JP2006093075A

JP2006093075A - ガス放電表示装置

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Publication number: JP2006093075A
Application number: JP2004366626A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Akiyama; 和哉秋山; Hiroshi Hibino; 洋日比野
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2004-08-23
Filing date: 2004-12-17
Publication date: 2006-04-06
Also published as: US20060038491A1; KR20060053195A

Abstract

【課題】蛍光体層の経年劣化を防止出来るとともに高輝度の発光を行うことが出来るガス放電表示装置を提供する。
【解決手段】前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間内において発生される放電により、この放電空間中の放電ガスから発生する真空紫外線によって励起されて発光する蛍光体層７が、Ｘｅ共鳴線に対する耐性を有し、Ｘｅ共鳴線とこのＸｅ共鳴線およびＸｅ分子線よりも長波長域の紫外線を吸収するとともにＸｅ分子線を透過する第１蛍光体７ａと、Ｘｅ共鳴線およびＸｅ分子線を吸収してＸｅ共鳴線およびＸｅ分子線よりも長波長域の紫外線を発生する第２蛍光体７ｂとによって形成されている。
【選択図】図１

Description

この発明は、ガス放電表示装置の可視光を発生する蛍光体層の構成に関する。

一般に、ガス放電表示装置の一つであるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、放電空間を介して対向する一対の基板の一方の基板の内面に、行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層とこの誘電体層を被覆する保護層が設けられ、他方の基板の内面に、行電極対に直交するとともに放電空間の行電極対と交差する部分にマトリクス状に放電セルを形成する列電極とこの列電極を被覆する列電極保護層とこの列電極保護層上に各放電セル毎に赤，緑，青に色分けされた蛍光体層が設けられた構造を備えている。

そして、放電空間内には、キセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが封入されている。このような構造のＰＤＰは、行電極対の一方の行電極と列電極との間で選択的にアドレス放電が発生され、このアドレス放電によって放電セルに対向する部分の誘電体層に壁電荷が形成された放電セル（発光セル）内において、行電極対の行電極間でサステイン放電が発生されて、このサステイン放電により放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）から発生する真空紫外線が蛍光体層を励起して可視光を発生させることにより、映像信号に対応した画像を形成する。

このサステイン放電により放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）から発生する真空紫外線には、共鳴線（１４７ｎｍ）や分子線（１７２ｎｍ）などが含まれている。

この真空紫外線は、エネルギが大きく、蛍光体層に長時間照射されると、この蛍光体層に輝度劣化などによる経年劣化が発生する。

この経年劣化は、ＰＤＰにおいて一般的に用いられているバリウムおよびマグネシウム、アルミニウム酸化物にユーロピウムを含ませた青色蛍光体において、顕著に現れる。

従来、このような蛍光体層の経年劣化を防止するために、真空紫外線のＸｅ共鳴線（１４７ｎｍ）やＸｅ分子線（１７２ｎｍ）などをそれよりも長波長の輻射線（２５０〜４００ｎｍ）に変換する第１蛍光体層が上層に形成され、この長波長の輻射線（２５０〜４００ｎｍ）によって励起されて可視光を発生する第２蛍光体層が下層に形成された二層構造の蛍光体層を備えたＰＤＰが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、この従来のＰＤＰは、画像形成のための可視光を二層構造の蛍光体層における二段階の励起発光工程によって得るために、変換損失が大きく、十分な発光輝度を得ることが出来ないという問題を有している。

特開平１１−６７１０３号公報

この発明は、上記のような従来のガス放電表示装置における問題点を解決するために為されたものである。

この発明（請求項１に記載の発明）によるガス放電表示装置は、上記目的を達成するために、一対の基板が放電空間を介して対向され、この一対の基板間に蛍光体層と放電空間内において放電を発生させる放電発生部材が設けられ、放電空間内に、キセノンガスを含み放電発生部材によって発生される放電によってキセノン共鳴線およびキセノン分子線を含む真空紫外線を発生させてこの真空紫外線により蛍光体層を励起して可視光を発生させる放電ガスが封入されているガス放電表示装置において、前記蛍光体層が、キセノン共鳴線に対する耐性を有し、キセノン共鳴線とこのキセノン共鳴線およびキセノン分子線よりも長波長域の紫外線を吸収するとともにキセノン分子線を透過する第１蛍光体と、キセノン共鳴線およびキセノン分子線を吸収してキセノン共鳴線およびキセノン分子線よりも長波長域の紫外線を発生する第２蛍光体とを含んでいることを特徴としている。

この発明は、前面基板に行電極対が形成され、この前面基板と対向する背面基板に列電極が形成され、この前面基板と背面基板の間の放電空間の行電極対の互いに対向して放電を発生する部分に対向する部分毎に放電セルが形成され、この各放電セル内にそれぞれ蛍光体層が形成され、放電空間にキセノンガスを含む放電ガスが封入され、蛍光体層が、Ｘｅ共鳴線（１４７ｎｍ）に対する耐性を有し、Ｘｅ共鳴線とこのＸｅ共鳴線およびＸｅ分子線（１７２ｎｍ）よりも長波長域の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）を吸収するとともにＸｅ分子線を透過する第１蛍光体と、Ｘｅ共鳴線およびＸｅ分子線を吸収してＸｅ共鳴線およびＸｅ分子線よりも長波長域の紫外線を発生する第２蛍光体とを含んでいるＰＤＰを、その最良の実施形態としている。

この実施形態によるＰＤＰは、行電極対の互いに対向する部分において放電空間の放電セル内で放電が発生される際に、放電空間内に封入されている放電ガス中のキセノンガスから発生する真空紫外線のうち、Ｘｅ共鳴線が、蛍光体層を形成する蛍光体のうち第１蛍光体によって吸収されて、この第１蛍光体を励起して発光させる。

真空紫外線のうちの第１蛍光体を透過するＸｅ分子線は、第１蛍光体の発光には寄与しないが、第２蛍光体に吸収されてＸｅ共鳴線およびＸｅ分子線よりも長波長域の紫外線に変換される。

そして、この第２蛍光体から発生する紫外線は、第１蛍光体によって吸収されて、この第１蛍光体を励起して発光させる。

このとき、第１蛍光体は、真空紫外線のＸｅ共鳴線に対して高い耐性を有していることから輝度劣化などによる経年劣化の発生が少ない。

このように、上記実施形態のガス放電装置は、蛍光体層が真空紫外線のＸｅ共鳴線に対して高い耐性を有しているとともに、第１蛍光体がＸｅ分子線によって発光しないことによる発光輝度の不足は、第２蛍光体が第１蛍光体を透過するＸｅ分子線を、第１蛍光体を発光させる波長域の紫外線に変換することによって補っているので、画像形成に必要な十分な輝度が得られる。

そして、このガス放電装置は、第１蛍光体がＸｅ共鳴線によって発光し、第２蛍光体が第１蛍光体の発光に寄与しないＸｅ分子線を紫外線に変換して発光に寄与するようにするものであるので、従来のものよりも変換損失を小さく抑えることが出来る。

図１は、この発明によるガス放電表示装置をＰＤＰに適用した場合の実施形態における第１の実施例を示す断面図である。

この図１は、ＰＤＰを列方向に沿って断面した場合の一個の放電セルＣの周辺の構成を示している。

この図１において、ＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、行方向（図１において紙面に垂直方向）に延びるとともに列方向（図４において左右方向）に並設された行電極対（Ｘ，Ｙ）が形成されている。

この行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する行電極ＸとＹは、それぞれ、行方向に帯状に延びるバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａに沿って等間隔に配列されてそれぞれバス電極Ｘａ，Ｙａから対になっている他方の行電極側に延びて互いに放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成されている。

そして、前面ガラス基板１の背面側に誘電体層２が形成されていて、この誘電体層２によって行電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆されている。

さらに、この誘電体層２の背面側にはＭｇＯからなる保護層３が形成されて、この保護層３によって誘電体層２の表面が被覆されている。

一方、前面ガラス基板１と放電空間を介して対向する背面ガラス基板４の表示側の面上には、アドレス電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になっている透明電極ＸｂおよびＹｂに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する列方向に延びるとともに、行方向に互いに所定の間隔を開けて平行に並設されている。

背面ガラス基板４の表示側の面上には、さらに、アドレス電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層(誘電体層）５が形成されている。

そして、この列電極保護層５上に、それぞれバス電極Ｘａ，Ｙａに対向する位置において行方向に延びるとともに列方向に並設された横壁部６Ａと、列方向に並設された各アドレス電極Ｄの中間位置に対向する位置において列方向に延びるとともに行方向に並設された縦壁部（図示せず）とによって略格子形状に成形された隔壁６が形成されており、この隔壁６によって放電空間が、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分毎にマトリクス状に区画されて、それぞれ放電セルＣが形成されている。

さらに、この各放電セルＣ内において、隔壁６の横壁部６Ａと縦壁部の間の列電極保護層６の表面と各横壁部６Ａと縦壁部の側面の五つの面に、それぞれ赤，緑，青に色分けされた蛍光体層７が、赤，緑，青の順に行方向に並ぶように形成されている（図１には、この赤，緑，青の蛍光体層のうち青色の蛍光体層が示されている）。

前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間内には、キセノン（Ｘｅ）ガスを含む放電ガスが封入されている。

上記蛍光体層７のうち青色の蛍光体層は、下記に詳述するような第１蛍光体７ａと第２蛍光体７ｂが混合された塗布材によって形成されている。

第１蛍光体７ａとしては、Ｘｅ共鳴線（１４７ｎｍ）に対する耐性が高く、長波長域の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）およびＸｅ共鳴線は吸収して可視光を発光するが、Ｘｅ分子線（１７２ｎｍ）はほとんど吸収せずに透過する性質を備えた材料、例えば、（Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ_２Ｏ_６：Ｅｕ等のＥｕ付活ケイ酸塩蛍光材が用いられる。

第２蛍光体７ｂとしては、Ｘｅ共鳴線（１４７ｎｍ）およびＸｅ分子線（１７２ｎｍ）に対する耐性が高く、Ｘｅ共鳴線とＸｅ分子線の双方を良く吸収して、このＸｅ共鳴線とＸｅ分子線よりも長波長域の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）に変換する性質を備えた材料、例えば、ガドリニウム、または、プラセオジム共付活フッ化物蛍光材（Ｙ，Ｇｄ，Ｐｒ）Ｆ_３等のガドリニウム，プラセオジム共付活蛍光材，プラセオジム付活アルミナ硼酸塩蛍光材（Ｙ，Ｐｒ）Ａｌ_３（ＢＯ_３）_４，プラセオジウム付活フッ化物蛍光材（Ｙ，Ｐｒ）Ｆ_３等のプラセオジウム付活蛍光材，ガドリニウム付活アルミナ硼酸塩蛍光材（Ｙ，Ｇｄ）Ａｌ_３（ＢＯ_３）_４，ガドリニウム付活フッ化物蛍光材（Ｙ，Ｇｄ）Ｆ_３等のガドリニウム付活蛍光材等が用いられる。

上記のような構造のＰＤＰは、行電極Ｙの透明電極Ｙｂと列電極Ｄとの間で選択的にアドレス放電が発生され、このアドレス放電によって誘電体層２に壁電荷が形成された放電セル（発光セル）Ｃ内において、行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹ間でサステイン放電が発生されて、このサステイン放電により放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）から真空紫外線が発生される。

そして、この真空紫外線によって蛍光体層７が励起されて発光することにより、パネル面に映像信号に対応した画像が形成される。

ここで、蛍光体層７が第１蛍光体７ａのみによって形成されている場合には、この蛍光体層７は、放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）から発生する真空紫外線に含まれるＸｅ共鳴線（１４７ｎｍ）およびＸｅ分子線（１７２ｎｍ）に対しては高い耐性を有し、蛍光体層の経年劣化を十分に防止することが出来るが、この第１蛍光体７ａは、真空紫外線中のＸｅ分子線は透過してＸｅ共鳴線のみによって発光するために、発光輝度が不足することになる。

図２は、この第１蛍光体７ａが（Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ_２Ｏ_６：Ｅｕである場合の励起特性（吸収特性）を示すグラフである。

この図２に示されるように、第１蛍光体７ａは、波長１７２ｎｍのＸｅ分子線はほとんど吸収せず、このＸｅ分子線によってはほとんど発光しない。

しかしながら、上記ＰＤＰは、蛍光体層７に第１蛍光体７ａとともに、Ｘｅ共鳴線（１４７ｎｍ）およびＸｅ分子線（１７２ｎｍ）に対する耐性が高い第２蛍光体７ｂが混合されていることによって、図３に示されるように、この第２蛍光体７ｂが、真空紫外線中のＸｅ共鳴線およびＸｅ分子線を吸収して、このＸｅ共鳴線およびＸｅ分子線を長波長域の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）に変換する。

そして、第１蛍光体７ａが、真空紫外線中のＸｅ共鳴線（１４７ｎｍ）によって励起されて発光するとともに、第２蛍光体７ｂから発せられる紫外線によってさらに発光される。

以上のように、上記ＰＤＰは、真空紫外線中のＸｅ共鳴線（１４７ｎｍ）およびＸｅ分子線（１７２ｎｍ）に対して高い耐性を有するがＸｅ分子線を透過するために発光輝度が低い青色蛍光体（第１蛍光体７ａ）に対して、第１蛍光体７ａを透過する分子線および第２蛍光体７ｂに直接照射されるＸｅ共鳴線をこのＸｅ共鳴線やＸｅ分子線よりも長波長域の紫外線に変換する第２蛍光体７ｂが混合されて、蛍光体層７が形成されていることによって、青色の蛍光体層７が、真空紫外線に対する高い耐性と発光輝度を有することが出来るようになる。

そして、上記ＰＤＰは、青色の蛍光体層７を形成する第１蛍光体７ａがＸｅ共鳴線によって発光し、第２蛍光体７ｂが第１蛍光体７ａの発光に寄与しないＸｅ分子線を紫外線に変換して発光に寄与するようにするものであるので、従来のものよりも変換損失を小さく抑えることが出来る。

図４は、この発明によるガス放電表示装置をＰＤＰに適用した場合の実施形態における第２の実施例を示す断面図である。

この図４は、ＰＤＰを列方向に沿って断面した場合の一個の放電セルの周辺の構成を示しており、蛍光体層以外の構成については、上述した第１実施例のＰＤＰと同様であって、同一の構成部分については同一の符号が付されている。

この第２実施例におけるＰＤＰは、放電セルＣ内の隔壁６の横壁部６Ａと縦壁部の間の列電極保護層６の表面と各横壁部６Ａと縦壁部の側面の五つの面に形成された青色の蛍光体層１７が、後述するような材料によってそれぞれ形成された第１蛍光体層１７Ａと、この第１蛍光体層１７Ａによって表面を被覆された第２蛍光体層１７Ｂとによる二層構造に構成されている。

すなわち、第１蛍光体層１７Ａは、Ｘｅ共鳴線（１４７ｎｍ）に対する耐性が高く、長波長域の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）およびＸｅ共鳴線は吸収して可視光を発光するが、Ｘｅ分子線（１７２ｎｍ）はほとんど吸収せずに透過する性質を備えた材料、例えば、（Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ_２Ｏ_６：Ｅｕ等のＥｕ付活ケイ酸塩蛍光材が用いられる。

第２蛍光体層１７Ｂには、Ｘｅ共鳴線（１４７ｎｍ）およびＸｅ分子線（１７２ｎｍ）に対する耐性が高く、Ｘｅ共鳴線とＸｅ分子線の双方を良く吸収して、このＸｅ共鳴線とＸｅ分子線よりも長波長域の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）に変換する性質を備えた材料、例えば、ガドリニウム、または、プラセオジム共付活フッ化物蛍光材（Ｙ，Ｇｄ，Ｐｒ）Ｆ_３等のガドリニウム，プラセオジム共付活蛍光材，プラセオジム付活アルミナ硼酸塩蛍光材（Ｙ，Ｐｒ）Ａｌ_３（ＢＯ_３）_４，プラセオジウム付活フッ化物蛍光材（Ｙ，Ｐｒ）Ｆ_３等のプラセオジウム付活蛍光材，ガドリニウム付活アルミナ硼酸塩蛍光材（Ｙ，Ｇｄ）Ａｌ_３（ＢＯ_３）_４，ガドリニウム付活フッ化物蛍光材（Ｙ，Ｇｄ）Ｆ_３等のガドリニウム付活蛍光材等が用いられる。

この蛍光体層１７は、先ず、隔壁６の横壁部６Ａと縦壁部の間の列電極保護層６の表面と各横壁部６Ａと縦壁部の側面の五つの面を覆うよう第２蛍光体層１７Ｂが形成され、次に、この第２蛍光体層１７Ｂ上に第１蛍光体層１７Ａが積層されて形成される。

この第１蛍光体層１７Ａおよび第２蛍光体層１７Ｂは、上述したような材質の蛍光体粉末を含有する塗布材を用いて、スクリーン印刷やノズル塗布などの方法によって形成され、この場合に、下層になる第２蛍光体層１７Ｂを形成する塗布材に含有される蛍光体粉末には、第１蛍光体層１７Ａを透過したＸｅ分子線（１７２ｎｍ）が蛍光体粉末によって乱反射を起こすのを防止するために、粒状のものよりも、扁平状のものを使用するのが好ましい。

上記のような二層構造の蛍光体層１７を有するＰＤＰは、行電極対（Ｘ，Ｙ）の放電ギャップｇを挟んで互いに対向する透明電極ＸｂとＹｂ間で放電が発生される際に、図５に示されるように、放電セルＣ内に充填されている放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）ガスから発生する真空紫外線のうち、Ｘｅ共鳴線（１４７ｎｍ）が、第１蛍光体層１７Ａに吸収されて、この第１蛍光体層１７Ａを励起することにより発光させる。

真空紫外線のうちのＸｅ分子線（１７２ｎｍ）は、第１蛍光体層１７Ａを透過してこの第１蛍光体層１７Ａの発光には寄与しないが、第１蛍光体層１７Ａの下側に形成されている第２蛍光体層１７Ｂに吸収され、この第２蛍光体層１７Ｂによって、Ｘｅ共鳴線およびＸｅ分子線よりも長波長域の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）に変換される。

そして、この第２蛍光体層１７ＢによってＸｅ分子線（１７２ｎｍ）から変換された長波長域の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）によって、第１蛍光体層１７Ａがさらに発光される。

以上のように、上記ＰＤＰは、真空紫外線中のＸｅ共鳴線（１４７ｎｍ）およびＸｅ分子線（１７２ｎｍ）に対して高い耐性を有するがＸｅ分子線を透過するために発光輝度が低い青色蛍光体によって形成された第１蛍光体層１７Ａに対して、この第１蛍光体層１７Ａを透過するＸｅ分子線をＸｅ共鳴線およびＸｅ分子線よりも長波長の紫外線に変換する第２蛍光体層１７Ｂが形成されていることによって、青色の蛍光体層１７が、真空紫外線に対する高い耐性と発光輝度を有することが出来るようになる。

そして、上記ＰＤＰは、真空紫外線中のＸｅ共鳴線のほとんどが蛍光体層１７を形成する第１蛍光体層１７Ａの発光に寄与し、第２蛍光体層１７Ｂは、第１蛍光体層１７Ａを透過したＸｅ分子線のみを紫外線に変換して発光に寄与するようにするものであるので、従来のものよりも大幅に変換損失を小さく抑えることが出来る。

図６は、この発明によるガス放電表示装置をＰＤＰに適用した場合の実施形態における第３の実施例を示す断面図である。

この図６は、ＰＤＰを列方向に沿って断面した場合の一個の放電セルの周辺の構成を示しており、蛍光体層以外の構成については、前述した第１実施例のＰＤＰと同様であり、同一の構成部分については同一の符号が付されている。

この図６において、各放電セルＣ内において、隔壁６の横壁部６Ａと縦壁部の間の列電極保護層６の表面と各横壁部６Ａと縦壁部の側面の五つの面に、後述するような材料によって形成された青色の第１蛍光体層２７Ａと、この第１蛍光体層２７Ａによって表面を被覆された第２蛍光体層２７Ｂとによって二層構造に構成された蛍光体層２７が形成されている。

すなわち、第１蛍光体層２７Ａは、Ｘｅ共鳴線（１４７ｎｍ）に対する耐性が高く、長波長域の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）およびＸｅ共鳴線は吸収して可視光を発光するが、Ｘｅ分子線（１７２ｎｍ）はほとんど吸収せずに透過する性質を備えた材料、例えば、（Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ_２Ｏ_６：Ｅｕ等のＥｕ付活ケイ酸塩蛍光材が用いられる。

第２蛍光体層２７Ｂには、Ｘｅ共鳴線（１４７ｎｍ）およびＸｅ分子線（１７２ｎｍ）に対する耐性が高く、Ｘｅ共鳴線とＸｅ分子線の双方を良く吸収して、このＸｅ共鳴線とＸｅ分子線よりも長波長域の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）を発生する性質を備えた材料、例えば、ガドリニウム、または、プラセオジム共付活フッ化物蛍光材（Ｙ，Ｇｄ，Ｐｒ）Ｆ_３等のガドリニウム，プラセオジム共付活蛍光材，プラセオジム付活アルミナ硼酸塩蛍光材（Ｙ，Ｐｒ）Ａｌ_３（ＢＯ_３）_４，プラセオジウム付活フッ化物蛍光材（Ｙ，Ｐｒ）Ｆ_３等のプラセオジウム付活蛍光材，ガドリニウム付活アルミナ硼酸塩蛍光材（Ｙ，Ｇｄ）Ａｌ_３（ＢＯ_３）_４，ガドリニウム付活フッ化物蛍光材（Ｙ，Ｇｄ）Ｆ_３等のガドリニウム付活蛍光材等が用いられる。

この蛍光体層２７の第１蛍光体層２７Ａと第２蛍光体層２７Ｂは、少なくとも下層となる第２蛍光体層２７Ｂが透明な薄膜の蛍光体層となっており、例えば、ＣＶＤ法や電子ビーム蒸着法，スパッタリング法などの薄膜形成技術によって形成されている。

なお、上層となる第１蛍光体層２７Ａについては、第２蛍光体層２７Ｂと同様に透明な薄膜の蛍光体層としても良く、また、第２実施例の場合と同様に、粉末の蛍光材料を含有する塗布材を用いて、スクリーン印刷やノズル塗布などの方法によって形成するようにしても良い。

この蛍光体層２７も、第２実施例の場合と同様に、先ず、隔壁６の横壁部６Ａと縦壁部の間の列電極保護層６の表面と各横壁部６Ａと縦壁部の側面の五つの面を覆うよう第２蛍光体層２７Ｂが形成され、次に、この第２蛍光体層２７Ｂ上に第１蛍光体層２７Ａが積層されて形成される。

上記のような二層構造の蛍光体層２７を有するＰＤＰは、行電極対（Ｘ，Ｙ）の放電ギャップｇを挟んで互いに対向する透明電極ＸｂとＹｂ間で放電が発生される際に、放電セルＣ内に充填されている放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）ガスから発生する真空紫外線のうち、Ｘｅ共鳴線（１４７ｎｍ）が、第１蛍光体層２７Ａに吸収されて、この第１蛍光体層２７Ａを励起することにより発光させる。

真空紫外線のうちのＸｅ分子線（１７２ｎｍ）は、第１蛍光体層２７Ａを透過してこの第１蛍光体層２７Ａの発光には寄与しないが、第１蛍光体層２７Ａの下側に形成されている第２蛍光体層２７Ｂに吸収され、この第２蛍光体層２７Ｂによって、Ｘｅ共鳴線およびＸｅ分子線よりも長波長の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）に変換される。

そして、この第２蛍光体層２７ＢによってＸｅ分子線（１７２ｎｍ）から変換された長波長域の紫外線（２１０〜４００ｎｍ）によって、第１蛍光体層２７Ａがさらに発光される。

以上のように、上記ＰＤＰは、真空紫外線中のＸｅ共鳴線（１４７ｎｍ）およびＸｅ分子線（１７２ｎｍ）に対して高い耐性を有するがＸｅ分子線を透過するために発光輝度が低い青色蛍光体によって形成された第１蛍光体層２７Ａに対して、この第１蛍光体層２７Ａを透過する分子線をＸｅ共鳴線およびＸｅ分子線よりも長波長域の紫外線に変換する第２蛍光体層２７Ｂが形成されていることによって、青色の蛍光体層２７が、真空紫外線に対する高い耐性と発光輝度を有することが出来るようになる。

そして、上記ＰＤＰは、真空紫外線中のＸｅ共鳴線のほとんどが蛍光体層２７を形成する第１蛍光体層２７Ａの発光に寄与し、第２蛍光体層２７Ｂは、第１蛍光体層２７Ａを透過したＸｅ分子線のみを紫外線に変換して発光に寄与するようにするものであるので、従来のものよりも大幅に変換損失を小さく抑えることが出来る。

そして、この第３実施例によるＰＤＰは、第２蛍光体層２７Ａが透明な薄膜状に形成されていることによって、この第２蛍光体層２７ＡによるＸｅ分子線の乱反射が小さくなって、高輝度の発光を行うことが出来るようになる。

この発明の実施形態における第１実施例を示す断面図である。同例における第１蛍光体の励起特性を示すグラフである。同例における第１蛍光体と第２蛍光体の真空紫外線の透過と吸収の状態を示す説明図である。この発明の実施形態における第２実施例を示す断面図である。同例における第１蛍光体層と第２蛍光体層の真空紫外線の透過と吸収の状態を示す説明図である。この発明の実施形態における第３実施例を示す断面図である。

符号の説明

１ …前面ガラス基板（基板）
４ …背面ガラス基板（基板）
６ …隔壁
６Ａ …横壁部
７，１７，２７ …蛍光体層
７ａ …第１蛍光体
７ｂ …第２蛍光体
１７Ａ，２７Ａ …第１蛍光体層
１７Ｂ，２７Ｂ …第２蛍光体層
Ｃ …放電セル（単位発光領域）
Ｘ，Ｙ …行電極（放電発生部材）
Ｄ …列電極

Claims

一対の基板が放電空間を介して対向され、この一対の基板間に蛍光体層と放電空間内において放電を発生させる放電発生部材が設けられ、放電空間内に、キセノンガスを含み放電発生部材によって発生される放電によってキセノン共鳴線およびキセノン分子線を含む真空紫外線を発生させてこの真空紫外線により蛍光体層を励起して可視光を発生させる放電ガスが封入されているガス放電表示装置において、
前記蛍光体層が、キセノン共鳴線に対する耐性を有し、キセノン共鳴線とこのキセノン共鳴線およびキセノン分子線よりも長波長域の紫外線を吸収するとともにキセノン分子線を透過する第１蛍光体と、キセノン共鳴線およびキセノン分子線を吸収してキセノン共鳴線およびキセノン分子線よりも長波長域の紫外線を発生する第２蛍光体とを含んでいることを特徴とするガス放電表示装置。
前記第１蛍光体が、ユーロピウム付活ケイ酸塩蛍光材である請求項１に記載のガス放電表示装置。
前記第２蛍光体が、ガドリニウム付活蛍光材およびプラセオジム付活蛍光材，ガドリニウム，プラセオジム共付活蛍光材のうちのいずれかである請求項１に記載のガス放電表示装置。
前記第２蛍光体が、扁平な形状の蛍光体粉末を含んでいる請求項３に記載のガス放電表示装置。
前記蛍光体層が、第１蛍光体の粉末と第２蛍光体の粉末が混合した状態で形成されている請求項１に記載のガス放電表示装置。
前記蛍光体層が、第１蛍光体を含む第１蛍光体層と、第２蛍光体を含み第１蛍光体層によって表面を被覆された第２蛍光体層とによる二層構造に形成されている請求項１に記載のガス放電表示装置。
前記蛍光体層の少なくとも第２蛍光体層が、透明蛍光体薄膜によって形成されている請求項６に記載のガス放電表示装置。
前記ガス放電表示装置がプラズマディスプレイパネルであり、第１蛍光体と第２蛍光体を有する蛍光体層が、放電空間にマトリクス状に配列された単位発光領域内に形成された三原色の蛍光体層である請求項１に記載のガス放電表示装置。