JP2006126286A - 表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】 画素の開効率を向上させた表示装置を得る。
【解決手段】 絶縁層体の一方の面の画素領域に当該画素を駆動する回路が配置され、他方の面の当該画素領域に一方の電極を介して発光層が配置され、
前記一方の電極は前記絶縁層体に形成された孔を通して前記回路に接続されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 絶縁層体の一方の面の画素領域に当該画素を駆動する回路が配置され、他方の面の当該画素領域に一方の電極を介して発光層が配置され、
前記一方の電極は前記絶縁層体に形成された孔を通して前記回路に接続されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は表示装置に係り、たとえば有機EL表示装置に関する。
たとえば有機EL表示装置は、その各画素において有機EL素子を備え、その下層および上層に設けた各電極を通して流す電流によって該有機EL素子を発光させている。
また、いわゆるアクティブ・マトリックス型と称されるものは、マトリックス状に配置された各画素のうち、行方向に配列される各画素の画素群を順次選択しながら、その選択のタイミングに合わせて、該各画素に映像信号を供給するように構成されている。
そして、このような構成において、一方の基板上に複数の有機EL素子を二次元的に形成し、また、他方の基板上にそれぞれの有機EL素子に対応し薄膜トランジスタを含む回路を形成し、これら2つの基板を、該有機EL素子の一方の電極とこれに対応した前記回路の電極とを接触させて、互いに張り合わせたものが知られている(下記特許文献1参照)。
しかし、上述した技術は、その画素領域に回路の形成される領域と有機EL素子の形成される領域とが平面的に区分けされて形成され、有機EL素子の占める面積が回路によって占める面積によって制限される構成となっているものである。
このため、いわゆる画素の開口率の向上に制限が付され、その対策が望まれていた。
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、画素の開口率の向上を図った表示装置を提供することにある。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
(1)本発明による表示装置は、たとえば、絶縁層体の一方の面の画素領域に当該画素を駆動する回路が配置され、他方の面の当該画素領域に一方の電極を介して発光層が配置され、
前記一方の電極は前記絶縁層体に形成された孔を通して前記回路に接続されていることを特徴とする。
前記一方の電極は前記絶縁層体に形成された孔を通して前記回路に接続されていることを特徴とする。
(2)本発明による表示装置は、たとえば、(1)の構成を前提とし、第1絶縁基板の面上に前記回路、前記絶縁層体、この絶縁層体の孔を通して前記回路に接続された前記一方の電極が形成され、
第2絶縁基板の面上に他方の電極、前記発光層が形成され、
前記第1絶縁基板と第2絶縁基板は、それぞれ前記一方の電極が形成された面と前記発光層が形成された面とが向き合うように、対向配置されていることを特徴とする。
第2絶縁基板の面上に他方の電極、前記発光層が形成され、
前記第1絶縁基板と第2絶縁基板は、それぞれ前記一方の電極が形成された面と前記発光層が形成された面とが向き合うように、対向配置されていることを特徴とする。
(3)本発明による表示装置は、たとえば、(2)の構成を前提とし、前記第2絶縁基板の面上に他方の電極、前記発光層、および前記一方の電極と当接される別個の電極が形成されていることを特徴とする。
(4)本発明による表示装置は、たとえば、(1)、(2)、(3)のいずれかの構成を前提とし、他方の電極は透光性の材料で形成され、第2絶縁基板は透明基板で形成されていることを特徴とする。
(5)本発明による表示装置は、たとえば、(3)の構成を前提とし、前記一方の電極と当接される別個の電極は、その該一方の電極と当接される部分と当接されない部分を有し、該一方の電極と当接されない部分に発光層が形成されているとともに、該一方の電極と当接される部分には該発光層よりも層厚の大きな絶縁突起が形成され、この絶縁層の上面に前記別個の電極が延在されて形成されていることを特徴とする。
(6)本発明による表示装置は、たとえば、(1)ないし(5)のいずれかの構成を前提とし、第1絶縁基板と第2絶縁基板は、第1絶縁基板側の前記一方の電極と第2絶縁基板側の前記発光層あるいは前記別個の電極に当接が図られるとともに、シール材によって一体化されていることを特徴とする。
(7)本発明による表示装置は、たとえば、(4)の構成を前提とし、第1絶縁基板を内包して第2絶縁基板に固着される封止基板を備え、この封止基板の第1絶縁基板と対向する内面に乾燥剤を被着させたことを特徴とする。
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
このように構成した表示装置は、画素の開口率の向上を図ることができるようになる。
以下、図面を用いて本発明による表示装置を有機EL表示装置を例に挙げ説明する。
図1は、本発明による有機EL表示装置の一画素領域PIXにおける構成の一実施例を示した断面図である。
図1に示す有機EL素子は、図中点線A−Aを境にし、その上側の積層体UPと下側の積層体DPを別個に製造し、その後、これら各積層体UP、DPを互いに張り合わせて構成されるものとなっている。
上側の積層体UPはたとえば回路部を構成する積層体であり、下側の積層体DPは発光部を構成する積層体となっている。
まず、上側の積層体UPは、その最下層に電極TM1が形成されている。この電極TM1は絶縁層体ISLに被着されて形成されたものとなっている。
また、絶縁層体ISLの該電極TM1が形成された側と反対側の面には、画素の駆動に必要な回路CCおよびこの回路CCに信号を供給する信号線(図示せず)等が形成されている。この場合、これら回路CCおよび信号線は画素の領域内のいずれの箇所にも形成でき、原則として、その形成に規制される条件は存在しないようになっている。なお、前記信号線は回路CCの一部を構成するものとしても把握できるが、画素内の回路CCに信号を供給する信号線として該回路CCとは別個に示したものとなっている。
該回路CCからは配線層DLが引き出され、この配線層DLの一端は絶縁層体ISLに形成されたスルーホールTHを通して前記電極TM1に接続されている。なお、配線層DLは回路CCの一部を構成するものであるが、該電極TM1に接続されるものとして別個に取り出して示している。
このように絶縁層体ISLの前記回路CC、信号線、配線層DLが形成された面には、これら回路CC、信号線、配線層DL等をも被ってパッシベーション膜PASが形成されている。
下側の積層体DPは、その最下層において絶縁基板SUBを有し、この絶縁基板SUBの上面にはたとえばITO(Indium Tin Oxide)等からなる透光性の導電層DL2が形成されている。この導電層DL2は隣接する他の画素領域にも及んで形成され、各画素において共通の電極TM2として形成されている。
また、この電極TM2の上面の画素領域にはそのほぼ全域にわたって発光層RLが形成されている。この発光層RLは有機EL層で形成され、それのみで構成してもよいが、その有機EL層の一方の面に電荷輸送層、他方の面に電子輸送層を積層させたものであってもよい。本明細書ではこれらの場合においても発光層と称する。
そして、この発光層RLの上面には電極TM3が形成されている。この電極TM3は該発光層RLの上面の全域(発光を希望する全域)にわたって形成され、これにより、該発光層RLの平面的に観た発光領域を充分な大きさの面積とするようになっている。
そして、このように形成された上側の積層体UPと下側の積層体DPは、該上側の積層体UPの電極TM1と下側の積層体DPの電極TM3とが互いに当接するように張り合わされた後に、一体として構成されている。上側の積層体UPと下側の積層体DPの張り合わせはたとえば画素の集合からなる表示部を囲むようにして配置されるシール材SL(図4参照)によって、減圧下でなされるようになっている。
このように構成される表示装置は、発光層RLからの光照射は電極TM2、絶縁基板SUBを介してなされるようになっている。
このように構成された表示装置は、その一画素領域PIXにおいて、絶縁層体ISLの他方の面に形成される発光層RLは、一方の面に形成される回路CCによって規制されることなく形成することができることから、その面積を大きくでき、画素の開口率を向上させることができるようになる。
上述した構成において、上側の積層体UPの電極TM1は、画素領域のほぼ全域にわたって形成したものである。しかし、この電極TM1はその面積を小さくして形成してもよいことはいうまでもない。下側の積層体DPの電極TM3を発光層RLに電流を流し、かつ発光層RLの平面的に観た発光領域を決定させる本来の電極として機能させ、これに対して、上側の積層体UPの前記電極TM1を配線層DLからの電流を前記電極TM3に導くための導電層として機能させることができるからである。
また、上側の積層体UPの電極TM1を画素領域のほぼ全域にわたって形成させた場合、下側の積層体DPの電極TM3を形成しない構成としてもよいことはもちろんである。上側の積層体UPの電極TM1のみによって、発光層RLに電流を流し、かつ発光層RLの平面的に観た発光領域を増大させる機能をもたせることができるからである。
図2(a)ないし(i)は、上述した有機EL表示装置のうち、回路部を構成する積層体UPの製造方法の一実施例を示す工程図である。以下工程順に説明する。
工程1.
図2(a)に示すように、たとえばガラスからなる基板(第1絶縁基板)ISBを用意する。この基板ISBはガラスに限定されず、他にフィルムあるいは光を透過させないシリコンウェハであってもよい。
図2(a)に示すように、たとえばガラスからなる基板(第1絶縁基板)ISBを用意する。この基板ISBはガラスに限定されず、他にフィルムあるいは光を透過させないシリコンウェハであってもよい。
そして、この基板ISBにはその一面の画素領域に相当する部分にたとえば金属からなる導体層DL1が形成されている。これら各導体層DL1は画素領域ごとに形成され、隣接する他の画素領域における導体層DL1とは物理的および電気的に互いに分離されたものとなっている。
これら導体層DL1は、その面積が比較的大きく形成され、たとえば各画素領域の僅かな周辺を除く中央の全域に形成されている。この導体層DL1は電極TM1として機能するとともに、後の工程(工程5)においてエッチングの際のエッチングストッパとしての機能をも有するようになっている。
工程2.
図2(b)に示すように、前記基板ISBに貼り付けて用いる仮基板TPBを用意する。この仮基板TPBは、たとえば散在的に多数の透孔PHが形成されたアルミナをテフロンコートしたもので構成され、外気と接する面には剥離層材STが被着されている。
図2(b)に示すように、前記基板ISBに貼り付けて用いる仮基板TPBを用意する。この仮基板TPBは、たとえば散在的に多数の透孔PHが形成されたアルミナをテフロンコートしたもので構成され、外気と接する面には剥離層材STが被着されている。
そして、この仮基板TPBを、前記基板ISBの電極TM1が形成された面と対向させて押し当て、加熱処理によって該基板ISBに固着する。
工程3.
図2(c)に示すように、前記基板ISBの仮基板TPBに固着された面と反対側の面にエッチングを施し、該基板ISBを所定の厚さにする。
図2(c)に示すように、前記基板ISBの仮基板TPBに固着された面と反対側の面にエッチングを施し、該基板ISBを所定の厚さにする。
所定の厚さに形成された基板ISBは、有機EL表示装置として完成される段階では、基板としての観念よりも層(絶縁層体ISL)として形成されるイメージを有するようになる。
前記仮基板TPBは、前記基板ISBをそのように薄く形成するための機械的補強板として機能するようになっている。これにより、前記基板ISBから形成される絶縁層体ISLは充分なフレキシビリティを有する程度に薄く形成できることになる。
工程4.
図2(d)に示すように、該絶縁層体ISLのエッチングされた面に、有機EL表示装置に組み込まれる回路CCを形成する。
図2(d)に示すように、該絶縁層体ISLのエッチングされた面に、有機EL表示装置に組み込まれる回路CCを形成する。
この回路CCは、導電層、絶縁層、および半導体層等をそれぞれフォトグラフィ技術による選択エッチングによって所定のパターンに形成したものを適当な順で積層させながら形成されるようになっている。
該基板ISB(以下、絶縁層体ISLと称する)は、この段階においても、仮基板TPBによって固定されているため、前記回路CCの形成にあっては、その取り扱いに支障が生じないものとなっている。
そして、該回路CCの形成において、絶縁層体ISLの面にはマトリックス状に配置される各画素の領域が既に区画設定されており、これらの領域を基礎として形成されることはいうまでもない。しかし、該領域において後述の発光層RLが形成される領域を全く考慮することなく、換言すれば、各画素の領域において、その領域内で自由に回路CCを形成することができるようになる。前記発光層RLはこの回路が形成される領域と重ね合わされて形成されるからである。
工程5.
図2(e)に示すように、前記絶縁層体ISLのうち前記電極TM1が形成されている面の一部にスルーホールTHを形成する。このスルーホールTHは前記回路が形成されている面側からフォトグラフィ技術による選択エッチングによって形成され、このため該電極TM1はこの選択エッチングの際のエッチングストッパとしての機能を有する。
図2(e)に示すように、前記絶縁層体ISLのうち前記電極TM1が形成されている面の一部にスルーホールTHを形成する。このスルーホールTHは前記回路が形成されている面側からフォトグラフィ技術による選択エッチングによって形成され、このため該電極TM1はこの選択エッチングの際のエッチングストッパとしての機能を有する。
工程6.
図2(f)に示すように、前記スルーホールTHを通して前記回路CCと電極TM1との接続を図る配線層DLを形成する。
図2(f)に示すように、前記スルーホールTHを通して前記回路CCと電極TM1との接続を図る配線層DLを形成する。
この配線層DLは、該回路CCから該電極TM1を介して後述する発光層RLに電源を供給するように構成される。
工程7.
図2(g)に示すように、絶縁層体ISLの前記回路CCが形成された面に該回路CC等をも被ってパッシベーション膜PASを形成する。このパッシベーション膜PASの材料としては、たとえば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいはポリマー等が選定される。
図2(g)に示すように、絶縁層体ISLの前記回路CCが形成された面に該回路CC等をも被ってパッシベーション膜PASを形成する。このパッシベーション膜PASの材料としては、たとえば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいはポリマー等が選定される。
工程8.
図2(h)に示すように、仮基板TPBを絶縁層体ISLから剥離し、有機EL装置の回路部側の積層体UPを独立した固体として扱えるようになる(図2(i))。
図2(h)に示すように、仮基板TPBを絶縁層体ISLから剥離し、有機EL装置の回路部側の積層体UPを独立した固体として扱えるようになる(図2(i))。
図3(a)ないし(c)は、上述した有機EL表示装置のうち、発光部を構成する積層体DPの製造方法の一実施例を示す工程図である。以下工程順に説明する。
工程1.
図3(a)に示すように、基板(第2絶縁基板)SUBを用意する。この絶縁基板SUBはたとえばガラスあるいはフィルムが選定される。そして、この絶縁基板SUBの一方の面の全域にたとえばITO(Indium Tin Oxide)からなる透光性の導電層DL2を形成する。この導電層DL2は後述の発光層RLに電流を流すための他方の電極TM2として機能する。そして、この他方の電極TM2は各画素領域において共通となっている。
図3(a)に示すように、基板(第2絶縁基板)SUBを用意する。この絶縁基板SUBはたとえばガラスあるいはフィルムが選定される。そして、この絶縁基板SUBの一方の面の全域にたとえばITO(Indium Tin Oxide)からなる透光性の導電層DL2を形成する。この導電層DL2は後述の発光層RLに電流を流すための他方の電極TM2として機能する。そして、この他方の電極TM2は各画素領域において共通となっている。
工程2.
図3(b)に示すように、各画素領域に発光層RLを形成する。この場合、発光層RLは各画素領域の全域に至って形成でき、これにより該発光層RLの面積を最大限の大きさとすることができる。
図3(b)に示すように、各画素領域に発光層RLを形成する。この場合、発光層RLは各画素領域の全域に至って形成でき、これにより該発光層RLの面積を最大限の大きさとすることができる。
この場合、互いに隣接する3つの画素領域にそれぞれ赤色、緑色、および青色の各発光層RLを形成し、これらをカラー表示の単位画素領域とする。隣接する各発光層RLはその周辺において隣接して配置される発光層RLと重ね合わされていてもよい。
工程3.
図3(c)に示すように、各画素の発光層RLの上面に電極TM3を形成する。この電極TM3はたとえばAlを材料とするもので、マスク蒸着によって形成される。
図3(c)に示すように、各画素の発光層RLの上面に電極TM3を形成する。この電極TM3はたとえばAlを材料とするもので、マスク蒸着によって形成される。
この電極TM3にあっても、その面積を大きくすることにより、それに応じて画素の開効率を向上させることができる。この電極TM3は該発光層RLに電流を流すための一方の電極として構成され、画素ごとに物理的および電気的に分離されて形成されている。
これにより、有機EL装置の発光部側の積層体DPが完成され、これを独立した固体として扱えるようになる。
この場合、該積層体UPにおいて、各画素の発光層RLに対する双方の電極TM2、TM3の接続具合をチェックすることが可能となる。すなわち、他方の電極にプローブの一端子をあてがい、一方の電極に該プローブの他端子をあてがって電流を流すことによって、発光層RLの発光状態を検出することができるからである。
なお、このような検査を必要としない場合には、該他方の電極を形成しないように構成することができる。該他方の電極に代わって、回路部側の電極TM1が同様の機能を果たすからである。
図4(a)は、有機EL表示装置の全体を示す平面図であり、また、図4(b)は図4(a)のb−b線における断面図である。
絶縁基板SUBはその周辺においてパッシベーション膜PASよりも外方に延在して形成され、この延在部において、封止基板SBがパッシベーション膜PASを内包するようにして絶縁基板SUBに固着されている。
このため、絶縁基板SUBと封止基板SBとの間は密閉された空間を有するようになっている。そして、該封止基板SBの絶縁基板SUBと対向する部分には乾燥材DCが被着され、該空間は防湿空間を構成するようになっている。発光層RLは湿気に対し特性劣化を生じさせるため、その対策が施されたものとなっている。
この場合、発光層RLからの光は絶縁基板SUBを通して照射されるため、該乾燥材DCがその通過の妨げになることはない。このため、該乾燥材DCはその面積を大幅に大きくして形成することができることから、その防湿効果を向上させることができる。
図5(a)は、本発明による表示装置の他の実施例を示す図で、図1と対応した図となっている。
図1の場合と比較して異なる構成は、絶縁基板SUBの絶縁層体ISLと対向する面側に突起層PLを備え、該絶縁基板SUB面側から、電極TM2、突起層PL、発光層RL、電極TM3が順次形成されている。
突起層PLは画素領域の一方向側に部分的に小さく形成され、突起層PLを除いた領域の層よりも高い高さを有して形成されている。発光層RLはその周辺において該突起層PLの側壁面に当接される程度に形成され、該発光層RLの上面に形成される電極TM3は突起層PLの上面にまで及んで延在されて形成されている。
すなわち、前記突起層PL上の電極TM3と絶縁層体ISL側の電極TM1とので電気的な接続部分CPは、図5(b)に示すように、発光層RLの形成領域の外側でなされるように構成されている。
この場合、図5(b)から明らかとなるように、該接続部分CPの専有面積は小さく構成でき、いわゆる画素の開効率を大幅に低減させるに至ることを回避できる。
この場合、図5(b)から明らかとなるように、該接続部分CPの専有面積は小さく構成でき、いわゆる画素の開効率を大幅に低減させるに至ることを回避できる。
このようにした場合、前記電極TM1の絶縁基板SUB側の電極TM2との当接部に大きな荷重が加わるようなことがあったとしても、その力は突起層PLにのみ加わることになり、発光層RLに影響を及ぼすようなことがなくなる。このため、該発光層RLにその特性劣化をもたらすことがなく、長寿命化を図ることができるようになる。
本発明による表示装置は、その発光層として有機EL層を用いたものであるが、これに限定されることはなく、他の材料であってもよいことはいうまでもなない。
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
PIX…一画素領域、UP…積層体(回路部側の)、DP…積層体(発光部側の)、TM1,TM2,TM3…電極、CC…回路、DL…配線層、ISL…絶縁層体、TH…スルーホール、PAS…パッシベーション膜、SUB…絶縁基板、RL…発光層、PL…突起層
Claims (7)
- 絶縁層体の一方の面の画素領域に当該画素を駆動する回路が配置され、他方の面の当該画素領域に一方の電極を介して発光層が配置され、
前記一方の電極は前記絶縁層体に形成された孔を通して前記回路に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 第1絶縁基板の面上に前記回路、前記絶縁層体、この絶縁層体の孔を通して前記回路に接続された前記一方の電極が形成され、
第2絶縁基板の面上に他方の電極、前記発光層が形成され、
前記第1絶縁基板と第2絶縁基板は、それぞれ前記一方の電極が形成された面と前記発光層が形成された面とが向き合って、対向配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記第2絶縁基板の面上に他方の電極、前記発光層、および前記一方の電極と当接される別個の電極が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 他方の電極は透光性の材料で形成され、第2絶縁基板は透明基板で形成されていることを特徴とする請求項1、2、3のいずれかに記載の表示装置。
- 前記一方の電極と当接される別個の電極は、その該一方の電極と当接される部分と当接されない部分を有し、該一方の電極と当接されない部分に発光層が形成されているとともに、該一方の電極と当接される部分には該発光層よりも層厚の大きな絶縁突起が形成され、この絶縁層の上面に前記別個の電極が延在されて形成されていることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
- 第1絶縁基板と第2絶縁基板は、第1絶縁基板側の前記一方の電極と第2絶縁基板側の前記発光層あるいは前記別個の電極に当接が図られるとともに、シール材によって一体化されていることを特徴とする請求項1ないし5のうちいずれかに記載の表示装置。
- 第1絶縁基板を内包して第2絶縁基板に固着される封止基板を備え、この封止基板の第1絶縁基板と対向する内面に乾燥剤を被着させたことを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004311128A JP2006126286A (ja) | 2004-10-26 | 2004-10-26 | 表示装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006126286A true JP2006126286A (ja) | 2006-05-18 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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