JP2006086436A - 半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いることなく、性能の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】 酸化シリコン膜１２上に形成した微細孔１３の中に単結晶シリコンからなる微粒子２０を少なくとも１つ配置し、この上にアモルファスシリコン膜２１を形成する。その後、アモルファスシリコン膜２１の上方からレーザ光を照射し、シリコン微粒子を核として結晶成長させることにより、大きな粒径を有する略単結晶状態のシリコン膜１４を形成する。そして、この略単結晶状態のシリコン膜１４の少なくとも一部にチャネル領域が収まるようにＴＦＴを形成する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子デバイスに関する。

複数の画素を有する液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置及びイメージセンサ等の各種電子デバイスにおいては、ガラス基板や石英基板上に形成される薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を用いて画素のスイッチング動作が行われる。

かかるガラス基板等に形成されるＴＦＴの性能を向上させる技術の１つとして、例えば下記特許文献１、非特許文献１，２には、絶縁膜の上に略単結晶状態のシリコン膜を形成し、この略単結晶状態のシリコン膜を半導体膜として利用する技術が開示されている。具体的には、図７に示す基板１１０上の絶縁膜１２０に微細孔１３０を形成し、この微細孔１３０を形成した絶縁膜１２０の上にアモルファスシリコン膜を形成する。このように形成したアモルファスシリコン膜にレーザ光を照射することで、微細孔１３０の底部内のアモルファスシリコン膜を非溶融状態に保持しつつ、他の部分のアモルファスシリコン膜を溶融状態にする。そして、非溶融状態に保持したアモルファスシリコンを結晶核（起点）として結晶成長させることにより、微細孔１３０を中心とした領域に略単結晶状態のシリコン膜１４０を形成するとともに、他の領域に略微結晶状態のシリコン膜１５０を形成する。

「Ｓｉｎｇｌｅ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ」， ＩＢＭ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＤＩＳＣＬＯＳＵＲＥ ＢＵＬＬＥＴＩＮ Ａｕｇ．１９９３ ｐｐ２５７−２５８ 「Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｅｘｃｉｍｅｒ−Ｌａｓｅｒ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ ｏｆ Ｓｉ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ ＦｏｒＬｏｃａｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ Ｌａｒｇｅ Ｇｒａｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ 」， Ｒ．Ｉｓｈｉｈａｒａ等， ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ ２００１， ｖｏｌ．４２９５， ｐ．１４〜２３ 特開２００３−１９７５２６号公報

しかしながら、これら先行技術文献に記載された方法では、微細孔の径を十分小さく（例えば0.1ミクロン程度に）しなければ該微細孔の底部で複数の結晶核が発生してしまう。よって、かかる方法を採用するためには孔の断面を十分に小さくするために高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いる必要があった。

本発明は、以上説明した事情を鑑みてなされたものであり、高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いることなく、性能の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法等を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の所定位置に孔を設ける工程と、前記孔の中に単結晶シリコンからなる微粒子を少なくとも１つ配置する工程と、前記絶縁膜上に非単結晶シリコン膜を形成する工程と、前記非単結晶シリコン膜に熱処理を施すことにより、前記孔を含む一定範囲の領域に前記微粒子を起点とする略単結晶状態のシリコン膜を形成する工程と、前記略単結晶状態のシリコン膜の少なくとも一部をチャネル領域とする半導体装置を形成する工程とを含むことを特徴とする。

かかる構成によれば、微細孔の中に配置されたシリコン微粒子を核として結晶成長させることにより、大きな粒径を有する略単結晶状態のシリコン膜を形成する。この略単結晶状態のシリコン膜の少なくとも一部にチャネル領域が収まるように半導体装置を形成することで、高性能かつ電気的特性の良い半導体装置を形成することが可能となる。

ここで、上記方法にあっては、液体材料を用いてシリコン膜を形成する態様が好ましい。かかる態様によれば、孔部と孔部に配置されたシリコン微粒子の間に形成される空隙が充填され、結晶化時によりよい結晶性を有するシリコン膜を形成できる。また、空隙による膜ストレスの不均一性から惹起される半導体装置の電気特性の不均一性などの問題を回避することができる。ここで、液体材料としては、環系有する珪素化化合物を有機溶剤に溶かした溶液を用いることができる。該溶液をスピンコートなどの方法で、孔内等にシリコン微粒子を配置した基板に塗布し、４００℃程度の熱処理を加えることにより非晶質状のシリコン膜を形成することができる。

ここで、前記孔の径は、前記微粒子の径と同程度、あるいは前記孔の径が前記微粒子の径より少し大きめに設定する態様が好ましく、また、孔の深さをシリコン微粒子と同程度にする態様も好ましい。
また、前記チャネル領域は、前記単結晶状態のシリコン膜における前記孔を含まない領域に形成される態様が好ましい。さらに、前記シリコン膜に所定条件でレーザ光を照射することにより、前記シリコン膜に一様な熱処理を加える態様が好ましい。

以上説明した方法によって製造された半導体装置を電気光学装置や電子デバイスに適用しても良い。ここで、電気光学装置とは、例えば、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ素子等を備えた装置であって、上記半導体装置を駆動回路等に適用した装置をいう。また、電子デバイスとは、本発明に係る半導体装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定は無いが、例えばＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等が含まれる。

Ａ．第１実施形態
図１及び図２は、第１実施形態に係るＴＦＴの製造プロセスを示す図である。

（微細孔形成工程）
先ず、図１（ａ）に示すように、ガラス基板や石英基板などの基板１０上に絶縁膜としての酸化シリコン膜１２を形成する。基板１０上への酸化シリコン膜１２の形成方法としては、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）や低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）、あるいはスパッタリング法等の物理気相堆積法が挙げられる。例えば、ＰＥＣＶＤ法により厚さ数１００ｎｍの酸化シリコン膜１２を形成できる。

次に、酸化シリコン膜１２の所定位置に微細孔１３を形成する（図１（ｂ）参照）。具体的には、フォトリソグラフィ、エッチング等を行い、酸化シリコン膜１２の所定位置に径が０．１μｍ乃至０．５μｍ程度の円形状の微細孔１３を形成する。ここで、微細孔１３の径の大きさは当該微細孔１３の中に配置されるシリコン微粒子（後述）の径の大きさに応じて決定すれば良いが、望ましくは微細孔１３の径をシリコン微粒子の径と同程度、あるいは該シリコン微粒子の径より少し大きく設定するのが良い。かかる設定により、微細孔１３が形成された基板上にシリコン微粒子を分散させた液体材料を塗布する場合、１つの微細孔１３に１つのシリコン微粒子を配置しやすくなる。

また、本実施形態では、微細孔１３の径の大きさをシリコン微粒子の径の大きさに応じて決定すれば良く、先行技術文献に開示されている微細孔１３０（図７参照）の径に比して大きく設定することができ、この結果、高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いる必要がなく、製造コストを抑えることが可能となる。なお、どのようなエッチング方法等を採用するかは任意であるが、例えばＣＨＦ₃ガスのプラズマを用いた反応性イオンエッチングを採用することができる。

（微粒子配置工程）
次に、非単結晶シリコン膜であるアモルファスシリコン膜の結晶成長の核（起点）となる微粒子を各微細孔１３の中に配置する（図１（ｃ）参照）。詳述すると、例えば単結晶シリコンからなる微粒子（以下、シリコン微粒子）２０を有機溶剤等の溶媒に分散させることにより、シリコン微粒子配置用の液体材料を作製する。このように作製したシリコン微粒子配置用の液体材料をスピンコート法などの塗布法を用いて酸化シリコン膜１２上に塗布し、加熱して余分な溶媒等を蒸発させることにより、各微細孔１３の中にシリコン微粒子２０を配置する。ここで、シリコン微粒子２０の大きさは、微細孔の径より少し小さい径がよく、微細孔の径が５００ｎｍのときシリコン微粒子２０の径は３００−５００ｎｍ程度であることが望ましい。上述した微細孔１３の径Ｒは、１つのシリコン微粒子２０が収まる程度（シリコン微粒子２０の径と同程度）であることが望ましい（図１（ｃ）参照）。微細孔の径が３００ｎｍの場合は粒径が２００乃至３００ｎｍのシリコン微粒子を用いるとよい。かりに、１つの微細孔１３に複数のシリコン微粒子２０が存在すると、それぞれのシリコン微粒子２０がアモルファスシリコン膜の結晶成長の核（起点）となってしまい、大きな単結晶粒の成長が望めないからである。

また、微細孔１３の深さＨは、シリコン微粒子２０の径より大きく設定しても良いが、これとは逆にシリコン微粒子２０の径よりも小さく（すなわち微細孔１３にシリコン微粒子２０を配置した状態で該シリコン微粒子２０の頂部が多少出るように）設定しても良い。さらに、微細孔１３の深さＨをシリコン微粒子２０の径と同程度に設定した場合には、該シリコン微粒子上に形成するアモルファスシリコン膜（後述）を結晶性の良いシリコン膜に結晶化することができる。すなわち、シリコン微粒子２０の上端部と、微細孔１３が形成されていない酸化シリコン膜上の領域の高さが略同じになり（図１（ｃ）参照）、この結果、平坦性の高いアモルファスシリコン膜２１がこれらの上に形成されることになる（図２（ａ）参照）。その後、レーザアニールなどによる再結晶化工程においてアモルファスシリコン膜２１が厚さ方向に完全溶融するとき（図２（ｂ）参照）、シリコン微粒子２０が存在する領域ではこのシリコン微粒子２０の上端部と接する一部のアモルファスシリコン膜２１が溶融する。そして、固化時にはシリコン微粒子２０の溶融していない部分から結晶化が始まり、図２（ｃ）に示すように膜厚方向と直行する方向（紙面横方向）に結晶化が進行してゆく。これにより、結晶性の良いシリコン膜を得ることが可能となる。なお、上記例ではシリコン微粒子配置用の液体材料を塗布する方法としてスピンコート法を例示したが、液滴吐出法（インクジェット法）やスピンレスコート法、ディップコーティング法など、様々な塗布法を採用することができる。また、図１（ｂ）等に示すように、微細孔１３の開口部の径と底部の径とを略同一に設定することで円筒状の微細孔１３を形成しても良いが、シリコン微粒子２０が収まりやすいように、微細孔１３の開口部の径を底部の径よりも大きく設定し、テーパー状の該微細孔１３を形成しても良い。

（成膜工程）
次に、図２（ａ）に示すように、酸化シリコン膜１２の上にスピンコート法などの塗布法を用いて半導体材料を含有する液体材料を塗布し、３００℃〜４００℃の熱処理を加えることにより、アモルファスシリコン膜２１を形成する。なお、アモルファスシリコン膜２１を形成する方法としては、スピンコート法のほか、液滴吐出法やスピンレスコート法、ディップコーティング法といった塗布法、ＰＥＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法、あるいはスパッタリング法等の物理気相堆積法を採用することができる。また、本実施形態では、上述した液体材料として、リンなどの５族元素あるいはホウ素などの３族元素を含有する物質をドーパント源として添加した珪素化合物を含有する溶液、または上述した３族又は５族元素で変性された珪素化合物と変性されていない珪素化合物とを含有する溶液を想定するが、他の溶液を用いることも可能である。

ここで、上述した液体材料に含まれる珪素化合物としては、例えば、シクロペンタシラン（Ｓｉ₅Ｈ₁₀）など、１個以上の環状構造をもったものに紫外線を照射することによって光重合させて高次シランとしたものを用いることが好適である。この場合には、リン化合物やホウ素化合物を混合した後に紫外線を照射し、重合時にこれらを取り込んだ形で高次シラン化合物とすることが更に好ましい。また、液体材料を形成するための溶媒としては、珪素化合物を溶解し、かつ珪素化合物と反応しないものであれば特に限定されないが、室温での蒸気圧が０．００１〜２００ｍｍＨｇのものが好適である。このような溶媒の具体例としては、ベンゼンやトルエンなどの炭素水素系溶媒が挙げられる。

（溶融結晶化工程）
次に、図２（ｂ）に示すように、アモルファスシリコン膜２１にレーザ光を照射して熱処理（レーザアニール）を加えることでアモルファスシリコン膜２１を部分的に溶融させる。レーザアニール処理については、アモルファスシリコン膜２１を深さ方向に完全溶融させ、且つアモルファスシリコン膜２１が微細孔１３に配置された各シリコン微粒子２０と接する深さまで溶融するようなエネルギーで行う。照射するレーザ光としては、光の波長が約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光、波長が約３０８ｎｍのＸｅＣｌパルスエキシマレーザ光、波長が約５３２ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザ光の第２高調波、同じく波長が約５３２ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ４レーザ光の第２高調波、波長が約２６６ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザ光の第４高調波、同じく波長が約２６６ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ４レーザ光の第４高調波等が好ましい。

このようなレーザ光をアモルファスシリコン膜２１の上方から該アモルファスシリコン膜２１に一様に照射することで、アモルファスシリコン膜２１は溶融・固化して再結晶化される。具体的には、図２（ｃ）に示すように、アモルファスシリコン膜２１のうち微細孔１３を含む一定範囲の領域については、該微細孔１３の中に配置されたシリコン微粒子２０を核（起点）として結晶成長が進行し、大きな粒径を有する略単結晶状態のシリコン膜１４が形成される。ここで、略単結晶状態のシリコン膜１４は、内部に欠陥が少なく、半導体膜の電気特性の点でエネルギーバンドにおける禁制帯中央部付近の捕獲準位密度が少なくなる効果が得られる。また、結晶粒界がほぼ無いと見なせるために、電子や正孔といったキャリアが流れる際の障壁を大きく減少できる効果が得られる。

一方、アモルファスシリコン膜２１のうち上記一定の領域を除く他の領域については、図２（ｃ）に示すように、完全溶融して微結晶状態のシリコン膜１５が形成される。なお、以下では説明の便宜上、単結晶状態のシリコン膜１４と微結晶状態のシリコン膜１５をあわせて結晶化シリコン膜と総称する。

（半導体装置形成工程）
図３は、本実施形態に係るＴＦＴの平面図であり、図４は図３に示すＴＦＴのＡ−Ａ'線視断面図である。
先ず、結晶化シリコン膜をパターニングすることにより、ＴＦＴの形成に用いる半導体膜３０を形成する（図４参照）。具体的には、図３に示すように、少なくともＴＦＴのチャネル領域２６が単結晶状態のシリコン膜１４によって形成されるように（言い換えれば、単結晶状態のシリコン膜１４の少なくとも一部によってチャネル領域２６が形成されるように）、結晶化シリコン膜のパターニングを行う。より具体的には、ＴＦＴのチャネル領域２６が単結晶状態のシリコン膜１４の微細孔１３を含まない領域に形成されるように、結晶化シリコン膜のパターニングを行う（図３参照）。このようなパターニングを行うことにより、結晶の性質が安定したチャネル領域２６を得ることが可能となる。なお、結晶化シリコン膜のパターニングは、上記に限る趣旨ではなく、ＴＦＴのチャネル領域２６が単結晶状態のシリコン膜１４の微細孔１３を含む領域に形成されるようにパターニングしても良い。

次に、図４に示すように、半導体膜３０の上に電子サイクロトロン共鳴ＣＶＤ法（ＥＣＲ−ＣＶＤ法）またはＰＥＣＶＤ法にてゲート絶縁膜４０を形成した後、該ゲート絶縁膜４０の上にゲート電極２２を形成する。そして、このゲート電極２２をマスクとしてドナーまたはアクセプターとなる不純物イオンを打ち込むことにより、ソース領域２４、ドレイン領域２５、チャネル領域２６を自己整合的に形成する。

ここで、例えばＮＭＯＳトランジスタを作製する場合、不純物元素としてリン（Ｐ）を２×１０¹⁵ｃｍ^-2の濃度でソース／ドレイン領域に打ち込む。その後、ＸｅＣｌエキシマレーザを照射エネルギー密度３５０ｍＪ／ｃｍ²程度で照射するか、３００℃〜４５０℃程度の温度で熱処理することにより不純物元素の活性化を行う。

そして、ゲート絶縁膜４０及びゲート電極２２の上面に、例えばＰＥＣＶＤ法を用いて約５００ｎｍの層間絶縁膜（図示略）を形成し、ソース領域２４、ドレイン領域２５に至るコンタクトホールを開けてコンタクトホール内にアルミニウムなどを堆積することにより、ソース電極及びドレイン電極（図示略）を形成する。さらに、ゲート電極２２に至るコンタクトホールを層間絶縁膜に開けて、ゲート電極２２用の端子電極（図示略）を形成する。このような過程を経て、本発明に係るＴＦＴが形成される。

以上説明したように、本実施形態によれば、微細孔の中に配置されたシリコン微粒子を核として結晶成長させることにより、大きな粒径を有する略単結晶状態のシリコン膜を形成する。この略単結晶状態のシリコン膜の少なくとも一部にチャネル領域が収まるようにＴＦＴを形成することで、高性能かつ電気的特性の良いＴＦＴを形成することが可能となる。

ここで、微細孔の径の大きさはシリコン微粒子の径の大きさに応じて決定すれば良く、先行技術文献に開示されている微細孔１３０（図７参照）の径よりも大きくすることができる。この結果、高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いる必要がなく、製造コストを抑えることが可能となる。

Ｂ．第２実施形態
図５は、第２実施形態に係る電気光学装置の一種である有機ＥＬ表示装置１００の接続図を示す。
各画素領域に形成された画素回路は、電界発光効果により発光可能な発光層ＯＥＬＤ、それを駆動するための電流を記憶する保持容量、上述した微結晶半導体膜を有するＴＦＴ１１１〜１１４を備えて構成されている。駆動回路領域に形成された各駆動回路１０１、１０２は、上述した単結晶半導体膜を有する複数のＴＦＴ（図示略）を備えて構成されている。駆動回路１０１からは、走査線Ｖｓｅｌ及び発光制御線Ｖｇｐが対応する各画素回路に供給され、駆動回路１０２からは、データ線Ｉｄａｔａおよび電源線Ｖｄｄが対応する各画素回路に供給されている。走査線Ｖｓｅｌとデータ線Ｉｄａｔａとを制御することにより、対応する各発光部ＯＥＬＤによる発光が制御可能になっている。なお、上記駆動回路は、発光要素に電界発光素子を使用する場合の回路の一例であり、他の回路構成も可能である。

Ｃ．第３実施形態
図６は、第３実施形態に係る電子デバイスを例示した図である。
図６（ａ）は、本発明の製造方法によって製造される携帯電話であり、当該携帯電話２３０は、電気光学装置（表示パネル）１００、アンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３及び操作部２３４を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００を構成する半導体装置の製造に適用される。図６（ｂ）は、本発明の製造方法によって製造されるビデオカメラであり、当該ビデオカメラ２４０は、電気光学装置（表示パネル）１００、受像部２４１、操作部２４２及び音声入力部２４３を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００を構成する半導体装置の製造に適用される。

図６（ｃ）は、本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載された携帯型パーソナルコンピュータの例であり、当該コンピュータ２５０は、電気光学装置（表示パネル）１００、カメラ部２５１及び操作部２５２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００を構成する半導体装置の製造に適用される。
図６（ｄ）は、本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載されたヘッドマウントディスプレイの例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ２６０は、電気光学装置（表示パネル）１００、バンド部２６１及び光学系収納部２６２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００を構成する半導体装置の製造に適用される。図６（ｅ）は、本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載されたリア型プロジェクターの例であり、当該プロジェクター２７０は、電気光学装置（光変調器）１００、光源２７２、合成光学系２７３、ミラー２７４、２７５を筐体２７１内に備えている。本発明は、例えば光変調器１００を構成する半導体装置の製造に適用される。図６（ｆ）は本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載されたフロント型プロジェクターの例であり、当該プロジェクター２８０は、電気光学装置（画像表示源）１００及び光学系２８１を筐体２８２内に備え、画像をスクリーン２８３に表示可能になっている。本発明は、例えば画像表示源１００を構成する半導体装置の製造に適用される。

上記例に限らず本発明は、あらゆる電子デバイスの製造等に適用可能である。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ、ＩＣカードなどにも適用することができる。なお、本発明は上述した各実施形態に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形、変更実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、結晶性半導体膜を用いて形成されるアクティブ素子の一例としてＴＦＴ（半導体装置）を例示したが、これに限定されるものではなく、他のアクティブ素子に適用しても良いのはもちろんである。

第１実施形態に係るＴＦＴの製造プロセスを示す図である。 同実施形態に係るＴＦＴの製造プロセスを示す図である。 同実施形態に係るＴＦＴの平面図である。 図３に示すＴＦＴのＡ−Ａ’線視断面図である。 第２実施形態に係る電気光学装置の構成を例示した図である。 第３実施形態に係る各電子デバイスを例示した図である。 従来のＴＦＴの構成を示す図である。

符号の説明

１０・・・基板、１２・・・酸化シリコン膜、１３・・・微細孔、２０・・・シリコン微粒子、２１・・・アモルファスシリコン膜、１４・・・単結晶状態のシリコン膜、１５・・・微結晶状態のシリコン膜、２２・・・ゲート電極、２４・・・ソース領域、２５・・・ドレイン領域、２６・・・チャネル領域、３０・・・半導体膜、４０・・・ゲート絶縁膜。

Claims (10)

1. 基板上に絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜の所定位置に孔を設ける工程と、
   前記孔の中に単結晶シリコンからなる微粒子を少なくとも１つ配置する工程と、
   前記絶縁膜上に非単結晶シリコン膜を形成する工程と、
   前記非単結晶シリコン膜に熱処理を施すことにより、前記孔を含む一定範囲の領域に前記微粒子を起点とする略単結晶状態のシリコン膜を形成する工程と、
   前記略単結晶状態のシリコン膜の少なくとも一部をチャネル領域とする半導体装置を形成する工程と
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記孔の径は前記微粒子の径と同程度に設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記孔の形状は開口部の径より底面の径が小さいテーパー状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記孔の深さは前記微粒子の径と同程度に設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記非単結晶シリコン膜は液体材料を用いて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記非単結晶シリコン膜を前記孔に配置された前記微粒子と接する深さまで溶融することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記非単結晶シリコン膜にレーザ光を照射することにより熱処理を加えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記略単結晶状態のシリコン膜をパターニングすることにより、前記単結晶状態のシリコン膜における前記孔を含まない領域に前記チャネル領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を備えることを特徴とする電子デバイス。
    
    

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