JP5204265B2 - 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御方法 - Google Patents
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Description
不揮発性メモリからデータを読み出すリード手段と、
前記リード手段により読み出されたデータをユーザデータと管理データとに分離する分離手段と、
前記不揮発性メモリのライトアドレスを管理するライトポインタ情報により示されるアドレスを前記分離手段により分離された管理データに対して加えてライトコマンドを発行し、前記分離手段により分離されたデータを前記不揮発性メモリに書き込むライト手段と、を具備する。
Claims (10)
- 不揮発性メモリからデータを読み出すリード手段と、
前記リード手段により読み出されたデータをユーザデータと管理データとに分離する分離手段と、
前記不揮発性メモリのライトアドレスを管理するライトポインタ情報により示されるアドレスを前記分離手段により分離された管理データに対して加えてライトコマンドを発行し、前記分離手段により分離されたデータを前記不揮発性メモリに書き込むライト手段と、
を具備する半導体記憶装置。 - 前記ライト手段による書き込み処理の開始する際に、前記リード手段により読み出されたデータが有効か無効かを判定する判定手段をさらに具備し、
前記ライト手段は、前記判定手段により無効であると判定されると、無効なデータを前記不揮発性メモリに書き込む請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記ライト手段による書き込み処理の開始する際に、前記リード手段により読み出されたデータが有効か無効かを判定する判定手段をさらに具備し、
前記ライト手段は、前記判定手段により無効であると判定されると、書き込み処理を中止する請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記ライト手段による書き込み処理後、正引きテーブルを更新する手段をさらに具備する請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記不揮発性メモリは所定のバイト毎に1ページを構成し、所定のページが1ブロックを構成し、ページ単位でアクセスされ、データは全てのページが無効であるフリーブロックの先頭ページから書き込まれ、前記ライトポインタ情報は1ページの書き込みに応じてインクリメントされる請求項1記載の半導体記憶装置。
- 不揮発性メモリを含む半導体記憶装置の制御方法であって、
前記不揮発性メモリからデータを読み出すことと、
前記不揮発性メモリから読み出されたデータをユーザデータと管理データとに分離することと、
前記不揮発性メモリのライトアドレスを管理するライトポインタ情報により示されるアドレスを前記分離することにより分離された管理データに対して加えてライトコマンドを発行することと、
前記ライトコマンドを前記不揮発性メモリに与え、前記分離されたデータを前記不揮発性メモリに書き込むことと、
を具備する制御方法。 - 前記書き込み処理の開始の際に、前記不揮発性メモリから読み出されたデータが有効か無効かを判定することをさらに具備し、
前記書き込むことは、前記不揮発性メモリから読み出されたデータが無効であることを判定すると、無効なデータを前記不揮発性メモリに書き込む請求項6記載の制御方法。 - 前記書き込み処理の開始の際に、前記不揮発性メモリから読み出されたデータが有効か無効かを判定することをさらに具備し、
前記不揮発性メモリから読み出されたデータが無効であることを判定すると、前記書き込むことは中止される請求項6記載の制御方法。 - 前記書き込み処理後、正引きテーブルを更新することをさらに具備する請求項6記載の制御方法。
- 前記書き込み処理後、前記不揮発性メモリのページ毎のデータの有効、無効を示すデータを示す有効ページ管理テーブルを更新することをさらに具備する請求項6記載の制御方法。
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