JP2007154122A - 蛍光体およびガス放電表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】良好な真空紫外線照射維持率と輝度比を有する蛍光体を提供する。
【解決手段】
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表される蛍光体。
【選択図】図2
【解決手段】
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表される蛍光体。
【選択図】図2
Description
この発明は、真空紫外線によって励起される蛍光体およびこの蛍光体が用いられるガス放電表示装置に関する。
一般に、ガス放電表示装置の一つであるプラズマディスプレイパネル(PDP)は、放電空間を介して対向する一対の基板の間に、それぞれ誘電体層によって被覆された行電極対とこの行電極対に対して直交する方向に延びる列電極が設けられ、この行電極対と列電極によって放電空間内に放電セルがマトリクス状に形成され、さらに、一対の基板の一方の基板側に、各放電セル毎に赤,緑,青に色分けされた蛍光体層が設けられた構造を備えている。
そして、放電空間内には、キセノン・ガスを含む放電ガスが封入されている。 このような構造のPDPは、行電極対の一方の行電極と列電極との間において選択的にアドレス放電が発生され、次に、アドレス放電によって放電セルに対向する部分の誘電体層に壁電荷が形成されている放電セル(発光セル)内において、行電極対の行電極間でサステイン放電が発生されて、このサステイン放電により放電ガス中のキセノン・ガスから発生する真空紫外線(波長147nmの共鳴線および波長173nmの分子線)が蛍光体層を励起して、赤,緑,青の各色の可視光を発生させることにより、パネル面に映像信号に対応した画像を形成する。
このPDP等のガス放電装置に備えられる真空紫外線によって励起されて可視光を発光する蛍光体としては、従来、青色の可視光を発光する蛍光体(青色蛍光体)として(Ba,Sr,Ca)MgAl10O17:Eu(以下、BAMと略称する)が知られている。
しかしながら、このBAMは、パネルの製造工程において基板に加えられる熱によって輝度が低下したり、PDPの駆動時に真空紫外線に晒されることによって輝度が低下するといった問題点を有している。
このBAMに代わる青色蛍光体としては、CaMgSi2O6:Eu(以下、CMSと略称する)がある。
このCMSは、結晶構造が安定しているために、熱や真空紫外線による輝度の低下が少ないという利点を有している。
しかしながら、このCMSは、Xe2分子線(173nm)に対する励起効率が低いために、輝度がBAMに比べて低いという問題点を有している。
この発明は、上記のような従来の真空紫外線によって励起されて可視光を発生する青色蛍光体における問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
第1の発明(請求項1に記載の発明)による蛍光体は、上記目的を達成するために、
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表されることを特徴としている。
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表されることを特徴としている。
第2の発明(請求項4に記載の発明)によるガス放電表示装置は、前記目的を達成するために、互いに対向される一対の基板の間の放電空間内に放電ガスが封入され、この一対の基板の間の放電空間内において放電を発生させる放電発生部材とこの放電発生部材による放電により放電ガスから発生される真空紫外線によって励起されて可視光を発生させる蛍光体層が設けられているガス放電表示装置において、前記蛍光体層が、
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表される青色蛍光体によって形成されていることを特徴としている。
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表される青色蛍光体によって形成されていることを特徴としている。
この発明による蛍光体は、
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表される蛍光体をその最良の実施形態としており、さらに、この発明によるガス放電表示装置は、上記実施形態の蛍光体によって形成された蛍光体層を備えたガス放電表示装置をその最良の実施形態としている。
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表される蛍光体をその最良の実施形態としており、さらに、この発明によるガス放電表示装置は、上記実施形態の蛍光体によって形成された蛍光体層を備えたガス放電表示装置をその最良の実施形態としている。
上記実施形態による蛍光体は、従来の蛍光体CMSと同等またはそれ以上の対劣化性(真空紫外線照射維持率)および蛍光体BAMと同等またはそれ以上の励起効率(輝度比)を併せ持った特性を有している。
そして、この蛍光体によって形成された蛍光体層を有するガス放電表示装置は、良好な発光特性と寿命を維持することが出来るようになる。
上記実施形態において、化学式中のx,y,zの値を、0<x≦0.1,0<y≦0.05,0.8≦z≦1.2とすることによって、さらに、良好な対劣化性(真空紫外線照射維持率)と励起効率(輝度比)を併せ持つことが出来、特に、(Ba,Ca)2.96Eu0.03Gd0.01MgSi2O8 は、真空紫外線照射維持率と輝度比の双方が、従来の蛍光体BAMおよびCMSよりも高い値を示すことが出来る。
そして、この蛍光体によって形成された蛍光体層を有するガス放電表示装置は、さらに良好な発光特性と寿命を維持することが出来るようになる。
このガス放電表示装置がプラズマディスプレイパネルである場合には、青色蛍光体層が上記実施形態の蛍光体によって形成されていることによって、プラズマディスプレイパネルにおける良好な発光特性と寿命を維持することが出来るようになる。
図1は、この発明による蛍光体によって形成された蛍光体層を備えるガス放電表示装置の一実施例を示しており、ガス放電表示装置の一種であるPDPを列方向に沿って断面した場合の一個の放電セルCの周辺の構成を示している。
この図1において、PDPは、表示面である前面ガラス基板1の背面に、行方向(図1において紙面に垂直方向)に延びるとともに列方向(図1において左右方向)に並設された行電極対(X,Y)が形成されている。
この行電極対(X,Y)を構成する行電極XとYは、それぞれ、行方向に帯状に延びるバス電極Xa,Yaと、このバス電極Xa,Yaに沿って等間隔に配列されてそれぞれバス電極Xa,Yaから対になっている他方の行電極側に延びて互いに放電ギャップgを介して対向される透明電極Xb,Ybとから構成されている。
そして、前面ガラス基板1の背面側に誘電体層2が形成されていて、この誘電体層2によって行電極対(X,Y)が被覆されており、この誘電体層2は保護層3によって被覆されている。
一方、前面ガラス基板1と放電空間を介して対向する背面ガラス基板4の表示側の面上には、アドレス電極Dが、各行電極対(X,Y)の互いに対になっている透明電極XbおよびYbに対向する位置において行電極対(X,Y)と直交する列方向に延びるとともに、行方向に互いに所定の間隔を開けて平行に並設されている。
背面ガラス基板4の表示側の面上には、さらに、アドレス電極Dを被覆する白色の列電極保護層(誘電体層)5が形成されている。
そして、この列電極保護層5上に、それぞれバス電極Xa,Yaに対向する位置において行方向に延びるとともに列方向に並設された横壁部6Aと、列方向に並設された各アドレス電極Dの中間位置に対向する位置において列方向に延びるとともに行方向に並設された縦壁部(図示せず)とによって略格子形状に成形された隔壁6が形成されており、この隔壁6によって、放電空間が、各行電極対(X,Y)の放電ギャップgを介して対向される透明電極Xb,Ybに対向する部分毎にマトリクス状に区画されて、それぞれ放電セルCが形成されている。
さらに、この各放電セルC内において、隔壁6の横壁部6Aと縦壁部の間の列電極保護層6の表面と各横壁部6Aと縦壁部の側面の五つの面に、それぞれ赤,緑,青に色分けされた蛍光体層7が、赤,緑,青の順に行方向に並ぶように形成されている。
そして、この前面ガラス基板1と背面ガラス基板4の間の放電空間内には、10体積パーセント以上のキセノン・ガスを含む放電ガスが封入されている。
このPDPの赤,緑,青の蛍光体層7は、行電極対(X,Y)の放電ギャップgを介して互いに対向する透明電極XbとYb間で発生される放電(サステイン放電)によって、放電ガス中のキセノン・ガスから発生する真空紫外線によって励起されて、それぞれ、赤,緑,青の各色の可視光を発光する。
この蛍光体層7のうち、真空紫外線によって励起されて青色の可視光を発光する蛍光体層(青色蛍光体層)は、
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0,y>0,0.5≦z≦1.5,)
の化学式によって表される青色蛍光体によって形成されている。
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0,y>0,0.5≦z≦1.5,)
の化学式によって表される青色蛍光体によって形成されている。
この青色蛍光体は、上記化学式においてx,y,zの値を、0<x≦0.1,0<y≦0.05,0.8≦z≦1.2とするのがより好ましい。
なお、蛍光体層7のうち、真空紫外線によって励起されて赤色の可視光を発光する蛍光体層を形成する赤色蛍光体としては、例えば、(Y,Gd,Eu)BO3, (Y,Eu)2O3,(Y,Gd,Eu)2O3, (Y,Eu)VO4, (Y,Eu)(V,P)O4等、または、これらの混合物が挙げられ、緑色の可視光を発光する蛍光体層を形成する緑色蛍光材料としては、例えば、(Zn,Mn)2SiO4, (Y,Tb)BO3, (Y,Tb)2O3, (Ba,Sr)MgAl10O17等、または、これらの混合物が挙げられる。
図2は、上記の青色蛍光体のそれぞれの、波長146nmの真空紫外線に対する照射維持率(真空紫外線照射後の輝度/真空紫外線照射前の輝度)、および、波長172nmの真空紫外線に対する輝度(172ex)と波長146nmの真空紫外線に対する輝度(146ex)との比(172ex/146ex)を、それぞれ、従来のBAMとCMSの場合と比較して示したものである。
なお、以下の説明においては、データ取得のために146nmと172nmの真空紫外線が用いられており、PDPにおいて実際に発生される共鳴線(147nm)と分子線(173nm)の波長と若干異なるが、実質的に同様の作用効果が得られる。
この図2において、真空紫外線照射維持率は、値が大きいほど真空紫外線の照射による劣化が小さいことを示しており、上記した青色蛍光体(図2の(c)ないし(h))の維持率が、従来の蛍光体BAM(a)に対して大幅に改善されていることが分かる。
さらに、図2において、輝度比(172ex/146ex)は、値が大きいほど波長172nmの真空紫外線による相対励起効率が高くなることを示しており、上記した青色蛍光体(図2の(c)ないし(h))の相対励起効率が、従来の蛍光体BAM(a)とほぼ同等であるとともに蛍光体CMS(b)に対して大幅に改善されていることが分かる。
特に、この図2の(c)に示される青色蛍光体の
(Ba,Ca)2.96Eu0.03Gd0.01MgSi2O8
については、真空紫外線照射維持率と輝度比の双方について、従来の蛍光体BAM(a)およびCMS(b)よりも高い値を示している。
(Ba,Ca)2.96Eu0.03Gd0.01MgSi2O8
については、真空紫外線照射維持率と輝度比の双方について、従来の蛍光体BAM(a)およびCMS(b)よりも高い値を示している。
以上のように、上記した
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0,y>0,0.5≦z≦1.5,)
の化学式によって表される青色蛍光体は、蛍光体CMSと同等またはそれ以上の対劣化性(真空紫外線照射維持率)および蛍光体BAMと同等またはそれ以上の励起効率(輝度比)を併せ持った特性を有しており、この青色蛍光体によってPDPの蛍光体層7(図1参照)のうちの青色蛍光体層を形成することによって、PDPの良好な発光特性および寿命を維持することが出来るようになる。
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0,y>0,0.5≦z≦1.5,)
の化学式によって表される青色蛍光体は、蛍光体CMSと同等またはそれ以上の対劣化性(真空紫外線照射維持率)および蛍光体BAMと同等またはそれ以上の励起効率(輝度比)を併せ持った特性を有しており、この青色蛍光体によってPDPの蛍光体層7(図1参照)のうちの青色蛍光体層を形成することによって、PDPの良好な発光特性および寿命を維持することが出来るようになる。
上記実施例における蛍光体は、
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表される蛍光体をその上位概念の実施形態としている。
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表される蛍光体をその上位概念の実施形態としている。
この実施形態による蛍光体は、従来の蛍光体CMSと同等またはそれ以上の対劣化性(真空紫外線照射維持率)および蛍光体BAMと同等またはそれ以上の励起効率(輝度比)を併せ持った特性を発揮することが出来る。
そして、この蛍光体によって形成された蛍光体層を有するガス放電表示装置は、良好な発光特性と寿命を維持することが出来るようになる。
1 …前面ガラス基板(基板)
4 …背面ガラス基板(基板)
7 …蛍光体層
C …放電セル
X,Y …行電極(放電発生部材)
4 …背面ガラス基板(基板)
7 …蛍光体層
C …放電セル
X,Y …行電極(放電発生部材)
Claims (7)
- (Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表されることを特徴とする蛍光体。 - x,y,zの値が、0<x≦0.1,0<y≦0.05,0.8≦z≦1.2である請求項1に記載の蛍光体。
- 前記蛍光体が、(Ba,Ca)2.96Eu0.03Gd0.01MgSi2O8 によって表される請求項1に記載の蛍光体。
- 互いに対向される一対の基板の間の放電空間内に放電ガスが封入され、この一対の基板の間の放電空間内において放電を発生させる放電発生部材とこの放電発生部材による放電により放電ガスから発生される真空紫外線によって励起されて可視光を発生させる蛍光体層が設けられているガス放電表示装置において、
前記蛍光体層が、
(Ba,Sr,Ca)3-x-yEuxLny(Mg,Zn)z(Si,Ge)2O8
(Lnは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Inから選ばれた1種以上の元素,
x>0、y>0、0.5≦z≦1.5)
によって表される青色蛍光体によって形成されていることを特徴とするガス放電表示装置。 - x,y,zの値が、0<x≦0.1,0<y≦0.05,0.8≦z≦1.2である請求項4に記載のガス放電表示装置。
- 前記蛍光体が、(Ba,Ca)2.96Eu0.03Gd0.01MgSi2O8 によって表される請求項4に記載のガス放電表示装置。
- 前記ガス放電表示装置がプラズマディスプレイパネルである請求項4に記載のガス放電表示装置。
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JP2005354640A JP2007154122A (ja) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 蛍光体およびガス放電表示装置 |
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Country Status (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2005
- 2005-12-08 JP JP2005354640A patent/JP2007154122A/ja active Pending
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