JP2006120473A - 有機el素子の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機EL素子形成後に所定の電圧を印加する通電処理を行う場合であっても、電流密度にかかわらず目的とする発光色を示すことが可能な有機EL素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも複数の発光層(第一,第二の発光層)5b,5cを有する有機層5を一対の電極間に積層形成してなる有機EL素子の製造方法である。電流密度に対する表示光の色度変化量が0.02より大きい値となるように各発光層5b,5cを形成する工程と、前記両電極及び有機層5形成後に前記両電極間に所定の電圧を印加する通電処理を行う工程と、を少なくとも含んでなる。
【選択図】 図2

Description

本発明は、異なる発光色を示す複数の発光層を有する有機EL素子の製造方法に関する。
従来、有機EL素子としては、陽極となるITO(Indium Tin Oxide)等からなる透明電極と、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層等からなる有機層と、陰極となるアルミニウム(Al)等からなる非透光性の背面電極と、を順次積層形成して構成されるものが知られており、例えば、特許文献1に開示されるような、前記発光層として少なくとも2種類以上の異なる発光色を示す発光層を積層してなるものが知られている。かかる有機EL素子は、異なる発光色を示す前記発光層を積層することで混色により所定の色の表示光を得ることができ、例えば青色発光層と黄色発光層とを積層することにより白色の表示光を得ることができる。
また、かかる有機EL素子の製造工程において、蒸着法もしくはスパッタリング法等によって前記電極及び前記各層を形成する場合の真空漕内に、数μm以下の塵やゴミ等の異物が混入することがある。前記透明電極上にこの異物が付着した状態で前記有機層を形成すると、膜厚が10nm〜100nmと非常に薄い前記有機層が部分的に更に薄くなり、この前記有機層上に前記背面電極を形成すると、前記透明電極と前記背面電極とが短絡したり、リークが生じるおそれがあった。かかる問題を解決するために、本願出願人は、特許文献2にて、前記支持基板上に前記有機EL素子を形成した後、所定の酸素濃度を有する窒素雰囲気中にて両電極間に所定の電圧を印加する通電処理を行い、少なくとも前記背面電極の前記透明電極に接触している部分を除去して前記透明電極から剥離させる方法を提案している。
特開平12−68057号公報 特開2003−282249号公報
しかしながら、前記通電処理を施された有機EL素子は、電流密度によって得られる表示光の色度が大きく変化し、目的とする色の表示光を得ることができなくなるという問題点があった。かかる問題点は特に異なる発光色の前記発光層を複数積層した有機EL素子において顕著に表れるものであり、高電流密度で前記有機EL素子を高輝度発光させた時と低電流密度で前記有機EL素子を低輝度発光させた時とで得られる発光色が異なる場合が生じる。これは、前記通電処理を行うことによって、電流密度に対して得られる前記各発光層の発光輝度が、前記各発光層によって異なる度合いで変化することによるものである。
図5は、前記発光層として黄色発光層と青色発光層と積層形成してなる従来の有機EL素子における前記通電処理前後の表示光の色度と電流密度との関係を示す図である。図5におけるCIE色度座標のx値及びy値は所定の基準値を0とした場合の値を示している。なお、前記黄色発光層は、例えば出光興産株式会社製のIDE120からなるホスト材料に例えばナフタセン誘導体からなる黄色発光を示す発光材料をドープして形成されており、さらに例えばα−NPD等の正孔輸送性材料を加えられている。前記青色発光層は、前記黄色発光層と同様のホスト材料に例えば出光興産株式会社製のBD102からなる青色発光を示す発光材料をドープして形成されており、さらに前記正孔輸送性材料を加えられている。図5(a)において、特性S5は、前記通電処理前の前記従来の有機EL素子における表示光のCIE色度座標のx値と電流密度との関係を示しており、特性S6は、前記通電処理後の前記従来の有機EL素子における表示光のCIE色度座標のx値のと電流密度との関係を示している。また、図5(b)において、特性S7は、前記通電処理前の前記従来の有機EL素子における表示光のCIE色度座標のy値と電流密度との関係を示しており、特性S8は、前記通電処理後の前記従来の有機EL素子における表示光のCIE色度座標のy値と電流密度との関係を示している。図5に示すように、前記通電処理後の前記従来の有機EL素子は、特に電流密度に対する表示光のCIE色度座標のx値の色度変化量Δx、すなわち電流密度を変化させた場合の表示光のCIE色度座標のx値の最大値と最小値との差が前記通電処理前よりも大きく、低電流密度による発光駆動時と高電流密度による発光駆動時とで得られる発光色が異なっている。
本発明は、このような問題に鑑み、有機EL素子形成後に所定の電圧を印加する通電処理を行う場合であっても、電流密度にかかわらず目的とする発光色を得ることが可能な有機EL素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために、発光色の異なる複数の発光層を少なくとも有する有機層を一対の電極で挟持してなる有機EL素子の製造方法であって、電流密度に対する表示光の色度変化量が0.02より大きい値となるように前記各発光層を形成する工程と、前記両電極及び前記有機層形成後に前記両電極間に所定の電圧を印加する通電処理を行う工程と、を少なくとも含んでなることを特徴とする。
また、前記通電処理後の電流密度に対する前記表示光の色度変化量が0.02以下となるように前記通電処理を行うことを特徴とする。
また、前記各発光層を形成する工程において、前記各発光層をホスト材料に発光材料を混合して形成することを特徴とする。
また、前記各発光層を形成する工程において、前記各発光層にさらに正孔輸送性材料を加えることを特徴とする。
また、前記各発光層を形成する工程において、前記各発光層にさらに電子輸送性材料を加えることを特徴とする。
また、前記各発光層のうち少なくとも発光波長が短い発光層の膜厚によって、電流密度に対する前記表示光の色度変化量を調整することを特徴とする。
また、前記各発光層のうち少なくとも発光波長が短い発光層に含まれる前記発光材料の濃度によって、電流密度に対する前記表示光の色度変化量を調整することを特徴とする。
また、前記各発光層のうち少なくとも発光波長が短い発光層に含まれる前記正孔輸送性材料の濃度によって、電流密度に対する前記表示光の色度変化量を調整することを特徴とする。
また、前記各発光層のうち少なくとも発光波長が短い発光層に含まれる前記電子輸送性材料の濃度によって、電流密度に対する前記表示光の色度変化量を調整することを特徴とする。
また、前記通電処理を行う工程において、前記両電極間に所定の電圧を逆バイアス方向に印加することを特徴とする。
また、前記通電処理を行う工程において、前記通電処理を所定の酸素濃度を有する窒素雰囲気中で行うことを特徴とする。
また、前記通電処理を行う工程において、前記有機層を50℃以上に加熱して前記通電処理を行うことを特徴とする。
本発明は、異なる発光色を示す複数の発光層を有する有機EL素子の製造方法に関するものであり、有機EL素子形成後に所定の電圧を印加する通電処理を行う場合であっても、電流密度にかかわらず目的とする発光色を得ることが可能となる。
以下、セグメント型の有機ELパネルに本発明を適用した実施形態を添付の図面に基いて説明する。
図1において、有機ELパネルは、有機EL素子1を透光性の支持基板2上に配設してなるものである。有機EL素子1は、透光性の第一電極3と、絶縁層4と、有機層5と、第二電極6と、から主に構成されている。また、支持基板2上には有機EL素子1を気密的に覆うように封止部材7が配設されている。かかる有機ELパネルは、有機EL素子1の発光を支持基板2側から取り出し、後述する第一の発光層の黄色発光と第二の発光層の青色発光との補色によって白色の表示光を得るものである。
支持基板2は、長方形形状からなる透光性のガラス基板である。
第一電極3は、陽極となるものであり、支持基板2上にITO等の導電性材料をスパッタリング法等の手段によって膜厚50〜200nmの層状に形成し、フォトリソグラフィー法等によって例えば日の字型の表示意匠に応じてパターニングしてなるもので、日の字型の表示セグメント部3aと、個々の表示セグメント3aからそれぞれ引き出し成形されたリード部3bと、リード部3bの終端部に設けられる電極部3cとを備えている。なお、電極部3cは、支持基板2の一辺に集中的に配設されている。
絶縁層4は、ポリイミド系やフェノール系等の絶縁材料からなるもので、スパッタリング法等の手段によって層状に形成し、フォトリソグラフィー法等の手段によって支持基板2上の非発光個所に所定の形状にて形成される。絶縁層4は、表示セグメント3aに対応した窓部4aと、第二電極6の後述する電極部に対応する切り欠き部4bとを有し、発光領域の輪郭を鮮明に表示するため、第一電極3の表示セグメント3aの周縁部と若干重なるように窓部4aが形成され、また、第一電極3と第二電極6との絶縁を確保するためにリード部3b上を覆うように配設される。
有機層5は、第一電極3及び絶縁層4上に絶縁層4における窓部4aの形成箇所に対応するように所定の大きさをもって形成されるものであり、図2に示すように、正孔輸送層5a,第一の発光層5b,第二の発光層5c,電子輸送層5d及び電子注入層5eを蒸着法等の手段によって順次積層形成してなるものである。
正孔輸送層5aは、第一電極3から正孔を取り込むとともに正孔を発光層5cへ伝達する機能を有し、例えばα−NPD等の正孔輸送性材料を蒸着法等の手段によって膜厚10〜60nmの層状に形成してなるものである。
第一の発光層5bは、正孔及び電子の輸送が可能であり、正孔移動度が電子移動度よりも高い正孔輸送性の特性を有する有機材料である例えば出光興産株式会社製のIDE120からなるホスト材料に、正孔輸送層5aを構成する前記正孔輸送性材料と、電子と正孔との再結合に反応して発光する機能を有し黄色発光を示す例えばナフタセン誘導体からなる第一の発光材料と、を共蒸着等の手段によって混合し、例えば膜厚20nm程度の層状に形成してなる。
第二の発光層5cは、正孔及び電子の輸送が可能であり、第一の発光層5bと同様の前記ホスト材料に、正孔輸送層5aを構成する前記正孔輸送性材料と、電子と正孔との再結合に反応して発光する機能を有し第一の発光層5bの黄色発光よりも発光波長の短い青色発光を示す例えば出光興産株式会社製のBD102からなる第二の発光材料と、を共蒸着等の手段によって混合し、例えば膜厚30nm程度の第一の発光層5bよりも厚い層状に形成してなる。また、第二の発光層5cは、層全体における前記正孔輸送性材料の濃度が、図5に示した前記従来の有機EL素子の前記青色発光層全体における前記正孔輸送性材料の濃度よりも例えば20パーセント以上高くなっている。
電子輸送層5dは、電子を第二の発光層5cへ伝達する機能を有し、例えばキレート系化合物であるアルミキノリノール(Alq3)等の電子輸送性材料を蒸着法等の手段によって膜厚20〜60nmの層状に形成してなる。
電子注入層5eは、第二電極6から電子を注入する機能を有し、例えばフッ化リチウム(LiF)等を蒸着法等の手段によって膜厚略1nmの層状に形成してなる。
第二電極6は、陰極となるものであり、アルミニウム(Al)やマグネシウム銀(Mg:Ag)等の導電性材料を蒸着法等の手段によって膜厚50〜200nmの層状に形成してなるものであり、支持基板2の一辺に設けられるリード部6aと電気的に接続してなる。なお、リード部6aの終端部には、電極部(引き出し部)6bが設けられ、リード部6a及び電極部6bは第一電極3と同材料により形成される。
封止部材7は、例えばガラス材料からなる平板部材に凹部7aをサンドブラスト、切削及びエッチング等の適宜方法で形成してなるものである。封止部材7は、凹部7aを取り囲むようにして形成される支持部7bを例えば紫外線硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤(図示しない)を介し支持基板2上に気密的に配設することで、封止部材7と支持基板2とで有機EL素子1を封止する。封止部材7は、第一電極3の電極部3cおよび第二電極6の電極部6bが外部に露出するように支持基板2よりも若干小さめに構成されている。
次に、図3を用いて、有機EL素子1及び有機ELパネルの製造方法を説明する。
まず、支持基板2上にITO等の導電性材料をスパッタリング法等の手段によって膜厚50〜200nmの層状に形成し、さらにフォトリソグラフィー法等によって表示意匠に応じてパターニングして、表示セグメント部3a,リード部3b及び電極部3cを備え陽極となる第一電極3を形成する(図3(a)参照)。なお、このとき、リード部6a及び電極部6bを第一電極3と同材料により形成する。
次に、ポリイミド系やフェノール系等の絶縁材料をスパッタリング法等の手段によって層状に形成し、フォトリソグラフィー法等の手段によって第一電極3の表示セグメント3aに対応する個所と第二電極6の電極部6bに対応する個所とを除去して窓部4a及び切り欠き部4bを有する絶縁層4を形成する(図3(b)参照)。
次に、第一電極3及び絶縁層4上に絶縁層4における窓部4aの形成箇所に対応するように所定の大きさをもって有機層5を形成する(図3(c)参照)。具体的に、正孔輸送層5a,第一の発光層5b,第二の発光層5c,電子輸送層5d及び電子注入層5eを蒸着法等の手段によって順次積層して有機層5を形成する。まず、前記正孔輸送性材料を蒸着法等の手段によって膜厚10〜60nmの層状に形成して、正孔輸送層5aを得る。次に、前記ホスト材料,前記正孔輸送性材料及び前記第一の発光材料を共蒸着等の手段によって混合し、例えば膜厚20nm程度の層状に形成して、第一の発光層5bを得る。次に、前記ホスト材料,前記正孔輸送性材料及び前記第二の発光材料を共蒸着法等の手段によって混合し、例えば膜厚30nm程度の層状に形成して、第二の発光層5cを得る。この第一,第二の発光層5b,5cを形成する工程において、本実施形態は、第二の発光層5cを、層全体における前記正孔輸送性材料の濃度が図5に示した前記従来の有機EL素子の前記青色発光層全体における前記正孔輸送性材料の濃度よりも20パーセント以上高くななるように前記正孔輸送性材料を混合させる。前記正孔輸送性材料を多く混合することによって、第二の発光層5cは、前記従来の有機EL素子の前記青色発光層よりも発光ピーク強度を大きくすることができ、後述する有機EL素子1の表示光の電流密度に対するCIE色度座標における色度変化量を調整することが可能となっている。本実施形態においては、第二の発光層5bの発光ピーク強度を大きくすることによって、後述する通電処理前において有機EL素子1の表示光の電流密度に対するCIE色度座標のx値の色度変化量が0.02より大きく(さらに好ましくは0.03より大きく)なるように調整されている。第一,第二の発光層5b,5c形成後、前記電子輸送性材料を蒸着法等の手段によって膜厚20〜60nmの層状に形成し、電子輸送層5dを得る。さらに、例えばフッ化リチウム(LiF)等を蒸着法等の手段によって膜厚約1nmの層状に形成し、電子注入層5eを得る。
次に、アルミニウム(Al)やマグネシウム銀(Mg:Ag)等の導電性材料を蒸着法等の手段によって膜厚50〜200nmの層状に形成し、陰極となる第二電極6を得る(図3(d)参照)。なお、第二電極6は、支持基板2の一辺に設けられる電極部6bを接続される。
次に、凹部7aと支持部7bとを有する封止部材7を、支持部7bを例えば紫外線硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤8を介し支持基板2上に気密的に配設し、接着剤8に紫外線を照射して硬化させ、封止部材7と支持基板2とで有機EL素子1を封止する(図3(e)参照)。このとき、第一電極3の電極部3cおよび第二電極6の電極部6bが外部に露出するように封止部材7が支持基板2上に配設される。
支持基板2上に有機EL素子1を形成した後、有機EL素子1を50℃以上に加熱し、所定の酸素濃度を有する窒素雰囲気中にて第一,第二電極3,6間に15V以上の電圧を逆バイアス方向に印加する通電処理を行う。前記通電処理によって、少なくとも前記背面電極の前記透明電極に接触している部分を除去して前記透明電極から剥離させる。以上の工程によって、有機EL素子1を有する有機ELパネルが得られる。なお、前記通電処理は、後述する有機EL素子1のCIE色度座標のx値及びy値の電流密度に対する色度変化量が前記通電処理後に0.02以下となるように電圧値,有機EL素子1の加熱温度及び電圧の印加時間等を調整して行われる。
図4は、本実施形態の有機EL素子1における前記通電処理前後の表示光の色度と電流密度との関係を示す図である。なお、前記通電処理は図5における前記従来の有機EL素子に対して行った条件と同様であるものとする。また、図4におけるCIE色度座標のx値及びy値は所定の基準値を0とした場合の値を示している。図4(a)において、特性S1は、前記通電処理前の有機EL素子1における表示光のCIE色度座標のx値と電流密度との関係を示しており、特性S2は、前記通電処理後の有機EL素子1における表示光のCIE色度座標のx値と電流密度との関係を示している。また、図4(b)において、特性S3は、前記通電処理前の有機EL素子1における表示光のCIE色度座標のy値と電流密度との関係を示しており、特性S4は有機EL素子1の前記通電処理後の表示光のCIE色度座標のy値と電流密度との関係を示している。図4(a)に示すように、前記通電処理前の有機EL素子1は、電流密度に対する表示光のCIE色度座標におけるx値の色度変化量Δx、すなわち電流密度を変化させた場合の表示光のCIE色度座標のx値の最大値と最小値との差が0.03よりも大きくなっているものの、前記通電処理後の有機EL素子1は、電流密度に対する色度変化量Δxが0.02以下となっている。したがって、前記通電処理後の有機EL素子1は、低電流密度による発光駆動時と高電流密度による発光駆動時とで得られる発光色はほぼ同様であり、色の変化を使用者が認識しない程度に抑制することが可能となっている。本願発明者は、異なる発光波長の発光層を複数有する有機EL素子において、前記通電処理を行うことによって、長波長の発光層の発光効率が向上し、特に低電流密度による発光駆動時の発光輝度が前記通電処理前よりも高くなる傾向を見いだした。これに対し、短波長の発光層の発光効率は前記通電処理を行った後でも長波長の発光層程には向上せず、低電流密度による発光駆動時の発光輝度も長波長の発光層と同様には高くならない。本実施形態は、第一の発光層5bよりも短波長の発光を示す第二の発光層5cに、従来のように前記通電処理前の電流密度に対する表示光の色度変化量を抑制する場合よりも多量の前記正孔輸送性材料を混合させ、第二の発光層5cの発光効率を予め向上させておくことによって、上述のように前記通電処理後に電流密度に対する表示光の色度変化量が抑制された有機EL素子1を得ることが可能となっている。
本実施形態における有機EL素子1の製造方法は、発光色の異なる第一,第二の発光層5b,5cを少なくとも有する有機層5を一対の第一,第二電極3,6で挟持してなる有機EL素子1の製造方法であって、電流密度に対する前記通電処理前の表示光の色度変化量が0.02より大きい値となるように第一,第二の発光層5b,5cを形成する工程と、第一,第二電極3,6及び有機層5形成後に第一,第二電極3,6間に所定の電圧を印加する通電処理を行う工程と、を少なくとも含んでなるものである。また、前記通電処理後の電流密度に対する表示光の色度変化量が0.02以下となるように前記通電処理を行うものである。また、前記通電処理を行う工程において、第一,第二電極3,6間に所定の電圧を逆バイアス方向に印加するものである。また、前記通電処理を行う工程において、前記通電処理を所定の酸素濃度を有する窒素雰囲気中で行うものである。また、前記通電処理を行う工程において、有機層5を含む有機EL素子1を50℃以上に加熱して前記通電処理を行うものである。
かかる製造方法により、有機EL素子1は、前記通電処理による第一,第二の発光層5b,5cの発光効率の変化に予め対応するために前記通電処理前の電流密度に対する表示光の色度変化量Δxを0.02よりも大きくしておくことによって、前記通電処理後の電流密度に対する表示光の色度変化量Δxを0.02以下とすることができ、低電流密度による電流密度の値にかかわらず得られる発光色をほぼ同様とし、表示光の色の変化を使用者が認識しない程度に抑制することが可能となる。
また、第一,第二の発光層5b,5cに前記正孔輸送性材料を加える場合、発光波長が短い第二の発光層5cに含まれる前記正孔輸送性材料の濃度によって、前記通電処理によって発光効率の変化しやすい第一の発光層5bの発光効率の変化に対応して、前記通電処理によって発光効率が向上しにくい第二の発光層5cの発光ピーク強度を予め大きくすることができ、容易に前記通電処理前の電流密度に対する表示光の色度変化量を調整することができる。
なお、本実施形態においては、発光波長が短い第二の発光層5cに含まれる前記正孔輸送性材料の濃度によって、第二の発光層5cの発光ピーク強度を予め大きくして前記通電処理前の電流密度に対する表示光の色度変化量を調整するものであったが、他の方法として、発光波長が短い第二の発光層5cの膜厚や前記第二の発光材料の濃度によって前記通電処理前の電流密度に対する表示光の色度変化量を調整するものであってもよく、また、前記正孔輸送性材料の濃度,第二の発光層5cの膜厚及び前記第二の発光材料の濃度を組み合わせて前記通電処理前の電流密度に対する表示光の色度変化量を調整するものであってもよい。具体的に、第二の発光層5cの膜厚を、従来のように前記通電処理前に電流密度に対する表示光の色度変化量を0.02以下とする場合よりも薄くすることによって、第二の発光層5cの発光ピーク強度を前記従来の有機EL素子の前記青色発光層よりも予め大きくすることができる。また、第二の発光層5cに含まれる前記第二の発光材料の濃度を、従来のように前記通電処理前に電流密度に対する表示光の色度変化量を0.02以下とする場合よりも高くすることによって、第二の発光層5cの発光ピーク強度を前記従来の有機EL素子の前記青色発光層よりも予め大きくすることができる。
また、本実施形態においては、第一,第二の発光層5b,5cに前記正孔輸送性材料が加えられるものであったが、有機EL素子に備えられる発光色の異なる複数の発光層にそれぞれアルミキノリノール(Alq3)等の電子輸送性材料が加えられる場合、前記各発光層のうち発光波長の短い発光層の前記電子輸送性材料の濃度によって、通電処理前の電流密度に対する有機EL素子の表示光の色度変化量を調整するものであってもよい。具体的に、発光波長の短い前記発光層に含まれる前記電子輸送性材料の濃度を、従来のように前記通電処理前に電流密度に対する表示光の色度変化量を0.02以下とする場合よりも高くすることによって、予め発光波長の短い前記発光層の発光ピーク強度を大きくすることができ、通電処理前の電流密度に対する有機EL素子の表示光の色度変化量が0.02より大きくなるように調整することが可能となる。
また、本実施形態はセグメント型の有機EL素子1を備える有機ELパネルに本発明の有機EL素子の製造方法を適用したが、本発明の有機EL素子の製造方法は、ドットマトリクス型の有機EL素子にも適用可能である。また、本実施形態である有機ELパネルは、透光性の第一電極3を備え、有機EL素子1の発光を支持基板2側から取り出し、所定の表示を行うものであったが、本発明の有機EL素子の製造方法は、有機層上の第二電極を透光性の導電材料で形成し、封止部材側から光を採りだして所定の表示を行ういわゆるトップエミッション型の有機ELパネルにも適用可能である。
また、本実施形態において、有機EL素子1は、第一,第二の発光層5b,5cの2つの発光層を備える構成であったが、本発明における有機EL素子は、三層以上の発光層を備えるものであってもよい。
本発明の実施形態である有機ELパネルを示す図。 同上の有機EL素子の有機層を示す拡大断面図。 同上の有機ELパネルの製造工程を示す図。 同上の有機EL素子の表示光の色度と電流密度との関係を示す図。 従来の有機EL素子の表示光の色度と電流密度との関係を示す図。
符号の説明
1 有機EL素子
2 支持基板
3 第一電極
4 絶縁層
5 有機層
5a 正孔輸送層
5b 第一の発光層
5c 第二の発光層
5d 電子輸送層
5e 電子注入層
5f 第三の発光層
5g 第四の発光層
6 第二電極

Claims (12)

  1. 発光色の異なる複数の発光層を少なくとも有する有機層を一対の電極で挟持してなる有機EL素子の製造方法であって、
    電流密度に対する表示光の色度変化量が0.02より大きい値となるように前記各発光層を形成する工程と、前記両電極及び前記有機層形成後に前記両電極間に所定の電圧を印加する通電処理を行う工程と、を少なくとも含んでなることを特徴とする有機EL素子の製造方法。
  2. 前記通電処理後の電流密度に対する前記表示光の色度変化量が0.02以下となるように前記通電処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
  3. 前記各発光層を形成する工程において、前記各発光層をホスト材料に発光材料を混合して形成することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
  4. 前記各発光層を形成する工程において、前記各発光層にさらに正孔輸送性材料を加えることを特徴とする請求項3に記載の有機EL素子の製造方法。
  5. 前記各発光層を形成する工程において、前記各発光層にさらに電子輸送性材料を加えることを特徴とする請求項3に記載の有機EL素子の製造方法。
  6. 前記各発光層のうち少なくとも発光波長が短い発光層の膜厚によって、電流密度に対する前記表示光の色度変化量を調整することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
  7. 前記各発光層のうち少なくとも発光波長が短い発光層に含まれる前記発光材料の濃度によって、電流密度に対する前記表示光の色度変化量を調整することを特徴とする請求項3に記載の有機EL素子の製造方法。
  8. 前記各発光層のうち少なくとも発光波長が短い発光層に含まれる前記正孔輸送性材料の濃度によって、電流密度に対する前記表示光の色度変化量を調整することを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子の製造方法。
  9. 前記各発光層のうち少なくとも発光波長が短い発光層に含まれる前記電子輸送性材料の濃度によって、電流密度に対する前記表示光の色度変化量を調整することを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子の製造方法。
  10. 前記通電処理を行う工程において、前記両電極間に所定の電圧を逆バイアス方向に印加することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
  11. 前記通電処理を行う工程において、前記通電処理を所定の酸素濃度を有する窒素雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
  12. 前記通電処理を行う工程において、前記有機層を50℃以上に加熱して前記通電処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
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