KR950702088A - 전기발광 디스플레이용의 저 저항성, 열안정성 전극 구조물(low resistance, thermally stable electrode structure for electroluminescent displays) - Google Patents

전기발광 디스플레이용의 저 저항성, 열안정성 전극 구조물(low resistance, thermally stable electrode structure for electroluminescent displays)

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KR950702088A
KR950702088A KR1019940704508A KR19940704508A KR950702088A KR 950702088 A KR950702088 A KR 950702088A KR 1019940704508 A KR1019940704508 A KR 1019940704508A KR 19940704508 A KR19940704508 A KR 19940704508A KR 950702088 A KR950702088 A KR 950702088A
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캐롤 로저
제이. 브랜시포르테 에밀리오
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죤케이, 윌리암슨
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Abstract

전기발광 디스플레이는 투명 전극(4), 및 상기 투명 전극(4)과 전기 접촉하도록 상기 투명 전극의 일부위에 형성된 금속 보조 구조물(6)을 포함한다. 금속 보조 구조물(6)은 제1굴절 금속층(10), 상기 제1굴절 금속층(10)상에 형성된 주 전도체층(12), 및 상기 주 전도체층(12)상에 형성된 제2굴절 금속층(14)을 포함한다. 상기 제1및 제2굴절 금속층들(10),(14)은 전기발광 디스플레이가 어닐링되어 형광층(18)을 활성화시킬때 상기 주전도체층(12)을 산화로 부터 보호할수 있다.
또다른 실시태양으로, 상기 전기방광 디스플레이는 기판(2) 및 상기 기판(2)상에 형성된 금속 전극(22)을 포함한다. 상기 금속 전극(22)은 제1굴절 금속층(10), 상기 제1굴절 금속층(10)상에 형성된 주 전도체층(12), 및 상기 주 전도체층(12)상에 형성된 제2굴절 금속층(14)을 포함한다.

Description

전기발광 디스플레이용의 저 저항성, 열안정성 전극 구조물(LOW RESISTANCE, THERMALLY STABLE ELECTRODE STRUCTURE FOR ELECTROLUMINESCENT DISPLAYS)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 ELD의 횡단면도이다,
제3도는 본 발명의 단일 ITO라인 및 관련된 금속 보조 구조물의 확대된 횡단면도이다,
제4도는 본 발명의 ELD의 또다른 실시태양의 횡단면도이다.

Claims (44)

  1. 제1굴줄 금속층, 상기 제1굴절 금속층상에 형성된 주 전도체층, 및 상기 주 전도체층상에 형성된 제2굴절금속층(상기 제1 및 제2굴절 금속층은 전기발광 디스플레이가 어닐링되어 형광층을 화성화시킬때 상기 주 전도 체층을 산화로 부터 보호할수 있다)을 포함하는 금속 보조 구조물이 투명 전극과 전기 접촉하도록 상기 투명 전극의 일부위에 형성된 상기 금속 보조 구조물을 특징으로 하는, 투명 전극을 포함하는 전기발광 디스플레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명 전극이 유리 패널상에 형성되고, 상기 금속 보조 구조물이 또한 상기 유리 패널의 일부위에 형성된 전기발광 디스플레이.
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속 보조 구조물이 상기 투명 전극을 약10%이하로 덮고 있는 전기발광 디스플레이.
  4. 제1항에 있어서, 상기 굴절 금속이 W, Mo, Ta, Rh 및 OS로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 전기발광 디스플레이.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2굴절 금속층들이 각각 약20nm 내지 약40nm의 두께인 전기발광 디스플레이.
  6. 제1항에 있어서, 상기 주 전도체가 Al, Cu, Ag 및 Au로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 전기발광 디스플레이.
  7. 제1항에 있어서, 상기 주 전도체층이 약 50nm 내지 약 260nm의 두께인 전기발광 디스플레이.
  8. 제1항에 있어서, 상기 금속 보조 구조물이 상기 제1굴절 금속층과 투명 전극사이에 형성된, 상기 제1금속층과 투명 전극에 접착할 수 있는 접착층을 또한 포함하는 전기발광 디스플레이.
  9. 제8항에 있어서, 상기 접착층이 Cr, V 및 Ti로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 전기발광 디스플레이.
  10. 제8항에 있어서, 상기 접착층이 약 10nm 내지 약 20nm의 두께인 전기발광 디스플레이.
  11. 제8항에 있어서, 상기 투명전극이 인듐-주석 옥사이드이고, 상기 접착층이 Cr이고, 상기 제1 및 제2굴절 금속층들이 W이고, 상기 주 전도체층이 A1인 전기발광 디스플레이.
  12. 제1굴절 금속층, 상기 제1굴절 금속층상에 형성된 주 전도체층, 및 상기 주 전도체층상에 형성된 제2굴절 금속층(상기 제1 및 제2굴절 금속층은 전기발광 디스플레이가 어닐링되어 형광층을 활성화시킬 때 상기 주 전도체층을 산화로 부터 보호할 수 있다)를 포함하는 금속 전극을 특징으로 하는, 기판 및 상기 기판상에 형성된 금속 전극을 포함하는 전기발광 디스플레이.
  13. 제12항에 있어서, 상기 굴절 금속이 W, Mo, Ta, Rh 및 OS로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 전기발광 디스플레이.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제1 및 제2굴절 금속층들이 각각 약20nm 내지 약40nm의 두께인 전기발광 디스플레이.
  15. 제12항에 있어서, 상기 주 전도체가 Al, Cu, Ag 및 Au로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 전기발광 디스플레이.
  16. 제12항에 있어서, 상기 주 전도체층이 약 50nm 내지 약 260nm의 두께인 전기발광 디스플레이.
  17. 제12항에 있어서, 상기 금속 보조 구조물이 상기 제1굴절 금속층과 투명 전극사이에 형성된, 상기 제1금속층과 투명 전극에 접착할 수 있는 접착층을 또한 포함하는 전기발광 디스플레이.
  18. 제17항에 있어서, 상기 접착층이 Cr, V 및 Ti로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 전기발광 디스플레이.
  19. 제17항에 있어서, 상기 접착층이 약 10nm 내지 약 20nm의 두께인 전기발광 디스플레이.
  20. 제17항에 있어서, 상기 접착층이 Cr이고, 상기 제1 및 제2굴절 금속층들이 W이고, 상기 주 전도체층이 A1인 전기발광 디스플레이.
  21. 제1굴절 금속층, 상기 제1굴절 금속층상에 형성된 주 전도체층, 및 상기 주 전도체층상에 형성된 제2굴절 금속층(상기 제1 및 제2굴절 금속층은 전기발광 디스플레이가 어닐링되어 형광층을 활성화시킬 때 상기 주 전도체층을 산화로 부터 보호할 수 있다)를 포함하는 금속 보조 구조들을 투명 전극위에 형성시킴을 포함하는.상기 투명 전극을 포함하는 전기발광 디스플레이의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 금속 보조 구조물을 (a) 굴절 금속의 제1층, 전기 전도성 금속 또는 합금층 및 굴절 금속의 제2층을 상기 투명 전극위에 차례로 부착시키고, (b) 상기 단계(a)에서 부착된 각 층의 일부를 차례로 제거하여 목적하는 외형을 갖는 금속 보조 구조물을 생성시킴으로써 제조하는 방법.
  23. 제21항에 있어서, 상기 투명 전극을 먼저 유리 패널상에 형성시키고, 상기 금속 보조 구조물을 또한 상기 유리 패널의 일부위에 형성시키는 방법.
  24. 제21항에 있어서, 상기 금속 보조 구조물이 상기 투명 전극의 약 10%이하를 덮는 방법.
  25. 제21 있어서, 상기 굴절 금속이 W, Mo, Ta, Rh 및 OS로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 방법.
  26. 제21항에 있어서, 상기 제1 및 제2굴절 금속층들이 각각 약 20nm 내지 약40nm 의 두께인 방법.
  27. 제21항에 있어서, 상기 주 전도체가 Al, Cu, Ag 및 Au로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 방법.
  28. 제21항에 있어서, 상기 주 전도체층의 약 50nm 내지 약260nm의 두께인 방법.
  29. 제21항에 있어서, 상기 금속 보조 구조물을 (a) 접착층, 굴절 금속의 제1층, 전기 전도성 금속 또는 합금층 및 굴절 금속의 제2층을 상기 투명 전극위에 차례로 부착시키고, (b) 상기 단계(a)에서 부착된 각 층의 일부를 차례로 제거하여 목적하는 외형을 갖는 금속 보조 구조물을 생성시킴으로써 제조하는 방법.
  30. 제29항에 잇어서, 상기 접착층이 Cr, V 및 Ti로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 방법.
  31. 제2항에 있어서,상기 접착층이 약 10nm내지 약 20nm의 두께인 방법.
  32. 제29항에 있어서, 상기 투명 전극이 인듐-주석 옥사이드이고, 상기 접착층이 Cr이고, 상기 제1 및 제2굴절 금속층들이 W이고, 상기 주 전도체층이 Al인 방법.
  33. (a) 인듐-주석 옥사이드층의 원의 부분을 H2O약 1000㎖, HCL 약 2000㎖무수 FeCl3약 370g의 용갱에 상당하는 부식제로 에칭시킴으로써 상기 인듐-주석 옥사이드층으로 부터 다수개의 인듐-주석 옥사이드 전극을 형성시키는 단계, (b) 상기 인듐-주석 옥사이드 전극위에 Cr 층, 제1W층, Al층 및 제2W층을 차례로 부착시키는 단계, (c) 상기 제2W층의 원위 부분을 H2O약 400㎖, 30중량%의 H2O2용액 약5㎖, KH2PO4약 3g 및 KOH 약 2G의 용액에 상당하는 부식제로 에칭시키는 단계, (d) 상기 Al층의 원위 부분을 H2O약 25㎖, H3PO4약 160㎖, HNO3약 10㎖ 및 CH3COOH 약 6㎖의 용액에 상당하는 부식제로 에칭시키는 단계, (e) 상기 제1W 층의 원위 부분을 H2O 약 400㎖, 30중량%의 H2O용액 5㎖ KH2PO4약 3g 및 KOH 약 2G의 용액에 상당하는 부식제로 에칭시키는 단계, 및 (f)상기 Cr층의 원위 부분을 HCIO4및 Ce(NH4)2(NO3)6을 포함하는 부식제로 에칭시키는 단계(상기 단계들(c),(d),(e) 및(f)는 각각의 인듐-주석 옥사이드 전극상에 금속 보조 스트립을 형성시킨다)를 포함하는, 인듐-주석 옥사이드 층으로 덮인 유리 패널로 부터 전기발광 디스플레이를 제조하는 방법.
  34. 제1굴절 금속층, 상기 제1굴절 금속층상에 형성된 주 전도체층 및 상기 주 전도체층상에 형성된 제2굴절금속층(상기 제1및 제2굴절 금속층은 전기발광 디스플레이가 어닐링되어 형광층을 활성화시킬 대 상기 주 전도체층을 산화로 부터 보호할수 있다)을 포함하는 금속 전극을 기판상에 형성시킴을 포함하는, 전기발광 디스플레이 제조 방법.
  35. 제34항에 있어서, 상기 금속 보조 구조물을 (a) 굴절 금속의 제1층, 전기 전도성 금속 또는 합금층 및 굴절 금속의 제2층을 상기 투명 전극위에 차례로 부착시키고, (b) 상기 단계(a)에서 부착된 각 층의 일부를 차례로 제거하여 목적하는 외형을 갖는 금속 보조 구조물을 생성시킴으로써 제조하는 방법.
  36. 제34항에 있어서, 상기 굴절 금속이 W, Mo, Ta, Rh 및 OS로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 방법.
  37. 제34항에 있어서, 상기 제1 및 제2굴절 금속층들이 각각 약 20nm 내지 약40nm 의 두께인 방법.
  38. 제34항에 있어서, 상기 주 전도체가 Al, Cu, Ag 및 Au로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 방법.
  39. 제34항에 있어서, 상기 주 전도체층의 약 50nm 내지 약260nm의 두께인 방법.
  40. 제34항에 있어서, 상기 금속 보조 구조물을 (a) 접착층, 굴절 금속의 제1층, 전기 전도성 금속 또는 합금층 및 굴절 금속의 제2층을 상기 투명 전극위에 차례로 부착시키고, (b) 상기 단계(a)에서 부착된 각 층의 일부를 차례로 제거하여 목적하는 외형을 갖는 금속 보조 구조물을 생성시킴으로써 제조하는 방법.
  41. 제40항에 잇어서, 상기 접착층이 Cr, V 및 Ti로 이루어진 그룹중에서 선택된 물질을 포함하는 방법.
  42. 제40항에 있어서, 상기 접착층이 약 10nm 내지 약 20nm의 두께인 방법.
  43. 제40항에 있어서, 상기 접착층이 Cr이고, 상기 제1 및 제2굴절 금속층들이 W이고, 상기 주 전도체층이 Al인 방법.
  44. (a) Cr 층, 제1W층, Al층 및 제2W층을 차례로 기판위에 부착시키는 단계, (b)상기 제2W층의 원위 부분을 H2O 약 400㎖, 30중량%의 H202용액 약 5㎖, KH2PO4약 3g 및 KOH 약 2g의 용액에 상당하는 부식제로 에칭시키는 단계, (c) 상기 Al 층의 원위 부분을 H2O 약 25㎖, H2PO4약 160㎖, HNO3약 10㎖ 및 CH3COOH 약 6㎖의 용액에 상당하는 부식제로 에칭시키는 단계, (d) 상기 제1W층의 원위 부분을 H2O 약 400㎖, 30중량%의 H2O2용액 약 5㎖, KH2PO4약 3g 및 KOH 약 2g의 용액에 상당하는 부식제로 에칭하는 단계, 및 (e) 상기 Cr 층의 원위 부분을 HClO4및 Ce(NH4)2(NO3)6을 포함하는 부식제로 에칭시키는 단계(상기 단계들 (b), (c), (d), 및 (e)는 상기 기판상에 다수개의 금속 전극을 형성시킨다)를 포함하는, 전기발광 디스플레이의 제조 방법.
    참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994014298A1 (en) * 1992-12-14 1994-06-23 Westinghouse Electric Corporation Sunlight viewable thin film electroluminescent display having darkened metal electrodes
US5517080A (en) * 1992-12-14 1996-05-14 Westinghouse Norden Systems Inc. Sunlight viewable thin film electroluminescent display having a graded layer of light absorbing dark material
US5445899A (en) * 1992-12-16 1995-08-29 Westinghouse Norden Systems Corp. Color thin film electroluminescent display
US5445898A (en) * 1992-12-16 1995-08-29 Westinghouse Norden Systems Sunlight viewable thin film electroluminescent display
CA2151465A1 (en) * 1992-12-23 1994-07-07 Russell A. Budzilek High contrast thin film electroluminescent display
US5578225A (en) * 1995-01-19 1996-11-26 Industrial Technology Research Institute Inversion-type FED method
US5601467A (en) * 1995-06-19 1997-02-11 Northrop Grumman Corporation Method for manufacturing a low resistant electroluminescent display device
US5646480A (en) * 1995-06-19 1997-07-08 Northrop Grumman Corporation Metal assist structure for an electroluminescent display
US5929523A (en) * 1996-03-07 1999-07-27 3C Semiconductor Corporation Os rectifying Schottky and ohmic junction and W/WC/TiC ohmic contacts on SiC
US6388272B1 (en) 1996-03-07 2002-05-14 Caldus Semiconductor, Inc. W/WC/TAC ohmic and rectifying contacts on SiC
JPH103987A (ja) * 1996-06-12 1998-01-06 Futaba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6091195A (en) * 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6154188A (en) * 1997-04-30 2000-11-28 Candescent Technologies Corporation Integrated metallization for displays
JPH11144877A (ja) * 1997-11-10 1999-05-28 Fuji Electric Co Ltd 有機発光素子
US5986391A (en) * 1998-03-09 1999-11-16 Feldman Technology Corporation Transparent electrodes
US6496234B1 (en) * 1999-09-16 2002-12-17 Lg Lcd, Inc. Liquid crystal panel having etched test electrodes
JP4345153B2 (ja) 1999-09-27 2009-10-14 ソニー株式会社 映像表示装置の製造方法
US20030025446A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-06 Hung-Yi Lin Manufacturing method and structure of OLED display panel
TW548862B (en) * 2002-05-30 2003-08-21 Au Optronics Corp Method of preventing anode of active matrix organic light emitting diode from breaking
WO2004040649A1 (ja) * 2002-11-01 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
EP1648033A3 (en) 2004-10-14 2008-04-23 LG Electronics Inc. Organic Electro-Luminescence display device and method of fabricating the same
KR100865445B1 (ko) * 2006-05-10 2008-10-28 주식회사 엘지화학 유기 전자 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 유기전자 소자
KR100870653B1 (ko) * 2007-11-27 2008-11-26 엘지전자 주식회사 유기전계발광소자
US8980677B2 (en) * 2009-12-02 2015-03-17 University Of South Florida Transparent contacts organic solar panel by spray
EP2658350B1 (en) * 2010-12-24 2019-11-13 Nec Lighting, Ltd. Organic electroluminescent element

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4066925A (en) * 1976-08-03 1978-01-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electroluminescent lamp and electrode preform for use therewith
US4736229A (en) * 1983-05-11 1988-04-05 Alphasil Incorporated Method of manufacturing flat panel backplanes, display transistors and displays made thereby
JPS6089573A (ja) * 1983-10-20 1985-05-20 Ricoh Co Ltd 透明導電膜
JPH0682839B2 (ja) * 1984-08-21 1994-10-19 セイコー電子工業株式会社 表示用パネルの製造方法
US4719152A (en) * 1984-09-21 1988-01-12 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Transparent conductive layer built-up material
US4670097A (en) * 1985-12-23 1987-06-02 Gte Products Corporation Method for patterning transparent layers on a transparent substrate
US4693906A (en) * 1985-12-27 1987-09-15 Quantex Corporation Dielectric for electroluminescent devices, and methods for making
US4894116A (en) * 1987-05-20 1990-01-16 Planar Systems, Inc. Phosphor only etching process for TFEL panel having multiple-colored display
JPH01134895A (ja) * 1987-11-20 1989-05-26 Nec Corp 薄膜ｅｌパネル

Also Published As

Publication number Publication date
WO1993026139A3 (en) 1994-04-14
US5559399A (en) 1996-09-24
EP0645073B1 (en) 1998-09-09
TW311798U (en) 1997-07-21
WO1993026139A2 (en) 1993-12-23
JPH08505257A (ja) 1996-06-04
EP0645073A1 (en) 1995-03-29
ATE171036T1 (de) 1998-09-15
CA2137804A1 (en) 1993-12-23
US5445711A (en) 1995-08-29
DE69320960D1 (de) 1998-10-15
DE69320960T2 (de) 1999-05-27

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