JP2006099836A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006099836A JP2006099836A JP2004282031A JP2004282031A JP2006099836A JP 2006099836 A JP2006099836 A JP 2006099836A JP 2004282031 A JP2004282031 A JP 2004282031A JP 2004282031 A JP2004282031 A JP 2004282031A JP 2006099836 A JP2006099836 A JP 2006099836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bit line
- capacitor
- potential
- line
- dummy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】第1及び第2のワード線と、第1及び第2のビット線と、第1のワード線と第1のビット線に接続された第1のメモリセルと、第2のワード線と第2のビット線に接続された第2のメモリセルと、第1と第2のビット線の間に接続されたセンスアンプと、第1の蓄積電極と第1のプレート電極を有し、第1の蓄積電極が第1のビット線に接続された第1のキャパシタと、第2の蓄積電極と第2のプレート電極を有し、第2の蓄積電極が第2のビット線に接続された第2のキャパシタとを具備し、第1と第2のビット線が、第1のビット線には“1”データが読み出され、第2のビット線には“0”データが読み出される相補関係にあるとき、センスアンプが動作する前に、“0”データが読み出される第2のビット線に接続される第2のキャパシタのプレート電極の電位を上昇させる。
【選択図】 図1
Description
図2は、本発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置の回路図で、図3は、その動作のタイミング図である。第1の実施形態は、上述の(1)の方法を採用し、2T2Cモードにより、メモリセルアレイから相補信号を1対のビット線に読み出し、“0”信号が読み出された第1のビット線の“0”信号量分布を、これと相補な“1”信号が読み出された第2のビット線の“1”信号量分布の方向に電位的に移動させ、その後センスアンプでセンスすることにより、動作マージンの少ないチップをスクリーニングする。
図4は本発明の第2の実施形態に係る半導体記憶装置の回路図、図5はその動作タイミング図である。第2の実施形態は、前述の(2)の方法を具体化したものである。図2の第1の実施形態と異なるところは、ダミーワード線DWL<1>で制御されるMOSトランジスタQ11の導通路の一端(ソース)とダミーキャパシタC11の蓄積電極との接続ノードに、導通路の一端(ドレイン)が接続され、ゲートにダミープリチャージ線DPr<1>が接続されたMOSトランジスタQ13,及びダミーワード線DWL<0>で制御されるMOSトランジスタQ12の導通路の一端(ソース)とダミーキャパシタC12の蓄積電極との接続ノードに、導通路の一端(ドレイン)が接続され、ゲートにダミープリチャージ線DPr<0>が接続されたMOSトランジスタQ14が追加されたことである。
第3の実施形態の構成は、第2の実施形態(図4)と同じで、動作タイミングが図6に示すように異なる。第3の実施形態は、前述の(3)の方法を応用するものである。具体的には、“0”信号が読み出される側のビット線/BLに接続されているダミーキャパシタC12にのみ、VPr<0>を電位VPr(“H”)にしたままとすることで、DPr<0>“H”時に、ダミーキャパシタC12に正の電位VPrをプリチャージしておき、“1”信号が読み出される側のダミーキャパシタC11には、VPr<1>をVSSにすることで、DPr<1>“H”時に、0Vをプリチャージしておく。
図7に本発明の第4の実施形態に係る半導体記憶装置の回路図、図8にその動作タイミング図を示す。本実施形態では、第4の実施形態は前述の(3)の方法を応用するものである。
図10は本発明の第5の実施形態に係る半導体記憶装置の回路図であり、図11はその動作タイミング図である。第1乃至第4の実施形態は、1T1Cモードにおける参照電位発生用のダミーキャパシタを、2T2Cモードに応用する形態をを考えたが、第5の実施形態ではNMOSトランジスタ等のスイッチを介さず、ビット線BL,/BLに付加されている容量C15,C16を通じて、カップリングによりビット線BL,/BLの電位を持ち上げるものである。
第6の実施形態は、図10の回路構成を用いて他の動作モードを実現するもので、その動作タイミング図を図12に示す。第6の実施形態は、NMOSトランジスタ等のスイッチを介さず、直接ビット線に付加された容量を利用してビット線電位を上昇させるという点では第5の実施形態と同様である。異なる点は、“0”信号が読み出されるビット線/BLはカップリングにより電位を上昇させるが、“1”信号が読み出されるビット線BLはカップリングにより電位を下降させることである。
第7の実施形態は、図2、4または7の回路構成を用いて、第1〜第3の実施形態とは異なるテストモードを実現する方法を示す。第6の実施形態では、NMOSトランジスタ等のスイッチを介さず、直接ビット線の付加容量を利用することにより、カップリングによりビット線電位を上下させる構成を示したが、図2、4または7の回路構成におけるNMOSトランジスタQ11,Q12を介して、ダミーキャパシタC11,C12をビット線BL,/BLに接続することもできる。図13にその動作タイミングを示す。
FC1,FC2、C0〜C7…強誘電体キャパシタ
PC1、PC2…常誘電体キャパシタ
C11〜C14…キャパシタ
S/A…センスアンプ
MA、MA´…メモリセルアレイ
TMR1、TMR2…磁気抵抗効果素子
Claims (6)
- 第1の方向に延在する第1及び第2のワード線と、
前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第1及び第2のビット線と、
前記第1のワード線と前記第1のビット線に接続された第1のメモリセルと、
前記第2のワード線と前記第2のビット線に接続された第2のメモリセルと、
前記第1と第2のビット線の間に接続されたセンスアンプと、
第1の蓄積電極と第1のプレート電極を有し、前記第1の蓄積電極が前記第1のビット線に接続された第1のキャパシタと、
第2の蓄積電極と第2のプレート電極を有し、前記第2の蓄積電極が前記第2のビット線に接続された第2のキャパシタと、
前記第1のキャパシタの前記第1のプレート電極に接続された第1の配線と、
前記第2のキャパシタの前記第2のプレート電極に接続された第2の配線と、
を具備し、
前記第1と第2のビット線が相補関係にあり、前記第1のビット線に“0”データが読み出されるとき、前記第1のキャパシタにおいて、前記センスアンプが動作する前に前記第1の配線を通じて前記第1のプレート電極の電位を上昇させる動作を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1のプレート電極の電位を前記第1の配線を通じて上昇させる動作と同時に、前記第2のプレート電極の電位を前記第2の配線を通じて下降させる動作を有することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記第1のビット線と前記第1のキャパシタの前記第1の蓄積電極との間に接続され、第1の導通路と第1のゲート電極を有する第1のMOSトランジスタと、
前記第2のビット線と前記第2のキャパシタの前記第2の蓄積電極との間に接続され、第2の導通路と第2のゲート電極を有する第2のMOSトランジスタと、
前記第1のゲート電極に接続された第1のダミーワード線と、
前記第2のゲート電極に接続された第2のダミーワード線と、
を更に具備することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1のキャパシタの前記第1の蓄積電極に接続された第1のプリチャージ手段と、
前記第2のキャパシタの前記第2の蓄積電極に接続された第2のプリチャージ手段と、
をさらに具備し、前記第1のプリチャージ手段にプリチャージされた電荷が、前記“0”データが読み出された前記第1のビット線に注入されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - 前記第1のキャパシタの前記第1のプレート電極に接続された第1のダミープレート線と、
前記第2のキャパシタの前記第2のプレート電極に接続された第2のダミープレート線と、
を具備し、
前記第1と第2のビット線が相補関係にあり、“0”データが前記第1のビット線に読み出されるとき、前記第1のダミープレート線が駆動されることを特徴とすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - “0”データが前記第1のビット線に読み出され、“1”データが前記第2のビット線に読みだされるときに、前記第1のダミープレート線電位を持ち上げ、前記第2のダミープレート線電位を下降させることを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004282031A JP4160547B2 (ja) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 半導体記憶装置 |
US11/037,109 US7061788B2 (en) | 2004-09-28 | 2005-01-19 | Semiconductor storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004282031A JP4160547B2 (ja) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006099836A true JP2006099836A (ja) | 2006-04-13 |
JP4160547B2 JP4160547B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=36098843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004282031A Expired - Fee Related JP4160547B2 (ja) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7061788B2 (ja) |
JP (1) | JP4160547B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008059654A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 強誘電体半導体記憶装置 |
US9892776B2 (en) * | 2016-06-13 | 2018-02-13 | Micron Technology, Inc. | Half density ferroelectric memory and operation |
US11764255B2 (en) * | 2021-04-28 | 2023-09-19 | National Central University | Memory circuit, memory device and operation method thereof |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100275109B1 (ko) * | 1997-12-23 | 2000-12-15 | 김영환 | 강유전체메모리장치및그동작방법 |
JP4421009B2 (ja) | 1999-06-02 | 2010-02-24 | 株式会社東芝 | 強誘電体メモリ |
US6392916B1 (en) * | 1999-10-01 | 2002-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit for providing an adjustable reference voltage for long-life ferroelectric random access memory device |
JP3829041B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2006-10-04 | 株式会社東芝 | 強誘電体メモリ |
JP2002216498A (ja) | 2001-01-18 | 2002-08-02 | Rohm Co Ltd | 強誘電体記憶装置 |
-
2004
- 2004-09-28 JP JP2004282031A patent/JP4160547B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-19 US US11/037,109 patent/US7061788B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7061788B2 (en) | 2006-06-13 |
JP4160547B2 (ja) | 2008-10-01 |
US20060067100A1 (en) | 2006-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102314663B1 (ko) | 2 트랜지스터-1 커패시터 메모리를 포함하고 이를 액세스하기 위한 장치 및 방법 | |
JP3961680B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6721198B2 (en) | Nonvolatile ferroelectric memory device and driving method thereof | |
KR100444560B1 (ko) | 강유전체기억장치 | |
JP4421009B2 (ja) | 強誘電体メモリ | |
KR960001325B1 (ko) | 반도체 메모리 | |
JP3848806B2 (ja) | オン−チップテスト回路を備えた強誘電体メモリ装置 | |
JP5108206B2 (ja) | 低電圧用半導体メモリ装置 | |
US7280384B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP3780713B2 (ja) | 強誘電体メモリ、強誘電体メモリの製造方法及び強誘電体メモリの試験方法 | |
KR100506338B1 (ko) | 리프레시 동작이 불필요한 메모리셀을 구비한 반도체 기억장치 | |
JP4253734B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置およびその装置からのデータ読み出し方法 | |
JP4109465B2 (ja) | 強誘電体ランダムアクセスメモリ装置のデータ感知方法 | |
JPH1116354A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100791367B1 (ko) | 게인 셀 디램 장치에서 읽기 비트라인 클램핑을 위한 방법및 장치 | |
JP5490359B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100649351B1 (ko) | 저전압용 반도체 메모리 장치 | |
JP2003281883A (ja) | 半導体記憶装置及びその駆動方法 | |
JP4160547B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2000311482A (ja) | 強誘電体ランダムアクセスメモリ | |
JP2000048576A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR100876900B1 (ko) | 센스 앰프와 그의 구동 방법 | |
JP2000040376A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR101319529B1 (ko) | 감지 증폭기를 포함하는 메모리 장치 및 그의 구동 방법 | |
JP2001014898A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071225 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080408 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080715 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080717 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130725 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |