JP2006096934A - 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 発光効率が高く、かつ、長寿命となる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、該有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置を提供することである。
【解決手段】 下記一般式（Ｃ）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【化１】

（式中、Ａはアミン化合物またはホスフィン化合物を表し、Ｂはホウ素原子を表し、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は置換または無置換の芳香族基または複素環基を表す。）
【選択図】 なし

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置に関し、詳しくは発光輝度、発光効率及び耐久性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、及びそれらを有する表示装置に関する。

従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。

無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。

一方、有機ＥＬ素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、さらに、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。

今後の実用化に向けた有機ＥＬ素子の開発としては、さらに低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機ＥＬ素子が望まれているわけであり、例えば、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成する技術（例えば、特許文献１参照。）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特許文献２参照。）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特許文献３参照。）等が知られている。

上記特許文献に開示されている技術では、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が１：３であるため、発光性励起種の生成確率が２５％であることと、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取り出し量子効率（ηｅｘｔ）の限界は５％とされている。

ところが、プリンストン大より、励起三重項からのリン光発光を用いる有機ＥＬ素子の報告（例えば、非特許文献１参照。）がされて以来、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている（例えば、非特許文献２及び特許文献４参照。）。

励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が１００％となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用にも応用可能であり注目されている。

例えば、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討されている（例えば、非特許文献３参照。）。

また、ドーパントとして、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムを用いた検討がされている（例えば、非特許文献２参照。）。

その他、ドーパントとしてＬ₂Ｉｒ（ａｃａｃ）、例えば（ｐｐｙ）₂Ｉｒ（ａｃａｃ）（例えば、非特許文献４参照。）を、また、ドーパントとしてトリス（２−（ｐ−トリル）ピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｔｐｙ）₃）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリン）イリジウム（Ｉｒ（ｂｚｑ）₃）、Ｉｒ（ｂｚｑ）₂ＣｌＰ（Ｂｕ）₃等を用いた検討（例えば、非特許文献５参照。）が行われている。また、高い発光効率を得るために、ホール輸送性の化合物をリン光性化合物のホストとして用いることも行われている（例えば、非特許文献６参照。）。

また、各種電子輸送性材料をリン光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている（例えば、非特許文献４参照）。さらに、ホールブロック層の導入により高い発光効率を得ている（例えば、非特許文献５参照。）。

現在、このリン光発光を用いた有機ＥＬ素子のさらなる発光の高効率化、長寿命化が検討されている。

しかし、緑色発光については理論限界である２０％近くの外部取り出し効率が達成されているものの、低電流領域（低輝度領域）のみであり、高電流領域（高輝度領域）では、いまだ理論限界は達成されていない。その他の発光色についてもまだ十分な効率が得られておらず改良が必要であり、また、今後の実用化に向けた有機ＥＬ素子では、さらに低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。特に青色リン光発光の有機ＥＬ素子において高効率に発光する素子が求められている。

これらの問題を解決するリン光発光の有機ＥＬ素子として、特許文献５には分子内にホウ素原子を含む化合物を発光材料または電子輸送材料として用いる例が記載されているが、発光効率と発光寿命についてはまだ不十分であった。また、特許文献６には８−ヒドロキシキノリン誘導体のホウ素錯体を含む有機ＥＬ素子が記載されているが、耐久性が問題であった。
特許第３０９３７９６号明細書 特開昭６３−２６４６９２号公報 特開平３−２５５１９０号公報 米国特許第６，０９７，１４７号明細書 特開２００３−２３４１９２号公報 特開２０００−１５０１６３号公報 Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１−１５４頁（１９９８年） Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０−７５３頁（２０００年） Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年） Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎ ｅｔ ａｌ．，Ｔｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松） Ｍｏｏｎ−Ｊａｅ Ｙｏｕｎ．０ｇ，Ｔｅｔｓｕｏ Ｔｓｕｔｓｕｉ ｅｔ ａｌ．，Ｔｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松） Ｉｋａｉ ｅｔ ａｌ．，Ｔｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）

本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、発光効率が高く、かつ、長寿命となる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、該有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置を提供することである。

本発明の上記目的は下記構成により達成された。

（請求項１）
下記一般式（Ｃ）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。

（式中、Ａはアミン化合物またはホスフィン化合物を表し、Ｂはホウ素原子を表し、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は置換または無置換の芳香族基または複素環基を表す。）
（請求項２）
前記Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃が６員の芳香族環または複素環を形成するのに必要な原子群であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。

（請求項３）
前記Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃がベンゼン環であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。

（請求項４）
前記Ａが含窒素複素環化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。

（請求項５）
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

（請求項６）
リン光性発光材料を含有する発光層を有することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（請求項７）
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する正孔阻止層を有することを特徴とする請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（請求項８）
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する発光層を有することを特徴とする請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（請求項９）
青色に発光することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（請求項１０）
白色に発光することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（請求項１１）
請求項５〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。

（請求項１２）
請求項５〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。

（請求項１３）
請求項１２に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子を有することを特徴とする表示装置。

本発明により、発光効率が高く、かつ、長寿命となる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、該有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置を提供することができた。

本発明者は鋭意研究の結果、前記一般式（Ｃ）で表されるホウ素化合物が、発光効率が高く、かつ、長寿命となる有機ＥＬ素子用材料となり、これを用いた有機ＥＬ素子、照明装置及び表示装置を提供できることを見出した。

本発明のホウ素化合物はアミンまたはホスフィンと錯形成することにより、ホウ素化合物が安定化され、発光効率が高く、かつ、長寿命化が達成できたものと推定している。また、本発明のホウ素化合物は、特開２０００−１５０１６３号公報に記載の８−ヒドロキシキノリン誘導体のホウ素錯体より短波長化が可能であることから、開発が望まれている青色リン光発光の有機ＥＬ素子へ適用して高い発光効率が得られた。

以下、本発明を詳細に説明する。

《一般式（Ｃ）で表される化合物》
一般式（Ｃ）において、Ａはアミン化合物またはホスフィン化合物を表す。

Ａで表されるアミン化合物の例としては、オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、３−エチルヘキシルアミン、２，２−ジメチルヘキシルアミン、２，３−ジメチルヘキシルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、アニリン等の一級アミン化合物；ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ジオクチルアミン、ベンジルメチルアミン、ジベンジルアミン等の二級アミン化合物；オクチルジメチルアミン、ドデシルメチルアミン、ヘキサデシルジメチルアミン、オクタデシルジメチルアミン、ヤシアルキルジメチルアミン、牛脂アルキルジメチルアミン、硬化牛脂アルキルジメチルアミン、ジドデシルメチルアミン、ジオクタデシルメチルアミン、ジ牛脂アルキルメチルアミン、ジヤシアルキルメチルアミン、ドデシルテトラデシルメチルアミン、ドデシルオクタデシルメチルアミン、テトラデシルヘキサデシルメチルアミン、ドデシルメチルプロピルアミン、ヘキサデシルメチルアミン、牛脂アルキルエチルプロピルアミン、牛脂アルキルジエチルアミン、牛脂アルキルジプロピルアミン、牛脂アルキルジブチルアミン、ヤシアルキルジヘキシルアミン、トリオクチルアミン、トリデシルアミン、β−ヒドロキシドデシルジメチルアミン、β−ヒドロキシヘキサデシルジメチルアミン、β−ヒドロキシオクタデシルジメチルアミン、ジ（β−ヒドロキシヘキサデシル）メチルアミン、ジ（β−ヒドロキシオクタデシル）メチルアミン、牛脂アルキルオキシプロピルジメチルアミン、牛脂アルキルオキシプロピルジエチルアミン、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルジメチルアミン、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルジエチルアミン、３−ドデシルオキシエチルジメチルアミン、３−ヤシアルキルオキシプロピルジメチルアミン、３−ヤシアルキルオキシプロピルジエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン、ジベンジルメチルアミン等の三級アミン化合物；ピリジン、メチルピリジン、クロロピリジン、ヒドロキシピリジン、ヒドロキシカルボニルピリジン、アミノカルボニルピリジン、メトキシカルボニルピリジン、ピリミジン、ピリダジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、チアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ビピリジル、α−コリジン、β−コリジン、γ−コリジン、トリエチレンジアミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピペリジン等の含窒素複素環化合物等が挙げられるが、特に含窒素複素環化合物が好ましい。

Ａで表されるホスフィンの例としては、ビス（ジエチルアミノ）クロロホスフィン、ビス（ジイソプロピルアミノ）クロロホスフィン、ビス（２−ジフェニルホスフィノエチル）フェニルホスフィン、ビス（ペンタフルオロフェニル）フェニルホスフィン、クロロジイソプロピルホスフィン、クロロジフェニルホスフィン、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、ジクロロ（フェニル）ホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィン、ジメチル（フェニル）ホスフィン、ジフェニル（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、酸化ジクロロフェニルホスフィン、テトラフェニルジホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−（２−フリル）ホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリメシチルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ−ｎ−オクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ−ｎ−プロピルホスフィン、トリス（４−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（４−フルオロフェニル）ホスフィン、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、［トリス（トリメチルシリル）］ホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ビニルジフェニルホスフィン、ジクロロフェニルホスフィン、二臭化トリフェニルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジクロロホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、アリルジフェニルホスフィン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルクロロホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の市販のホスフィンが挙げられる。

一般式（Ｃ）において、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は各々独立に芳香族基または複素環基で表される。Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃は６員の芳香族環または複素環を形成するのに必要な原子群であることが好ましい。

Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃で表される芳香族基の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、アズレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、ペリレン環、ペンタセン環、ヘキサセン環が挙げられ、これらは置換基を有してもよい。これらのうちで好ましいのは、ベンゼン環、ナフタレン環であり、さらに好ましいのはベンゼン環である。

Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃で表される複素環基の例としては、カルバゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、チオフェン環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、イソオキサゾール、イソチアゾール環、インドール環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリン環、オキサジアゾール環が挙げられ、これらは置換基を有してもよい。これらのうちで好ましいのは、カルバゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアゾール環、オキサジアゾール環であり、さらに好ましくは、カルバゾール環、ピリジン環である。

置換基の例としては、脂肪族基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）、複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キナゾリル基、フタラジル基、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基等が挙げられる。

以下に本発明の前記一般式（Ｃ）で表されるホウ素化合物の例を示すが、これらに限定されるものではない。

以下、本発明に係る一般式（Ｃ）で表される化合物の合成例を示す。

合成例１：例示化合物１３の合成
下記合成スキームで合成した。

２００ｍｌ三頭フラスコにブロモベンゼン１．６８ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）を入れた後、窒素置換した。これにジエチルエーテル６０ｍｌを加え、−７８℃に冷却した後、ｎ−ＢｕＬｉ６．８１ｍｌ（１０．８ｍｍｏｌ）を滴下し３０分攪拌した。この後、ＢＦ₃・ＯＥｔ₂０．４５ｍｌ（３．５９ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃で１時間、室温に昇温してさらに２時間攪拌した。その後反応液を攪拌しながら、ピリジン０．２８９ｍｌを室温で３０分かけて滴下した。滴下後、さらに２時間室温で攪拌を続け、熟成した。熟成後、これを分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍｌを加えて、３回水洗した。この後、減圧下有機溶媒を除去して、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて分離精製し、例示化合物１３を０．９０ｇ得た。化合物の構造は¹Ｈ−ＮＭＲにより同定した。

合成例２：例示化合物１４の合成
２００ｍｌ三頭フラスコにｐ−フェニルブロモベンゼン２．５１ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）を入れた後、窒素置換した。これにジエチルエーテル６０ｍｌを加え、−７８℃に冷却した後、ｎ−ＢｕＬｉ６．８１ｍｌ（１０．８ｍｍｏｌ）を滴下し３０分攪拌した。この後、ＢＦ₃・ＯＥｔ₂０．４５ｍｌ（３．５９ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃で１時間、室温に昇温してさらに２時間攪拌した。その後反応液を攪拌しながら、ピリジン０．２８９ｍｌを室温で３０分かけて滴下した。滴下後、さらに２時間室温で攪拌を続け、熟成した。熟成後、これを分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍｌを加えて、３回水洗した。この後、減圧下有機溶媒を除去して、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて分離精製し、例示化合物１４を１．３１ｇ得た。化合物の構造は¹Ｈ−ＮＭＲにより同定した。

その他の化合物も同様の方法により得ることができる。

《一般式（Ｃ）で表される化合物の有機ＥＬ素子への適用》
一般式（Ｃ）で表される化合物を用いて、有機ＥＬ素子を作製する場合、有機ＥＬ素子の構成層（詳細は後述する）の中で、正孔阻止層に用いることが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。

Ｉ：陽極／発光層／陰極
II：陽極／発光層／電子輸送層／陰極
III：陽極／陽極バッファー層／発光層／陰極
IV：陽極／陽極バッファー層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
Ｖ：陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
VI：陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
VII：陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
VIII：陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
《発光層》
本発明に係る発光層は、発光材料を含有し、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。

本発明で発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。

発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。この発光層は、これらのリン光性化合物やホスト化合物が１種または２種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。

（発光ホストと発光ドーパント）
発光層中の主成分であるホスト化合物である発光ホストに対する発光ドーパント（因みに、後述する、本発明に係るリン光性化合物は発光ドーパントの一種である。）との混合比は好ましくは０．１〜３０質量％未満の範囲に調整することである。

発光ホスト（単にホストともいう）とは、２種以上の化合物で構成される発光層中にて混合比（質量）の最も多い化合物のことを意味し、それ以外の化合物については「ドーパント化合物（単に、ドーパントともいう）」という。例えば、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂという２種で構成し、その混合比がＡ：Ｂ＝１０：９０であれば化合物Ａがドーパント化合物であり、化合物Ｂがホスト化合物である。さらに、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃの３種から構成し、その混合比がＡ：Ｂ：Ｃ＝５：１０：８５であれば、化合物Ａ、化合物Ｂがドーパント化合物であり、化合物Ｃがホスト化合物である。

本発明において、ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を用いることができる。公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。

特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。

本発明に係る発光層は、ドーパントを含有することが好ましい。さらにドーパント化合物としてはリン光性化合物を用いることが好ましい。これにより、高い発光輝度と発光効率を得ることができる。リン光性化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物である。リン光量子収率は好ましくは０．１以上である。

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。

リン光性化合物の発光は、原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こり、リン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。

リン光性化合物は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。

本発明で用いられるリン光性化合物としては、好ましくは元素周期表で８〜１０属に属するいずれか１種の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法等により合成できる。

このほかにも、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２３巻４３０４〜４３１２頁（２００１年）、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、同第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００１−２４７８５９号公報、同２００１−３４５１８３号公報、同２００２−１１７９７８号公報、同２００２−１７０６８４号公報、同２００２−２０３６７８号公報、同２００２−２３５０７６号公報、同２００２−３０２６７１号公報、同２００２−３２４６７９号公報、同２００２−３３２２９１号公報、同２００２−３３２２９２号公報、同２００２−３３８５８８号公報等に記載の一般式で挙げられるイリジウム錯体、あるいは、具体的例として挙げられるイリジウム錯体、特開２００２−８８６０号公報記載の式（IV）で表されるイリジウム錯体等が挙げられる。

本発明に係るリン光性化合物は、溶液中のリン光量子収率が２５℃において０．００１以上であることが好ましく、さらに好ましくは０．０１以上であり、特に好ましくは０．１以上である。

リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法で測定することができる。

以下に、リン光発光性を示す有機金属錯体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

また、上記ＰＬ−１〜ＰＬ−３３の各有機金属錯体は、単独で用いてもよく、２種以上の化合物を併用して用いてもよい。なお、これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法等を参照することにより合成可能である。

本発明でりん光発光を示す有機金属錯体としては、励起三重項からの発光が青色である、いわゆる、青色発光ドーパントとして下記のような青色発光性オルトメタル錯体が好ましく用いられる。

《青色発光性オルトメタル錯体》
本発明に用いられる青色発光性オルトメタル錯体について説明する。

本発明に係る青色発光性オルトメタル錯体とは、発光極大波長が４００〜５００ｎｍの範囲にある、遷移金属を中心金属とするオルトメタル錯体であり、その最も短波な発光極大波長が４５５ｎｍ以下であることが好ましい。

本発明に係る青色発光性オルトメタル錯体として用いられるものとしては、下記に示す７種の態様に分類される錯体が好ましく用いられる。ここでは、前記７種の態様を（ａ）〜（ｈ）に分類し、各７種の態様について、各々具体的に説明する。

《態様（ａ）》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（１）〜（６）で表される部分構造の少なくとも１種、または一般式（１）〜（６）で表される部分構造の各々の互変異性体の少なくとも１種を部分構造として有する場合。

（式中、Ｚ１１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃は、各々水素原子または置換基を表す。Ｍ₁₁は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。）

（式中、Ｚ２１は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ₂₁、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃は、各々水素原子または置換基を表す。Ｍ₂₁は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。）

（式中、Ｚ３１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₃₁、Ｘ₃₂、Ｘ₃₃は、各々炭素原子、−Ｃ（Ｒ₃）−、窒素原子または−Ｎ（Ｒ₃）−（ここで、Ｒ₃は、水素原子または置換基を表す。）を表す。Ｃ₃₁は炭素原子を表す。Ｍ₃₁は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。Ｃ₃₁とＮとの間の結合、ＮとＸ₃₃との間の結合、Ｘ₃₂とＸ₃₃との間の結合、Ｘ₃₁とＸ₃₂との間の結合、Ｃ₃₁とＸ₃₁との間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）

（式中、Ｚ４１は、芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₄₁、Ｘ₄₂の少なくとも１つは、窒素原子または−Ｎ（Ｒ₄）−（ここで、Ｒ₄は、水素原子または置換基を表す。）を表す。Ｍ₄₁は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。Ｃ₄₁、Ｃ₄₂、Ｃ₄₃は、各々炭素原子を表す。Ｍ₄₁は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。Ｃ₄₁とＣ₄₂との間の結合、Ｃ₄₁とＸ₄₂との間の結合、Ｘ₄₁とＸ₄₂との間の結合、Ｘ₄₁とＣ₄₃との間の結合、Ｃ₄₂とＣ₄₃との間の結合は、単結合または二重結合を表す。）

（式中、Ｚ５１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₅₁は、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ₅₁、Ｒ₅₂は、水素原子または置換基を表す。Ｍ₅₁は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。）

（式中、Ｚ６１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₆₁、Ｘ₆₂、Ｘ₆₃は、各々炭素原子、−Ｃ（Ｒ₆）−、窒素原子または−Ｎ（Ｒ₆）−（ここで、Ｒ₆は、水素原子または置換基を表す。）を表す。Ｍ₆₁は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。）
前記一般式（１）〜（６）、または一般式（１）〜（６）の各々の互変異性体を部分構造として有する金属錯体の含有層としては、発光層及び／または正孔阻止層が好ましく、また、発光層に含有する場合は、発光層中の発光ドーパントとして用いることにより、本発明の有機ＥＬ素子の外部取り出し量子効率の効率アップ（高輝度化）や発光寿命の長寿命化を達成することができる。

《一般式（１）または該一般式（１）の互変異性体》
一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ₁₁で表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

中でも好ましく用いられるのは、ベンゼン環である。さらに、前記芳香族炭化水素環は、後述する、前記一般式（１）においてＲ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃で各々表される置換基を有してもよい。

一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ₁₁で表される芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。

中でも好ましいのは、ピリジン環である。さらに、前記芳香族複素環は、後述する前記一般式（１）においてＲ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃で各々表される置換基を有してもよい。

一般式（１）または一般式（１）の互変異性体においてＲ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃で各々表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、２−フェネチル基等）、芳香族炭化水素基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（ジアザカルバゾリル基とは、該カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の任意に一つが窒素原子で置換されたものを示す。）、フタラジニル基等）、アルコキシル基（例えば、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、シアノ基、水酸基、アルケニル基（例えば、ビニル基等）、スチリル基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子、フッ素原子等）等が挙げられる。これらの基は、さらに置換されていてもよい。

中でも、本発明では、上記Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃で表される基の少なくとも一つは、上記の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。

一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ₁₁は、元素周期表における８〜１０族の金属（金属原子でも、イオンでもよい）を表すが、中でも好ましく用いられるのは、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）である。また、一般式（１）または一般式（１）の互辺異性体を部分構造として有する金属錯体において、Ｍ₁₁は金属でもよく、イオンでもよい。

本発明では、上記一般式（１）または一般式（１）の互変異性体とＭ₁₁で表される中心金属（金属でもイオンでもよい）との間で配位結合が形成（錯形成ともいう）されて金属錯体が形成される。

《一般式（２）または一般式（２）の互変異性体》
一般式（２）または一般式（２）の互変異性体において、Ｚ₂₁で表される芳香族炭化水素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ₁₁で表される芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（２）または一般式（２）の互変異性体において、Ｚ₂₁で表される芳香族複素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ₁₁で表される芳香族複素環と同義である。

一般式（２）または一般式（２）の互変異性体において、Ｒ₂₁、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃で、各々表される置換基は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体においてＲ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃で各々表される置換基と同義である。

一般式（２）または一般式（２）の互変異性体において、Ｍ₂₁で表される、元素周期表における８〜１０族の金属（イオンでもよい）は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ₁₁で表される元素周期表における８〜１０族の金属と同義である。

《一般式（３）または該一般式（３）の互変異性体》
一般式（３）または一般式（３）の互変異性体において、Ｚ₃₁で表される芳香族炭化水素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ₁₁で表される芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（３）または一般式（３）の互変異性体において、Ｚ₃₁で表される芳香族複素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ₁₁で表される芳香族複素環と同義である。

一般式（３）または一般式（３）の互変異性体において、Ｘ₃₁、Ｘ₃₂、Ｘ₃₃で各々表される−Ｎ（Ｒ₃）−のＲ₃で表される置換基は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体においてＲ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃で各々表される置換基と同義である。

一般式（３）または一般式（３）の互変異性体において、Ｍ₃₁で表される、元素周期表における８〜１０族の金属（イオンでもよい）は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ₁₁で表される、元素周期表における８〜１０族の金属と同義である。

《一般式（４）または一般式（４）の互変異性体》
一般式（４）または一般式（４）の互変異性体において、Ｚ₄₁で表される芳香族複素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ₁₁で表される芳香族複素環と同義である。

一般式（４）または一般式（４）の互変異性体において、Ｘ₄₁、Ｘ₄₂で各々表される−Ｎ（Ｒ₄）−のＲ₄で表される置換基は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体においてＲ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃で各々表される置換基と同義である。

一般式（４）または一般式（４）の互変異性体において、Ｍ₄₁で表される、元素周期表における８〜１０族の金属（イオンでもよい）は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ₁₁で表される、元素周期表における８〜１０族の金属と同義である。

《一般式（５）または一般式（５）の互変異性体》
一般式（５）または一般式（５）の互変異性体において、Ｚ₅₁で表される芳香族炭化水素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ₁₁で表される芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（５）または一般式（５）の互変異性体において、Ｚ₅₁で表される芳香族複素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ₁₁で表される芳香族複素環と同義である。

一般式（５）または一般式（５）の互変異性体において、Ｒ₅₁、Ｒ₅₂で各々表される置換基は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体においてＲ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃で各々表される置換基と同義である。

一般式（５）または一般式（５）の互変異性体において、Ｍ₅₁で表される、元素周期表における８〜１０族の金属（イオンでもよい）は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ₁₁で表される、元素周期表における８〜１０族の金属と同義である。

《一般式（６）または一般式（６）の互変異性体》
一般式（６）または一般式（６）の互変異性体において、Ｚ₆₁で表される芳香族炭化水素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ₁₁で表される芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（６）または一般式（６）の互変異性体において、Ｚ₆₁で表される芳香族複素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ₁₁で表される芳香族複素環と同義である。

一般式（６）または一般式（６）の互変異性体において、Ｍ₆₁で表される、元素周期表における８〜１０族の金属（イオンでもよい）は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ₁₁で表される、元素周期表における８〜１０族の金属と同義である。

以下、本発明に係る、前記一般式（１）〜（６）、または一般式（１）〜（６）の各々の互変異性体を部分構造として有する金属錯体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

《態様（ｂ）》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（７）で表される白金錯体で表される場合。

（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇は水素原子または置換基を表すが、その少なくとも一つは必ず置換基である。Ｒａは置換基を表し、Ｘａは酸素原子または硫黄原子を表す。Ｙ₁−Ｌ₁−Ｙ₂は２座の配位子を表し、Ｙ₁、Ｙ₂は各々独立に酸素原子、窒素原子、炭素原子または硫黄原子を表し、Ｌ₁はＹ₁、Ｙ₂と共に２座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。）
《一般式（７）で表される金属錯体》
前記一般式（７）で表される白金錯体について説明する。

一般式（７）において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇は水素原子または置換基で表されるが、その少なくとも一つは必ず置換基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇の二つ以上が置換基で表される場合でも、それらは互いに結合して環を形成することはない。また、Ｒａは置換基を表し、Ｘａは酸素原子または硫黄原子を表す。

一般式（７）において、前記Ｒａで表される置換基としては、特に制限はないが、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロピニル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、２−ナフチル基、２−ピリジル基、２−チエニル基、３−フリル基等）、ヘテロ環基（Ｎ−モルホリル基、２−テトラヒドロフラニル基等）等が挙げられる。

これらの中、Ｒａは炭素数１〜３０のアルキル基であることが好ましく、Ｒａ−Ｘａ−はアルコキシル基、アルキルチオ基であることが好ましい。

また、前記Ｒ₁〜Ｒ₇で表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロピニル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、２−ナフチル基、９−フェナンスリル基、２−ピリジル基、メシチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基、２−チエニル基、３−フリル基等）、ヘテロ環基（Ｎ−モルホリル基、２−テトラヒドロフラニル基等）、アミノ基、アルキルアミノ基（例えば、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、パーフルオロフェノキシ基等）、アシルアミノ基（例えば、アセトアミド基、ベンゾイルアミド基等）、スルホンアミド基（例えば、メタンスルホンアミド基、ブタンスルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基等）、カルボアルコキシル基（例えば、カルボエトキシ基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基等）、シアノ基、フッ化炭化水素基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロフェニル基等）等が挙げられる。

一般式（７）において、Ｙ₁−Ｌ₂−Ｙ₂は２座の配位子を表し、Ｙ₁、Ｙ₂は、各々独立に酸素原子、窒素原子、炭素原子、または、硫黄原子を表し、Ｌ₁は、Ｙ₁、Ｙ₂と共に２座の配位子の形成するのに必要な原子群を表す。

Ｙ₁−Ｌ₂−Ｙ₂で表される２座の配位子の具体例としては、特に制限はないが、置換基を有してもよいフェニルピリジン、酢酸、アセチルアセトン、チオカルバミン酸誘導体、２−アシルフェノール、ピコリン酸等の誘導体であることが好ましい。

また、前記アルコキシル基、アルキルチオ基等と共に、前記構造における３ｐ〜６ｐ位に導入され、かつ、互いに結合して環を形成しないことが好ましい少なくとも一つの置換基としては、前記一般式（７）におけるそれぞれＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄で表される基であり、これらのＲ₁〜Ｒ₄で表される置換基の少なくとも１つが、前記の置換基の中、電子供与性の置換基であることが好ましい。また、さらに好ましいのは、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄で表される基の中、少なくとも二つが電子供与性の置換基である場合である。

また、最も好ましいのは、一般式（７）においてＲ₂とＲ₄が電子供与性の置換基である場合である。

電子供与性の置換基としては、前記の基の中、最も好ましくはアルキル基、アルコキシル基、アルキルアミノ基が挙げられる。

次にこれらの置換基として好ましいのは、ハロゲン原子、中でもフッ素原子である。フッ素原子はπドナー性をもっているため、電子供与的に働く場合があり、その効果で好ましい素子性能を付与できるものと考えられる。

以下に、本発明に用いられる前記一般式（７）で表される白金錯体について、具体的化合物例を挙げるが、本発明は、これらに限定されない。

《態様（ｃ）》前記青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（８）、（９）で各々で表される白金錯体の場合。

（式中、Ａ、Ｂ、Ｃは水素原子または置換基を表し、その少なくとも二つは、−Ｘａ−（Ｒａ）_na（Ｒａは置換基を表す。Ｘａは、酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。ｎａは１または２を表す。）で表され、互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅は水素原子または置換基を表す。Ｍ₁は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。）

（式中、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄは置換基を表し、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。ｎｂ、ｎｃ、ｎｄは１または２を表す。Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₁₀は水素原子または置換基を表す。Ｍ₂は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。）
《一般式（８）で表される金属錯体》
前記一般式（８）で表される金属錯体について説明する。

一般式（８）において、Ａ、Ｂ、Ｃは水素原子または置換基で表されるが、その少なくとも二つは前記一般式（２）で表され、互いに異なっていてもよい。Ａ、Ｂ、Ｃで表される置換基としては特に制限はないが、好ましくはアルキル基（例えば、メチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロピニル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、２−ナフチル基、９−フェナンスリル基、２−ピリジル基、２−チエニル基、３−フリル基、メシチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基等）、ヘテロ環基（Ｎ−モルホリル基、２−テトラヒドロフラニル基等）、アミノ基（例えば、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、パーフルオロフェノキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、シアノ基、フッ化炭化水素基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シリル基（例えば、トリフェニルシリル基、トリメチルシリル基等）が挙げられる。この中で特に好ましいものは、アミノ基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリール基である。最も好ましくは、アミノ基、アルコキシル基、アルキルチオ基である。

一般式（８）において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅は水素原子または置換基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で表される置換基としては、前記Ａ、Ｂ、Ｃで表される置換基として説明したものと同義である。

一般式（８）において、Ｍ₁は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。第８〜１０族の元素としては、好ましくはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金であり、最も好ましくはイリジウム、白金である。

一般式（２）において、Ｒａは置換基を表す。Ｒａで表される置換基としては、前記Ａ、Ｂ、Ｃで表される置換基として説明したものと同義である。この中で特に好ましいものは、アルキル基である。

一般式（８）において、Ｘａは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。ｎａは１または２を表す。

一般式（８）において、Ａ、Ｂ、Ｃの三つが一般式（２）で表される場合が最も好ましい。

一般式（８）において、Ａ、Ｂ、Ｃの二つが一般式（２）で表される場合、最も好ましくは一般式（２）が４位と６ｐ位に置換される場合、好ましくは一般式（２）が４位と４ｐ位に置換される場合である。

《一般式（９）で表される金属錯体》
前記一般式（９）で表される金属錯体について説明する。

一般式（９）において、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄは置換基を表し、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄで表される置換基としては、前記一般式（８）のＡ、Ｂ、Ｃで表される置換基として説明したものと同義である。Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄの置換基としてはアルキル基であることが好ましい。

一般式（９）において、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄの原子の組み合わせとしては、（１）Ｘｄが窒素原子で、Ｘｂ、Ｘｃが酸素原子、（２）Ｘｄが硫黄原子であり、Ｘｂ、Ｘｃが酸素原子、または（３）Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄが酸素原子であることが好ましい。

一般式（９）において、ｎｂ、ｎｃ、ｎｄは１または２を表す。

一般式（９）において、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₁₀は水素原子または置換基を表す。Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₁₀で表される置換基としては、前記一般式（８）のＡ、Ｂ、Ｃで表される置換基として説明したものと同義である。

一般式（９）において、Ｍ₂は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。第８〜１０族の元素としては、好ましくはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金であり、最も好ましくはイリジウム、白金である。

以下に、一般式（８）または（９）で表される錯体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

《態様（ｄ）》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（１０）で表される配位子を有する金属錯体、下記一般式（１１）または（１２）で表される部分構造を有する金属錯体または該一般式（１１）または（１２）で表される部分構造の各々の互変異生体を有する金属錯体である場合。

（式中、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄は、各々独立に炭素原子または窒素原子を表し、Ｃ₁、Ｃ₂は炭素原子を表し、Ｚ１は、Ｃ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に、Ｚ２は、Ｃ₂、Ｘ₂、Ｘ₄と共に、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ａ₁は窒素原子またはホウ素原子を表し、Ｒ₁は置換基を表す。Ｃ₁とＸ₁との間の結合、Ｃ₂とＸ₂との間の結合、Ｘ₁とＸ₃との間の結合、Ｘ₂とＸ₄との間の結合は単結合または二重結合を表す。）

（式中、Ｃ₃、Ｃ₄、Ｃ₅、Ｃ₆、Ｃ₇は、各々炭素原子を表し、Ｚ３は、Ｃ₃、Ｃ₄、Ｃ₅と共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ４は、Ｃ₆、Ｃ₇、Ｎと共に芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ａ₂は窒素原子またはホウ素原子を表し、Ｒ₂は置換基を表し、Ｍ₁₁は、元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。Ｃ₃とＣ₄との間の結合、Ｃ₄とＣ₅との間の結合、Ｃ₆とＣ₇との間の結合、Ｃ₇とＮとの間の結合は単結合または二重結合を表す。）

（式中、Ａ₃は窒素原子またはホウ素原子を表し、Ｒ₃は置換基を表し、Ｒ₄、Ｒ₅は置換基を表す。ｎ１、ｎ２は、各々０〜３の整数を表す。Ｍ₁₂は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。）
《一般式（１０）で表される配位子を有する金属錯体》
一般式（１０）で表される配位子を有する金属錯体について説明する。

最初に、一般式（１０）で表される配位子について説明する。

一般式（１０）において、Ｚ₁がＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に、Ｚ₂がＣ₂、Ｘ₂、Ｘ₄と共に、各々形成する芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

中でも好ましく用いられるのは、ベンゼン環である。さらに、前記芳香族炭化水素環は、後述する、前記一般式（１０）においてＲ₁で表される置換基を有してもよい。

一般式（１０）において、Ｚ₁がＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に、Ｚ₂がＣ₂、Ｘ₂、Ｘ₄と共に、各々形成する芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。

中でも好ましいのは、ピリジン環である。さらに、前記芳香族複素環は、後述する、前記一般式（１０）においてＲ₁で表される置換基を有してもよい。

一般式（１０）において、Ｒ₁で表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、２−フェネチル基等）、芳香族炭化水素基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、フタラジニル基等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、シアノ基、水酸基、アルケニル基（例えば、ビニル基等）、スチリル基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子、フッ素原子等）等が挙げられる。これらの基は、さらに置換されていてもよい。

中でも、本発明では、上記Ｒ₁で表される基の少なくとも一つは、上記の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。

上記一般式（１０）で表される配位子と中心金属（金属でもイオンでもよい）との間で配位結合が形成（錯形成ともいう）されて金属錯体が形成される。

ここで、前記配位子と中心金属（後述する）との間で配位結合が形成されるのは、前記一般式（１０）で表される配位子を構成する原子の中で、Ｘ₃及び／またはＸ₄との間で配位結合または共有結合が形成されることが好ましい。

《一般式（１１）またはその互変異生体を部分構造として有する金属錯体》
一般式（１１）またはその互変異生体を部分構造として有する金属錯体について説明する。

一般式（１１）において、Ｚ₃がＣ₃、Ｃ₄、Ｃ₅と共に形成する芳香族炭化水素環は、前記一般式（１０）において、Ｚ₁がＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成する芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（１１）において、Ｚ₃がＣ₃、Ｃ₄、Ｃ₅と共に形成する芳香族複素環は、前記一般式（１０）において、Ｚ₁がＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成する芳香族複素環と同義である。

一般式（１１）において、Ｚ₄がＣ₆、Ｃ₇、Ｎと共に形成する芳香族複素環は、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。さらに、前記芳香族複素環は、前記一般式（１０）においてＲ₁で表される置換基を有してもよい。

一般式（１１）において、Ｒ₂で表される置換基は、前記一般式（１０）においてＲ₁で表される置換基と同義である。

一般式（１１）において、Ｍ₁₁で表される、元素周期表における第８〜１０族の元素としては、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）等が好ましい。また、一般式（１１）において、Ｍ₁₁は、金属でもよく、イオンでもよい。

《一般式（１２）またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体》
一般式（１２）またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体について説明する。

一般式（１２）において、Ｒ₃で表される置換基は、前記一般式（１０）においてＲ₁で表される置換基と同義である。

一般式（１２）において、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基は、前記一般式（１０）においてＲ₁で表される置換基と同義である。

一般式（１２）において、Ｍ₁₂で表される、元素周期表における第８〜１０族の元素としては、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）等が好ましい。また、一般式（１２）において、Ｍ₁₂は、金属でもよく、イオンでもよい。

以下に、一般式（１０）で表される配位子を有する金属錯体、下記一般式（１１）または（１２）で表される部分構造を有する金属錯体または該一般式（１１）または（１２）で表される部分構造の各々の互変異生体を有する金属錯体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

《態様（ｅ）》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（１３）で表される配位子を有する金属錯体、下記一般式（１４）で表される部分構造を有する金属錯体、下記一般式（１５）で表される部分構造またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体、下記一般式（１６）で表される配位子を有する金属錯体、下記一般式（１７）で表される部分構造を有する金属錯体、または下記一般式（１８）で表される部分構造を有する金属錯体である場合。

（式中、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄は、各々独立に炭素原子または窒素原子を表し、Ｃ₁、Ｃ₂は、各々炭素原子を表し、Ｚ１は、Ｃ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に、Ｚ２は、Ｃ₂、Ｘ₂、Ｘ₄と共に、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ａ₁は炭素原子またはケイ素原子を表し、Ｒ₁、Ｒ₂は、各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｃ₁とＸ₁との間の結合、Ｃ₂とＸ₂との間の結合、Ｘ₁とＸ₃との間の結合、Ｘ₂とＸ₄との間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）

（式中、Ｃ₃、Ｃ₄、Ｃ₅、Ｃ₆、Ｃ₇は、炭素原子を表し、Ｚ３は、Ｃ₅、Ｃ₃、Ｃ₇と共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ４は、Ｃ₆、Ｃ₄、Ｎと共に芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ａ₂は炭素原子またはケイ素原子を表し、Ｒ₃、Ｒ₄は、各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｍ₁₁は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。Ｃ₅とＣ₃との間の結合、Ｃ₃とＣ₇との間の結合、Ｃ₆とＣ₄との間の結合、Ｃ₄とＮとの間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）

（式中、Ａ₃は炭素原子またはケイ素原子を表し、Ｒ₅、Ｒ₆は、各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ₇、Ｒ₈は、各々独立に置換基を表す。ｎ１、ｎ２は、各々独立に０〜３の整数を表す。Ｍ₁₂は、元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。）

（式中、Ｘ₃、Ｘ₄、Ｘ₅、Ｘ₆は、各々独立に炭素原子または窒素原子を表し、Ｃ₈〜Ｃ₁₃は、各々炭素原子を表し、Ｚ５は、Ｃ₈、Ｘ₃、Ｘ₅と共に、Ｚ６は、Ｃ₉、Ｘ₄、Ｘ₆と共に、Ｚ７は、Ｃ₁₀、Ｃ₁₁と共に、Ｚ８は、Ｃ₁₂、Ｃ₁₃と共に、各々独立に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ａ₄は炭素原子またはケイ素原子を表す。Ｘ₃とＸ₅との間の結合、Ｘ₄とＸ₆との間の結合、Ｃ₈とＸ₃との間の結合、Ｃ₉とＸ₄との間の結合、Ｃ₁₀とＣ₁₁との間の結合、Ｃ₁₂とＣ₁₃との間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）

（式中、Ｃ₁₄〜Ｃ₂₂は、各々炭素原子を表し、Ｚ９は、Ｃ₁₆、Ｃ₁₄、Ｃ₁₈と共に、Ｚ１１は、Ｃ₁₉、Ｃ₂₀と共に、Ｚ１２は、Ｃ₂₁、Ｃ₂₂と共に、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ１０は、Ｃ₁₇、Ｃ₁₅、Ｎと共に、芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ａ₅は炭素原子またはケイ素原子を表す。Ｍ₂₁は、元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。Ｃ₁₈とＣ₁₄との間の結合、Ｃ₁₄とＣ₁₆との間の結合、Ｃ₁₇とＣ₁₅との間の結合、Ｃ₁₅とＮとの間の結合、Ｃ₁₉とＣ₂₀との間の結合、Ｃ₂₁とＣ₂₂との間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）

（式中、Ｚ１３は、Ｃ₂₃、Ｃ₂₄と共に、Ｚ１４は、Ｃ₂₅、Ｃ₂₆と共に、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ａ₆は炭素原子またはケイ素原子を表す。Ｒ₉、Ｒ₁₀は各々独立に置換基を表す。ｎ３、ｎ４は、各々独立に０〜３の整数を表す。Ｍ₂₂は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。Ｃ₂₃とＣ₂₄との間の結合、Ｃ₂₅とＣ₂₆との間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）
《一般式（１３）で表される配位子を有する金属錯体》
一般式（１３）で表される配位子を有する金属錯体について説明する。

最初に、一般式（１３）で表される配位子について説明する。

一般式（１３）において、Ｚ₁とＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

中でも好ましく用いられるのは、ベンゼン環である。さらに、前記芳香族炭化水素環は、後述する、前記一般式（１３）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基を有してもよい。

一般式（１３）において、Ｚ₁とＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成される芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。

中でも好ましいのは、ピリジン環である。さらに、前記芳香族複素環は、後述する、前記一般式（１３）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基を有してもよい。

一般式（１３）において、Ｒ₁、Ｒ₂で各々独立に表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、２−フェネチル基等）、芳香族炭化水素基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、フタラジニル基等）、アルコキシル基（例えば、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、シアノ基、水酸基、アルケニル基（例えば、ビニル基等）、スチリル基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子、フッ素原子等）等が挙げられる。これらの基は、さらに置換されていてもよい。

中でも、本発明では、上記Ｒ₁、Ｒ₂で表される基の少なくとも一つは、上記の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。

上記一般式（１３）で表される配位子と中心金属（金属でもイオンでもよい）との間で配位結合が形成（錯形成ともいう）されて金属錯体が形成される。

ここで、前記配位子と中心金属（後述する）との間で配位結合が形成されるのは、前記一般式（１３）で表される配位子を構成する原子の中で、Ｘ₃及び／またはＸ₄との間で配位結合または共有結合が形成されることが好ましい。

《一般式（１４）で表される部分構造を有する金属錯体》
一般式（１４）で表される部分構造を有する金属錯体について説明する。

一般式（１４）において、Ｚ₃がＣ₅、Ｃ₃、Ｃ₇と共に形成する芳香族炭化水素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ₁がＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成する芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（１４）において、Ｚ₃がＣ₅、Ｃ₃、Ｃ₇と共に形成する芳香族複素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ₁とＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成する芳香族複素環と同義である。

一般式（１４）において、Ｚ₄が、Ｃ₆、Ｃ₄、Ｎと共に形成する芳香族複素環としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。さらに、前記芳香族複素環は、前記一般式（１３）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基を有してもよい。

一般式（１４）において、Ｒ₃、Ｒ₄で、各々独立に表される置換基は、前記一般式（１３）において、Ｒ₁、Ｒ₂で各々独立に表される置換基と同義である。

一般式（１４）において、Ｍ₁₁は元素周期表における第８〜１０族の第VIII族の元素を表すが、中でも好ましく用いられるのは、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）である。また、一般式（１４）において、Ｍ₁₁は、金属でもよく、イオンでもよい。

《一般式（１５）またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体》
一般式（１５）またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体について説明する。

一般式（１５）において、Ｒ₅、Ｒ₆で各々独立に表される置換基、Ｒ₇、Ｒ₈で各々独立に表される置換基は、前記一般式（１３）において、Ｒ₁、Ｒ₂で各々独立に表される置換基と同義である。

また、一般式（１５）において、Ｒ₅、Ｒ₆の少なくとも一つは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。

一般式（１５）において、Ｍ₁₂で表される元素周期表における第８〜１０族の元素は、一般式（１４）において、Ｍ₁₁は元素周期表における第８〜１０族の元素と同義である。

《一般式（１６）で表される配位子を有する金属錯体》
一般式（１６）で表される配位子を有する金属錯体について説明する。

一般式（１６）において、Ｚ₅が、Ｃ₈、Ｘ₃、Ｘ₅と共に、Ｚ₆が、Ｃ₉、Ｘ₄、Ｘ₆と共に、Ｚ₇が、Ｃ₁₀、Ｃ₁₁と共に、Ｚ₈が、Ｃ₁₂、Ｃ₁₃と共に、各々独立に形成する芳香族炭化水素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ₁がＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成する芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（１６）において、Ｚ₅が、Ｃ₈、Ｘ₃、Ｘ₅と共に、Ｚ₆が、Ｃ₉、Ｘ₄、Ｘ₆と共に、Ｚ₇が、Ｃ₁₀、Ｃ₁₁と共に、Ｚ₈が、Ｃ₁₂、Ｃ₁₃と共に、各々独立に形成する芳香族複素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ₁がＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成する芳香族複素環と同義である。

《一般式（１７）で表される部分構造を有する金属錯体》
一般式（１７）で表される部分構造を有する金属錯体について説明する。

一般式（１７）において、Ｚ₉が、Ｃ₁₆、Ｃ₁₄、Ｃ₁₈と共に、Ｚ₁₁が、Ｃ₁₉、Ｃ₂₀と共に、Ｚ₁₂が、Ｃ₂₁、Ｃ₂₂と共に、各々独立に形成する芳香族炭化水素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ₁がＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成する芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（１７）において、Ｚ₉が、Ｃ₁₆、Ｃ₁₄、Ｃ₁₈と共に、Ｚ₁₁が、Ｃ₁₉、Ｃ₂₀と共に、Ｚ₁₂が、Ｃ₂₁、Ｃ₂₂と共に、各々独立に形成する芳香族複素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ₁がＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成する芳香族複素環と同義である。

一般式（１７）において、Ｚ₁₀が、Ｃ₁₇、Ｃ₁₅、Ｎと共に形成する、芳香族複素環は、一般式（１４）において、Ｚ₄が、Ｃ₆、Ｃ₄、Ｎと共に形成する芳香族複素環と同義である。

一般式（１７）において、Ｍ₂₁で表される、元素周期表における第８〜１０族の元素は、一般式（１４）において、Ｍ₁₁は元素周期表における第８〜１０族の元素と同義である。

《一般式（１８）で表される部分構造を有する金属錯体》
一般式（１８）で表される部分構造を有する金属錯体について説明する。

一般式（１８）において、Ｚ₁₃が、Ｃ₂₃、Ｃ₂₄と共に、Ｚ₁₄が、Ｃ₂₅、Ｃ₂₆と共に、各々形成する芳香族炭化水素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ₁がＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成する芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（１８）において、Ｚ₁₃が、Ｃ₂₃、Ｃ₂₄と共に、Ｚ₁₄が、Ｃ₂₅、Ｃ₂₆と共に、各々形成する芳香族複素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ₁とＣ₁、Ｘ₁、Ｘ₃と共に形成する芳香族複素環と同義である。

一般式（１８）において、Ｒ₉、Ｒ₁₀で、各々独立に表される置換基は、一般式（１３）において、Ｒ₁、Ｒ₂で各々独立に表される置換基と同義である。

一般式（１８）において、Ｍ₂₂で表される、元素周期表における第８〜１０族の元素は、一般式（１４）において、Ｍ₁₁は元素周期表における第８〜１０族の元素と同義である。

以下に、一般式（１３）で表される配位子を有する金属錯体、一般式（１４）で表される部分構造を有する金属錯体、一般式（１５）で表される部分構造またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体、一般式（１６）で表される配位子を有する金属錯体、一般式（１７）で表される部分構造を有する金属錯体、または一般式（１８）で表される部分構造を有する金属錯体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

《態様（ｆ）》青色発光性オルトメタル錯体として、下記一般式（１９）〜（２７）からなる群から選択される少なくとも１種の白金錯体を用いる場合。

（式中、Ｒ₁、Ｒ₂は、各々水素原子または置換基を表す。但し、Ｒ₁、Ｒ₂の少なくとも一つは該置換基である。Ｘ₁、Ｘ₂は、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子、または、硫黄原子を表し、Ｚ₁、Ｚ₂は、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ１は、１または２の整数を表し、ｎ１が１の時、Ｌ１は二座配位子を表す。ｐ１、ｑ１は、各々０〜４の整数を表す。）

（式中、Ｒ₃、Ｒ₄は、各々水素原子または置換基を表す。但し、Ｒ₃、Ｒ₄の少なくとも一つは該置換基である。ｎ２は、１または２の整数であり、ｎ２が１の時、Ｌ２は二座配位子を表す。ｐ２、ｑ２は、各々０〜４の整数を表す。）

（式中、Ｒ₅、Ｒ₆は、各々水素原子または置換基を表す。Ｚ₃は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ３は、１または２の整数であり、ｎ３が１の時、Ｌ３は、二座配位子を表す。ｐ３は０〜３の整数、ｑ３は０〜４の整数を表す。）

（式中、Ｒ₇、Ｒ₈は、各々水素原子または置換基を表す。Ｒ₉〜Ｒ₁₃は、各々水素原子または置換基を表す。ｎ４は、１または２の整数であり、ｎ４が１の時、Ｌ４は二座配位子を表す。ｐ４は０〜３の整数、ｑ４は０〜４の整数を表す。）

（式中、Ｒ₁₄、Ｒ₁₅は、各々水素原子または置換基を表す。Ｚ₄は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ５は、１または２の整数であり、ｎ５が１の時、Ｌ５は二座配位子を表す。ｐ５は０〜４の整数、ｑ５は０〜３の整数を表す。）

（式中、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇は、各々水素原子または置換基を表す。Ｒ₁₈〜Ｒ₂₂は、各々水素原子または置換基を表す。ｎ６は、１または２の整数であり、ｎ６が１の時、Ｌ６は二座配位子を表す。ｐ６は０〜３の整数、ｐ７は０〜４の整数を表す。）

（式中、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄は、各々水素原子または置換基を表す。Ｚ₅は、窒素原子と共に芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ７は、１または２の整数であり、ｎ７が１の時、Ｌ７は二座配位子を表す。ｐ８は０〜３の整数、ｑ６は０〜４の整数を表す。）

（式中、Ｒ₂₅、Ｒ₂₆は、各々水素原子または置換基を表す。Ｚ₆は、窒素原子と共に芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ８は、１または２の整数であり、ｎ８が１の時、Ｌ８は二座配位子を表す。ｐ９は０〜３の整数、ｑ７は０〜４の整数を表す。）

（式中、Ｒ₂₇、Ｒ₂₈は、各々水素原子または置換基を表す。Ｒ₂₇、Ｒ₂₈の少なくとも一つは該置換基である。Ｌ０は二価の連結基を表す。Ｘ₃、Ｘ₄は、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｚ₇、Ｚ₈は、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ９は、１または２の整数であり、ｎ９が１の時、Ｌ９は二座配位子を表す。ｐ１０、ｑ８は、各々０〜４の整数を表す。）
《一般式（１９）で表される白金錯体》
一般式（１９）で表される白金錯体について説明する。本発明では、前記一般式（１９）の互変異生体で表されるものも含むものとする。

一般式（１９）において、Ｒ₁、Ｒ₂で、各々表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、２−フェネチル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、フタラジニル基等）、アルコキシル基（例えば、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、シアノ基、水酸基、アルケニル基（例えば、ビニル基等）、スチリル基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子、フッ素原子等）等が挙げられる。これらの基は、さらに置換されていてもよい。

一般式（１９）において、Ｚ₁が形成する芳香族炭化水素環または芳香族複素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。中でも好ましいのは、ベンゼン環である。

一般式（１９）において、Ｚ₂が形成する芳香族炭化水素環または芳香族複素環としては、例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キナゾリン環、フタラジン環等が挙げられる。中でも好ましいのは、ピリジン環である。

一般式（１９）において、ｎ１は、１または２の整数であり、ｎ１が１の時、Ｌ１は二座配位子を表す。Ｌ１で表される２座の配位子としては、オキシカルボン酸、オキシアルデヒド及びその誘導体（例えば、サリチルアルデヒダト、オキシアセトフェノナト等）、ジオキシ化合物（例えば、ビフェノラト等）、ジケトン類（例えば、アセチルアセトナト、ジベンゾイルメタナト、ジエチルマロナト、エチルアセトアセタト等）、オキシキノン類（例えば、ピロメコナト、オキシナフトキノナト、オキシアントラキノナト等）、トロポロン類（例えば、トロポナト、ヒノキチオラト等）、Ｎ−オキシド化合物、アミノカルボン酸及び類似化合物（例えば、グリシナト、アラニナト、アントラニラト、ピコリナト等）、ヒドロキシルアミン類（例えば、アミノフェノラト、エタノールアミナト、メルカプトエチルアミナト等）、オキシン類（例えば、８−オキシキノリナト等）、アルジミン類（例えば、サリチルアルジミナト等）、オキシオキシム類（例えば、ベンゾインオキシマト、サリチルアルドキシマト等）、オキシアゾ化合物（例えば、オキシアゾベンゾナト、フェニルアゾナフトラト等）、ニトロソナフトール類（例えば、β−ニトロソ−α−ナフトラト等）、トリアゼン類（例えば、ジアゾアミノベンゼナト等）、ビウレット類（例えば、ビウレタト、ポリペプチド基等）、ホルマゼン類及びジチゾン類（例えば、ジフェニルカルバゾナト、ジフェニルチオカルバゾナト等）、ピグアニド類（例えば、ピグアニダト等）、グリオキシム類（例えば、ジメチルグリオキシマト等）等が挙げられる。

以下に、本発明に好ましく用いられる、二座配位子の一般式及び具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

上記の二座配位子の一般式において、Ｒａ〜Ｒｖは、各々アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等）またはハロゲン化アルキル基（例えば、前記アルキル基の水素原子の少なくとも一つがフッ素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子等により置換されたものが挙げられる。）を表す。

上記の二座配位子の一般式において、Ａｒａ〜Ａｒｃは、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等）または芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（ここで、ジアザカルバゾリル基とは、前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置換されたものを示す。）、フタラジニル基等）を表す。

《一般式（２０）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２）で表される白金錯体について説明する。

一般式（２０）において、Ｒ₃、Ｒ₄で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基と同義である。

一般式（２０）において、Ｌ２で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。

《一般式（２１）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２１）で表される白金錯体について説明する。

一般式（２１）において、Ｒ₅、Ｒ₆で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基と同義である。

一般式（２１）において、Ｌ３で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。

一般式（２１）において、Ｚ₃とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。さらに、前記芳香族炭化水素環は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基を有してもよい。

一般式（２１）において、Ｚ₃とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。さらに、前記芳香族複素環は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基を有してもよい。

《一般式（２２）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２２）で表される白金錯体について説明する。

一般式（２２）において、Ｒ₇〜Ｒ₁₃で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基と同義である。

一般式（２２）において、Ｌ４で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。

《一般式（２３）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２３）で表される白金錯体について説明する。

一般式（２３）において、Ｒ₁₄、Ｒ₁₅で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基と同義である。

一般式（２３）において、Ｌ５で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。

一般式（２３）において、Ｚ₄とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族炭化水素環は、一般式（２１）において、Ｚ₃とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（２３）において、Ｚ₄とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族複素環は、一般式（２１）において、Ｚ₃とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族複素環と同義である。

《一般式（２４）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２４）で表される白金錯体について説明する。

一般式（２４）において、Ｒ₁₆〜Ｒ₂₂で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基と同義である。

一般式（２４）において、Ｌ６で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。

《一般式（２５）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２５）で表される白金錯体について説明する。

一般式（２５）において、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基と同義である。

一般式（２５）において、Ｌ７で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。

一般式（２５）において、Ｚ₅とＮ（窒素原子）とで形成される芳香族複素環としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。さらに、前記芳香族複素環は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基を有してもよい。

《一般式（２６）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２６）で表される白金錯体について説明する。

一般式（２６）において、Ｒ₂₅、Ｒ₂₆で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基と同義である。

一般式（２６）において、Ｌ８で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。

一般式（２６）において、Ｚ₆とＮ（窒素原子）とで形成される芳香族複素環としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。さらに、前記芳香族複素環は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基を有してもよい。

《一般式（２７）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２７）で表される白金錯体について説明する。

一般式（２７）において、Ｒ₂₇、Ｒ₂₈で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ₁、Ｒ₂で各々表される置換基と同義である。

一般式（２７）において、Ｌ９で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。

一般式（２７）において、Ｚ₇が形成する５員または６員の環は、前記一般式（１９）において、Ｚ₁が形成する５員または６員の環と同義である。

一般式（２７）において、Ｚ₈が形成する５員または６員の環は、前記一般式（１９）において、Ｚ₂が形成する５員または６員の環と同義である。

一般式（２７）において、Ｌ０で表される二価の連結基としては、アルキレン基（例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、２，２，４−トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基（例えば、１，６−シクロヘキサンジイル基等）、シクロペンチレン基（例えば、１，５−シクロペンタンジイル基等）等）、アルケニレン基（例えば、ビニレン基、プロペニレン基等）、アルキニレン基（例えば、エチニレン基、３−ペンチニレン基等）、アリーレン基等の炭化水素基のほか、ヘテロ原子を含む基（例えば、−Ｏ−、−Ｓ−等のカルコゲン原子を含む２価の基、−Ｎ（Ｒ）−基、ここで、Ｒは、水素原子またはアルキル基を表し、該アルキル基は、前記一般式（１９）において、Ｒ₁、Ｒ₂で各々表される置換基に記載のアルキル基等）が用いられる。

以下に、本発明の有機ＥＬ素子材料として用いられる白金錯体化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。なお、以下に示す具体例において、自由回転できないアリール基または自由回転できない芳香族複素環基の周囲を各々点線で表示した。

《自由回転できないアリール基、自由回転できない芳香族複素環基》
本発明において、「自由回転できないアリール基、自由回転できない芳香族複素環基」とは、立体障害により結合の自由回転ができない置換基を表す。

但し、自由回転できないという状態としては、前記アリール基、前記芳香族複素環基が周囲に配置されている他の置換基等とが近接していることにより、物理的に自由回転不可能な場合は当然であるが、アリール基の結合軸、または芳香族複素環基の結合軸を通して結合生成している置換基との配座エネルギーに由来する結合回転障壁が存在する場合も、自由回転できないアリール基、自由回転できない芳香族複素環基として定義できる。

ここで、結合回転障壁を生成させる、配座エネルギーとしては、２５ｋｃａｌ／モル以上であることが好ましい。

また、本発明では、各々物理的に自由回転不可能な状態である、アリール基、芳香族複素環基であることが好ましい。

自由回転できないアリール基として用いることの可能なアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等が挙げられる。

自由回転できない芳香族複素環基として用いることの可能な芳香族複素環基としては、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。

《態様ｇ》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（２８）〜（３２）からなる群から選択される少なくとも１種の部分構造または該部分構造の互変異生体を含む場合。

（式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ₁₁は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ₁₂は炭素原子とともに非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。）

（式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ₂₁及びＺ₂₂は、それぞれ炭素原子及び窒素原子とともに芳香環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。）

（式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ₃₁は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ₃₂は炭素原子とともに５員または６員の芳香族複素環を形成するのに必要な炭素原子、窒素原子または酸素原子により構成される原子群を表し、Ｍは金属を表す。）

（式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ₄₁は炭素原子及び窒素原子とともに環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ₄₂は炭素原子とともに環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。）

（式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ₅₁は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ₅₂は炭素原子とともにアズレン環を形成する原子群を表し、Ｍは金属を表す。）
一般式（２８）〜（３２）で各々表される特定構造を有する金属錯体化合物について説明する。

前記一般式（２８）において、Ｚ₁₁は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ₁₂は炭素原子とともに非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ₁₁で形成される芳香族複素環としては、例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キナゾリン環、フタラジン環等が挙げられる。Ｚ₁₂で形成される非芳香族環としては、例えば、以下に記載の環が挙げられる。

一般式（２８）において、好ましくはＺ₁₂で表される非芳香環が、Ｒ−２またはＲ−６である。

次に、一般式（２９）について説明する。

一般式（２９）において、Ｚ₂₁及びＺ₂₂は、各々炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ₂₁で形成される芳香環は、前記Ｚ₁₁と同様の芳香族複素環が挙げられ、Ｚ₂₂で形成される芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環等が挙げられる。好ましくは、ピロール環、トリアゾール環の時である。

次に、一般式（３０）について説明する。

一般式（３０）において、Ｚ₃₁は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ₃₂は炭素原子とともに芳香族５員環を形成するのに必要な、炭素、窒素または酸素原子により構成される原子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ₃₁で形成される芳香族複素環としては前記Ｚ₁₁と同様の芳香族複素環が挙げられ、Ｚ₃₂で形成される芳香族５員環としては、例えば、ピロール環、フラン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環等を挙げることができ、好ましくは含窒素芳香族複素環であり、より好ましくは窒素または酸素原子が複数個含まれる含窒素芳香族複素環である。

次に、一般式（３１）について説明する。

一般式（３１）において、Ｚ₄₁は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ₄₂は炭素原子とともに環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ₄₁で形成される芳香族複素環は、前記Ｚ₁₁と同様の芳香族複素環が挙げられ、Ｚ₄₂で形成される環は、芳香環でも非芳香環でもかまわないが、好ましくは非芳香環である。

次に、一般式（３２）について説明する。

一般式（３２）において、Ｚ₅₁は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ₅₂は炭素原子とともにアズレン環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ₅₁で形成される芳香族複素環はＺ₁₁と同様の芳香族複素環が挙げられる。

上記説明した一般式（２８）〜（３２）において、Ｚ₁₁、Ｚ₁₂、Ｚ₂₁、Ｚ₂₂、Ｚ₃₁、Ｚ₃₂、Ｚ₄₁、Ｚ₄₂、Ｚ₅₁及びＺ₅₂によって形成される環は、さらに置換基を有していても良く、また、置換基同士が結合して、さらに環を形成してもよい。また、一般式（２８）〜（３２）において、Ｍは元素周期表で８〜１０族の金属であることが好ましく、より好ましくはＭがイリジウム、オスミウムまたは白金であり、最も好ましくはＭがイリジウムである。

以下に、一般式（２８）〜（３２）のいずれかで表される化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

《態様ｈ》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される部分構造を有する白金錯体で表される場合。

（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇は、各々水素原子または置換基を表すが、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄の少なくとも一つは電子供与性基である。Ｒａ、Ｒｂは、各々置換基を表す。）

（式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇は、各々水素原子または置換基を表すが、Ｒ₁₁、Ｒ₁₃の少なくとも一つは電子吸引性基である。Ｒｃ，Ｒｄは置換基を表す。）
一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される少なくとも１種の白金錯体について説明する。

《一般式（Ａ）で表される部分構造を有する白金錯体》
一般式（Ａ）で表される部分構造を有する白金錯体について説明する。

一般式（Ａ）において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇で、各々表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、（ｔ）ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、プロパルギル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニリル基、アントリル基、フェナントリル基、メシチル基、フルオレニル基等）、複素環基（例えば、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イミダゾリル基、フリル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、セレナゾリル基、スルホラニル基、ピペリジニル基、ピラゾリル基、テトラゾリル基、カルバゾリル基等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシル基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ニトロ基、シアノ基、シリル基（トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等）等が挙げられる。

本発明では、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄で表される基の少なくとも一つは電子供与性基であることが好ましく、さらに好ましくは、前記Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄で表される基の少なくとも二つが電子供与性基であり、また、前記電子供与性基の少なくとも一つのσｐが、−０．２０以下のものが用いられることであるが、最も好ましいのは、前記電子供与性基が、一般式（Ａ）のＲ₂またはＲ₄に導入されることである。

《σｐが−０．２０以下の電子供与性基》
ここで、σｐが−０．２０以下の電子供与性基としては、例えば、シクロプロビル基（−０．２１）、シクロヘキシル基（−０．２２）、ｔｅｒｔ−ブチル基（−０．２０）、−ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₃（−０．２１）、アミノ基（−０．６６）、ヒドロキシルアミノ基（−０．３４）、−ＮＨＮＨ₂（−０．５５）、−ＮＨＣＯＮＨ₂（−０．２４）、−ＮＨＣＨ₃（−０．８４）、−ＮＨＣ₂Ｈ₅（−０．６１）、−ＮＨＣＯＮＨＣ₂Ｈ₅（−０．２６）、−ＮＨＣ₄Ｈ₉（−０．５１）、−ＮＨＣ₆Ｈ₅（−０．４０）、−Ｎ＝ＣＨＣ₆Ｈ₅（−０．５５）、−ＯＨ（−０．３７）、−ＯＣＨ₃（−０．２７）、−ＯＣＨ₂ＣＯＯＨ（−０．３３）、−ＯＣ₂Ｈ₅（−０．２４）、−ＯＣ₃Ｈ₇（−０．２５）、−ＯＣＨ（ＣＨ₃）₂（−０．４５）、−ＯＣ₅Ｈ₁₁（−０．３４）、−ＯＣＨ₂Ｃ₆Ｈ₅（−０．４２）等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

一般式（Ａ）において、Ｒａ、Ｒｂで、各々表される置換基は、一般式（Ａ）において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇で、各々表される置換基と同義であるが、好ましくは、Ｒａ、Ｒｂが、共にアルキル基の場合である。

《一般式（Ｂ）で表される配位子を有する白金錯体》
一般式（Ｂ）で表される部分構造を有する白金錯体について説明する。

一般式（Ｂ）において、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇は、各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇で、各々表される置換基と同義である。但し、Ｒ₁₁、Ｒ₁₃の少なくとも一つは電子吸引性基であり、Ｒ₁₁、Ｒ₁₃が共に電子吸引性基であることが好ましく、さらに好ましくは、前記電子吸引性基のσｐが０．１０以上である。

《σｐが０．１０以上の電子吸引性基》
ここで、σｐが０．１０以上の電子吸引性基としては、例えば、−Ｂ（ＯＨ）₂（０．１２）、臭素原子（０．２３）、塩素原子（０．２３）、沃素原子（０．１８）、−ＣＢｒ₃（−０．２９）、−ＣＣｌ₃（０．３３）、−ＣＣＦ₃（０．５４）、−ＣＮ（０．６６）、−ＣＨＯ（０．４２）、−ＣＯＯＨ（０．４５）、ＣＯＮＨ₂（０．３６）、−ＣＨ₂ＳＯ₂ＣＦ₃（０．３１）、−ＣＯＣＨ₃（０．４５）、３−バレニル基（０．１９）、−ＣＦ（ＣＦ₃）₂（０．５３）、−ＣＯ₂Ｃ₂Ｈ₅（０．４５）、−ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₃（０．５２）、−Ｃ₆Ｆ₅（０．４１）、２−ベンゾオキサゾリル基（０．３３）、２−ベンゾチアサゾリル基（０．２９）、−Ｃ＝Ｏ（Ｃ₆Ｈ₅）（０．４３）、−ＯＣＦ₃（０．３５）、−ＯＳＯ₂ＣＨ₃（０．３６）、−ＳＯ₂（ＮＨ₂）（０．５７）、−ＳＯ₂ＣＨ₃（０．７２）、−ＣＯＣＨ₂ＣＨ₃（０．４８）、−ＣＯＣＨ（ＣＨ₃）₂（０．４７）、−ＣＯＣ（ＣＨ₃）₃（０．３２）等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

一般式（Ｂ）において、Ｒｃ、Ｒｄで、各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇で、各々表される置換基と同義であるが、好ましくは、Ｒｃ、Ｒｄが、共にアルキル基の場合である。

以下に、本発明に係る一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される部分構造を有する白金錯体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層であり、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。

正孔阻止層は、正孔輸送層から移動してくる正孔を陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物により形成される。正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、及び正孔を効率的に発光層内に閉じこめるために、発光層のイオン化ポテンシャルより大きいイオン化ポテンシャルの値を有するか、発光層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有することが好ましい。

本発明の一般式（Ｃ）で表される化合物を正孔阻止材料として用いることが好ましい。また公知の正孔阻止材料としては、スチリル化合物、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ボロン誘導体の少なくとも１種を用いることも本発明の効果を得る上で有効である。

その他の化合物例として、特開２００３−３１３６７号公報、同２００３−３１３６８号公報、特許第２７２１４４１号公報等に記載の例示化合物が挙げられる。

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層であり、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。

この正孔阻止層、電子阻止層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。

例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等の従来公知の材料を用いてもよい。

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ，ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は、上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

《電子輸送層》
本発明に係る電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。

この電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。

さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

または、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。

その他、メタルフリーまたはメタルフタロシアニン、さらには、それらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。または、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。

この電子輸送層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の薄膜形成法により製膜して形成することができる。

電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は、上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

《陰極》
一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。

陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。

また、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。

《バッファ層：陽極バッファ層、陰極バッファ層》
注入層は必要に応じて設け、陰極バッファ層（電子注入層）と陽極バッファ層（正孔注入層）があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。

バッファ層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、陽極バッファ層と陰極バッファ層とがある。

陽極バッファ層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファ層、アモルファスカーボンバッファ層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ層等が挙げられる。

陰極バッファ層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファ層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファ層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファ層等が挙げられる。上記バッファ層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。

《基体（基板、基材、支持体等ともいう）》
本発明の有機ＥＬ素子は基体上に形成されているのが好ましい。

基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。

樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等を有するフィルム等が挙げられる。また、樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよい。

本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し量子効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。

また、カラーフィルタ等の色相改良フィルタ等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルタを併用してもよい。色変換フィルタを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。

《有機ＥＬ素子の作製方法》
本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。

まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質ＩＴＯからなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に有機ＥＬ素子材料である陽極バッファ層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファ層の有機化合物薄膜を形成させる。

この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法）等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１０^-6〜１０^-2Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚０．１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。

これらの層を形成後、その上に陰極用物質、例えばＡｌからなる薄膜を、１μｍ以下好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

本発明の多色の表示装置は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、他層は共通であるのでシャドーマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。

発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。

また作製順序を逆にして、陰極、陰極バッファ層、電子輸送層、正孔輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極バッファ層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

本発明の表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。

表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。

本発明の照明装置は、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。

また、本発明に係る有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよい。

このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザ発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。

《表示装置》
本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような１種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を３種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。または、一色の発光色、例えば白色発光をカラーフィルタを用いてＢＧＲにし、フルカラー化することも可能である。さらに、有機ＥＬの発光色を色変換フィルタを用いて他色に変換しフルカラー化することも可能であるが、その場合、有機ＥＬ発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下であることが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子を構成として有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。

図１は、有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。

ディスプレイ１は、複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。

制御部Ｂは、表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。

図２は、表示部Ａの模式図を表す。

表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。図２においては、画素３の発光した光が、白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。

配線部の走査線５及び複数のデータ線６は、各々導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。

画素３は、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。

次に、画素の発光プロセスを説明する。

図３は、画素の模式図を表す。

画素は、有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。

図３において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。

画像データ信号の伝達により、コンデンサ１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。

制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。

すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。

ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。

また、コンデンサ１３の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。

本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。

図４は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図４において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。

順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子がなく、製造コストの低減が計れる。

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。

実施例１
（有機ＥＬ素子の作製）
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。この透明支持基板上にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、３０ｎｍの第１の正孔輸送層を設けた。この第１の正孔輸送層を設けた透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに第２の正孔輸送層としてα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物として化合物１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＩｒ−１２を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＢＡｌｑを２００ｍｇ入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ₃を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取付けた。

次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板に蒸着しての第二の正孔輸送層を設けた。さらに、化合物１とＩｒ−１２の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１２ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚３０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。さらに、ＢＡｌｑの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記発光層の上に蒸着して膜厚１０ｎｍの正孔阻止の役割も兼ねた電子輸送層を設けた。その上に、さらに、Ａｌｑ₃の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記電子輸送層の上に蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。

引き続きフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１−１を作製した。

有機ＥＬ素子１−１の作製において、発光層のホスト化合物として用いた化合物１を表１に示す化合物に置き換えた以外は有機ＥＬ素子１−１と同じ方法で有機ＥＬ素子１−２〜１−１３を作製した。上記で使用した各化合物の構造を以下に示す。

（有機ＥＬ素子の評価）
作製した有機ＥＬ素子１−１〜１−１３の評価を下記のようにして行い、その結果を表１に示す。

〈外部取り出し量子効率〉
有機ＥＬ素子について、２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で１０ｍＡ／ｃｍ²定電流を印加した時の外部取り出し量子効率（％）を測定した。なお測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ製）を用いた。

表１の外部取り出し量子効率の測定結果は、有機ＥＬ素子１−１２の測定値を１００とした時の相対値で表した。

表１から、本発明の有機ＥＬ素子は、外部取り出し量子効率に非常に優れていることが分かった。

実施例２
（有機ＥＬ素子の作製）
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。この透明支持基板上にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、３０ｎｍの第１の正孔輸送層を設けた。この第１の正孔輸送層を設けた透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに第２の正孔輸送層としてα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＣＢＰを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＩｒ−１を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに正孔阻止材料として化合物１を２００ｍｇ入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ₃を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取付けた。

次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板に蒸着して膜厚２５ｎｍの第一正孔輸送層を設けた。さらに、ＣＢＰとＩｒ−１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１２ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚３０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。さらに、化合物１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記発光層の上に蒸着して膜厚１０ｎｍの正孔阻止層の役割も兼ねた電子輸送層を設けた。その上に、さらに、Ａｌｑ₃の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記電子輸送層の上に蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。

引き続きフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子２−１を作製した。

有機ＥＬ素子２−１の作製において、正孔阻止材料として用いた化合物１を表２に示す化合物に置き換えた以外は有機ＥＬ素子２−１と同じ方法で有機ＥＬ素子２−１〜２−１３を作製した。上記で使用した化合物の構造を以下に示す。

（有機ＥＬ素子の評価）
実施例１と同様にして有機ＥＬ素子２−１〜２−１３の外部取り出し量子効率の評価を行った。さらに下記に示す測定法に従って寿命の評価を行った。

（寿命）
１０ｍＡ／ｃｍ²の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度（初期輝度）の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間（τ０．５）として寿命の指標とした。なお測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ製）を用いた。

表２の外部取り出し量子効率、寿命の測定結果は、有機ＥＬ素子２−１２を１００とした時の相対値で表した。

表２から、本発明の有機ＥＬ素子は、長寿命化が達成されていることが分かった。

実施例３
実施例１で作製した本発明の有機ＥＬ素子１−４と、実施例２で作製した本発明の有機ＥＬ素子２−５と、本発明の有機ＥＬ素子２−５のリン光性化合物を下記Ｂｔｐ₂Ｉｒ（ａｃａｃ）に置き換えた以外は同様にして作製した赤色発光有機ＥＬ素子を同一基板上に並置し、図１に示すアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。図２には作製したフルカラー表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。即ち同一基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。前記複数の画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示が可能となる。

フルカラー表示装置を駆動することにより、外部取り出し量子効率が高く耐久性の良好な、鮮明なフルカラー動画表示が得られた。

実施例４
実施例１の透明電極基板の電極を２０ｍｍ×２０ｍｍにパターニングし、その上に実施例１と同様に正孔注入／輸送層としてポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）及びα−ＮＰＤを５０ｎｍの厚さで成膜し、さらに本発明の化合物１の入った前記加熱ボートとＩｒ−１２の入ったボート及びＢｔｐ₂Ｉｒ（ａｃａｃ）の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるＰＶＫと発光ドーパントであるＩｒ−１２及びＢｔｐ₂Ｉｒ（ａｃａｃ）の蒸着速度が１００：５：０．６になるように調節し、３０ｎｍの厚さになるように蒸着し発光層を設けた。

次いで、化合物１３を１０ｎｍ成膜して電子輸送層を設けた。さらに、Ａｌｑ₃を４０ｎｍで成膜し電子注入層を設けた。

次に、真空槽を開け、電子注入層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層として弗化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着成膜した。

最後に厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図５及び６で示す平面ランプを作製した。図５は照明装置の概略図で、図６は照明装置の断面図である。有機ＥＬ素子１００は、ガラスカバー１０２で覆われ、透明電極付きガラス基板１０１とガラスカバー１０２とは封止剤１０７で封止され、電源線（陽極）１０３と、電源線（陰極）１０４が接続されている。１０５は陰極で１０６は有機ＥＬ層である。なおガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、補水剤１０９が設けられている。

この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。なお、発光ホストを本発明の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが分かった。

実施例５
実施例４における化合物１をＣＢＰに、ＢＡｌｑを化合物１４に置き換えた他は同様に平面ランプを作製したところ、実施例４と同様に、ほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。なお、発光ホストを本発明の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが分かった。

アクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を示す。 フルカラー表示装置の表示部Ａの模式図を示す。 画素の模式図を表す。 パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。 照明装置の概略図である。 照明装置の断面図である。

符号の説明

１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
１００ 有機ＥＬ素子
１０１ 透明電極付きガラス基板
１０２ ガラスカバー
１０３ 電源線（陽極）
１０４ 電源線（陰極）
１０５ 陰極
１０６ 有機ＥＬ層
１０７ 封止剤
１０８ 窒素ガス
１０９ 捕水剤

Claims (13)

1. 下記一般式（Ｃ）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
   

   

   （式中、Ａはアミン化合物またはホスフィン化合物を表し、Ｂはホウ素原子を表し、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は置換または無置換の芳香族基または複素環基を表す。）
2. 前記Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃が６員の芳香族環または複素環を形成するのに必要な原子群であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
3. 前記Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃がベンゼン環であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
4. 前記Ａが含窒素複素環化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. リン光性発光材料を含有する発光層を有することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する正孔阻止層を有することを特徴とする請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する発光層を有することを特徴とする請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 青色に発光することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 白色に発光することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 請求項５〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
12. 請求項５〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。
13. 請求項１２に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子を有することを特徴とする表示装置。

Images