JP2006079047A - ゾルゲル材料からなる光可変減衰器及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フォトリソグラフィにより、下部クラッド層上にコア領域および減衰領域を有する導波路構造が形成される。下部クラッド層および導波路構造上に上部クラッド層が形成されてから、その上に電極が設けられ、それは導波路構造の減衰領域の上方に位置が一致する。また導波路構造は、金属アルコキシドの溶液と有機変性Siアルコキシドの溶液とを混合して得たゾルゲル材料からなる。
【選択図】 図1A
Description
本実施形態は、ゾルゲル材料の製造方法およびゾルゲルの性質を説明する。
図1は、ゾルゲル材料の製造方法を示す流れ図である。本実施形態において、ジルコニウムブトキシド(Zr(OBu)4)、金属アルコキシドおよびメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(MPTMS)、有機変性Siアルコキシドは、それぞれ無機材料および有機材料の前駆体として使用することが好ましい。その結果、有機無機ゾルゲル材料が準備される。図1に示すように、ステップ100において、メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを第1の溶媒に溶解して重量比が約1:2の第1の溶液を形成する。そして、第1の溶液を約30〜60分間撹拌する。ステップ120において、例えば0.1Nの塩酸溶液(HCl)などの触媒を第1の溶液へ加えて、メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解を加速させる。
本実施形態は、第1実施形態のゾルゲル材料を利用して光可変減衰器を製造する。本実施形態は、埋め込み導波路構造を光可変減衰器の基本構造とする。埋め込み導路構造を基に光可変減衰器を製造し、上述したゾルゲル材料の光学性質およびフォトリソグラフィ工程を利用することにより、光可変減衰器の大量生産を行う。図2Aから図2Fは、本発明の好適な一実施形態の光可変減衰器の製造を示す流れ図である。また、埋め込み導波路構造は、高密度の平面光波回路へ適用することもできる。従って、容易に光可変減衰器を他の光学部品に集積化して集積光モジュールにすることができる。
Claims (26)
- 基板と、
前記基板上に形成され、コア領域およびゾルゲル材料からなる減衰領域を有する導波路構造と、
前記基板および前記導波路構造の上に形成される上部クラッド層と、
を備えることを特徴とするゾルゲル材料からなる光可変減衰器。 - 前記上部クラッド層上に設置されて、前記導波路構造の前記減衰領域の上方に位置が一致する電極を備えることを特徴とする請求項1記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器。
- 前記基板と前記導波路構造との間に形成される下部クラッド層を備えることを特徴とする請求項1記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器。
- 前記下部クラッド層はトレンチを備え、前記導波路構造は前記トレンチ中に形成されることを特徴とする請求項3記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器。
- 前記ゾルゲル材料は、金属アルコキシドと有機変性Siアルコキシドとの反応から得ることを特徴とする請求項1記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器。
- 前記金属アルコキシドはジルコニウムブトキシドを含み、前記有機変性Siアルコキシドはメタクリロキシプロピルトリメトキシシランを含むことを特徴とする請求項5記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器。
- 前記ジルコニウムブトキシドと前記メタクリロキシプロピルトリメトキシシランとのモル比は、約1:1〜1:10であることを特徴とする請求項6記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器。
- 前記ジルコニウムブトキシドと前記メタクリロキシプロピルトリメトキシシランとのモル比は、約1:2〜1:5であることを特徴とする請求項6記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器。
- 前記コア領域は、感光材料からなることを特徴とする請求項1記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器。
- 前記減衰領域は、チャネル式減衰領域あるいはプリズム式減衰領域であることを特徴とする請求項1記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器。
- 基板上にコア領域を形成するステップと、
前記基板および前記コア領域上にゾルゲル材料を塗布するステップと、
前記ゾルゲル材料上に第一開口を有する第一マスク層を設けるステップと、
前記ゾルゲル材料を露光するステップと、
前記第一マスク層下の前記ゾルゲル材料を除去して、前記第一マスク層の前記第一開口下の前記ゾルゲル材料を残して減衰領域に形成するステップと、
前記基板をベーキングするステップと、
前記基板、前記コア領域および前記減衰領域上に上部クラッド層を形成するステップと、
を含むことを特徴とするゾルゲル材料からなる光可変減衰器の製造方法。 - 前記基板上に前記コア領域を形成するステップは、
前記基板上に感光材料を塗布するステップと、
前記感光材料上に第二開口を有する第二マスク層を提供するステップと、
前記感光材料を露光するステップと、
前記第二マスク層下の前記感光材料を除去して、前記第二マスク層の前記第二開口下の前記感光材料を残すステップと、
前記露光材料をベーキングするステップと、
を含むことを特徴とする請求項11記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器の製造方法。 - 前記基板上に前記コア領域を形成するステップの前に、前記基板上に下部クラッド層を形成し、前記下部クラッド層上にトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項11記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器の製造方法。
- 前記基板および前記コア領域上に前記ゾルゲル材料を塗布するステップの前に、前記ゾルゲル材料を準備するステップと、前記ゾルゲル材料に光触媒を加えるステップとをさらに含むことを特徴とする請求項11記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器の製造方法。
- 前記ゾルゲル材料を準備するステップは、
ジルコニウムブトキシドを第1の溶媒へ溶解して第1の溶液を形成し、前記ジルコニウムブトキシドの重量が前記第1の溶媒とほぼ同一にするステップと、
メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを重量比1:2で第2の溶媒に溶解して第2の溶液を形成するステップと、
前記第1の溶液と前記第2の溶液とを混合して混合溶液を形成するステップと、
前記混合溶液を加熱するステップと、
前記混合溶液を、前記第1の溶媒および前記第2の溶媒よりも沸点の高い第3の溶媒へ置換えるステップと、
を含むことを特徴とする請求項14記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器の製造方法。 - 前記ジルコニウムブトキシドと前記メタクリロキシプロピルトリメトキシシランとのモル比は、約1:1〜1:10であることを特徴とする請求項15記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器の製造方法。
- 前記ジルコニウムブトキシドと前記メタクリロキシプロピルトリメトキシシランとのモル比は、約1:2〜1:5であることを特徴とする請求項15記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器の製造方法。
- 前記第一マスク層を提供するステップの前に、前記基板をプリベーキングするステップを含むことを特徴とする請求項11記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器の製造方法。
- 前記第一マスク層下の前記ゾルゲル材料を除去するステップは、ウェットエッチング工程の使用を含むことを特徴とする請求項11記載のゾルゲル材料からなる光可変減衰器の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に形成された下部クラッド層と、
前記下部クラッド層上に形成され、コア領域およびプリズム式減衰領域を有する導波路構造と、
前記下部クラッド層および前記導波路構造上に形成される上部クラッド層と、
前記上部クラッド層上に設置されて、前記導波路構造のプリズム式減衰領域の上方に位置が一致する電極とを備えることを特徴とするプリズム式光可変減衰器。 - 前記プリズム式減衰領域は、金属アルコキシドと有機変性Siアルコキシドとを反応させて得るゾルゲル材料からなることを特徴とする請求項20記載のプリズム式光可変減衰器。
- 前記金属アルコキシドはジルコニウムブトキシドを含み、前記有機変性Siアルコキシドはメタクリロキシプロピルトリメトキシシランを含むことを特徴とする請求項21記載のプリズム式光可変減衰器。
- 前記ジルコニウムブトキシドと前記メタクリロキシプロピルトリメトキシシランとのモル比は、約1:1〜1:10であることを特徴とする請求項22記載のプリズム式光可変減衰器。
- 前記ジルコニウムブトキシドと前記メタクリロキシプロピルトリメトキシシランとのモル比は、約1:2〜1:5であることを特徴とする請求項22記載のプリズム式光可変減衰器。
- 前記コア領域は、感光材料からなることを特徴とする請求項20記載のプリズム式光可変減衰器。
- 前記下部クラッド層はトレンチを備え、前記導波路構造はトレンチ中に形成されることを特徴とする請求項20記載のプリズム式光可変減衰器。
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