JP2006128608A - Electronic part, method for manufacturing the same, chip resistor using the same, ferrite core and inductor - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that, in an electrode configuration of an electronic part having a conventional plated layer, though an electronic part having a plating-less electrode configuration has been studied since a plating liquid penetrates a ceramic sintered body and the deterioration of characteristics is caused, the adhesion strength of a metallic film that forms an electrode is low, thus causing electrode exfoliation easily to occur. <P>SOLUTION: A metallic film constituted of one type of Ag, Ag-Pt, and Ag-Pd with a thickness 10 to 200 μm is formed on the surface of ceramic, the porosity of the metallic film is set so as to be 5% or less, and a maximum pore diameter is set so as to be 5 μm or less. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、セラミックスに金属膜を備えた電子部品に関する。特に、フェライト焼結体に金属膜からなる電極を備えた電子部品とその製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic component provided with a metal film on ceramics. In particular, the present invention relates to an electronic component having an electrode made of a metal film on a ferrite sintered body and a method for manufacturing the same.

従来から電子部品の電極構成は、以下の方法で行われていた。すなわち、セラミックス材料を成形、焼成後、その端面に金属ペーストを印刷あるいは浸漬塗布し、焼成炉にて数百℃から千数百℃の温度にて焼き付けて金属膜を形成する。そして、電解めっき法にて前記金属膜上を更にニッケルやスズあるいはスズ−鉛、スズ−銀、スズ−ビスマスなどのスズ合金でメッキすることにより電子部品の電極を構成する。このようにして形成された電子部品の電極は、基板表面へ半田実装する為に、特に半田との濡れ性や半田成分との反応性、半田実装後の金属膜被着強度、熱サイクル後の金属膜被着強度が求められることとなる。   Conventionally, an electrode configuration of an electronic component has been performed by the following method. That is, after forming and firing a ceramic material, a metal paste is printed or dip coated on the end face, and baked in a firing furnace at a temperature of several hundred to several hundreds of degrees Celsius to form a metal film. And the electrode of an electronic component is comprised by plating on the said metal film with tin alloys, such as nickel, tin, tin-lead, tin-silver, tin-bismuth, by the electroplating method. The electrodes of the electronic components formed in this manner are particularly suitable for solder mounting on the substrate surface, in particular wettability with solder, reactivity with solder components, metal film adhesion strength after solder mounting, and after thermal cycling. Metal film deposition strength is required.

従来の電極構成断面図を図２に示す。前述したように、セラミックス焼結体１表面に、金属膜２を形成し、その表面から半田成分と前記金属膜２成分とが反応しないように、例えばニッケルメッキ層７を形成する。そして、前記ニッケルメッキ層７表面は半田との濡れ性が悪いため、さらにこれを高めるためにニッケルメッキ層７表面上にスズメッキ層８を施す。このような構成とすることにより、電子機器の基板表面に半田３を用いて実装する際に、形成された半田層３の成分と金属膜２の成分が反応して電極剥がれを起こすことなく、また半田層３とスズメッキ層８表面の濡れ性が良好であるために良好に半田付けを実施することが可能となる。   A conventional electrode configuration cross-sectional view is shown in FIG. As described above, the metal film 2 is formed on the surface of the ceramic sintered body 1, and for example, the nickel plating layer 7 is formed from the surface so that the solder component and the metal film 2 component do not react. Since the surface of the nickel plating layer 7 is poor in wettability with solder, a tin plating layer 8 is applied on the surface of the nickel plating layer 7 in order to further increase this. By adopting such a configuration, when mounting using the solder 3 on the substrate surface of the electronic device, the component of the formed solder layer 3 and the component of the metal film 2 react to cause no electrode peeling, Further, since the wettability of the solder layer 3 and the surface of the tin plating layer 8 is good, the soldering can be performed satisfactorily.

しかしながら、近年前記メッキ時にメッキ液がセラミック素地内へ浸入し、その残留成分によってセラミック電子部品の特性が劣化する恐れがあることが判り、この対応策の要求が高まっていた。   However, in recent years, it has been found that the plating solution may infiltrate into the ceramic substrate during the plating, and the characteristics of the ceramic electronic component may be deteriorated by the residual components, and the demand for this countermeasure has been increased.

この要求に対し、特許文献１には、導電性に優れた金属粒の表面にニッケル層と銀層からなる積層金属体とガラス粉末からなる導電性ペーストを用いて外部電極を形成した例が開示されている。   In response to this requirement, Patent Document 1 discloses an example in which an external electrode is formed on a surface of metal particles having excellent conductivity using a conductive metal paste made of a laminated metal body made of a nickel layer and a silver layer and glass powder. Has been.

また、特許文献２には、導電性ペーストの焼き付けにより導電膜を形成する例が示され、パラジウム又はパラジウム及び銀の金属粉末を主成分とする導電ペーストにおいて、金属粉末１００重量部に対し、硼素、珪素及びタングステンのうち少なくとも１種の物質を１乃至２０重量部添加すれば良好に電極を形成できることが開示されている。   Patent Document 2 shows an example in which a conductive film is formed by baking a conductive paste. In a conductive paste mainly composed of palladium or palladium and silver metal powder, boron is used for 100 parts by weight of metal powder. Further, it is disclosed that an electrode can be satisfactorily formed by adding 1 to 20 parts by weight of at least one of silicon and tungsten.

さらに、特許文献３には、電子部品の電極に用いる導電ペーストにおいて、無機固形分として、銀粉末５０〜８０重量％、金属酸化物粉末１０〜４０重量％、ガラス粉末５〜２０重量％を含有させた導電性ペーストの例が開示されている。   Furthermore, Patent Document 3 contains 50 to 80% by weight of silver powder, 10 to 40% by weight of metal oxide powder, and 5 to 20% by weight of glass powder as an inorganic solid content in a conductive paste used for an electrode of an electronic component. An example of a conductive paste is disclosed.

これにより、メッキ液のセラミック素地内への侵入による電子部品の特性劣化が改善され良好な電子部品が得られるようになっていた。
特開平５−３４２９０８号公報 特開平６−３３８２１５号公報 特開平８−１５３４１４号公報 Thereby, the characteristic deterioration of the electronic component due to the penetration of the plating solution into the ceramic substrate is improved, and a good electronic component can be obtained.
JP-A-5-342908 JP-A-6-338215 JP-A-8-153414

しかしながら、前記特許文献１〜３によりメッキ液の侵入の問題は解決されるものの、別の問題が発生していた。   However, although the problem of intrusion of the plating solution is solved by Patent Documents 1 to 3, another problem has occurred.

それはＡｇを主成分とする金属ペーストからなる内部電極６形成後に、まずＮｉメッキを施しその表面に半田との濡れ性を改善するために更にスズメッキを施し外部電極６を形成するが、このスズメッキの耐熱性が低いことが原因で起こる問題である。   After forming the internal electrode 6 made of a metal paste containing Ag as a main component, the Ni electrode is first plated, and then the tin electrode is further plated to improve the wettability with the solder to form the external electrode 6. This is a problem caused by low heat resistance.

例えばセラミックスに銅線を巻線してコイルとした電子部品を作製する際の銅線の電極への熱圧着工程において、４００℃前後の温度で０．５〜１秒程度加熱ブロックを前記スズメッキ表面からなる電極に押圧し、銅線の熱圧着を実施するが、このときスズメッキが溶融し加熱ブロックに付着する等して剥がれる。そのためＮｉメッキ表面が露出し、この後の半田実装工程で、著しく半田との濡れ性が低下し、各種電子機器に実装できないという問題が発生するのである。   For example, in the step of thermocompression bonding to the electrode of the copper wire when producing a coil by winding a copper wire around ceramics, the heating block is placed on the tin plating surface at a temperature of about 400 ° C. for about 0.5 to 1 second. The copper wire is pressed and subjected to thermocompression bonding of the copper wire. At this time, the tin plating melts and adheres to the heating block and peels off. Therefore, the surface of the Ni plating is exposed, and in the subsequent solder mounting process, the wettability with the solder is remarkably lowered, which causes a problem that it cannot be mounted on various electronic devices.

この問題に対しては、メッキレス、つまり前記内部電極であるＡｇを主成分とする金属膜２を外部電極として各種電子部品の電極を構成する技術が要求されていた。メッキレスとすれば半田との濡れ性は金属膜表面がメッキ表面よりも比較的粗面である等の理由により良好となる。   In order to solve this problem, there has been a demand for a technique for forming electrodes of various electronic components using the metal film 2 mainly composed of Ag, which is the internal electrode, as an external electrode. If plating-less is used, the wettability with the solder is good because the surface of the metal film is relatively rougher than the plating surface.

しかしながら、前記メッキレスの電極構成における共通の問題点として、金属膜成分であるＡｇが、半田層３形成にともない半田層３側へ拡散し、金属膜２の電極への被着強度が低下し、前記金属膜２および半田層３が電極から剥離する電極剥がれが生じることがあった。このような電極剥がれの原因としてはいわゆる半田耐熱性、Ａｇ喰われ性に劣ることが主要因であった。   However, as a common problem in the plating-less electrode configuration, Ag that is a metal film component diffuses to the solder layer 3 side as the solder layer 3 is formed, and the adhesion strength of the metal film 2 to the electrode decreases, The metal film 2 and the solder layer 3 may peel off from the electrode. The main cause of such electrode peeling is inferior so-called solder heat resistance and Ag erosion.

また、前記メッキレスの電極６は厚みが薄く、剥がれが生じやすい。これは、金属膜２中のＡｇ成分が半田層３側に拡散していくと、金属膜−半田層間で飽和層が生成されていくが、電極厚みが薄いと飽和する以前に金属膜２中のＡｇ成分がなくなり、電極の基材であるセラミックスと金属膜２の密着力が著しく低下することで起こる現象であり、これにより電極剥がれが生じるという問題が起こる。   The plating-less electrode 6 is thin and easily peels off. This is because when the Ag component in the metal film 2 diffuses to the solder layer 3 side, a saturated layer is generated between the metal film and the solder layer. This is a phenomenon that occurs when the adhesion component between the ceramic as the base material of the electrode and the metal film 2 is remarkably reduced, and this causes a problem of electrode peeling.

一方、電極厚みが厚すぎる場合には、電極６を構成する金属膜２中に気孔が残存する。この結果、前記残存気孔内に半田層３の半田成分が拡散し、この拡散が残存気孔を伝わり深さ方向に進行すると、基材のセラミックスと金属膜の被着強度が著しく低下し、この場合にも電極剥がれの問題を生じる。   On the other hand, when the electrode thickness is too thick, pores remain in the metal film 2 constituting the electrode 6. As a result, when the solder component of the solder layer 3 diffuses into the residual pores and this diffusion propagates through the residual pores and proceeds in the depth direction, the adhesion strength of the ceramic and metal film of the base material is significantly reduced. In addition, the problem of electrode peeling occurs.

本発明では、前記のような問題点に対し、前記金属膜のセラミックスに対する被着強度が高く、さらには該金属膜表面における半田との濡れ性、また前記金属成分および半田成分の拡散による電極剥がれが無く、しかも製造コストの安価な電極を有する電子部品を提供することを目的とするものである。   In the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, the adhesion strength of the metal film to the ceramic is high, the wettability with the solder on the surface of the metal film, and the electrode peeling due to the diffusion of the metal component and the solder component. It is an object of the present invention to provide an electronic component having an electrode that is inexpensive and inexpensive to manufacture.

本発明の電子部品は、前記課題に鑑み、セラミックスの表面に、厚み１０〜２００μｍのＡｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのいずれかを主成分とし、表面の気孔率が５％以下、最大気孔径が５μｍ以下である金属膜から成る電極を形成したことを特徴とする。   In view of the above problems, the electronic component of the present invention has a ceramic surface on which the main component is any one of Ag, Ag-Pt, and Ag-Pd having a thickness of 10 to 200 μm, and the porosity of the surface is 5% or less. An electrode made of a metal film having a pore diameter of 5 μm or less is formed.

また、前記電極を成す金属膜が、Ｐｔ含有量を０．１〜１０質量％のＡｇ−Ｐｔを主成分とすることを特徴とする。   The metal film constituting the electrode is mainly composed of Ag-Pt having a Pt content of 0.1 to 10% by mass.

さらに、前記電極を成す金属膜が、Ｐｄ含有量を１〜２０質量％のＡｇ−Ｐｄを主成分とすることを特徴とする。   Furthermore, the metal film constituting the electrode is characterized by containing Ag—Pd having a Pd content of 1 to 20 mass% as a main component.

また、前記セラミックスが、フェライトからなることを特徴とする。   The ceramic is made of ferrite.

また、前記電極を成す金属膜が、１．５〜１０質量％のガラス成分を含有することを特徴とする。   Moreover, the metal film which comprises the said electrode contains 1.5-10 mass% glass component, It is characterized by the above-mentioned.

また、前記電極を成す金属膜の表面粗さＲａが１．５μｍ以下であることを特徴とする。   The metal film forming the electrode has a surface roughness Ra of 1.5 μm or less.

また、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのいずれかの金属粉末と、バインダーと、溶媒とを含む金属ペーストをセラミックスの表面に塗布する第１工程と、前記金属ペースト中の溶媒を乾燥させて金属膜前駆体を形成する第２工程と、前記第１、第２工程を繰り返し実施することにより、該セラミックス表面に２層以上の金属膜前駆体層を形成する第３工程と、前記金属膜前駆体層を前記第２工程以上の温度で加熱、脱脂して金属膜脱脂体を得る第４工程と、該第４工程で得られた金属膜脱脂体を前記第４工程以上の温度で加熱して焼結させる第５工程とからなることを特徴とする。   Moreover, the 1st process of apply | coating to the surface of ceramic the metal paste containing the metal powder in any one of Ag, Ag-Pt, and Ag-Pd, a binder, and a solvent, and drying the solvent in the said metal paste. A second step of forming a metal film precursor; a third step of repeatedly forming the metal film precursor layer on the ceramic surface by repeatedly performing the first and second steps; and the metal film. The precursor layer is heated and degreased at a temperature equal to or higher than the second step to obtain a metal film degreased body, and the metal film degreased body obtained at the fourth step is heated at a temperature equal to or higher than the fourth step. And a fifth step of sintering.

さらに、前記金属粉末の平均粒子径が０．７〜３μｍであることを特徴とする。   Furthermore, the average particle diameter of the metal powder is 0.7 to 3 μm.

また、前記金属粉末の粒度分布が、０．５〜１μｍの間と１．５〜３μｍの間に２つのピークを有することを特徴とする。   In addition, the particle size distribution of the metal powder has two peaks between 0.5 and 1 μm and between 1.5 and 3 μm.

また、前記第１工程に用いる金属ペーストの粘度を１０〜２５０Ｐａ・ｓとしたことを特徴とする。   Further, the metal paste used in the first step has a viscosity of 10 to 250 Pa · s.

また、前記電子部品に抵抗体を備え、該抵抗体と前記電極を導通してチップ抵抗器としたことを特徴とする。   Further, the electronic component includes a resistor, and the resistor and the electrode are electrically connected to form a chip resistor.

また、フェライトコアとして前記電子部品を用いたことを特徴とする。   The electronic component is used as a ferrite core.

また、インダクタとして前記フェライトコアを用いたことを特徴とする。   Further, the ferrite core is used as an inductor.

本発明の電子部品は、セラミックスの表面に、厚み１０〜２００μｍのＡｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのいずれかを主成分とし、表面の気孔率が５％以下、最大気孔径が５μｍ以下である金属膜から成る電極を形成することから、該電極中のＡｇ成分が半田層形成後に半田層側へ拡散する、いわゆる半田耐熱性に優れ、更に実装後のＡｇ拡散（いわゆるＡｇ喰われ）もないために、前記電極のセラミックスへの金属膜の被着強度が低下せず、その剥がれを無くすことが可能となる。   The electronic component of the present invention has, on the ceramic surface, a main component of any one of Ag, Ag-Pt, and Ag-Pd having a thickness of 10 to 200 μm, a surface porosity of 5% or less, and a maximum pore diameter of 5 μm or less. Since an electrode made of a certain metal film is formed, the Ag component in the electrode diffuses to the solder layer side after the solder layer is formed, and is excellent in so-called solder heat resistance. Further, Ag diffusion after mounting (so-called Ag erosion) is also achieved. Therefore, the adhesion strength of the metal film to the ceramic of the electrode does not decrease, and it is possible to eliminate the peeling.

また、前記電極を成す金属膜が、Ｐｔ含有量を０．１〜１０質量％のＡｇ−Ｐｔを主成分としたことにより、Ａｇより微粒化されたＰｔ粒子がＡｇ粒子間に入り込み、金属膜がより緻密化し半田耐熱性が向上するばかりか、金属膜表面が平滑となり半田濡れ性をも改善することができる。また、例えば１５０℃以下の温度で１０００時間放置する試験の前後で、前記セラミックスと金属膜の引き剥がし試験（ピール強度）を実施しても差がなく、良好な金属膜の被着強度を有する電子部品を得ることが可能となる。   Further, since the metal film constituting the electrode is mainly composed of Ag—Pt having a Pt content of 0.1 to 10% by mass, the Pt particles atomized from Ag enter between the Ag particles, and the metal film As a result, the metal film surface becomes smooth and the solder wettability can be improved. Further, for example, there is no difference even if the peeling test (peel strength) between the ceramic and the metal film is performed before and after the test that is left at a temperature of 150 ° C. or less for 1000 hours, and the metal film has good adhesion strength. An electronic component can be obtained.

さらに、前記電極を成す金属膜が、Ｐｄ含有量を１〜２０質量％のＡｇ−Ｐｄを主成分としたことにより、前記Ｐｔの場合と同様に、半田耐熱性、半田濡れ性が向上し、かつ加熱放置試験前後のピール強度に差がなく、良好な金属膜の被着強度を有する電子部品を得ることが可能となる。   Furthermore, the metal film constituting the electrode is composed mainly of Ag-Pd having a Pd content of 1 to 20% by mass, so that the solder heat resistance and solder wettability are improved as in the case of Pt, In addition, there is no difference in peel strength before and after the heat leaving test, and it is possible to obtain an electronic component having good metal film deposition strength.

また、前記金属膜中のＰｔ、Ｐｄの含有量をそれぞれ前記範囲内とすることで、金属膜中にＡｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ合金を形成することが可能で、これにより金属膜表面のＡｇ成分の硫化を抑制することが可能となる。   Further, by setting the contents of Pt and Pd in the metal film within the above ranges, it is possible to form an Ag—Pt alloy and an Ag—Pd alloy in the metal film. It becomes possible to suppress sulfurization of the component.

また、セラミックスがフェライト焼結体であることから、電極との熱膨張差が小さく、熱膨張差に起因する応力による電極の剥がれをなくすことができる。さらにはフェライトコアの損失を低減させることができる。なお、フェライトとしては、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉフェライトを適用することができる。   In addition, since the ceramic is a ferrite sintered body, the difference in thermal expansion from the electrode is small, and peeling of the electrode due to stress resulting from the difference in thermal expansion can be eliminated. Furthermore, the loss of the ferrite core can be reduced. As the ferrite, Mn—Zn ferrite, Mn—Zn—Cu ferrite, Ni—Zn ferrite, Ni—Zn—Cu ferrite, Mn—Ni—Zn ferrite, and Ni ferrite can be applied.

また、前記電極を成す金属膜が、１．５〜１０質量％のガラス成分を含有することから、前記電極のセラミックス焼結体への被着強度を高くすることができる。   Moreover, since the metal film which comprises the said electrode contains a 1.5-10 mass% glass component, the adhesion strength to the ceramic sintered compact of the said electrode can be made high.

また、前記電極を成す金属膜の表面粗さＲａが１．５μｍ以下であることにより、基板実装する際に用いる半田との濡れ性をより向上させることが可能であり、基板への実装強度を高めることができる。   In addition, since the surface roughness Ra of the metal film constituting the electrode is 1.5 μm or less, it is possible to further improve the wettability with the solder used when mounting on the substrate, and the mounting strength on the substrate is increased. Can be increased.

また、本発明の電子部品の製造工程は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのいずれかの金属粉末と、バインダーと、溶媒とを含む金属ペーストをセラミックスの表面に塗布する第１工程と、前記金属ペースト中の溶媒を乾燥させて金属膜前駆体を形成する第２工程と、前記第１、第２工程を繰り返し実施することにより、該セラミックス表面に２層以上の金属膜前駆体層を形成する第３工程と、前記金属膜前駆体層を前記第２工程以上の温度で加熱、脱脂して金属膜脱脂体を得る第４工程と、該第４工程で得られた金属膜脱脂体を前記第４工程以上の温度で加熱して焼結させる第５工程とからなることから、セラミックスへの被着強度の高い電極を形成可能であり、かつ半田との濡れ性及び半田耐熱性に優れ、電極製造コストが安価な電子部品を製造可能となる。   Moreover, the manufacturing process of the electronic component of the present invention includes a first process of applying a metal paste containing any one of Ag, Ag-Pt, and Ag-Pd, a binder, and a solvent to the surface of the ceramic, By repeating the second step of forming the metal film precursor by drying the solvent in the metal paste and the first and second steps, two or more metal film precursor layers are formed on the ceramic surface. A third step of forming, a fourth step of obtaining a metal film degreased body by heating and degreasing the metal film precursor layer at a temperature equal to or higher than that of the second step, and a metal film degreased body obtained in the fourth step Is formed at a temperature equal to or higher than that of the fourth step, so that an electrode having high adhesion strength to ceramics can be formed, and wettability with solder and solder heat resistance can be achieved. Excellent electronic components with low electrode manufacturing costs The possible production.

また、前記金属粉末の平均粒子径が０．７〜３μｍであることから半田との濡れ性に優れた電極を有する電子部品とすることができる。   Moreover, since the average particle diameter of the said metal powder is 0.7-3 micrometers, it can be set as the electronic component which has an electrode excellent in the wettability with a solder.

また、前記金属粉末の粒度分布が、０．５〜１μｍの間と１．５〜３μｍの間に２つのピークを有することから半田との濡れ性と半田耐熱性の良好な電極を有する電子部品とすることができる。   In addition, since the particle size distribution of the metal powder has two peaks between 0.5 to 1 μm and 1.5 to 3 μm, an electronic component having an electrode with good solder wettability and solder heat resistance It can be.

また、前記第１工程に用いる金属ペーストの粘度を１０〜２５０Ｐａ・ｓとしたことにより、電極に所定の厚みを持った金属膜を形成することが可能となる。   In addition, by setting the viscosity of the metal paste used in the first step to 10 to 250 Pa · s, it is possible to form a metal film having a predetermined thickness on the electrode.

また、本発明の電子部品をインダクタやチップ抵抗器、フェライトコアとして用いることにより、電子部品実装後に前記金属膜から半田層へのＡｇ拡散（Ａｇ喰われ）が生じることなく、長期間にわたって良好な特性を維持できる電子部品として用いることが可能である。   Further, by using the electronic component of the present invention as an inductor, a chip resistor, or a ferrite core, Ag diffusion (Ag erosion) from the metal film to the solder layer does not occur after mounting the electronic component, and it is good for a long period of time. It can be used as an electronic component that can maintain its characteristics.

以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail.

図１に本発明の電子部品の断面概略図を示す。本発明の電子部品は、図１（ａ）に示すように、セラミックス１表面にＡｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄの何れかを主成分とする金属膜２からなる電極６を形成し、さらにその表面に基板へ実装するための半田層３が形成された構成である。   FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an electronic component of the present invention. In the electronic component of the present invention, as shown in FIG. 1 (a), an electrode 6 made of a metal film 2 containing Ag, Ag-Pt, or Ag-Pd as a main component is formed on the surface of a ceramic 1, and The solder layer 3 for mounting on the substrate is formed on the surface.

この電極６中にガラス成分が含まれている場合、セラミックス１表面に金属膜２を形成すると、図１（ｂ）に示すようにセラミックス１の近傍に前記ガラス成分が集まることでガラス層４を形成したものや、さらには、図１（ｃ）に示すように電極６の表面に半田層３を形成すると、金属膜２と半田層３間に電極６中のＡｇ成分が半田層側に拡散して半田飽和層５を形成した構成となる。このように、図１（ａ）〜（ｃ）の構成とすれば、従来の電子部品の電極において問題となっていた電極６のセラミックス１への被着強度を高め、さらに電極６中のＡｇ成分が、半田層３へ拡散し、電極剥がれを生じることがなく、いわゆる半田耐熱性を高くできるために、良好な特性を有する電子部品とすることが可能となる。   When the glass component is contained in the electrode 6, when the metal film 2 is formed on the surface of the ceramic 1, the glass component 4 is collected in the vicinity of the ceramic 1 as shown in FIG. When the solder layer 3 is formed on the surface of the electrode 6 as shown in FIG. 1C, the Ag component in the electrode 6 diffuses between the metal film 2 and the solder layer 3 toward the solder layer. As a result, the solder saturation layer 5 is formed. 1A to 1C, the adhesion strength of the electrode 6 to the ceramic 1, which has been a problem in the electrodes of conventional electronic components, is increased, and the Ag in the electrode 6 is further increased. Since the components do not diffuse into the solder layer 3 and electrode peeling does not occur and so-called solder heat resistance can be increased, an electronic component having good characteristics can be obtained.

本発明の電子部品は、図１に示した構成を成し、セラミックス１の表面に厚み１０〜２００μｍのＡｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄの何れかを主成分とする金属膜２を形成し、該金属膜２表面の気孔率が５％以下、最大気孔径が５μｍ以下とする電極６を備えていることが重要である。   The electronic component of the present invention has the configuration shown in FIG. 1, and a metal film 2 mainly composed of any one of Ag, Ag—Pt, and Ag—Pd having a thickness of 10 to 200 μm is formed on the surface of the ceramic 1. It is important to provide the electrode 6 having a porosity of 5% or less and a maximum pore diameter of 5 μm or less on the surface of the metal film 2.

これにより、従来、電極６の表面にメッキ層を形成して電極６の成分が半田層３へ拡散することを防止していたが、このメッキ層を形成しなくとも半田耐熱性、半田濡れ性に優れ、電極剥がれを無くすることができるため、さらに製造コストを安価とすることも可能である。   Thus, conventionally, a plating layer is formed on the surface of the electrode 6 to prevent the components of the electrode 6 from diffusing into the solder layer 3. However, solder heat resistance and solder wettability can be achieved without forming the plating layer. In addition, since electrode peeling can be eliminated, the manufacturing cost can be further reduced.

ここで、前記半田耐熱性に優れる理由としては、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄの金属膜２からなる電極６の厚さを１０μｍ未満とした状態で、その表面に基板実装するべく半田層３を形成する。この場合、セラミックス１表面に形成された電極６は極めて薄く、電極６中のＡｇ成分量は少なくなる。そのため、半田層３へのＡｇ成分の拡散を防止するための半田飽和層５が電極６と半田層３の間に生成される前に、大半のＡｇ成分が半田層３へ拡散してしまう。この現象により、電極６はＡｇ成分を消失して著しく粗密化するため、セラミックス１との被着強度が低下して電極剥がれが生じる。   Here, the reason why the solder heat resistance is excellent is that the electrode 6 made of the Ag, Ag-Pt, Ag-Pd metal film 2 has a thickness of less than 10 μm, and the solder layer is to be mounted on the surface of the substrate. 3 is formed. In this case, the electrode 6 formed on the surface of the ceramic 1 is extremely thin, and the amount of Ag component in the electrode 6 is reduced. Therefore, most of the Ag component diffuses into the solder layer 3 before the solder saturation layer 5 for preventing the diffusion of the Ag component into the solder layer 3 is generated between the electrode 6 and the solder layer 3. Due to this phenomenon, the electrode 6 loses the Ag component and becomes extremely dense, so that the adhesion strength with the ceramic 1 is reduced and the electrode peels off.

なお、ここでいう電極剥がれとは、電極６がセラミックス１の表面から、もしくは電極６にガラス成分が含有されていればガラス層４の表面から電極が剥がれる状態を指す。   The electrode peeling here refers to a state in which the electrode is peeled off from the surface of the ceramic 1 or from the surface of the glass layer 4 if the electrode 6 contains a glass component.

また、電極６の厚さが２００μｍを超えると、電極６を生成する際に実施する脱脂工程において、脱脂不良が生じ、これにより電極６中に多数の気孔が生成して残存するため、半田付けの際に半田がその気孔内へ進入し、電極６を構成する金属膜２へ半田成分の拡散が起こり、セラミックス１への被着強度が著しく低下して電極剥がれに発展する。   Further, when the thickness of the electrode 6 exceeds 200 μm, a degreasing process is performed in the degreasing process performed when the electrode 6 is generated, and thus a large number of pores are generated and remain in the electrode 6. At this time, the solder enters the pores, the solder component diffuses into the metal film 2 constituting the electrode 6, the adhesion strength to the ceramic 1 is remarkably lowered, and the electrode is peeled off.

この現象を防止するためには、電極６の厚さを１０〜２００μｍの範囲内とし、電極６中のＡｇ成分のすべてが拡散してしまう前に、電極６と半田層３の間に半田飽和層５が生成されるようにする。これにより、電極６のセラミックス１への被着強度の劣化がないため、電極剥がれを防止することが可能となり、さらには５０〜１２０μｍが好ましい。   In order to prevent this phenomenon, the thickness of the electrode 6 is set within a range of 10 to 200 μm, and before all of the Ag component in the electrode 6 is diffused, the solder saturation is caused between the electrode 6 and the solder layer 3. Let layer 5 be generated. Thereby, since there is no deterioration of the adhesion strength of the electrode 6 to the ceramic 1, it becomes possible to prevent electrode peeling, and 50-120 micrometers is further preferable.

さらに、メッキ層を形成しなくとも半田濡れ性が向上するのは、前記金属膜２表面がメッキ表面と比較して粗面化されているからである。   Further, the solder wettability is improved without forming a plating layer because the surface of the metal film 2 is roughened as compared with the plating surface.

また、電極６にＡｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄの何れかを主成分とする金属膜を使用するのは、電極６の作製後にその比抵抗値を小さくし、電極６として良好な導通を確保するためである。これ以外の金属を電極６として用いれば比抵抗値が増加し、電極６として有用な導通を確保できない恐れがあり好適でない。さらには、半田層３を形成する際の加熱により、金属膜２表面が酸化され、良好な導通を確保できないためである。   In addition, the metal film mainly composed of Ag, Ag-Pt, or Ag-Pd is used for the electrode 6 because the specific resistance value is reduced after the electrode 6 is manufactured, and the electrode 6 has good conduction. This is to ensure. If a metal other than this is used as the electrode 6, the specific resistance value increases, and there is a risk that useful conduction as the electrode 6 may not be ensured. Furthermore, the surface of the metal film 2 is oxidized by heating at the time of forming the solder layer 3, and good conduction cannot be ensured.

さらに、電極６の気孔率を５％以下、最大気孔径を５μｍ以下とするのは、この範囲外では、半田層３を形成する際の加熱に対し、電極６の耐熱性が悪化する為である。ここで、前記耐熱性悪化のメカニズムとしては、本発明のような電極６を形成しようとすれば、セラミックス１表面に電極６を形成した後、この部分を溶融半田中に一定時間以上浸漬する必要があり、この際に半田が該セラミックス１とガラス層４間、またはガラス層４と金属膜２間に入り込み、セラミックス１からガラス層４が剥がれる、またはガラス層４から金属膜２が剥がれてしまう。これに対し、電極６の表面および内部のボイド（気孔）を前記条件にすることで、半田のセラミックス１とガラス層４間、またはガラス層４と金属膜２間への入り込みを防止することができる。   Further, the reason why the porosity of the electrode 6 is 5% or less and the maximum pore diameter is 5 μm or less is that outside this range, the heat resistance of the electrode 6 deteriorates with respect to heating when the solder layer 3 is formed. is there. Here, as the mechanism of deterioration of the heat resistance, if the electrode 6 as in the present invention is to be formed, after forming the electrode 6 on the surface of the ceramic 1, it is necessary to immerse this part in the molten solder for a predetermined time or more. At this time, solder enters between the ceramic 1 and the glass layer 4 or between the glass layer 4 and the metal film 2, and the glass layer 4 is peeled off from the ceramic 1, or the metal film 2 is peeled off from the glass layer 4. . On the other hand, by setting the surface and internal voids (pores) of the electrode 6 to the above-described conditions, it is possible to prevent solder from entering between the ceramics 1 and the glass layer 4 or between the glass layer 4 and the metal film 2. it can.

なお、前記気孔率は、電極６の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、例えば３０００倍で観察し、観察視野中の任意の面積における気孔面積を画像処理装置により算出し、５点の平均値をとった値としている。また、最大気孔径も同様の方法で測定している。   The porosity is determined by observing the surface of the electrode 6 with a scanning electron microscope (SEM) at, for example, 3000 times, calculating the pore area in an arbitrary area in the observation field by an image processing apparatus, and calculating an average of 5 points. The value is taken. The maximum pore diameter is also measured by the same method.

また、前記電極６を成す金属膜２は、Ｐｔ含有量を０．１〜１０質量％のＡｇ−Ｐｔを主成分とすることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the metal film 2 which comprises the said electrode 6 has Ag-Pt whose Pt content is 0.1-10 mass% as a main component.

これにより、半田耐熱性良好で、しかもＡｇ粒子間に微粒からなるＰｔ粒子が入り込み金属膜２を緻密化でき、表面は比較的平滑となるため、半田層３を金属膜２表面へ形成する際にちょうど濡れ性が良好となる表面状態を得ることが可能となる。さらに８０〜１５０℃の高温に１０００時間以上放置した後も、その試験前後で金属膜２の引き剥がし強度（ピール強度）に差がなく、良好な金属膜２を形成可能である。なお、より良好な半田耐熱性、半田濡れ性、高温放置試験前後のピール強度が得られるＰｔ含有量の範囲は０．５〜８質量％である。   As a result, the solder heat resistance is good and the fine Pt particles enter between the Ag particles, so that the metal film 2 can be densified and the surface becomes relatively smooth. Therefore, when the solder layer 3 is formed on the surface of the metal film 2 It is possible to obtain a surface state in which the wettability is excellent. Furthermore, even after being left at a high temperature of 80 to 150 ° C. for 1000 hours or more, there is no difference in the peel strength (peel strength) of the metal film 2 before and after the test, and a good metal film 2 can be formed. In addition, the range of Pt content from which better solder heat resistance, solder wettability, and peel strength before and after the high temperature storage test can be obtained is 0.5 to 8% by mass.

Ｐｔ含有量を０．１質量％未満とすると、金属膜２のほとんどが比較的粗粒からなるＡｇ粒子のみで構成されるため、粒子間の空隙が気孔として多く残存し半田耐熱性が低下する。一方、Ｐｔ含有量が１０質量％を超えると金属膜２の焼結温度が高くなり、またＰｔが高価であるために、製造コストが高くなる。   When the Pt content is less than 0.1% by mass, most of the metal film 2 is composed only of relatively coarse Ag particles, so that many voids between the particles remain as pores and solder heat resistance decreases. . On the other hand, if the Pt content exceeds 10% by mass, the sintering temperature of the metal film 2 becomes high, and the production cost increases because Pt is expensive.

さらに、前記電極６を成す金属膜は、Ｐｄ含有量を１〜２０質量％のＡｇ−Ｐｄを主成分とすることが好ましい。   Furthermore, it is preferable that the metal film constituting the electrode 6 is composed mainly of Ag—Pd having a Pd content of 1 to 20% by mass.

前記Ｐｄ含有量を１質量％未満とすると、前記Ｐｔの場合と同様に半田耐熱性が低下するために好ましくない。   When the Pd content is less than 1% by mass, the solder heat resistance is lowered as in the case of Pt, which is not preferable.

またＰｄ含有量を２０質量％より多くすると、前記Ｐｔと同様に焼結温度、製造コストが高くなるため好ましくない。より良好な半田耐熱性、半田濡れ性、高温放置試験前後のピール強度が得られるＰｔ含有量の範囲は２〜８質量％である。   On the other hand, if the Pd content is more than 20% by mass, the sintering temperature and the production cost increase as in the case of Pt, which is not preferable. The range of Pt content for obtaining better solder heat resistance, solder wettability, and peel strength before and after the high temperature storage test is 2 to 8% by mass.

Ａｇ成分とＳ（硫黄）成分の反応に対して、Ｐｔ、ＰｄがそれぞれＡｇと合金化し、いわゆる耐硫化性を高めることが可能となる。これにより、前記金属膜２表面は大気中に微量に含有されるＳ（硫黄）成分に対して耐性が向上し、本発明の電子部品を大気中で長時間保管した場合にもその表面の硫化を抑制することができる。 In response to the reaction between the Ag component and the S (sulfur) component, Pt and Pd are alloyed with Ag, respectively, and so-called sulfidation resistance can be improved. As a result, the surface of the metal film 2 has improved resistance to S (sulfur) components contained in trace amounts in the atmosphere, and the surface of the metal film 2 is sulfided even when stored for a long time in the atmosphere. Can be suppressed.

また、前記セラミックスが、フェライトであることが好ましく、フェライトはその熱膨張係数が、一般的なアルミナセラミックスと比較して１２〜１３×１０−６／℃と高く、これを電極材として用いれば、電極６形成時の加熱の際に、熱膨張が大きな金属からなる電極６との熱膨張差が小さく、セラミックス１と電極６間に生じ、膜剥がれの原因となる応力を緩和することができるためである。また、セラミックス１をコアとした電子部品には、電極の導通をより良好とし、低コア損失化が求められるが、セラミックス１にフェライト焼結体を用い、この表面に気孔率５％以下、最大気孔径が５μｍ以下の電極６を形成することにより、他と比較してより低コア損失を実現することが可能となる。 Moreover, it is preferable that the ceramic is a ferrite, and the coefficient of thermal expansion of ferrite is as high as 12 to 13 × 10 −6 / ° C. compared to a general alumina ceramic. If this is used as an electrode material, When heating at the time of forming the electrode 6, the difference in thermal expansion from the electrode 6 made of a metal having a large thermal expansion is small, and the stress that is caused between the ceramic 1 and the electrode 6 and causes film peeling can be relieved. It is. Also, electronic parts having ceramics 1 as the core are required to have better electrode conduction and lower core loss. However, ferrite 1 is used for ceramics 1, and the porosity is 5% or less on this surface. By forming the electrode 6 having a pore diameter of 5 μm or less, it is possible to realize a lower core loss compared to the others.

またさらに、前記電極６中に、金属膜２に対して１．５〜１０質量％のガラス成分を含有させることが好ましい。これにより、電極６のセラミックス１への被着強度を高くすることが可能となる。電極６中のガラス成分量が１．５質量％未満では、図１（ｂ）、（ｃ）に示すように、セラミックス１と金属膜２間にガラス層４を形成できないために、電極６とセラミックス１の被着強度が低下する。また、１０質量％を越えると金属膜２表面にガラス成分が析出し、このガラス成分が半田との濡れ性を阻害する。より好適には３〜８質量％の範囲とするのがよい。   Further, it is preferable that the electrode 6 contains 1.5 to 10% by mass of a glass component with respect to the metal film 2. Thereby, the adhesion strength of the electrode 6 to the ceramic 1 can be increased. When the glass component amount in the electrode 6 is less than 1.5% by mass, the glass layer 4 cannot be formed between the ceramic 1 and the metal film 2 as shown in FIGS. The adhesion strength of the ceramic 1 is reduced. On the other hand, when the content exceeds 10% by mass, a glass component is deposited on the surface of the metal film 2, and this glass component inhibits wettability with solder. More preferably, it is good to set it as the range of 3-8 mass%.

また、電極６中には、金属膜２に対して酸化物換算で０．１〜１０質量％のＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉのいずれか１種以上の添加材を含有させることが好ましい。これにより、セラミックス１表面に電極６を形成させた際に、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉのうちのいずれかが、セラミックス１を成す材料と金属膜２またはガラス層４界面で反応し、膜がより強固に被着するからである。特にセラミックス焼結体１をフェライトにて形成した場合は、被着強度の向上が顕著であり好ましい。なお、前記添加剤には市販の酸化物等を用いる。   The electrode 6 contains 0.1 to 10% by mass of one or more additives of Fe, Ni, Zn, Cu, Mn, and Ti in terms of oxide with respect to the metal film 2. Is preferred. Thereby, when the electrode 6 is formed on the surface of the ceramic 1, any of Fe, Ni, Zn, Cu, Mn, and Ti reacts at the interface between the material forming the ceramic 1 and the metal film 2 or the glass layer 4. This is because the film adheres more firmly. In particular, when the ceramic sintered body 1 is formed of ferrite, the improvement in the adhesion strength is remarkable, which is preferable. In addition, a commercially available oxide etc. are used for the said additive.

さらに、前記添加剤としてはＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉのいずれか１種以上の他に、金属膜２を被着するセラミックス１の成分を０．１〜１０質量％の添加量として用いることも可能である。例えば、金属膜２を被着するセラミックスがＮｉ−Ｚｎフェライトであった場合には、ＮｉまたはＺｎ、Ｆｅ、あるいはＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ成分の化合物を添加材として用いる。また、Ｎｉ−ＺｎフェライトにＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ以外の他の成分が含まれていた場合には、それも添加材として用いることができる。このように、金属膜２中にセラミックス１の成分を添加材として含有させることにより、前記Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉのいずれか１種以上の添加材と同様に、セラミックス１材料と金属膜２またはガラス層４の界面で反応し、この反応により金属膜２をより強固に被着させることができる。なお、前記添加剤には、金属膜２を被着するセラミックスの粉体を用いればよい。   Further, as the additive, in addition to any one or more of Fe, Ni, Zn, Cu, Mn, and Ti, the component of the ceramic 1 for depositing the metal film 2 is added in an amount of 0.1 to 10% by mass. Can also be used. For example, when the ceramic on which the metal film 2 is deposited is Ni—Zn ferrite, Ni or Zn, Fe, or a compound of Ni, Zn, and Fe components is used as an additive. Moreover, when other components other than Ni, Zn, and Fe are contained in Ni-Zn ferrite, it can also be used as an additive. Thus, by including the component of the ceramic 1 as an additive in the metal film 2, the ceramic 1 material as well as any one or more of the additives Fe, Ni, Zn, Cu, Mn, and Ti. And the metal film 2 or the glass layer 4 react, and the metal film 2 can be adhered more firmly by this reaction. As the additive, a ceramic powder for depositing the metal film 2 may be used.

また、前記添加材の含有量を０．１〜１０質量％としたのは、０．１質量％未満では、前記反応が少なく被着強度向上が望めないからであり、１０質量％を越えると、それらが電極６表面に析出し、半田層３との濡れ性を阻害するためである。   Moreover, the reason why the content of the additive is 0.1 to 10% by mass is that when the amount is less than 0.1% by mass, the reaction is small and an improvement in adhesion strength cannot be expected. This is because they are deposited on the surface of the electrode 6 and impede wettability with the solder layer 3.

なお、前記添加材は、Ａｇより融点が５００℃以上低いため金属膜２焼成中に液相となって金属膜２またはガラス層４とセラミックス１との境界面付近に多く存在することとなる。   Since the melting point of the additive is lower than that of Ag by 500 ° C. or more, the additive becomes a liquid phase during the firing of the metal film 2 and is often present near the interface between the metal film 2 or the glass layer 4 and the ceramic 1.

この作用により金属膜２とガラス層４からなる電極６とセラミックス１はその境界で両成分の反応生成物を形成可能となり、被着強度を高めることができる。   By this action, the electrode 6 made of the metal film 2 and the glass layer 4 and the ceramic 1 can form a reaction product of both components at the boundary, and the deposition strength can be increased.

この作用により金属膜２とガラス層４からなる電極６とセラミックス１はその境界で両成分の反応生成物を形成可能となり、被着強度を高めることができる。   By this action, the electrode 6 made of the metal film 2 and the glass layer 4 and the ceramic 1 can form a reaction product of both components at the boundary, and the deposition strength can be increased.

また、セラミックス１と電極６の被着強度に関しては、セラミックス１と電極６の接触面積を１としたとき、前記ガラス成分または前記添加材のいずれかの成分とセラミックス１の接触面積が０．５以上とするのがよい。こうすることにより、セラミックス１と電極６との被着強度をアップさせるための前記ガラス成分または添加材成分が有効に作用し、セラミックス１と電極６の被着強度を更に高めることが可能となる。   Further, regarding the adhesion strength between the ceramic 1 and the electrode 6, when the contact area between the ceramic 1 and the electrode 6 is 1, the contact area between the ceramic component 1 and any one of the glass component or the additive is 0.5. It is good to be the above. By doing so, the glass component or additive component for increasing the adhesion strength between the ceramic 1 and the electrode 6 acts effectively, and the adhesion strength between the ceramic 1 and the electrode 6 can be further increased. .

なお、このように接触面積を０．５以上とするには、前記ガラス成分含有量並びに前記添加材のいずれかの成分量を前記範囲とすることが必要である。   In order to set the contact area to 0.5 or more in this way, it is necessary to set the glass component content and the component amount of any of the additives within the above range.

また、前記接触面積については、セラミックス１表面に電極６を形成後、金属膜２を厚さ１０μｍ以下に加工し、その表面全体を波長分散型あるいはエネルギー分散型の局所元素分析（ＥＰＭＡ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏａｎａｌｙｓｉｓ）装置で、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉ元素の分布面積を分析することにより確認できる。   As for the contact area, after forming the electrode 6 on the surface of the ceramic 1, the metal film 2 is processed to a thickness of 10 μm or less, and the entire surface is subjected to local elemental analysis (EPMA: Electron Probe) of wavelength dispersion type or energy dispersion type. This can be confirmed by analyzing the distribution area of Si, Fe, Ni, Zn, Cu, Mn, and Ti elements with a Microanalysis apparatus.

また、前記金属膜２中にはＢｉを酸化物換算で０．５〜１０質量％添加することが好ましく、Ｂｉは融点が３００℃以下と非常に低く、電極６の焼成中に前記添加材のいずれかの成分の融点よりも低温で液相を作り、周囲の添加材成分を取り込んでそれらの融点よりも低温で液化する作用がある。このため、Ｂｉ成分を添加することにより、電極６とセラミックス１の境界面に、添加材成分を多く存在させ、セラミックス１成分との反応を促進して、電極６焼結後により反応層を形成し、強固な被着強度を得ることが可能となる。   Moreover, it is preferable to add 0.5 to 10% by mass of Bi in terms of oxide in the metal film 2, and Bi has a very low melting point of 300 ° C. or less. The liquid phase is formed at a temperature lower than the melting point of any component, and the surrounding additive components are taken in and liquefy at a temperature lower than the melting point thereof. Therefore, by adding the Bi component, a large amount of additive components are present at the interface between the electrode 6 and the ceramic 1 to promote the reaction with the ceramic 1 component and form a reaction layer after the electrode 6 is sintered. In addition, it is possible to obtain a strong deposition strength.

添加量が０．５質量％未満であると低温で液相を形成し、電極６とセラミックス１の境界付近に添加材成分とセラミックス１成分の反応層を形成することができず、電極６の被着強度が低くなり、電極剥がれが生じ易くなるために好ましくない。一方、１０質量％より多く添加すると、電極６のセラミックス１への被着強度は向上するが、電極６が緻密化せず半田耐熱性が低下するために好ましくない。より好適には半田耐熱性に及ぼす影響を考慮して０．５〜５質量％とするのがよい。   When the addition amount is less than 0.5% by mass, a liquid phase is formed at a low temperature, and a reaction layer of the additive component and the ceramic 1 component cannot be formed near the boundary between the electrode 6 and the ceramic 1. This is not preferable because the adhesion strength is low and electrode peeling is likely to occur. On the other hand, if it is added more than 10% by mass, the adhesion strength of the electrode 6 to the ceramic 1 is improved, but the electrode 6 is not densified and solder heat resistance is lowered, which is not preferable. More preferably, the content is 0.5 to 5% by mass in consideration of the influence on the solder heat resistance.

さらに、電極６の表面粗さＲａを１．５μｍ以下とすることが好ましく、電極６表面の界面張力を低下させることが可能となり、電極６表面に半田層３を形成し、電子部品と成す際に半田との濡れ性を高めることができ、電子部品を実装する基板への接着強度を高めるために好適である。   Furthermore, the surface roughness Ra of the electrode 6 is preferably 1.5 μm or less, and the interfacial tension on the surface of the electrode 6 can be lowered, and when the solder layer 3 is formed on the surface of the electrode 6 to form an electronic component In addition, the wettability with the solder can be improved, and this is suitable for increasing the adhesive strength to the substrate on which the electronic component is mounted.

なお、前記表面粗さＲａは、表面形状測定器を用い、例えば、縦倍率５０００倍、横倍率１００倍、触針５μｍ、カットオフ０．８ｍｍ、測定距離０．１ｍｍ、速度０．１ｍｍ／ｓの条件により測定することができる。   The surface roughness Ra is measured using a surface shape measuring instrument, for example, a vertical magnification of 5000 times, a lateral magnification of 100 times, a stylus of 5 μm, a cutoff of 0.8 mm, a measurement distance of 0.1 mm, and a speed of 0.1 mm / s. It can be measured according to the conditions.

次に本発明の電子部品の製造方法について詳細を説明する。   Next, details of the method for manufacturing an electronic component of the present invention will be described.

先ず、金属粉末、バインダー、添加材、分散剤を混合し、金属膜２形成用の金属ペーストを作成する。   First, metal powder, a binder, an additive, and a dispersant are mixed to prepare a metal paste for forming the metal film 2.

ここで、前記金属粉末は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄの何れかを主成分とする金属であり、その平均粒子径は０．７〜３μｍとする。更に好ましくは、前記金属粉末の粒度分布が二山分布を示し、０．５〜１μｍと１．５〜３μｍにピークを持つものがよい。添加材としては、１．５〜１０質量％のガラス成分を添加する。更に好ましくは、０．１〜１０質量％以下のＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉのいずれか１種以上の添加材を含有させるのがよい。   Here, the said metal powder is a metal which has either Ag, Ag-Pt, or Ag-Pd as a main component, and the average particle diameter shall be 0.7-3 micrometers. More preferably, the particle size distribution of the metal powder has a bimodal distribution and has peaks at 0.5 to 1 μm and 1.5 to 3 μm. As an additive, 1.5 to 10% by mass of a glass component is added. More preferably, 0.1 to 10% by mass or less of one or more additives of Fe, Ni, Zn, Cu, Mn, and Ti are contained.

また、前記金属粉末はその平均粒子径が、０．７〜３μｍとするとよい。   The metal powder may have an average particle size of 0.7 to 3 μm.

ここで、前記平均粒子径の範囲を０．７〜３μｍとしたのは、この範囲外であると電極６の界面張力が大きくなり、電極６表面に半田層３を形成した際に半田との濡れ性が著しく低下し、場合によっては半田層３を形成できなくなる。本発明者らは、金属粉末の平均粒子径を前記範囲とすることによって、電極６の界面張力が低下し、半田との濡れ性が改善される前記範囲を見いだした。   Here, the reason why the range of the average particle diameter is 0.7 to 3 μm is that if it is outside this range, the interfacial tension of the electrode 6 increases, and the solder layer 3 is formed on the surface of the electrode 6 when the solder layer 3 is formed. The wettability is remarkably lowered, and in some cases, the solder layer 3 cannot be formed. The present inventors have found the above range in which the interfacial tension of the electrode 6 is lowered and the wettability with the solder is improved by setting the average particle diameter of the metal powder within the above range.

なお、前記平均粒子径は、遠心沈降光透過法を用いて、累積５０％粒度を平均粒子径としている。   In addition, the said average particle diameter makes the accumulation 50% particle size the average particle diameter using the centrifugal sedimentation light transmission method.

さらにまた、電極６を形成する金属粉末の粒度分布が２つのピークを有し、該ピークが、０．５〜１μｍと１．５〜３μｍに最高ピークが位置するようすることが好ましい。これにより、半田濡れ性と半田耐熱性が良好で、かつ半田層３への電極６のＡｇ成分拡散を無くすることができる。   Furthermore, it is preferable that the particle size distribution of the metal powder forming the electrode 6 has two peaks, and the peaks are located at 0.5 to 1 μm and 1.5 to 3 μm. Thereby, the solder wettability and the solder heat resistance are good, and the diffusion of the Ag component of the electrode 6 into the solder layer 3 can be eliminated.

これは、粒度分布を前記範囲の２山分布とすることで、電極６の密度が高められ半田への耐熱性が向上し、かつ電極６中の気孔を少なくし、気孔径を小さくできるために、半田が金属膜２へ進入し、電極６のＡｇ成分と反応して生じる膜剥がれを防止することが可能となる。また、電極６表面の界面張力を低下させることも可能であり、半田との濡れ性を大幅に改善させることもできる。なお、前記金属膜２形成材料の粒度分布は、レーザー回折散乱法を用いて測定することが可能である。   This is because by setting the particle size distribution to the two-peak distribution in the above range, the density of the electrode 6 is increased, the heat resistance to the solder is improved, the pores in the electrode 6 are reduced, and the pore diameter can be reduced. Then, it is possible to prevent film peeling that occurs when the solder enters the metal film 2 and reacts with the Ag component of the electrode 6. In addition, the interfacial tension on the surface of the electrode 6 can be reduced, and the wettability with the solder can be greatly improved. The particle size distribution of the metal film 2 forming material can be measured using a laser diffraction scattering method.

そして前記金属粉末、添加材、バインダー、分散剤を市販の攪拌混合機を用いて攪拌混合した後、得られたペーストをセラミック焼結体１表面にディッピング法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、ジェットプリンティング法、凹版転写法、フォトリソ法により、厚さ２〜１００μｍで所望の形状に塗布する第１工程を施す。そしてペースト塗布後５分以内に７０〜２５０℃、１５分以上の乾燥条件でペーストの溶媒を乾燥して蒸発させる第２工程を施す。   The metal powder, additive, binder, and dispersant are stirred and mixed using a commercially available stirring mixer, and the obtained paste is dipped, screen-printed, gravure-printed, jetted onto the surface of the ceramic sintered body 1. A first step of applying to a desired shape with a thickness of 2 to 100 μm is performed by a printing method, an intaglio transfer method, or a photolithography method. Then, within 5 minutes after applying the paste, a second step of drying and evaporating the solvent of the paste under drying conditions of 70 to 250 ° C. and 15 minutes or more is performed.

ここで、前記のようにペースト塗布厚さを２〜１００μｍとしたのは、２μｍ未満では、重ね塗布の回数が多くなり、製造コストに影響を与える為である。また、１００μｍを越えると塗布直後より始まる溶剤の蒸発が塗布したペーストの表面で促進され、これによりペースト塗布表面が硬化し、塗布ペースト内部の溶剤除去の妨げとなるため、焼成後に残留した溶剤部分が気孔となり、半田耐熱性が低下するためである。   Here, the reason why the paste coating thickness is set to 2 to 100 μm as described above is that when the thickness is less than 2 μm, the number of times of repeated coating increases, which affects the manufacturing cost. If the thickness exceeds 100 μm, the evaporation of the solvent starting immediately after coating is promoted on the surface of the applied paste, which hardens the paste coating surface and prevents removal of the solvent inside the coating paste. This is because pores are formed and solder heat resistance is reduced.

また、前記金属ペーストの粘度としては、１０〜２５０Ｐａ・ｓとするのがよい。ペースト粘度が１０Ｐａ・ｓより低い粘度とすると、所定の金属膜２の厚さを得ることができず、２５０Ｐａ・ｓより高い粘度では、一度に所定厚さ以上のペーストしか塗布できないため、所定厚さの金属膜２を得ることができない。なお、前記金属ペーストの粘度は、市販の回転式粘度計により測定可能である。   The viscosity of the metal paste is preferably 10 to 250 Pa · s. If the paste viscosity is lower than 10 Pa · s, a predetermined thickness of the metal film 2 cannot be obtained. If the viscosity is higher than 250 Pa · s, only a paste having a predetermined thickness or more can be applied at a time. The metal film 2 cannot be obtained. The viscosity of the metal paste can be measured with a commercially available rotary viscometer.

次に、ペースト塗布後の５分以内に７０〜２５０℃に温度上昇させ、１５分以上乾燥させる。この理由としては、塗布後５分を超えた乾燥では表面硬化による電極内部の溶剤除去がスムーズに行われない為である。また、７０℃未満での乾燥も前記理由と同一である。さらに、２５０℃を超えての乾燥では急激な乾燥となり、電極６を構成する金属膜２中に気孔が多数発生する。また、乾燥時間が１５分未満であると、溶剤が内部に残存する可能性がある。   Next, the temperature is raised to 70 to 250 ° C. within 5 minutes after applying the paste, and dried for 15 minutes or more. This is because the solvent inside the electrode is not removed smoothly by surface hardening when drying is performed for more than 5 minutes after coating. Further, drying at less than 70 ° C. is the same as the above reason. Further, when the drying temperature exceeds 250 ° C., the drying is abrupt and a large number of pores are generated in the metal film 2 constituting the electrode 6. If the drying time is less than 15 minutes, the solvent may remain inside.

そして前記第２工程を経て得られた金属膜前駆体表面に更にペーストを重ねて塗布していく。この工程を２回以上繰り返し実施して金属膜前駆体層を形成する第３工程を施すことで、所望の厚みを有する電極６を得ることができる。   Then, a paste is further applied on the surface of the metal film precursor obtained through the second step. The electrode 6 having a desired thickness can be obtained by performing the third step of repeatedly performing this step twice or more to form the metal film precursor layer.

次に、得られた金属膜前駆体層をセラミックス１とともに大気雰囲気下で１００〜３５０℃にて２時間以上乾燥させ、セラミックス１表面に金属膜脱脂体を形成する第４工程を施す。ここで、乾燥温度が１００℃未満では、金属膜前駆体層に含まれるバインダー成分を十分に除去することができない。また、３５０℃より高温では、金属膜前駆体表面の一部が焼結を始め、脱脂が阻害されるために好ましくない。   Next, the obtained metal film precursor layer is dried together with ceramics 1 at 100 to 350 ° C. for 2 hours or more in an air atmosphere to perform a fourth step of forming a metal film degreased body on the ceramics 1 surface. Here, if the drying temperature is less than 100 ° C., the binder component contained in the metal film precursor layer cannot be sufficiently removed. A temperature higher than 350 ° C. is not preferable because part of the surface of the metal film precursor starts sintering and degreasing is inhibited.

最後に、昇温時間６時間以下で５５０〜９５０℃、１時間以下で金属膜脱脂体を焼結させて電極６を得る第５工程を施す。   Finally, a fifth step of obtaining the electrode 6 by sintering the metal film degreased body at a temperature rising time of 6 hours or less at 550 to 950 ° C. for 1 hour or less is performed.

ここで、焼結温度を５５０〜９５０℃としたのは、５５０℃より低温では十分な焼結が行われないためであり、また９５０℃より高温では、金属膜脱脂体中に含まれるガラス成分等が昇華してしまい、焼結後の電極６とセラミックス１の被着強度が著しく低下するためである。   Here, the sintering temperature was set to 550 to 950 ° C. because sufficient sintering was not performed at a temperature lower than 550 ° C., and the glass component contained in the metal film degreased body at a temperature higher than 950 ° C. This is because the adhesion strength between the sintered electrode 6 and the ceramic 1 is significantly reduced.

このように作製された電子部品は、チップ抵抗器、フェライトコア、インダクタとして好適に用いることができる。   The electronic component thus manufactured can be suitably used as a chip resistor, a ferrite core, or an inductor.

本発明のフェライトコアは、例えばセラミックス１としてフェライト焼結体を用い、これをコアとし、この一部分に銅線を巻き線し、銅線の先端部をフェライト焼結体の端部に形成された本発明の電極６に導通させてフェライトコアを形成するとともに、その上から半田層３を形成して電極６の金属膜２表面に銅線先端部を固定する。このように形成された本発明の電子部品を携帯電話等に搭載することにより、電極剥がれを抑制できるとともに、回路内で直流電流の電圧を変換するＤＣ−ＤＣコンバータ等の役割として適用可能である。   The ferrite core of the present invention uses, for example, a ferrite sintered body as the ceramic 1, which is used as a core, and a copper wire is wound around a part thereof, and the tip of the copper wire is formed at the end of the ferrite sintered body. The ferrite core is formed by conducting to the electrode 6 of the present invention, and the solder layer 3 is formed thereon to fix the tip of the copper wire to the surface of the metal film 2 of the electrode 6. By mounting the electronic component of the present invention thus formed on a mobile phone or the like, electrode peeling can be suppressed, and it can be applied as a role of a DC-DC converter or the like that converts a direct current voltage in a circuit. .

また、セラミックス１に所望の抵抗値になるように抵抗体を形成し、該抵抗体と電極６を導通させることで本発明の電子部品をチップ抵抗器として利用できる。これにより、前記チップ抵抗器は電極剥れを抑制できるとともに、携帯電話等に用いれば、電流逆流防止用や大電流を減衰させる抵抗器として好適に利用可能である。   In addition, the electronic component of the present invention can be used as a chip resistor by forming a resistor so as to have a desired resistance value in the ceramic 1 and conducting the resistor and the electrode 6. As a result, the chip resistor can suppress electrode peeling and can be suitably used as a resistor for preventing current backflow or attenuating a large current when used in a mobile phone or the like.

このようなインダクタやチップ抵抗器として用いることにより、電子部品実装後に金属膜２から半田層３へのＡｇ拡散（Ａｇ喰われ）が生じることなく、長期間にわたり良好な特性を維持できる。   By using such an inductor or chip resistor, good characteristics can be maintained over a long period of time without Ag diffusion (Ag erosion) from the metal film 2 to the solder layer 3 after electronic component mounting.

なお、本発明の電子部品の用途としては、上述したインダクタやチップ抵抗器に限られることはなく、セラミックス１に誘電体を用い、該誘電体を対向する電極６にて挟持するとコンデンサとなり、一方で、セラミックス１に圧電体を用い、該圧電体に電極６を設けると圧電素子としても利用できる。さらには、インダクタ、チップ抵抗器、およびコンデンサを組み合わせることにより構成される複合素子のような電子部品として用いても構わない。   The use of the electronic component of the present invention is not limited to the above-described inductor or chip resistor. When a dielectric is used for the ceramic 1 and the dielectric is sandwiched between the opposing electrodes 6, a capacitor is obtained. Therefore, when a piezoelectric body is used for the ceramic 1 and the electrode 6 is provided on the piezoelectric body, it can be used as a piezoelectric element. Furthermore, you may use as electronic components like a composite element comprised by combining an inductor, a chip resistor, and a capacitor | condenser.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の範囲を逸脱しない範囲であれば、種々の改良や変更したものにも適用することができることは言うまでもない。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that it can apply also to what was variously improved and changed if it is a range which does not deviate from the scope of the present invention.

以下本発明の実施例を説明する。   Examples of the present invention will be described below.

まず、平均粒子径２μｍのＡｇ粉末を１００質量％、添加材（ガラス成分）としてＳｉＯ２を２．０質量％、Ｂｉ２Ｏ３を５．０質量％添加し、バインダーとしてセルロースを２．０質量％、分散剤としてノニオン系分散剤２．０質量％、溶媒としてアルコール系溶媒を用い、これらを攪拌混合した後、３本ロールにて混練し、粘度１０〜２５０Ｐａ・ｓに調整して本発明の金属膜形成用の金属ペーストを作成した。 First, 100% by mass of Ag powder having an average particle diameter of 2 μm, 2.0% by mass of SiO 2 and 5.0% by mass of Bi 2 O 3 as additives (glass components), and 2.0% of cellulose as a binder are added. Using a nonionic dispersant as a dispersant, 2.0% by mass as a dispersant, and an alcohol solvent as a solvent, these are stirred and mixed, then kneaded with three rolls and adjusted to a viscosity of 10 to 250 Pa · s. A metal paste for forming a metal film of the invention was prepared.

なお、前記粘度についてはアルコール系溶媒の添加量をふって調整しており、９Ｐａ・ｓでは粘度が低すぎるために、セラミックス１表面に厚さをもった金属膜２を形成できず、２６０Ｐａ・ｓでは粘度が高すぎ、セラミックス１表面に形成した金属膜２が厚くなりすぎ不具合が生じる。事前にこのような検討を重ねた結果、１０〜２５０Ｐａ・ｓであれば本発明の金属膜２とできることを確認済みである。   The viscosity is adjusted based on the addition amount of the alcohol solvent. Since the viscosity is too low at 9 Pa · s, the thick metal film 2 cannot be formed on the surface of the ceramic 1, and 260 Pa · In s, the viscosity is too high, and the metal film 2 formed on the surface of the ceramic 1 becomes too thick, causing a problem. As a result of repeated examinations in advance, it has been confirmed that the metal film 2 of the present invention can be formed at 10 to 250 Pa · s.

上記で得られた金属ペーストを１０ｍｍ角×１ｍｍのＴｉ、Ｂａを主成分とした誘電体セラミックス１表面にスクリーン印刷法により、厚さ８０μｍで２ｍｍ×２ｍｍの形状に塗布させた。そして乾燥機に投入して２分後に７０〜２５０℃まで温度上昇させ、計１５分の乾燥条件でペーストの溶媒を蒸発させて金属膜前駆体を形成した。   The metal paste obtained above was applied to the surface of dielectric ceramics 1 mainly composed of 10 mm square × 1 mm Ti and Ba by a screen printing method in a shape of 2 mm × 2 mm with a thickness of 80 μm. Then, the temperature was raised to 70 to 250 ° C. after 2 minutes from feeding into the dryer, and the solvent of the paste was evaporated under the drying conditions of 15 minutes in total to form a metal film precursor.

その後、前記金属膜前駆体表面に更に重ねて前記金属ペーストを塗布する工程を２回以上繰り返した。   Thereafter, the process of applying the metal paste on the surface of the metal film precursor was repeated twice or more.

そして、前記工程にて得た金属膜前駆体が表面に形成されたセラミックス１を脱脂炉内で大気雰囲気下、１００℃／時間の昇温速度で２５０℃まで昇温して２時間保持し、脱脂した後、金属膜脱脂体が形成されたセラミックスを、今度は焼成炉にて、８５０℃まで６時間で昇温し、１時間保持して焼結させ、金属膜２からなる電極６を有する電子部品を得た。   Then, the ceramic 1 having the metal film precursor obtained in the above process formed on the surface thereof is heated in a degreasing furnace to 250 ° C. at a temperature rising rate of 100 ° C./hour in an air atmosphere and held for 2 hours, After degreasing, the ceramic on which the metal film degreased body is formed is heated in a firing furnace to 850 ° C. in 6 hours, held for 1 hour, and sintered to have the electrode 6 made of the metal film 2. I got an electronic component.

ここで、電極６の厚みを、繰り返し塗布回数にて種々の厚さに調整し、気孔率、最大気孔径は、乾燥、焼成工程条件を種々の条件に変更することで表１に示す誘電体セラミックス表面に電極６を形成した試料Ｎｏ．１〜１２を得た。   Here, the thickness of the electrode 6 is adjusted to various thicknesses by the number of repeated coatings, and the porosity and the maximum pore diameter are shown in Table 1 by changing the drying and firing process conditions to various conditions. Sample No. with electrode 6 formed on the ceramic surface. 1-12 were obtained.

一方で、上述した試料とは別に、試料Ｎｏ．１〜１２と同様のペーストを用い、セラミックス１としてＦｅ２Ｏ３が４９モル％、ＮｉＯが２０モル％、ＺｎＯが２５モル％、ＣｕＯが５モル％のＮｉ−Ｚｎフェライトを用いた試料Ｎｏ．１３〜２１を上記した誘電体セラミックスを用いた電子部品と同じ製造条件にて作製した。なお、各試料でｎ＝１０個を用意している。 On the other hand, apart from the above-described sample, the sample No. Sample No. 1 using the same paste as in Nos. 1 to 12 and using Ni—Zn ferrite with 49 mol% Fe 2 O 3 , 20 mol% NiO, 25 mol% ZnO, and 5 mol% CuO as ceramics 1. 13 to 21 were manufactured under the same manufacturing conditions as those of the electronic component using the dielectric ceramic described above. In addition, n = 10 pieces are prepared for each sample.

そして、得られた試料の半田耐熱性をＪＩＳＣ００５５Ｂに準拠し試験を行い測定した。前記試験は、各試料毎に２８０℃の共晶半田（Ｓｎ成分６３質量％、Ｐｂ成分３７質量％）に１０秒間浸漬し、その後目視又は金属顕微鏡で電子部品の表面を観察し、電極６がｎ＝１０個全て９５％以上残存した場合を○とし、１個でも９５％未満のサンプルが存在した場合を×として評価した。   Then, the solder heat resistance of the obtained sample was tested and measured according to JISC0055B. In the test, each sample was immersed in eutectic solder at 280 ° C. (Sn component 63 mass%, Pb component 37 mass%) for 10 seconds, and then the surface of the electronic component was observed visually or with a metal microscope. The case where all of n = 10 pieces remained 95% or more was evaluated as ○, and the case where even one sample was less than 95% was evaluated as ×.

一方、上記と同じ試料を半田層３表面から２つに割断後、断面を鏡面加工した試料を用いて、電極６中のＡｇ成分の半田層３への拡散度合いについてＡｇ拡散性として評価を実施した。方法としては、電子部品断面にカーボンを蒸着させ、波長分散型Ｘ線マイクロアナリシス（ＥＰＭＡ）分析装置で加速電圧１５ｋＶ、プローブ電流２．０×１０−７Ａ、分析視野２４００μｍ×２４００μｍとして、ＡｇとＳｎ元素の分布状態を観察し、半田層形成前のＡｇ、Ｓｎ元素の分散状態を１００として、ｎ＝１０平均の金属膜中の元素カウント低下率を測定した。そして低下率が２０％以下の試料を○とし、２０％を越える試料を×として評価した。 On the other hand, after the same sample as above was cut into two from the surface of the solder layer 3, the diffusion degree of the Ag component in the electrode 6 into the solder layer 3 was evaluated as Ag diffusivity using a sample whose surface was mirror-finished. did. As a method, carbon is vapor-deposited on a cross section of an electronic component, an acceleration voltage of 15 kV, a probe current of 2.0 × 10 −7 A, an analysis field of view of 2400 μm × 2400 μm using a wavelength dispersive X-ray microanalysis (EPMA) analyzer, Ag and The Sn element distribution state was observed, and the element count reduction rate in the metal film with an average of n = 10 was measured with Ag and Sn element dispersion state before solder layer formation being 100. A sample having a decrease rate of 20% or less was evaluated as ◯, and a sample exceeding 20% was evaluated as ×.

また、電極６中の気孔率と気孔径は、電極６の断面を走査型電子顕微鏡ＳＥＭにて３０００倍の倍率で観察し、任意の点の面積における気孔面積を画像処理することで算出し、測定箇所５点の平均値とした。また、最大気孔径も同様の方法で測定した。   Further, the porosity and the pore diameter in the electrode 6 are calculated by observing the cross section of the electrode 6 with a scanning electron microscope SEM at a magnification of 3000 times, and performing image processing on the pore area at an arbitrary point area, An average value of five measurement points was used. Further, the maximum pore diameter was measured by the same method.

また、セラミックス１にＮｉ−Ｚｎフェライトを用いた電極６の損失は、ＢＨアナライザーで周波数５０ｋＨｚ、磁束密度１５０ｍＴの条件で測定した。結果を表１に示す。

Figure 2006128608
The loss of the electrode 6 using Ni—Zn ferrite as the ceramic 1 was measured with a BH analyzer under the conditions of a frequency of 50 kHz and a magnetic flux density of 150 mT. The results are shown in Table 1.
Figure 2006128608

表１に示すように、比較例である試料Ｎｏ．１は電極厚みが１０μｍ未満であったため、半田層３へＡｇが拡散しやすくなり、電極６の強度が劣化して剥れが生じた。また、試料Ｎｏ．６は電極厚みが２００μｍを超えたため、電極を緻密化することができず、半田が電極６の気孔に拡散することにより、電極６とセラミックス２の密着強度が劣化して剥れが生じた。   As shown in Table 1, sample No. 1 had an electrode thickness of less than 10 μm, Ag easily diffused into the solder layer 3, and the strength of the electrode 6 deteriorated and peeling occurred. Sample No. Since the electrode thickness of No. 6 exceeded 200 μm, the electrode could not be densified, and the solder diffused into the pores of the electrode 6, resulting in deterioration of the adhesion strength between the electrode 6 and the ceramic 2 and peeling.

さらに、試料Ｎｏ．７〜９は、気孔率が５％を越えるか、もしくは気孔径５μｍを超えていたため、金属膜中のＡｇ成分が半田層へ拡散してしまい半田耐熱性が著しく低下した。   Furthermore, sample no. In Nos. 7 to 9, since the porosity exceeded 5% or the pore diameter exceeded 5 μm, the Ag component in the metal film diffused into the solder layer, and the solder heat resistance was remarkably reduced.

一方で、セラミックスをＮｉ−Ｚｎフェライトとした試料Ｎｏ．１４〜１６は、気孔率が５％を越えるか、もしくは気孔径５μｍを超えていたため、電極６と半田層３を含む電極の導通が阻害されコア損失が大きくなった。   On the other hand, Sample No. 2 with ceramics made of Ni-Zn ferrite. In Nos. 14 to 16, since the porosity exceeded 5% or the pore diameter exceeded 5 μm, conduction between the electrode 6 and the electrode including the solder layer 3 was hindered, and the core loss increased.

これらに対して、本発明の実施例である試料Ｎｏ．２〜５、１０〜１２は、電極厚みが１０〜２００μｍ、気孔率が５％以下で、且つ気孔径が５μｍ以下であったため、半田耐熱性が良好であるとともに、Ａｇの拡散も低減できたので、剥れが生じることのない電極６とすることができた。   In contrast, sample No. which is an example of the present invention. 2 to 5 and 10 to 12 had an electrode thickness of 10 to 200 μm, a porosity of 5% or less, and a pore diameter of 5 μm or less, so that solder heat resistance was good and Ag diffusion could be reduced. Therefore, it was possible to obtain an electrode 6 in which peeling did not occur.

また、セラミックスをＮｉ−Ｚｎフェライトとした試料Ｎｏ．１７〜２１は、気孔率が５％以下且つ気孔径が５μｍ以下の試料Ｎｏ．１７〜２１は、電極６と半田層３を含む電極の導通が良好であったため、コア損失が２００ｋｗ／ｍ３以下と小さかった。 Sample No. 2 with ceramics made of Ni-Zn ferrite was used. Samples Nos. 17 to 21 have a porosity of 5% or less and a pore size of 5 μm or less. In Nos. 17 to 21, since the conduction between the electrode 6 and the electrode including the solder layer 3 was good, the core loss was as small as 200 kW / m 3 or less.

次に、本発明の電子部品の金属膜２として用いるＡｇを主成分とする金属ペーストについて検討を行った。   Next, the metal paste which has Ag as a main component used as the metal film 2 of the electronic component of this invention was examined.

試験は、Ａｇを主成分としＰｔ（白金）の添加量をふったもの、Ａｇを主成分としＰｄ（パラジウム）の添加量をふったもの２種類の金属ペーストを用い、前記実施例１と同様の製造工程を経て電子部品を製造した後、その半田耐熱性、半田濡れ性について評価している。なお、半田耐熱性についてはＪＩＳＣ００５５Ｂ、半田濡れ性についてはＪＩＳＣ００５４に準拠して評価実施している。   The test was performed in the same manner as in Example 1 using two types of metal pastes containing Ag as the main component and adding Pt (platinum) and using Ag as the main component and adding Pd (palladium). After manufacturing the electronic component through the manufacturing process, the solder heat resistance and solder wettability are evaluated. The solder heat resistance is evaluated according to JISC0055B, and the solder wettability is evaluated according to JISC0054.

また、試験はｎ＝１０個で実施しており、半田耐熱性については、実施例１と同様に、各試料毎に２８０℃の共晶半田（Ｓｎ成分６３質量％、Ｐｂ成分３７質量％）に１０秒間浸漬し、その後目視又は金属顕微鏡で電子部品の表面を観察し、電極６がｎ＝１０個全て９５％以上残存した場合を○とし、１個でも９５％未満のサンプルが存在した場合を×として評価した。また半田濡れ性については、２３０℃の共晶半田に２秒間浸漬した後、目視または金属顕微鏡で観察、１０個全てが電極の９５％以上に半田がついていた場合○とし、１個以上９５％未満のサンプルが存在した場合を×とした。   In addition, the test was carried out with n = 10 pieces, and the solder heat resistance was 280 ° C. eutectic solder (Sn component 63 mass%, Pb component 37 mass%) for each sample as in Example 1. When the surface of the electronic component is observed visually or with a metal microscope, the case where all of n = 10 electrodes remain at 95% or more is marked as ◯, and there is even one sample of less than 95% Was evaluated as x. Regarding solder wettability, after immersion for 2 seconds in eutectic solder at 230 ° C., observed visually or with a metal microscope, if all 10 pieces have solder on 95% or more of the electrodes, ○ indicates 1 to 95% The case where less than a sample existed was set as x.

結果を表２に示す。

Figure 2006128608
The results are shown in Table 2.
Figure 2006128608

試料Ｎｏ．２２、２９については、それぞれＰｔ、Ｐｄの添加量が少なすぎるために、金属膜２がより緻密化しないために半田耐熱性に劣っている。また、試料Ｎｏ．２８、３５については、Ｐｔ、Ｐｄの添加量が多すぎ、金属膜２表面があまりに平滑となったために半田濡れ性に劣ることが確認された。その他の試料については、半田耐熱性、半田濡れ性ともに良好であった。   Sample No. Nos. 22 and 29 are inferior in solder heat resistance because the metal film 2 is not densified because the amounts of Pt and Pd added are too small. Sample No. For 28 and 35, it was confirmed that the amount of Pt and Pd added was too large and the surface of the metal film 2 was so smooth that the solder wettability was poor. The other samples had good solder heat resistance and solder wettability.

次に、本発明の電子部品の半田との濡れ性について評価を実施した。   Next, evaluation was performed about the wettability with the solder of the electronic component of this invention.

評価試料は、セラミックス１に、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用い、金属粉末（Ａｇ）の平均粒子径を変えて、実施例１と同様の製造条件にて試料Ｎｏ．３６〜４１を作製した。なお、電極６の厚みは全試料５０μｍとしている。   As the evaluation sample, Ni-Zn ferrite was used for the ceramic 1, and the average particle diameter of the metal powder (Ag) was changed, and the sample No. 36-41 were produced. The thickness of the electrode 6 is set to 50 μm for all samples.

ここで、前記金属粉末の平均粒子径はレーザー回折散乱法にて測定した。分散媒としては、イソプロピルアルコールを使用し、分散装置には超音波ホモジナイザーを用い超音波出力３００〜４００μＡ、照射時間６分で溶媒中に分散させ測定した。そして得られた結果を０．１２〜７００μｍ間で１００通りに区分し、累積グラフで５０累積％の値を平均粒子径とした。   Here, the average particle diameter of the metal powder was measured by a laser diffraction scattering method. As a dispersion medium, isopropyl alcohol was used, and an ultrasonic homogenizer was used as a dispersion apparatus, and the dispersion was measured by dispersing it in a solvent with an ultrasonic output of 300 to 400 μA and an irradiation time of 6 minutes. And the obtained result was divided into 100 kinds between 0.12-700 micrometers, and the value of 50 accumulation% was made into the average particle diameter by the accumulation graph.

また、得られた試料の半田との濡れ性については、ＪＩＳＣ００５４に準拠し評価した。１試料あたりｎ＝１０個用意し、２３０℃の共晶半田に２秒間浸漬した後、目視または金属顕微鏡で観察、１０個全てが電極の９５％以上に半田がついていた場合○とし、１個以上９５％未満のサンプルが存在した場合を×とした。試料Ｎｏ．３６〜４１の評価結果を表３に示す。

Figure 2006128608
Further, the wettability of the obtained sample with the solder was evaluated in accordance with JISC0054. Prepare n = 10 per sample and immerse in eutectic solder at 230 ° C for 2 seconds, then observe visually or with a metal microscope. If all 10 have solder on 95% or more of the electrodes, ○ The case where more than 95% of the samples existed was evaluated as x. Sample No. The evaluation results of 36 to 41 are shown in Table 3.
Figure 2006128608

表３に示すように、試料Ｎｏ．３６、４１は金属粉末の平均粒子径が０．７未満又は、３μｍを超えていたため、電極６表面の界面張力が大きくなり、半田との濡れ性が低下した。   As shown in Table 3, Sample No. In 36 and 41, since the average particle diameter of the metal powder was less than 0.7 or more than 3 μm, the interfacial tension on the surface of the electrode 6 increased, and the wettability with the solder decreased.

これに対して、試料Ｎｏ．３７〜４０は金属粉末の平均粒子径が０．７〜３μｍであったため、電極６と半田との界面張力を低減することができたので、半田との濡れ性が良好であった。   In contrast, sample no. In Nos. 37 to 40, since the average particle diameter of the metal powder was 0.7 to 3 μm, the interfacial tension between the electrode 6 and the solder could be reduced, so that the wettability with the solder was good.

次に、金属粉末（Ａｇ）の平均粒子径を２種類準備し、これを混合することにより２山の粒度分布を示す金属粉末とし、この金属粉末を用いて金属膜形成用の金属ペーストを作製して、実施例１と同条件にて作製した試料Ｎｏ．４２〜５３を用いてその半田耐熱性、Ａｇ拡散性、半田濡れ性を評価した。なお、セラミック焼結体１としてはＮｉ−Ｚｎフェライトを用い、電極６の厚みは５０μｍとした。   Next, two types of average particle diameters of metal powder (Ag) are prepared and mixed to form a metal powder having a particle size distribution of two peaks, and a metal paste for forming a metal film is produced using this metal powder. Sample No. 2 produced under the same conditions as in Example 1. The solder heat resistance, Ag diffusibility, and solder wettability were evaluated using 42-53. As the ceramic sintered body 1, Ni—Zn ferrite was used, and the thickness of the electrode 6 was 50 μm.

また、半田耐熱性は、各試料ｎ＝１０全てが電極の９８％以上存在した場合を◎とし、１個以上の試料が９５％以上から９８％未満残存した場合○とし、１個以上の試料が９５％未満である場合を×として評価した。   The solder heat resistance is ◎ when all samples n = 10 are present in 98% or more of the electrode, and ◯ when one or more samples remain from 95% to less than 98%, and one or more samples. Was evaluated as x.

さらに、Ａｇ拡散性については、実施例１と同様に、半田層形成前のＡｇ、Ｓｎ元素の分散状態を１００として、ｎ＝１０で平均の金属膜中の元素カウント低下率を測定した。５％以下のものを◎とし、５％を越え２０％以下の物を○とし、２０％を越えたサンプルを×とした。   Further, for Ag diffusivity, the element count reduction rate in the average metal film was measured at n = 10, assuming that the dispersion state of Ag and Sn elements before forming the solder layer was 100, as in Example 1. Samples exceeding 5% were marked as ◎, those exceeding 5% and 20% or less were marked as ◯, and samples exceeding 20% were marked as ×.

また、半田濡れ性については、実施例２と同様に、各試料ｎ＝１０の全ての電極において９８％以上半田がついた場合を◎とし、１個以上の試料が９５％以上から９８％未満半田がついた場合○とし、１個以上の試料で９５％未満半田がついた場合を×とした。結果を表４に示す。

Figure 2006128608
As for the solder wettability, as in Example 2, the case where 98% or more of solder is attached to all the electrodes of each sample n = 10 is marked as ◎, and one or more samples are 95% or more to less than 98%. The case where solder was attached was evaluated as “◯”, and the case where less than 95% solder was attached in one or more samples was evaluated as “X”. The results are shown in Table 4.
Figure 2006128608

表４に示すように、Ａｇ粉末の粒度分布を０．５〜１μｍと１．５〜３μｍにピークを示す２山分布とした試料Ｎｏ．４２〜４５、４８〜５０、５２、５３は、電極６の密度を高めることができたため、電極内の気孔への半田の侵入を防ぐことで半田耐熱性およびＡｇ拡散防止の特性を向上させるとともに、より優れた半田濡れ性を示すことが確認された。   As shown in Table 4, the particle size distribution of the Ag powder was sample No. 1 having a two-peak distribution with peaks at 0.5 to 1 μm and 1.5 to 3 μm. Since 42 to 45, 48 to 50, 52, and 53 were able to increase the density of the electrode 6, the solder heat resistance and Ag diffusion prevention characteristics were improved by preventing the solder from entering the pores in the electrode. It was confirmed that it showed better solder wettability.

次に、電極６のセラミックス１への被着強度について評価を実施した。なお、被着強度はピール強度により測定する。   Next, evaluation was performed on the adhesion strength of the electrode 6 to the ceramic 1. The adhesion strength is measured by peel strength.

ピール強度測定の詳細としては、電極６へＣｕ−Ｓｎメッキを施し、この表面にφ０．６ｍｍリード線を共晶半田で半田付けし、リード線つかみ角度９０℃を目安にして、引っ張り速度２０ｍｍ／ｍｉｎで引っ張り、その最大負荷力を測定するものである。なお、試験結果は各試料ｎ＝１０の平均値を用いている。   As for the details of the peel strength measurement, Cu-Sn plating is applied to the electrode 6, and a lead wire of φ0.6 mm is soldered to the surface with eutectic solder, and a pulling speed of 20 mm / Pulling at min and measuring the maximum load force. The test result uses the average value of each sample n = 10.

なお、試料の電極６の製造条件については、実施例１と同様とし、セラミックス１としては、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用い、ペーストに用いる金属粉末（Ａｇ）１００質量％に対し、添加剤としてＳｉＯ２とＢｉ２Ｏ３の添加量を調整し電極６の厚みは５０μｍとし、試料Ｎｏ．５４〜６７を作製した。また、金属ペーストにＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉ酸化物を添加し、その添加量を調整した試料Ｎｏ．６８〜７５、７７〜８１、８３を作製した。さらに、セラミックス１成分を添加剤とした試料Ｎｏ．７６、８２、８４も作製した。 The production conditions of the sample electrode 6 were the same as in Example 1. As the ceramic 1, Ni—Zn ferrite was used, and the additive was SiO 2 as an additive with respect to 100% by mass of the metal powder (Ag) used in the paste. And Bi 2 O 3 were added to adjust the thickness of the electrode 6 to 50 μm. 54-67 were produced. Sample No. 5 was prepared by adding Fe, Ni, Zn, Cu, Mn, and Ti oxide to the metal paste and adjusting the addition amount. 68-75, 77-81, 83 were produced. Furthermore, sample No. 1 with one ceramic component as an additive was used. 76, 82 and 84 were also produced.

結果を表５に示す。

Figure 2006128608
The results are shown in Table 5.
Figure 2006128608

表５に示すように、試料Ｎｏ．５４はガラス成分の添加量が１．５質量％未満であったため、セラミックス１と電極６との間にガラス層４を形成するのが困難になり、電極６の被着強度が劣化したのでピール強度が低くなった。一方、試料Ｎｏ．５８、６３は、ガラス成分の添加量が１０質量％を超えたため、ガラス成分が電極６の表面に析出し、半田濡れ性が若干低下する結果となった。   As shown in Table 5, sample no. No. 54 had a glass component addition amount of less than 1.5% by mass, so that it was difficult to form the glass layer 4 between the ceramic 1 and the electrode 6 and the adhesion strength of the electrode 6 was deteriorated. The strength was lowered. On the other hand, Sample No. In Nos. 58 and 63, since the addition amount of the glass component exceeded 10% by mass, the glass component was deposited on the surface of the electrode 6 and the solder wettability slightly decreased.

これらに対して、試料Ｎｏ．５５〜５７、６０〜６２は、ガラス成分の添加量が１．５〜１０質量％であったため、電極６の被着強度が高くなることで２ｋｇ以上と高いピール強度を示した。   In contrast, sample no. In 55-57 and 60-62, since the addition amount of the glass component was 1.5 to 10% by mass, the peel strength as high as 2 kg or more was exhibited by the increase in the deposition strength of the electrode 6.

さらに、添加材としてＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉ等の酸化物を０．１〜１０質量％添加した試料Ｎｏ．６８〜７５、７７〜８１、８３、ならびにセラミックス１成分を添加剤とした試料Ｎｏ．７６、８２、８４については５ｋｇ以上と高いピール強度を示すことが確認された。   Furthermore, sample No. 1 to which 0.1 to 10% by mass of an oxide such as Fe, Ni, Zn, Cu, Mn, and Ti was added as an additive was added. 68 to 75, 77 to 81, 83, and sample Nos. 1 containing ceramics as one component. For 76, 82 and 84, it was confirmed that the peel strength was as high as 5 kg or more.

次に、セラミックス１と電極６中のガラス成分の接触面積による電極６のセラミックス１への被着強度を確認する試験を実施した。なお、前記試験は、実施例４と同様にピール強度で評価している。   Next, the test which confirms the adhesion strength to the ceramic 1 of the electrode 6 by the contact area of the glass component in the ceramic 1 and the electrode 6 was implemented. In addition, the said test evaluated by peel strength similarly to Example 4. FIG.

また、試料は、セラミックス１としてＮｉ−Ｚｎフェライトを用い、これに、実施例１と同様の金属ペーストを５０μｍの厚さで塗布した後、実施例１と同様の製造方法を用いて電極６を形成したものを試料Ｎｏ．８５〜８９まで準備しこれを用いて評価した。   Further, the sample uses Ni—Zn ferrite as the ceramic 1, and after applying a metal paste similar to that in Example 1 to a thickness of 50 μm, the electrode 6 is formed using the same manufacturing method as in Example 1. The formed sample was designated as Sample No. It prepared from 85 to 89 and evaluated using this.

そして、セラミックス１とガラス層４との接触面積の算出方法としては、余分に準備しておいた試料の電極６を２μｍ以下の厚さまで削り、この表面を波長分散型Ｘ線マイクロアナリシス分析装置にてＳｉ、Ｂｉ元素の面積を確認し、電極６表面全体に対するＳｉ、Ｂｉ元素の比率を算出した。なお、セラミックス１と電極６中のガラス成分の接触面積については、今回は、ガラス成分の添加量により調整している。結果を表６に示す。

Figure 2006128608
Then, as a method of calculating the contact area between the ceramic 1 and the glass layer 4, the electrode 6 of an extra sample prepared is shaved to a thickness of 2 μm or less, and this surface is used as a wavelength dispersive X-ray microanalysis analyzer. Then, the area of the Si and Bi elements was confirmed, and the ratio of the Si and Bi elements to the entire surface of the electrode 6 was calculated. In addition, about the contact area of the glass component in the ceramics 1 and the electrode 6, this time is adjusted with the addition amount of a glass component. The results are shown in Table 6.
Figure 2006128608

表６に示すように、試料Ｎｏ．８５、８６は、セラミックス１とガラス層４の接触面積比が０．５未満であったため、電極６の被着強度が低下したことによりピール強度が低下した。   As shown in Table 6, Sample No. In Nos. 85 and 86, since the contact area ratio between the ceramic 1 and the glass layer 4 was less than 0.5, the peel strength decreased due to the decrease in the adhesion strength of the electrode 6.

これに対して、試料Ｎｏ．８７〜８９は、セラミックス１とガラス層４の接触面積が０．５以上であったため、５ｋｇ以上と高いピール強度を示すことが確認された。   In contrast, sample no. 87 to 89 were confirmed to exhibit a high peel strength of 5 kg or more because the contact area between the ceramic 1 and the glass layer 4 was 0.5 or more.

次に、電極６の表面粗さによる半田濡れ性を評価する試験を実施した。   Next, the test which evaluates the solder wettability by the surface roughness of the electrode 6 was implemented.

前記試験は、まず、セラミックス１にＮｉ−Ｚｎフェライトを用い、これに、実施例１と同様の金属ペーストを５０μｍの厚さで塗布した後、実施例１と同様の製造方法を用いて電極６を形成し、試料Ｎｏ．９０〜９４を作成した。   In the test, first, Ni—Zn ferrite was used for the ceramic 1, and a metal paste similar to that in Example 1 was applied to a thickness of 50 μm, and then the electrode 6 was manufactured using the same manufacturing method as in Example 1. And sample no. 90-94 were created.

しかる後、前記試料の電極６表面の粗さ（Ｒａ）を、表面形状測定器にて縦倍率５０００倍、横倍率１００倍、触針先端５μｍ、カットオフ値０．８ｍｍ、測定距離０．１ｍｍ、測定速度０．１ｍｍ／ｓの条件下で測定した。   Thereafter, the roughness (Ra) of the surface of the electrode 6 of the sample was measured with a surface shape measuring instrument at a longitudinal magnification of 5000 times, a lateral magnification of 100 times, a stylus tip of 5 μm, a cutoff value of 0.8 mm, and a measurement distance of 0.1 mm. The measurement was performed under the condition of a measurement speed of 0.1 mm / s.

そして表面粗さ測定後、電極６の表面に半田層３を形成し、その濡れ性を評価した。半田濡れ性評価については、実施例２と同様にＪＩＳＣ００５４に準拠するものとし、金属顕微鏡による目視確認により、ｎ＝１０個全てが金属膜表面全体に１００％の半田がついていた場合を◎とし、それ以外を○にて評価した。結果を表７に示す。

Figure 2006128608
Then, after measuring the surface roughness, the solder layer 3 was formed on the surface of the electrode 6 and its wettability was evaluated. As for the solder wettability evaluation, it is assumed that it conforms to JISC0054 as in Example 2, and by visual confirmation with a metal microscope, all n = 10 pieces have 100% solder on the entire surface of the metal film. The others were evaluated with ○. The results are shown in Table 7.
Figure 2006128608

表７に示すように、試料Ｎｏ．９３、９４は、電極６の表面粗さＲａが１．５μｍを超えていたため、半田との接触面積が増加したので電極６表面全体として界面張力が増加し、半田濡れ性が若干低下した。   As shown in Table 7, sample no. In Nos. 93 and 94, since the surface roughness Ra of the electrode 6 exceeded 1.5 μm, the contact area with the solder increased, so the interfacial tension increased as a whole on the surface of the electrode 6 and the solder wettability slightly decreased.

これに対して、試料Ｎｏ．９０〜９２は、電極６の表面粗さＲａが１．５μｍ以下であったため、電極６の界面張力を低下させることができ、更に半田濡れ性に優れることが確認された。   In contrast, sample no. In Nos. 90 to 92, since the surface roughness Ra of the electrode 6 was 1.5 μm or less, it was confirmed that the interfacial tension of the electrode 6 can be lowered and the solder wettability is further excellent.

本発明の電子部品の電極断面の概略図であり、（ａ）がセラミックス−金属膜−半田層の構成、（ｂ）がセラミックス−ガラス層−金属膜−半田層の構成、（ｃ）セラミックス−ガラス層−金属膜−半田飽和層−半田層の構成を示す。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is the schematic of the electrode cross section of the electronic component of this invention, (a) is the structure of ceramics-metal film-solder layer, (b) is the structure of ceramics-glass layer-metal film-solder layer, (c) Ceramics- The structure of glass layer-metal film-solder saturation layer-solder layer is shown. 従来の電子部品の電極断面を示す概略図である。It is the schematic which shows the electrode cross section of the conventional electronic component.

符号の説明Explanation of symbols

１：セラミックス
２：金属膜
３：半田層
４：ガラス層
５：半田飽和層
６：電極
７：ニッケルメッキ層
８：スズメッキ層 1: Ceramics 2: Metal film 3: Solder layer 4: Glass layer 5: Solder saturation layer 6: Electrode 7: Nickel plating layer 8: Tin plating layer

Claims (13)

セラミックスの表面に、厚み１０〜２００μｍのＡｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのいずれかを主成分とし、表面の気孔率が５％以下、最大気孔径が５μｍ以下である金属膜から成る電極を形成したことを特徴とする電子部品。 An electrode made of a metal film having a surface with a porosity of 5% or less and a maximum pore diameter of 5 μm or less is mainly composed of 10 to 200 μm thick Ag, Ag—Pt, or Ag—Pd. An electronic component characterized by being formed. 前記電極を成す金属膜が、Ｐｔ含有量を０．１〜１０質量％のＡｇ−Ｐｔを主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。 2. The electronic component according to claim 1, wherein the metal film constituting the electrode is mainly composed of Ag—Pt having a Pt content of 0.1 to 10% by mass. 前記電極を成す金属膜が、Ｐｄ含有量を１〜２０質量％のＡｇ−Ｐｄを主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。 2. The electronic component according to claim 1, wherein the metal film constituting the electrode is mainly composed of Ag—Pd having a Pd content of 1 to 20 mass%. 前記セラミックスが、フェライトであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品。 The electronic component according to claim 1, wherein the ceramic is ferrite. 前記電極を成す金属膜が、１．５〜１０質量％のガラス成分を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品。 The electronic component according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal film constituting the electrode contains 1.5 to 10% by mass of a glass component. 前記電極を成す金属膜の表面粗さＲａが１．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電子部品。 The electronic component according to claim 1, wherein the metal film constituting the electrode has a surface roughness Ra of 1.5 μm or less. Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのいずれかの金属粉末と、バインダーと、溶媒とを含む金属ペーストをセラミックスの表面に塗布する第１工程と、前記金属ペースト中の溶媒を乾燥させて金属膜前駆体を形成する第２工程と、前記第１、第２工程を繰り返し実施することにより、該セラミックス表面に２層以上の金属膜前駆体層を形成する第３工程と、前記金属膜前駆体層を前記第２工程以上の温度で加熱、脱脂して金属膜脱脂体を得る第４工程と、該第４工程で得られた金属膜脱脂体を前記第４工程以上の温度で加熱して焼結させる第５工程とからなることを特徴とする電子部品の製造方法。 A first step of applying a metal paste containing any one of Ag, Ag-Pt, and Ag-Pd, a binder, and a solvent to the surface of the ceramic, and drying the solvent in the metal paste to form a metal film A second step of forming a precursor, a third step of forming two or more metal film precursor layers on the ceramic surface by repeatedly performing the first and second steps, and the metal film precursor. The layer is heated and degreased at a temperature equal to or higher than the second step to obtain a metal film degreased body, and the metal film degreased body obtained at the fourth step is heated at a temperature equal to or higher than the fourth step. The manufacturing method of the electronic component characterized by including the 5th process made to sinter. 前記金属粉末の平均粒子径が０．７〜３μｍであることを特徴とする請求項７に記載の電子部品の製造方法。 The method for manufacturing an electronic component according to claim 7, wherein an average particle size of the metal powder is 0.7 to 3 μm. 前記金属粉末の粒度分布が、０．５〜１μｍの間と１．５〜３μｍの間に２つのピークを有することを特徴とする請求項７または８に記載の電子部品の製造方法。 9. The method of manufacturing an electronic component according to claim 7, wherein the particle size distribution of the metal powder has two peaks between 0.5 to 1 [mu] m and 1.5 to 3 [mu] m. 前記第１工程に用いる金属ペーストの粘度を１０〜２５０Ｐａ・ｓとしたことを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 The method of manufacturing an electronic component according to claim 7, wherein the metal paste used in the first step has a viscosity of 10 to 250 Pa · s. 請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品に抵抗体を備え、該抵抗体と前記電極を導通したことを特徴とするチップ抵抗器。 A chip resistor comprising a resistor in the electronic component according to claim 1, wherein the resistor is electrically connected to the electrode. 請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品を用いたことを特徴とするフェライトコア。 A ferrite core comprising the electronic component according to claim 1. 請求項１２に記載のフェライトコアを用いたことを特徴とするインダクタ。 An inductor comprising the ferrite core according to claim 12.
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