JP2006100856A5 - - Google Patents
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- ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極、および、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記画素電極は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗからなる高融点金属を介さずに直接接続しており、前記アルミニウム合金膜が、合金成分としてＡｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｒ，Ｓｍ，Ｇｅ，Ｂｉよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含むものであり、前記アルミニウム合金膜と画素電極が直接接触した接触界面において、前記アルミニウム合金膜を構成する合金成分の一部または全部が、導電性析出物として存在しており、前記接触界面において、長径が０．０１μｍを超えるサイズの導電性析出物が、１００μｍ ２ 当りに０．１３個を超える個数で存在することを特徴とする表示デバイス。
- ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極、および、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記画素電極は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗからなる高融点金属を介さずに直接接続しており、前記アルミニウム合金膜が、合金成分としてＡｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｒ，Ｓｍ，Ｇｅ，Ｂｉよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含むものであり、前記アルミニウム合金膜と画素電極が直接接触した接触界面において、前記アルミニウム合金膜を構成する合金成分の一部または全部が、導電性析出物として面積率０．５％を超えて存在していることを特徴とする表示デバイス。
- 前記合金成分として、少なくともＮｉが含まれている請求項1または２に記載の表示デバイス。
- 前記アルミニウム合金膜において、電気抵抗率が８μΩ・ｃｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の表示デバイス。
- 前記アルミニウム合金膜が、更に他の合金成分としてＮｄ，Ｙ，Ｆｅ，Ｃｏよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含むものである請求項１〜４のいずれかに記載の表示デバイス。
- 前記合金成分として、Ｘ１（Ｘ１＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）を０．１〜６原子％含有すると共に、Ｘ２（Ｘ２＝Ｎｄ，Ｙの少なくとも１種）を０．１〜６原子％含み、それらの含有量が、下記式（Ｉ）の関係を満たすものである請求項５に記載の表示デバイス。
０．７≦０．５×ＣＸ１＋ＣＸ２≦４．５……（Ｉ）
［式中、ＣＸ１はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣＸ２は、アルミニウム合金中のＮｄ，Ｙの含有量（原子％）をそれぞれ表す］ - 前記合金成分として、Ｘ １ （Ｘ １ ＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）とＸ ３ （Ｘ ３ ＝Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも１種）を含み、それらの含有量が、下記式（II）の関係を満たすものである請求項５に記載の表示デバイス。
１≦ＣＸ １ ＋ＣＸ ３ ≦６……（II）
［式中、ＣＸ １ はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣＸ ３ は、アルミニウム合金中のＦｅ，Ｃｏの含有量（原子％）をそれぞれ表す］ - 前記画素電極が、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）もしくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）である請求項１〜７のいずれかに記載の表示デバイス。
- ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極、および、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記画素電極は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗからなる高融点金属を介さずに直接接続しており、前記アルミニウム合金膜が、合金成分としてＮｉを０．１〜６原子％含むものであり、前記アルミニウム合金膜と画素電極が直接接触した接触界面において、前記Ｎｉの一部または全部が濃化層として存在しており、該濃化層は、アルミニウム合金膜の表面から１〜１０ｎｍの厚さ域におけるＮｉ含有量が、アルミニウム合金膜内部の平均Ｎｉ含有量を超え、該平均Ｎｉ含有量＋８原子％以下であるＮｉ濃化層を有していることを特徴とする表示デバイス。
- 前記アルミニウム合金膜が反射膜として機能する請求項１〜９のいずれかに記載の表示デバイス。
- 前記アルミニウム合金膜をタブ接続電極として使用する請求項１〜９のいずれかに記載の表示デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005350595A JP4886285B2 (ja) | 2002-12-19 | 2005-12-05 | 表示デバイス |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002368786 | 2002-12-19 | ||
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Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003274288A Division JP3940385B2 (ja) | 2002-12-19 | 2003-07-14 | 表示デバイスおよびその製法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006194468A Division JP2006339666A (ja) | 2002-12-19 | 2006-07-14 | アルミニウム合金膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2011149596A Division JP2011209756A (ja) | 2002-12-19 | 2011-07-05 | 表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006100856A JP2006100856A (ja) | 2006-04-13 |
| JP2006100856A5 true JP2006100856A5 (ja) | 2006-08-31 |
| JP4886285B2 JP4886285B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=36240303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005350595A Expired - Fee Related JP4886285B2 (ja) | 2002-12-19 | 2005-12-05 | 表示デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4886285B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4728170B2 (ja) | 2006-05-26 | 2011-07-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスおよびアクティブマトリクス型表示装置 |
| US20090001373A1 (en) * | 2007-06-26 | 2009-01-01 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) | Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit |
| JP5215620B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2013-06-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイス、表示装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP5159558B2 (ja) * | 2008-10-28 | 2013-03-06 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2733006B2 (ja) * | 1993-07-27 | 1998-03-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP3365954B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2003-01-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体電極用Ａｌ−Ｎｉ−Ｙ 合金薄膜および半導体電極用Ａｌ−Ｎｉ−Ｙ 合金薄膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP4458563B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2010-04-28 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
| JP2000294556A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Hitachi Metals Ltd | ドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線膜およびＡｌ合金配線膜形成用ターゲット |
| JP2001350159A (ja) * | 2000-06-06 | 2001-12-21 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2003089864A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材 |
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