JP2006156946A

JP2006156946A - Electromagnetic wave shielding film

Info

Publication number: JP2006156946A
Application number: JP2005204255A
Authority: JP
Inventors: Norikatsu Koide; 典克小出; Yoshihito Nakano; 善仁中野; Kazutoshi Asakawa; 一聡朝川; Toru Matsuzaki; 徹松崎; Minoru Suematsu; 穣末松
Original assignee: Kitagawa Industries Co Ltd
Current assignee: Kitagawa Industries Co Ltd
Priority date: 2004-11-04
Filing date: 2005-07-13
Publication date: 2006-06-15

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic wave shielding film which has superior flexibility, durability, and electromagnetic shield effects. <P>SOLUTION: The electromagnetic wave shielding film 1 covers the surface of an electronic component or electric wiring which is mounted in an electronic apparatus to shield electromagnetic waves. The electromagnetic shielding film 1 has a base material film 2, made of an insulating material and a metal layer 3 laminated on one or both sides of the base material film 2. The metal layer 3 is composed of a corrosion-preventing layer 33 which is provided on a surface layer side and prevents the corrosion of the metal layer 3; and of a conductive layer 32 of electrical resistance smaller than that of the corrosion-preventing layer 33. The conductive layer 32 has a thickness of 100-500 nm. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電子機器の内部に実装した電子部品や配線を被い、電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムに関する。 The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film that covers an electronic component or wiring mounted inside an electronic device and shields an electromagnetic wave.

従来より、携帯電話機やデジタルカメラなどの電子機器の内部に実装したＬＳＩ（集積回路）等の電子部品や、電気配線を被い、電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムがある（特許文献１）。該電磁波シールドフィルムは、例えば、樹脂フィルムの表面に金属箔の融着やめっき等により金属層を形成してなる。そして、該金属層によって電磁波を吸収することにより、電磁波をシールドする。即ち、上記電磁波シールドフィルムは、上記電子部品や配線から発生する電磁波による他の部品への影響を防止したり、外部からの電磁波が上記電子部品に影響することを防止したりする。 Conventionally, there is an electronic component such as an LSI (integrated circuit) mounted inside an electronic device such as a mobile phone or a digital camera, or an electromagnetic wave shielding film that covers electric wiring and shields electromagnetic waves (Patent Document 1). The electromagnetic wave shielding film is formed, for example, by forming a metal layer on the surface of a resin film by fusing or plating a metal foil. The electromagnetic wave is shielded by absorbing the electromagnetic wave by the metal layer. That is, the electromagnetic wave shielding film prevents the electromagnetic waves generated from the electronic components and wirings from affecting other components, or prevents external electromagnetic waves from affecting the electronic components.

しかしながら、電子機器における電子部品の高集積化、コンパクト化に伴い、電磁波シールドフィルムを配設すべき部分が小さく、狭くなり、その配設が困難となる場合がある。
また、ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板）に電磁波シールドフィルムを貼り付ける場合には、該電磁波シールドフィルムに充分な柔軟性がないと、ＦＰＣの柔軟性が失われてしまい、電子機器への組付け性が低下するおそれがある。また、電磁波シールドフィルムがＦＰＣから剥がれてしまうおそれもある。 However, with high integration and compactness of electronic components in electronic equipment, the portion where the electromagnetic wave shielding film should be disposed may be small and narrow, and it may be difficult to dispose it.
In addition, when an electromagnetic wave shielding film is attached to an FPC (flexible printed wiring board), if the electromagnetic wave shielding film does not have sufficient flexibility, the flexibility of the FPC is lost, so that it can be assembled into an electronic device. May decrease. Moreover, there exists a possibility that an electromagnetic wave shielding film may peel from FPC.

電磁波シールドフィルムの柔軟性を確保するためには、厚みを小さくすること、特に金属層を薄くすることが有効であるが、金属層を薄くすると、導電性の確保が困難となるおそれがある。また、表面からの錆び、腐食が、金属層の導電性を低下させやすいという問題もある。そのため、充分な電磁波シールド効果や耐久性を得ることが困難となるおそれがある。 In order to ensure the flexibility of the electromagnetic wave shielding film, it is effective to reduce the thickness, in particular, to reduce the thickness of the metal layer. However, if the thickness of the metal layer is reduced, it may be difficult to ensure conductivity. Further, there is a problem that rust and corrosion from the surface tends to lower the conductivity of the metal layer. Therefore, it may be difficult to obtain a sufficient electromagnetic shielding effect and durability.

また、金属層の表面に樹脂コーティングを行うことも考えられるが、金属層形成後、樹脂コーティング前までの間に、金属層に錆び、腐食が生じるおそれがある。また、金属層からグランド（接地）を取る場合には、金属層を一部露出させる必要があるが、樹脂コーティングの一部を除去することは困難となる Although it is conceivable to perform resin coating on the surface of the metal layer, the metal layer may rust and corrode after the metal layer is formed and before the resin coating. Moreover, when taking a ground (grounding) from a metal layer, it is necessary to expose a part of the metal layer, but it becomes difficult to remove a part of the resin coating.

特開２００３−６０３８７号公報JP 2003-60387 A

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、優れた柔軟性、耐久性、電磁波シールド効果を有する電磁波シールドフィルムを提供しようとするものである。 The present invention has been made in view of such conventional problems, and an object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shielding film having excellent flexibility, durability, and electromagnetic wave shielding effect.

本発明は、電子機器内に実装された電子部品又は電気配線の表面を被覆して電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムであって、
該電磁波シールドフィルムは、絶縁性材料からなる基材フィルムと、該基材フィルムの一方又は両方の面に積層した金属層とを有し、
該金属層は、表層側に配されて上記金属層の腐食を防止する防錆層と、該防錆層よりも電気抵抗率の低い導電層とからなり、
該導電層は５０〜５００ｎｍの厚みを有することを特徴とする電磁波シールドフィルムにある（請求項１）。 The present invention is an electromagnetic wave shielding film that shields electromagnetic waves by covering the surface of an electronic component or electrical wiring mounted in an electronic device,
The electromagnetic wave shielding film has a base film made of an insulating material, and a metal layer laminated on one or both surfaces of the base film,
The metal layer comprises a rust preventive layer disposed on the surface layer side to prevent corrosion of the metal layer, and a conductive layer having a lower electrical resistivity than the rust preventive layer,
The conductive layer is in an electromagnetic wave shielding film having a thickness of 50 to 500 nm (Claim 1).

次に、本発明の作用効果につき説明する。
本発明の電磁波シールドフィルムにおける金属層は、上記防錆層と上記導電層とを有する。そのため、金属層の最表面に配される防錆層を腐食しにくい金属により構成し、その下層に配される導電層を電気抵抗率の充分に小さい金属により構成することができる。 Next, the effects of the present invention will be described.
The metal layer in the electromagnetic wave shielding film of the present invention has the rust prevention layer and the conductive layer. Therefore, the rust preventive layer disposed on the outermost surface of the metal layer can be made of a metal that hardly corrodes, and the conductive layer disposed on the lower layer can be made of a metal having a sufficiently low electrical resistivity.

これにより、導電層によって電磁波シールド効果を確保し、防錆層によって金属層の腐食を防止することができる。そのため、電磁波シールドフィルムの耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。
また、上記導電層の厚みが５０〜５００ｎｍであるため、電磁波シールド効果及び電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に確保することができる。また、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。 Thereby, the electromagnetic wave shielding effect can be ensured by the conductive layer, and the corrosion of the metal layer can be prevented by the rust preventive layer. Therefore, the electromagnetic wave shielding effect can be improved while ensuring the durability of the electromagnetic wave shielding film.
Moreover, since the thickness of the said electroconductive layer is 50-500 nm, the electromagnetic wave shielding effect and the softness | flexibility of an electromagnetic wave shielding film are fully securable. Further, deformation such as warping of the film can be prevented.

以上のごとく、本発明によれば、優れた柔軟性、耐久性、電磁波シールド効果を有する電磁波シールドフィルムを提供することができる。 As described above, according to the present invention, an electromagnetic wave shielding film having excellent flexibility, durability, and electromagnetic wave shielding effect can be provided.

本発明（請求項１）において、上記電磁波シールドフィルムは、厚みが３０〜３００μｍであることが好ましい。これにより、充分な柔軟性を有する電磁波シールドフィルムを得ることができる。上記厚みが３０μｍ未満の場合には、フィルム強度が不充分となるおそれがある。また、上記厚みが３００μｍを超える場合には、電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に得ることが困難となるおそれがある。
また、上記電磁波シールドフィルムは、複数の電子部品を一度に被うものであってもよいし、個々の電子部品を個別に被うものであってもよい。 In the present invention (Invention 1), the electromagnetic wave shielding film preferably has a thickness of 30 to 300 μm. Thereby, an electromagnetic wave shielding film having sufficient flexibility can be obtained. When the said thickness is less than 30 micrometers, there exists a possibility that film strength may become inadequate. Moreover, when the said thickness exceeds 300 micrometers, there exists a possibility that it may become difficult to obtain the softness | flexibility of an electromagnetic wave shield film fully.
The electromagnetic wave shielding film may cover a plurality of electronic components at once, or may cover individual electronic components individually.

また、上記導電層の厚みが５０ｎｍ未満の場合には、電磁波シールド効果を充分に得ることが困難となるおそれがある。導電層の厚みが５００ｎｍを超える場合には、電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に確保することが困難となるおそれがある。また、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。 Moreover, when the thickness of the conductive layer is less than 50 nm, it may be difficult to obtain a sufficient electromagnetic shielding effect. When the thickness of the conductive layer exceeds 500 nm, it may be difficult to ensure sufficient flexibility of the electromagnetic wave shielding film. In addition, there is a possibility that deformation such as warping of the film may occur, and productivity may be reduced.

また、上記金属層は、上記基材フィルムとの界面に配されて該基材フィルムとの密着を確保する密着層を有することが好ましい（請求項２）。
この場合には、金属層における基材フィルムとの界面に配される密着層を、基材フィルムとの密着力の高い金属により構成することにより、金属層と基材フィルムとの密着性を確保することができる。 Moreover, it is preferable that the said metal layer has an contact | adherence layer which is distribute | arranged to the interface with the said base film, and ensures contact | adherence with this base film (Claim 2).
In this case, the adhesion between the metal layer and the substrate film is ensured by configuring the adhesion layer arranged at the interface between the metal layer and the substrate film with a metal having a high adhesion to the substrate film. can do.

また、上記密着層は５〜５０ｎｍの厚みを有することが好ましい（請求項３）。
この場合には、金属層と基材フィルムとの密着性を充分に確保することができると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
上記密着層の厚みが５ｎｍ未満の場合には、金属層と基材フィルムとの密着性を充分に確保することが困難となり、場合によっては、金属層が基材フィルムから剥がれるおそれがある。一方、密着層の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。 The adhesion layer preferably has a thickness of 5 to 50 nm.
In this case, sufficient adhesion between the metal layer and the base film can be secured, and deformation such as warping of the film can be prevented.
When the thickness of the adhesion layer is less than 5 nm, it is difficult to ensure sufficient adhesion between the metal layer and the base film, and in some cases, the metal layer may be peeled off from the base film. On the other hand, when the thickness of the adhesion layer exceeds 50 nm, deformation such as warping of the film may occur, and productivity may decrease.

また、上記密着層及び上記防錆層は、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金の金属膜からなることが好ましい（請求項４）。
この場合には、耐腐食性に優れた金属層を容易に得ることができる。
また、上記密着層及び上記防錆層にオーステナイト系ステンレス鋼を使用した場合、耐食性、耐熱性、耐候性に優れた金属層を得ることができる。また非磁性材料であるためＰＣ等のハードディスク付近の電磁波対策としても使用することができる。 The adhesion layer and the rust-preventing layer are preferably made of a metal film of austenitic stainless steel that is a nonmagnetic metal, or ferritic or martensitic stainless steel that is a magnetic metal, or a Ni-based alloy. Item 4).
In this case, a metal layer having excellent corrosion resistance can be easily obtained.
Moreover, when austenitic stainless steel is used for the adhesion layer and the rust prevention layer, a metal layer having excellent corrosion resistance, heat resistance, and weather resistance can be obtained. Further, since it is a non-magnetic material, it can be used as a countermeasure against electromagnetic waves near a hard disk such as a PC.

また、上記密着層にフェライト系、マルテンサイト系ステンレス鋼あるいはＮｉ系合金、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、或いはＮｉとＣｒとの合金を使用した場合、耐食性、耐熱性、耐候性に優れた密着層とすることができる。また磁性材料であるため、電磁波シールド効果を向上させる効果も期待できる。
この他、密着層及び防錆層の材質は、電磁波シールドフィルムの使用用途によって選択することが重要である。
なお、密着層と防錆層とは、同種材料であっても異種材料であってもよい。 In addition, when the adhesion layer is made of ferritic, martensitic stainless steel or Ni alloy, such as Ni (nickel), Cr (chromium), or an alloy of Ni and Cr, corrosion resistance, heat resistance, weather resistance It can be set as the adhesion layer excellent in. Moreover, since it is a magnetic material, the effect which improves an electromagnetic wave shielding effect can also be anticipated.
In addition, it is important to select materials for the adhesion layer and the rust prevention layer depending on the intended use of the electromagnetic wave shielding film.
The adhesion layer and the rust prevention layer may be the same material or different materials.

また、上記防錆層は１０〜５０ｎｍの厚みを有することが好ましい（請求項５）。
この場合には、金属層の防錆効果を確保すると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
上記防錆層の厚みが１０ｎｍ未満の場合には、金属層の防錆効果を確保することが困難となるおそれがある。防錆層の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。 The rust prevention layer preferably has a thickness of 10 to 50 nm.
In this case, it is possible to ensure the rust prevention effect of the metal layer and to prevent deformation such as warping of the film.
When the thickness of the rust preventive layer is less than 10 nm, it may be difficult to ensure the rust preventive effect of the metal layer. When the thickness of the rust preventive layer exceeds 50 nm, deformation such as warping of the film may occur, and productivity may decrease.

また、上記金属層は、スパッタリングによって形成した膜からなることが好ましい（請求項６）。
この場合には、基材フィルムに対する密着力が高く、薄くて膜厚が均一で、かつ緻密な金属層を容易に形成することができる。
なお、本発明の電磁波シールドフィルムにおける金属層は、特にスパッタリング層に限らず、例えば、蒸着法を用いたり、金属箔を基材フィルム上に融着する方法を用いたりすることもできる。 Moreover, it is preferable that the said metal layer consists of the film | membrane formed by sputtering (Claim 6).
In this case, it is possible to easily form a dense metal layer that has high adhesion to the substrate film, is thin and has a uniform film thickness.
The metal layer in the electromagnetic wave shielding film of the present invention is not limited to a sputtering layer, and for example, a vapor deposition method or a method of fusing a metal foil on a substrate film can be used.

また、上記導電層は、電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であることが好ましい（請求項７）。
この場合には、電磁波シールド効果を充分に有する電磁波シールドフィルムを得ることができる。また、金属層の厚みが小さくても、充分な導電性を確保することができるため、電磁波シールドフィルムの厚みを小さくして柔軟性を確保することが容易となる。
上記導電層の電気抵抗率が５０μΩｃｍを超える場合には、充分な電磁波シールド効果を得ることが困難となるおそれがある。 The conductive layer preferably has an electric resistivity of 50 μΩcm or less.
In this case, an electromagnetic wave shielding film having a sufficient electromagnetic wave shielding effect can be obtained. Moreover, even if the thickness of a metal layer is small, since sufficient electroconductivity can be ensured, it becomes easy to ensure flexibility by reducing the thickness of an electromagnetic wave shielding film.
When the electrical resistivity of the conductive layer exceeds 50 μΩcm, it may be difficult to obtain a sufficient electromagnetic wave shielding effect.

電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下を満足する導電層の材料としては、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、若しくはその合金、例えば、ＡｇとＣｕとの合金、ＣｕとＮｉとの合金がある。 Examples of the material of the conductive layer satisfying an electric resistivity of 50 μΩcm or less include metals such as Cu (copper), Ag (silver), Au (gold), and Al (aluminum), or alloys thereof such as Ag and Cu. And an alloy of Cu and Ni.

この中でも特に、上記導電層は、Ｃｕからなることが好ましい（請求項８）。
この場合には、電気抵抗率が充分に小さい導電層を安価に得ることができる。そのため、電磁波シールド効果に優れた安価な電磁波シールドフィルムを得ることができる。 Among these, the conductive layer is preferably made of Cu (claim 8).
In this case, a conductive layer having a sufficiently small electric resistivity can be obtained at low cost. Therefore, an inexpensive electromagnetic wave shielding film excellent in the electromagnetic wave shielding effect can be obtained.

また、上記電磁波シールドフィルムは、上記金属層の表面に樹脂からなる保護フィルムを配設してなることが好ましい（請求項９）。
この場合には、上記金属層が電子回路に接触することを防ぎ、短絡を防止することができる。また、金属層の防錆効果を向上させることができる。
上記保護フィルムは、例えば、ＰＥＴフィルム、ポリイミドフィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム等の樹脂フィルムにより構成することができる。また、その膜厚は、例えば１５〜７５μｍであることが好ましい。
さらには、アクリル系材料などによる樹脂コーティングを用い金属層の保護を行なっても良い。 The electromagnetic wave shielding film is preferably formed by disposing a protective film made of a resin on the surface of the metal layer.
In this case, the metal layer can be prevented from coming into contact with the electronic circuit, and a short circuit can be prevented. Moreover, the antirust effect of a metal layer can be improved.
The said protective film can be comprised with resin films, such as a PET film, a polyimide film, a PEN (polyethylene naphthalate) film, for example. Moreover, it is preferable that the film thickness is 15-75 micrometers, for example.
Furthermore, the metal layer may be protected using a resin coating made of an acrylic material or the like.

また、上記金属層は、上記基材フィルムの一方の面に積層してなり、上記保護フィルムは、該保護フィルムの端縁を上記基材フィルムの端縁よりも外側に有していることが好ましい（請求項１０）。
この場合には、電磁波シールドフィルムを使用したとき、上記基材フィルムの一方の面に形成した金属層の端面をも保護フィルムで被うことができる。これにより、金属層の端面が露出することを防ぎ、電子回路の短絡を防ぐことができる。
上記保護フィルムの端縁は、上記基材フィルムの端縁よりも０．５〜２ｍｍ外側に配されていることが好ましい。 Moreover, the said metal layer is laminated | stacked on one surface of the said base film, and the said protective film has the edge of this protective film outside the edge of the said base film. Preferred (claim 10).
In this case, when an electromagnetic wave shielding film is used, the end surface of the metal layer formed on one surface of the base film can be covered with the protective film. Thereby, it can prevent that the end surface of a metal layer exposes and can prevent a short circuit of an electronic circuit.
It is preferable that the edge of the said protective film is distribute | arranged 0.5-2 mm outside rather than the edge of the said base film.

また、上記保護フィルムは、上記金属層を部分的に露出させる開口部を設けてなることが好ましい（請求項１１）。
この場合には、容易に上記金属層をグランドに接続（接地）し、金属層に流れる電流を効率よく逃がすことができる。 Moreover, it is preferable that the said protective film provides the opening part which exposes the said metal layer partially (Claim 11).
In this case, the metal layer can be easily connected (grounded) to the ground, and the current flowing through the metal layer can be efficiently released.

また、上記基材フィルムは、０．０５〜５ｍｍの厚みを有するゴム又は布地からなることが好ましい（請求項１２）。
この場合には、基材フィルムの屈曲性を確保することができるため、屈曲性に優れた電磁波シールドフィルムを得ることができる。
上記厚みが０．０５ｍｍ未満の場合には、基材フィルムの絶縁性を確保することが困難となるおそれがある。一方、上記厚みが５ｍｍを超えると、電磁波シールドフィルムの充分な屈曲性を得ることが困難となるおそれがある。 The base film is preferably made of rubber or fabric having a thickness of 0.05 to 5 mm (claim 12).
In this case, since the flexibility of the substrate film can be ensured, an electromagnetic wave shielding film having excellent flexibility can be obtained.
When the said thickness is less than 0.05 mm, there exists a possibility that it may become difficult to ensure the insulation of a base film. On the other hand, if the thickness exceeds 5 mm, it may be difficult to obtain sufficient flexibility of the electromagnetic wave shielding film.

また、上記基材フィルムとしてゴムを用いる場合には、磁性材料粉を混ぜたゴムシートを用いることにより、電磁波シールド効果をより向上させることができる。
また、上記基材フィルムとして布地を用いる場合には、特にフレキシブル性を向上させることができ、様々な太さのケーブル（電気配線）や、種々の凹凸面、屈曲面を有する電子部品に容易に対応させことができる。 Moreover, when using rubber | gum as said base film, the electromagnetic wave shielding effect can be improved more by using the rubber sheet which mixed magnetic material powder | flour.
In addition, when a fabric is used as the base film, flexibility can be particularly improved, and it can be easily applied to cables having various thicknesses (electrical wiring) and electronic parts having various uneven surfaces and bent surfaces. It can be made to correspond.

また、上記基材フィルムは、１５〜５０μｍの厚みを有する樹脂からなるものであってもよい（請求項１３）。
この場合には、柔軟性に優れた電磁波シールドフィルムを得ることができる。
上記厚みが１５μｍ未満の場合には、基材フィルムの絶縁性を確保することが困難となるおそれがある。一方、上記厚みが５０μｍを超えると、電磁波シールドフィルムの充分な柔軟性を得ることが困難となるおそれがある。
また、上記基材フィルムは、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ポリイミドフィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ポリエチレンフィルムなどの樹脂フィルムとすることができる。この中でも、耐熱性、耐久性、柔軟性、コスト等の観点から、ＰＥＴフィルムが好ましい。 Moreover, the said base film may consist of resin which has a thickness of 15-50 micrometers (Claim 13).
In this case, an electromagnetic wave shielding film excellent in flexibility can be obtained.
When the said thickness is less than 15 micrometers, there exists a possibility that it may become difficult to ensure the insulation of a base film. On the other hand, when the thickness exceeds 50 μm, it may be difficult to obtain sufficient flexibility of the electromagnetic wave shielding film.
Moreover, the said base film can be used as resin films, such as a PET (polyethylene terephthalate) film, a polyimide film, a PEN (polyethylene naphthalate) film, a polyethylene film, for example. Among these, a PET film is preferable from the viewpoints of heat resistance, durability, flexibility, cost, and the like.

（実施例１）
本発明の実施例にかかる電磁波シールドフィルムにつき、図１〜図６を用いて説明する。
本例の電磁波シールドフィルム１は、図５、図６に示すごとく、電子機器内のプリント基板５０上に実装された電子部品５の表面を被覆して電磁波を遮蔽する。 Example 1
The electromagnetic wave shielding film according to the example of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the electromagnetic wave shielding film 1 of this example covers the surface of the electronic component 5 mounted on the printed board 50 in the electronic device and shields the electromagnetic wave.

図１に示すごとく、電磁波シールドフィルム１は、樹脂からなる基材フィルム２と、該基材フィルム２の一方の面に積層した金属層３とを有する。
該金属層３は、基材フィルム２との界面に配されて該基材フィルム２との密着を確保する密着層３１と、該密着層３１と反対側の面に配されて上記金属層３の腐食を防止する防錆層３３と、密着層３１と防錆層３３との間に配されるとともに密着層３１及び防錆層３３よりも電気抵抗率の低い導電層３２とからなる。 As shown in FIG. 1, the electromagnetic wave shielding film 1 has a base film 2 made of a resin and a metal layer 3 laminated on one surface of the base film 2.
The metal layer 3 is disposed at the interface with the base film 2 to secure the close contact with the base film 2, and the metal layer 3 is disposed on the surface opposite to the close contact layer 31 to form the metal layer 3. And a conductive layer 32 which is disposed between the adhesion layer 31 and the rust prevention layer 33 and has an electrical resistivity lower than that of the adhesion layer 31 and the rust prevention layer 33.

上記密着層３１は５〜５０ｎｍの厚みを有し、上記防錆層３３は１０〜５０ｎｍの厚みを有し、上記導電層３２は５０〜５００ｎｍの厚みを有する。
また、上記金属層３は、スパッタリングによって形成した膜からなる。
上記導電層３２は、電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であり、具体的には、Ｃｕ（銅）によって構成する。
上記密着層３１及び上記防錆層３３は、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金の金属膜からなる。 The adhesion layer 31 has a thickness of 5 to 50 nm, the rust prevention layer 33 has a thickness of 10 to 50 nm, and the conductive layer 32 has a thickness of 50 to 500 nm.
The metal layer 3 is a film formed by sputtering.
The conductive layer 32 has an electric resistivity of 50 μΩcm or less, and is specifically composed of Cu (copper).
The adhesion layer 31 and the rust prevention layer 33 are made of a metal film of austenitic stainless steel, which is a nonmagnetic metal, or ferritic or martensitic stainless steel, which is a magnetic metal, or a Ni alloy.

また、図２に示すごとく、基材フィルム２における金属層３配設面と反対側の面には、アクリル系樹脂等からなる粘着材層１１を予め設けておくことが好ましい。この場合、使用前において粘着材層１１を保護するための離型フィルム１２を粘着材層１１の表面に貼着しておく。 Moreover, as shown in FIG. 2, it is preferable to previously provide an adhesive layer 11 made of an acrylic resin or the like on the surface of the base film 2 opposite to the surface on which the metal layer 3 is provided. In this case, a release film 12 for protecting the adhesive layer 11 is attached to the surface of the adhesive layer 11 before use.

また、図３に示すごとく、上記電磁波シールドフィルム１は、金属層３の表面にＰＥＴフィルム等の樹脂からなる保護フィルム４を配設していることが好ましい。該保護フィルム４は、その一方の面に粘着材層１３を設けてなり、該粘着材層１３を介して金属層３の表面に貼着されている。
なお、保護フィルム４の厚みは、例えば１５〜７５μｍとすることができる。これは、下記の実施例３に示すごとく、金属層３の表面を部分的に露出させる加工を行う場合などにその加工を容易にすると共に、電磁波シールドフィルムの柔軟性を確保するためである。 As shown in FIG. 3, the electromagnetic wave shielding film 1 is preferably provided with a protective film 4 made of a resin such as a PET film on the surface of the metal layer 3. The protective film 4 is provided with an adhesive material layer 13 on one surface thereof, and is adhered to the surface of the metal layer 3 through the adhesive material layer 13.
In addition, the thickness of the protective film 4 can be 15-75 micrometers, for example. As shown in Example 3 below, this is for facilitating the processing when partially exposing the surface of the metal layer 3 and ensuring the flexibility of the electromagnetic wave shielding film.

上記電磁波シールドフィルム１は、全体の厚みが５０〜３００μｍである。
また、上記基材フィルム２は、ＰＥＴフィルムからなる。
また、上記電磁波シールドフィルム１は、図５に示すごとく、個々の電子部品５を個別に被うものであってもよいし、図６に示すごとく、複数の電子部品５を一度に被うものであってもよい。 The electromagnetic wave shielding film 1 has a total thickness of 50 to 300 μm.
The base film 2 is made of a PET film.
Further, the electromagnetic wave shielding film 1 may cover individual electronic components 5 individually as shown in FIG. 5, or may cover a plurality of electronic components 5 at a time as shown in FIG. It may be.

以下に、本例の電磁波シールドフィルム１の製造方法の一例につき、説明する。
まず、幅５００ｍｍ、厚さ２０μｍからなるＰＥＴフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）からなる基材フィルム２を２００ｍの長さ分、送り出しロールに巻いて樹脂フィルム成膜用のスパッタ装置内に設置する。 Below, an example of the manufacturing method of the electromagnetic wave shielding film 1 of this example is demonstrated.
First, a base film 2 made of a PET film (polyethylene terephthalate film) having a width of 500 mm and a thickness of 20 μm is wound around a feed roll by a length of 200 m and placed in a sputtering apparatus for forming a resin film.

その後、成膜する金属層３と基材フィルム２との密着性、及び金属層３の電気的特性の向上を目的とし、ターボ分子ポンプを用い、スパッタ装置を５×１０^-4Ｐａの高真空に真空引きし、スパッタ装置内の残留ガス、水分量を減らす。
このように高真空にスパッタ装置を真空引きした状態で、基材フィルム２を送り出しロールから巻き取りロールへ送りながら、スパッタ成膜を行なう。 Thereafter, for the purpose of improving the adhesion between the metal layer 3 to be deposited and the base film 2 and the electrical properties of the metal layer 3, a high molecular vacuum of 5 × 10 ⁻⁴ Pa is used for the sputtering apparatus using a turbo molecular pump. To reduce the residual gas and moisture in the sputtering system.
Sputter deposition is performed while the base film 2 is fed from the feed roll to the take-up roll in a state where the sputtering apparatus is evacuated to high vacuum in this way.

まず金属層３における第１層である密着層２１を成膜するに当っては、フィルム送りスピードを１．２ｍ／分として基材フィルム２を搬送しつつ金属ターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴン（Ａｒ）ガスを２００ｃｃ／分の量で導入する。上記金属ターゲット材料は、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金からなる。 First, in forming the adhesion layer 21 as the first layer in the metal layer 3, the film feed speed is set to 1.2 m / min, and the base film 2 is conveyed while the metal target material is installed in the film formation chamber. Argon (Ar) gas is introduced into the cathode electrode in an amount of 200 cc / min. The metal target material is made of austenitic stainless steel, which is a nonmagnetic metal, or ferritic or martensitic stainless steel, which is a magnetic metal, or a Ni-based alloy.

そして、パルス波形を印加できるパルス型のＤＣ（直流）電源を用い、基材フィルム２とターゲット材料との間に１．５ｋＷの電力パワーで２００Ｖの高電圧を印加する。
これにより、基材フィルム２上に、上記密着層及び上記防錆層は、オーステナイト系ステンレス鋼、又はフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金の金属膜を２５ｎｍの厚さで成膜して密着層３１を形成しつつ、巻き取りロールにフィルムを巻き取る。 Then, using a pulsed DC (direct current) power source capable of applying a pulse waveform, a high voltage of 200 V is applied between the base film 2 and the target material with a power of 1.5 kW.
As a result, the adhesion layer and the anticorrosion layer are formed on the base film 2 by forming a metal film of austenitic stainless steel, ferrite-based or martensitic stainless steel, or Ni-based alloy with a thickness of 25 nm. Then, the film is wound on a winding roll while forming the adhesion layer 31.

次いで、密着層３１の上に、電磁波シールドの重要な役割を果たす低抵抗金属層としての導電層３２の成膜を行なう。
即ち、まず、上記のごとく密着層３１を成膜してロール状に巻き取られたフィルムを、フィルム送りスピードを０．３ｍ／分にて送り出し、Ｃｕターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料との間に６．０ｋＷの電力パワーで３５０Ｖの高電圧を印加する。
これにより、密着層３１の上に、Ｃｕからなる導電層３２を２００ｎｍの厚さで成膜する。 Next, a conductive layer 32 as a low-resistance metal layer that plays an important role in electromagnetic wave shielding is formed on the adhesion layer 31.
That is, first, the cathode electrode in the film formation chamber in which the Cu target material is installed by sending out the film wound in a roll shape by forming the adhesion layer 31 as described above at a film feed speed of 0.3 m / min. In contrast, argon gas is introduced in an amount of 200 cc / min. Then, a high voltage of 350 V is applied between the film and the target material with a power of 6.0 kW using a pulsed DC (direct current) power source.
Thereby, the conductive layer 32 made of Cu is formed on the adhesion layer 31 to a thickness of 200 nm.

次いで、Ｃｕからなる導電層３２の上に、防錆効果を発揮する防錆層３３の成膜を行う。
即ち、密着層３１および導電層３２を成膜したフィルムを、フィルム送りスピード１．２ｍ／分にて搬送しつつ、ＳＵＳターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料間に１．５ｋＷの電力パワーで、２００Ｖの高電圧を印加する。
これにより、Ｃｕからなる導電層３２の上に、上記密着層及び上記防錆層は、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金の金属膜からなる防錆層３３を２５ｎｍの厚さで成膜する。 Next, a rust preventive layer 33 that exhibits a rust preventive effect is formed on the conductive layer 32 made of Cu.
That is, while the film on which the adhesion layer 31 and the conductive layer 32 are formed is transported at a film feed speed of 1.2 m / min, 200 cc of argon gas is applied to the cathode electrode in the film formation chamber in which the SUS target material is installed. Introduce in an amount of / min. A high voltage of 200 V is applied between the film and the target material with a power of 1.5 kW using a pulsed DC (direct current) power source.
Thereby, on the conductive layer 32 made of Cu, the adhesion layer and the rust-preventing layer are austenitic stainless steel that is a nonmagnetic metal, ferrite-based or martensitic stainless steel that is a magnetic metal, or Ni-based. A rust preventive layer 33 made of an alloy metal film is formed to a thickness of 25 nm.

このようにして、図１に示すごとく、基材フィルム２上に三層の金属層３（密着層３１、導電層３２、防錆層３３）を設けてなる電磁波シールドフィルム１を、金属膜付きロールフィルムの状態で作製する。 In this way, as shown in FIG. 1, the electromagnetic wave shielding film 1 in which the three metal layers 3 (adhesion layer 31, conductive layer 32, rust prevention layer 33) are provided on the base film 2 is provided with a metal film. It is produced in the state of a roll film.

次に、図２に示すごとく、この金属膜付きロールフィルム（図１の電磁波シールドフィルム１）の樹脂フィルム２のにおける金属層３と反対側の面に、厚さ２０μｍからなるアクリル系の粘着材層１１を形成する。これにより、ＬＳＩなどの電子部品に容易に貼り合わせることが可能なフィルムとする。また、使用前において粘着材層１１を保護するための離型フィルム１２を、粘着材層１１の表面に貼着する。 Next, as shown in FIG. 2, on the surface opposite to the metal layer 3 of the resin film 2 of this roll film with metal film (electromagnetic wave shielding film 1 in FIG. 1), an acrylic adhesive having a thickness of 20 μm. Layer 11 is formed. Thus, a film that can be easily bonded to an electronic component such as an LSI is obtained. In addition, a release film 12 for protecting the adhesive layer 11 is attached to the surface of the adhesive layer 11 before use.

さらに、粘着材層１１を設けた金属膜付きロールフィルム（図２の電磁波シールドフィルム１）における金属層３の表面に、厚さ２０μｍのＰＥＴからなる保護フィルム４を粘着材層１３を介して貼り合わせる（図３）。これにより、短絡防止及び金属層３の防錆効果を上げることができるフィルムとする。 Further, a protective film 4 made of PET having a thickness of 20 μm is attached to the surface of the metal layer 3 in the roll film with a metal film (the electromagnetic wave shielding film 1 in FIG. 2) provided with the adhesive material layer 11 via the adhesive material layer 13. Match (Fig. 3). Thereby, it is set as the film which can raise the rust prevention effect of the short circuit prevention and the metal layer 3.

また、ＬＳＩ等の電子部品の形状に合わせて型抜きを行なうことで、図４に示すような、小型の電磁波シールドフィルム１を作製する。なお、このとき、離型フィルム１２を残した状態で打ち抜きを行う。
なお、図１〜図６は、便宜上、フィルムの厚さ、フィルムの幅など、縦横の尺度については考慮せずに描いてある。後述する図７〜１３についても同様である。 Further, a small electromagnetic shielding film 1 as shown in FIG. 4 is produced by performing die cutting in accordance with the shape of an electronic component such as LSI. At this time, punching is performed with the release film 12 left.
1 to 6 are drawn for the sake of convenience without considering vertical and horizontal scales such as film thickness and film width. The same applies to FIGS. 7 to 13 described later.

また、本実施例においては、密着層３１に厚さ５〜５０ｎｍのステンレス鋼からなる層を用いたが、密着性を上げる他の方法としては、例えば、導電層３２の成膜前にアルゴンガスを導入した真空度１ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）チャンバー雰囲気で、周波数２０ｋＨｚ、印加電圧２００Ｖを加えることで、プラズマ処理による樹脂フィルム（基材フィルム２）のクリーニングを行い、密着性を上げることもできる。
ただし、高い信頼性を得るため、本実施例では密着層３１を具備することとした。またこの密着層３１には、ＳｉＯ₂やＴｉＯ₂などの酸化膜からなる層を用いても構わないが、酸化膜の成膜レートは低いため、価格の点から金属を用いることとした。 In the present embodiment, a layer made of stainless steel having a thickness of 5 to 50 nm is used for the adhesion layer 31. As another method for improving the adhesion, for example, an argon gas is formed before the conductive layer 32 is formed. By applying a frequency of 20 kHz and an applied voltage of 200 V in a chamber atmosphere with a degree of vacuum of 1 torr (133 Pa) into which is introduced, the resin film (base film 2) can be cleaned by plasma treatment and the adhesion can be improved.
However, in order to obtain high reliability, the adhesion layer 31 is provided in this embodiment. The adhesion layer 31 may be a layer made of an oxide film such as SiO ₂ or TiO _2, but a metal is used from the viewpoint of cost because the film formation rate of the oxide film is low.

次に、本例の作用効果につき説明する。
電磁波シールドフィルム１における金属層３は、図１〜図３に示すごとく、密着層３１と防錆層３２と導電層３３との３層を有する。そのため、基材フィルム２との界面に配される密着層３１を基材フィルム２との密着力の高い金属により構成し、最表面に配される防錆層３３を腐食しにくい金属により構成し、両者の間に配される導電層３２を電気抵抗率の充分に小さい金属により構成することができる。 Next, the function and effect of this example will be described.
As shown in FIGS. 1 to 3, the metal layer 3 in the electromagnetic wave shielding film 1 has three layers of an adhesion layer 31, a rust prevention layer 32, and a conductive layer 33. Therefore, the adhesion layer 31 arranged at the interface with the base film 2 is made of a metal having high adhesion to the base film 2, and the rust prevention layer 33 arranged on the outermost surface is made of a metal that hardly corrodes. The conductive layer 32 disposed between the two can be made of a metal having a sufficiently low electrical resistivity.

これにより、密着層３１によって金属層３と基材フィルム２との密着性を確保し、導電層３２によって電磁波シールド効果を確保し、防錆層３３によって金属層３の腐食を防止することができる。そのため、電磁波シールドフィルム１の耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。 Thereby, the adhesion between the metal layer 3 and the base film 2 can be secured by the adhesion layer 31, the electromagnetic wave shielding effect can be secured by the conductive layer 32, and the corrosion of the metal layer 3 can be prevented by the rust prevention layer 33. . Therefore, the electromagnetic wave shielding effect can be improved while ensuring the durability of the electromagnetic wave shielding film 1.

また、上記密着層３１の厚みが５〜５０ｎｍであるため、金属層３と基材フィルム２との密着性を充分に確保することができると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
また、上記導電層３２の厚みが５０〜５００ｎｍであるため、電磁波シールド効果及び電磁波シールドフィルム１の柔軟性を充分に確保することができる。また、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
また、上記防錆層３３の厚みが１０〜５０ｎｍであるため、金属層３の防錆効果を確保すると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。 Moreover, since the thickness of the said adhesion layer 31 is 5-50 nm, while being able to fully ensure the adhesiveness of the metal layer 3 and the base film 2, deformation | transformation, such as curvature of a film, can be prevented.
Moreover, since the thickness of the conductive layer 32 is 50 to 500 nm, the electromagnetic wave shielding effect and the flexibility of the electromagnetic wave shielding film 1 can be sufficiently ensured. Further, deformation such as warping of the film can be prevented.
Moreover, since the thickness of the said rust prevention layer 33 is 10-50 nm, while ensuring the rust prevention effect of the metal layer 3, deformation | transformation, such as a curvature of a film, can be prevented.

また、金属層３は、スパッタリングによって形成した膜であるため、基材フィルム２に対する密着力が高く、薄くて膜厚が均一で、かつ緻密な膜とすることができる。
また、導電層３２の電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であるため、電磁波シールド効果を充分に有する電磁波シールドフィルム１を得ることができる。また、電気抵抗率を低くすることにより、金属層３の厚みが小さくても充分な導電性を確保することができる。その結果、電磁波シールドフィルム１の厚みを小さくして柔軟性を確保することが容易となる。 In addition, since the metal layer 3 is a film formed by sputtering, the metal layer 3 has a high adhesion to the base film 2 and can be a thin, uniform and dense film.
Moreover, since the electrical resistivity of the conductive layer 32 is 50 μΩcm or less, the electromagnetic wave shielding film 1 having a sufficient electromagnetic wave shielding effect can be obtained. Further, by reducing the electrical resistivity, sufficient conductivity can be ensured even if the thickness of the metal layer 3 is small. As a result, it becomes easy to reduce the thickness of the electromagnetic wave shielding film 1 and ensure flexibility.

そして、導電層３２をＣｕによって構成することにより、電気抵抗率が充分に小さい導電層３２を安価に得ることができ、電磁波シールド効果に優れた安価な電磁波シールドフィルム１を得ることができる。
また、密着層３１及び防錆層３３は、上記密着層及び上記防錆層は、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金の金属膜からなるため、基材フィルム２との密着性を充分に確保すると共に、耐腐食性に優れた金属層３を容易に得ることができる。 And by comprising the conductive layer 32 with Cu, the conductive layer 32 having a sufficiently small electrical resistivity can be obtained at low cost, and the inexpensive electromagnetic wave shielding film 1 excellent in the electromagnetic wave shielding effect can be obtained.
Further, the adhesion layer 31 and the rust prevention layer 33 are the austenitic stainless steel that is a nonmagnetic metal, the ferrite or martensitic stainless steel that is a magnetic metal, or a Ni alloy. Therefore, it is possible to easily obtain the metal layer 3 excellent in corrosion resistance while ensuring sufficient adhesion to the base film 2.

また、密着層３１及び防錆層３３にオーステナイト系ステンレス鋼を使用した場合、耐食性、耐熱性、耐候性に優れた金属層３を得ることができる。また非磁性材料であるためＰＣ等のハードディスク付近の電磁波対策としても使用することができる。
また、密着層３１にフェライト系、マルテンサイト系ステンレス鋼あるいはＮｉ系合金、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、或いはＮｉとＣｒとの合金を使用した場合、耐食性、耐熱性、耐候性に優れた密着層３１とすることができる。また磁性材料であるため、電磁波シールド効果を向上させる効果も期待できる。
この他、密着層３１及び防錆層３３の材質は、電磁波シールドフィルム１の使用用途によって選択することが重要である。 Moreover, when austenitic stainless steel is used for the adhesion layer 31 and the rust prevention layer 33, the metal layer 3 excellent in corrosion resistance, heat resistance, and weather resistance can be obtained. Further, since it is a non-magnetic material, it can be used as a countermeasure against electromagnetic waves near a hard disk such as a PC.
In addition, when the adhesion layer 31 is made of ferritic, martensitic stainless steel or Ni alloy, such as Ni (nickel), Cr (chromium), or an alloy of Ni and Cr, corrosion resistance, heat resistance, weather resistance The adhesion layer 31 can be made excellent. Moreover, since it is a magnetic material, the effect which improves an electromagnetic wave shielding effect can also be anticipated.
In addition, it is important to select materials for the adhesion layer 31 and the rust prevention layer 33 according to the intended use of the electromagnetic wave shielding film 1.

また、電磁波シールドフィルム１は、金属層３の表面に保護フィルム４を配設してなるため、金属層３が電子回路に接触することを防ぎ、短絡を防止することができる。また、金属層３の防錆効果を向上させることができる。 Moreover, since the electromagnetic wave shielding film 1 has the protective film 4 disposed on the surface of the metal layer 3, the metal layer 3 can be prevented from coming into contact with an electronic circuit, and a short circuit can be prevented. Moreover, the rust prevention effect of the metal layer 3 can be improved.

また、小さくて柔軟性のある電磁波シールドフィルム１とすることができるため、狭い場所における電磁波の遮蔽を目的とする使用を可能とする。例えば、携帯電話などコンパクトな電子機器の内部に配設された電子部品を容易に被覆することができる。 Moreover, since it can be set as the electromagnetic shield film 1 which is small and flexible, it can be used for the purpose of shielding electromagnetic waves in a narrow place. For example, an electronic component disposed inside a compact electronic device such as a mobile phone can be easily covered.

以上のごとく、本例によれば、優れた柔軟性、耐久性、電磁波シールド効果を有する電磁波シールドフィルムを提供することができる。 As described above, according to this example, an electromagnetic wave shielding film having excellent flexibility, durability, and electromagnetic wave shielding effect can be provided.

（実施例２）
本例は、図７、図８に示すごとく、保護フィルム４０の端縁４１を基材フィルム２の端縁２１よりも外側に有する電磁波シールドフィルム１０の例である。
即ち、実施例１において示した型抜き後の小片状の電磁波シールドフィルム１（図３、図４）の一方の面に、これよりも外形の大きな保護フィルム４０を更に貼り合わせることにより、図７に示す電磁波シールドフィルム１０が得られる。保護フィルム４０としては、例えばＰＥＴからなる樹脂フィルムを用いることができる。 (Example 2)
This example is an example of the electromagnetic wave shielding film 10 having the edge 41 of the protective film 40 outside the edge 21 of the base film 2 as shown in FIGS.
That is, by further bonding a protective film 40 having a larger outer shape to one surface of the small-sized electromagnetic wave shielding film 1 (FIGS. 3 and 4) after die cutting shown in Example 1, FIG. 7 is obtained. As the protective film 40, for example, a resin film made of PET can be used.

そして、この保護フィルム４０の一方の面には粘着材層１５が形成されており、下側の保護フィルム４との間に介在される。また、保護フィルム４０のうち基材フィルム２の外形よりも外側にはみ出た部分に形成された粘着材層１５は、露出した状態にある。
保護フィルム４０の端縁４１は、基材フィルム２の端縁２１よりも０．５〜２ｍｍ外側に配されている。また、保護フィルム４０の厚みは、例えば１５〜７５μｍとすることができる。 An adhesive layer 15 is formed on one surface of the protective film 40 and is interposed between the protective film 4 on the lower side. Moreover, the adhesive material layer 15 formed in the part which protruded outside the external shape of the base film 2 among the protective films 40 exists in the exposed state.
The edge 41 of the protective film 40 is disposed 0.5 to 2 mm outside the edge 21 of the base film 2. Moreover, the thickness of the protective film 40 can be 15-75 micrometers, for example.

また、実施例１において示した保護フィルム４（図３）を設けていない電磁波シールドフィルム１（図２）の状態で、小片状に型抜きしたものに、上記と同様の外形の大きな保護フィルム４０を貼り合わせることもできる。これにより、図８に示す電磁波シールドフィルム１０が得られる。その他は、実施例１と同様である。 Moreover, in the state of the electromagnetic wave shielding film 1 (FIG. 2) which is not provided with the protective film 4 (FIG. 3) shown in Example 1, the protective film having a large outer shape similar to the above was cut into a small piece. 40 can be bonded together. Thereby, the electromagnetic wave shielding film 10 shown in FIG. 8 is obtained. Others are the same as in the first embodiment.

本例の場合には、図９、図１０に示すごとく、電磁波シールドフィルム１０を使用したとき、基材フィルム２の一方の面に形成した金属層３の端面３４をも保護フィルム４０で被うことができる。これにより、金属層３の端面３４が露出することを防ぎ、電子回路の短絡を防ぐことができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。 In the case of this example, as shown in FIGS. 9 and 10, when the electromagnetic wave shielding film 10 is used, the end surface 34 of the metal layer 3 formed on one surface of the base film 2 is also covered with the protective film 40. be able to. Thereby, it can prevent that the end surface 34 of the metal layer 3 is exposed, and can prevent the short circuit of an electronic circuit.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

なお、図７に示す、保護フィルム４、４０が二重に積層された電磁波シールドフィルム１０と、保護フィルム４０が一重に配された電磁波シールドフィルム１０との何れであっても、上記の効果を得ることはできる。しかし、金属層３を成膜した後、数々の工程を経て保護フィルム４０を配設するに至るまでの間の経時変化による腐食を考慮した場合や、耐候性が高く要求される場合等には、図７に示す、保護フィルム４、４０が二重に積層された電磁波シールドフィルム１０の方が有利である。 In addition, even if it is any of the electromagnetic wave shielding film 10 in which the protective films 4 and 40 shown in FIG. Can get. However, in the case where corrosion due to changes over time after the metal layer 3 is formed and before the protective film 40 is disposed through a number of processes, or when weather resistance is required to be high, etc. The electromagnetic wave shielding film 10 shown in FIG. 7 in which the protective films 4 and 40 are double-layered is more advantageous.

（実施例３）
本例は、図１１〜図１３に示すごとく、保護フィルム４に、金属層３を部分的に露出させる開口部４２を設けてなる電磁波シールドフィルム１００の例である。
この実施例は、図１１、図１２に示すごとく、実施例１に示した電磁波シールドフィルム１（図３）に適用することもできるし、図１３に示すごとく、実施例２に示した電磁波シールドフィルム１０（図７、図８）に適用することもできる。
その他は、実施例１と同様である。 (Example 3)
This example is an example of the electromagnetic wave shielding film 100 in which an opening 42 for partially exposing the metal layer 3 is provided in the protective film 4 as shown in FIGS.
This example can be applied to the electromagnetic wave shielding film 1 (FIG. 3) shown in Example 1 as shown in FIGS. 11 and 12, and the electromagnetic wave shield shown in Example 2 as shown in FIG. It can also be applied to the film 10 (FIGS. 7 and 8).
Others are the same as in the first embodiment.

本例の場合には、容易に上記金属層３をグランドに接続（接地）し、金属層３に流れる電流を効率よく逃がすことができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。 In the case of this example, the metal layer 3 can be easily connected (grounded) to the ground, and the current flowing through the metal layer 3 can be efficiently released.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

（実施例４）
本例は、図１４〜図２０に示すごとく、基材フィルム１１の両面に金属層３を積層してなる電磁波シールドフィルム１ａの例である。
図１４に示すごとく、電磁波シールドフィルム１は、樹脂からなる基材フィルム２と、該基材フィルム２の両面にそれぞれ積層した２つの金属層３とを有する。
各金属層３は、それぞれ、密着層３１と導電層３２と防錆層３３とからなる。
その他の構成は、実施例１と同様である。 Example 4
This example is an example of the electromagnetic wave shielding film 1a formed by laminating the metal layer 3 on both surfaces of the base film 11 as shown in FIGS.
As shown in FIG. 14, the electromagnetic wave shielding film 1 includes a base film 2 made of a resin and two metal layers 3 laminated on both surfaces of the base film 2.
Each metal layer 3 includes an adhesion layer 31, a conductive layer 32, and a rust prevention layer 33, respectively.
Other configurations are the same as those of the first embodiment.

以下に、本例の電磁波シールドフィルム１ａの製造方法の一例につき、説明する。
まず、幅５００ｍｍ〜５４０ｍｍ、厚さ１５μｍ〜５０μｍからなる上記基材フィルム２を５０ｍ〜５００ｍの長さ分、送り出しロールに巻いて樹脂フィルム成膜用のスパッタ装置内に設置する。その際、巻いたロールの内側に成膜するように設置する。
その後、成膜する金属層３と基材フィルム２との密着性、及び金属層３の電気的特性の向上を目的とし、ターボ分子ポンプを用い、スパッタ装置を１×１０^-4〜５×１０^-4Ｐａの高真空に真空引きし、スパッタ装置内の残留ガス、水分量を減らす。
このように高真空にスパッタ装置を真空引きした状態で、基材フィルム２を送り出しロールから巻き取りロールへ送りながら、まず、一方の面にスパッタ成膜を行なう。 Below, an example of the manufacturing method of the electromagnetic wave shielding film 1a of this example is demonstrated.
First, the base film 2 having a width of 500 mm to 540 mm and a thickness of 15 μm to 50 μm is wound by a length of 50 m to 500 m on a feed roll and placed in a sputtering apparatus for forming a resin film. In that case, it installs so that it may form into a film inside the wound roll.
Thereafter, for the purpose of improving the adhesion between the metal layer 3 to be deposited and the base film 2 and the electrical characteristics of the metal layer 3, a turbo molecular pump is used and the sputtering apparatus is set to 1 × 10 ^{−4 to} 5 × 10. Reduce the residual gas and moisture in the sputtering equipment by evacuating to ^-4 Pa high vacuum.
In the state where the sputtering apparatus is evacuated to high vacuum in this way, first, sputter film formation is performed on one surface while feeding the base film 2 from the feed roll to the take-up roll.

まず金属層３における第１層である密着層３１を成膜するに当っては、フィルム送りスピードを０．４ｍ／分〜２．４ｍ／分として基材フィルム２を搬送しつつ、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金からなる金属ターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴン（Ａｒ）ガスを１００ｃｃ／分〜２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス波形を印加できるパルス型のＤＣ（直流）電源を用い、基材フィルム２とターゲット材料との間に０．５ｋＷ〜６．０ｋＷの電力パワーで２００Ｖ〜４００Ｖの高電圧を印加する。 First, in forming the adhesion layer 31 which is the first layer in the metal layer 3, while transporting the base film 2 at a film feed speed of 0.4 m / min to 2.4 m / min, the nonmagnetic metal 100 cc of argon (Ar) gas is applied to the cathode electrode in the film forming chamber in which a metal target material made of austenitic stainless steel, or ferritic or martensitic stainless steel, which is a magnetic metal, or Ni-based alloy is installed. Introduced in an amount of / min to 200 cc / min. A high voltage of 200 V to 400 V is applied between the base film 2 and the target material with a power of 0.5 kW to 6.0 kW using a pulsed DC (direct current) power source that can apply a pulse waveform.

これにより、基材フィルム２上に非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼もしくは、磁性金属であるフェライト系、マルテンサイト系ステンレス鋼あるいはＮｉ系合金の金属膜を５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さで成膜して密着層３１を形成しつつ、巻き取りロールにフィルムを巻き取る。 As a result, a metal film of austenitic stainless steel, which is a nonmagnetic metal, or ferritic, martensitic stainless steel, or Ni alloy, which is a nonmagnetic metal, is formed on the base film 2 to a thickness of 5 nm to 50 nm. The film is wound on a winding roll while forming the adhesion layer 31.

上記密着層３１にオーステナイト系ステンレス鋼を使用した場合、腐食、耐熱性、耐候性に優れた金属層３を得ることができる。また非磁性料であるためＰＣ等のハードディスク付近の電磁波対策としても使用することができる。また、上記密着層３１に、フェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金を使用した場合、腐食、耐熱性、耐候性に優れた密着層３１を得ることができる。また磁性材料であるため、電磁波シールド効果を向上させる効果も期待できる。この他、密着層３１の材料は、電磁波シールドフィルム１ａの使用用途によって選択することが重要である。 When austenitic stainless steel is used for the adhesion layer 31, the metal layer 3 having excellent corrosion, heat resistance, and weather resistance can be obtained. Further, since it is a non-magnetic material, it can be used as a countermeasure against electromagnetic waves near a hard disk such as a PC. In addition, when ferrite-based or martensitic stainless steel or Ni-based alloy is used for the adhesion layer 31, the adhesion layer 31 having excellent corrosion, heat resistance, and weather resistance can be obtained. Moreover, since it is a magnetic material, the effect which improves an electromagnetic wave shielding effect can also be anticipated. In addition, it is important to select the material of the adhesion layer 31 according to the intended use of the electromagnetic wave shielding film 1a.

また、上記密着層３１の厚みが５ｎｍ未満の場合、金属層３と基材フィルム２との密着性を充分に確保することが困難となり、場合によっては、金属層３が基材フィルム２から剥がれるおそれがある。一方、密着層３の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。 Moreover, when the thickness of the said adhesion layer 31 is less than 5 nm, it becomes difficult to ensure sufficient adhesiveness of the metal layer 3 and the base film 2, and the metal layer 3 peels from the base film 2 depending on the case. There is a fear. On the other hand, when the thickness of the adhesion layer 3 exceeds 50 nm, deformation such as warping of the film may occur, and productivity may decrease.

次いで、上記密着層３１の上に、電磁波シールドの重要な役割を果たす低抵抗金属層である導電層３２として、例えばＣｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、若しくはその合金、例えば、ＡｇとＣｕの合金、ＣｕとＮｉとの合金の成膜を行なう。この中でも特に上記導電層３２は安価なＣｕからなることが好ましい。 Next, as the conductive layer 32 which is a low resistance metal layer that plays an important role of electromagnetic shielding on the adhesion layer 31, for example, Cu (copper), Ag (silver), Au (gold), Al (aluminum), etc. A metal or an alloy thereof, for example, an alloy of Ag and Cu, or an alloy of Cu and Ni is formed. Among these, the conductive layer 32 is particularly preferably made of inexpensive Cu.

上記のごとく密着層３１を成膜してロール状に巻き取られたフィルムを、フィルム送りスピードを０．１５ｍ／分〜０．５ｍ／分にて送り出し、Ｃｕターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを１００ｃｃ／分〜２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料との間に３ｋＷ〜１０ｋＷの電力パワーで２５０Ｖ〜４５０Ｖの高電圧を印加する。
これにより、密着層３１の上に、Ｃｕからなる導電層３２を５０ｎｍ〜５００ｎｍの厚さで成膜する。また、上記導電層３２は、電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であることから電磁波シールド特性上好ましい。 As described above, the film formed by forming the adhesion layer 31 and wound into a roll is sent out at a film feed speed of 0.15 m / min to 0.5 m / min, and inside the film forming chamber in which the Cu target material is installed. Argon gas is introduced into the cathode electrode in an amount of 100 cc / min to 200 cc / min. Then, using a pulsed DC (direct current) power source, a high voltage of 250 V to 450 V is applied between the film and the target material with a power of 3 kW to 10 kW.
Thereby, the conductive layer 32 made of Cu is formed on the adhesion layer 31 to a thickness of 50 nm to 500 nm. In addition, the conductive layer 32 is preferable in terms of electromagnetic wave shielding characteristics because its electric resistivity is 50 μΩcm or less.

次いで、導電層３２の上に、防錆効果を発揮する防錆層３３の成膜を行う。
即ち、密着層３１および導電層３２を成膜したフィルムを、フィルム送りスピード０．４ｍ／分〜２．４ｍ／分にて搬送しつつ、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼もしくは、磁性金属であるフェライト系、マルテンサイト系ステンレス鋼あるいはＮｉ系合金を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを１００ｃｃ／分〜２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料間に０．５ｋＷ〜６．０ｋＷの電力パワーで、２００Ｖ〜４００Ｖの高電圧を印加する。 Next, a rust prevention layer 33 that exhibits a rust prevention effect is formed on the conductive layer 32.
That is, while the film on which the adhesion layer 31 and the conductive layer 32 are formed is conveyed at a film feed speed of 0.4 m / min to 2.4 m / min, it is made of austenitic stainless steel, which is a nonmagnetic metal, or a magnetic metal. Argon gas is introduced in an amount of 100 cc / min to 200 cc / min into a cathode electrode in a film forming chamber in which a certain ferritic, martensitic stainless steel or Ni alloy is installed. A high voltage of 200 V to 400 V is applied between the film and the target material with a power of 0.5 kW to 6.0 kW using a pulse type DC (direct current) power source.

これにより、導電層３２の上に、防錆層３３を１０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さで成膜する。
また、上記防錆層３３の厚みが１０ｎｍ未満の場合には、金属層３の防錆効果を確保することが困難となるおそれがある。防錆層３３の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。 Thereby, the antirust layer 33 is formed in a thickness of 10 nm to 50 nm on the conductive layer 32.
Moreover, when the thickness of the said rust prevention layer 33 is less than 10 nm, there exists a possibility that it may become difficult to ensure the rust prevention effect of the metal layer 3. FIG. When the thickness of the rust preventive layer 33 exceeds 50 nm, deformation such as warping of the film may occur, and productivity may decrease.

上記のごとく金属層３を成膜した基材フィルム２の反対側の面に対しても、同様の金属層３を同様の方法で成膜する。これにより、図１４に示すごとく、基材フィルム２の両面に金属層３を形成した電磁波シールドフィルム１ａを得る。 The same metal layer 3 is formed by the same method on the opposite surface of the base film 2 on which the metal layer 3 is formed as described above. Thereby, as shown in FIG. 14, the electromagnetic wave shielding film 1a in which the metal layers 3 are formed on both surfaces of the base film 2 is obtained.

また、図１５に示すごとく、上記電磁波シールドフィルム１ａにおける金属層３の表面に、厚さ１５μｍ〜５０μｍのＰＥＴからなる保護フィルム４を粘着材層１３を介して貼り合わせることもできる。これにより、短絡防止及び金属層３の防錆効果を上げることができるフィルムとする。
上記保護フィルム４が１５μｍ未満の場合、扱いが非常に困難であるため量産効率が悪い。また、保護フィルム４が５０μｍを超える場合は、電磁波シールドフィルム１ａの全体の厚みを３００μｍ以下に抑えることが困難になるおそれがある。 Further, as shown in FIG. 15, a protective film 4 made of PET having a thickness of 15 μm to 50 μm can be bonded to the surface of the metal layer 3 in the electromagnetic wave shielding film 1 a via an adhesive layer 13. Thereby, it is set as the film which can raise the rust prevention effect of the short circuit prevention and the metal layer 3.
When the protective film 4 is less than 15 μm, it is very difficult to handle and the mass production efficiency is poor. Moreover, when the protective film 4 exceeds 50 micrometers, there exists a possibility that it may become difficult to suppress the whole thickness of the electromagnetic wave shielding film 1a to 300 micrometers or less.

また、ＬＳＩ等の電子部品５の形状に合わせて型抜きを行なうことで、図１７に示すような、小型の電磁波シールドフィルム１ａを作製する。
また、図１６に示すごとく、一方の保護フィルム４の表面に粘着材層１１及び離型フィルム１２を形成することもできる。
これにより、図１８に示すごとく、電磁波シールドフィルム１ａをＬＳＩなどの電子部品５に容易に貼り合わせることができる。また、粘着材層１１は厚さ１０μｍ〜５０μｍからなるアクリル系の粘着材を使用することができる。
上記粘着材層１１を１０μｍ未満とすることは作成上困難である。また、粘着材層１１が５０μｍを超える場合は、電磁波シールドフィルム１ａの全体の厚みを３００μｍ以下に抑えることが困難になるおそれがある。 Further, by performing die cutting in accordance with the shape of the electronic component 5 such as LSI, a small electromagnetic shielding film 1a as shown in FIG. 17 is produced.
Moreover, as shown in FIG. 16, the adhesive material layer 11 and the release film 12 can also be formed on the surface of one protective film 4.
Thereby, as shown in FIG. 18, the electromagnetic wave shielding film 1a can be easily bonded to the electronic component 5 such as an LSI. Moreover, the adhesive material layer 11 can use the acrylic adhesive material which consists of 10 micrometers-50 micrometers in thickness.
It is difficult to make the pressure-sensitive adhesive layer 11 less than 10 μm. Moreover, when the adhesive material layer 11 exceeds 50 micrometers, there exists a possibility that it may become difficult to suppress the whole thickness of the electromagnetic wave shielding film 1a to 300 micrometers or less.

なお、本例の電磁波シールドフィルム１ａには、保護フィルム４を配設することなく、図２０に示すごとく、一方の金属層３の表面に直接粘着材層１１及び離型フィルム１２を形成することもできる。
また、上記電磁波シールドフィルム１ａは、図１８に示すごとく、個々の電子部品５を個別に被うものであってもよいし、図１９に示すごとく、複数の電子部品５を一度に被うものであってもよい。 In addition, in the electromagnetic wave shielding film 1a of this example, the adhesive material layer 11 and the release film 12 are directly formed on the surface of one metal layer 3 as shown in FIG. You can also.
Further, the electromagnetic wave shielding film 1a may individually cover each electronic component 5 as shown in FIG. 18, or may cover a plurality of electronic components 5 at a time as shown in FIG. It may be.

本例のように、基材フィルム２の両面に金属層３を配することにより、片面に金属層３を配するよりも電磁波シールドを効果的に行うことができる。
即ち、基材フィルム２の一方の面にのみ金属層３を形成する場合において、電磁波シールド効果を向上させるためには、金属層３の厚みを大きくする必要がある。しかし、金属層３の膜厚を大きくするには、スパッタの際のフィルム送り速度を遅くして成膜するなどの手法をとる必要があり、成膜時における熱の影響を受けるおそれがある。この熱の影響により、基材フィルム２と金属膜３との間の熱膨張の差に起因する歪みやクラックが発生しやすくなる。
そこで、本例のように、基材フィルム２の両面に金属層３を形成することにより、各金属層３の厚みを大きくすることなく電磁波シールド効果を向上させることができるため、上記のような不具合を防ぐことができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。 By arranging the metal layer 3 on both surfaces of the base film 2 as in this example, electromagnetic wave shielding can be performed more effectively than arranging the metal layer 3 on one surface.
That is, when the metal layer 3 is formed only on one surface of the base film 2, it is necessary to increase the thickness of the metal layer 3 in order to improve the electromagnetic wave shielding effect. However, in order to increase the film thickness of the metal layer 3, it is necessary to take a method such as forming a film at a low film feed rate during sputtering, which may be affected by heat during film formation. Due to the influence of heat, distortion and cracks due to the difference in thermal expansion between the base film 2 and the metal film 3 are likely to occur.
Therefore, as in this example, by forming the metal layers 3 on both surfaces of the base film 2, the electromagnetic wave shielding effect can be improved without increasing the thickness of each metal layer 3. A malfunction can be prevented.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

また、図２１に示すごとく、基材フィルム２の一方の面に金属層３を形成した電磁波シールドフィルム１（図１参照）を２枚作成し、粘着材層１１０を介して、金属層３同士を貼り合わせることにより上記実施例４と同様の効果を有する電磁波シールドフィルム１ａを得ることができる。この場合、基材フィルム２が保護フィルムの役割を果たす。
そして、この場合、図２２に示すごとく、保護フィルムとしての基材フィルム２の表面に粘着材層１１及び離型フィルム１２を配設することにより、電子部品への貼着作業を容易に行うことができる。 In addition, as shown in FIG. 21, two electromagnetic wave shielding films 1 (see FIG. 1) in which the metal layer 3 is formed on one surface of the base film 2 are created, and the metal layers 3 are connected to each other via the adhesive layer 110. The electromagnetic wave shielding film 1a which has an effect similar to the said Example 4 can be obtained by bonding together. In this case, the base film 2 serves as a protective film.
In this case, as shown in FIG. 22, the adhesive material layer 11 and the release film 12 are disposed on the surface of the base film 2 as a protective film, so that the attaching operation to the electronic component can be easily performed. Can do.

なお、上記実施例１〜４においては、基材フィルムとして樹脂フィルムを用いる例を示したが、基材フィルムは、ゴムや布地によって構成することもできる。この場合には、屈曲性に優れた電磁波シールドフィルムを得ることができる。
また、本発明の電磁波シールドフィルムは、例えば、電気配線に巻き付けて用いることもできる。 In addition, in the said Examples 1-4, although the example which uses a resin film as a base film was shown, a base film can also be comprised with rubber | gum or cloth. In this case, an electromagnetic wave shielding film having excellent flexibility can be obtained.
Moreover, the electromagnetic wave shielding film of this invention can also be wound around an electrical wiring and used, for example.

また、上記基材フィルムとしてゴムを用いる場合には、磁性材料粉を混ぜたゴムシートを用いることもできる。これにより、電磁波シールド効果をより向上させることができる。
或いは、磁性材料粉を混ぜたゴムシートに対して、実施例１に示す電磁波シールドフィルムを張り合わせて電磁波シールドシートを得ることもできる。
また、上記基材フィルムとして布地を用いる場合には、特にフレキシブル性を向上させることができ、様々な太さのケーブル（電気配線）や、種々の凹凸面、屈曲面を有する電子部品に容易に対応させことができる。 Moreover, when using rubber | gum as said base film, the rubber sheet which mixed magnetic material powder | flour can also be used. Thereby, the electromagnetic wave shielding effect can be further improved.
Alternatively, the electromagnetic wave shielding sheet shown in Example 1 can be bonded to a rubber sheet mixed with magnetic material powder to obtain an electromagnetic wave shielding sheet.
In addition, when a fabric is used as the base film, flexibility can be particularly improved, and it can be easily applied to cables having various thicknesses (electrical wiring) and electronic parts having various uneven surfaces and bent surfaces. It can be made to correspond.

実施例１における、保護フィルム及び粘着材層を設けていない電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film which does not provide the protective film and adhesive material layer in Example 1. FIG. 実施例１における、粘着材層を設けた電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film which provided the adhesive material layer in Example 1. FIG. 実施例１における、保護フィルム及び粘着材層を設けた電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film which provided the protective film and adhesive material layer in Example 1. FIG. 実施例１における、小片状にした電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film made into the small piece shape in Example 1. FIG. 実施例１における、個々の電子部品を個別に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the use aspect of the electromagnetic wave shielding film which covers each electronic component in Example 1 separately. 実施例１における、複数の電子部品を一度に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the usage condition of the electromagnetic wave shielding film which covers a some electronic component in Example 1 at once. 実施例２における、保護フィルムを二重に設けた電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film in which the protective film in Example 2 was provided double. 実施例２における、保護フィルムを一重とした電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shield film which made the protective film single in Example 2. FIG. 実施例２における、個々の電子部品を個別に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the usage aspect of the electromagnetic wave shielding film which covers each electronic component in Example 2 separately. 実施例２における、複数の電子部品を一度に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the usage aspect of the electromagnetic wave shielding film which covers the some electronic component in Example 2 at once. 実施例３における、電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film in Example 3. FIG. 実施例３における、電磁波シールドフィルムの平面図。The top view of the electromagnetic wave shielding film in Example 3. FIG. 実施例３における、他の電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the other electromagnetic wave shielding film in Example 3. FIG. 実施例４における、電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film in Example 4. FIG. 実施例４における、保護フィルムを設けた電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film which provided the protective film in Example 4. FIG. 実施例４における、保護フィルムを設けると共に粘着材層及び離型フィルムを設けた電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film which provided the protective material film in Example 4, and provided the adhesive material layer and the release film. 実施例４における、小片状にした電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film made into small piece in Example 4. FIG. 実施例４における、個々の電子部品を個別に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the usage condition of the electromagnetic wave shielding film which covers each electronic component in Example 4 separately. 実施例４における、複数の電子部品を一度に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。Sectional explanatory drawing which shows the usage condition of the electromagnetic wave shielding film which covers a some electronic component in Example 4 at once. 実施例４における、金属層の表面に直接粘着材層及び離型フィルムを設けた電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the electromagnetic wave shielding film which provided the adhesive material layer and the release film directly on the surface of the metal layer in Example 4. FIG. 実施例４における、他の電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the other electromagnetic wave shielding film in Example 4. FIG. 実施例４における、粘着材層及び離型フィルムを設けた他の電磁波シールドフィルムの断面図。Sectional drawing of the other electromagnetic wave shield film which provided the adhesive material layer and the release film in Example 4. FIG.

Explanation of symbols

１、１０、１００電磁波シールドフィルム
２基材フィルム
３金属層
３１密着層
３２導電層
３３防錆層
４、４０保護フィルム
５電子部品 1, 10, 100 Electromagnetic wave shielding film 2 Base film 3 Metal layer 31 Adhesion layer 32 Conductive layer 33 Rust preventive layer 4, 40 Protective film 5 Electronic component

Claims

An electromagnetic wave shielding film that shields electromagnetic waves by covering the surface of an electronic component or electrical wiring mounted in an electronic device,
The electromagnetic wave shielding film has a base film made of an insulating material, and a metal layer laminated on one or both surfaces of the base film,
The metal layer comprises a rust preventive layer disposed on the surface layer side to prevent corrosion of the metal layer, and a conductive layer having a lower electrical resistivity than the rust preventive layer,
The electromagnetic wave shielding film, wherein the conductive layer has a thickness of 50 to 500 nm.

2. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the metal layer has an adhesion layer that is disposed at an interface with the substrate film and ensures adhesion with the substrate film.

The electromagnetic wave shielding film according to claim 2, wherein the adhesion layer has a thickness of 5 to 50 nm.

4. The adhesion layer and the anticorrosion layer according to claim 2 or 3, comprising a metal film of austenitic stainless steel that is a non-magnetic metal, ferritic or martensitic stainless steel that is a magnetic metal, or a Ni-based alloy. An electromagnetic wave shielding film characterized by that.

5. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the antirust layer has a thickness of 10 to 50 nm.

6. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the metal layer is a film formed by sputtering.

The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the conductive layer has an electric resistivity of 50 μΩcm or less.

8. The electromagnetic wave shielding film according to claim 7, wherein the conductive layer is made of Cu.

9. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding film includes a protective film made of a resin on a surface of the metal layer.

In Claim 9, The said metal layer is laminated | stacked on one surface of the said base film, The said protective film has the edge of this protective film outside the edge of the said base film. An electromagnetic wave shielding film characterized by comprising:

11. The electromagnetic wave shielding film according to claim 9, wherein the protective film is provided with an opening partly exposing the metal layer.

The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the base film is made of rubber or fabric having a thickness of 0.05 to 5 mm.

The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the base film is made of a resin having a thickness of 15 to 50 μm.