JP2006134956A - バンプ付きテープキャリア - Google Patents

Abstract

【課題】微細なファインパターンで回路が形成され、半田バンプにより半導体チップと接合ができるため、極薄短小化が必要とされている電子機器に使用することができるバンプ付きテープキャリアを提供すること。
【解決手段】本発明のバンプ付きテープキャリアは、絶縁フィルム７１の両面に導体パターン７２，７５が形成され、この導体パターン同士を接続するための構造と、この導体パターンの一方の片面に形成された半導体チップ接続用金属バンプ７９とを備えたことを特徴とする。
【選択図】図７

Description

本発明は、半導体チップを回路基板に搭載するためのバンプ付きテープキャリアであって、絶縁フィルムの両面に導体パターンが形成され、この導体パターン同士を接続するための構造と、この導体パターンの一方の片面に形成された半導体チップ接続用金属バンプとを備えたことを特徴とするバンプ付きテープキャリアに関する。

近年、携帯電話やデジタルスチールカメラ（ＤＳＣ）に代表される電子機器にはフレキシブルプリント回路基板（以下、ＦＰＣとも略称する。）が使用されている。これら電子機器には極薄軽小化が求められ、そこに用いられるＦＰＣの極薄化、軽量化、高密度化、微細化が要求されている。これらの要求に対し、絶縁基板の両面に回路が形成された両面ＦＰＣは、片面ＦＰＣに代わるものとして実用化されている。この両面ＦＰＣとしては、ポリイミドなどの絶縁性のプラスチックフィルムにある厚さを有する導体パターンが形成され、当該導体パターン同士を電気的に接合するために、絶縁基板にスルーホールと呼ばれる貫通孔を形成するのが一般的である。

特開平２−８７５８９号公報

しかしながらスルーホールで導体パターン間を接合する場合には、通常スルーホール部分への電気化学めっきが施されることになるが、その場合、絶縁基板に設けられた導体の両表面にめっきが付着することにより導体厚さが厚くなり、導体層をエッチングする際シャープで微細な回路を得ることが困難である。したがってそのような場合には、導体パターンに搭載される部品のピッチには制限が課され、どうしても微細化する必要がある場合にはスルーホールめっき後に絶縁基板表面の導体層を研磨やハーフエッチングなどの導体層薄膜化をしなければならないなど、さらに工程を必要とするという問題点があった。

上記の課題を解決するため、本発明は
（１）半導体チップを回路基板に搭載するためのバンプ付きテープキャリアであって、絶縁フィルムの両面に導体パターンが形成され、この導体パターン同士を接続するための構造と、この導体パターンの一方の片面に形成された半導体チップ接続用金属バンプとを備えたことを特徴とするバンプ付きテープキャリア、
（２）前記半導体チップ接続用金属バンプが形成された導体パターンの他方の片面の導体パターンと、前記絶縁フィルムの両面に形成された導体パターン同士を接続するための構造とが同一材料の金属導体で形成されたことを特徴とする（１）記載のバンプ付きテープキャリア、
（３）前記半導体チップ接続用金属バンプが形成された導体パターンの他方の片面には、物理的金属蒸着層が形成され、その後電気化学的金属被覆層が形成されたことを特徴とする（１）または（２）のいずれか１項記載のバンプ付きテープキャリア、
（４）前記物理的金属蒸着層の厚さは１μｍ以下であって、前記電気化学的金属被覆層の厚さは１μｍ以上３５μｍ以下であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項記載のバンプ付きテープキャリア、
（５）前記導体に形成された導体パターン同士を接続するための構造が、スルーホール、ブラインドＶｉａ構造またはフィルドＶｉａから選ばれた少なくとも１つであることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項記載のバンプ付きテープキャリア、
（６）前記金属バンプは、厚さ１μｍ以上のスズ系半田からなることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１項記載のバンプ付きテープキャリア、
（７）前記物理的金属蒸着層はニッケル−クロム合金であることを特徴とする（３）〜（６）のいずれか１項記載のバンプ付きテープキャリア。
（８）前記バンプ付きテープキャリアに絶縁樹脂層が片面もしくは両面に形成されたことを特徴とする（１）〜（７）のいずれか１項に記載のバンプ付きテープキャリア、
を提供する。

本発明により得られるバンプ付きテープキャリアは、微細なファインパターンで回路が形成され、半田バンプにより半導体チップと接合ができるため、極薄短小化が必要とされている電子機器に使用することができる。

本発明においては、絶縁フィルムの両面に導体パターンが形成され、この両面に形成された導体パターン同士を接続するための構造と、この導体パターンの一方の片面に形成された半導体チップ接続用金属バンプとを備えたバンプ付きテープキャリアが提供される。絶縁フィルムは適宜使用することができるが、耐熱性および機械的特性の点で、ポリイミド、液晶ポリマー、アラミド、ガラスエポキシのほか、ポリエチレンテレフタレート等をはじめとするポリエステル等の材料を使用することができる。絶縁フィルムの厚さは適宜選択することができるが、１〜１００μｍとすることが好ましい。

絶縁フィルムにはまず最初に導体層が設けられるが、導体層には銅箔のようなある程度の厚さを有するものが使用される。その場合には接着剤付きの銅箔層でも、接着剤層を介することなく絶縁フィルムに銅箔層が積層されたものでもよい。後者の接着剤層を介することなく絶縁フィルムに銅箔層が積層されたものの具体例としては、新日鐵化学社製商品名ＭＣ１２−２５−００ＣＥＭやＳＣ１２−２５−００ＣＥＭ等を挙げることができる。部品搭載時または使用される電子機器中で放熱される熱に対する耐性を有するという点を考慮して、接着剤層を介することなく絶縁フィルムに銅箔層が積層されたものが好ましい。
次に絶縁フィルム両面に形成された導体層同士を電気的に導通するための構造が、上記の積層フィルムに形成される。その方法としては適宜選択されるが、絶縁フィルムおよび金属導体の両方を貫くように、孔が形成され貫通孔としてもよいし、絶縁フィルムのみにＶｉａを形成してもよい。その方法は適宜選択することができるが、貫通孔を形成する場合にはドリルで、Ｖｉａを形成する場合にはレーザー加工することが好適に行われる。

本発明においては、前記半導体チップ接続用金属バンプが形成された導体パターンの他方の片面の導体パターンと、絶縁フィルムの両面に形成された導体パターン同士を接続するための構造とが、同一材料の金属導体であることが好ましい。その方法としては、半導体チップ接続用金属バンプが形成された導体パターンの他方の片面と、前記の通り形成された孔やＶｉａ表面とを同時に処理することにより、導体層が形成されるのが好ましい。このような方法を採用することにより効率的に導体層を形成することができる。

その導体層は物理的金属蒸着層によって形成され、その後さらに電気化学的金属被覆層が形成されるのが好ましい。物理的金属蒸着層は１ｎｍ〜１μｍの膜厚とするのが好ましい。物理的金属蒸着層は、導体層の下地材として作用するものであるが、１ｎｍ未満の場合には、ピンホールが多い不均一な膜となってしまい、導体層の下地材にもならない。１μｍを越える場合には蒸着時間もかかることから大きなコストアップにつながり、また形成する金属種によっては、回路形成に時間を要する場合もある。上記物理的金属蒸着層の上には、成長速度の高い、生産性の高い電気化学的金属被覆層が形成される。

この導体層を物理的金属蒸着層を下地材とした場合には、当該蒸着層は均一かつ緻密であることから、導体層と絶縁フィルムとの密着性が良好であり、繰り返し応力が印加された場合への耐久性が高く、所定厚さとすることができる。電気化学的金属被覆層は、適宜条件を選択することにより、適切な厚さに設定される。好ましくは、１〜３５μｍとされる。厚さが１μｍ未満の場合には、効果がなく、３５μｍを越える場合には、基板の屈曲性が低下するとともにパターン形成の際の高密度微細パターンを得ることができなくなる。

以上の通り、片面に導体層が形成された後は、残る片面の金属導体層にパターン形成がされ、半導体チップ接続用金属バンプが形成される。金属バンプを構成する材料としては、Ｓｎ、Ｓｎ合金（半田）等が挙げられるが、特に半田が好ましい。

以下、図面を参照して、本発明のバンプ付きテープキャリアについて説明する。

（実施例１）図２（ｄ）は、本発明のバンプ付きテープキャリアを示すものであるが、本テープキャリアは図１（ａ）〜図２（ｄ）の工程により得ることができる。

まず図１（ａ）に示すように、接着剤を介することなく厚さ１２μｍの電解銅箔１２が積層されたポリイミドフィルム１１（新日鐵化学社製商品名ＭＣ１２−２５−００ＣＥＭ）の必要箇所に、ドリルを用いて１５０〜５００μｍ径の貫通孔１３を形成し、孔およびその周辺に付着したスミヤを、アルカリ系デスミア処理によって除去した。

次にプラズマ処理機構を備えたスパッタリング装置内に前記基板をセットし、該スパッタ装置内に酸素ガスを導入した後、ガス圧３×１０^-２ Ｔｏｒｒ、ＡＣ電圧８００Ｖにて、上記積層フィルムのポリイミド面（Ｂ面）に、１０秒間低温プラズマ処理を実施した。次にスパッタリング装置内を十分にパージしてアルゴンガスを導入した後、ガス圧３×１０^-３ Ｔｏｒｒ、ＤＣ電圧４００Ｖの条件で、上記回路基板の低温プラズマ処理面に向けてスパッタリングし、当該処理面に厚さ５００ｎｍのＮｉＣｒ合金膜１４を付着形成した（図１（ｂ））。

次に脱脂、水洗、硫酸活性化を行い、さらに、水洗後、荏原ユージライト社製キューブライトＢＵプロセス、もしくはＴＨＲ−２プロセスを用いて、同時に孔側面とＢ面に銅めっき導電層１５を新たに厚み約１２μｍ形成した。このときＡ面には極力めっきがつかないようにマスキング処理を行った（図１（ｃ））。

次にＡ面銅箔面上に厚さ１５μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム１６（ニチゴーモートン社製商品名ＮＩＴ２１５）をラミネートした後、バンプ形成部分がポジパターンとなるマスク１７を通して感光性ドライフィルムを露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は１２０ｍＪ／ｃｍ^２とした（図１（ｄ））。

次に感光性ドライフィルムを液温３０℃の１重量％Ｎａ_２ＣＯ_３水溶液を用いて現像し、めっきレジスト１８を形成した（図１（ｅ））。

次に電解半田めっきでＳｎＡｇ共晶半田組成（Ａｇ３．５重量％）の半田バンプ１９を５〜１５μｍの厚さで形成し、感光性ドライフィルムを剥離した。剥離液としては、液温５４℃のニチゴーモートン社製商品名ＨＴＯ水溶液を用いた（図１（ｆ））。

両面に厚さ１５μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム２１（ニチゴーモートン社製商品名ＮＩＴ２１５）をラミネートした後、配線部がネガパターンとなるマスク２２を通して感光性ドライフィルムを露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は１２０ｍＪ／ｃｍ^２とした（図２（ａ））。

次に感光性ドライフィルムを液温３０℃の１重量％Ｎａ_２ＣＯ_３水溶液を用いて現像し、パターンエッチングレジスト２３を形成した（図２（ｂ））。

Ｂ面を塩化第二鉄液などの酸性エッチング液にてパターンエッチング、Ａ面をアルカリエッチングし（使用したプロセスはメルテックス社製商品名Ａプロセス）、感光性ドライフィルムを剥離した。剥離液としては、液温５４℃のニチゴーモートン社製商品名ＨＴＯ水溶液を使用した（図２（ｃ））。

必要箇所にレジスト形成日立化成工業社製商品名レイテックＦＲ−５０２５プロセスを用いて、レジスト形成２４を行った。また無電解などによるＮｉＡｕめっきの実施（Ｎｉめっきをメルテックス社製商品名メルプレートＮＩ−８６５−ＴＭ１、２プロセス、ＡｕめっきをシルプレートＡＵ−６０１プロセス）を行った（図２（ｄ））。
本実施例においては、従来からのスルーホールによる層間接続においても、パターン部の銅厚を厚くすることはなく、微細なファインパターンで回路が形成でき、半田バンプにより半導体チップとフリップチップ接合をすることができた。

（実施例２）まず図３（ａ）に示すように、接着剤を介することなく厚さ１２μｍの電解銅箔３２が積層されたポリイミドフィルム３１（新日鐵化学社製商品名ＳＣ１２−２５−００ＣＥＭ）の必要箇所に、炭酸ガスレーザを用いて１００〜１５０μｍ径のＶｉａ孔３３を形成し、孔およびその周辺に付着したスミヤを、アルカリ系デスミア処理によって除去した。

プラズマ処理機構を備えたスパッタリング装置内に上記のＶｉａ孔が形成されたフィルムをセットし、該スパッタリング装置内を十分にパージして酸素ガスを導入した後、ガス圧３×１０^-２ Ｔｏｒｒ、ＡＣ電圧８００Ｖにて、上記フィルムのポリイミド面（Ｂ面）に、１０秒間低温プラズマ処理を行った。次にスパッタリング装置内を十分にパージしてアルゴンガスを導入した後、ガス圧３×１０^-３ Ｔｏｒｒ、ＤＣ電圧４００Ｖの条件で、上記フィルムの低温プラズマ処理面に向けてスパッタリングし、当該処理面に厚さ５００ｎｍのＮｉＣｒ合金膜３４を付着形成した（図３（ｂ））。

次に脱脂、水洗、硫酸活性化を行い、さらに、水洗した。その後Ａ面にはめっきが付着しないように めっきテープや接着剤付きのＰＥＴフィルムなどでマスキング処理を行い、荏原ユージライト社製商品名キューブライトＢＵプロセスを用いて電解銅めっきにより、同時にＶｉａ孔側面を含めたＢ面に約１２μｍ厚さの銅めっき導電層３５を形成した（図３（ｃ））。

Ａ面銅箔面上に厚さ１５μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム３６（ニチゴーモートン社製商品名ＮＩＴ２１５）をラミネートした後、バンプ形成予定部分がポジパターンとなるマスク３７を通して上記感光性ドライフィルムを露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は１２０ｍＪ／ｃｍ^２とした（図３（ｄ））。

上記感光性ドライフィルムを液温３０℃の１重量％のＮａ_２ＣＯ_３水溶液を用いて現像し、めっきレジストを形成した（図３（ｅ））。

電解半田めっきでＳｎＡｇ共晶半田組成（Ａｇ３．５重量％）の半田バンプ３９を厚さ５〜１５μｍで形成し感光性ドライフィルムを剥離した。剥離液としては、液温５４℃のニチゴーモートン社製商品名ＨＴＯ水溶液を用いた（図３（ｆ））。

さらに両面に厚さ１５μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム４１（ニチゴーモートン社製商品名ＮＩＴ２１５）をラミネートした後、配線部がネガパターンとなるマスク４２を通して感光性ドライフィルムを露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は１２０ｍＪ／ｃｍ^２とした（図４（ａ））。

上記感光性ドライフィルムを液温３０℃の１ｗｔ％Ｎａ_２ＣＯ_３水溶液を用いて現像し、パターンエッチングレジストを形成した（図４（ｂ））。

Ｂ面を塩化第二鉄液などの酸性エッチング液にてパターンエッチング、Ａ面をアルカリエッチング（メルテックス社製商品名Ａプロセス）し、感光性ドライフィルムを剥離した。剥離液としては、液温５４℃のニチゴーモートン社製ＨＴＯ水溶液を使用した（図４（ｃ））。

必要箇所に日立化成工業社製商品名レイテックＦＲ−５０２５プロセスを用いてレジスト４３を形成し、また無電解ＮｉＡｕめっきを行った。Ｎｉめっきにはメルテックス社製商品名メルプレートＮＩ−８６５−ＴＭ１、２プロセスを用い、ＡｕめっきにはシルプレートＡＵ−６０１プロセスを使用した（図４（ｄ））。
本実施例においてはブラインドＶｉａによる層間接続において、パターン部の銅厚を厚くすることはなく、微細なファインパターンで回路が形成でき、半田バンプにより半導体チップとフリップチップ接合ができた。

（実施例３）
まず図５（ａ）に示すように、接着剤を介することなく厚さ１２μｍの電解銅箔５２が積層されたポリイミドフィルム５１（新日鐵化学社製商品名ＭＣ１２−２５−００ＣＥＭ）の必要箇所に、炭酸ガスレーザを用いて１００〜１５０μｍ径のＶｉａ孔５３を形成し、孔およびその周辺に付着したスミヤを、アルカリ系デスミア処理によって除去した。

次に脱脂、水洗、硫酸活性化を行い、さらに水洗した。その後Ａ面にめっきがつかないようにマスキング処理を行い、荏原ユージライト社製商品名キューブライトＢＵプロセスを用いて、Ｖｉａ孔を埋めるよう電解銅めっき５３‘を行った（図５（ｂ））。

プラズマ処理機構を備えたスパッタリング装置内に上記基板をセットし、該スパッタ装置内に酸素ガスを導入した後、ガス圧３×１０^-２ Ｔｏｒｒ、ＡＣ電圧８００Ｖで、上記回路基板のポリイミド面（Ｂ面）に、１０秒間低温プラズマ処理を実施した。次にスパッタリング装置内にアルゴンガスを導入した後、ガス圧３×１０^-３ Ｔｏｒｒ、ＤＣ電圧４００Ｖの条件で、上記工程により低温プラズマ処理された回路基板に向けてスパッタリングを行い、当該処理面に厚さ５００ｎｍのＮｉＣｒ合金膜５４を付着形成した（図５（ｃ））。

次に脱脂、水洗、硫酸活性化を行い、さらに水洗を行った。その後Ａ面にめっきがつかないようにマスキング処理を行い、荏原ユージライト社製商品名キューブライトＢＵプロセスを用いてＢ面表面に銅めっき導電層５５を新たに厚み約１２μｍ形成した（図５（ｄ））。

Ａ面銅箔面上に厚さ１５μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム５６（ニチゴーモートン社製商品名ＮＩＴ２１５）をラミネートした後、バンプ形成予定部分がポジパターンとなるマスク５７を通して該感光性ドライフィルムを露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は１２０ｍＪ／ｃｍ^２とした（図５（ｅ））。

次に感光性ドライフィルムを液温３０℃の１重量％Ｎａ_２ＣＯ_３水溶液を用いて現像し、めっきレジスト５８を形成した（図５（ｆ））。

次に電解半田めっきでＳｎＡｇ共晶半田組成（Ａｇ３．５重量％）の厚さ５〜１５μｍの半田バンプ５９を形成し、感光性ドライフィルムを剥離した。剥離液としては、液温５４℃のニチゴーモートン社製ＨＴＯ水溶液を用いた（図５（ｇ））。

基板両面に厚さ１５μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム６１（ニチゴーモートン社製商品名ＮＩＴ２１５）をラミネートした後、配線部がネガパターンとなるマスク６２を通して感光性ドライフィルムを露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は１２０ｍＪ／ｃｍ^２とした（図６（ａ））。

感光性ドライフィルムを液温３０℃の１重量％Ｎａ_２ＣＯ_３水溶液を用いて現像し、パターンエッチングレジストを形成した（図６（ｂ））。

Ｂ面を酸性エッチング液である塩化第二鉄液でパターンエッチングをするとともに、Ａ面をメルテックス社製商品名Ａプロセスでアルカリエッチングし、感光性ドライフィルムを剥離した。剥離液としては、液温５４℃のニチゴーモートン社製商品名ＨＴＯ水溶液を使用した（図６（ｃ））。

必要箇所に日立化成工業社製商品名レイテックＦＲ−５０２５プロセスを用いてレジスト形成６３を行うとともに、またＮｉめっきをメルテックス社製商品名メルプレートＮＩ−８６５−ＴＭ１、２プロセス、ＡｕめっきをシルプレートＡＵ−６０１プロセスを用いることにより、無電解ＮｉＡｕめっきを行った（図６（ｄ））。
本実施例においてはフィルドＶｉａによる層間接続において、パターン部の銅厚を厚くすることはなく、微細なファインパターンで回路が形成でき、半田バンプにより半導体チップとフリップチップ接合ができた。

（実施例４）
まず図７（ａ）に示すように、接着剤を介することなく厚さ１２μｍの電解銅箔７２が積層されたポリイミドフィルム７１（新日鐵化学社製商品名ＭＣ１２−２５−００ＣＥＭ）の必要箇所に、炭酸ガスレーザを用いて１００〜１５０μｍ径のＶｉａ孔７３を形成し、孔およびその周辺に付着したスミヤを、アルカリ系デスミア処理によって除去した。

プラズマ処理機構を備えたスパッタリング装置内に上記基板をセットし、該スパッタ装置内に酸素ガスを導入した後、ガス圧３×１０^-２ Ｔｏｒｒ、ＡＣ電圧８００Ｖにて、上記回路基板のポリイミド面（Ｂ面）に、１０秒間低温プラズマ処理を実施した。次にスパッタリング装置内アルゴンガスを導入した後、ガス圧３×１０^-３ Ｔｏｒｒ、ＤＣ電圧４００Ｖの条件で、上記回路基板の低温プラズマ処理面に向けてスパッタリングし、当該処理面に厚さ５００ｎｍのＮｉＣｒ合金膜７４を付着形成した（図７（ｂ））。

脱脂、水洗、硫酸活性化を行い、さらに水洗を行った。その後Ａ面にはめっきがつかないようにマスキング処理を行った上で、荏原ユージライト社製商品名キューブライトＢＵプロセスを用いて穴埋めを行いながらＢ面表面に銅めっき導電層７５を新たに厚み約１２μｍ形成した（図７（ｃ））。

Ａ面銅箔面上に厚さ１５μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム７６（ニチゴーモートン社製商品名ＮＩＴ２１５）をラミネートした後、バンプ形成予定部分がポジパターンとなるマスク７７を通して感光性ドライフィルムを露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は１２０ｍＪ／ｃｍ^２とした（図７（ｄ））。

次に感光性ドライフィルムを液温３０℃の１重量％Ｎａ_２ＣＯ_３水溶液を用いて現像し、めっきレジスト７８を形成した（図７（ｅ））。

電解半田めっきでＳｎＡｇ共晶半田組成（Ａｇ３．５重量％）の半田バンプ７９を５〜１５μｍの厚さで形成した後に、感光性ドライフィルムを剥離した。剥離液としては、液温５４℃のニチゴーモートン社製商品名ＨＴＯ水溶液を用いた（図７（ｆ））。

両面に厚さ１５μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム８１（ニチゴーモートン社製商品名ＮＩＴ２１５）をラミネートした後、配線部がネガパターンとなるマスク８２を通して感光性ドライフィルムを露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は１２０ｍＪ／ｃｍ^２とした（図８（ａ））。

上記感光性ドライフィルムを液温３０℃の１重量％Ｎａ_２ＣＯ_３水溶液を用いて現像し、パターンエッチングレジストを形成した（図８（ｂ））。

Ｂ面を酸性エッチング液である塩化第二鉄液でパターンエッチングするとともに、メルテックス社製商品名Ａプロセスを用いてＡ面をアルカリエッチングし、その後感光性ドライフィルムを剥離した。剥離液としては、液温５４℃のニチゴーモートン社製ＨＴＯ水溶液を使用した（図８（ｃ））。

必要箇所に日立化成工業社製商品名レイテックＦＲ−５０２５プロセスを用いてレジスト形成８３を行った後に、Ｎｉめっきをメルテックス社製メルプレートＮＩ−８６５−ＴＭ１、２プロセス、ＡｕめっきをシルプレートＡＵ−６０１プロセスを用いて、無電解ＮｉＡｕめっきを行った（図８（ｄ））。
本実施例においてもフィルドＶｉａによる層間接続において、パターン部の銅厚を厚くすることはなく、微細なファインパターンで回路が形成でき、半田バンプにより半導体チップとフリップチップ接合ができた。

（比較例１）
まず図９（ａ）に示すように、接着剤を介することなく厚さ１８μｍの電解銅箔９２が積層されたポリイミドフィルム９１（新日鐵化学社製商品名ＭＣ１８−２５−００ＣＥＭ）のポリイミドフィルム側の面（Ｂ面）にスパッタリングにより、厚さ５００ｎｍのＮｉＣｒ層９３を形成した。さらに前記ＮｉＣｒ層上に厚さ１８μｍの電解銅めっき層９４を形成した（図９（ｂ））。

次に必要箇所に、ドリルを用いて３００〜５００μｍ径の貫通孔９５を形成し（図９（ｃ））、孔およびその周辺に付着したスミヤは、アルカリ系デスミア処理によって除去し、孔側面に無電解銅めっきなどの化学めっきにより薄く導体膜９６を形成した（図９（ｄ））。

さらに電解銅めっきにより、Ａ面及びＢ面の両面並びに孔側面に厚さ１８μｍの導体膜９７を形成した。その結果、表層全体の導体膜の厚さは合計で約３６μmとなった（図９（ｅ））。

次に酸性エッチング液である塩化第二鉄液でパターンエッチングを行い（図９（ｆ））、必要箇所にレジスト９８を形成し、無電解などによるＮｉＡｕめっきの実施を行った（図９（ｇ））。
本比較例においては実施例１に対して、同じスルーホールによる層間接合ではあるものの、パターン上の銅厚が厚くなり、微細なファインパターンでの回路形成が困難であった。

（比較例２）まず図１０（ａ）に示すように、接着剤１０２が塗布された厚さ１８μｍの電解銅箔１０３を厚さ２５μｍのポリイミドフィルム１０１の両面に積層し、必要箇所に、ドリルを用いて３００〜５００μｍ径の貫通孔１０４を形成し、孔およびその周辺に付着したスミヤを、アルカリ系デスミア処理によって除去した。

孔側面を含めて銅箔の両面に無電解銅めっきなどの化学めっきにより１μｍ以下の薄い導体膜１０５を形成した後に（図１０（ｂ））、電解銅めっきにより、孔側面及び該導体膜両面に銅めっき導電層を新たに厚み１８μｍ形成し、合計約３６μmの厚さの導体膜１０６を設けた（図１０（ｃ））。

次に酸性エッチング液である塩化第二鉄液でパターンエッチングを行い（図１０（ｄ））、必要箇所にレジスト１０７を形成し、さらには無電解などによるＮｉＡｕめっきの実施を行った（図１０（ｅ））。
本比較例においても実施例１に対して、同じスルーホールによる層間接合ではあるものの、パターン上の銅厚が厚くなり、微細なファインパターンでの回路形成は困難であった。

本発明の一実施形態に係るバンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。 本発明の一実施形態に係るバンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。 本発明の一実施形態に係るバンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。 本発明の一実施形態に係るバンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。 本発明の一実施形態に係るバンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。 本発明の一実施形態に係るバンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。 本発明の一実施形態に係るバンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。 本発明の一実施形態に係るバンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。 従来の一実施形態に係るバンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。 従来の一実施形態に係るバンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。

Claims (8)

1. 半導体チップを回路基板に搭載するためのバンプ付きテープキャリアであって、絶縁フィルムの両面に導体パターンが形成され、この導体パターン同士を接続するための構造と、この導体パターンの一方の片面に形成された半導体チップ接続用金属バンプとを備えたことを特徴とするバンプ付きテープキャリア。
2. 前記半導体チップ接続用金属バンプが形成された導体パターンの他方の片面の導体パターンと、前記絶縁フィルムの両面に形成された導体パターン同士を接続するための構造とが同一材料の金属導体で形成されたことを特徴とする請求項１記載のバンプ付きテープキャリア。
3. 前記半導体チップ接続用金属バンプが形成された導体パターンの他方の片面には、物理的金属蒸着層が形成され、その後電気化学的金属被覆層が形成されたことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項記載のバンプ付きテープキャリア。
4. 前記物理的金属蒸着層の厚さは１μｍ以下であって、前記電気化学的金属被覆層の厚さは１μｍ以上３５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のバンプ付きテープキャリア。
5. 前記導体に形成された導体パターン同士を接続するための構造が、スルーホール、ブラインドＶｉａ構造またはフィルドＶｉａから選ばれた少なくとも１つであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のバンプ付きテープキャリア。
6. 前記金属バンプは、厚さ１μｍ以上のスズ系半田からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のバンプ付きテープキャリア。
7. 前記物理的金属蒸着層はニッケル−クロム合金であることを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項記載のバンプ付きテープキャリア。
8. 前記バンプ付きテープキャリアに絶縁樹脂層が片面もしくは両面に形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のバンプ付きテープキャリア。
   

Images