JP2006134690A - 誘導加熱装置 - Google Patents

Abstract

【課題】インバータ回路と昇圧回路と力率改善回路の動作周波数差に基づく干渉音を抑制する、または聞こえなくすることを可能とした誘導加熱装置を提供することを目的とする。
【解決手段】力率改善回路３と昇圧回路８とインバータ回路１６の動作周波数の差をゼロまたは可聴周波数以上に設定するものである。これによって、それぞれの回路３、８、１６に含まれる複数のインダクタから生じる高周波磁界が干渉し合い、その周波数差に基づいて発生する干渉音を抑制する、または聞こえなくすることが可能である。
【選択図】図１

Description

本発明は、一般家庭やオフィス、レストラン、工場などで使用される誘導加熱装置に関するものである。

従来、誘導加熱装置では、加熱コイルを介して負荷に高周波電力を供給する方法として昇圧回路を用いた制御技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、誘導加熱装置に力率改善回路を内蔵して、高調波電流抑制を行う技術も知られている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００３−２５７６０９号公報 特開平１−２４６７８３号公報

しかしながら、前記従来の誘導加熱装置では、インバータ回路または昇圧回路による高周波電力制御と力率改善回路による高調波電流抑制を同時に行う際に、前記それぞれの回路に複数のインダクタが含まれ、前記複数のインダクタが近傍に位置し、前記複数のインダクタにそれぞれの回路の動作周波数に基づいた周波数の電流が流れると、前記複数のインダクタから生じる高周波磁界の干渉により生じる干渉音を抑制できないという課題があった。

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、インバータ回路と昇圧回路と力率改善回路の動作周波数差に基づいて発生する干渉音を抑制する、または聞こえなくすることを可能とした誘導加熱装置を提供することを目的とする。

前記従来の課題を解決するために、本発明の誘導加熱装置は、力率改善回路と昇圧回路とインバータ回路の動作周波数の差をゼロまたは可聴周波数以上に設定するものである。

これによって、それぞれの回路に含まれる複数のインダクタから生じる高周波磁界が干渉し合い、その周波数差に基づいて発生する干渉音を抑制する、または聞こえなくすることが可能である。

本発明の誘導加熱装置は、インバータ回路と昇圧回路と力率改善回路の各動作周波数差に起因して発生する干渉音を抑制する、または聞こえなくすることが可能である。

第１の発明は、商用電源整流後に接続され、スイッチング素子のオン・オフによって力率を改善する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、スイッチング素子のオン・オフによって前記力率改善回路の出力以上の電圧に昇圧する昇圧回路と、前記昇圧回路の出力に接続され、スイッチング素子のオン・オフによって高周波電流を発生させるインバータ回路とを有し、前記力率改善回路と前記昇圧回路と前記インバータ回路の動作周波数差をゼロまたは可聴周波数以上に設定した誘導加熱装置とすることにより、それぞれの回路に含まれる複数のインダクタから生じる高周波磁界が干渉し合い、その周波数差に基づいて発生する干渉音を抑制する、または聞こえなくすることが可能である。

第２の発明は、特に、第１の発明において、昇圧回路の動作周波数はインバータ回路の動作周波数と同一とすることにより、つまり昇圧回路とインバータ回路の動作周波数差Δｆをゼロに設定することにより、昇圧回路とインバータ回路に含まれる複数のインダクタから生じる高周波磁界が干渉し合い、その周波数差に基づいて発生する干渉音の周波数はゼロとなり、干渉音を聞こえなくすることが可能である。

第３の発明は、特に、第１または第２の発明において、昇圧回路とインバータ回路の動作を１つのマイコンで制御することにより、誘導加熱装置の制御部の部品点数が削減可能となり、制御部の小型化・ローコスト化が可能である。

第４の発明は、特に、第１の発明において、力率改善回路は動作周波数を昇圧回路およびインバータ回路の動作周波数より高く設定することにより、誘導加熱装置の高周波化に伴うスイッチング損失の増大を極力少なくすることができる。

第５の発明は、特に、第１〜第４のいずれか１つの発明において、力率改善回路の動作周波数を昇圧回路およびインバータ回路の動作周波数との差が少なくとも可聴周波数以上となるように昇圧回路およびインバータ回路の動作周波数より高い周波数で動作することにより、力率改善回路の動作周波数と昇圧回路およびインバータ回路の動作周波数差が可聴周波数以上となり、力率改善回路と昇圧回路およびインバータ回路に含まれる複数のインダクタから生じる高周波磁界が干渉し合い、その周波数差に基づいて発生する干渉音の周波数は可聴周波数以上となり、干渉音を聞こえなくすることが可能である。

第６の発明は、特に、第１の発明において、力率改善回路におけるスイッチング素子のコレクタ・エミッタ間の電圧を検知して、駆動時にスイッチング素子特性により決定されるオン電圧以上の電圧を検出または非駆動時に前記オン電圧と略同じ電圧を検出すると、昇圧回路およびインバータ回路の動作を停止することにより、力率改善回路のスイッチング素子破壊時、力率改善用のチョークコイルに発生する大電流が昇圧回路およびインバータ回路のスイッチング素子に流れることで、昇圧回路およびインバータ回路のスイッチング素子が破壊することを防止可能となり、誘導加熱装置の故障を抑制することが可能である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されるものではない。

（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態における誘導加熱装置を示すものである。

図に示すように、力率改善回路３は、商用電源１の整流後に接続され、第１のスイッチング素子６のオン・オフによって力率を改善し、昇圧回路８は、力率改善回路３の出力に接続され、第２のスイッチング素子１２のオン・オフによって力率改善回路３の出力以上の電圧に昇圧し、インバータ回路１６は、昇圧回路８の出力に接続され、第３のスイッチング素子１７および第４のスイッチング素子１８のオン・オフによって高周波電流を発生させるものであり、加熱コイル２２と対向して配置される鍋２４を加熱するものであり、これにより誘導加熱装置を構成している。

前記商用電源１は、低周波交流電源である２００Ｖ商用電源であり、ブリッジダイオードである整流回路２の入力端に接続される。整流回路２のカソード側の出力端に力率改善用に用いられる第１のチョークコイル４が接続される。さらに、第１のチョークコイル４と整流回路２のアノード側の出力端間に、第１のダイオード５と第１のスイッチング素子６の並列接続体が接続される。また、第２のダイオード７は第１のスイッチング素子６の高電位側端子（コレクタ）に接続するよう配置される。第１のチョークコイル４、第１のダイオード５、第１のスイッチング素子６、第２のダイオード７は力率改善回路３を構成する。ただし、本実施の形態において、力率改善回路３を高周波動作させるためスイッチング速度の速いＭＯＳＦＥＴを使用しているため、第１のダイオード５が付帯しているが第１のダイオード５がなくとも動作に何ら影響を与えない。

前記力率改善回路３の出力端、つまり第２のダイオード７のカソード側端子と第１のスイッチング素子６の低電位側端子（エミッタ）間に第１の平滑コンデンサ９が接続される。力率改善回路３は入力電圧を任意の電圧に昇圧した電圧を第１の平滑コンデンサ９に供給し、第１の平滑コンデンサ９は昇圧回路８にエネルギーを供給するものである。

第１の平滑コンデンサ９の高電位側出力端間には第２のチョークコイル１０が接続される。第２のチョークコイル１０の出力端と第１の平滑コンデンサ９の低電位側端子間に、第１のスナバコンデンサ１１と、第３のダイオード１３と第２のスイッチング素子１２の並列接続体が接続される。また、第２のスイッチング素子１２の高電位側端子（コレクタ）に第４のダイオード１４が接続するように配置される。さらに、第４のダイオード１４のカソード側端子と第２のスイッチング素子１２の低電位側端子（エミッタ）間に第２の平滑コンデンサ１５が接続される。第１の平滑コンデンサ９、第２のチョークコイル１０、第１のスナバコンデンサ１１、第２のスイッチング素子１２、第３のダイオード１３、第４のダイオード１４、第２の平滑コンデンサ１５は昇圧回路８を構成する。第２の平滑コンデンサ１５は、第１の平滑コンデンサ９の電圧を昇圧した電圧をインバータ回路１６に供給するものである。

インバータ回路１６は昇圧回路８の出力端、つまり第２の平滑コンデンサ１５の両端に接続される。第２の平滑コンデンサ１５の両端には第３のスイッチング素子１７と第４のスイッチング素子１８を直列接続したものが接続される。第３のスイッチング素子１７と第４のスイッチング素子１８にはそれぞれ第５のダイオード（逆導通素子）１９、第６のダイオード（逆導通素子）２０が逆並列に（スイッチング素子の高電位側端子（コレクタ）とダイオードのカソードが接続されるように）接続される。また、第４のスイッチング素子１８（第３のスイッチング素子１７であってもよい）に並列に第２のスナバコンデンサ２１が接続される。さらに、第４のスイッチング素子１８（第３のスイッチング素子１７であってもよい）に並列に加熱コイル２２と共振コンデンサ２３の直列接続体が接続される。加熱コイル２２は負荷である鍋２４と対向して配置されている。

インバータ回路１６の入力電流を検知する第１の電流検知部２７と、使用者による操作に基づいた入力設定に応じた電流参照値を出力する基準電流設定部２６から出力された信号が第１の比較部２８によって比較され、第１の比較部２８からは所定の入力が得られるよう第１の可変導通比設定部３０に信号が出力される。第１の可変導通比設定部３０では、第１の発振部（マイコン）２９による基準発振に基づいた駆動周波数で、第３のスイッチング素子１７と第４のスイッチング素子１８の導通比を設定し、第３のスイッチング素子１７と第４のスイッチング素子１８を排他的に導通制御する。第１の制御部２５は、これらの基準電流設定部２６、第１の電流検知部２７、第１の比較部２８、第１の発振部（マイコン）２９、第１の可変導通比設定部３０を内包する。

また、インバータ回路１６の入力電圧となる第２の平滑コンデンサ１５の電圧を検知する電圧検知部３３から出力された信号は、基準電圧設定部３２と第２の比較部３４によって比較され、第２の比較部３４からは所定のインバータ回路１６の入力電圧が得られるよう第２の可変導通比設定部３５に信号が出力される。第２の可変導通比設定部３５では、発振部（マイコン）２９による基準発振に基づいた駆動周波数で、第２のスイッチング素子１２の導通比を設定し、第２のスイッチング素子１２の導通制御を行う。第２の制御部３１は、これらの基準電圧設定部３２、電圧検知部３３、第２の比較部３４、第２の可変導通比設定部３５を内包し、第１の発振部（マイコン）２９を第１の制御部２５と共有し、回路および制御の簡素化を可能にしている。

第１の制御部２５および第２の制御部３１は、第３のスイッチング素子１７および第４のスイッチング素子１８の駆動周波数と、第２のスイッチング素子１２の駆動周波数が可聴周波数よりも小さく、または可聴周波数よりも大きくなるように駆動信号を出力するものである。本実施の形態では、第１の発振部（マイコン）２９を第１の制御部２５および第２の制御部３１が共有しているため、駆動周波数が同一となり、可聴周波数よりも小さくなる。

また、第１のスイッチング素子６を導通制御する第３の制御部３６は、参照正弦波発生回路３７、商用電源１の電流を検出する第２の電流検知器３８、第３の比較部３９、第２の発振部（マイコン）４０、第３の可変導通比設定部４１を内包する。

また、保護回路４２は、第１のスイッチング素子６のコレクタ・エミッタ間電圧を検知して、駆動時に第１のスイッチング素子６の特性により決定されるオン電圧以上の電圧を検出（つまり第１のスイッチング素子６の短絡状態を検出）または非駆動時に前記オン電圧と略同じ電圧を検出（つまり第１のスイッチング素子６の開放状態を検出）するものである。

以上のように構成された誘導加熱装置において、以下動作を説明する。

商用電源１は整流回路２により全波整流され、整流回路２の出力端に接続された力率改善回路３に供給され、力率改善回路３の出力端には第１の平滑コンデンサ９が接続されている。第１の平滑コンデンサ９は非常に大きな容量に設定されているため、第１の平滑コンデンサ９電圧のエンベロープ（包絡線）が平滑されて昇圧回路８に供給される。

力率改善回路３は、図２に示す動作波形のように、商用電源１が第１の平滑コンデンサ９の電圧よりも小さい場合に力率改善回路３に含まれる第２のダイオード７および整流回路２のブリッジダイオードがターンオンできずに入力電流波形が歪み、力率が著しく低くなる際に、第３の制御部３６は、第２の電流検知器３８の検出電流が参照正弦波発生回路３７の出力と等しくなるように第３の可変導通比設定部４１の出力を変化させ、第１のスイッチング素子６をターンオン・オフさせる。これにより、商用電源１から第１のチョークコイル４を介して入力電流が流れるようになり、商用電源１側に歪んだ入力電流を流さないようにするものである。また、第１のスイッチング素子６がターンオンしている状態では商用電源１から第１のチョークコイル４にエネルギーが蓄えられており、その後、第１の可変導通比設定部３０で設定された導通時間が経過すると第１のスイッチング素子６がターンオフし、第１のチョークコイル４に蓄えられたエネルギーが第２のダイオード７を介して、第１の平滑コンデンサ９に供給される。このため、第１の平滑コンデンサ９の電圧は商用電源１より高い電圧となる。

本実施の形態では、第１のスイッチング素子６の動作周波数を４０ｋＨｚ、導通時間を１２．５μｓとして、第１の平滑コンデンサ９の電圧は３００Ｖとなるようにしているが、これは第１のチョークコイル４や第１のスイッチング素子６の動作周波数および導通時間を調整することで可変可能であることは言うまでもない。

第１の平滑コンデンサ９の電圧は昇圧回路８により任意の電圧に昇圧され、第２の平滑コンデンサ１５を介してインバータ回路１６に供給される。

昇圧回路８は、図３に示す動作波形のように、第２のスイッチング素子１２がターンオンしている期間中に第２のチョークコイル１０にエネルギーを蓄え、第２のスイッチング素子１２がターンオフすると、第２のチョークコイル１０に蓄えられたエネルギーが第４のダイオード１４を介して第２の平滑コンデンサ１５を充電することで昇圧動作をするものである。

本実施の形態では、第２のスイッチング素子１２の動作周波数を２０ｋＨｚ、導通時間を２５μｓとして、第２の平滑コンデンサ１５の電圧を７００Ｖとしているが、第２のスイッチング素子１２の動作周波数または導通期間を調整することでより高いまたは低い電圧を出力することができる。また、第２のスイッチング素子１２は第３のダイオード（逆導通素子）１３と第１のスナバコンデンサ１１が並列に接続されているため、第２のスイッチング素子１２をオフする時、第１のスナバコンデンサ１１が傾きをもって充電開始し、第２のスイッチング素子１２はＺＶＳターンオフ動作を実現する。第２のスイッチング素子１２がオフしている期間中に第１のスナバコンデンサ１１は第２の平滑コンデンサ１５と同じ電圧になると、第２の平滑コンデンサ１５の電圧と同等の電圧に固定され、その後、第２の平滑コンデンサ１５の電圧が第１のスナバコンデンサ１１より高い電圧になると、第１のスナバコンデンサ１１は放電を開始し、第１のスナバコンデンサ１１が放電完了すると、第３のダイオード（逆導通素子）１３がオンする。

本実施の形態では、図３に示すように、第１のスナバコンデンサ１１の放電完了と同時に第２のスイッチング素子１２がターンオンするように駆動する連続モードとしているが、第１のスナバコンデンサ１１が放電完了してから所定の時間が経過してから、第２のスイッチング素子１２をターンオンしても問題ない。また、第１のスナバコンデンサ１１が放電完了する前に第２のスイッチング素子１２をターンオンしても動作可能であるが、その場合、第２のチョークコイル１０に流れていた電流が急激に第２のスイッチング素子１２に流れ込むため損失が増加してしまう。このため、本実施の形態では、第１のスナバコンデンサ１１が放電完了すると同時に第２のスイッチング素子１２をターンオンしている。

以上が図１に示した昇圧回路８の１周期の動作である。力率改善回路３の出力にあたる第１の平滑コンデンサ９が、昇圧回路８によって図３（ｄ）に示すように昇圧され第２の平滑コンデンサ１５に出力される。

昇圧回路８によって昇圧された第２の平滑コンデンサ１５の電圧はインバータ回路１６に供給される。インバータ回路１６は図４に示すように、第３のスイッチング素子１７および第４のスイッチング素子１８のオン・オフによって加熱コイル２２に所定の周波数の高周波電流を発生するように動作させる。第３のスイッチング素子１７がオンしている状態から、オフすると第２のスナバコンデンサ２１が傾きをもって放電するため、第３のスイッチング素子１７はＺＶＳターンオフ動作を実現する。第２のスナバコンデンサ２１が放電しきると、第６のダイオード（逆導通素子）２０がオンし、第６のダイオード（逆導通素子）２０がオンしている期間中に第４のスイッチング素子１８のゲートにオン信号を加えると、第６のダイオード（逆導通素子）２０がターンオフして第４のスイッチング素子１８に電流が転流し、第４のスイッチング素子１８はＺＶＳ＆ＺＣＳターンオフ動作を実現する。第４のスイッチング素子１８がオンしている状態からオフすると、第２のスナバコンデンサ２１は傾きをもって充電するため、第４のスイッチング素子１８はＺＶＳターンオフ動作を実現する。前記第２のスナバコンデンサ２１が、第２の平滑コンデンサ１５と同じ電圧まで充電されると第５のダイオード（逆導通素子）１９がオンし、第５のダイオード（逆導通素子）１９がオンしている期間中に第３のスイッチング素子１７のゲートにオン信号を加えると、第５のダイオード１９がターンオフして第３のスイッチング素子１７に電流が転流し、第３のスイッチング素子１７はＺＶＳ＆ＺＣＳターンオン動作を実現する。

以上が図１に示したインバータ回路１６の１周期の動作である。本実施の形態では、第３のスイッチング素子１７と第４のスイッチング素子１８は第２の平滑コンデンサ１５を短絡しないためにもデッドタイム２μｓの間隔を設けて、交互にオン・オフさせている。図４に示す波形では、第３のスイッチング素子１７と第４のスイッチング素子１８の導通時間は共にデッドタイムを含めて２５μｓで、インバータ回路１６の動作周波数は５０ｋＨｚとしているが、動作周波数および導通時間を調整することで、高周波電力の制御が可能である。ただし、本実施の形態では、図６に示すように、昇圧回路８とインバータ回路１６の動作周波数は同一となるように制御されている。

以上のように、本実施の形態においては、昇圧回路８とインバータ回路１６の動作周波数を同一に設定する、つまり昇圧回路８とインバータ回路１６の動作周波数差Δｆをゼロに設定することにより、昇圧回路８とインバータ回路１６に含まれる複数のインダクタから生じる高周波磁界が干渉し合い、その周波数差に基づいて発生する干渉音の周波数はゼロとなり、干渉音を聞こえなくすることが可能となり、かつ力率改善回路３の動作周波数を昇圧回路８およびインバータ回路１６の動作周波数より少なくとも可聴周波数以上高く設定することにより、力率改善回路３の動作周波数と昇圧回路８およびインバータ回路１６の動作周波数差が可聴周波数以上となり、力率改善回路３と昇圧回路８およびインバータ回路１６に含まれる複数のインダクタから生じる高周波磁界が干渉し合い、その周波数差に基づいて発生する干渉音の周波数は可聴周波数以上となり、前記干渉音を聞こえなくすることが可能となる。

従って、本実施の形態において力率改善回路３と昇圧回路８とインバータ回路１６の動作周波数を、図６に示すように、可聴周波数以下もしくは可聴周波数以上となるように設定することで、干渉音を抑制または聞こえなくすると同時に、力率を改善して高調波を抑制しながら昇圧回路８およびインバータ回路１６による高周波電力制御可能な誘導加熱装置となる。ただし、本実施の形態では、力率改善回路３の動作周波数を４０ｋＨｚ、昇圧回路８およびインバータ回路１６の動作周波数を２０ｋＨｚとしているが、力率改善回路３と昇圧回路８およびインバータ回路１６の動作周波数差が可聴周波数以上（１６〜２０ｋＨｚ）以上となるように設定される周波数であれば何ら問題ない。また、各回路のスイッチング素子の導通時間を周波数一定のままで可変させても干渉音の発生原因となることはなく、任意に設定可能である。

また、本実施の形態では、力率改善回路３と昇圧回路８とインバータ回路１６のそれぞれの入力電圧は図５に示すようになり、力率改善回路３の入力電圧に相当する電圧実効値は昇圧回路８およびインバータ回路１６の入力電圧の実効値より低くなるため、同じ性能のスイッチング素子を使用すると、力率改善回路３のスイッチング損失は昇圧回路８およびインバータ回路１６のスイッチング損失より小さくなるため、力率改善回路３の動作周波数を昇圧回路８およびインバータ回路１６より可聴周波数以上高く設定することにより高周波化に伴うスイッチング損失の増大を極力少なくすることができるし、力率改善回路３に含まれるチョークコイルの小型化・軽量化が可能である。

また、本実施の形態では、力率改善回路３に含まれる第１のスイッチング素子６が何らかの理由で故障し、コレクタ・エミッタ間が短絡状態になると、第１のチョークコイル４が飽和してしまい、入力電流が急激に増大し、第１の平滑コンデンサ９や第２のダイオード７など各部素子の急激な温度上昇または破壊を引き起こしてしまう。また第１のスイッチング素子６が何らかの理由で故障し、コレクタ・エミッタ間が開放状態になると、力率改善回路３で力率を改善できなくなる、つまり第１の平滑コンデンサ９が商用電源１より高くなるとダイオードブリッジである整流回路２のダイオードがオンできなくなり、入力電流が流れなくなる期間が発生するため、図１に示した誘導加熱装置の力率が著しく低下してしまう。そこで、保護回路４２により第１のスイッチング素子６のコレクタ・エミッタ間電圧を検知して、駆動時に第１のスイッチング素子６の特性により決定されるオン電圧以上の電圧を検出（つまり第１のスイッチング素子６の短絡状態を検出）または非駆動時に前記オン電圧と略同じ電圧を検出（つまり第１のスイッチング素子６の開放状態を検出）することにより、第１のスイッチング素子６の故障を検出することが可能となり、第１のスイッチング素子６の故障を検出すると昇圧回路８およびインバータ回路１６の動作を停止することで各部の素子を保護することが可能である。

また、図１に示した力率改善回路３、昇圧回路８、インバータ回路１６に限定するものではなく、各回路と同様の機能を有する回路方式でも同様の効果が得られるものである。

以上のように、本発明にかかる誘導加熱装置は、インバータ回路と昇圧回路と力率改善回路の各動作周波数差に起因して発生する干渉音を抑制する、または聞こえなくすることが可能であるので、誘導加熱調理器としてはもちろんのこと、誘導加熱式コピーローラー、誘導加熱式溶解炉、誘導加熱式ジャー炊飯、またはその他の誘導加熱式加熱装置としても有用である。

本発明の実施の形態における誘導加熱装置の回路図 同誘導加熱装置における力率改善回路の動作波形図 同誘導加熱装置における昇圧回路の動作波形図 同誘導加熱装置におけるインバータ回路の動作波形図 同誘導加熱装置における各部の電圧波形図 同誘導加熱装置における各回路の動作波形図

符号の説明

１ 商用電源
３ 力率改善回路
８ 昇圧回路
１６ インバータ回路
２５ 第１の制御部
３１ 第２の制御部
３６ 第３の制御部

Claims (6)

1. 商用電源整流後に接続され、スイッチング素子のオン・オフによって力率を改善する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、スイッチング素子のオン・オフによって前記力率改善回路の出力以上の電圧に昇圧する昇圧回路と、前記昇圧回路の出力に接続され、スイッチング素子のオン・オフによって高周波電流を発生させるインバータ回路とを有し、前記力率改善回路と前記昇圧回路と前記インバータ回路の動作周波数差をゼロまたは可聴周波数以上に設定した誘導加熱装置。
2. 昇圧回路の動作周波数はインバータ回路の動作周波数と同一とする請求項１に記載の誘導加熱装置。
3. 昇圧回路とインバータ回路の動作を１つのマイコンで制御する請求項１または２に記載の誘導加熱装置。
4. 力率改善回路は動作周波数を昇圧回路およびインバータ回路の動作周波数より高く設定する請求項１に記載の誘導加熱装置。
5. 力率改善回路の動作周波数を昇圧回路およびインバータ回路の動作周波数との差が少なくとも可聴周波数以上となるように昇圧回路およびインバータ回路の動作周波数より高い周波数で動作する請求項１〜４のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
6. 力率改善回路におけるスイッチング素子のコレクタ・エミッタ間の電圧を検知して、駆動時にスイッチング素子特性により決定されるオン電圧以上の電圧を検出または非駆動時に前記オン電圧と略同じ電圧を検出すると、昇圧回路およびインバータ回路の動作を停止する請求項１に記載の誘導加熱装置。

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