4C show the sealing of the electronic component mounting substrate using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the stopping method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 3 and 4A to 4C is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第2実施形態について説明するが、前記第1実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, although the second embodiment will be described, the description will focus on the points different from the first embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
第2実施形態では、封止用フィルム100が、図3、図4に示すように、電磁波シールド層13の絶縁層12と反対側に積層された被覆層14をさらに備えており、それ以外は、前記第1実施形態と同様である。すなわち、本実施形態の封止用フィルム100では、絶縁層12と、電磁波シールド層13と、被覆層14とが、被覆すべき電子部品搭載基板45側から、この順で、積層されている。また、本実施形態の封止用フィルム100は、図4に示すように、絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が、それぞれ、略同じ大きさを有している。
In 2nd Embodiment, the
ここで、封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、本実施形態では、図4に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。なお、基板5としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板5上に搭載する電子部品4としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられる。
Here, in this embodiment, the electronic
このように電子部品4が上面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、被覆層14を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆すると、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50は、電子部品4への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
When the electronic
また、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13により封止されていることから、電磁波シールド層13は、この電子部品4に対する絶縁性が確保されたものとなる。さらに、電磁波シールド層13は、電子部品4の反対側の面において、被覆層14により被覆されている。そのため、電磁波シールド層13は、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保されたものとなる。
Further, since the
また、このような封止用フィルム100の被覆層14は、前述した絶縁層12および電磁波シールド層13と同様に、樹脂材料を含有している。また、前述した第1実施形態と同様に、封止用フィルム100のJIS K 6251に準拠して求められる軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であるが、150%以上2000%以下であることが好ましく、1000%以上2000%以下であることがより好ましい。
Moreover, the
封止用フィルム100の軟化点がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム100を用いて、電子部品搭載基板45が備える凹凸6の被覆に適用した際に、凹凸6の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができる。そのため、この封止用フィルム100を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
When the softening point of the sealing
また、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板5に設けられた凹凸6における段差が具体的な大きさとして、10mm以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム100を凹凸6の形状に対応して追従させることができる。
In addition, by setting the elongation at the softening point of the sealing
前記軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている封止用フィルム100が備える被覆層14は、前述した絶縁層12および電磁波シールド層13と同様に、樹脂材料を含有している。かかる樹脂材料としては、前述した絶縁層12および電磁波シールド層13と同様の樹脂材料を用いることができる。なお、絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14に、それぞれ含まれる樹脂材料は、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下に設定し得るものであれば、同一であってもよいし、異なっても良い。
The
また、封止用フィルム100の前記軟化点における伸び率を前記範囲内とするために、上述のような樹脂材料を含有する絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち、絶縁層12および被覆層14は、前記樹脂材料を主材料として含有する層で構成され、電磁波シールド層13は、前記樹脂材料と、前記導電性を備える導電性粒子とを含有する層で構成される。絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14をかかる構成とすることで、絶縁層12および被覆層14が、絶縁性を有し、電磁波シールド層13が、導電性および電磁波シールド性の双方を有する。
Moreover, in order to make elongation rate in the said softening point of the
上記のような構成をなす、何れも樹脂材料を含有する絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14を備える封止用フィルム100は、前述した樹脂材料のうちポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうちの少なくとも1層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率をより確実に150%以上3500%以下に設定することができる。
The sealing
そこで、以下では、絶縁層12および被覆層14に含まれる樹脂材料がともにポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム100を、一例として説明する。
Therefore, hereinafter, the sealing
被覆層14は、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下に設定して、凹凸6への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂(エチレン共重合体)としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。
For the purpose of the
また、被覆層14は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板45を封止用フィルム100で被覆する際に、導電性を有する電磁波シールド層13の電子部品4と反対の面側を被覆することで、電子部品搭載基板45の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保するための層として機能する。
Further, the
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるVA含有量は、前述した絶縁層12で示した共重合されるVA含有量と同様の範囲内に設定される
In this ethylene-vinyl acetate copolymer, the VA content to be copolymerized is set within the same range as the VA content to be copolymerized shown in the insulating
また、被覆層14の平均厚さは、5μm以上200μm以下であることが好ましく、20μm以上120μm以下であることがより好ましい。被覆層14の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下の範囲内により確実に設定することができる。また、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層13の絶縁性をより確実に確保することができる。
The average thickness of the
なお、被覆層14に含まれる樹脂材料としては、絶縁層12と同様に、ポリオレフィン系樹脂(エチレン共重合体)としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、前述した電磁波シールド層13に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
The resin material contained in the
また、封止用フィルム100では、絶縁層12と電磁波シールド層13との間、および、電磁波シールド層13と被覆層14との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、絶縁層12と電子部品搭載基板45との間の接着性を高めるために、必要に応じて絶縁層12の内側、すなわち絶縁層12と基板5との間に、前述した第1実施形態と同様の接着層を設けることもできる。
Moreover, in the
さらに、絶縁層12と電磁波シールド層13と被覆層14とが積層された封止用フィルム100を製造する製造方法については、特に限定されず、例えば、公知の共押出法、ドライラミネート法、押出ラミ法、塗工積層等を用いて、成膜および積層を行うことにより得ることができる。
Furthermore, a manufacturing method for manufacturing the
ここで、封止用フィルム100を、上記のような構成の絶縁層12と電磁波シールド層13と被覆層14とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を比較的容易に150%以上3500%以下に設定することができる。
Here, by forming the sealing
さらに、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、封止用フィルム100の加熱時において、封止用フィルム100は、優れた伸縮性を有するものとなるため、封止用フィルム100の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム100と、基板5さらには電子部品4との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板45の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム100の電子部品搭載基板45からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。
Furthermore, as in the first embodiment, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. to 80 ° C. of the sealing
封止用フィルム100の全体としての平均厚さは、10μm以上700μm以下であることが好ましく、20μm以上400μm以下であることがより好ましい。封止用フィルム100の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100の途中において、封止用フィルム100が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下の範囲内に確実に設定することができる。
The average thickness of the sealing
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第2実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting board using the sealing film of the second embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆うように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
The electronic component mounting substrate sealing method of this embodiment is such that the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図4(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する(図4(b))。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 4A, in the state where the insulating
(加熱・減圧工程)
次に、図4(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となる。
As a result, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
なお、封止用フィルム100の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム100を、凹凸6の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
The heating of the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図4(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 4C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では凹凸6の形状(電子部品4の形状)に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。
As a result, on the upper side of the
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸6の形状に対応して封止用フィルム100が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。
In the heating and depressurizing step, the pressing step can be omitted if the sealing
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。そのため、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを優れた密着性をもって被覆することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において絶縁層12が接触した状態で基板5と電子部品4とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
Thereby, the
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12と電磁波シールド層13と被覆層14との積層体で構成される。
The sealing
そのため、本工程において、絶縁層12を介して、電子部品4が電磁波シールド層13により被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を、電子部品4への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。
Therefore, in this step, the
さらに、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13により封止されることから、電磁波シールド層13は、この電子部品4に対する絶縁性を確保した状態で、電子部品4を被覆することができる。また、電磁波シールド層13は、電子部品4の反対側の面において、被覆層14により被覆されていることから、電磁波シールド層13は、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保された状態で電子部品搭載基板45を被覆することができる。
Furthermore, since the
なお、封止用フィルム100の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸6の形状に対応して、封止用フィルム100をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
In addition, although cooling of the
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through said process, the sealing film covering electronic component mounting board |
<第3実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第3実施形態について説明する。<Third Embodiment>
[Sealing film]
Next, 3rd Embodiment of the
図5は、本発明の封止用フィルムの第3実施形態を示す縦断面図、図6(a)〜(c)は、図5に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図5、図6中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a third embodiment of the sealing film of the present invention, and FIGS. 6A to 6C show the sealing of the electronic component mounting substrate using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the stopping method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 5 and 6 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第3実施形態について説明するが、前記第1および第2実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 In the following, the third embodiment will be described, but the description will focus on differences from the first and second embodiments, and description of similar matters will be omitted.
第3実施形態では、封止用フィルム100が備える被覆層14の構成が異なり、それ以外は、前記第2実施形態と同様である。
In 3rd Embodiment, the structure of the
第3実施形態の封止用フィルム100において、被覆層14は、図5、図6に示すように、電磁波シールド層13よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層13の端部(縁部)から露出している。換言すれば、被覆層14が、電磁波シールド層13の端部を越えて突出することで形成された突出部15(第1突出部)を備えている。
In the
このような封止用フィルム100を用いて、電子部品4が上面(一方の面)側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし被覆層14を上側にして被覆すると、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Using such a
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、被覆層14が備える突出部15は、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の下面の端部51を、この突出部15により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム100により、基板5の上面側ばかりでなく、基板5の下面における端部51まで被覆層14により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板45を被覆することができる。そのため、封止用フィルム100により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
Further, in the present embodiment, the projecting
また、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下である。これにより、基板5の上面側から下面側へ突出部15を折りこませることで、端部51を被覆する際に、突出部15が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Moreover, the elongation rate in the said softening point of the
さらに、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面側から下面側への突出部15の折り込みを、突出部15を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Furthermore, as in the first embodiment, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. to 80 ° C. of the sealing
また、封止用フィルム100における、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する被覆層14の突出部15の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部15の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部15を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面における端部51にまで到達させることができるため、突出部15による端部51の被覆を確実に実現させることができる。
Moreover, the length of the
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第3実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of the third embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆うように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部15を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより基板5の下面における端部51に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部15が基板5の下面における端部51に接触した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
The electronic component mounting substrate sealing method of this embodiment is such that the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図6(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 6A, the insulating
そして、この際、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する被覆層14の突出部15を、基板5の下面側に折り込み、これにより、突出部15を端部51に接触させる(図6(b))。
At this time, the protruding
(加熱・減圧工程)
次に、図6(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板5の下面側では、端部51を、被覆し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となり、基板5の下側では、端部51を若干被覆した状態となる。
Thereby, while the sealing
本工程により、封止用フィルム100を、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部15が基板5の下面側に折り込まれて、端部51を被覆し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図6(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 6C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では凹凸6の形状(電子部品4の形状)に対して優れた密着度(気密度)で追従し、さらに、端部51に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。
As a result, the upper side of the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ突出部15を折りこませることで端部51に接触させる際に、突出部15が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において、絶縁層12が接触した状態で基板5と電子部品4とが被覆され、基板5の下側において、折り込まれた被覆層14の突出部15が端部51を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
Thereby, the
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through said process, the sealing film covering electronic component mounting board |
<第4実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第4実施形態について説明する。<Fourth embodiment>
[Sealing film]
Next, 4th Embodiment of the
図7は、本発明の封止用フィルムの第4実施形態を示す縦断面図、図8(a)〜(c)は、図7に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図7、図8中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a fourth embodiment of the sealing film of the present invention, and FIGS. 8A to 8C show the sealing of the electronic component mounting substrate using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the stopping method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 7 and 8 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第4実施形態について説明するが、前記第1〜第3実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, although the fourth embodiment will be described, the description will be focused on differences from the first to third embodiments, and the description of the same matters will be omitted.
第4実施形態では、封止用フィルム100が備える絶縁層12および被覆層14の構成が異なり、それ以外は、前記第2実施形態と同様である。
In 4th Embodiment, the structure of the insulating
第4実施形態の封止用フィルム100において、絶縁層12および被覆層14は、図7、図8に示すように、それぞれ、電磁波シールド層13よりも大きく形成され、それらの端部が電磁波シールド層13の端部(縁部)から露出している。換言すれば、絶縁層12および被覆層14が、電磁波シールド層13の端部を越えて突出することで形成された突出部15(第1突出部)および突出部16(第3突出部)を備えている。そして、これら突出部15と突出部16とは、電磁波シールド層13の端部を越えた位置で積層することで設けられた積層突出部65を形成する。
In the
このような封止用フィルム100を用いて、電子部品4が上面(一方の面)側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、被覆層14を上側にして、被覆すると、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Using such a
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、突出部15と突出部16とを積層することで形成された積層突出部65は、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の下面の端部51を、この積層突出部65が備える突出部15により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム100により、基板5の上面側ばかりでなく、基板5の下面における端部51まで積層突出部65により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板45を被覆することができる。そのため、封止用フィルム100により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
Furthermore, in the present embodiment, the
また、積層突出部65は、これら突出部15と突出部16とが、電磁波シールド層13の端部を越えた位置で積層することで形成され、電磁波シールド層13の端部をも絶縁層12および被覆層14により被覆されることで、電子部品4および電子部品搭載基板45の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層13の絶縁性をより確実に確保することができる。
The
さらに、前記第1実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下である。これにより、基板5の上面側から下面側へ積層突出部65を折りこませることで、端部51を被覆する際に、積層突出部65が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Further, as in the first embodiment, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less. Thus, by folding the
また、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面側から下面側への積層突出部65の折り込みを、積層突出部65を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Moreover, it is preferable that the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 degreeC or more and 80 degrees C or less of the
さらに、封止用フィルム100における、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する積層突出部65の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。積層突出部65の長さをかかる範囲内に設定することにより、積層突出部65を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面における端部51にまで到達させることができるため、積層突出部65による端部51の被覆を確実に実現させることができる。
Further, the length of the
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第4実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of the fourth embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆うように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、積層突出部65を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより基板5の下面における端部51に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、積層突出部65が基板5の下面における端部51に接触した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
The electronic component mounting substrate sealing method of this embodiment is such that the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図8(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 8A, the insulating
そして、この際、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する積層突出部65を、基板5の下面側に折り込み、これにより、積層突出部65を端部51に接触させる(図8(b))。
At this time, the
(加熱・減圧工程)
次に、図8(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板5の下面側では、端部51を、被覆し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となり、基板5の下側では、端部51を若干被覆した状態となる。
Thereby, while the sealing
本工程により、封止用フィルム100を、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に追従し得る状態とし、さらに、積層突出部65が基板5の下面側に折り込まれて、端部51を被覆し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図8(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 8C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では凹凸6の形状(電子部品4の形状)に対して優れた密着度(気密度)で追従し、さらに、端部51に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。
As a result, the upper side of the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ積層突出部65を折りこませることで端部51に接触させる際に、積層突出部65が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において、絶縁層12が接触した状態で基板5と電子部品4とが被覆され、基板5の下側において、折り込まれた積層突出部65が端部51を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
Thereby, the
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through said process, the sealing film covering electronic component mounting board |
<第5実施形態>
次に、本発明の封止用フィルム100の第5実施形態について説明する。<Fifth Embodiment>
Next, 5th Embodiment of the
図9は、本発明の封止用フィルムの第5実施形態を示す縦断面図、図10(a)〜(c)は、図9に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図9、図10中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing a fifth embodiment of the sealing film of the present invention, and FIGS. 10A to 10C show the sealing of the electronic component mounting substrate using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the stopping method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 9 and 10 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第5実施形態について説明するが、前記第1〜第4実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, the fifth embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the first to fourth embodiments, and the description of the same matters will be omitted.
第5実施形態では、封止用フィルム100が備える電磁波シールド層13および被覆層14の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム100を用いて被覆する電子部品搭載基板45の構成が異なること以外は、前記第2実施形態と同様である。
In the fifth embodiment, the configurations of the electromagnetic
第5実施形態の封止用フィルム100において、電磁波シールド層13および被覆層14は、図9、図10に示すように、絶縁層12よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12側に位置する電磁波シールド層13の端部が絶縁層12の端部(縁部)から露出している。換言すれば、電磁波シールド層13が、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17(第2突出部)を備えている。
In the
また、第5実施形態の封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、図10に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4と、この電子部品4に電気的に接続され、基板5の上面(一方の面)側の端部52に形成された電極3とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4および電極3の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。なお、電極3としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、電子部品搭載基板45の外側に位置する、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品4を接地するためのグランド電極等が挙げられる。
Moreover, the electronic
このように電子部品4および電極3が上面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、被覆層14を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆すると、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Thus, the electronic
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、電磁波シールド層13は、電磁波シールド層13が備える突出部17において、絶縁層12から露出している。そのため、基板5の上面の端部52に形成された電極3に、この突出部17を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部17は、電磁波シールド層13で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50おいて、この電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層13の上面のほぼ全面には被覆層14が形成されていることから、電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層14の一部を除去して電磁波シールド層13が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層13と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
Further, in the present embodiment, the electromagnetic
また、封止用フィルム100における、絶縁層12の端部を越えて突出する電磁波シールド層13の突出部17の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部17の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部17により、基板5の上側に位置する電極3を被覆して、突出部17と電極3との電気的な接続を実現することができる。
In addition, the length of the protruding
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第5実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of the fifth embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆うように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部17を、基板5の上面(一方の面)側の電極3に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部17が電極3に接触した状態で、基板5と電子部品4と電極3とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
The electronic component mounting substrate sealing method of this embodiment is such that the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図10(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4と電極3とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 10A, the insulating
この際、封止用フィルム100の中央部に位置する絶縁層12により電子部品4を被覆させ、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部17により電極3を被覆させる(図10(b))。
At this time, the
(加熱・減圧工程)
次に、図10(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, while maintaining the state shown in FIG. 10B, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4および電極3を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4および電極3の形状に若干追従した状態となる。
As a result, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図10(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 10C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では凹凸6の形状(電子部品4および電極3の形状)に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆される。
As a result, on the upper side of the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4と電極3とを優れた密着性をもって被覆することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とを優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
And this state was maintained by cooling the
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において、絶縁層12が接触した状態で基板5と電子部品4とが被覆され、さらに、電磁波シールド層13が接触した状態で電極3が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
Thereby, the
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14の積層体で構成されるが、電磁波シールド層13は、その端部において、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17を備えている。そして、本実施形態では、この突出部17が、絶縁層12を介することなく、電極3を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部17(電磁波シールド層13)に電極3が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この突出部17を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
Further, the sealing
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through said process, the film |
<第6実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第6実施形態について説明する。<Sixth Embodiment>
[Sealing film]
Next, 6th Embodiment of the
図11は、本発明の封止用フィルムの第6実施形態を示す縦断面図、図12(a)〜(c)は、図11に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図11、図12中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 11 is a longitudinal sectional view showing a sixth embodiment of the sealing film of the present invention, and FIGS. 12A to 12C show the sealing of the electronic component mounting substrate using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the stopping method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 11 and 12 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第6実施形態について説明するが、前記第1〜第5実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, although the sixth embodiment will be described, the description will focus on the differences from the first to fifth embodiments, and the description of the same matters will be omitted.
第6実施形態では、封止用フィルム100が備える電磁波シールド層13および被覆層14の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム100を用いて被覆する電子部品搭載基板45の構成が異なること以外は、前記第2実施形態と同様である。
In the sixth embodiment, the configurations of the electromagnetic
第6実施形態の封止用フィルム100において、図11、図12に示すように、電磁波シールド層13は、絶縁層12よりも大きく形成され、その端部が絶縁層12の端部(縁部)から露出している。換言すれば、電磁波シールド層13が、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17(第2突出部)を備えている。さらに、被覆層14は、電磁波シールド層13よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層13の端部(縁部)から露出している。換言すれば、被覆層14が、電磁波シールド層13の端部を越えて突出することで形成された突出部15(第1突出部)を備えている。
In the
また、第6実施形態の封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、図12に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4と、この電子部品4に電気的に接続され、基板5の上面(一方の面)側の端部に形成された電極3とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4および電極3の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。
Moreover, the electronic
このように電子部品4および電極3が上面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、被覆層14を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆すると、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Thus, the electronic
また、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、電磁波シールド層13は、電磁波シールド層13が備える突出部17において、絶縁層12から露出している。そのため、基板5の上面の端部52に形成された電極3に、この突出部17を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部17は、電磁波シールド層13で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50おいて、この電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層13の上面のほぼ全面には被覆層14が形成されていることから、電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層14の一部を除去して電磁波シールド層13が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層13と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
Moreover, in this embodiment, the electromagnetic
さらに、本実施形態では、被覆層14が備える突出部15は、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の下面の端部51を、この突出部15により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム100により、基板5の上面側ばかりでなく、基板5の下面における端部51まで被覆層14により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板45を被覆することができる。そのため、封止用フィルム100により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
Furthermore, in the present embodiment, the protruding
また、前記第1実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下である。これにより、基板5の上面側から下面側へ突出部15を折りこませることで、端部51を被覆する際に、突出部15が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Further, as in the first embodiment, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less. Thereby, by folding the protruding
さらに、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面側から下面側への突出部15の折り込みを、突出部15を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Furthermore, as in the first embodiment, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. to 80 ° C. of the sealing
また、封止用フィルム100における、絶縁層12の端部を越えて突出する電磁波シールド層13の突出部17の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部17の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部17により、基板5の上側に位置する電極3を被覆して、突出部17と電極3との電気的な接続を実現することができる。
In addition, the length of the protruding
また、封止用フィルム100における、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する被覆層14の突出部15の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部15の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部15を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面における端部51にまで到達させることができるため、突出部15による端部51の被覆を確実に実現させることができる。
Moreover, the length of the
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第6実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of the sixth embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆うように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部17を、基板5の上面(一方の面)側の電極3に接触させるとともに、突出部15を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより基板5の下面における端部51に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部17が電極3に接触し、かつ、突出部15が基板5の下面における端部51に接触した状態で、基板5と電子部品4と電極3とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
The electronic component mounting substrate sealing method of this embodiment is such that the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図12(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4と電極3とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 12A, the insulating
この際、封止用フィルム100の中央部に位置する絶縁層12により電子部品4を被覆させ、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部17により電極3を被覆させる。さらに、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する被覆層14の突出部15を、基板5の下面側に折り込み、これにより、突出部15を端部51に接触させる(図12(b))。
At this time, the
(加熱・減圧工程)
次に、図12(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4および電極3を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となる。さらに、基板5の下面側では、端部51を、被覆し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4および電極3の形状に若干追従した状態となり、基板5の下側では、端部51を若干被覆した状態となる。
As a result, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とし、さらに、突出部15が基板5の下面側に折り込まれて、端部51を被覆し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図12(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 12C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では凹凸6の形状(電子部品4および電極3の形状)に優れた密着度(気密度)で追従し、さらに、端部51に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆される。
As a result, on the upper side of the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4と電極3とを、さらには基板5の下側における端部51を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ突出部15を折りこませることで端部51に接触させる際に、突出部15が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とを優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
And this state was maintained by cooling the
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において、絶縁層12が接触した状態で基板5と電子部品4とが被覆され、また、電磁波シールド層13が接触した状態で電極3が被覆され、さらに、基板5の下側において、折り込まれた被覆層14の突出部15が端部51を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
Thereby, the
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14の積層体で構成されるが、電磁波シールド層13は、その端部において、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17を備えている。そして、本実施形態では、この突出部17が、絶縁層12を介することなく、電極3を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部17(電磁波シールド層13)に電極3が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この突出部17を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
Further, the sealing
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through said process, the film |
<第7実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第7実施形態について説明する。<Seventh embodiment>
[Sealing film]
Next, a seventh embodiment of the sealing
図13は、本発明の封止用フィルムの第7実施形態を示す縦断面図、図14(a)〜(c)は、図13に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図13、図14中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing a seventh embodiment of the sealing film of the present invention, and FIGS. 14A to 14C show the sealing of the electronic component mounting substrate using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the stopping method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 13 and 14 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第7実施形態について説明するが、前記第1〜第6実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, the seventh embodiment will be described, but the description will focus on differences from the first to sixth embodiments, and description of similar matters will be omitted.
第7実施形態では、封止用フィルム100が備える絶縁層12および電磁波シールド層13の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム100を用いて被覆する電子部品搭載基板45の構成が異なること以外は、前記第2実施形態と同様である。
In the seventh embodiment, the configurations of the insulating
第7実施形態の封止用フィルム100において、絶縁層12および電磁波シールド層13は、図13、図14に示すように、被覆層14よりも大きく形成されている。これにより、絶縁層12および電磁波シールド層13のうち被覆層14側に位置する電磁波シールド層13の端部が被覆層14の端部(縁部)から露出している。換言すれば、電磁波シールド層13が、被覆層14の端部を越えて突出することで形成された突出部18(第4突出部)を備えている。
In the
また、第7実施形態の封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、図14に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4と、この電子部品4に電気的に接続され、基板5の上面(一方の面)側の端部52に形成された電極3とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4および電極3の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。
Moreover, the electronic
このように電子部品4および電極3が上面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、被覆層14を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆すると、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Thus, the electronic
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、電磁波シールド層13は、電磁波シールド層13が備える突出部18において、被覆層14から露出し、さらに、この突出部18は、突出部18と電極3とが対向し得るように、基板5の上面(一方の面)側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の上面の端部52に形成された電極3に、この突出部18を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部18は、電磁波シールド層13で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50おいて、この電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層13の上面の突出部18を除くほぼ全面には被覆層14が形成されていることから、電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層14の一部を除去して電磁波シールド層13が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層13と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
Furthermore, in the present embodiment, the electromagnetic
また、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下である。これにより、基板5の上面の電極3と突出部18とを対向させるために突出部18を折りこませる際に、突出部18が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Moreover, the elongation rate in the said softening point of the
さらに、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面の電極3と突出部18とを対向させるための突出部18の折り込みを、突出部18を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Furthermore, as in the first embodiment, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. to 80 ° C. of the sealing
また、封止用フィルム100における、被覆層14の端部を越えて突出する電磁波シールド層13の突出部18の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部18の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部18により、基板5の上側に位置する電極3を被覆して、突出部18と電極3との電気的な接続を実現することができる。
Further, the length of the protruding
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第7実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of the seventh embodiment described above will be described.
本発明の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆うように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部18を折り込むことにより、基板5の上面(一方の面)の電極3に対向させた後に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部18が電極3に接触した状態で、基板5と電子部品4と電極3とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
In the method for sealing an electronic component mounting substrate of the present invention, the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図14(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4と電極3とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 14A, the insulating
この際、封止用フィルム100の絶縁層12により電子部品4を被覆させ、被覆層14の端部を越えて突出する突出部18を折り込むことで、この突出部18により電極3を被覆させる(図14(b))。
At this time, the
(加熱・減圧工程)
次に、図14(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4および電極3を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、電極3と突出部18とが接触したまま、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4および電極3の形状に若干追従した状態となる。
Thereby, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図14(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 14C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では凹凸6の形状(電子部品4および電極3の形状)に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆される。
As a result, on the upper side of the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4と電極3とを優れた密着性をもって被覆することができる。また、突出部18を折りこませることで電極3に対向させた後、接触させる際に、突出部18が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とを優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
And this state was maintained by cooling the
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において、絶縁層12が接触した状態で基板5と電子部品4とが被覆され、さらに、電磁波シールド層13が接触した状態で電極3が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
Thereby, the
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14の積層体で構成されるが、電磁波シールド層13は、その端部において、被覆層14の端部を越えて突出することで形成された突出部18を備えている。そして、本実施形態では、この突出部18が、被覆層14を介することなく、電極3を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部18(電磁波シールド層13)に電極3が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この突出部18を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
Further, the sealing
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through said process, the film |
<第8実施形態>
次に、本発明の封止用フィルム100の第8実施形態について説明する。<Eighth Embodiment>
Next, 8th Embodiment of the
図15は、本発明の封止用フィルムの第8実施形態を示す縦断面図、図16(a)〜(c)は、図15に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図15、図16中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 15 is a longitudinal sectional view showing an eighth embodiment of the sealing film of the present invention, and FIGS. 16A to 16C show the sealing of the electronic component mounting substrate using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the stopping method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 15 and 16 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第8実施形態について説明するが、前記第1〜第7実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 In the following, the eighth embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the first to seventh embodiments, and the description of the same matters will be omitted.
第8実施形態では、封止用フィルム100が備える電磁波シールド層13および被覆層14の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム100を用いて被覆する電子部品搭載基板45の構成が異なること以外は、前記第1実施形態と同様である。
In the eighth embodiment, the configurations of the electromagnetic
第8実施形態の封止用フィルム100において、電磁波シールド層13および被覆層14は、図15、図16に示すように、絶縁層12よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12側に位置する電磁波シールド層13の端部が絶縁層12の端部(縁部)から露出している。換言すれば、電磁波シールド層13、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17(第2突出部)を備えている。
In the
また、第8実施形態の封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、図16に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4と、この電子部品4に電気的に接続され、基板5の下面(他方の面)側の端部51に形成された電極3とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。
Moreover, the electronic
このように電子部品4および電極3が上面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、被覆層14を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆すると、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Thus, the electronic
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、電磁波シールド層13が備える突出部17は、基板5の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の下面の端部51に形成された電極3に、この突出部17を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部17は、電磁波シールド層13で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層13の上面のほぼ全面には被覆層14が形成されていることから、電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層14の一部を除去して電磁波シールド層13が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層13と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
Furthermore, in the present embodiment, the projecting
また、前記第1実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下である。これにより、基板5の上面側から下面側へ突出部17を折りこませることで、端部51に設けられた電極3を被覆する際に、突出部17が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Further, as in the first embodiment, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less. Thereby, when the
さらに、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面側から下面側への突出部17の折り込みを、突出部17を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Furthermore, as in the first embodiment, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. to 80 ° C. of the sealing
また、封止用フィルム100における、絶縁層12の端部を越えて突出する電磁波シールド層13の突出部17の長さは、特に限定されず、0.5cm以上8.0cm以下であることが好ましく、1.0cm以上5.0cm以下であることがより好ましい。突出部17の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部17を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面における端部51に形成された電極3にまで到達させることができるため、突出部17による電極3の電気的な接続を確実に実現させることができる。
In addition, the length of the protruding
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、本実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of this embodiment will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆うように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部17を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより電極3に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部17が電極3に接触した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
The electronic component mounting substrate sealing method of this embodiment is such that the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図16(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 16A, in the state where the insulating
そして、この際、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部17を、基板5の下面側に折り込み、これにより、突出部17を電極3に接触させる(図16(b))。
At this time, the protruding
(加熱・減圧工程)
次に、図16(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板5の下面側では、基板5の下面の端部51に設けられた電極3の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となり、基板5の下側では、電極3の形状に若干追従した状態となる。
As a result, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状、および、下面側に形成された電極3の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図16(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 16C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では凹凸6の形状(電子部品4の形状)、さらに、基板5の下側では電極3の形状に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆される。
As a result, the upper surface of the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6および電極3に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを、さらには基板5の下側においては電極3を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ突出部17を折りこませることで電極3に接触させる際に、突出部17が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、さらには電極3を優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において絶縁層12が接触した状態で基板5と電子部品4とが被覆され、基板5の下側において電磁波シールド層13が接触した状態で基板5が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
Thereby, the
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14の積層体で構成されるが、電磁波シールド層13は、絶縁層12よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層12が積層されるが、端部において、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17を備えている。そして、この突出部17が、基板5の下側に折り込まれることで電極3を直接被覆する。これにより、電極3が突出部17(電磁波シールド層13)に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この突出部17を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
Further, the sealing
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through said process, the film |
<第9実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第9実施形態について説明する。<Ninth Embodiment>
[Sealing film]
Next, 9th Embodiment of the
図17は、本発明の封止用フィルムの第9実施形態を示す縦断面図、図18(a)〜(c)は、図17に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図17、図18中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 17 is a longitudinal sectional view showing a ninth embodiment of the sealing film of the present invention, and FIGS. 18A to 18C show the sealing of the electronic component mounting substrate using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the stopping method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 17 and 18 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第9実施形態について説明するが、前記第1〜第8実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, although the ninth embodiment will be described, the description will focus on points different from the first to eighth embodiments, and the description of the same matters will be omitted.
第9実施形態では、図17、図18に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12が、電磁波シールド層13よりも大きく形成されている以外は、前記第1実施形態と同様である。
封止用フィルム100は、図17、図18に示すように、絶縁層12と、この絶縁層12の一方の面側(上面側)に積層された電磁波シールド層13とを備える積層体で構成されている。そして、絶縁層12は、電磁波シールド層13よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層13の端部(縁部)から露出している。換言すれば、絶縁層が、電磁波シールド層13の端部を越えて突出することで形成された突出部16を備えている。In the ninth embodiment, as shown in FIGS. 17 and 18, the insulating
As shown in FIGS. 17 and 18, the sealing
ここで、封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、本実施形態では、図18に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。なお、基板5としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板5上に搭載する電子部品4としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられる。
Here, in this embodiment, the electronic
このように電子部品4が上面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、電磁波シールド層13を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆すると、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50は、電子部品4への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
Thus, with respect to the electronic
また、電子部品4は、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する突出部16を備える絶縁層12を介して電磁波シールド層13により封止され、電子部品4と電磁波シールド層13との間で短絡が生じるのを的確に防止し得ることから、電磁波シールド層13は、この電子部品4に対する絶縁性が確保される。
Further, the
さらに、この封止用フィルム100は、JIS K 6251に準拠して求められる軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。
Furthermore, this sealing
封止用フィルム100の軟化点がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム100による電子部品搭載基板45の被覆の際に、電子部品搭載基板45が備える、凸部61と凹部62とからなる凹凸6に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、被覆することができる。そのため、この封止用フィルム100を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
Since the softening point of the sealing
また、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板5に設けられた凹凸6における段差が具体的な大きさとして、10mm以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム100を凹凸6の形状に対応して追従させることができる。
In addition, by setting the elongation at the softening point of the sealing
ここで、本実施形態の封止用フィルム100を、上記のような構成の電磁波シールド層13と絶縁層12とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を比較的容易に150%以上3500%以下に設定することができる。かかる伸び率は、150%以上3500%以下であればよいが、1000%以上3500%以下であることが好ましく、1000%以上2000%以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルム100を用いて、電子部品搭載基板45が備える凹凸6の被覆に適用した際に、凹凸6の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができ、かつ、封止用フィルム100の途中で破断されるのを的確に抑制または防止することができる。
Here, the elongation at the softening point of the sealing
さらに、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましく、5ppm/K以上50ppm/K以下であることがより好ましい。封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率がこのような範囲の値であると、封止用フィルム100の加熱時において、封止用フィルム100は、優れた伸縮性を有するものとなるため、封止用フィルム100の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム100と、基板5、電子部品4との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板45の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム100の電子部品搭載基板45からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。
Furthermore, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. or more and 80 ° C. or less of the sealing
また、封止用フィルム100における、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する絶縁層12の突出部16の長さは、特に限定されず、0.5cm以上2.5cm以下であることが好ましく、0.2cm以上1.5cm以下であることがより好ましい。突出部16の長さをかかる範囲内に設定することにより、電子部品4と電磁波シールド層13とが不本意に接触して、これら同士の間で短絡が生じるのをより的確に防止することができる。
Moreover, the length of the
封止用フィルム100の全体としての平均厚さは、10μm以上700μm以下であることが好ましく、20μm以上400μm以下であることがより好ましい。封止用フィルム100の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100の途中において、封止用フィルム100が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下の範囲内に確実に設定することができる。
The average thickness of the sealing
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した本発明の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法(本発明の電子部品搭載基板の封止方法)について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, the electronic component mounting substrate sealing method (the electronic component mounting substrate sealing method of the present invention) using the above-described sealing film of the present invention will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆うように封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、絶縁層12を介して電磁波シールド層13により電子部品4を被覆した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
The electronic component mounting substrate sealing method of the present embodiment includes an arrangement step of disposing the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図18(a)に示すように、封止用フィルム100が備える電磁波シールド層13および絶縁層12のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 18A, the electronic component mounting substrate in a state where the insulating
(加熱・減圧工程)
次に、図18(b)に示すように、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, as shown in FIG. 18B, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち電磁波シールド層13および絶縁層12が軟化し、その結果、基板5上に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の上側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となる。
Thereby, it will be in the state which followed slightly the shape of the unevenness |
本工程により、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
なお、封止用フィルム100の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム100を、凹凸6の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
The heating of the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図18(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 18C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなり、その結果、凹凸6の形状(電子部品4の形状)に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。なお、前記加熱減圧工程において、凹凸6の形状に対応して封止用フィルム100が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
この際、本発明では、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。そのため、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを優れた密着性をもって被覆することができる。
At this time, in the present invention, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
And in the state which coat | covered the board |
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
Accordingly, the sealing film-covered electronic
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12と電磁波シールド層13との積層体で構成されるが、絶縁層12は、電磁波シールド層13よりも大きく形成され、その中央部において電磁波シールド層13が積層されるが、端部において、電磁波シールド層13の端部を越えて突出することで形成された突出部16を備えている。
The sealing
そのため、本工程において、電磁波シールド層13は、絶縁層12の中央部を介して電子部品4を被覆し、絶縁層12の端部である突出部16には存在しない状態で被覆する。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を、電子部品4に対する絶縁性が確実に確保された状態で、電子部品4への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。
Therefore, in this step, the electromagnetic
なお、封止用フィルム100の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸6の形状に対応して、封止用フィルム100をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
In addition, although cooling of the
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through said process, the sealing film covering electronic component mounting board |
<第10実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第10実施形態について説明する。<Tenth Embodiment>
[Sealing film]
Next, 10th Embodiment of the
図19は、本発明の封止用フィルムの第10実施形態を示す縦断面図、図20(a)〜(c)は、図19に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図19、図20中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 19 is a longitudinal sectional view showing a tenth embodiment of a sealing film of the present invention, and FIGS. 20A to 20C are diagrams for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the stopping method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 19 and 20 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第10実施形態について説明するが、前記第1〜第9実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, the tenth embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the first to ninth embodiments, and description of similar matters will be omitted.
第10実施形態では、封止用フィルム100が備える絶縁層12の構成が異なり、それ以外は、前記第9実施形態と同様である。
In 10th Embodiment, the structure of the insulating
第10実施形態の封止用フィルム100において、電磁波シールド層13よりも大きく形成される絶縁層12は、図19、図20に示すように、前記第9実施形態の絶縁層12と比較して、より大きく(面方向に沿って長く)形成されている。これにより、電磁波シールド層13の端部を越えて突出することで形成された突出部16(第1突出部)は、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことが可能となる。そのため、基板5の下面の端部51を、この突出部16により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム100により、基板5の上面側ばかりでなく、基板5の下面における端部51まで絶縁層12により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板45を被覆することができる。そのため、封止用フィルム100により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
In the
また、封止用フィルム100の前記軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっていることにより、基板5の上面側から下面側へ突出部16を折り込ませることで、端部51を被覆する際に、突出部16が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Further, when the elongation at the softening point of the sealing
さらに、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面側から下面側への突出部16の折り込みを、突出部16を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Furthermore, as in the first embodiment, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. to 80 ° C. of the sealing
また、封止用フィルム100における、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する絶縁層12の突出部16の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部16の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部16を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面における端部51にまで到達させることができるため、突出部16による端部51の被覆を確実に実現させることができる。
Moreover, the length of the
{電子部品搭載基板の封止方法}
次に、上述した第10実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。{Method for sealing electronic component mounting substrate}
Next, a method for sealing an electronic component mounting board using the sealing film of the tenth embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆うように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部16を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより基板5の下面における端部51に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、絶縁層12を介して電磁波シールド層13により電子部品4を被覆し、かつ、突出部16が基板5の下面における端部51に接触した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
The electronic component mounting substrate sealing method of this embodiment is such that the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図20(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12および電磁波シールド層13のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 20A, the electronic component mounting board in the state where the insulating
そして、この際、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する絶縁層12の突出部16を、基板5の下面側に折り込み、これにより、突出部16を端部51に接触させる(図20(b))。
At this time, the protruding
(加熱・減圧工程)
次に、図20(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12および電磁波シールド層13が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板5の下面側では、端部51を、被覆し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となり、基板5の下側では、端部51を若干被覆した状態となる。
Thereby, while the sealing
本工程により、封止用フィルム100を、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部16が基板5の下面側に折り込まれて、端部51を被覆し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図20(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 20C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では凹凸6の形状(電子部品4の形状)に対して優れた密着度(気密度)で追従し、さらに、端部51に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。
As a result, the upper side of the
この際、本実施形態では、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ突出部16を折り込ませることで端部51に接触させる際に、突出部16が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, in this embodiment, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において、絶縁層12が接触した状態で基板5と電子部品4とが被覆され、基板5の下側において、折り込まれた絶縁層12の突出部16が端部51を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
Thereby, the
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through said process, the sealing film covering electronic component mounting board |
<第11実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第11実施形態について説明する。<Eleventh embodiment>
[Sealing film]
Next, an eleventh embodiment of the sealing
図21は、本発明の封止用フィルムの第11実施形態を示す縦断面図、図22(a)〜(c)は、図21に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図21、図22中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 21 is a longitudinal sectional view showing an eleventh embodiment of the sealing film of the present invention, and FIGS. 22A to 22C show the sealing of the electronic component mounting substrate using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the stopping method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 21 and 22 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第11実施形態について説明するが、前記第1〜第10実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, although the eleventh embodiment will be described, the description will focus on differences from the first to tenth embodiments, and the description of the same matters will be omitted.
第11実施形態では、封止用フィルム100が、電磁波シールド層13の絶縁層12との反対側(上面側)に積層された被覆層14を備えており、それ以外は、前記第10実施形態と同様である。
In the eleventh embodiment, the sealing
第11実施形態の封止用フィルム100において、被覆層14は、図21、図22に示すように、絶縁層12と同様に、電磁波シールド層13よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層13の端部(縁部)から露出している。換言すれば、被覆層14が、電磁波シールド層13の端部を越えて突出することで形成された突出部15(第2突出部)を備えている。そして、これら突出部15と突出部16とは、電磁波シールド層13の端部を越えた位置で積層することで設けられた積層突出部65を形成する。
In the
このような封止用フィルム100を用いて、電子部品4が上面(一方の面)側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、被覆層14を上側にして、被覆すると、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。この封止の際に、本実施形態では、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する突出部15および突出部16が積層された積層突出部65により、電磁波シールド層13が被覆されているため、電子部品4と電磁波シールド層13との間で短絡が生じるのをより的確に防止し得ることから、電磁波シールド層13は、この電子部品4に対する絶縁性がより確実に確保されたものとなる。また、電磁波シールド層13の上面を被覆する被覆層14を備えるため、電子部品搭載基板45の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保することができる。
Using such a
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、突出部15と突出部16とが積層することで形成された積層突出部65は、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の下面の端部51を、この積層突出部65が備える突出部16により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム100により、基板5の上面側ばかりでなく、基板5の下面における端部51まで積層突出部65により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板45を被覆することができる。そのため、封止用フィルム100により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
Furthermore, in the present embodiment, the
なお、この被覆層14は、樹脂材料を主材料として構成され、前述した第2実施形態の被覆層12と同様の材料を用いることができる。
The
さらに、本実施形態では、前記軟化点における伸び率が、150%以上3500%以下となっている。これにより、基板5の上面側から下面側へ積層突出部65を折り込ませることで、端部51を被覆する際に、積層突出部65が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Furthermore, in this embodiment, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less. Thereby, by folding the
また、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面側から下面側への積層突出部65の折り込みを、積層突出部65を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Moreover, it is preferable that the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 degreeC or more and 80 degrees C or less of the
さらに、封止用フィルム100における、積層突出部65の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。積層突出部65の長さをかかる範囲内に設定することにより、積層突出部65を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面における端部51にまで到達させることができるため、突出部16による端部51の被覆を確実に実現させることができる。
Furthermore, the length of the lamination | stacking
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第11実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting board using the sealing film of the eleventh embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆うように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、積層突出部65を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより基板5の下面における端部51に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、絶縁層12を介して電磁波シールド層13により電子部品4を被覆し、かつ、積層突出部65が基板5の下面における端部51に接触した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
The electronic component mounting substrate sealing method of this embodiment is such that the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図22(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12および電磁波シールド層13のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 22A, the electronic component mounting board in a state where the insulating
そして、この際、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する積層突出部65を、基板5の下面側に折り込み、これにより、積層突出部65を端部51に接触させる(図22(b))。
At this time, the
(加熱・減圧工程)
次に、図22(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板5の下面側では、端部51を、被覆し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となり、基板5の下側では、端部51を若干被覆した状態となる。
Thereby, while the sealing
本工程により、封止用フィルム100を、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に追従し得る状態とし、さらに、積層突出部65が基板5の下面側に折り込まれて、端部51を被覆し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図22(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 22C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では凹凸6の形状(電子部品4の形状)に対して優れた密着度(気密度)で追従し、さらに、端部51に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。
As a result, the upper side of the
この際、本実施形態では、電磁波シールド層13の上面を被覆する被覆層14を備えるため、電子部品搭載基板45の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保することができる。また、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する突出部15および突出部16が積層された積層突出部65により、電磁波シールド層13が被覆されているため、電子部品4と電磁波シールド層13との間で短絡が生じるのをより的確に防止し得ることから、電磁波シールド層13は、この電子部品4に対する絶縁性がより確実に確保されたものとなる。
At this time, in this embodiment, since the
また、本発明では、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ積層突出部65を折り込ませることで端部51に接触させる際に、積層突出部65が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
In the present invention, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において、絶縁層12が接触した状態で基板5と電子部品4とが被覆され、基板5の下側において、折り込まれた積層突出部65が端部51を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
Thereby, the
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through said process, the sealing film covering electronic component mounting board |
<第1参考形態>
[封止用フィルム]
次に、封止用フィルム100の第1参考形態について説明する。<First Reference Form>
[Sealing film]
Next, the 1st reference form of the
図23は、封止用フィルムの第1参考形態を示す図((a)縦断面図、(b)平面図)、図24(a)〜(c)は、図23に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図23、図24中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 23 is a diagram ((a) longitudinal sectional view, (b) plan view) showing the first reference form of the sealing film, and FIGS. 24 (a) to 24 (c) are the sealing films shown in FIG. 23. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the sealing method of an electronic component mounting board | substrate using FIG. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 23 and 24 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第1参考形態について説明するが、本発明の前記第1〜第11実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, although a 1st reference form is described, it demonstrates centering on a different point from the said 1st-11th embodiment of this invention, and abbreviate | omits the description about the same matter.
本実施形態の封止用フィルム100は、図23、図24に示すように、最内層12と、この最内層12の一方の面側(上面側)に積層された中間層19と、中間層19の一方の面側に積層された最外層14とを備える積層体で構成されている。すなわち、最内層12と、中間層19と、最外層14とは、被覆すべき電子部品搭載基板45側から、この順で、積層されている。
As shown in FIGS. 23 and 24, the sealing
ここで、封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、本実施形態では、図24に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4と、電子部品4に電気的に接続され、基板5の上面(一方の面)側の端部に搭載された、開放端面を有する接続部材7とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。なお、基板5としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板5上に搭載する電子部品4としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイルおよび抵抗等が挙げられる。また、接続部材7としては、電子部品4と他の電子部品とのデータの受け渡しや、電子部品4への電源からの電気の供給等に用いられる接続端子を開放端面として備えるコネクター等が挙げられる。
Here, in this embodiment, the electronic
このように電子部品4および接続部材7が上面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、最内層12を下側とし、最外層14を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆することにより、電子部品4は、この封止用フィルム100、すなわち、最内層12を電子部品4側とした最内層12と中間層19と最外層14とがこの順で積層された積層体により封止される。これにより、この封止用フィルム100を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。一方、本参考形態の封止用フィルム100は、電子部品搭載基板45を封止する際に、接続部材7に対応する位置に逃げ部27を有しているため、接続部材7が封止用フィルム100により封止されることなく、露出させることができる。したがって、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、電子部品搭載基板45と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現しつつ、電子部品4の封止用フィルム100による封止を行うことができる。
Thus, with respect to the electronic
なお、図24に示すように、電子部品搭載基板45において、接続部材7は、基板5の上面における端部に形成され、これに対応して、逃げ部27は、平面視において、封止用フィルム100の端部がU字状に切り取りまたは欠損した切り欠きまたは欠損部で構成される。例えば、電子部品搭載基板45において、接続部材7が基板5の上面における中央部に形成される場合には、これに対応して、逃げ部27は、平面視において、封止用フィルム100の中央部が四角形状に開口した開口部(孔部)で構成される。
As shown in FIG. 24, in the electronic
また、このような封止用フィルム100は、最内層12、中間層19および最外層14が、何れも、樹脂材料を含有し、JIS K 6251に準拠して求められる軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であるのが好ましく、1000%以上3500%以下であるのがより好ましく、1000%以上2000%以下であるのがさらに好ましい。
Further, in such a
封止用フィルム100の軟化点における伸び率がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム100による電子部品搭載基板45の被覆の際に、電子部品搭載基板45が備える、凸部61と凹部62とからなる凹凸6に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、電子部品4を被覆することができる。そのため、この封止用フィルム100を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
When the elongation at the softening point of the sealing
また、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板5に設けられた凹凸6における段差が具体的な大きさとして、10mm以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム100を凹凸6の形状に対応して追従させることができる。
In addition, by setting the elongation at the softening point of the sealing
このように、凹凸6に対する追従性等の観点から、前記軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であるのが好ましいため、以下では、かかる伸び率を満足し得る封止用フィルム100が備える最内層12、中間層19および最外層14の層構成について説明する。
Thus, since it is preferable that the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less from the viewpoint of followability to the
前記軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている封止用フィルム100が備える最内層12、中間層19および最外層14は、それぞれが樹脂材料を含有し、この樹脂材料の種類を適宜選択することで、前記軟化点における伸び率を前記範囲内に設定することができる。かかる樹脂材料としては、前述した絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14と同様の樹脂材料を用いることができる。
The
また、最内層12、中間層19および最外層14に含まれる樹脂材料は、上述した熱可塑性樹脂材料の他に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂のような熱硬化性樹脂やアクリル樹脂やウレタン樹脂のようなUV硬化性樹脂が含まれていてもよい。
Further, the resin materials contained in the
また、封止用フィルム100の前記軟化点における伸び率を前記範囲内とするために、上述のような樹脂材料を含有する最内層12、中間層19および最外層14の各層は、前記樹脂材料(熱可塑性樹脂材料)を主材料として含有する層で構成され、これにより、絶縁性を有する絶縁層として機能する。
Further, in order to make the elongation at the softening point of the sealing
上記のような構成をなす、何れも樹脂材料を含有する最内層12、中間層19および最外層14を備える封止用フィルム100は、前述した樹脂材料のうちポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、最内層12、中間層19および最外層14のうちの少なくとも1層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率をより確実に150%以上3500%以下に設定することができる。
The sealing
そこで、以下では、前記樹脂材料を主材料として含有する最内層12と、中間層19と、最外層14とを備え、最内層12および最外層14に含まれる樹脂材料がともにポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム100を、一例として説明する。
Therefore, in the following, the
最内層12は、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下に設定して、凹凸6への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂(エチレン共重合体)としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。なお、最内層12は、前述した各実施形態の絶縁層12と同様の構成を有している。
For the purpose of the
また、この最内層12は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板45を封止用フィルム100で被覆する際に、電子部品4同士との間で短絡が生じるのを防止するための層として機能する。
Further, the
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるVA含有量が5重量%以上30重量%以下であることが好ましく、10重量%以上20重量%以下であることがより好ましい。前記下限値未満であると、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を前記範囲内に設定することが困難となるおそれがある。これに対して、前記上限値を超えると、最内層12を構成する樹脂の結晶部が減少し、非結晶部が増加する傾向を示すことに起因して、最内層12に残存する酸化防止剤等の添加剤が溶出するおそれがある。そのため、電子部品搭載基板45側に移行し、その結果、電子部品4の特性に不都合が生じるおそれがある。
In this ethylene-vinyl acetate copolymer, the VA content to be copolymerized is preferably 5% by weight to 30% by weight, and more preferably 10% by weight to 20% by weight. If it is less than the lower limit, it may be difficult to set the elongation at the softening point of the sealing
また、最内層12の平均厚さは、5μm以上200μm以下であることが好ましく、20μm以上120μm以下であることがより好ましい。最内層12の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下の範囲内により確実に設定することができる。また、中間層19の電子部品4に対する絶縁性をより確実に確保することができる。
The average thickness of the
なお、最内層12に含まれる樹脂材料としては、ポリオレフィン系樹脂(エチレン共重合体)としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、後述する中間層19に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
The resin material contained in the
中間層19は、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下に設定して、凹凸6への密着性および形状追従性に優れたものとすること、さらには、封止用フィルム100を強靱性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有する。
The
このような中間層19により、電子部品搭載基板45を封止用フィルム100で被覆する際に、最内層12を介して、基板5の上側に配置された電子部品4が被覆される。
With such an
ここで、本明細書中において、樹脂材料としてのアイオノマー樹脂とは、エチレンおよび(メタ)アクリル酸を重合体の構成成分とする2元共重合体や、エチレン、(メタ)アクリル酸および(メタ)アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする3元共重合体を、金属イオンで架橋した樹脂のことを言い、これらのうちの1種または2種を組み合わせて用いることができる。 Here, in this specification, the ionomer resin as the resin material means a binary copolymer containing ethylene and (meth) acrylic acid as a constituent component of the polymer, ethylene, (meth) acrylic acid and (meta ) Refers to a resin obtained by crosslinking a terpolymer having an acrylic ester as a constituent of a polymer with a metal ion, and one or two of them can be used in combination.
また、金属イオンとしては、例えば、カリウムイオン(K+)、ナトリウムイオン(Na+)、リチウムイオン(Li+)、マグネシウムイオン(Mg++)、亜鉛イオン(Zn++)等が挙げられる。これらの中でも、ナトリウムイオン(Na+)または亜鉛イオン(Zn++)であることが好ましい。これにより、アイオノマー樹脂における架橋構造が安定化されるため、前述した中間層19としての機能をより顕著に発揮させることができる。Examples of the metal ion include potassium ion (K + ), sodium ion (Na + ), lithium ion (Li + ), magnesium ion (Mg ++ ), and zinc ion (Zn ++ ). Among these, sodium ions (Na + ) or zinc ions (Zn ++ ) are preferable. Thereby, since the crosslinked structure in the ionomer resin is stabilized, the function as the
さらに、エチレンおよび(メタ)アクリル酸を重合体の構成成分とする2元共重合体、もしくは、エチレン、(メタ)アクリル酸および(メタ)アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする3元共重合体のカルボキシル基における陽イオン(金属イオン)による中和度は、好ましくは40mol%以上75mol%以下である。 Further, a binary copolymer having ethylene and (meth) acrylic acid as constituent components of the polymer, or a ternary copolymer having ethylene, (meth) acrylic acid and (meth) acrylic acid ester as constituent components of the polymer. The degree of neutralization by the cation (metal ion) in the carboxyl group of the polymer is preferably 40 mol% or more and 75 mol% or less.
また、中間層19の平均厚さは、1μm以上400μm以下であることが好ましく、5μm以上200μm以下であることがより好ましい。中間層19の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100を強靱性に優れ、かつ、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下の範囲内に確実に設定されているものとし得る。
The average thickness of the
なお、中間層19に含まれる樹脂材料としては、アイオノマー樹脂の他、最内層12および最外層14に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体や、それ以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
The resin material contained in the
最外層14は、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下に設定して、凹凸6への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂(エチレン共重合体)としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。なお、最外層14は、前述した各実施形態の被覆層14と同様の構成を有している。
For the purpose of the
また、最外層14は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板45を封止用フィルム100で被覆する際に、電子部品搭載基板45の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保するための層として機能する。
Further, the
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるVA含有量は、前述した最内層12で示した共重合されるVA含有量と同様の範囲内に設定される。
In this ethylene-vinyl acetate copolymer, the VA content to be copolymerized is set within the same range as the VA content to be copolymerized shown in the
また、最外層14の平均厚さは、5μm以上200μm以下であることが好ましく、20μm以上120μm以下であることがより好ましい。最外層14の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下の範囲内により確実に設定することができる。また、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50の外側に位置する電子部品に対する中間層19の絶縁性をより確実に確保することができる。
The average thickness of the
なお、最外層14に含まれる樹脂材料としては、最内層12と同様に、ポリオレフィン系樹脂(エチレン共重合体)としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、前述した中間層19に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
As the resin material contained in the
また、封止用フィルム100では、最内層12と中間層19との間、および、中間層19と最外層14との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、最内層12と電子部品搭載基板45との間の接着性を高めるために、必要に応じて最内層12の内側、すなわち最内層12と基板5との間に接着層を設けることもできる。
Further, in the
接着層に含まれる接着性樹脂としては、例えば、EVA、エチレン−無水マレイン酸共重合体、EAA、EEA、エチレン−メタクリレート−グリシジルアクリレート三元共重合体、あるいは、各種ポリオレフィンに、アクリル酸、メタクリル酸などの一塩基性不飽和脂肪酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などの二塩基性不飽和脂肪酸またはこれらの無水物をグラフトさせたもの、例えば、マレイン酸グラフト化EVA、マレイン酸グラフト化エチレン−α−オレフィン共重合体、スチレン系エラストマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等、公知の粘着性樹脂や接着性樹脂を適宜、使用することができる。 Examples of the adhesive resin contained in the adhesive layer include EVA, ethylene-maleic anhydride copolymer, EAA, EEA, ethylene-methacrylate-glycidyl acrylate terpolymer, or various polyolefins such as acrylic acid, methacrylic acid. Monobasic unsaturated fatty acids such as acids, dibasic unsaturated fatty acids such as maleic acid, fumaric acid, itaconic acid or the like grafted with these anhydrides, such as maleic acid grafted EVA, maleic acid grafted ethylene Known adhesive resins and adhesive resins such as -α-olefin copolymers, styrene elastomers, acrylic resins, epoxy resins and polyurethane resins can be used as appropriate.
さらに、最内層12と中間層19と最外層14とが積層された逃げ部27を備える封止用フィルム100を製造する製造方法については、特に限定されず、例えば、公知の共押出法、ドライラミネート法、押出ラミ法、塗工積層等を用いて、成膜および積層を行った後に、接続部材7に対応する位置を切り抜くことで逃げ部27を形成することで得ることができる。
Furthermore, the manufacturing method for manufacturing the
ここで、封止用フィルム100を、上記のような構成の最内層12と中間層19と最外層14とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を比較的容易に150%以上3500%以下に設定することができる。
Here, by comparing the sealing
なお、このように軟化点における伸び率を150%以上3500%以下に設定し得るのであれば、封止用フィルム100は、最外層14が省略された2層構成のものであってもよいし、最外層14および中間層19が省略された1層構成のものであってもよい。すなわち、封止用フィルム100は、ポリオレフィン系樹脂のような熱可塑性樹脂を主材料とする層を1層以上有しているものであればよい。
As long as the elongation at the softening point can be set to 150% or more and 3500% or less, the sealing
また、破断伸び(軟化点における伸び率)の測定は、オートグラフ装置(例えば、島津製作所製、AUTOGRAPH AGS−X等)を用いて、JIS K 6251に記載の方法に準拠して測定することができる。 The elongation at break (elongation at the softening point) can be measured according to the method described in JIS K 6251 using an autograph apparatus (for example, AUTOGRAPH AGS-X manufactured by Shimadzu Corporation). it can.
また、封止用フィルム100の軟化点は、動的粘弾性測定装置(例えば、セイコーインスツル社製、EXSTAR6000等)を用いて、チャック間距離20mm、昇温速度5℃/分および角周波数10Hzの条件で測定し得る。
In addition, the softening point of the sealing
さらに、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましく、5ppm/K以上50ppm/K以下であることがより好ましい。封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率がこのような範囲の値であると、封止用フィルム100の加熱時において、封止用フィルム100は、優れた伸縮性を有するものとなるため、封止用フィルム100の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム100と、基板5さらには電子部品4との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板45の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム100の電子部品搭載基板45からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。なお、封止用フィルム100の線膨張率は、例えば、動的粘弾性測定装置(例えば、セイコーインスツル社製、EXSTAR6000等)を用いて算出し得る。
Furthermore, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. or more and 80 ° C. or less of the sealing
封止用フィルム100の全体としての平均厚さは、10μm以上700μm以下であることが好ましく、20μm以上400μm以下であることがより好ましい。封止用フィルム100の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100の途中において、封止用フィルム100が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下の範囲内に確実に設定することができる。
The average thickness of the sealing
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第1参考形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, the sealing method of the electronic component mounting substrate using the sealing film of the first reference embodiment described above will be described.
本参考形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、最内層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、接続部材7が封止されることなく、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
The sealing method of the electronic component mounting substrate according to the present embodiment is such that the
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図24(a)に示すように、封止用フィルム100が備える最内層12、中間層19および最外層14のうち最内層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する(図24(b))。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 24A, the
(加熱・減圧工程)
次に、図24(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち最内層12、中間層19および最外層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となる。
As a result, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
なお、封止用フィルム100の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム100を、凹凸6の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
The heating of the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図24(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 24C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、凹凸6の形状(電子部品4の形状)に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸6の形状に対応して封止用フィルム100が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。As a result, on the upper side of the
In the heating and depressurizing step, the pressing step can be omitted if the sealing
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっているのが好ましい。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを優れた密着性をもって被覆することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを優れた密着性(気密性)をもって被覆し、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
The sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において最内層12が接触して基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
As a result, the
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、接続部材7が逃げ部27から露出しているため、電子部品搭載基板45と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
Further, as described above, in the obtained sealing film-covered electronic
なお、封止用フィルム100の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸6の形状に対応して、封止用フィルム100をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
In addition, although cooling of the
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through the above steps, the sealing film-covered electronic
<第12実施形態>
次に、本発明の封止用フィルム100の第12実施形態について説明する。<Twelfth embodiment>
Next, a twelfth embodiment of the sealing
図25は、本発明の封止用フィルムの第12実施形態を示す図((a)縦断面図、(b)平面図)、図26(a)〜(c)は、図25に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図25、図26中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 25 is a view showing a twelfth embodiment of the sealing film of the present invention ((a) longitudinal sectional view, (b) plan view), and FIGS. 26 (a) to (c) are the seals shown in FIG. 25. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the sealing method of an electronic component mounting board | substrate using a film for a stop. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 25 and 26 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第12実施形態について説明するが、前記第1〜第11実施形態および第1参考形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, the twelfth embodiment will be described, but the description will focus on differences from the first to eleventh embodiments and the first reference embodiment, and description of similar matters will be omitted.
第12実施形態では、封止用フィルム100が、中間層19に代えて、電磁波シールド性を有する電磁波シールド層13を備える積層体で構成され、それ以外は、前記第1参考形態と同様である。
In 12th Embodiment, it replaces with the intermediate |
封止用フィルム100は、本実施形態では、図25、図26に示すように、絶縁層(最内層)12と、この絶縁層12の一方の面側(上面側)に積層された電磁波シールド層13と、電磁波シールド層13の一方の面側に積層された被覆層(最外層)14とを備える積層体で構成されている。すなわち、絶縁層12と、電磁波シールド層13と、被覆層14とは、被覆すべき電子部品搭載基板45側から、この順で、積層されている。
In this embodiment, the sealing
このように電子部品4が上面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、被覆層14を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆すると、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50は、電子部品4への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
When the electronic
また、電子部品4は、絶縁性を有する絶縁層12を介して電磁波シールド層13により封止されていることから、電磁波シールド層13は、この電子部品4に対する絶縁性が確保されたものとなる。さらに、電磁波シールド層13は、電子部品4と反対側の面において、絶縁性を有する被覆層14により被覆されている。そのため、電磁波シールド層13は、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保されたものとなる。
In addition, since the
また、このような封止用フィルム100は、絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が、何れも、樹脂材料を含有し、前記第1実施形態と同様に、JIS K 6251に準拠して求められる軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であるが、1000%以上3500%以下であるのが好ましい。
Further, in such a
そのため、本実施形態においても、以下では、かかる伸び率を満足する封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14の層構成について説明する。
Therefore, also in this embodiment, hereinafter, the layer configuration of the insulating
前記軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14は、それぞれが前記第1実施形態で説明したのと同様の樹脂材料を含有する。
The insulating
また、封止用フィルム100の前記軟化点における伸び率を前記範囲内とするために、樹脂材料を含有する絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち、絶縁層12および被覆層14は、前記樹脂材料(熱可塑性樹脂)を主材料として含有する層で構成され、電磁波シールド層13は、前記樹脂材料(熱可塑性樹脂)と、導電性を備える導電性粒子とを含有する層で構成される。絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14をかかる構成のものとすることで、絶縁層12および被覆層14は、それぞれ、絶縁性を有する絶縁層および被覆層として機能し、電磁波シールド層13は、電磁波シールド性さらには導電性を有する電磁波シールド層として機能する。
Moreover, in order to make elongation rate in the said softening point of the
上記のような構成をなす、何れも樹脂材料を含有する絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14を備える封止用フィルム100は、前記第1実施形態と同様に、前述した樹脂材料のうちポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうちの少なくとも1層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム100の軟化点における伸び率をより確実に150%以上3500%以下に設定することができる。
The sealing
そこで、以下では、前記樹脂材料を主材料として含有する絶縁層12および被覆層14と、前記樹脂材料と導電性粒子とを含有する電磁波シールド層13とを備え、絶縁層12および被覆層14に含まれる樹脂材料がともにポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム100を、一例として説明する。
Therefore, in the following, the insulating
絶縁層12は、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下に設定して、凹凸6への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂(エチレン共重合体)としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。
For the purpose of the insulating
また、この絶縁層12は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板45を封止用フィルム100で被覆する際に、電子部品4と導電性を有する電磁波シールド層13との間に介在することで、電子部品4同士、さらには電子部品4と電極3との間で短絡が生じるのを防止するための絶縁層として機能する。
Further, the insulating
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、前記第1実施形態と同様に、共重合されるVA含有量が5重量%以上30重量%以下であることが好ましく、10重量%以上20重量%以下であることがより好ましい。 As for the ethylene-vinyl acetate copolymer, the VA content to be copolymerized is preferably 5% by weight to 30% by weight, as in the first embodiment, and is preferably 10% by weight to 20% by weight. It is more preferable that
また、絶縁層12の平均厚さは、前記第1実施形態と同様に、5μm以上200μm以下であることが好ましく、20μm以上120μm以下であることがより好ましい。これにより、電磁波シールド層13の電子部品4に対する絶縁性をより確実に確保することができる。
In addition, the average thickness of the insulating
電磁波シールド層13は、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下に設定して、凹凸6への密着性および形状追従性に優れたものとすること、さらには、封止用フィルム100を強靱性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有する。また、樹脂材料(アイオノマー)は、下記の導電性材料を層中に保持するバインダーとしても機能する。
The electromagnetic
また、電磁波シールド層13は、樹脂材料としてアイオノマー樹脂の他に、さらに、導電性を有する導電性粒子を含有することで、電磁波シールド性さらには導電性を備える層である。
Moreover, the electromagnetic
このような電磁波シールド層13により、電子部品搭載基板45を封止用フィルム100で被覆する際に、絶縁層12を介して、基板5の上側に配置された電子部品4が被覆される。そのため、電子部品搭載基板45を封止用フィルム100で被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を、電子部品4への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。
With such an electromagnetic
樹脂材料としてのアイオノマー樹脂としては、前記第1実施形態で説明したのと同様のものを用いることができる。 As the ionomer resin as the resin material, the same resin as described in the first embodiment can be used.
また、導電性粒子としても、前記第1実施形態で説明したのと同様のものを用いることができる。 Also, as the conductive particles, the same particles as described in the first embodiment can be used.
また、電磁波シールド層13中における導電性粒子の含有量は、10重量%以上95重量%以下であることが好ましく、50重量%以上90重量%以下であることがより好ましい。導電性粒子の含有量をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド層13に電磁波シールド性さらには導電性を確実に付与しつつ、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下の範囲内に確実に設定することができる。
The content of the conductive particles in the electromagnetic
また、電磁波シールド層13の平均厚さは、1μm以上400μm以下であることが好ましく、5μm以上200μm以下であることがより好ましい。電磁波シールド層13の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100を強靱性に優れ、かつ、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下の範囲内に確実に設定することができる。さらに、電磁波シールド層13に、電磁波シールド性さらには導電性を確実に付与することができる。
The average thickness of the electromagnetic
なお、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料としては、アイオノマー樹脂の他、絶縁層12および被覆層14に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体や、それ以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
In addition to the ionomer resin, the resin material contained in the electromagnetic
被覆層14は、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下に設定して、凹凸6への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂(エチレン共重合体)としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。
For the purpose of the
また、被覆層14は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板45を封止用フィルム100で被覆する際に、導電性を有する電磁波シールド層13の電子部品4と反対の面側を被覆することで、電子部品搭載基板45の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保するための被覆層として機能する。
Further, the
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるVA含有量は、前記第1実施形態の絶縁層12で示した共重合されるVA含有量と同様の範囲内に設定される。
In this ethylene-vinyl acetate copolymer, the VA content to be copolymerized is set within the same range as the VA content to be copolymerized shown in the insulating
また、被覆層14の平均厚さは、5μm以上200μm以下であることが好ましく、20μm以上120μm以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層13の絶縁性をより確実に確保することができる。
The average thickness of the
なお、被覆層14に含まれる樹脂材料としては、絶縁層12と同様に、ポリオレフィン系樹脂(エチレン共重合体)としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、前述した電磁波シールド層13に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
The resin material contained in the
また、封止用フィルム100では、絶縁層12と電磁波シールド層13との間、および、電磁波シールド層13と被覆層14との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、絶縁層12と電子部品搭載基板45との間の接着性を高めるために、必要に応じて絶縁層12の内側、すなわち絶縁層12と基板5との間に接着層を設けることもできる。
Moreover, in the
さらに、接着層に含まれる接着性樹脂としては、前記第1実施形態で説明したのと同様の樹脂を用いることができる。 Further, as the adhesive resin contained in the adhesive layer, the same resin as described in the first embodiment can be used.
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第12実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of the twelfth embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
In the sealing method of the electronic component mounting substrate of the present embodiment, the insulating
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図26(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する(図26(b))。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 26A, the insulating
(加熱・減圧工程)
次に、図26(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となる。
As a result, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
なお、封止用フィルム100の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム100を、凹凸6の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
The heating of the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図26(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 26C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、凹凸6の形状(電子部品4の形状)に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸6の形状に対応して封止用フィルム100が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。As a result, on the upper side of the
In the heating and depressurizing step, the pressing step can be omitted if the sealing
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっているのが好ましい。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを優れた密着性をもって被覆することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを優れた密着性(気密性)をもって被覆し、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
The sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において絶縁層12が接触して基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
As a result, the insulating
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、接続部材7が逃げ部27から露出しているため、電子部品搭載基板45と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
Further, as described above, in the obtained sealing film-covered electronic
さらに、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12と電磁波シールド層13と被覆層14との積層体で構成される。
Further, the sealing
そのため、本工程において、絶縁層12を介して、電子部品4が電磁波シールド層13により被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を、電子部品4への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。
Therefore, in this step, the
また、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13により封止されることから、電磁波シールド層13は、この電子部品4に対する絶縁性を確保した状態で、電子部品4を被覆することができる。また、電磁波シールド層13は、電子部品4と反対側の面において、被覆層14により被覆されていることから、電磁波シールド層13は、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保された状態で電子部品搭載基板45を被覆することができる。
Further, since the
なお、封止用フィルム100の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸6の形状に対応して、封止用フィルム100をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
In addition, although cooling of the
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through the above steps, the sealing film-covered electronic
<第13実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第13実施形態について説明する。<13th Embodiment>
[Sealing film]
Next, a thirteenth embodiment of the sealing
図27は、本発明の封止用フィルムの第13実施形態を示す図((a)縦断面図、(b)平面図)、図28は、図27に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図27、図28中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 27 is a diagram ((a) longitudinal sectional view, (b) plan view) showing a thirteenth embodiment of the sealing film of the present invention, and FIG. 28 is an electron using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the sealing method of a component mounting board. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 27 and 28 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第13実施形態について説明するが、前記第12実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 In the following, the thirteenth embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the twelfth embodiment, and description of similar matters will be omitted.
第13実施形態では、封止用フィルム100が備える被覆層14の構成が異なり、それ以外は、前記第12実施形態と同様である。
In 13th Embodiment, the structure of the
第13実施形態の封止用フィルム100において、被覆層14は、図27、図28に示すように、電磁波シールド層13よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層13の端部(縁部)から露出すること、換言すれば、電磁波シールド層13の端部を越えて突出することで形成された突出部15(第1突出部)を備えている。
In the
このような封止用フィルム100を用いて、電子部品4および接続部材7が上面(一方の面)側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし被覆層14を上側にして被覆すると、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Using such a
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、被覆層14が備える突出部15は、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の下面の端部51を、この突出部15により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム100により、基板5の上面側ばかりでなく、基板5の下面における端部51まで被覆層14により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板45を被覆することができる。そのため、封止用フィルム100により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
Further, in the present embodiment, the projecting
また、前記第1実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下である。これにより、基板5の上面側から下面側へ突出部15を折りこませることで、端部51を被覆する際に、突出部15が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Further, as in the first embodiment, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less. Thereby, by folding the protruding
さらに、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面側から下面側への突出部15の折り込みを、突出部15を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Furthermore, as in the first embodiment, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. to 80 ° C. of the sealing
また、封止用フィルム100における、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する被覆層14の突出部15の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部15の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部15を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面における端部51にまで到達させることができるため、突出部15による端部51の被覆を確実に実現させることができる。
Moreover, the length of the
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第13実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of the thirteenth embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部15を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより基板5の下面における端部51に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部15が基板5の下面における端部51に接触した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
In the sealing method of the electronic component mounting substrate of the present embodiment, the insulating
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図28(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 28A, the insulating
そして、この際、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する被覆層14の突出部15を、基板5の下面側に折り込み、これにより、突出部15を端部51に接触させる(図28(b))。
At this time, the projecting
(加熱・減圧工程)
次に、図28(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100、すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板5の下面側では、端部51を、被覆し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上面側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となり、基板5の下面側では、端部51を若干被覆した状態となる。
Thereby, while the sealing
本工程により、封止用フィルム100を、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部15が基板5の下面側に折り込まれて、端部51を被覆し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図6(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 6C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、凹凸6の形状(電子部品4の形状)に対して優れた密着度(気密度)で追従し、さらに、端部51に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。
As a result, on the upper side of the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ突出部15を折り込ませることで端部51に接触させる際に、突出部15が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性(気密性)をもって被覆し、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において、絶縁層12が接触して基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出し、さらに、基板5の下面側において、折り込まれた被覆層14の突出部15により端部51が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
Thereby, the insulating
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、接続部材7が逃げ部27から露出しているため、電子部品搭載基板45と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
Further, as described above, in the obtained sealing film-covered electronic
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through the above steps, the sealing film-covered electronic
<第14実施形態>
次に、本発明の封止用フィルム100の第14実施形態について説明する。<Fourteenth embodiment>
Next, a fourteenth embodiment of the sealing
図29は、本発明の封止用フィルムの第4実施形態を示す図((a)縦断面図、(b)平面図)、図30(a)〜(c)は、図29に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図29、図30中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 29 is a view ((a) longitudinal sectional view, (b) plan view) and FIGS. 30 (a) to 30 (c) showing a fourth embodiment of the sealing film of the present invention. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the sealing method of an electronic component mounting board | substrate using a film for a stop. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 29 and 30 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第14実施形態について説明するが、前記第12実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 In the following, the fourteenth embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the twelfth embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
第14実施形態では、封止用フィルム100が備える絶縁層12および被覆層14の構成が異なり、それ以外は、前記第12実施形態と同様である。
In 14th Embodiment, the structure of the insulating
第14実施形態の封止用フィルム100において、絶縁層12および被覆層14は、図29、図30に示すように、それぞれ、電磁波シールド層13よりも大きく形成され、それらの端部が電磁波シールド層13の端部(縁部)から露出すること、換言すれば、電磁波シールド層13の端部を越えて突出することで形成された突出部15(第1突出部)および突出部16(第3突出部)を備えている。そして、これら突出部15と突出部16とは、電磁波シールド層13の端部を越えた位置で積層することで設けられた積層突出部65を形成する。
In the
このような封止用フィルム100を用いて、電子部品4および接続部材7が上面(一方の面)側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし被覆層14を上側にして被覆すると、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Using such a
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、突出部15と突出部16とを積層することで形成された積層突出部65は、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の下面の端部51を、この積層突出部65が備える突出部15により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム100により、基板5の上面側ばかりでなく、基板5の下面における端部51まで積層突出部65により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板45を被覆することができる。そのため、封止用フィルム100により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
Furthermore, in the present embodiment, the
また、積層突出部65は、これら突出部15と突出部16とが、電磁波シールド層13の端部を越えた位置で積層することで形成され、電磁波シールド層13の端部をも絶縁層12および被覆層14により被覆されることで、電子部品4および電子部品搭載基板45の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層13の絶縁性をより確実に確保することができる。
The
さらに、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下である。これにより、基板5の上面側から下面側へ積層突出部65を折りこませることで、端部51を被覆する際に、積層突出部65が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Furthermore, as in the first embodiment, the elongation at the softening point of the sealing
また、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面側から下面側への突出部15の折り込みを、突出部15を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Moreover, it is preferable that the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 degreeC or more and 80 degrees C or less of the
さらに、封止用フィルム100における、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する被覆層14の突出部15の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部15の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部15を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面における端部51にまで到達させることができるため、突出部15による端部51の被覆を確実に実現させることができる。
Further, the length of the protruding
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第14実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of the fourteenth embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、積層突出部65を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより基板5の下面における端部51に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、積層突出部65が基板5の下面における端部51に接触した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
In the sealing method of the electronic component mounting substrate of the present embodiment, the insulating
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図30(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 30A, the insulating
そして、この際、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する積層突出部65を、基板5の下面側に折り込み、これにより、積層突出部65を端部51に接触させる(図30(b))。
At this time, the
(加熱・減圧工程)
次に、図30(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板5の下面側では、端部51を、被覆し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上面側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となり、基板5の下面側では、端部51を若干被覆した状態となる。
Thereby, while the sealing
本工程により、封止用フィルム100を、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部15が基板5の下面側に折り込まれて、端部51を被覆し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図30(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 30C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、凹凸6の形状(電子部品4の形状)に対して優れた密着度(気密度)で追従し、さらに、端部51に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。
As a result, on the upper side of the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ積層突出部65を折りこませることで端部51に接触させる際に、積層突出部65が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性(気密性)をもって被覆し、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上面側において、絶縁層12が接触して基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出し、さらに、基板5の下面側において、折り込まれた積層突出部65により端部51が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
As a result, the insulating
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、接続部材7が逃げ部27から露出しているため、電子部品搭載基板45と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
Further, as described above, in the obtained sealing film-covered electronic
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through the above steps, the sealing film-covered electronic
<第15実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第15実施形態について説明する。<Fifteenth embodiment>
[Sealing film]
Next, a fifteenth embodiment of the sealing
図31は、本発明の封止用フィルムの第15実施形態を示す図((a)縦断面図、(b)平面図)、図32(a)〜(c)は、図31に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図31、図32中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 31 shows the fifteenth embodiment of the sealing film of the present invention ((a) longitudinal sectional view, (b) plan view), and FIGS. 32 (a) to (c) show the sealing shown in FIG. 31. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the sealing method of an electronic component mounting board | substrate using a film for a stop. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 31 and 32 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第15実施形態について説明するが、前記第12実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 The fifteenth embodiment will be described below, but the description will focus on the differences from the twelfth embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
第15実施形態では、封止用フィルム100において、被覆層14の形成が省略され、それ以外は、前記第12実施形態と同様である。
In the fifteenth embodiment, in the
第15実施形態の封止用フィルム100において、図31、図32に示すように、被覆層14の形成が省略され、絶縁層12と、この絶縁層12の一方の面側(上面側)に積層された電磁波シールド層13とを備える積層体で構成されている。すなわち、絶縁層12と、電磁波シールド層13とは、被覆すべき電子部品搭載基板45側から、この順で、積層されている。
In the
このような封止用フィルム100を用いて、電子部品4および接続部材7が上面(一方の面)側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし電磁波シールド層13を上側にして被覆すると、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Using such a
また、前記第1実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下である。これにより、電子部品搭載基板45が備える、凸部61と凹部62とからなる凹凸6に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、電子部品4を被覆することができる。
Further, as in the first embodiment, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less. Thereby, the
さらに、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、電子部品搭載基板45が備える、凸部61と凹部62とからなる凹凸6に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、電子部品4を被覆することができる。
Furthermore, as in the first embodiment, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. to 80 ° C. of the sealing
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第15実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法(本発明の電子部品搭載基板の封止方法)について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, an electronic component mounting substrate sealing method using the sealing film of the fifteenth embodiment described above (an electronic component mounting substrate sealing method of the present invention) will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
In the sealing method of the electronic component mounting substrate of the present embodiment, the insulating
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図34(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12および電磁波シールド層13のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する(図34(b))。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 34 (a), the electronic component mounting substrate in the state where the insulating
(加熱・減圧工程)
次に、図34(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12および電磁波シールド層13が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となる。
As a result, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
なお、封止用フィルム100の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム100を、凹凸6の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
The heating of the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図34(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 34C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、凹凸6の形状(電子部品4の形状)に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸6の形状に対応して封止用フィルム100が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。As a result, on the upper side of the
In the heating and depressurizing step, the pressing step can be omitted if the sealing
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっているのが好ましい。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを優れた密着性をもって被覆することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを優れた密着性(気密性)をもって被覆し、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
The sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において絶縁層12が接触して基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
As a result, the insulating
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、接続部材7が逃げ部27から露出しているため、電子部品搭載基板45と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
Further, as described above, in the obtained sealing film-covered electronic
さらに、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12と電磁波シールド層13との積層体で構成される。
Furthermore, the sealing
そのため、本工程において、絶縁層12を介して、電子部品4が電磁波シールド層13により被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を、電子部品4への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。
Therefore, in this step, the
また、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13により封止されることから、電磁波シールド層13は、この電子部品4に対する絶縁性を確保した状態で、電子部品4を被覆することができる。
Further, since the
なお、封止用フィルム100の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸6の形状に対応して、封止用フィルム100をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
In addition, although cooling of the
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through the above steps, the sealing film-covered electronic
<第16実施形態>
次に、本発明の封止用フィルム100の第16実施形態について説明する。<Sixteenth Embodiment>
Next, a sixteenth embodiment of the sealing
図33は、本発明の封止用フィルムの第16実施形態を示す図((a)縦断面図、(b)平面図)、図34(a)〜(c)は、図33に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図33、図34中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 33 is a view showing a sixteenth embodiment of the sealing film of the present invention ((a) longitudinal sectional view, (b) plan view), and FIGS. 34 (a) to (c) are the seals shown in FIG. 33. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the sealing method of an electronic component mounting board | substrate using a film for a stop. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 33 and 34 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第16実施形態について説明するが、前記第12実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 In the following, the sixteenth embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the twelfth embodiment, and description of similar matters will be omitted.
第16実施形態では、封止用フィルム100が備える絶縁層12の構成が異なり、さらに被覆層14の形成が省略されていること以外は、前記第12実施形態と同様である。
The sixteenth embodiment is the same as the twelfth embodiment except that the configuration of the insulating
第16実施形態の封止用フィルム100において、絶縁層12は、図33、図34に示すように、電磁波シールド層13よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層13の端部(縁部)から露出すること、換言すれば、電磁波シールド層13の端部を越えて突出することで形成された突出部16(第3突出部)を備えている。
In the
このような封止用フィルム100を用いて、電子部品4および接続部材7が上面(一方の面)側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし電磁波シールド層13を上側にして被覆すると、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Using such a
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、突出部16は、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の下面の端部51を、この突出部16により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム100により、基板5の上面側ばかりでなく、基板5の下面における端部51まで突出部16により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板45を被覆することができる。そのため、封止用フィルム100により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
Further, in the present embodiment, the projecting
さらに、前記第1実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下である。これにより、基板5の上面側から下面側へ突出部16を折りこませることで、端部51を被覆する際に、突出部16が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Further, as in the first embodiment, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less. Thereby, by folding the
また、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面側から下面側への突出部16の折り込みを、突出部16を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Moreover, it is preferable that the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 degreeC or more and 80 degrees C or less of the
さらに、封止用フィルム100における、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する突出部16の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部16の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部16を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面における端部51にまで到達させることができるため、突出部16による端部51の被覆を確実に実現させることができる。
Further, the length of the protruding
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第16実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, an electronic component mounting substrate sealing method using the sealing film of the sixteenth embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部16を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより基板5の下面における端部51に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部16が基板5の下面における端部51に接触した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
In the sealing method of the electronic component mounting substrate of the present embodiment, the insulating
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図34(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12および電磁波シールド層13のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。
そして、この際、電磁波シールド層13の端部を越えて突出する突出部16を、基板5の下面側に折り込み、これにより、突出部16を端部51に接触させる(図34(b))。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 34 (a), the electronic component mounting substrate in the state where the insulating
At this time, the protruding
(加熱・減圧工程)
次に、図34(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12および電磁波シールド層13が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板5の下面側では、端部51を、被覆し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上面側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となり、基板5の下面側では、端部51を若干被覆した状態となる。
Thereby, while the sealing
本工程により、封止用フィルム100を、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部15が基板5の下面側に折り込まれて、端部51を被覆し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図36(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 36C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、凹凸6の形状(電子部品4の形状)に対して優れた密着度(気密度)で追従し、さらに、端部51に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆される。
As a result, on the upper side of the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ突出部16を折りこませることで端部51に接触させる際に、突出部16が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、さらには端部51を優れた密着性(気密性)をもって被覆し、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上面側において、絶縁層12が接触して基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出し、さらに、基板5の下面側において、折り込まれた突出部16により端部51が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
As a result, the insulating
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、接続部材7が逃げ部27から露出しているため、電子部品搭載基板45と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
Further, as described above, in the obtained sealing film-covered electronic
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through the above steps, the sealing film-covered electronic
<第17実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第17実施形態について説明する。<Seventeenth Embodiment>
[Sealing film]
Next, a seventeenth embodiment of the sealing
図35は、本発明の封止用フィルムの第17実施形態を示す図((a)縦断面図、(b)平面図)、図36(a)〜(c)は、図35に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図35、図36中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 35 is a view showing a seventeenth embodiment of the sealing film of the present invention ((a) longitudinal sectional view, (b) plan view), and FIGS. 36 (a) to (c) are the seals shown in FIG. 35. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the sealing method of an electronic component mounting board | substrate using a film for a stop. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 35 and 36 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第17実施形態について説明するが、前記第12実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, the seventeenth embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the twelfth embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
第17実施形態では、封止用フィルム100が備える電磁波シールド層13および被覆層14の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム100を用いて被覆する電子部品搭載基板45の構成が異なること以外は、前記第12実施形態と同様である。
In the seventeenth embodiment, the configurations of the electromagnetic
第17実施形態の封止用フィルム100において、電磁波シールド層13および被覆層14は、図35、図36に示すように、絶縁層12よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12側に位置する電磁波シールド層13の端部が絶縁層12の端部(縁部)から露出している。換言すれば、電磁波シールド層13が、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17(第2突出部)を備えている。
In the
また、第17実施形態の封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、図35に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4と、この電子部品4に電気的に接続され、基板5の上面(一方の面)側の端部52に形成された接続部材7および電極3とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4および電極3の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。なお、電極3としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、電子部品搭載基板45の外側に位置する、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品4を接地するためのグランド電極等が挙げられる。
Moreover, the electronic
このように電子部品4、電極3および接続部材7が上面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、被覆層14を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆すると、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Thus, with respect to the electronic
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、電磁波シールド層13は、このものが備える突出部17において、絶縁層12から露出している。そのため、基板5の上面の端部52に形成された電極3に、この突出部17を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部17は、電磁波シールド層13で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50おいて、この電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層13の上面のほぼ全面には被覆層14が形成されていることから、電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層14の一部を除去して電磁波シールド層13が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層13と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
Furthermore, in this embodiment, the electromagnetic
また、封止用フィルム100における、絶縁層12の端部を越えて突出する電磁波シールド層13の突出部17の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部17の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部17により、基板5の上面側に位置する電極3を被覆して、突出部17と電極3との電気的な接続を実現することができる。
In addition, the length of the protruding
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第17実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting board using the sealing film of the seventeenth embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部17を、基板5の上面(一方の面)側の電極3に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部17が電極3に接触した状態で、基板5と電子部品4と電極3とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
In the sealing method of the electronic component mounting substrate of the present embodiment, the insulating
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図36(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4と電極3とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 36A, in the state where the insulating
この際、封止用フィルム100の中央部に位置する絶縁層12により電子部品4を被覆させ、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部17により電極3を被覆させる(図36(b))。
At this time, the
(加熱・減圧工程)
次に、図36(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, while maintaining the state shown in FIG. 36 (b), the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4および電極3を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4および電極3の形状に若干追従した状態となる。
As a result, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図36(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 36C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、凹凸6の形状(電子部品4および電極3の形状)に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆される。
As a result, on the upper side of the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4と電極3とを優れた密着性をもって被覆することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とを優れた密着性(気密性)をもって被覆し、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において、絶縁層12が接触して基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出し、さらに、電磁波シールド層13が接触して電極3が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
Thereby, the insulating
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、接続部材7が逃げ部27から露出しているため、電子部品搭載基板45と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
Further, as described above, in the obtained sealing film-covered electronic
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14の積層体で構成されるが、電磁波シールド層13は、その端部において、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17を備えている。そして、本実施形態では、この突出部17が、絶縁層12を介することなく、電極3を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部17(電磁波シールド層13)に電極3が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この突出部17を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
Further, the sealing
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
Through the above steps, the
<第18実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第18実施形態について説明する。<Eighteenth embodiment>
[Sealing film]
Next, an eighteenth embodiment of the sealing
図37は、本発明の封止用フィルムの第18実施形態を示す図((a)縦断面図、(b)平面図)、図38(a)〜(c)は、図37に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図37、図38中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 37 is a view ((a) longitudinal sectional view, (b) plan view) and FIGS. 38 (a) to 38 (c) showing an eighteenth embodiment of the sealing film of the present invention. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the sealing method of an electronic component mounting board | substrate using a film for a stop. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIGS. 37 and 38 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第18実施形態について説明するが、前記第12実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 In the following, the eighteenth embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the twelfth embodiment, and description of similar matters will be omitted.
第18実施形態では、封止用フィルム100が備える電磁波シールド層13の構成が異なり、さらに、被覆層14の形成が省略されているとともに、この封止用フィルム100を用いて被覆する電子部品搭載基板45の構成が異なること以外は、前記第12実施形態と同様である。
In the eighteenth embodiment, the configuration of the electromagnetic
第18実施形態の封止用フィルム100において、電磁波シールド層13は、図37、図38に示すように、絶縁層12よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層13の端部が絶縁層12の端部(縁部)から露出すること、換言すれば、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17(第2突出部)を備えている。
In the
また、第18実施形態の封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、図38に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4と、この電子部品4に電気的に接続され、基板5の上面(一方の面)側の端部52に形成された接続部材7および電極3とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4および電極3の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。なお、電極3としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、電子部品搭載基板45の外側に位置する、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品4を接地するためのグランド電極等が挙げられる。
Moreover, the electronic
このように電子部品4、電極3および接続部材7が上面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、電磁波シールド層13を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆すると、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Thus, with respect to the electronic
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、電磁波シールド層13は、このものが備える突出部17において、絶縁層12から露出している。そのため、基板5の上面の端部52に形成された電極3に、この突出部17を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部17は、電磁波シールド層13で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50おいて、この電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することができる。
Furthermore, in this embodiment, the electromagnetic
また、封止用フィルム100における、絶縁層12の端部を越えて突出する電磁波シールド層13の突出部17の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部17の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部17により、基板5の上側に位置する電極3を被覆して、突出部17と電極3との電気的な接続を実現することができる。
In addition, the length of the protruding
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した第18実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, an electronic component mounting substrate sealing method using the sealing film of the eighteenth embodiment described above will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部17を、基板5の上面(一方の面)側の電極3に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部17が電極3に接触した状態で、基板5と電子部品4と電極3とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
In the sealing method of the electronic component mounting substrate of the present embodiment, the insulating
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図38(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12および電磁波シールド層13のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4と電極3とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 38 (a), the electronic component mounting board in a state where the insulating
この際、封止用フィルム100の中央部に位置する絶縁層12により電子部品4を被覆させ、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部17により電極3を被覆させる(図38(b))。
At this time, the
(加熱・減圧工程)
次に、図38(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12および電磁波シールド層13が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4および電極3を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4および電極3の形状に若干追従した状態となる。
As a result, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図38(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 38C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、凹凸6の形状(電子部品4および電極3の形状)に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆される。
As a result, on the upper side of the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4と電極3とを優れた密着性をもって被覆することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とを優れた密着性(気密性)をもって被覆し、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において、絶縁層12が接触して基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出し、さらに、電磁波シールド層13が接触して電極3が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
Thereby, the insulating
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、接続部材7が逃げ部27から露出しているため、電子部品搭載基板45と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
Further, as described above, in the obtained sealing film-covered electronic
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12および電磁波シールド層13の積層体で構成されるが、電磁波シールド層13は、その端部において、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17を備えている。そして、本実施形態では、この突出部17が、絶縁層12を介することなく、電極3を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部17(電磁波シールド層13)に電極3が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この突出部17を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
Further, the sealing
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
Through the above steps, the
<第19実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第19実施形態について説明する。<Nineteenth embodiment>
[Sealing film]
Next, a nineteenth embodiment of the sealing
図39は、本発明の封止用フィルムの第19実施形態を示す図((a)縦断面図、(b)平面図)、図40(a)〜(c)は、図39に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図39、図40中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 39 is a view ((a) longitudinal sectional view, (b) plan view) and FIGS. 40 (a) to 40 (c) showing a nineteenth embodiment of the sealing film of the present invention. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the sealing method of an electronic component mounting board | substrate using a film for a stop. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 39 and 40 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第19実施形態について説明するが、前記第12実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 In the following, the nineteenth embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the twelfth embodiment, and description of similar matters will be omitted.
第19実施形態では、封止用フィルム100が備える電磁波シールド層13および被覆層14の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム100を用いて被覆する電子部品搭載基板45の構成が異なること以外は、前記第12実施形態と同様である。
In the nineteenth embodiment, the configurations of the electromagnetic
第19実施形態の封止用フィルム100において、電磁波シールド層13および被覆層14は、図39、図40に示すように、絶縁層12よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12側に位置する電磁波シールド層13の端部が絶縁層12の端部(縁部)から露出している。換言すれば、電磁波シールド層13が、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17(第2突出部)を備えている。
In the
また、第19実施形態の封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、図40に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4と、この電子部品4に電気的に接続され、基板5の上面(一方の面)側の端部52に形成された接続部材7、および、基板5の下面(他方の面)側の端部51に形成された電極3とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。
Moreover, the electronic
このように電子部品4および接続部材7が上面側に搭載され、電極3が下面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、被覆層14を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆すると、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Thus, with respect to the electronic
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、電磁波シールド層13が備える突出部17は、基板5の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の下面の端部51に形成された電極3に、この突出部17を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部17は、電磁波シールド層13で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50おいて、この電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層13の上面のほぼ全面には被覆層14が形成されていることから、電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層14の一部を除去して電磁波シールド層13が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層13と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
Furthermore, in the present embodiment, the projecting
また、前記第1実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下である。これにより、基板5の上面側から下面側へ突出部17を折りこませることで、端部51に設けられた電極3を被覆する際に、突出部17が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Further, as in the first embodiment, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less. Thereby, when the
さらに、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面側から下面側への突出部17の折り込みを、突出部17を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Furthermore, as in the first embodiment, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. to 80 ° C. of the sealing
また、封止用フィルム100における、絶縁層12の端部を越えて突出する電磁波シールド層13の突出部17の長さは、特に限定されず、0.5cm以上8.0cm以下であることが好ましく、1.0cm以上5.0cm以下であることがより好ましい。突出部17の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部17を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面における端部51に形成された電極3にまで到達させることができるため、突出部17による電極3の電気的な接続を確実に実現させることができる。
In addition, the length of the protruding
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、本実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of this embodiment will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部17を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより電極3に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部17が電極3に接触した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
In the sealing method of the electronic component mounting substrate of the present embodiment, the insulating
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図40(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 40A, in the state where the insulating
そして、この際、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部17を、基板5の下面側に折り込み、これにより、突出部17を電極3に接触させる(図40(b))。
At this time, the protruding
(加熱・減圧工程)
次に、図40(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板5の下面側では、基板5の下面の端部51に設けられた電極3の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上面側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となり、基板5の下面側では、電極3の形状に若干追従した状態となる。
Thereby, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状、および、下面側に形成された電極3の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図40(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 40C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上面側では、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、凹凸6の形状(電子部品4の形状)、さらに、基板5の下面側では電極3の形状に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆される。
As a result, the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6および電極3に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上面側において基板5と電子部品4とを、さらには基板5の下面側においては電極3を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ突出部17を折りこませることで電極3に接触させる際に、突出部17が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、さらには電極3を優れた密着性(気密性)をもって被覆し、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, with the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上面側において絶縁層12が接触して基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出し、さらに、基板5の下面側において電磁波シールド層13が接触して電極3が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
Thereby, the insulating
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、接続部材7が逃げ部27から露出しているため、電子部品搭載基板45と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
Further, as described above, in the obtained sealing film-covered electronic
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14の積層体で構成されるが、電磁波シールド層13は、絶縁層12よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層12が積層されるが、端部において、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17を備えている。そして、この突出部17が、基板5の下面側に折り込まれることで電極3を直接被覆する。これにより、電極3が突出部17(電磁波シールド層13)に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この突出部17を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
Further, the sealing
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
Through the above steps, the
<<第20実施形態>>
次に、本発明の封止用フィルム100の第20実施形態について説明する。<< 20th Embodiment >>
Next, a twentieth embodiment of the sealing
図41は、本発明の封止用フィルムの第20実施形態を示す図((a)縦断面図、(b)平面図)、図42(a)〜(c)は、図41に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図41、図42中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 41 is a diagram ((a) longitudinal sectional view, (b) plan view) and FIGS. 42 (a) to 42 (c) showing a twentieth embodiment of the sealing film of the present invention. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the sealing method of an electronic component mounting board | substrate using a film for a stop. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 41 and 42 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第20実施形態について説明するが、前記第12実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, the twentieth embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the twelfth embodiment, and description of similar matters will be omitted.
第20実施形態では、封止用フィルム100が備える電磁波シールド層13の構成が異なり、さらに、被覆層14の形成が省略されているとともに、この封止用フィルム100を用いて被覆する電子部品搭載基板45の構成が異なること以外は、前記第12実施形態と同様である。
In the twentieth embodiment, the configuration of the electromagnetic
第20実施形態の封止用フィルム100において、電磁波シールド層13は、図41、図42に示すように、絶縁層12よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層13の端部が絶縁層12の端部(縁部)から露出すること、換言すれば、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17(第2突出部)を備えている。
In the
また、第20実施形態の封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、図42に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4と、この電子部品4に電気的に接続され、基板5の上面(一方の面)側の端部52に形成された接続部材7、および、基板5の下面(他方の面)側の端部51に形成された電極3とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4の搭載により、基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。
Moreover, the electronic
このように電子部品4および接続部材7が上面側に搭載され、電極3が下面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、絶縁層12を下側とし、電磁波シールド層13を上側にして、封止用フィルム100を用いて被覆すると、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。
Thus, with respect to the electronic
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、電磁波シールド層13が備える突出部17は、基板5の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の下面の端部51に形成された電極3に、この突出部17を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部17は、電磁波シールド層13で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50おいて、この電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することができる。
Furthermore, in the present embodiment, the projecting
また、前記第1実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下である。これにより、基板5の上面側から下面側へ突出部17を折りこませることで、端部51に設けられた電極3を被覆する際に、突出部17が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
Further, as in the first embodiment, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less. Thereby, when the
さらに、前記第1実施形態と同様に、封止用フィルム100の25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率は、100ppm/K以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム100の線膨張率を規定することによっても、基板5の上面側から下面側への突出部17の折り込みを、突出部17を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
Furthermore, as in the first embodiment, the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 ° C. to 80 ° C. of the sealing
また、封止用フィルム100における、絶縁層12の端部を越えて突出する電磁波シールド層13の突出部17の長さは、特に限定されず、0.5cm以上8.0cm以下であることが好ましく、1.0cm以上5.0cm以下であることがより好ましい。突出部17の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部17を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面における端部51に形成された電極3にまで到達させることができるため、突出部17による電極3の電気的な接続を確実に実現させることができる。
In addition, the length of the protruding
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、本実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, a method for sealing an electronic component mounting substrate using the sealing film of this embodiment will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置しつつ、突出部17を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより電極3に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部17が電極3に接触した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
In the sealing method of the electronic component mounting substrate of the present embodiment, the insulating
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図42(a)に示すように、封止用フィルム100が備える絶縁層12および電磁波シールド層13のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆い、かつ、接続部材7に逃げ部27が対応するように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。
そして、この際、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部17を、基板5の下面側に折り込み、これにより、突出部17を電極3に接触させる(図42(b))。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 42 (a), the electronic component mounting board in the state where the insulating
At this time, the protruding
(加熱・減圧工程)
次に、図42(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち絶縁層12および電磁波シールド層13が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板5の下面側では、基板5の下面の端部51に設けられた電極3の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上面側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となり、基板5の下面側では、電極3の形状に若干追従した状態となる。
Thereby, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状、および、下面側に形成された電極3の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図42(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 42C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上面側では、接続部材7が逃げ部27から露出して封止されることなく、凹凸6の形状(電子部品4の形状)、さらに、基板5の下面側では電極3の形状に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆される。
As a result, the
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6および電極3に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上面側において基板5と電子部品4とを、さらには基板5の下面側においては電極3を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ突出部17を折りこませることで電極3に接触させる際に、突出部17が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、さらには電極3を優れた密着性(気密性)をもって被覆し、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, with the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上面側において絶縁層12が接触して基板5と電子部品4とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出し、さらに、基板5の下面側において電磁波シールド層13が接触して電極3が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
Thereby, the insulating
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、接続部材7が逃げ部27から露出しているため、電子部品搭載基板45と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
Further, as described above, in the obtained sealing film-covered electronic
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12および電磁波シールド層13の積層体で構成されるが、電磁波シールド層13は、絶縁層12よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層12が積層されるが、端部において、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部17を備えている。そして、この突出部17が、基板5の下側に折り込まれることで電極3を直接被覆する。これにより、電極3が突出部17(電磁波シールド層13)に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この突出部17を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
Further, the sealing
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆され、かつ、接続部材7が逃げ部27から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
Through the above steps, the
<第21実施形態>
[封止用フィルム]
次に、本発明の封止用フィルム100の第21実施形態について説明する。<Twenty-first embodiment>
[Sealing film]
Next, a twenty-first embodiment of the sealing
図43は、本発明の封止用フィルムの第21実施形態を示す縦断面図、図44(a)〜(c)は、図43に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図43、図44中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 43 is a longitudinal sectional view showing a twenty-first embodiment of the sealing film of the present invention, and FIGS. 44 (a) to 44 (c) show the sealing of the electronic component mounting substrate using the sealing film shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the stopping method. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIGS. 43 and 44 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
以下、第21実施形態について説明するが、前記第1〜第20実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, the twenty-first embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the first to twentieth embodiments, and the description of the same matters will be omitted.
第21実施形態では、封止用フィルム100が備える電磁波シールド層13および被覆層14の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム100を用いて被覆する電子部品搭載基板45の構成が異なること以外は、前記第1実施形態と同様である。
In the twenty-first embodiment, the configurations of the electromagnetic
封止用フィルム100は、図43、図44に示すように、絶縁層12と、この絶縁層12の一方の面側(上面側)に積層された電磁波シールド層13とを備える積層体で構成されている。すなわち、電磁波シールド層13は、被覆すべき電子部品搭載基板45の反対側(上面側)において、絶縁層12に積層されている。そして、この電磁波シールド層13は、絶縁層12よりも大きく形成され、その端部が絶縁層12の端部(縁部)から露出している。換言すれば、電磁波シールド層13が、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部15を備えている。
43 and 44, the sealing
ここで、封止用フィルム100により被覆される電子部品搭載基板45は、図44に示すように、基板5と、基板5の上面(一方の面)側の中央部に搭載(載置)された電子部品4と、この電子部品4に電気的に接続され、基板5の下面(他方の面)側の端部に形成された電極3とを備えている。このような電子部品搭載基板45において、基板5の上面への電子部品4の搭載および基板5の下面への電極3の形成により、基板5の上面および下面に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成される。なお、基板5としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板5上に搭載する電子部品4としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられ、電極3としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品4を接地するためのグランド電極等が挙げられる。
Here, as shown in FIG. 44, the electronic
このように電子部品4が上面側に搭載された電子部品搭載基板45に対して、電磁波シールド層13を上側にして、封止用フィルム100を用いて封止すると、電子部品4は、絶縁層12を介して電磁波シールド層13で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50は、電子部品4への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
When the electronic
さらに、この封止用フィルム100を用いた被覆の際に、電磁波シールド層13が備える突出部15は、基板5の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板5の下面側の端部に形成された電極3に、この突出部15を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部15は、電磁波シールド層13で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50おいて、この電磁波シールド層13を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することができる。
Furthermore, the projecting
また、前記第1実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、150%以上3500%以下であるが、150%以上2000%以下であることがより好ましく、1000%以上2000%以下であることがさらに好ましい。 Further, as in the first embodiment, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less, more preferably 150% or more and 2000% or less, and more preferably 1000% or more and 2000% or less. More preferably.
この軟化点における伸び率がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム100による電子部品搭載基板45の被覆の際に、電子部品搭載基板45が備える、凸部61と凹部62とからなる凹凸6に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、被覆することができる。そのため、この封止用フィルム100を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、基板5上の電子部品4が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。さらに、基板5の上面側から下面側へ突出部15を折り込ませることで電極3に接触させる際に、突出部15が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
When the elongation at the softening point is within such a range, when the electronic
また、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板5に設けられた凹凸6における段差が具体的な大きさとして、10mm以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム100を凹凸6の形状に対応して追従させることができる。
In addition, by setting the elongation at the softening point of the sealing
封止用フィルム100の全体としての平均厚さは、10μm以上700μm以下であることが好ましく、20μm以上400μm以下であることがより好ましい。封止用フィルム100の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム100の途中において、封止用フィルム100が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム100の軟化点における伸び率を150%以上3500%以下の範囲内に確実に設定することができる。
The average thickness of the sealing
また、封止用フィルム100における、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部15の長さは、特に限定されず、0.1cm以上5.0cm以下であることが好ましく、0.5cm以上2.5cm以下であることがより好ましい。突出部15の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部15を、基板5の上面側から下面側に折り込みつつ、基板5の下面側に位置する電極3に到達させることができるため、突出部15と電極3との電気的な接続を実現することができる。
Further, the length of the protruding
[電子部品搭載基板の封止方法]
次に、上述した本発明の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法(本発明の電子部品搭載基板の封止方法)について説明する。[Method of sealing electronic component mounting board]
Next, the electronic component mounting substrate sealing method (the electronic component mounting substrate sealing method of the present invention) using the above-described sealing film of the present invention will be described.
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板5と電子部品4とを覆うように、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置させつつ、突出部15を、基板5の下面(他方の面)側に折り込むことにより電極3に接触させる配置工程と、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧することで、突出部15が電極3に接触した状態で、基板5と電子部品4とを封止用フィルム100で封止する冷却・加圧工程とを有する。
The electronic component mounting substrate sealing method of this embodiment is such that the sealing
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
(配置工程)
まず、図44(a)に示すように、封止用フィルム100が備える電磁波シールド層13および絶縁層12のうち絶縁層12を、電子部品搭載基板45に対向させた状態で、電子部品搭載基板45が備える基板5と電子部品4とを覆うように、封止用フィルム100を電子部品搭載基板45上に配置する。Hereafter, each process of the sealing method of an electronic component mounting substrate is demonstrated sequentially.
(Arrangement process)
First, as shown in FIG. 44 (a), the electronic component mounting board in a state where the insulating
そして、この際、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部15を、基板5の下面側に折り込み、これにより、突出部15を電極3に接触させる(図44(b))。
At this time, the protruding
(加熱・減圧工程)
次に、図44(b)に示す状態を維持したまま、封止用フィルム100を加熱し軟化させるとともに、減圧する。(Heating and decompression process)
Next, the sealing
このように、封止用フィルム100を加熱することにより、封止用フィルム100すなわち電磁波シールド層13および絶縁層12が軟化し、その結果、基板5の上面側では、基板5に電子部品4を搭載することにより形成された凹凸6の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板5の下面側では、基板5に設けられた電極3の形状に対して、追従し得る状態となる。
Thus, by heating the
また、この際、電子部品搭載基板45および封止用フィルム100を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム100の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間の気体(空気)が脱気される。
At this time, the electronic
これにより、封止用フィルム100が伸展しながら、基板5の上側では、凹凸6の形状、すなわち、基板5上の電子部品4の形状に若干追従した状態となり、基板5の下側では、基板5上の電極3の形状に若干追従した状態となる。
As a result, while the sealing
本工程により、電子部品搭載基板45の上面側に形成された凹凸6の形状、および、下面側に形成された電極3の形状に対して、封止用フィルム100を、追従し得る状態とすることができる。
By this step, the sealing
なお、封止用フィルム100の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム100を、凹凸6の形状および電極3の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
The heating of the sealing
(冷却・加圧工程)
次に、図44(c)に示すように、封止用フィルム100を冷却させるとともに、加圧する。(Cooling / pressurization process)
Next, as shown in FIG. 44C, the sealing
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板45と封止用フィルム100との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム100がさらに伸展することとなる。
Thus, by pressurizing from the decompressed atmosphere, in the heating and decompression step, the space between the electronic
その結果、基板5の上側では凹凸6の形状(電子部品4の形状)、さらに、基板5の下側では電極3の形状に優れた密着度(気密度)で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆される。
As a result, the upper surface of the
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸6の形状に対応して封止用フィルム100が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。
In the heating and depressurizing step, the pressing step can be omitted if the sealing
この際、封止用フィルム100の軟化点における伸び率が150%以上3500%以下となっている。これにより、封止用フィルム100は、この加圧時に、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6および電極3に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム100により、基板5の上側において基板5と電子部品4とを、さらには基板5の下側においては電極3を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板5の上面側から下面側へ突出部15を折り込ませることで電極3に接触させる際に、突出部15が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
At this time, the elongation at the softening point of the sealing
そして、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4とを、さらには電極3を優れた密着性(気密性)をもって被覆した状態で、封止用フィルム100を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム100が固化する。
Then, the sealing
これにより、電子部品搭載基板45に形成された凹凸6の形状に追従した状態で、封止用フィルム100により、基板5の上側において絶縁層12が接触した状態で基板5と電子部品4とが被覆され、基板5の下側において電磁波シールド層13が接触した状態で基板5と電極3が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、湿気や埃等の外部因子と電子部品4および電極3が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
Thereby, the
また、上記のような電子部品搭載基板45の被覆に用いられる封止用フィルム100は、絶縁層12と電磁波シールド層13の積層体で構成されるが、電磁波シールド層13は、絶縁層12よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層12が積層されるが、端部において、絶縁層12の端部を越えて突出することで形成された突出部15を備えている。
The sealing
そのため、本工程において、電磁波シールド層13の中央部では、絶縁層12を介して、電子部品4が被覆される。したがって、電子部品4への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
Therefore, in this step, the
さらに、電磁波シールド層13の端部では、絶縁層12が介在することなく、導電性を有する突出部15が、基板5の下側に折り込まれることで電極3を直接被覆する。これにより、電極3が突出部15(電磁波シールド層13)に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50において、この突出部15を介した電極3と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
Further, at the end portion of the electromagnetic
なお、封止用フィルム100の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸6および電極3の形状に対応して、封止用フィルム100をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
In addition, although cooling of the
上記の工程を経ることで、封止用フィルム100により、基板5と電子部品4と電極3とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板50を得ることができる。
By passing through said process, the film |
以上、本発明の封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。 The sealing film, the sealing method for the electronic component mounting substrate, and the sealing film-covered electronic component mounting substrate of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these.
例えば、本発明の封止用フィルムには、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。また、本発明の封止用フィルムの各実施例を適宜組み合わせてもよい。 For example, the sealing film of the present invention may be added with an arbitrary layer that can exhibit the same function. Moreover, you may combine each Example of the film for sealing of this invention suitably.
さらに、本発明の電子部品搭載基板の封止方法には、1または2以上の任意の工程が追加されていてもよい。 Furthermore, one or two or more arbitrary steps may be added to the electronic component mounting substrate sealing method of the present invention.
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited to this.
(実施例1A)
<封止用フィルムの製造>
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。Example 1A
<Manufacture of sealing film>
In order to obtain the sealing film, the following resins were prepared as the resins constituting each layer of the sealing film to be formed.
まず、絶縁層12を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。First, an ionomer resin (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical, “Himiran 1855”, density 0.940 kg / m 3 , MFR 1.3 g / 10 min (measured at 190 ° C.), melting point 97 ° C.) is used as a resin material constituting the insulating
また、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。In addition, as a resin material included in the electromagnetic
さらに、電磁波シールド層13に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子(福田金属箔粉工業製、「Ag−XF301」、50%粒子径4〜7μm)を用意した。
Further, spherical particles made of silver (“Ag-XF301”, 50
次に、絶縁層12を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層12を成膜し、また、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料を45重量部と導電性粒子を55重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層13を塗工成膜した。次に、上記絶縁膜12および上記電磁波シールド層13をラミネーターにより貼り合わせることによって、電磁波シールド層13/絶縁層12の順に積層された積層体を形成した。その後、絶縁層12の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図1に示すような、突出部15を備える電磁波シールド層13と絶縁層12とで構成される積層体からなる実施例1Aの封止用フィルムを得た。
Next, the insulating
なお、得られた実施例1Aの封止用フィルムの各層の平均厚さ(μm)は、それぞれ、電磁波シールド層13/絶縁層12で100/100μmであり、合計厚さは、200μmであった。
In addition, the average thickness (μm) of each layer of the obtained sealing film of Example 1A was 100/100 μm in the electromagnetic
また、実施例1Aの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ880%であった。 Moreover, it was 880% when the elongation rate in the softening point of the film for sealing of Example 1A was measured.
さらに、実施例1Aの封止用フィルムにおける、25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、51ppm/Kであった。 Furthermore, when the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 degreeC or more and 80 degrees C or less in the film for sealing of Example 1A was measured, it was 51 ppm / K.
<封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造>
まず、任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機(ハイパック社製、「HI−750シリーズ」)が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例1Aの封止用フィルム100を、絶縁層2を電子部品搭載基板45側にして、配置した。<Manufacture of film-coated electronic component mounting substrate for sealing>
First, an arbitrary electronic component mounting board is prepared, and then the electronic component mounting board and the electronic component are covered in a chamber of a skin pack packaging machine (“HI-750 series” manufactured by Hipack). The sealing
次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は125℃であり、チャンバーの圧力は0.4kPaであり、かかる加熱・減圧の条件を1分間保持した。 Next, the sealing film was heated and softened, and the inside of the chamber was decompressed. In addition, the temperature which heated the film for sealing was 125 degreeC, the pressure of the chamber was 0.4 kPa, and the conditions of this heating and pressure reduction were hold | maintained for 1 minute.
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムで被覆された実施例1Aの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。 Next, by returning the inside of the chamber to room temperature and normal pressure, the sealing film was cooled and the inside of the chamber was pressurized. Thereby, the film-covered electronic component mounting substrate for sealing of Example 1A in which the substrate and the electronic component were coated with the sealing film was obtained.
(実施例2A)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を10μmにしたこと以外は、前記実施例1Aと同様にして実施例2Aの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 2A)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 2A were obtained in the same manner as in Example 1A, except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例3A)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を400μmにしたこと以外は、前記実施例1Aと同様にして実施例3Aの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 3A)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 3A were obtained in the same manner as in Example 1A except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例4A)
電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料を20重量部にし導電性粒子を80重量部にし、さらに、電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を10μmにしたこと以外は、前記実施例1Aと同様にして実施例4Aの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 4A)
The same as Example 1A except that the resin material contained in the electromagnetic
(実施例5A)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を400μmにしたこと以外は、前記実施例4Aと同様にして実施例5Aの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 5A)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 5A were obtained in the same manner as in Example 4A, except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例6A)
電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、接着樹脂(三井化学製、「アドマーNF536」)を用意したこと以外は前記実施例1Aと同様にして実施例6Aの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 6A)
The sealing film and sealing film of Example 6A were the same as Example 1A except that an adhesive resin (“Admer NF536” manufactured by Mitsui Chemicals) was prepared as the resin material included in the electromagnetic
(実施例7A)
絶縁層12を構成する樹脂材料として、接着樹脂(三井化学製、「アドマーNF536」)を用意したこと以外は前記実施例1Aと同様にして実施例7Aの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 7A)
The sealing film and sealing film covering of Example 7A were the same as Example 1A except that an adhesive resin (“Admer NF536” manufactured by Mitsui Chemicals) was prepared as the resin material constituting the insulating
(実施例8A)
絶縁層12を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂(「ノーブレンFS2011DG2」、密度0.900g/cm3、メルトインデックス2.0g/10min(230℃測定)、融点160℃)を用意し、形成する絶縁層12の平均厚さ(μm)を50μmとしたこと以外は前記実施例1Aと同様にして実施例8Aの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 8A)
As a resin material constituting the insulating
(比較例1A)
比較例1Aとして、市販の二軸延伸PETフィルム(東洋紡社製、銘柄:E5107)を用意した。(Comparative Example 1A)
As Comparative Example 1A, a commercially available biaxially stretched PET film (manufactured by Toyobo Co., Ltd., brand: E5107) was prepared.
<評価試験>
各実施例(実施例1A〜8A)および比較例(比較例1A)で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。以下に、これらの評価方法について説明する。<Evaluation test>
About the film for sealing or the film-coated electronic component mounting substrate prepared in each Example (Examples 1A to 8A) and Comparative Example (Comparative Example 1A), shape followability, wrinkle generation, electromagnetic wave shielding And the conductivity was evaluated. Below, these evaluation methods are demonstrated.
<<形状追従性>>
形状追従性は、以下のようにして評価した。<< Shape followability >>
The shape followability was evaluated as follows.
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、被覆した凹凸における空隙の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、空隙の有無は、顕微鏡を用いて観察した。 That is, the sealing film-covered electronic component mounting substrate produced in each example and comparative example was determined based on the following evaluation criteria depending on the presence or absence of voids in the coated unevenness. The presence or absence of voids was observed using a microscope.
各符号は以下のとおりであり、AおよびBを合格とし、Cを不合格とした。
A:段差の底部にまで、充填された状態で被覆されている
B:段差の底部において若干の空隙が形成されているものの、ほぼ全体に亘って充填された状態で被覆されている
C:段差の底部において明らかな空隙が形成された状態で被覆されているEach code | symbol is as follows, A and B were set as the pass, and C was set as the failure.
A: Covered in a filled state up to the bottom of the step B: Although a slight gap is formed in the bottom of the step, it is covered in a fully filled state C: Step It is covered with a clear gap formed at the bottom of
<<シワの有無>>
シワの有無は、以下のようにして評価した。<< Wrinkle presence >>
The presence or absence of wrinkles was evaluated as follows.
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、被覆した上面におけるシワの有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、シワの有無は、マイクロスコープを用いて観察した。 That is, the sealing film-covered electronic component mounting substrate produced in each Example and Comparative Example was determined based on the following evaluation criteria depending on the presence or absence of wrinkles on the coated top surface. The presence or absence of wrinkles was observed using a microscope.
各符号は以下のとおりであり、Aを合格とし、Bを不合格とした。
A:封止用フィルムの上面の全体にシワが認められない
B:封止用フィルムの上面の凸部に対応する位置に明らかなシワが認められるEach code | symbol is as follows, A was set as the pass and B was set as the failure.
A: No wrinkles are observed on the entire top surface of the sealing film. B: Clear wrinkles are observed at positions corresponding to the convex portions on the top surface of the sealing film.
<<電磁波シールド性>>
電磁波シールド性は、以下のようにして評価した。<< Electromagnetic wave shielding properties >>
The electromagnetic shielding properties were evaluated as follows.
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルムについて、KEC法(電界)を用いて、周波数0.001〜1GHzの範囲内における電磁波シールド効果の値を測定し、周波数0.01GHz以上1GHz以下の範囲内における電磁波シールド効果の最小値を求めた。そして、求められた最小値を、以下の評価基準に基づいて判断した。 That is, for the sealing films produced in each Example and Comparative Example, using the KEC method (electric field), the value of the electromagnetic wave shielding effect within the frequency range of 0.001 to 1 GHz is measured, and the frequency is 0.01 GHz or more. The minimum value of the electromagnetic wave shielding effect within the range of 1 GHz or less was obtained. And the calculated | required minimum value was judged based on the following evaluation criteria.
各符号は以下のとおりであり、Aを合格とし、Bを不合格とした。
A:電磁波シールド効果の最小値が20dB以上である
B:電磁波シールド効果の最小値が20dB未満であるEach code | symbol is as follows, A was set as the pass and B was set as the failure.
A: The minimum value of the electromagnetic wave shielding effect is 20 dB or more. B: The minimum value of the electromagnetic wave shielding effect is less than 20 dB.
なお、KEC法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ(送信用の治具)から送信された電磁波を、シート状をなす封止用フィルムを介して、受信アンテナ(受信用の治具)で受信することで実施することができ、かかるKEC法では、受信アンテナにおいて、封止用フィルムを通過(透過)した電磁波が測定されるすなわち、送信された電磁波(信号)が電磁波シールド層により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定される。 The KEC method is a method for evaluating the shielding effect of electromagnetic waves generated in the near field separately for electric and magnetic fields. Measurements using this method are based on electromagnetic waves transmitted from a transmitting antenna (transmission jig). Can be received by a receiving antenna (receiving jig) through a sheet-like sealing film. In such a KEC method, the receiving antenna passes through the sealing film ( The transmitted electromagnetic wave is measured, that is, how much the transmitted electromagnetic wave (signal) is attenuated on the receiving antenna side by the electromagnetic wave shielding layer.
<<導電性>>
電磁波シールド層における導電性の有無は、以下のようにして評価した。<< Conductivity >>
The presence or absence of conductivity in the electromagnetic wave shielding layer was evaluated as follows.
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、電磁波シールド層が備える突出部において、電源と接続し、電子部品の駆動の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。 That is, the sealing film-covered electronic component mounting substrate produced in each example and comparative example is connected to a power source at the protruding portion provided in the electromagnetic wave shielding layer, and based on the following evaluation criteria depending on whether or not the electronic component is driven. Judged.
各符号は以下のとおりであり、Aを合格とし、Bを不合格とした。
A:電子部品の駆動が認められる
B:電子部品の駆動が認められない
以上の各実施例および比較例の評価試験の結果を表1に示す。Each code | symbol is as follows, A was set as the pass and B was set as the failure.
A: Driving of electronic components is recognized B: Driving of electronic components is not recognized Table 1 shows the results of the evaluation tests of the above examples and comparative examples.
表1から明らかなように、実施例1A〜8Aの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。 As is clear from Table 1, in the sealing films of Examples 1A to 8A, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less, so that the gap at the bottom of the recess, and further the sealing film The generation of wrinkles on the upper surface can be suppressed or prevented, and the electronic component mounting substrate can be coated. Moreover, the electrical continuity between the external power source and the electrode could be confirmed through the protrusion provided in the electromagnetic wave shielding layer.
これに対して、比較例1Aの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が150%未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。 On the other hand, in the sealing film of Comparative Example 1A, the elongation at the softening point is less than 150%, and due to this, when covering the electronic component mounting substrate with the sealing film, As a result, voids at the bottom and wrinkles on the top surface of the sealing film were clearly generated.
(実施例1B)
<封止用フィルムの製造>
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。(Example 1B)
<Manufacture of sealing film>
In order to obtain the sealing film, the following resins were prepared as the resins constituting each layer of the sealing film to be formed.
まず、絶縁層12および被覆層14を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。First, as a resin material constituting the insulating
また、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。In addition, as a resin material included in the electromagnetic
さらに、電磁波シールド層13に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子(福田金属箔粉工業製、「Ag−XF301」、50%粒子径4〜7μm)を用意した。
Further, spherical particles made of silver (“Ag-XF301”, 50
次に、絶縁層12を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層12を成膜した。その後、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料45重量部と導電性粒子55重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層12上に電磁波シールド層13を塗工成膜した。次に、被覆層14を構成する樹脂を用いてコンマコーターにより被覆層14を電磁波シールド層13上に塗工成膜し、上記絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14をラミネーターにより貼り合わせることによって、被覆層14/電磁波シールド層13/絶縁層12の順に積層された積層体を形成した後、絶縁層12の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図9に示すような、突出部17を備える絶縁層12と電磁波シールド層13と被覆層14とで構成される積層体からなる実施例1Bの封止用フィルムを得た。
Next, the insulating
なお、得られた実施例1Bの封止用フィルムの各層の平均厚さ(μm)は、それぞれ、被覆層14/電磁波シールド層13/絶縁層12で50/100/50μmであり、合計厚さは、200μmであり、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部17の長さは、2.0cmであった。
The average thickness (μm) of each layer of the sealing film of Example 1B obtained was 50/100/50 μm for the
また、実施例1Bの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ890%であった。 Moreover, it was 890% when the elongation rate in the softening point of the film for sealing of Example 1B was measured.
さらに、実施例1Bの封止用フィルムにおける、25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、53ppm/Kであった。 Furthermore, when the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 degreeC or more and 80 degrees C or less in the film for sealing of Example 1B was measured, it was 53 ppm / K.
<封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造>
まず、基板上に電子部品が搭載され、さらに、基板の下面の縁部に電極が形成された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機(ハイパック社製、「HI−750シリーズ」)が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例1Bの封止用フィルム100を、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして配置し、さらに、突出部17を、基板5の下面側に折り込むことで電極3に接触させた。<Manufacture of film-coated electronic component mounting substrate for sealing>
First, an electronic component mounting substrate having electronic components mounted on the substrate and electrodes formed on the edge of the lower surface of the substrate is prepared, and then a skin pack packaging machine (Hi-Pac, “HI- 750 series "), the sealing
次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は125℃であり、チャンバー内の圧力は0.4kPaであり、かかる加熱・減圧の条件を1分間保持した。 Next, the sealing film was heated and softened, and the inside of the chamber was decompressed. In addition, the temperature which heated the film for sealing was 125 degreeC, the pressure in a chamber was 0.4 kPa, and the conditions of this heating and pressure reduction were hold | maintained for 1 minute.
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で電極が被覆された実施例1Bの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。 Next, by returning the inside of the chamber to room temperature and normal pressure, the sealing film was cooled and the inside of the chamber was pressurized. Thus, the sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 1B in which the substrate and the electronic component are covered with the insulating layer included in the sealing film and the electrode is covered with the electromagnetic wave shielding layer included in the sealing film. Obtained.
(実施例2B)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を10μmとしたこと以外は、前記実施例1Bと同様にして実施例2Bの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 2B)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 2B were obtained in the same manner as in Example 1B, except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例3B)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を400μmとしたこと以外は、前記実施例1Bと同様にして実施例3Bの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 3B)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 3B were obtained in the same manner as in Example 1B except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例4B)
電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料を20重量部とし導電性粒子を80重量部とし、さらに、電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を10μmとしたこと以外は、前記実施例1Bと同様にして実施例4Bの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 4B)
The same as Example 1B except that the resin material contained in the electromagnetic
(実施例5B)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を400μmとしたこと以外は、前記実施例4Bと同様にして実施例5Bの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 5B)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 5B were obtained in the same manner as in Example 4B, except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例6B)
電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、接着樹脂(三井化学製、「アドマーNF536」)を用意したこと以外は前記実施例1Bと同様にして実施例6Bの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 6B)
The sealing film and sealing film of Example 6B were the same as Example 1B except that an adhesive resin (“Admer NF536” manufactured by Mitsui Chemicals) was prepared as the resin material included in the electromagnetic
(実施例7B)
絶縁層12および被覆層14を構成する樹脂材料として、接着樹脂(三井化学製、「アドマーNF536」)を用意したこと以外は前記実施例1Bと同様にして実施例7Bの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 7B)
The sealing film and sealing of Example 7B were the same as Example 1B except that an adhesive resin (“Admer NF536” manufactured by Mitsui Chemicals) was prepared as the resin material constituting the insulating
(実施例8B)
絶縁層12および被覆層14を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂(「ノーブレンFS2011DG2」、密度0.900g/cm3、メルトインデックス2.0g/10min(230℃測定)、融点160℃)を用意し、形成する絶縁層12および被覆層14の平均厚さ(μm)を25μmとしたこと以外は前記実施例1Bと同様にして実施例8Bの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 8B)
A polyolefin resin (“Noblen FS2011DG2”, density 0.900 g / cm 3 , melt index 2.0 g / 10 min (measured at 230 ° C.), melting point 160 ° C.) is prepared as a resin material constituting the insulating
(参考例1B)
参考例1Bとして、市販の二軸延伸PETフィルム(東洋紡社製、銘柄:E5107)を用意した。(Reference Example 1B)
As Reference Example 1B, a commercially available biaxially stretched PET film (manufactured by Toyobo Co., Ltd., brand: E5107) was prepared.
<評価試験>
各実施例(1B〜8B)および参考例(参考例1B)で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例1A〜8Aに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。
各実施例および参考例の評価試験の結果を表2に示す。<Evaluation test>
About the sealing film produced by each Example (1B-8B) and the reference example (Reference example 1B) or the film-clad electronic component mounting substrate for sealing, the evaluation method performed with respect to Example 1A-8A mentioned above was performed. It was used to evaluate shape followability, the presence or absence of wrinkles, electromagnetic shielding properties and electrical conductivity.
Table 2 shows the results of the evaluation test of each example and reference example.
表2から明らかなように、実施例1B〜8Bの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。 As is clear from Table 2, in the sealing films of Examples 1B to 8B, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less, so that the gap at the bottom of the recess, and further the sealing film The generation of wrinkles on the upper surface can be suppressed or prevented, and the electronic component mounting substrate can be coated. Moreover, the electrical continuity between the external power source and the electrode could be confirmed through the protrusion provided in the electromagnetic wave shielding layer.
これに対して、参考例1Bの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が150%未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。 On the other hand, in the sealing film of Reference Example 1B, the elongation at the softening point is less than 150%, and due to this, when covering the electronic component mounting substrate with the sealing film, As a result, voids at the bottom and wrinkles on the top surface of the sealing film were clearly generated.
(実施例1C)
<封止用フィルムの製造>
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。(Example 1C)
<Manufacture of sealing film>
In order to obtain the sealing film, the following resins were prepared as the resins constituting each layer of the sealing film to be formed.
まず、絶縁層12を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。First, an ionomer resin (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical, “Himiran 1855”, density 0.940 kg / m 3 , MFR 1.3 g / 10 min (measured at 190 ° C.), melting point 97 ° C.) is used as a resin material constituting the insulating
また、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。In addition, as a resin material included in the electromagnetic
さらに、電磁波シールド層13に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子(福田金属箔粉工業製、「Ag−XF301」、50%粒子径4〜7μm)を用意した。
Further, spherical particles made of silver (“Ag-XF301”, 50
次に、絶縁層12を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層12を成膜した。その後、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料45重量部と導電性粒子55重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層12上に、突出部16が形成されるように、電磁波シールド層13を塗工成膜した。その後、上記絶縁層12および上記電磁波シールド層13をラミネーターにより貼り合わせた。これにより、図17に示すような、電磁波シールド層13/絶縁層12の順に積層された積層体で構成され、縁部に突出部16を備える実施例1Cの封止用フィルムを得た。
Next, the insulating
なお、得られた実施例1Cの封止用フィルムの各層の平均厚さ(μm)は、それぞれ、電磁波シールド層13/絶縁層12で100/100μmであり、合計厚さは、200μmであり、突出部16の長さは、2.0cmであった。
In addition, the average thickness (μm) of each layer of the obtained sealing film of Example 1C is 100/100 μm respectively in the electromagnetic
また、実施例1Cの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ880%であった。 Moreover, it was 880% when the elongation rate in the softening point of the film for sealing of Example 1C was measured.
さらに、実施例1Cの封止用フィルムにおける、25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、51ppm/Kであった。 Furthermore, when the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 degreeC or more and 80 degrees C or less in the film for sealing of Example 1C was measured, it was 51 ppm / K.
<封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造>
まず、基板上に電子部品が搭載された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機(ハイパック社製、「HI−750シリーズ」)が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例1Cの封止用フィルム100を、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして配置し、さらに、突出部16を、基板5の下面側に折り込むことで端部51に接触させた。<Manufacture of film-coated electronic component mounting substrate for sealing>
First, an arbitrary electronic component mounting board on which electronic components are mounted on a substrate is prepared, and then the electronic component mounting board is installed in a chamber provided in a skin pack packaging machine (“HI-750 series” manufactured by Hipack). The sealing
次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は125℃であり、チャンバー内の圧力は0.4kPaであり、かかる加熱・減圧の条件を1分間保持した。 Next, the sealing film was heated and softened, and the inside of the chamber was decompressed. In addition, the temperature which heated the film for sealing was 125 degreeC, the pressure in a chamber was 0.4 kPa, and the conditions of this heating and pressure reduction were hold | maintained for 1 minute.
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層12で被覆され、折り込まれた突出部16で基板の下面側の端部51が被覆された実施例1Cの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。
Next, by returning the inside of the chamber to room temperature and normal pressure, the sealing film was cooled and the inside of the chamber was pressurized. Thereby, the board | substrate and the electronic component were coat | covered with the insulating
(実施例2C)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を10μmとしたこと以外は、前記実施例1Cと同様にして実施例2Cの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 2C)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 2C were obtained in the same manner as in Example 1C, except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例3C)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を400μmとしたこと以外は、前記実施例1Cと同様にして実施例3Cの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 3C)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 3C were obtained in the same manner as in Example 1C, except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例4C)
電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料を20重量部とし導電性粒子を80重量部とし、さらに、電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を10μmとしたこと以外は、前記実施例1Cと同様にして実施例4Cの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 4C)
The same as Example 1C except that the resin material contained in the electromagnetic
(実施例5C)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を400μmとしたこと以外は、前記実施例4Cと同様にして実施例5Cの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 5C)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 5C were obtained in the same manner as in Example 4C, except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例6C)
電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、接着樹脂(三井化学製、「アドマーNF536」)を用意したこと以外は前記実施例1Cと同様にして実施例6Cの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 6C)
The sealing film and the sealing film of Example 6C were the same as Example 1C except that an adhesive resin (“Admer NF536” manufactured by Mitsui Chemicals) was prepared as the resin material included in the electromagnetic
(実施例7C)
絶縁層12を構成する樹脂材料として、接着樹脂(三井化学製、「アドマーNF536」)を用意したこと以外は前記実施例1Cと同様にして実施例7Cの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 7C)
The sealing film and sealing film covering of Example 7C were the same as Example 1C except that an adhesive resin (“Admer NF536” manufactured by Mitsui Chemicals) was prepared as the resin material constituting the insulating
(実施例8C)
絶縁層12を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂(「ノーブレンFS2011DG2」、密度0.900g/cm3、メルトインデックス2.0g/10min(230℃測定)、融点160℃)を用意し、形成する絶縁層12の平均厚さ(μm)を50μmとしたこと以外は前記実施例1Cと同様にして実施例8Cの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 8C)
As a resin material constituting the insulating
(実施例9C)
封止用フィルムを以下のようにして製造したこと以外は、前記実施例1Cと同様にして、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層12で被覆され、折り込まれた積層突出部65で基板の下面側の端部51が被覆された実施例9Cの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 9C)
Except that the sealing film was manufactured as described below, the laminated protrusions in which the substrate and the electronic component were covered with the insulating
<封止用フィルムの製造>
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。<Manufacture of sealing film>
In order to obtain the sealing film, the following resins were prepared as the resins constituting each layer of the sealing film to be formed.
まず、絶縁層12および被覆層14を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂(「ノーブレンFS2011DG2」、密度0.900g/cm3、メルトインデックス2.0g/10min(230℃測定)、融点160℃)を用意した。First, a polyolefin resin (“Noblen FS2011DG2”, density 0.900 g / cm 3 , melt index 2.0 g / 10 min (230 ° C. measurement), melting point 160 ° C.) is used as a resin material constituting the insulating
また、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。In addition, as a resin material included in the electromagnetic
さらに、電磁波シールド層13に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子(福田金属箔粉工業製、「Ag−XF301」、50%粒子径4〜7μm)を用意した。
Further, spherical particles made of silver (“Ag-XF301”, 50
次に、絶縁層12を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層12を成膜した。その後、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料を45重量部と導電性粒子を55重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層12上に、突出部16が形成されるように、電磁波シールド層13を塗工成膜した。さらに、被覆層14を構成する樹脂を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層13上に、突出部15が形成されるように、被覆層14を塗工成膜し、上記絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14をラミネーターにより貼り合わせた。これにより、図21に示すような、被覆層14/電磁波シールド層13/絶縁層12の順に積層された積層体で構成され、縁部に積層突出部65を備える実施例9Cの封止用フィルムを得た。
Next, the insulating
なお、得られた実施例9Cの封止用フィルムの各層の平均厚さ(μm)は、それぞれ、被覆層14/電磁波シールド層13/絶縁層12で50/100/50μmであり、合計厚さは、200μmであり、積層突出部65の長さは、2.0cmであった。
The average thickness (μm) of each layer of the sealing film of Example 9C obtained was 50/100/50 μm for the
また、実施例9Cの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ3400%であった。 Moreover, it was 3400% when the elongation rate in the softening point of the film for sealing of Example 9C was measured.
さらに、実施例9Cの封止用フィルムにおける、25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、6ppm/Kであった。 Furthermore, when the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 degreeC or more and 80 degrees C or less in the film for sealing of Example 9C was measured, it was 6 ppm / K.
(比較例1C)
比較例1Cとして、市販の二軸延伸PETフィルム(東洋紡社製、銘柄:E5107)を用意した。(Comparative Example 1C)
As Comparative Example 1C, a commercially available biaxially stretched PET film (manufactured by Toyobo Co., Ltd., brand: E5107) was prepared.
<評価試験>
各実施例(実施例1C〜9C)および比較例(比較例1C)で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例1A〜8Aに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無および電磁波シールド性の評価を行った。また、各実施例および比較例で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、端部被覆性を以下の評価方法を用いて評価した。<Evaluation test>
Evaluation performed on Examples 1A to 8A described above for the sealing film or the film-coated electronic component mounting substrate prepared in each Example (Examples 1C to 9C) and Comparative Example (Comparative Example 1C) The method was used to evaluate shape followability, the presence or absence of wrinkles, and electromagnetic shielding properties. Moreover, about the sealing film produced by each Example and the comparative example or the film covering electronic component mounting board | substrate for sealing, edge part coverage was evaluated using the following evaluation methods.
<<端部被覆性>>
端部被覆性(形状追従性)は、以下のようにして評価した。<< End coverage >>
The end coverage (shape followability) was evaluated as follows.
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、積層突出部による基板の下面の端部における被覆での剥離の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、剥離の有無は、顕微鏡を用いて観察した。 That is, the sealing film-covered electronic component mounting substrate produced in each Example and Comparative Example was judged based on the following evaluation criteria, depending on whether or not there was peeling at the end of the lower surface of the substrate by the laminated protrusions. . In addition, the presence or absence of peeling was observed using a microscope.
各符号は以下のとおりであり、Aを合格とし、Bを不合格とした。
A:下面の端部において積層突出部の剥離が認められない
B:下面の端部において積層突出部の剥離が認められる
各実施例および参考例の評価試験の結果を表3に示す。Each code | symbol is as follows, A was set as the pass and B was set as the failure.
A: No peeling of the laminate protrusion at the end of the lower surface B: No peeling of the laminate protrusion at the end of the lower surface Table 3 shows the results of the evaluation tests of the examples and reference examples.
表3から明らかなように、実施例1C〜9Cの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、積層突出部を折り込むことで、積層突出部による基板の下面における端部の被覆が可能であった。 As is clear from Table 3, in the sealing films of Examples 1C to 9C, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less, so that the gap at the bottom of the recess, and further the sealing film The generation of wrinkles on the upper surface can be suppressed or prevented, and the electronic component mounting substrate can be coated. Further, by folding the laminated protrusion, it was possible to cover the end portion of the lower surface of the substrate with the laminated protrusion.
これに対して、比較例1Cの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が150%未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙、封止用フィルムの上面におけるシワ、さらには、積層突出部と基板下面の端部との間における剥離が明らかに発生する結果となった。 On the other hand, in the sealing film of Comparative Example 1C, the elongation at the softening point is less than 150%, and due to this, when covering the electronic component mounting substrate with the sealing film, As a result, gaps at the bottom, wrinkles on the top surface of the sealing film, and separation between the laminated protrusion and the end of the bottom surface of the substrate were clearly generated.
(実施例1D)
<封止用フィルムの製造>
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。(Example 1D)
<Manufacture of sealing film>
In order to obtain the sealing film, the following resins were prepared as the resins constituting each layer of the sealing film to be formed.
まず、絶縁層(最内層)12を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。First, as a resin material constituting the insulating layer (innermost layer) 12, an ionomer resin (manufactured by Mitsui DuPont Polychemicals, “Himiran 1855”, density 0.940 kg / m 3 , MFR 1.3 g / 10 min (measured at 190 ° C.), melting point 97 ° C.) was prepared.
また、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。In addition, as a resin material included in the electromagnetic
さらに、電磁波シールド層13に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子(福田金属箔粉工業製、「Ag−XF301」、50%粒子径4〜7μm)を用意した。
Further, spherical particles made of silver (“Ag-XF301”, 50
次に、絶縁層12を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層12を成膜した。その後、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料を45重量部と導電性粒子を55重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層12上に電磁波シールド層13を塗工成膜した。次に、上記絶縁層12および上記電磁波シールド層13をラミネーターにより貼り合わせることによって、絶縁層12/電磁波シールド層13の順に積層された積層体を形成した後、この積層体の端部を切り取ることで逃げ部27を形成し、その後、絶縁層12の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図41に示すような、突出部17を備える絶縁層12と電磁波シールド層13とで構成され、逃げ部27を有する積層体からなる実施例1Dの封止用フィルムを得た。
Next, the insulating
なお、得られた実施例1Dの封止用フィルムの各層の平均厚さ(μm)は、それぞれ、電磁波シールド層13/絶縁層12で100/100μmであり、合計厚さは、200μmであり、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部17の長さは、2.0cmであった。
In addition, the average thickness (μm) of each layer of the obtained sealing film of Example 1D is 100/100 μm respectively in the electromagnetic
また、実施例1Dの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ880%であった。 Moreover, it was 880% when the elongation rate in the softening point of the film for sealing of Example 1D was measured.
さらに、実施例1Dの封止用フィルムにおける、25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、51ppm/Kであった。 Furthermore, when the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 degreeC or more and 80 degrees C or less in the film for sealing of Example 1D was measured, it was 51 ppm / K.
<封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造>
まず、基板上の中央部に電子部品が搭載されるとともに、その縁部に接続部材が搭載され、さらに、基板の下面の縁部に電極が形成された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機(ハイパック社製、「HI−750シリーズ」)が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆い、かつ、接続部材が逃げ部から露出するように形成された実施例1Dの封止用フィルム100を、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして配置し、さらに、突出部17を、基板5の下面側に折り込むことで電極3に接触させた。<Manufacture of film-coated electronic component mounting substrate for sealing>
First, an electronic component is mounted on the central portion of the substrate, a connection member is mounted on the edge portion thereof, and an arbitrary electronic component mounting substrate having electrodes formed on the edge portion of the lower surface of the substrate is prepared, Thereafter, in the chamber provided in the skin pack packaging machine (“HI-750 series” manufactured by Hipack Co., Ltd.), the substrate and the electronic component included in the electronic component mounting substrate are covered, and the connecting member is exposed from the escape portion. The sealing
次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は125℃であり、チャンバーの圧力は0.4kPaであり、かかる加熱・減圧の条件を1分間保持した。 Next, the sealing film was heated and softened, and the inside of the chamber was decompressed. In addition, the temperature which heated the film for sealing was 125 degreeC, the pressure of the chamber was 0.4 kPa, and the conditions of this heating and pressure reduction were hold | maintained for 1 minute.
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、接続部材が逃げ部から露出した状態で、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、さらに、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で電極が被覆された実施例1Dの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。 Next, by returning the inside of the chamber to room temperature and normal pressure, the sealing film was cooled and the inside of the chamber was pressurized. In this way, with the connecting member exposed from the escape portion, the substrate and the electronic component are covered with the insulating layer provided in the sealing film, and the electrode is further covered with the electromagnetic wave shielding layer provided in the sealing film. A film-coated electronic component mounting substrate for sealing of Example 1D was obtained.
(実施例2D)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を10μmとしたこと以外は、前記実施例1Dと同様にして実施例2Dの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 2D)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 2D were obtained in the same manner as in Example 1D, except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例3D)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を400μmとしたこと以外は、前記実施例1Dと同様にして実施例3Dの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 3D)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 3D were obtained in the same manner as in Example 1D except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例4D)
電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料を20重量部とし導電性粒子を80重量部とし、さらに、電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を10μmとしたこと以外は、前記実施例1Dと同様にして実施例4Dの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 4D)
The same as Example 1D except that the resin material contained in the electromagnetic
(実施例5D)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を400μmとしたこと以外は、前記実施例4Dと同様にして実施例5Dの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 5D)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 5D were obtained in the same manner as in Example 4D except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例6D)
電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、接着樹脂(三井化学製、「アドマーNF536」)を用意したこと以外は前記実施例1Dと同様にして実施例6Dの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 6D)
The sealing film and sealing film of Example 6D were the same as Example 1D except that an adhesive resin (“Admer NF536” manufactured by Mitsui Chemicals) was prepared as the resin material included in the electromagnetic
(実施例7)
絶縁層12を構成する樹脂材料として、接着樹脂(三井化学製、「アドマーNF536」)を用意したこと以外は前記実施例1Dと同様にして実施例7Dの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 7)
The sealing film and sealing film covering of Example 7D were the same as Example 1D except that an adhesive resin (“Admer NF536” manufactured by Mitsui Chemicals) was prepared as the resin material constituting the insulating
(実施例8)
絶縁層12を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂(「ノーブレンFS2011DG2」、密度0.900g/cm3、メルトインデックス2.0g/10min(230℃測定)、融点160℃)を用意し、形成する絶縁層12の平均厚さ(μm)を50μmとしたこと以外は前記実施例1Dと同様にして実施例8Dの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 8)
As a resin material constituting the insulating
(実施例9D)
封止用フィルムを以下のようにして製造したこと以外は、前記実施例1Dと同様にして、接続部材が逃げ部から露出した状態で、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、さらに、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で電極が被覆された実施例9Dの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 9D)
Except that the sealing film was manufactured as follows, the insulating layer provided in the sealing film on the substrate and the electronic component with the connecting member exposed from the escape portion in the same manner as in Example 1D In addition, the sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 9D in which the electrode was covered with the electromagnetic wave shielding layer included in the sealing film was obtained.
<封止用フィルムの製造>
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。<Manufacture of sealing film>
In order to obtain the sealing film, the following resins were prepared as the resins constituting each layer of the sealing film to be formed.
まず、絶縁層12および被覆層(最外層)14を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂(「ノーブレンFS2011DG2」、密度0.900g/cm3、メルトインデックス2.0g/10min(230℃測定)、融点160℃)を用意した。First, as a resin material constituting the insulating
また、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。In addition, as a resin material included in the electromagnetic
さらに、電磁波シールド層13に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子(福田金属箔粉工業製、「Ag−XF301」、50%粒子径4〜7μm)を用意した。
Further, spherical particles made of silver (“Ag-XF301”, 50
次に、絶縁層12を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層12を成膜した。その後、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料を45重量部と導電性粒子を55重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層12上に電磁波シールド層13を塗工成膜した。さらに、被覆層14を構成する樹脂を用いてコンマコーターにより被覆層14を電磁波シールド層13上に塗工成膜した。その後、上記絶縁層12、電磁波シールド層13および被覆層14をラミネーターにより貼り合わせることによって、被覆層14/電磁波シールド層13/絶縁層12の順に積層された積層体を形成した後、この積層体の端部を切り取ることで逃げ部27を形成し、その後、絶縁層12の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図39に示すような、突出部17を備える絶縁層12と電磁波シールド層13と被覆層14とで構成され、逃げ部27を有する積層体からなる実施例9Dの封止用フィルムを得た。
Next, the insulating
なお、得られた実施例9Dの封止用フィルムの各層の平均厚さ(μm)は、それぞれ、絶縁層12/電磁波シールド層13/被覆層14で50/100/50μmであり、合計厚さは、200μmであり、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部17の長さは、2.0cmであった。
The average thickness (μm) of each layer of the sealing film of Example 9D obtained was 50/100/50 μm for the insulating
また、実施例9Dの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ3400%であった。 Moreover, it was 3400% when the elongation rate in the softening point of the film for sealing of Example 9D was measured.
さらに、実施例9Dの封止用フィルムにおける、25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、6ppm/Kであった。 Furthermore, when the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 degreeC or more and 80 degrees C or less in the film for sealing of Example 9D was measured, it was 6 ppm / K.
(参考例1D)
参考例1Dとして、市販の二軸延伸PETフィルム(東洋紡社製、銘柄:E5107)を用意した。(Reference Example 1D)
As Reference Example 1D, a commercially available biaxially stretched PET film (manufactured by Toyobo Co., Ltd., brand: E5107) was prepared.
<評価試験>
各実施例(実施例1D〜9D)および参考例(参考例1D)で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例1A〜8Aに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。
各実施例および参考例の評価試験の結果を表4に示す。<Evaluation test>
Evaluation performed on Examples 1A to 8A described above for the sealing film or the film-coated electronic component mounting substrate prepared in each Example (Examples 1D to 9D) and Reference Example (Reference Example 1D) Using the method, shape followability, presence / absence of wrinkles, electromagnetic shielding properties and conductivity were evaluated.
Table 4 shows the results of the evaluation tests of the examples and reference examples.
表4から明らかなように、実施例1D〜9Dの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。 As is apparent from Table 4, in the sealing films of Examples 1D to 9D, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less, so that the gap at the bottom of the recess, and further the sealing film The generation of wrinkles on the upper surface can be suppressed or prevented, and the electronic component mounting substrate can be coated. Moreover, the electrical continuity between the external power source and the electrode could be confirmed through the protrusion provided in the electromagnetic wave shielding layer.
これに対して、参考例1Dの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が150%未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。 On the other hand, in the sealing film of Reference Example 1D, the elongation at the softening point is less than 150%, and due to this, when covering the electronic component mounting substrate with the sealing film, As a result, voids at the bottom and wrinkles on the top surface of the sealing film were clearly generated.
(実施例1E)
<封止用フィルムの製造>
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。(Example 1E)
<Manufacture of sealing film>
In order to obtain the sealing film, the following resins were prepared as the resins constituting each layer of the sealing film to be formed.
まず、絶縁層12を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。First, an ionomer resin (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical, “Himiran 1855”, density 0.940 kg / m 3 , MFR 1.3 g / 10 min (measured at 190 ° C.), melting point 97 ° C.) is used as a resin material constituting the insulating
また、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂(三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン1855」、密度0.940kg/m3、MFR1.3g/10min(190℃測定)、融点97℃)を用意した。In addition, as a resin material included in the electromagnetic
さらに、電磁波シールド層13に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子(福田金属箔粉工業製、「Ag−XF301」、50%粒子径4〜7μm)を用意した。
Further, spherical particles made of silver (“Ag-XF301”, 50
次に、絶縁層12を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層12を成膜した。また、電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料を45重量部と導電性粒子を55重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層13を塗工成膜した。その後、上記絶縁層12および上記電磁波シールド層13をラミネーターにより貼り合わせることによって、電磁波シールド層13/絶縁層12の順に積層された積層体を形成した。その後、絶縁層12の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図43に示すような、突出部15を備える電磁波シールド層13と絶縁層12とで構成される積層体からなる実施例1Eの封止用フィルムを得た。
Next, the insulating
なお、得られた実施例1Eの封止用フィルムの各層の平均厚さ(μm)は、それぞれ、電磁波シールド層13/絶縁層12で100/100μmであり、合計厚さは、200μmであり、絶縁層12の端部を越えて突出する突出部15の長さは、2.0cmであった。
In addition, the average thickness (μm) of each layer of the obtained sealing film of Example 1E is 100/100 μm respectively in the electromagnetic
また、実施例1Eの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ880%であった。 Moreover, it was 880% when the elongation rate in the softening point of the film for sealing of Example 1E was measured.
さらに、実施例1Eの封止用フィルムにおける、25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、51ppm/Kであった。 Furthermore, when the linear expansion coefficient in the temperature range of 25 degreeC or more and 80 degrees C or less in the film for sealing of Example 1E was measured, it was 51 ppm / K.
<封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造>
まず、基板上に電子部品が搭載され、さらに、基板の下面の縁部に電極が形成された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機(ハイパック社製、「HI−750シリーズ」)が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例1Eの封止用フィルム100を、絶縁層12を電子部品搭載基板45側にして配置し、さらに、突出部15を、基板5の下面側に折り込むことで電極3に接触させた。<Manufacture of film-coated electronic component mounting substrate for sealing>
First, an electronic component mounting substrate having electronic components mounted on the substrate and electrodes formed on the edge of the lower surface of the substrate is prepared, and then a skin pack packaging machine (Hi-Pac, “HI- 750 series "), the sealing
次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は125℃であり、チャンバー内の圧力は0.4kPaであり、かかる加熱・減圧の条件を1分間保持した。 Next, the sealing film was heated and softened, and the inside of the chamber was decompressed. In addition, the temperature which heated the film for sealing was 125 degreeC, the pressure in a chamber was 0.4 kPa, and the conditions of this heating and pressure reduction were hold | maintained for 1 minute.
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、電極が、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で被覆された実施例1Eの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。 Next, by returning the inside of the chamber to room temperature and normal pressure, the sealing film was cooled and the inside of the chamber was pressurized. Thereby, the board | substrate and electronic component were coat | covered with the insulating layer with which the film for sealing is equipped, and the film was covered with the electromagnetic wave shielding layer with which the film for sealing was equipped with the film-coated electronic component mounting board for Example 1E Got.
(実施例2E)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を10μmとしたこと以外は、前記実施例1Eと同様にして実施例2Eの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 2E)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 2E were obtained in the same manner as in Example 1E, except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例3E)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を400μmとしたこと以外は、前記実施例1Eと同様にして実施例3Eの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 3E)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 3E were obtained in the same manner as in Example 1E except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例4E)
電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料を20重量部とし導電性粒子を80重量部とし、さらに、電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を10μmとしたこと以外は、前記実施例1Eと同様にして実施例4Eの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 4E)
The same as Example 1E except that the resin material contained in the electromagnetic
(実施例5E)
電磁波シールド層13の平均厚さ(μm)を400μmとしたこと以外は、前記実施例4Eと同様にして実施例5Eの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 5E)
A sealing film and a sealing film-covered electronic component mounting substrate of Example 5E were obtained in the same manner as in Example 4E except that the average thickness (μm) of the electromagnetic
(実施例6E)
電磁波シールド層13に含まれる樹脂材料として、接着樹脂(三井化学製、「アドマーNF536」)を用意したこと以外は前記実施例1Eと同様にして実施例6Eの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 6E)
The sealing film and sealing film of Example 6E were the same as Example 1E except that an adhesive resin (“Admer NF536” manufactured by Mitsui Chemicals) was prepared as the resin material contained in the electromagnetic
(実施例7E)
絶縁層12を構成する樹脂材料として、接着樹脂(三井化学製、「アドマーNF536」)を用意したこと以外は前記実施例1Eと同様にして実施例7Eの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 7E)
The sealing film and sealing film covering of Example 7E were prepared in the same manner as in Example 1E except that an adhesive resin (“Admer NF536” manufactured by Mitsui Chemicals) was prepared as the resin material constituting the insulating
(実施例8E)
絶縁層12を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂(「ノーブレンFS2011DG2」、密度0.900g/cm3、メルトインデックス2.0g/10min(230℃測定)、融点160℃)を用意し、形成する絶縁層12の平均厚さ(μm)を50μmとしたこと以外は前記実施例1Eと同様にして実施例8Eの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。(Example 8E)
As a resin material constituting the insulating
(参考例1E)
参考例1Eとして、市販の二軸延伸PETフィルム(東洋紡社製、銘柄:E5107)を用意した。(Reference Example 1E)
As Reference Example 1E, a commercially available biaxially stretched PET film (manufactured by Toyobo Co., Ltd., brand: E5107) was prepared.
<評価試験>
各実施例(実施例1E〜8E)および参考例(参考例1E)で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例1A〜8Aに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。
各実施例および参考例の評価試験の結果を表5に示す。<Evaluation test>
Evaluation performed on Examples 1A to 8A described above with respect to the sealing film or the film-coated electronic component mounting substrate prepared in each Example (Examples 1E to 8E) and Reference Example (Reference Example 1E) Using the method, shape followability, presence / absence of wrinkles, electromagnetic shielding properties and conductivity were evaluated.
Table 5 shows the results of the evaluation tests of the examples and reference examples.
表5から明らかなように、実施例1E〜8Eの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。 As is clear from Table 5, in the sealing films of Examples 1E to 8E, the elongation at the softening point is 150% or more and 3500% or less, so that the gap at the bottom of the recess, and further the sealing film The generation of wrinkles on the upper surface can be suppressed or prevented, and the electronic component mounting substrate can be coated. Moreover, the electrical continuity between the external power source and the electrode could be confirmed through the protrusion provided in the electromagnetic wave shielding layer.
これに対して、参考例の封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が150%未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。 On the other hand, in the sealing film of the reference example, the elongation at the softening point is less than 150%, and due to this, when the electronic component mounting substrate is covered with the sealing film, the bottom of the recess As a result, the voids and wrinkles on the upper surface of the sealing film were clearly generated.
本発明によれば、封止用フィルムが樹脂材料を主材料として構成され、JIS K 6251に準拠して求められる軟化点における封止用フィルムの伸び率が150%以上3500%以下となっている。かかる封止用フィルムを、まず、基板と電子部品とを覆うように電子部品搭載基板上に配置する。その後、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに減圧する。その後、封止用フィルムを冷却させるとともに加圧する。以上の工程を経ることにより、封止用フィルムが、基板に電子部品を搭載することで形成される凹凸に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、基板と電子部品とを被覆することができる。そのため、この封止用フィルムを被覆することで得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品(特に、電子部品)が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。また、封止用フィルムにより、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層で封止されるため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。したがって、本発明は、産業上の利用可能性を有する。 According to the present invention, the sealing film is composed mainly of a resin material, and the elongation rate of the sealing film at the softening point required in accordance with JIS K 6251 is 150% or more and 3500% or less. . First, the sealing film is placed on the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component. Thereafter, the sealing film is heated and softened, and the pressure is reduced. Thereafter, the sealing film is cooled and pressurized. Through the above steps, the sealing film covers the substrate and the electronic component in a state of sealing with excellent followability with respect to the unevenness formed by mounting the electronic component on the substrate. be able to. Therefore, in the sealing film-covered electronic component mounting substrate obtained by coating this sealing film, the electronic component (particularly, the electronic component) is accurately suppressed from coming into contact with external factors such as moisture and dust. Or it can be prevented. Further, when the substrate and the electronic component are covered with the sealing film, the electronic component is sealed with the electromagnetic wave shielding layer through the insulating layer, so that the obtained sealing film-covered electronic component mounting substrate is obtained. In this case, the influence of noise due to electromagnetic waves on the electronic component is appropriately suppressed or prevented. Therefore, the present invention has industrial applicability.
このような目的は、下記(1)〜(27)に記載の本発明により達成される。
(1) 基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、
絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、
前記絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂を主材料として含有し、前記電磁波シールド層は、アイオノマー樹脂を主材料として含有し、当該封止用フィルムは、JIS K 6251に準拠して求められる軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であることを特徴とする封止用フィルム。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to ( 27 ).
(1) A sealing film used for sealing an electronic component mounting substrate comprising a substrate and an electronic component mounted on one surface side of the substrate,
Having an insulating layer and an electromagnetic wave shielding layer laminated on one side of the insulating layer;
The insulating layer contains a polyolefin-based resin as a main material, the electromagnetic wave shielding layer contains an ionomer resin as a main material, and the sealing film has an elongation at a softening point required in accordance with JIS K 6251. The film for sealing characterized by a rate of 150% or more and 3500% or less.
(16) 前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより前記電極に接触するよう構成されている上記(1)に記載の封止用フィルム。
( 16 ) The electronic component mounting substrate further includes an electrode provided on the other surface side of the substrate and electrically connected to the electronic component,
The electromagnetic wave shielding layer includes a protruding portion that protrudes beyond the end portion of the insulating layer, and when the electronic component mounting substrate is sealed from one surface side of the substrate, the protruding portion is formed on the substrate. The sealing film according to (1), which is configured to be in contact with the electrode by being folded on the other surface side.
(17) 前記電極は、前記基板の縁部に設けられている上記(16)に記載の封止用フィルム。 ( 17 ) The sealing film according to ( 16 ), wherein the electrode is provided on an edge of the substrate.
(18) 前記電極は、グランド電極である上記(16)または(17)に記載の封止用フィルム。 ( 18 ) The sealing film according to ( 16 ) or ( 17 ), wherein the electrode is a ground electrode.
(19) 当該封止用フィルムは、25℃以上80℃以下の温度範囲での線膨張率が100ppm/K以下である上記(1)ないし(18)のいずれかに記載の封止用フィルム。 ( 19 ) The sealing film according to any one of (1) to ( 18 ), wherein the sealing film has a linear expansion coefficient of 100 ppm / K or less in a temperature range of 25 ° C or higher and 80 ° C or lower.
(20) 当該封止用フィルムは、その平均厚さが10μm以上700μm以下である上記(1)ないし(19)のいずれかに記載の封止用フィルム。 ( 20 ) The sealing film according to any one of (1) to ( 19 ), wherein the sealing film has an average thickness of 10 μm to 700 μm.
(21) 前記基板は、プリント配線基板である上記(1)ないし(20)のいずれかに記載の封止用フィルム。 ( 21 ) The sealing film according to any one of (1) to ( 20 ), wherein the substrate is a printed wiring board.
(22) 上記(2)ないし(5)のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極を封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品と前記電極を覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
( 22 ) A sealing method of an electronic component mounting substrate for sealing the substrate, the electronic component, and the electrode, using the sealing film according to any one of (2) to (5),
Placing the sealing film on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate, the electronic component, and the electrode;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
The step of sealing the substrate, the electronic component, and the electrode with the sealing film in a state where the protruding portion is in contact with the electrode by cooling and pressurizing the sealing film. A method for sealing an electronic component mounting substrate, comprising:
(23) 上記(6)ないし(11)のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
( 23 ) A method for sealing an electronic component mounting substrate, wherein the substrate and the electronic component are sealed using the sealing film according to any one of (6) to (11) above.
Disposing the sealing film on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
A method for sealing an electronic component mounting substrate, comprising: cooling the sealing film and applying pressure to seal the substrate and the electronic component with the sealing film.
(24) 上記(12)ないし(14)のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記絶縁層を介して前記電磁波シールド層により前記電子部品を被覆した状態で、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
( 24 ) A method for sealing an electronic component mounting substrate, wherein the substrate and the electronic component are sealed using the sealing film according to any one of (12) to (14),
Disposing the sealing film on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
By cooling and pressurizing the sealing film, the substrate and the electronic component are sealed with the sealing film while the electronic component is covered with the electromagnetic wave shielding layer through the insulating layer. And a step of stopping the electronic component mounting substrate.
(25) 上記(15)に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記接続部材に前記逃げ部が対応するように前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記接続部材が封止されることなく、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
( 25 ) A sealing method for an electronic component mounting substrate, wherein the substrate and the electronic component are sealed using the sealing film according to ( 15 ),
A step of covering the substrate and the electronic component and disposing the sealing film on the electronic component mounting substrate so that the escape portion corresponds to the connection member;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
A step of sealing the substrate and the electronic component with the sealing film without sealing the connecting member by cooling and pressurizing the sealing film. An electronic component mounting substrate sealing method.
(26) 上記(16)ないし(18)のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置しつつ、前記突出部を、前記基板の他方の面側に折り込むことにより前記電極に接触させる工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
( 26 ) A method for sealing an electronic component mounting substrate, wherein the substrate, the electronic component, and the electrode are sealed using the sealing film according to any one of ( 16 ) to ( 18 ). ,
The projecting portion is placed on the other side of the substrate while the sealing film is disposed on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component. The step of contacting the electrode by folding it to the surface side of
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
The step of sealing the substrate, the electronic component, and the electrode with the sealing film in a state where the protruding portion is in contact with the electrode by cooling and pressurizing the sealing film. A method for sealing an electronic component mounting substrate, comprising:
(27) 上記(1)ないし(21)のいずれかに記載の封止用フィルムと、該封止用フィルムにより被覆された前記基板、前記電子部品および前記電極を備える前記電子部品搭載基板とを有し、前記突出部は、前記電極に接触していることを特徴とする封止用フィルム被覆電子部品搭載基板。 ( 27 ) The sealing film according to any one of (1) to ( 21 ), and the electronic component mounting substrate including the substrate covered with the sealing film, the electronic component, and the electrode. A film-covered electronic component mounting substrate for sealing, wherein the protruding portion is in contact with the electrode.
(27) 上記(1)ないし(21)のいずれかに記載の封止用フィルムと、該封止用フィルムにより被覆された前記基板および前記電子部品を備える前記電子部品搭載基板とを有することを特徴とする封止用フィルム被覆電子部品搭載基板。 (27) above (1) to (21) and the sealing film according to any one of, it is closed and the electronic component mounting board comprising the substrate and the electronic component is covered by a sealing film A film-coated electronic component mounting substrate for sealing.
Claims (29)
絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、
前記絶縁層および前記電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、当該封止用フィルムは、JIS K 6251に準拠して求められる軟化点における伸び率が150%以上3500%以下であることを特徴とする封止用フィルム。A sealing film used for sealing an electronic component mounting substrate comprising a substrate and an electronic component mounted on one surface side of the substrate,
Having an insulating layer and an electromagnetic wave shielding layer laminated on one side of the insulating layer;
Both the insulating layer and the electromagnetic wave shielding layer contain a resin material, and the sealing film has an elongation at a softening point required in accordance with JIS K 6251 of 150% or more and 3500% or less. A film for sealing.
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えている請求項1に記載の封止用フィルム。The electronic component mounting substrate further includes an electrode provided on one surface side of the substrate and electrically connected to the electronic component,
The sealing film according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding layer includes a protruding portion that protrudes beyond an end portion of the insulating layer.
前記絶縁層を前記基板の一方の面側にして、前記電子部品搭載基板を封止するように構成されている請求項1に記載の封止用フィルム。The sealing film further includes a coating layer laminated on the side opposite to the insulating layer of the electromagnetic wave shielding layer,
The sealing film according to claim 1, wherein the electronic component mounting substrate is sealed with the insulating layer on one surface side of the substrate.
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第2突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第2突出部は、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項6または7に記載の封止用フィルム。The electronic component mounting substrate further includes an electrode provided on one surface side of the substrate and electrically connected to the electronic component,
The electromagnetic wave shielding layer includes a second protruding portion that protrudes beyond an end portion of the insulating layer, and when the electronic component mounting substrate is sealed from one surface side of the substrate, the second protruding portion is The sealing film according to claim 6, wherein the sealing film is configured to come into contact with the electrode on one surface side of the substrate.
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第2突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第2突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項6または7に記載の封止用フィルム。The electronic component mounting substrate further includes an electrode provided on the other surface side of the substrate and electrically connected to the electronic component,
The electromagnetic wave shielding layer includes a second protruding portion that protrudes beyond an end portion of the insulating layer, and when the electronic component mounting substrate is sealed from one surface side of the substrate, the second protruding portion is The sealing film according to claim 6, wherein the sealing film is configured to be in contact with the electrode on the other surface side of the substrate by being folded on the other surface side of the substrate.
前記電磁波シールド層は、前記被覆層の端部を越えて突出する第4突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第4突出部は、前記基板の一方の面側に折り込まれることにより、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項6に記載の封止用フィルム。The electronic component mounting substrate further includes an electrode provided on one surface side of the substrate and electrically connected to the electronic component,
The electromagnetic wave shielding layer includes a fourth projecting portion projecting beyond the end portion of the coating layer, and when sealing the electronic component mounting substrate from one surface side of the substrate, the fourth projecting portion is The sealing film according to claim 6, wherein the sealing film is configured to be in contact with the electrode on one surface side of the substrate by being folded on one surface side of the substrate.
当該封止用フィルムは、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記接続部材に対応する位置に逃げ部を有する請求項1に記載の封止用フィルム。The electronic component mounting substrate further includes a connection member having an open end surface and electrically connected to the electronic component,
The said film for sealing is a film for sealing of Claim 1 which has an escape part in the position corresponding to the said connection member, when sealing the said electronic component mounting board | substrate.
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより前記電極に接触するよう構成されている請求項1に記載の封止用フィルム。The electronic component mounting substrate further includes an electrode provided on the other surface side of the substrate and electrically connected to the electronic component,
The electromagnetic wave shielding layer includes a protruding portion that protrudes beyond the end portion of the insulating layer, and when the electronic component mounting substrate is sealed from one surface side of the substrate, the protruding portion is formed on the substrate. The sealing film according to claim 1, wherein the sealing film is configured to be in contact with the electrode by being folded to the other surface side.
前記基板と前記電子部品と前記電極を覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。A sealing method of an electronic component mounting substrate for sealing the substrate, the electronic component, and the electrode using the sealing film according to any one of claims 2 to 5,
Placing the sealing film on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate, the electronic component, and the electrode;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
The step of sealing the substrate, the electronic component, and the electrode with the sealing film in a state where the protruding portion is in contact with the electrode by cooling and pressurizing the sealing film. A method for sealing an electronic component mounting substrate, comprising:
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。A sealing method of an electronic component mounting substrate for sealing the substrate and the electronic component using the sealing film according to any one of claims 6 to 11,
Disposing the sealing film on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
A method for sealing an electronic component mounting substrate, comprising: cooling the sealing film and applying pressure to seal the substrate and the electronic component with the sealing film.
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記絶縁層を介して前記電磁波シールド層により前記電子部品を被覆した状態で、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。A sealing method for an electronic component mounting substrate for sealing the substrate and the electronic component using the sealing film according to any one of claims 12 to 14,
Disposing the sealing film on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
By cooling and pressurizing the sealing film, the substrate and the electronic component are sealed with the sealing film while the electronic component is covered with the electromagnetic wave shielding layer through the insulating layer. And a step of stopping the electronic component mounting substrate.
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記接続部材に前記逃げ部が対応するように前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記接続部材が封止されることなく、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。An electronic component mounting substrate sealing method for sealing the substrate and the electronic component using the sealing film according to claim 15 or 16,
A step of covering the substrate and the electronic component and disposing the sealing film on the electronic component mounting substrate so that the escape portion corresponds to the connection member;
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
A step of sealing the substrate and the electronic component with the sealing film without sealing the connecting member by cooling and pressurizing the sealing film. An electronic component mounting substrate sealing method.
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置しつつ、前記突出部を、前記基板の他方の面側に折り込むことにより前記電極に接触させる工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。An electronic component mounting substrate sealing method for sealing the substrate, the electronic component, and the electrode using the sealing film according to any one of claims 17 to 19,
The projecting portion is placed on the other side of the substrate while the sealing film is disposed on the electronic component mounting substrate with the insulating layer facing the electronic component mounting substrate so as to cover the substrate and the electronic component. The step of contacting the electrode by folding it to the surface side of
Heating and softening the sealing film, and depressurizing;
The step of sealing the substrate, the electronic component, and the electrode with the sealing film in a state where the protruding portion is in contact with the electrode by cooling and pressurizing the sealing film. A method for sealing an electronic component mounting substrate, comprising:
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