JP2006098071A - 欠陥検出装置及び欠陥検出方法並びにパターン基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
高感度で欠陥検出をすることができる欠陥検出装置及び欠陥検出方法ならびにパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる欠陥検出装置は、光源1と、光源1からの光ビームを集光して試料4に入射させる対物レンズ3と、試料表面からの反射光を受光し、出力信号を出力する検出器6と、光ビームと反射光とを分離するビームスプリッタ2と、光ビームを走査する走査手段と、ビームスプリッタと光検出器との間の光路中に配置され、試料における光ビームの走査方向と対応する方向の片側半分の光路を遮光する遮光板7とを備え、欠陥判定を行うための基準となる欠陥箇所における出力信号に基づく基準信号と、試料上を走査したときの出力信号に基づく検出信号との相関値に基づいて欠陥か否かを判定するものである。
【選択図】 図1
Description
前記検出信号を構成する2つの検出データが前記基準データの時間間隔となるよう前記出力信号を遅延するものである。これにより、高感度で欠陥検出を行うことができる。
本発明にかかる欠陥検出装置について図1を用いて説明する。図1は本発明にかかる欠陥検出装置の一例を模式的に示す図である。本実施の形態では共焦点光学系を用いた欠陥検出装置を示している。ここでは、試料であるマスクブランクスで検出された欠陥が凸状欠陥であるか否かを判定する例について説明する。1は光源、2はビームスプリッタ、3は対物レンズ3は試料、5はピンホール、6は検出器、7は遮光板、8はXYステージ、9は処理装置である。図1(a)は凸状欠陥の徐々に高くなる傾斜面を光スポットが走査する様子を示す図である。図1(b)は凸状欠陥の徐々に低くなる傾斜面を光スポットが走査する様子を示す図である。また、図1において、光束を示す線のうち、実線は、対物レンズ3の焦点面に位置する平坦な試料表面からの仮想した反射光を示し、破線は欠陥の傾斜面からの反射光を示す。なお、図1において説明を明確にするため、試料4及びXYステージ8を拡大して図示している。
発明の実施の形態2.
発明の実施の形態3.
6 検出器、7 遮光板、8XYステージ、9 処理装置、10 信号波形
11 基準信号算出部、12 基準信号記憶部、13 検出信号記憶部、
14 相関値算出部、15 相互相関関数記憶部、16 欠陥種別判定部、
16 欠陥サイズ判定部、21 A/D変換器、22 シフトレジスタ、
23 レジスタ、24 乗算器、25 加算器、26 コンパレータ、
27 スライスレベルレジスタ、31 遅延素子、32 増幅器、33 非反転増幅器、34 反転増幅器、35 抵抗、36 スイッチ、37 乗算器、38 増幅器、
39 比較器、40 可変電圧電源、51 遅延素子、52 減算器、53 比較器、
54 可変電圧電源、61 基準データ、61 基準信号の信号波形、
71 検出データ、72 検出信号の信号波形
Claims (13)
- 光ビームを発生する光源と、
前記光ビームを集光して試料に入射させる対物レンズと、
前記対物レンズから前記試料に入射した光ビームのうち前記試料の表面で反射した反射光を受光し、受光した前記反射光に基づく出力信号を出力する光検出器と、
前記光源から試料に向かう光ビームと前記試料から前記光検出器に向かう反射光とを分離するビームスプリッタと、
前記光ビームの前記試料との相対位置を走査する走査手段と、
前記ビームスプリッタと前記光検出器との間の光路中に配置され、前記試料における前記光ビームの走査方向と対応する方向の片側半分の光路を遮光する遮光板と、
欠陥判定を行うための基準となる欠陥箇所における前記出力信号に基づく基準信号と、前記相対位置を走査したときの前記出力信号に基づく検出信号との相関値を算出する相関値算出部と、
前記相関値に基づいて欠陥か否かを判定する欠陥判定部とを備える欠陥検出装置。 - 前記基準信号を記憶する基準信号記憶部をさらに備え、
前記基準信号記憶部に記憶された前記基準信号を構成する前記基準データに基づいて前記相関値を算出する請求項1記載の欠陥検出装置。 - 欠陥判定を行うための基準となる欠陥箇所における前記出力信号に基づいて前記基準信号を算出する基準信号算出部をさらに備え、
前記基準信号算出部で第1の欠陥に対応する第1の基準信号と、前記第1の欠陥と異なる種類の第2の欠陥に対する第2の基準信号を算出し、
前記基準信号記憶部に前記第1の基準信号及び第2の基準信号を記憶させ、
前記相関値算出部が前記第1の基準信号に基づいて第1の相関値を算出するとともに、前記第2の基準信号に基づいて第2の相関値を算出し、
前記欠陥判定部が第1の相関値に基づいて前記第1の欠陥と同種の欠陥が存在するか否かを判定するとともに、前記第2の相関値に基づいて前記第2の欠陥と同種の欠陥が存在するか否かを判定する請求項1又は2記載の欠陥検出装置。 - 前記検出信号を構成する検出データがアナログデータであることを特徴とする請求項1、2又は3に記載の欠陥検出装置。
- 前記相対位置を走査したときの前記出力信号を遅延素子により遅延して前記検出データを生成する請求項4に記載の欠陥検出装置。
- 前記基準となる欠陥箇所における出力信号が少なくとも2つのピークを有し、
前記2つのピークの時間間隔に基づいて前記基準信号を構成する2つの基準データの時間間隔が決定され、
前記相対位置を走査したときの前記出力信号を前記遅延素子で前記2つのピークの時間間隔に対応する時間遅延して2つの検出データを生成し、
前記検出信号が前記2つの検出データのみで構成されている請求項5記載の欠陥検出装置。 - 前記2つのピークが基準レベルに対して正のピークと負のピークとからなる請求項6記載の欠陥検出装置。
- 光ビームを集光して、試料に入射させるステップと、
前記試料に入射した光ビームのうち、前記試料で反射された反射光と前記試料に入射する光ビームとを分岐するステップと、
前記光ビームから分岐された前記反射光のうち、前記試料における前記光ビームの走査方向と対応する方向の片側半分の光を遮光するステップと、
前記光ビームの前記試料上との相対位置を走査しながら、前記遮光するステップにおいて遮光されなかった前記反射光を検出するステップと、
前記検出された反射光に基づく出力信号を出力するステップと、
欠陥判定を行うための基準となる欠陥箇所における前記出力信号に基づく基準信号を算出するステップと、
前記相対位置を走査したときの前記出力信号に基づく検出信号を算出するステップと、
前記基準信号と前記検出信号との相関値を算出するステップと、
前記相関値に基づいて欠陥か否かを判定するステップとを備える欠陥検出方法。 - 前記基準信号を算出するステップでは、第1の欠陥に対応する第1の基準信号と、前記第1の欠陥と異なる種類の第2の欠陥に対する第2の基準信号を算出し、
前記相関値を算出するステップでは、前記第1の基準信号に基づいて第1の相関値を算出するとともに、前記第2の基準信号に基づいて第2の相関値を算出し、
前記欠陥か否かを判定するステップでは、第1の相関値に基づいて前記第1の欠陥と同種の欠陥が存在するか否かを判定するとともに、前記第2の相関値に基づいて前記第2の欠陥と同種の欠陥が存在するか否かを判定する請求項8に記載の欠陥検出方法。 - 前記検出信号を構成する検出データがアナログデータにより構成されている請求項8又は9に記載の欠陥検出方法。
- 前記基準信号を算出するステップでは、前記基準となる欠陥箇所における前記出力信号の2つのピークの時間間隔に基づいて基準信号を構成する2つの基準データの時間間隔を設定し、
前記検出信号を構成する2つの検出データが前記基準データの時間間隔となるよう前記出力信号を遅延する請求項10に記載の欠陥検出方法。 - 請求項8、9、10又は11に記載の欠陥検出方法により前記試料である基板の欠陥を検出するステップと、
前記欠陥を検出するステップにより検出された欠陥を修正するステップと、
前記欠陥が修正された基板にパターンを形成するステップとを有するパターン基板の製造方法。 - 請求項8、9、10又は11に記載の欠陥検出方法により前記試料であるマスクブランクスの欠陥を検出するステップと、
前記欠陥を検出するステップにより検出された欠陥を修正するステップと、
前記欠陥が修正されたマスクブランクスにパターンを設け、マスクを製造するステップと、
前記マスクを用いて基板を露光するステップと、
前記露光された基板を現像する現像ステップを有するとを有するパターン基板の製造方法。
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