JP2006121634A - 弾性表面波共振器とこれを用いた電子装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】任意の帯域幅の共振器及びフィルタを提供する。
【解決手段】大きな電気機械結合係数をもつ圧電・電歪物質基板の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはその両側に反射器を配置した構造の共振器において、電極の交差幅を伝搬方向に変化させることにより、励振効率を低下させ、全体の電極対数を大きくすることにより、共振−反共振の周波数幅を狭くする。
【選択図】図1
【解決手段】大きな電気機械結合係数をもつ圧電・電歪物質基板の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはその両側に反射器を配置した構造の共振器において、電極の交差幅を伝搬方向に変化させることにより、励振効率を低下させ、全体の電極対数を大きくすることにより、共振−反共振の周波数幅を狭くする。
【選択図】図1
Description
本発明は弾性表面波を用いた共振器及びこれを用いた電子装置に関するもので、すだれ状電極の変換効率を低下させた構造の弾性表面波共振器に関する。
通常の弾性表面波共振器は、正規型のλ/4電極幅のすだれ状電極のみの構造、或いは正規型すだれ状電極の両端にλ/4電極幅の反射器を設けた構造であり、共振と反共振の周波数幅は、用いる基板の電気機械結合係数(k2)でほぼ決定される。従って、大きなk2の基板では、比較的狭い帯域幅のフィルタには用いられなかった。
本発明は上述したごとき従来の弾性表面波共振器の欠陥を除去すべくなされたものであって、電極構造を工夫することにより見かけ上の電気機械結合を低下させることにより、変換効率と反射係数を小さくした、或いは単位長さ当たりの反射器の数を小さくすることにより、共振と反共振の幅を狭くした構造の弾性表面波共振器に関するものであり、任意の帯域幅の共振器及びフィルタを提供するものである。
上述の課題を解決するために、本発明に係る弾性表面波共振器は、大きな電気機械結合係数をもつ圧電・電歪物質基板の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはその両側に反射器を配置した構造の共振器において、電極の交差幅を伝搬方向に変化させることにより、励振効率を低下させ、全体の電極対数を大きくすることにより、共振−反共振の周波数幅を狭くした共振器、及びこれを用いたラダー型フィルタを得るものである。
以下、本発明を図面に示した実施例に基づいて詳細に説明する。
実施例の1は、図1のように、圧電基板或いは圧電薄膜基板上に設けたすだれ状電極において、交差幅を弾性表面波の伝搬方向に変化させた構造のすだれ状電極を用いた弾性表面波共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極或いは類似の電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子が実施例の1である。
実施例の2は、図2のように、圧電基板或いは圧電薄膜基板上に設けたすだれ状電極において、すだれ状電極を弾性表面波の伝搬方向に直角な方向に分割し、分割したすだれ状電極の電極本数を分割した電極毎に、同一、或いは異なった値にすると共に、分割したすだれ状電極の中心位置,c1,c2,・・・ckを伝搬方向にN・λ(正負電極の中心距離をλ/2、λ:弾性表面波の励振中心波長、Nは正の整数)ずらした構造のすだれ状電極において、分割した電極のずらし方として、上の電極の終端が次の電極の最初の電極と接続されているように配置したすだれ状電極を用いた構造の弾性表面波共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極或いは類似の電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子が実施例の2である。実施例の3は、図3のように、圧電基板或いは圧電薄膜基板上に設けたすだれ状電極において、すだれ状電極を弾性表面波の伝搬方向に直角な方向に分割したすだれ状電極において、交差幅をW=αAとして、α=1.0の電極とαが0.05から0.95の間の値をもつ電極とを一つのすだれ状電極の中で適当な数だけ組み合わせた構造のすだれ状電極共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子が実施例の3である。
実施例の4は、図4のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を作製した構造、あるいはその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、正電極の幅が5λ/4、負電極の幅がλ/4、その空隙がλ/4であり、正電極の5λ/4電極を3λ/4電極、λ/4空隙、λ/4電極に分割した構造の弾性表面波共振器、及び正電極の幅が5Nλ/4、負電極の幅が5Mλ/4、その空隙がλ/4であり、正電極の5Nλ/4電極と負電極の幅が5Mλ/4、正電極と負電極の最初の部分を3λ/4電極、λ/4空隙、その後の部分をλ/4電極、λ/4空隙に分割した構造の弾性表面波共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極或いは類似の電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子の4である。
実施例の5は、特許請求項の範囲第1項、、第2項、第3項、第4項の共振器において、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を作製した構造、あるいはその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、正電極の幅がλ/4、負電極の幅がλ/4、その空隙がλ/4であり、それらの電極の両側に取り出し電極を配置したすだれ状電極において、正の取り出し電極に接続するλ/4幅電極の符号を+1、負の取り出し電極に接続するλ/4幅電極の符号を−1として、+1、−1、−1、−1とした構造、或いは正の取り出し電極に接続するλ/4幅電極の符号の数が(2K+1)(K:零を含む正の整数)、負の取り出しに接続するλ/4幅電極の符号の数が(2L+1)(L:零を含む正の整数)のすだれ状電極を一周期として、これらの電極をN対構成した構造の弾性表面波共振器、及び一つの共振器の中でK、Lの値を組み合わせた構造の共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器を用いた電子装置の5である。
実施例の6は、特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項、第5項において、隣り合う電極中心間の周期はλ/2或いはλ/2の整数倍であり、かつそれらの電極の幅及びキャップが上記の値の±50%である弾性表面波共振器及びこれらの共振器を用いた電子装置が実施例の6である。
実施例の7は、特許請求の範囲の請求第1項、第2項、第3項、第4項、第5項において、すだれ状電極とその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、反射器の幅が(λ/2)×M(M:正の整数)でその空隙が(λ/2)×N(N:正の整数)或いは、電極の幅が(λ/4)×(2M−1)で、その空隙が(λ/4)×(2N−1)、或いはそれらの幅が上記の値の±50%であり、これらの電極間の距離が(λ/2)×K(K:整数)の短絡型及び開放型の反射器をもつ構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器を用いた電子装置が実施例の7である。
実施例の8は、特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項において、正負電極及び金属膜として、Al、Cu、Mo、Au、Ag、W、Tiなど或いはこれらの合金、また圧電体基板1として、水晶、ランガサイト系単結晶、Li2B4O7単結晶、BGO単結晶、BSO単結晶、LiNbO3単結晶、LiTaO3単結晶、KNbO3単結晶、PZTなど、圧電薄膜として、ZnO、AlN、LiTaO3、LiNbO3、KNbO3、Ta2O5、PZTなどを用いた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器、及びこれらを用いた電子装置が実施例の8である。
実施例の9は、特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項、第8項の弾性表面波共振器上に、SiO2薄膜、或いは正の周波数温度特性をもつガラスなどの誘電体膜を付着させた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器、及びこれらを用いた電子装置が実施例の9である。
実施例の10は、特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項、第8項、第9項の弾性表面波共振器をラダー型、ラティス型に構成した弾性表面波フィルタとこれらのフィルタを用いた電子装置が実施例の10である。
実施例の1は、図1のように、圧電基板或いは圧電薄膜基板上に設けたすだれ状電極において、交差幅を弾性表面波の伝搬方向に変化させた構造のすだれ状電極を用いた弾性表面波共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極或いは類似の電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子が実施例の1である。
実施例の2は、図2のように、圧電基板或いは圧電薄膜基板上に設けたすだれ状電極において、すだれ状電極を弾性表面波の伝搬方向に直角な方向に分割し、分割したすだれ状電極の電極本数を分割した電極毎に、同一、或いは異なった値にすると共に、分割したすだれ状電極の中心位置,c1,c2,・・・ckを伝搬方向にN・λ(正負電極の中心距離をλ/2、λ:弾性表面波の励振中心波長、Nは正の整数)ずらした構造のすだれ状電極において、分割した電極のずらし方として、上の電極の終端が次の電極の最初の電極と接続されているように配置したすだれ状電極を用いた構造の弾性表面波共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極或いは類似の電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子が実施例の2である。実施例の3は、図3のように、圧電基板或いは圧電薄膜基板上に設けたすだれ状電極において、すだれ状電極を弾性表面波の伝搬方向に直角な方向に分割したすだれ状電極において、交差幅をW=αAとして、α=1.0の電極とαが0.05から0.95の間の値をもつ電極とを一つのすだれ状電極の中で適当な数だけ組み合わせた構造のすだれ状電極共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子が実施例の3である。
実施例の4は、図4のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を作製した構造、あるいはその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、正電極の幅が5λ/4、負電極の幅がλ/4、その空隙がλ/4であり、正電極の5λ/4電極を3λ/4電極、λ/4空隙、λ/4電極に分割した構造の弾性表面波共振器、及び正電極の幅が5Nλ/4、負電極の幅が5Mλ/4、その空隙がλ/4であり、正電極の5Nλ/4電極と負電極の幅が5Mλ/4、正電極と負電極の最初の部分を3λ/4電極、λ/4空隙、その後の部分をλ/4電極、λ/4空隙に分割した構造の弾性表面波共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極或いは類似の電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子の4である。
実施例の5は、特許請求項の範囲第1項、、第2項、第3項、第4項の共振器において、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を作製した構造、あるいはその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、正電極の幅がλ/4、負電極の幅がλ/4、その空隙がλ/4であり、それらの電極の両側に取り出し電極を配置したすだれ状電極において、正の取り出し電極に接続するλ/4幅電極の符号を+1、負の取り出し電極に接続するλ/4幅電極の符号を−1として、+1、−1、−1、−1とした構造、或いは正の取り出し電極に接続するλ/4幅電極の符号の数が(2K+1)(K:零を含む正の整数)、負の取り出しに接続するλ/4幅電極の符号の数が(2L+1)(L:零を含む正の整数)のすだれ状電極を一周期として、これらの電極をN対構成した構造の弾性表面波共振器、及び一つの共振器の中でK、Lの値を組み合わせた構造の共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器を用いた電子装置の5である。
実施例の6は、特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項、第5項において、隣り合う電極中心間の周期はλ/2或いはλ/2の整数倍であり、かつそれらの電極の幅及びキャップが上記の値の±50%である弾性表面波共振器及びこれらの共振器を用いた電子装置が実施例の6である。
実施例の7は、特許請求の範囲の請求第1項、第2項、第3項、第4項、第5項において、すだれ状電極とその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、反射器の幅が(λ/2)×M(M:正の整数)でその空隙が(λ/2)×N(N:正の整数)或いは、電極の幅が(λ/4)×(2M−1)で、その空隙が(λ/4)×(2N−1)、或いはそれらの幅が上記の値の±50%であり、これらの電極間の距離が(λ/2)×K(K:整数)の短絡型及び開放型の反射器をもつ構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器を用いた電子装置が実施例の7である。
実施例の8は、特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項において、正負電極及び金属膜として、Al、Cu、Mo、Au、Ag、W、Tiなど或いはこれらの合金、また圧電体基板1として、水晶、ランガサイト系単結晶、Li2B4O7単結晶、BGO単結晶、BSO単結晶、LiNbO3単結晶、LiTaO3単結晶、KNbO3単結晶、PZTなど、圧電薄膜として、ZnO、AlN、LiTaO3、LiNbO3、KNbO3、Ta2O5、PZTなどを用いた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器、及びこれらを用いた電子装置が実施例の8である。
実施例の9は、特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項、第8項の弾性表面波共振器上に、SiO2薄膜、或いは正の周波数温度特性をもつガラスなどの誘電体膜を付着させた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器、及びこれらを用いた電子装置が実施例の9である。
実施例の10は、特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項、第8項、第9項の弾性表面波共振器をラダー型、ラティス型に構成した弾性表面波フィルタとこれらのフィルタを用いた電子装置が実施例の10である。
以上の共振器の計算結果の一例として、図5に、図1の構造の共振器を用いた、零温度特性、k2=0.22をもつSiO2/5°Y−X LiNbO3基板を用いたラダー型フィルタの特性を示す。通常のλ/4幅電極と反射器を用いたラダー型フィルタでは、中心周波数2GHzで帯域幅360MHz(Δf/f0=0.18)と広帯域特性をもち、現在の携帶電話用のフィルタとしては、広すぎて使えない。一方、本発明の図2のすだれ状電極の両側にλ/4電極幅の反射器をもつ構造では、図5のように、中心周波数2GHzで帯域幅170MHz(Δf/f0=0.085)で、かつ零温度特性のフィルタが得られる。また、本特許では、大きなk2をもつ基板を用いて、任意の帯域幅をもつ共振器、及びフィルタを得ることができる。また、図6に図4の構造の共振器を用いた、零温度特性、k2=0.22をもつSiO2/5°Y−X LiNbO3基板を用いたラダー型フィルタの特性を示す。この場合は、数2GHzで帯域幅110MHz(Δf/f0=0.05.5)と現在の携帯電話用のフィルタに最適な帯域をもち、かつ零温度特性のフィルタが得られる。また、本特許では、大きなk2をもつ基板を用いて、任意の帯域幅をもつ共振器、及びフィルタを得ることができる。
1…基板、2…重み付けすだれ状電極、3…正の取り出し電極、4…負の取り出し電極、5…反射器、6…重み付け単位電極、7…繰り返された単位電極、8…交差幅一定の電極の重み付けすだれ状電極、9…第一の交差電極、10…第2の交差電極、11…第3の交差電極、12…α=1.0の電極、13…α=0.5の電極、14…5λ/4電極を分割した電極、15…3λ/4幅の電極、16…λ/4幅電極、17…ラダー型フィルタの周波数特性、18…周波数[GHz],19…挿入損失[dB]、20…ラダー型フィルタの周波数特性
Claims (10)
- 圧電基板或いは圧電薄膜基板上に設けたすだれ状電極において、交差幅を弾性表面波の伝搬方向に変化させた構造のすだれ状電極を用いた弾性表面波共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極或いは類似の電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子。
- 圧電基板或いは圧電薄膜基板上に設けたすだれ状電極において、すだれ状電極を弾性表面波の伝搬方向に直角な方向に分割し、分割したすだれ状電極の電極本数を分割した電極毎に、同一、或いは異なった値にすると共に、分割したすだれ状電極の中心位置、c1,c2,・・・ckを伝搬方向にN・λ(正負電極の中心距離をλ/2、λ:弾性表面波の励振中心波長、Nは正の整数)ずらした構造のすだれ状電極において、分割した電極のずらし方として、上の電極の終端が次ぎの電極の最初の電極と接続されているように配置したすだれ状電極を用いた構造の弾性表面波共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極或いは類似の電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子。
- 圧電基板或いは圧電薄膜基板上に設けたすだれ状電極において、すだれ状電極を弾性表面波の伝搬方向に直角な方向に分割したすだれ状電極において、交差幅をW=αAとして、α=1.0の電極とαが0.05から0.95の間の値をもつ電極とを一つのすだれ状電極の中で適当な数だけ組み合わせた構造のすだれ状電極共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極或いは類似の電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子。
- 圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を作製した構造、あるいはその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、正電極の幅が5λ/4、負電極の幅がλ/4、その空隙がλ/4であり、正電極の5λ/4電極を3λ/4電極、λ/4空隙、λ/4電極に分割した構造の弾性表面波共振器、及び正電極の幅が5Nλ/4、負電極の幅が5Mλ/4、その空隙がλ/4であり、正電極の5Nλ/4電極と負電極の幅が5Mλ/4、正電極と負電極の最初の部分を3λ/4電極、λ/4空隙、その後の部分をλ/4電極、λ/4空隙に分割した構造の弾性表面波共振器、及びこの電極を一周期として、このすだれ状電極或いは類似の電極をM周期繰り返した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこの共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子。
- 特許請求項の範囲第1項、第2項、第3項、第4項の共振器において、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を作製した構造、あるいはその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、正電極の幅がλ/4、負電極の幅がλ/4、その空隙がλ/4であり、それらの電極の両側に取り出し電極を配置したすだれ状電極において、正の取り出し電極に接続するλ/4幅電極の符号を+1、負の取り出し電極に接続するλ/4幅電極の符号を−1として、+1、−1、−1、−1とした構造、或いは正の取り出し電極に接続するλ/4幅電極の符号の数が(2K+1)(K:零を含む正の整数)、負の取り出しに接続するλ/4幅電極の符号の数が(2L+1)(L:零を含む正の整数)のすだれ状電極を一周期として、これらの電極をN対構成した構造の弾性表面波共振器、及び一つの共振器の中でK、Lの値を組み合わせた構造の共振器、及びこれらの共振器の両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器を用いた電子装置。
- 特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項、第5項において、隣り合う電極中心間の周期はλ/2或いはλ/2の整数倍であり、かつそれらの電極の幅及びギャップが上記の値の±50%である弾性表面波共振器及びこれらの共振器を用いた電子装置。
- 特許請求の範囲の請求第1項、第2項、第3項、第4項、第5項において、すだれ状電極とその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、反射器の幅が(λ/2)×M(M:正の整数)でその空隙が(λ/2)×N(N:正の整数)或いは、電極の幅が(λ/4)×(2M−1)で、その空隙が(λ/4)×(2N−1)、或いはそれらの幅が上記の値の±50%であり、これらの電極間の距離が(λ/2)×K(K:整数)の短絡型及び開放型の反射器をもつ構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器を用いた電子装置。
- 特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項において、正負電極及び金属膜として、Al、Cu、Mo、Au、Ag、W、Tiなど或いはこれらの合金、また圧電体基板1として、水晶、ランガサイト系単結晶、Li2B4O7単結晶、BGO単結晶、BSO単結晶、LiNbO3単結晶、LiTaO3単結晶、KNbO3単結晶、PZTなど、圧電薄膜として、ZnO、AlN、LiTaO3、LiNbO3、KNbO3、Ta2O5、PZTなどを用いた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器、及びこれを用いた電子装置。
- 特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項、第8項の弾性表面波共振器上に、SiO2薄膜、或いは正の周波数温度特性をもつガラスなどの誘電体膜を付着させた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器、及びこれを用いた電子装置。
- 特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項、第8項、第9項の弾性表面波共振器をラダー型、ラティス型に構成した弾性表面波フィルタとこのフィルタを用いた電子装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007060108A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波装置 |
US8222973B2 (en) | 2009-06-04 | 2012-07-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave resonator, ladder filter and duplexer |
CN104990638A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-10-21 | 深圳华远微电科技有限公司 | 一种基于无线温度传感器的芯片 |
-
2004
- 2004-10-19 JP JP2004333739A patent/JP2006121634A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007060108A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波装置 |
US8222973B2 (en) | 2009-06-04 | 2012-07-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave resonator, ladder filter and duplexer |
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