JP2006086348A - 固体電解コンデンサにおけるコンデンサ素子及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 弁作用金属の粉末を多孔質に固め焼結したチップ片2と,このチップ片における一端面2aに固着した陽極棒とを備え,前記チップ片の表面に誘電体膜4を介して導電性高分子による固体電解質層5を形成し,この固体電解質層の表面に陰極膜6を形成して成るコンデンサ素子おいて,前記陽極棒の付け根の部分に絶縁破壊が発生することを低減する。
【解決手段】 前記固体電解質層5のうち前記チップ片2における一端面2aの部分に,当該固体電解質層5の熱分解による炭化物5aを,前記陽極棒3の全周囲を囲うように設ける。
【選択図】 図2

Description

本発明は,タンタル又はニオブ等の弁作用金属による固体電解コンデンサにおいて,これに使用されるコンデンサ素子と,このコンデンサ素子を製造する方法とに関するもである。
従来,この種のコンデンサ素子は,例えば,特許文献1に記載されているように,以下に述べるようにして製造される。
先ず,タンタル等の弁作用金属の粉末を,図4に示すように,多孔質のチップ片2に,当該チップ片2の一端面2aに陽極棒3を固着するように固め成形したのち,高い温度に加熱することにより前記弁作用金属の粉末を相互に焼結する。
次いで,図5に示すように,前記チップ片2における弁作用金属の粉末の表面に,五酸化タンタル等の絶縁性の高い誘電体膜4を,前記陽極棒3の表面にまで延びるように形成する。
次いで,図6に示すように,前記誘電体膜4の表面に,導電性高分子による固体電解質層5を形成する。
次いで,図7に示すように,前記固体電解質層5の表面に,グラファイト層を下層とし金属層を上層として成る二層構造の陰極膜6を形成することによって,コンデンサ素子1にする。
そして,このようにして製造されたコンデンサ素子1は,例えば,特許文献2に記載され,且つ,図8に示すように,左右一対のリード端子7,8の間に,当該コンデンサ素子1における陽極棒3を一方のリード端子7に対して溶接等にて固着する一方,チップ片2における陰極膜6に他方のリード端子8を接続するように配設し,これらの全体を,合成樹脂製のパッケージ体9にて密封することによって,完成品としての固体電解コンデンサ10に構成される。
特開平7−74062号公報 特開昭60−220922号公報
前記コンデンサ素子1において,陽極棒3は,チップ片2の一端面2aから突出する構造であることにより,この陽極棒3のうち前記チップ片2の一端面2aに対する付け根部には,前記コンデンサ素子1を前記固体電解コンデンサ10に組み立てるときにおける各種工程中においてストレスが作用することになるから,このストレスのために,前記誘電体膜4のうちチップ片2の一端面2aの部分に亀裂が発生することになる。
この誘電体膜4における亀裂の発生は,当該誘電体膜4に重ねて形成される固体電解質層5と,弁作用金属の粉末,つまり,陽極側との間が電気的に導通する状態につながることになるから,固体電解コンデンサ10に組み立てるまでにおいて不良品に成る率が可成り高くなるという問題があった。
本発明は,この問題,つまり,誘電体膜の絶縁破壊を確実に低減できるようにしたコンデンサ素子と,その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
この技術的課題を達成するため本発明におけるコンデンサ素子は,請求項1に記載したように,
「弁作用金属の粉末を多孔質に固め焼結したチップ片と,このチップ片における一端面から固着した陽極棒とを備え,前記チップ片の表面に誘電体膜を介して導電性高分子による固体電解質層を形成し,この固体電解質層の表面に陰極膜を形成して成るコンデンサ素子において,
前記固体電解質層のうち前記チップ片における一端面の部分に,当該固体電解質層の熱分解による炭化物を,前記陽極棒の全周囲を囲うように設ける。」
ことを特徴としている。
また,本発明における製造方法は,請求項2に記載したように,
「弁作用金属の粉末を多孔質のチップ片に固め焼結し且つ前記チップ片の一端面に陽極棒を固着する工程と,前記チップ片の表面に誘電体膜を介して導電性高分子による固体電解質層を形成する工程と,この固体電解質層の表面に陰極膜を形成する工程とから成るコンデンサ素子の製造方法において,
前記固体電解質層を形成する工程の後に,この固体電解質層のうち前記チップ片における一端面の部分を,前記陽極棒の全周囲を囲うように熱分解にて炭化処理する工程を備えている。」
ことを特徴としている。
更にまた,本発明における製造方法は,請求項3に記載したように,
「前記請求項2の記載において,前記固体電解質層を炭化処理する工程が,レーザ光線の照射である。」
ことを特徴としている。
前記したように,固体電解質層のうちチップ片における一端面の部分に,当該固体電解質層の熱分解による炭化物を,前記一端面に固着した陽極棒の周囲を囲うように設けることにより,前記炭化物の部分は,電気を通さない絶縁体になるから,チップ片の表面における誘電体膜のうち前記陽極棒の付け根の部分に,前記陽極棒に作用するストレス等のために絶縁破壊が発生しても,前記固体電解質層と,弁作用金属の粉末,つまり,陽極側との間が電気的に導通する状態になることを確実に回避できる。
これにより,このコンデンサ素子を使用して固体電解コンデンサに組み立てるまでの間に不良品になる率を,前記従来の場合よりも大幅に低減することができる。
特に,請求項3は,前記した炭化を,レーザ光線の照射によって行うことにより,炭化物にするため熱分解が,極く短い時間で迅速にできるから,コンデンサ素子に及ぼす熱的負荷を軽減できるとともに,コストの低減を図ることができる。
以下,本発明の実施の形態を,図1及び図2の図面について説明する。
この図において,符号2は,前記従来の場合と同様に,タンタル等の弁作用金属の粉末を多孔質に固め焼結して成るチップ片を示し,このチップ片2の一端面2aには陽極棒3が固着されている。
前記チップ片2に対しては,これを化成液に浸漬して通電するという陽極酸化処理を行うことにより,前記従来の場合と同様に,当該チップ片2において各弁作用金属粉末の表面及び前記陽極棒3の付け根の部分に五酸化タンタル等の誘電体膜4を形成している。
更に,前記チップ片2に対しては,前記誘電体膜4の表面に,前記従来の場合と同様に,導電性高分子による固体電解質層5を,当該固体電解質層5が前記チップ片2における一端面2aの部分まで延びるように形成している。
そして,前記チップ片2の一端面2aに対してレーザ光線発射装置7からレーザ光線を照射し,この状態で,前記チップ片2を,図1に矢印で示すように,その陽極棒3を中心軸として少なくとも一回転するか,或いは,前記レーザ光線発射装置7を前記陽極棒3の回りに少なくとも一回旋回することにより,前記固体電解質層5のうちチップ片2の一端面2aにおいて前記陽極棒3の全周囲を囲う部分を,熱分解にて炭化物5aにするという炭化処理を行う。
前記固体電解質層5のうち前記炭化処理による前記炭化物5aの部分は,電気を通さない絶縁体になるから,チップ片2の表面における誘電体膜4のうち前記陽極棒3の付け根の部分に,前記陽極棒3に作用するストレス等のために絶縁破壊が発生しても,前記固体電解質層4と,弁作用金属の粉末,つまり,陽極側との間が電気的に導通する状態になることを確実に回避できるのである。
なお,前記固体電解質層5のうち陽極棒3の全周囲を囲う部分を熱分解にて炭化物5aにすること処理は,前記したレーザ光線の照射に代えて,燃焼火炎又は熱風の吹き付けによって行うようにしても良いが,前記レーザ光線を照射するという方法によると,炭化物にするため熱分解が,極く短い時間で迅速にできる。
また,前記固体電解質層5の表面には,前記従来の場合と同様に,グラファイト層を下層とし金属層を上層として成る二層構造の陰極膜6を形成することによって,コンデンサ素子の完成品にするのであるが,前記固体電解質層5のうち陽極棒3の全周囲を囲う部分を熱分解にて炭化物5aにする処理は,前記陰極膜6を形成した後において行うようにしても良いことはいうまでもない。
本発明による方法を示す図である。 本発明によるコンデンサ素子の縦断正面図である。 図2のIII −III 視断面図である。 コンデンサ素子におけるチップ片を示す縦断正面図である。 前記チップ片に誘電体膜を形成したときの縦断正面図である。 前記チップ片に固体電解質層を形成したときの縦断正面図である。 前記チップ片に陰極膜を形成したときの縦断正面図である。 固体電解コンデンサの縦断正面図である。
符号の説明
1 コンデンサ素子
2 チップ片
2a チップ片の一端面
3 陽極棒
4 誘電体膜
5 固体電解質層
5a 炭化物
6 陰極膜

Claims (3)

  1. 弁作用金属の粉末を多孔質に固め焼結したチップ片と,このチップ片における一端面から固着した陽極棒とを備え,前記チップ片の表面に誘電体膜を介して導電性高分子による固体電解質層を形成し,この固体電解質層の表面に陰極膜を形成して成るコンデンサ素子において,
    前記固体電解質層のうち前記チップ片における一端面の部分に,当該固体電解質層の熱分解による炭化物を,前記陽極棒の全周囲を囲うように設けることを特徴とする固体電解コンデンサにおけるコンデンサ素子。
  2. 弁作用金属の粉末を多孔質のチップ片に固め焼結し且つ前記チップ片の一端面に陽極棒を固着する工程と,前記チップ片の表面に誘電体膜を介して導電性高分子による固体電解質層を形成する工程と,この固体電解質層の表面に陰極膜を形成する工程とから成るコンデンサ素子の製造方法において,
    前記固体電解質層を形成する工程の後に,この固体電解質層のうち前記チップ片における一端面の部分を,前記陽極棒の全周囲を囲うように熱分解にて炭化処理する工程を備えていることを特徴とする固体電解コンデンサにおけるコンデンサ素子の製造方法。
  3. 前記請求項2の記載において,前記固体電解質層を炭化処理する工程が,レーザ光線の照射であることを特徴とする固体電解コンデンサにおけるコンデンサ素子の製造方法。
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