JP2006108205A - 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板1の熱酸化を行うことにより、半導体基板1の表面に熱酸化膜51を形成し、開口部H1が形成されたレジスト膜R1をマスクとして、熱酸化膜51のドライエッチングを行うことにより、SOI形成領域E1の熱酸化膜51を薄膜化し、SOI形成領域E1の熱酸化膜51をウェットエッチングにて除去することにより、SOI形成領域E1の半導体基板1の表面を露出させ、熱酸化膜51をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、第1半導体層5および第2半導体層6を半導体基板1上のSOI形成領域E1に順次選択的に形成する。
【選択図】 図1
Description
M.Jurczak,T.Skotnicki,M.Paoli,B.Tormen,J−L.Regolini,C.Morin,A.Schittz,J.Martins,R.Pantel,J.Galvier."SON(Silicon On Nothing)−A NEW DEVICE ARCHITECTUR FOR THER ULSI ERA." 1999 Symposium on VLSI Technotogy Digest of Technical Papers pp.29−30
しかし、ドライエッチングによってSiO2膜に窓を開けると、ウェハの表面がダメージを受けるので、ウェハ上にエピタキシャル成長されるSi/SiGe層に欠陥が発生するという問題があった。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体基板の製造方法を示す断面図である。
図1(a)において、半導体基板1の熱酸化を行うことにより、半導体基板1の表面に熱酸化膜51を形成する。ここで、半導体基板1の熱酸化はウェハの状態で行われ、半導体基板1の裏面にも熱酸化膜51が形成される。なお、半導体基板1の材質としては、例えば、Si、Ge、SiGe、SiC、SiSn、PbS、GaAs、InP、GaP、GaNまたはZnSeなどを用いることができる。
図2(a)において、第1半導体層5および第2半導体層6が半導体基板1上のSOI形成領域E1に形成されると、第2半導体層6の熱酸化により第2半導体層6および半導体基板1の表面に犠牲酸化膜4を形成する。なお、犠牲酸化膜4の膜厚は、例えば、10nm程度とすることができる。
次に、図3に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて酸化防止膜8および犠牲酸化膜4をパターニングすることにより、第1半導体層5の端部の一部を露出させる開口面9を酸化防止膜8および犠牲酸化膜4に形成する。ここで、第1半導体層5の端部の一部を露出させる場合、第1半導体層5の端部の残りの一部は酸化防止膜8で覆われたままにする。
ここで、第1半導体層5の端部の一部を露出させる開口面9を酸化防止膜8に形成することにより、第2半導体層6下の第1半導体層5にエッチングガスまたはエッチング液を接触させることが可能となり、半導体基板1と第2半導体層6との間に空洞部10を形成することができる。また、第1半導体層5の端部の残りの一部は酸化防止膜8で覆われたままにすることにより、第1半導体層5が除去された場合においても、第2半導体層6を酸化防止膜8にて半導体基板1上で支持することが可能となる。
図5は、本発明の第2実施形態に係る半導体基板の製造方法を示す断面図である。
次に、図5(c)に示すように、開口部H2が形成されたレジスト膜R2をマスクとして、保護膜62のドライエッチングを行うことにより、SOI形成領域E2の保護膜62を除去する。
次に、図5(e)に示すように、熱酸化膜61をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、第1半導体層5および第2半導体層6を半導体基板1上のSOI形成領域E2に順次選択的に形成する。そして、半導体基板1上の保護膜62を除去した後、図2〜図4の工程を経ることにより、SOI形成領域E2のSOIトランジスタを形成することができる。
Claims (4)
- 半導体基板の熱酸化により前記半導体基板の表面に熱酸化膜を形成する工程と、
前記半導体基板上の一部の領域を露出させるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記熱酸化膜のドライエッチングを行うことにより、前記半導体基板上の一部の領域の熱酸化膜を薄膜化する工程と、
前記薄膜化された熱酸化膜をウェットエッチングにて除去することにより、前記半導体基板の表面の一部を露出させる工程と、
前記熱酸化膜をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、前記半導体基板の表面の一部に第1半導体層を選択的に形成する工程と、
前記熱酸化膜をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、前記第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層を前記第1半導体層上に形成する工程と、
前記第2半導体層が覆われるようにして前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1半導体層の端部の一部を露出させる開口部を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記開口部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導体層が除去された空洞部を前記第2半導体層下に形成する工程と、
前記開口部を介して前記第2半導体層および前記半導体基板の熱酸化を行うことにより、前記空洞部内に埋め込み酸化膜を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 半導体基板の熱酸化により前記半導体基板の表面に熱酸化膜を形成する工程と、
前記熱酸化膜よりもエッチングレートの小さな保護膜を前記熱酸化膜の表面に形成する工程と、
前記半導体基板上の一部の領域を露出させるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記保護膜のドライエッチングを行うことにより、前記半導体基板上の一部の領域の保護膜を除去する工程と、
前記保護膜が除去された熱酸化膜をウェットエッチングにて除去することにより、前記半導体基板の表面の一部を露出させる工程と、
前記熱酸化膜をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、前記半導体基板の表面の一部に第1半導体層を選択的に形成する工程と、
前記熱酸化膜をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、前記第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層を前記第1半導体層上に形成する工程と、
前記第2半導体層が覆われるようにして前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1半導体層の端部の一部を露出させる開口部を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記開口部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導体層が除去された空洞部を前記第2半導体層下に形成する工程と、
前記開口部を介して前記第2半導体層および前記半導体基板の熱酸化を行うことにより、前記空洞部内に埋め込み酸化膜を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 半導体基板の熱酸化により前記半導体基板の表面に熱酸化膜を形成する工程と、
前記半導体基板上の一部の領域を露出させるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記熱酸化膜のドライエッチングを行うことにより、前記半導体基板上の一部の領域の熱酸化膜を薄膜化する工程と、
前記薄膜化された熱酸化膜をウェットエッチングにて除去することにより、前記半導体基板の表面の一部を露出させる工程と、
前記熱酸化膜をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、前記半導体基板の表面の一部に第1半導体層を選択的に形成する工程と、
前記熱酸化膜をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、前記第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層を前記第1半導体層上に形成する工程と、
前記第2半導体層が覆われるようにして前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1半導体層の端部の一部を露出させる開口部を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記開口部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導体層が除去された空洞部を前記第2半導体層下に形成する工程と、
前記開口部を介して前記第2半導体層および前記半導体基板の熱酸化を行うことにより、前記空洞部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、
前記第2半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側にそれぞれ配置されたソース/ドレイン層を前記第2半導体層に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の熱酸化により前記半導体基板の表面に熱酸化膜を形成する工程と、
前記熱酸化膜よりもエッチングレートの小さな保護膜を前記熱酸化膜の表面に形成する工程と、
前記半導体基板上の一部の領域を露出させるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記保護膜のドライエッチングを行うことにより、前記半導体基板上の一部の領域の保護膜を除去する工程と、
前記保護膜が除去された熱酸化膜をウェットエッチングにて除去することにより、前記半導体基板の表面の一部を露出させる工程と、
前記熱酸化膜をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、前記半導体基板の表面の一部に第1半導体層を選択的に形成する工程と、
前記熱酸化膜をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、前記第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層を前記第1半導体層上に形成する工程と、
前記第2半導体層が覆われるようにして前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1半導体層の端部の一部を露出させる開口部を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記開口部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導体層が除去された空洞部を前記第2半導体層下に形成する工程と、
前記開口部を介して前記第2半導体層および前記半導体基板の熱酸化を行うことにより、前記空洞部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、
前記第2半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側にそれぞれ配置されたソース/ドレイン層を前記第2半導体層に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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