JP2006079543A - メモリ管理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フラッシュメモリ制御部11は、ホスト機器2からのデータ消去要求がなされた際に、論理物理アドレス変換テーブル13aを参照し、消去要求で指定された論理ブロックと対応付けられる物理ブロックアドレスを検出する。フラッシュメモリ制御部11は、消去領域ポインタ記憶領域13bにアクセスして、データ消去要求による消去対象のデータが記憶される領域、つまり、物理ブロックアドレス“3”が対応付けられた物理ブロックの0ページ目から31ページ目までの32ページ分の領域を仮想消去領域として設定する。そして、ホスト機器2よりデータ読み出し要求がなされて、読み出し対象のデータが書込まれるページ範囲が、消去領域ポインタで示された領域に含まれる場合には、初期値データをホスト機器2に出力する。
【選択図】 図7
Description
図1は、本発明の実施形態にしたがったメモリカード(メモリ装置)1の構成例を示すブロック図である。
図1に示したメモリカード1は、例えばデジタルカメラなどのホスト機器2と接続される。
フラッシュメモリ14における物理ブロックの1ブロック分のサイズは128KByte(KB)である。フラッシュメモリ14の物理ブロックの1ブロックは256ページでなる。1ページに書込まれるデータサイズは512Byteである。
224ページ(=256ページ−32ページ)分のデータをリードして、別の物理ブロックにライトしなおす制御を行なわなければならず、データ消去のための処理時間が多くなる。
消去領域ポインタとは、図2に示した消去領域ポインタ記憶領域13bに記憶される情報である。この消去領域ポインタは、物理ブロックの各ページに付与されたページアドレスのうち、一部の連続したページに付与されたページアドレスの範囲を示す。
図7は、本発明の実施形態にしたがったメモリカード1に書込まれたデータの消去手順(その2)を示す遷移図である。図8は、本発明の実施形態にしたがったメモリカード1に書込まれたデータの消去手順(その2)を示すフローチャートである。
図8に示したフローチャートにしたがったデータ消去処理の終了後に、ホスト機器2よりデータ読み出し要求がなされた場合には、フラッシュメモリ制御部11は、論理物理アドレス変換テーブル13aを参照して、データ読み出し要求で指定された論理ブロックアドレスと対応付けられる物理ブロックアドレスを検出する(ステップA1)。
図10は、本発明の実施形態にしたがったメモリカード1に書込まれたデータの消去手順(その3)を示す遷移図である。
そして、フラッシュメモリ制御部11は、ステップB3の処理により記憶した引数と連続する引数が既に記憶されているか否かを判別する(ステップB4)。この判別の結果「NO」と判別された場合にはステップB1の処理に戻る。
Claims (5)
- 複数のブロックを有し、その各ブロックを消去単位としてデータを消去可能に構成してなる不揮発性半導体メモリを管理するメモリ管理装置であって、
前記不揮発性半導体メモリに対するデータの消去要求があった際に、前記消去要求による消去対象のデータを含むブロックにおいて、前記消去対象のデータのアドレス範囲を設定する設定手段と、
前記不揮発性半導体メモリに対するデータの読み出し要求があった際に、前記読み出し要求にしたがった読み出し対象のアドレス範囲が、前記設定手段により設定したアドレス範囲に含まれる場合に、前記読み出し対象のデータとして初期値データを出力する制御を行なう制御手段と
を備えたことを特徴とするメモリ管理装置。 - 前記設定手段は、
前記消去対象のデータを含むブロックの先頭アドレスを前記アドレス範囲の先頭アドレスとし、前記消去対象のデータを含むブロックの単一のアドレスを前記アドレス範囲の終端アドレスとして設定する
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ管理装置。 - 前記複数のブロックに対して物理アドレスと論理アドレスとを対応づけて管理する管理手段をさらに備え、
前記管理手段は、
前記設定手段により設定したアドレス範囲の先頭アドレスと終端アドレスが、前記消去対象のデータを含むブロックの先頭アドレスと終端アドレスにそれぞれ一致する場合に、このブロックに対する物理アドレスと論理アドレスとの対応付けを解除する
ことを特徴とする請求項1または2に記載のメモリ管理装置。 - 前記設定手段により設定されたアドレス範囲の情報を前記不揮発性半導体メモリに記憶する手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載のメモリ管理装置。
- 複数のブロックを有し、その各ブロックを消去単位としてデータを消去可能に構成してなる不揮発性半導体メモリを管理するメモリ管理装置であって、
前記不揮発性半導体メモリに対するデータの消去要求があった際に、前記消去要求による消去対象のデータを含む第1のブロックにおいて、前記消去対象のデータのアドレス範囲を設定する設定手段と、
前記設定手段により設定されたアドレス範囲と同一のアドレス範囲と対応する、初期値データが書込まれた第2のブロック中の物理アドレス、および、前記第1のブロックにおおいて、前記設定手段により設定されたアドレス範囲の終端アドレスと連続したアドレスから、当該第1のブロックの終端アドレスまでアドレス範囲と対応する物理アドレスを、論理アドレスと対応付けて管理する管理手段と
を備えたことを特徴とするメモリ管理装置。
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