JP2006078263A - Wiring pattern inspecting apparatus and wiring pattern inspecting method - Google Patents

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光幸 三橋
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring pattern inspecting apparatus for reducing the frequency of replacing an optical member. <P>SOLUTION: The wiring pattern inspecting apparatus, optically inspecting a wiring pattern on a top layer of a workpiece 21, comprises a semiconductor package multilayer wiring board having the wiring pattern on a light-transmitting base film. Infrared components in the light emitted from a light source 10 is blocked by a heat-ray blocking filter 12. A band-pass filter 14 selects a wavelength range from a wavelength range of the light having a blocked infrared components so as to maximize the difference between the quantity of the light reflected by the top layer wiring pattern and the quantity of the light reflected by the base film and the wiring pattern. A polarization beam splitter 18 extracts a first linear polarization, having an electric field vector direction orthogonal to the light guided direction from the light in the selected wavelength range, and guides it to a λ/4 plate 20. The λ/4 plate 20 converts the first linearly polarized light into a circularly polarized light, and makes the workpiece 21 irradiated with it. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、複数の配線パターンが、例えばポリイミド絶縁層のように透明性を有する複数の層によって積層された半導体パッケージ用多層配線基板において、最上層の配線パターンを光学的にパターン抽出し、高分解能による撮像を行い、自動的にそのパターンを検査する配線パターン検査装置及び検査方法に関する。   In the multilayer wiring board for a semiconductor package in which a plurality of wiring patterns are laminated by a plurality of layers having transparency such as a polyimide insulating layer, the present invention optically extracts the uppermost layer wiring pattern, The present invention relates to a wiring pattern inspection apparatus and an inspection method that perform imaging with resolution and automatically inspect the pattern.

一般に電気機器の小型・軽量化を目的として使用される半導体パッケージ用多層配線基板上に形成された配線パターンは、ポリイミドフィルムに銅箔を接着剤でラミネートし、これをサブトラクティブ法やセミアディティブ法等によりパターンニング処理して、厚さが5〜15μm、最も集積度を有する部分で幅が10μm程度である。   In general, wiring patterns formed on multilayer wiring boards for semiconductor packages, which are used for the purpose of reducing the size and weight of electrical equipment, are obtained by laminating a copper foil on a polyimide film with an adhesive, and then subtracting or semi-additively. The thickness is 5 to 15 μm and the width is about 10 μm at the most integrated part.

このパターニング処理工程において、配線パターンの細り(欠け)、断線、ショート、太り(突起)等の重欠陥が発生する恐れがある。このため、従来これら欠陥の有無はオープン/ショート導通検査や目視検査によって判別されてきた。しかし、目視検査は、パターンの微細化、熟練を要する上に、検査員の体調等により検査結果にばらつきが生じる恐れがある。そこで、最近ではカメラを使用して自動的に欠陥有無を検査する自動検査装置が各種提案されている。また、上記半導体パッケージ用多層配線基板において最小10μm幅の配線パターンに存在する各種欠陥を目視にて検査することは可能であるが、目視検査は検査時間がかかり人件費増に伴う製品単価アップが懸念されるため自動検査が必要であり、例えば10μm幅内の1/3以上の欠陥を検出するためには撮像分解能1μmを実現しなければならない。そこで、撮像分解能と撮像視野(対象ワークサイズ)との関係から大局的に撮像方法、検査方法を模索する必要がある。   In this patterning process, there is a possibility that serious defects such as thinning (chips), disconnection, short circuit, and thickening (projections) of the wiring pattern may occur. For this reason, conventionally, the presence or absence of these defects has been determined by open / short continuity inspection and visual inspection. However, the visual inspection requires pattern miniaturization and skill, and the inspection results may vary depending on the physical condition of the inspector. Therefore, various automatic inspection apparatuses that automatically inspect for defects using a camera have been proposed recently. In addition, it is possible to visually inspect various defects existing in a wiring pattern having a minimum width of 10 μm in the multilayer wiring board for semiconductor packages. However, the visual inspection takes time to inspect, and the product cost increases due to an increase in labor costs. Since there is a concern, automatic inspection is necessary. For example, in order to detect a defect of 1/3 or more within a width of 10 μm, an imaging resolution of 1 μm must be realized. Therefore, it is necessary to search for an imaging method and an inspection method globally from the relationship between the imaging resolution and the imaging field of view (target work size).

このような事情に基づいてなされた発明として、特許文献1の発明がある。図8は、特許文献1で開示されている装置の構成図である。例えば白色光源や、メタルハライドランプ等の可視域全域に亘って発光する高輝度照明が用いられた光源10から光が発せられると、この光は、ライトガイド11、集光レンズ40、熱線カットフィルタ12を経て偏光ビームスプリッタ31に入射する。熱線カットフィルタ12は、長波長側の光(例えば700nm以上の波長)を遮断し、それ以外の光を偏光ビームスプリッタ31に入射させる。   As an invention made based on such circumstances, there is an invention of Patent Document 1. FIG. 8 is a configuration diagram of an apparatus disclosed in Patent Document 1. In FIG. For example, when light is emitted from a light source 10 using high-intensity illumination that emits light over the entire visible range, such as a white light source or a metal halide lamp, the light is emitted from the light guide 11, the condenser lens 40, and the heat ray cut filter 12. Then, the light enters the polarization beam splitter 31. The heat ray cut filter 12 blocks light on the long wavelength side (for example, a wavelength of 700 nm or more) and makes other light incident on the polarization beam splitter 31.

光源10から発せられた光は、多方面の光成分を有する所謂ランダム光である。このランダム光は、偏光ビームスプリッタ31に入射すると、偏光ビームスプリッタ31によって直線偏光が抽出される。偏光ビームスプリッタ31は、抽出した直線偏光を偏光ビームスプリッタ32に導光させる。   The light emitted from the light source 10 is so-called random light having various light components. When this random light enters the polarizing beam splitter 31, linearly polarized light is extracted by the polarizing beam splitter 31. The polarization beam splitter 31 guides the extracted linearly polarized light to the polarization beam splitter 32.

偏光ビームスプリッタ32は、偏光ビームスプリッタ31から導光された光には、紙面表裏方向以外が電界ベクトルである光も若干含まれているので、それを排除し、更に紙面下方に導光する。そして、結像レンズ33および偏光フィルタ34は、この直線偏光を、回転角度を40〜50°とした角度成分の光に変換し、ワーク固定駆動機構50によって固定されたワーク51へ向けて照射する。このとき入射される直線偏光を回転角に応じてベクトル分解された光成分がワーク51に向けて照射される。   The polarization beam splitter 32 excludes the light guided by the polarization beam splitter 31 that has an electric field vector other than the front and back directions of the paper surface, and further guides the light downward in the paper surface. The imaging lens 33 and the polarization filter 34 convert the linearly polarized light into light having an angle component with a rotation angle of 40 to 50 °, and irradiate the light toward the work 51 fixed by the work fixing drive mechanism 50. . At this time, the light component obtained by vector decomposition of the incident linearly polarized light according to the rotation angle is irradiated toward the work 51.

ワーク51に照射された光成分は、ワーク51で反射し、この反射光が偏光フィルタ34の回転角に応じてベクトル分解された光成分が、偏光フィルタ34および結像レンズ33を経て偏光ビームスプリッタ32に入射する。このとき、偏光ビームスプリッタ32において前記導光方向に電界ベクトル方向がある直線偏光が抽出され、この直線偏光は、バンドパスフィルタ42に入射する。   The light component irradiated to the work 51 is reflected by the work 51, and the light component obtained by vector-decomposing the reflected light according to the rotation angle of the polarizing filter 34 passes through the polarizing filter 34 and the imaging lens 33, and the polarizing beam splitter. 32 is incident. At this time, linearly polarized light having an electric field vector direction in the light guide direction is extracted in the polarization beam splitter 32, and this linearly polarized light is incident on the bandpass filter 42.

バンドパスフィルタ42は、最上層配線パターンの反射光量と、ポリイミド絶縁層部分の反射光による偏光ビームスプリッタ32からの量との差異が最も大きくなる波長域を抽出し、抽出した波長域の光のみをセンサーカメラ30内のCCD素子41へと入射させる。   The band pass filter 42 extracts a wavelength region in which the difference between the reflected light amount of the uppermost wiring pattern and the amount from the polarization beam splitter 32 due to the reflected light of the polyimide insulating layer portion is the largest, and only the light in the extracted wavelength region is extracted. Is incident on the CCD element 41 in the sensor camera 30.

そして、バンドパスフィルタ42を通った光がCCD素子41によって撮像される。ワーク51から反射される光成分の強弱は、銅およびポリイミドに依存し、かつ銅の方が反射強度が強いので、最上層銅パターン部が明るく撮像されるようになる。また、ワーク51に照射する際、偏光比を高めて配線パターンおよびポリイミド絶縁層に照射することにより、より鮮明に最上層配線パターンの画像が撮像される。   Then, the light passing through the band pass filter 42 is imaged by the CCD element 41. The intensity of the light component reflected from the work 51 depends on copper and polyimide, and since copper has a higher reflection intensity, the uppermost copper pattern portion is imaged brightly. Moreover, when irradiating the work 51, the image of the uppermost layer wiring pattern is captured more clearly by increasing the polarization ratio and irradiating the wiring pattern and the polyimide insulating layer.

このような特許文献1の発明によって、半導体パッケージ用の多層配線基板に対して内層配線パターンの影響を光学的に除去することが可能となり、最上層配線パターンの高精細な画像を撮像し、同配線パターンの検査を自動的にかつ高い信頼性の下で行うことが可能となった。更に、大面積の最上層配線パターンに対しても短時間で最上層配線パターンの検査および検出を行うことができるようになった。
国際公開番号WO 2004/040281 A1号公報
By such an invention of Patent Document 1, it becomes possible to optically remove the influence of the inner layer wiring pattern on the multilayer wiring substrate for semiconductor packages, and a high-definition image of the uppermost layer wiring pattern is picked up. Wiring patterns can be inspected automatically and with high reliability. Further, the inspection and detection of the uppermost layer wiring pattern can be performed in a short time even for the uppermost layer wiring pattern having a large area.
International Publication Number WO 2004/040281 A1

しかしながら、このような従来の配線パターン検査装置では、以下のような問題がある。   However, such a conventional wiring pattern inspection apparatus has the following problems.

すなわち、例えば白色光源や、メタルハライドランプ等の可視光全域に亘って発光する光源10からは、若干の紫外線成分も含まれている。   That is, for example, the light source 10 that emits light over the entire visible light region such as a white light source or a metal halide lamp also includes some ultraviolet component.

図8中に示す光学部材のうち、バンドパスフィルタ42は、紫外線をカットする作用をもつものの、その他の光学部材については、紫外線をカットする作用をもたない。よって、CCD素子41に至るまでの光学部材であるライトガイド11、集光レンズ40、熱線カットフィルタ12、偏光ビームスプリッタ31、偏光ビームスプリッタ32、結像レンズ33、および偏光フィルタ34は、紫外線によって照射されることになる。特に、偏光ビームスプリッタ31、偏光ビームスプリッタ32、および偏光フィルタ34は、耐紫外線性が弱い。   Among the optical members shown in FIG. 8, the bandpass filter 42 has an action of cutting ultraviolet rays, but the other optical members have no action of cutting ultraviolet rays. Therefore, the light guide 11, the condensing lens 40, the heat ray cut filter 12, the polarizing beam splitter 31, the polarizing beam splitter 32, the imaging lens 33, and the polarizing filter 34, which are optical members up to the CCD element 41, are made of ultraviolet rays. Will be irradiated. In particular, the polarization beam splitter 31, the polarization beam splitter 32, and the polarization filter 34 have low ultraviolet resistance.

このため、特許文献1のような構成の配線パターン検査装置では、特に、偏光ビームスプリッタ31、偏光ビームスプリッタ32、および偏光フィルタ34が、紫外線照射によって損傷してしまい、頻繁に交換を要してしまうという問題がある。これによって、ランニングコストも高くついてしまう。   For this reason, in the wiring pattern inspection apparatus having the configuration as in Patent Document 1, in particular, the polarizing beam splitter 31, the polarizing beam splitter 32, and the polarizing filter 34 are damaged by ultraviolet irradiation, and need to be frequently replaced. There is a problem of end. This increases the running cost.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、紫外線をカットする作用をもつバンドパスフィルタを、可能な限り光源側に備え、光学部材を照射する紫外線量を低減することにより光学部材の高寿命化を図り、もって、光学部材の交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能な配線パターン検査装置及び配線パターン検査方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and a bandpass filter having an action of cutting ultraviolet rays is provided on the light source side as much as possible, and the optical member is reduced by reducing the amount of ultraviolet rays that irradiate the optical member. It is an object of the present invention to provide a wiring pattern inspection apparatus and a wiring pattern inspection method capable of reducing the frequency of replacement of optical members and suppressing an increase in running cost.

上記の目的を達成するために、本発明では、以下のような手段を講じる。   In order to achieve the above object, the present invention takes the following measures.

すなわち、請求項1の発明は、光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査装置であって、光源と、平行導光手段と、赤外線遮断手段と、選択手段と、偏光ビームスプリッタと、λ/4板と、撮像手段とを備えている。   That is, the invention of claim 1 is a wiring pattern inspection apparatus for optically inspecting the uppermost wiring pattern of a work consisting of a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern on a light transmissive base film, comprising: a light source; , A parallel light guide means, an infrared ray shielding means, a selection means, a polarization beam splitter, a λ / 4 plate, and an imaging means.

平行導光手段は、光源からの光をほぼ平行に導光し、赤外線遮断手段は、光源からの光のうちの赤外線成分を遮断する。選択手段は、赤外線遮断手段によって赤外線成分を遮断された光の波長域から、最上層配線パターンにおける反射光量と、ベースフィルム及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、偏光ビームスプリッタは、選択手段によって選択された波長域における光から、この光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を導光方向及び第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導く。λ/4板は、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を円偏光に変換し、この変換した円偏光をワークに照射する。撮像手段は、照射された円偏光がワークで反射してなる反射光が、λ/4板を透過して偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタにおいて反射光から抽出された第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像する。   The parallel light guide means guides light from the light source substantially in parallel, and the infrared ray blocking means blocks an infrared component of the light from the light source. The selection means selects the wavelength range where the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest from the wavelength range of the light whose infrared component is blocked by the infrared blocking means, The polarization beam splitter extracts, from the light in the wavelength range selected by the selection means, first linear polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guiding direction of the light, and the extracted first linear polarized light is The light is guided in a direction orthogonal to the light guide direction and the electric field vector direction of the first linearly polarized light. The λ / 4 plate converts the first linearly polarized light guided by the polarization beam splitter into circularly polarized light, and irradiates the workpiece with the converted circularly polarized light. In the imaging means, the first linearly polarized light extracted from the reflected light by the polarized beam splitter is transmitted through the λ / 4 plate, and the reflected light formed by reflecting the irradiated circularly polarized light by the work is guided to the polarized beam splitter. The second linearly polarized light orthogonal to is imaged.

従って、請求項1の発明の配線パターン検査装置においては、以上のような手段を講じることにより、耐紫外線性が弱い偏光フィルタ、偏光ビームスプリッタ、及びλ/4板に入射する光は、予めバンドパスフィルタによって紫外線がカットされている。したがって、これら光学部材の高寿命化を図り、もって、これら光学部材の交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能となる。   Therefore, in the wiring pattern inspection apparatus according to the first aspect of the present invention, the light incident on the polarizing filter, the polarizing beam splitter, and the λ / 4 plate having weak UV resistance is preliminarily banded by taking the above-described means. Ultraviolet rays are cut by the pass filter. Therefore, it is possible to extend the life of these optical members, thereby reducing the replacement frequency of these optical members and suppressing the increase in running cost.

請求項2の発明は、請求項1に記載の配線パターン検査装置において、λ/4板の代わりに、λ/4板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持ち、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、ワーク上で集光するようにワークに照射する同屈折率光学板か、または偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を所定角度の偏光板を介して所定角度の偏光成分を抽出し、偏光成分をワークに照射する偏光成分抽出手段かに交換可能としている。更に、撮像手段は、λ/4板を同屈折率光学板に交換した場合には、同屈折率光学板によって照射された第1の直線偏光がワークで反射してなる反射光が、同屈折率光学板を透過して偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタにおいてこの反射光から抽出された第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像し、λ/4板を偏光成分抽出手段に交換した場合には、偏光成分抽出手段によって照射された所定の偏光成分がワークで反射してなる反射光が、偏光成分抽出手段の偏光板の所定角度に応じてベクトル分解された後に偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタにおいてこのベクトル分解成分から抽出された第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像するようにしている。   According to a second aspect of the present invention, in the wiring pattern inspection apparatus according to the first aspect, instead of the λ / 4 plate, it has substantially the same refractive index as that of the optical member of the λ / 4 plate and is guided by the polarization beam splitter. The first linearly polarized light guided by the same refractive index optical plate that irradiates the work piece so as to condense the linearly polarized light of 1 on the work or the polarizing beam splitter through the polarizing plate at a predetermined angle. It can be exchanged for a polarization component extraction means for extracting a polarization component and irradiating the workpiece with the polarization component. Further, when the imaging unit replaces the λ / 4 plate with the same refractive index optical plate, the reflected light formed by reflecting the first linearly polarized light irradiated by the same refractive index optical plate with the workpiece is the same refracted. The second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the reflected light is transmitted through the optical plate and guided to the polarizing beam splitter, and the λ / 4 plate is extracted as the polarization component. In this case, the reflected light formed by reflecting the predetermined polarization component irradiated by the polarization component extraction unit on the workpiece is subjected to vector decomposition according to the predetermined angle of the polarizing plate of the polarization component extraction unit and then polarized. The second linearly polarized light that is guided to the beam splitter and is orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the vector decomposition component in the polarizing beam splitter is imaged.

従って、請求項2の発明の配線パターン検査装置においては、以上のような手段を講じることにより、耐紫外線性が弱い偏光フィルタ、及び偏光ビームスプリッタに入射する光は、予めバンドパスフィルタによって紫外線がカットされている。したがって、これら光学部材の高寿命化を図り、もって、これら光学部材の交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能となる。   Therefore, in the wiring pattern inspection apparatus according to the second aspect of the present invention, by adopting the above-described means, the light incident on the polarizing filter having a low ultraviolet resistance and the polarizing beam splitter is preliminarily converted by the bandpass filter. It has been cut. Therefore, it is possible to extend the life of these optical members, thereby reducing the replacement frequency of these optical members and suppressing the increase in running cost.

請求項3の発明は、光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査装置であって、光源と、平行導光手段と、赤外線遮断手段と、選択手段と、偏光ビームスプリッタと、同屈折率光学板と、撮像手段とを備えている。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a wiring pattern inspection apparatus for optically inspecting an uppermost wiring pattern of a work comprising a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern on a light-transmitting base film, wherein the wiring pattern inspection apparatus is parallel to a light source. The light guide unit, the infrared ray blocking unit, the selection unit, the polarization beam splitter, the refractive index optical plate, and the imaging unit are provided.

平行導光手段は、光源からの光をほぼ平行に導光し、赤外線遮断手段は、光源からの光のうちの赤外線成分を遮断する。選択手段は、赤外線遮断手段によって赤外線成分を遮断された光の波長域から、最上層配線パターンにおける反射光量と、ベースフィルム及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択する。偏光ビームスプリッタは、選択手段によって選択された波長域における光から、この光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を導光方向及び第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導く。同屈折率光学板は、λ/4板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持ち、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、ワーク上で集光するようにワークに照射する。撮像手段は、照射された第1の直線偏光がワークで反射してなる反射光が、同屈折率光学板を透過して偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタにおいて反射光から抽出された第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像する。   The parallel light guide means guides light from the light source substantially in parallel, and the infrared ray blocking means blocks an infrared component of the light from the light source. The selection unit selects a wavelength region where the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest from the wavelength range of the light whose infrared component is blocked by the infrared blocking unit. The polarization beam splitter extracts, from the light in the wavelength range selected by the selection means, first linear polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guiding direction of the light, and the extracted first linear polarized light is The light is guided in a direction orthogonal to the light guide direction and the electric field vector direction of the first linearly polarized light. The refractive index optical plate has substantially the same refractive index as the optical member of the λ / 4 plate, and irradiates the work with the first linearly polarized light guided by the polarization beam splitter so as to be condensed on the work. In the imaging means, the reflected light formed by reflecting the irradiated first linearly polarized light by the work passes through the same refractive index optical plate and is guided to the polarization beam splitter, and is extracted from the reflected light by the polarization beam splitter. The second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light is imaged.

従って、請求項3の発明の配線パターン検査装置においては、以上のような手段を講じることにより、耐紫外線性が弱い偏光フィルタ、及び偏光ビームスプリッタに入射する光は、予めバンドパスフィルタによって紫外線がカットされている。したがって、これら光学部材の高寿命化を図り、もって、これら光学部材の交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能となる。   Therefore, in the wiring pattern inspection apparatus according to the third aspect of the invention, by adopting the above-described means, the light incident on the polarizing filter having a low UV resistance and the polarizing beam splitter is preliminarily generated by a bandpass filter. It has been cut. Therefore, it is possible to extend the life of these optical members, thereby reducing the replacement frequency of these optical members and suppressing the increase in running cost.

請求項4の発明は、光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査装置であって、光源と、平行導光手段と、赤外線遮断手段と、選択手段と、偏光ビームスプリッタと、偏光成分抽出手段と、撮像手段とを備えている。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a wiring pattern inspection apparatus for optically inspecting an uppermost wiring pattern of a work comprising a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern on a light-transmitting base film, wherein the wiring pattern inspection apparatus is parallel to a light source. A light guide unit, an infrared ray blocking unit, a selection unit, a polarization beam splitter, a polarization component extraction unit, and an imaging unit are provided.

平行導光手段は、光源からの光をほぼ平行に導光し、赤外線遮断手段は、光源からの光のうちの赤外線成分を遮断する。選択手段は、赤外線遮断手段によって赤外線成分を遮断された光の波長域から、最上層配線パターンにおける反射光量と、ベースフィルム及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択する。偏光ビームスプリッタは、選択手段によって選択された波長域における光から、この光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を導光方向及び第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導く。偏光成分抽出手段は、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を所定角度の偏光板を介して所定角度の偏光成分を抽出し、偏光成分をワークに照射する。撮像手段は、照射された偏光成分がワークで反射してなる反射光が、偏光成分抽出手段の偏光板の所定角度に応じてベクトル分解された後に透過して偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタにおいてベクトル分解成分から抽出された第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像する。   The parallel light guide means guides light from the light source substantially in parallel, and the infrared ray blocking means blocks an infrared component of the light from the light source. The selection unit selects a wavelength region where the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest from the wavelength range of the light whose infrared component is blocked by the infrared blocking unit. The polarization beam splitter extracts, from the light in the wavelength range selected by the selection means, first linear polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guiding direction of the light, and the extracted first linear polarized light is The light is guided in a direction orthogonal to the light guide direction and the electric field vector direction of the first linearly polarized light. The polarization component extraction unit extracts the polarization component having a predetermined angle from the first linearly polarized light guided by the polarization beam splitter through the polarization plate having a predetermined angle, and irradiates the workpiece with the polarization component. The imaging means transmits the reflected light formed by reflecting the irradiated polarized component by the work after being vector-decomposed according to a predetermined angle of the polarizing plate of the polarized light component extracting means, and is guided to the polarized beam splitter. The second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the vector decomposition component in the splitter is imaged.

従って、請求項4の発明の配線パターン検査装置においては、以上のような手段を講じることにより、耐紫外線性が弱い偏光板、及び偏光ビームスプリッタに入射する光は、予めバンドパスフィルタによって紫外線がカットされている。したがって、これら光学部材の高寿命化を図り、もって、これら光学部材の交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能となる。   Therefore, in the wiring pattern inspection apparatus according to the invention of claim 4, by taking the above-described means, the light incident on the polarizing plate having a low ultraviolet resistance and the polarizing beam splitter is preliminarily converted by a bandpass filter. It has been cut. Therefore, it is possible to extend the life of these optical members, thereby reducing the replacement frequency of these optical members and suppressing the increase in running cost.

請求項5の発明は、請求項1、請求項3、及び請求項4のうち何れか1項の発明の配線パターン検査装置において、λ/4板または同屈折率光学板または偏光成分抽出手段を着脱可能に備えている。   According to a fifth aspect of the present invention, in the wiring pattern inspection apparatus according to any one of the first, third, and fourth aspects, the λ / 4 plate, the same refractive index optical plate, or the polarization component extracting means is provided. Removable.

従って、請求項5の発明の配線パターン検査装置においては、以上のような手段を講じることにより、ワークに応じて、λ/4板または同屈折率光学板または偏光成分抽出手段を自在に選択することができる。   Therefore, in the wiring pattern inspection apparatus according to the fifth aspect of the present invention, by taking the above-described means, the λ / 4 plate, the same refractive index optical plate, or the polarization component extracting means can be freely selected according to the work. be able to.

請求項6の発明は、請求項1乃至5のうち何れか1項の発明の配線パターン検査装置において、光源内に設置された放電ランプに供給される電圧に相乗された周波数成分がノイズとして撮像手段に影響を及ぼさないようにするノイズ除去手段を付加してなる。   According to a sixth aspect of the present invention, in the wiring pattern inspection apparatus according to any one of the first to fifth aspects, the frequency component synthesized with the voltage supplied to the discharge lamp installed in the light source is imaged as noise. Noise removing means is added so as not to affect the means.

従って、請求項6の発明の配線パターン検査装置においては、以上のような手段を講じることにより、撮像手段によって撮像された画像にノイズが入らないようにすることができ、もって、検査精度を高めることが可能となる。   Accordingly, in the wiring pattern inspection apparatus according to the sixth aspect of the present invention, by taking the above-described means, it is possible to prevent noise from entering the image picked up by the image pickup means, thereby improving the inspection accuracy. It becomes possible.

請求項7の発明は、請求項1乃至6のうち何れか1項の発明の配線パターン検査装置において、偏光ビームスプリッタの代わりに、クロスニコルに設置された2枚の偏光板とハーフミラーとを用い、偏光ビームスプリッタと同じ機能を持たせている。   The invention of claim 7 is the wiring pattern inspection apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein two polarizing plates and a half mirror installed in crossed Nicols are used instead of the polarizing beam splitter. Used to have the same function as a polarizing beam splitter.

従って、請求項7の発明の配線パターン検査装置においては、以上のような手段を講じることにより、クロスニコルに設置された2枚の偏光板とハーフミラーとを用いて、偏光ビームスプリッタの代わりとすることができる。   Therefore, in the wiring pattern inspection apparatus according to the seventh aspect of the invention, by taking the above-described means, two polarizing plates and half mirrors installed in crossed Nicols can be used instead of the polarizing beam splitter. can do.

請求項8の発明は、光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査方法であって、光源からの検査光をほぼ平行に導光し、光源からの検査光のうちの赤外線成分を遮断する。更に、赤外線成分を遮断された検査光の波長域から、最上層配線パターンにおける反射光量と、ベースフィルム及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、選択された波長域における光から、偏光ビームスプリッタによって、検査光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を導光方向及び第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導く。更に、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、λ/4板によって円偏光に変換し、更にこの変換した円偏光をワークに照射し、照射された円偏光がワークで反射してなる反射光が、λ/4板を透過して偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタにおいて反射光から抽出された第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像手段によって撮像する。   The invention according to claim 8 is a wiring pattern inspection method for optically inspecting the uppermost wiring pattern of a work composed of a multilayer wiring substrate for a semiconductor package having a wiring pattern on a light-transmitting base film, wherein the inspection is performed from a light source. Light is guided substantially in parallel, and the infrared component in the inspection light from the light source is blocked. Furthermore, from the wavelength range of the inspection light in which the infrared component is blocked, the wavelength range where the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest is selected, and the selected wavelength range The first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction of the inspection light is extracted from the light in the light beam in the light guide direction and the first straight line. The direction is perpendicular to the electric field vector direction of polarized light. Further, the first linearly polarized light guided by the polarization beam splitter is converted into circularly polarized light by the λ / 4 plate, and further, the converted circularly polarized light is irradiated to the work, and the irradiated circularly polarized light is reflected by the work. The reflected light is transmitted through the λ / 4 plate and guided to the polarizing beam splitter, and the second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the reflected light in the polarizing beam splitter is imaged by the imaging means.

従って、請求項8の発明の配線パターン検査方法においては、以上のような手段を講じることにより、耐紫外線性が弱い偏光フィルタ、偏光ビームスプリッタ、及びλ/4板に入射する光は、予めバンドパスフィルタによって紫外線がカットされている。したがって、これら光学部材の高寿命化を図り、もって、これら光学部材の交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能となる。   Therefore, in the wiring pattern inspection method according to the eighth aspect of the present invention, the light incident on the polarizing filter, the polarizing beam splitter, and the λ / 4 plate having weak UV resistance is preliminarily banded by taking the above-described means. Ultraviolet rays are cut by the pass filter. Therefore, it is possible to extend the life of these optical members, thereby reducing the replacement frequency of these optical members and suppressing the increase in running cost.

請求項9の発明は、請求項8の発明の配線パターン検査方法において、λ/4板の代わりに、λ/4板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持ち、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、ワーク上で集光するようにワークに照射する同屈折率光学板か、または偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を所定角度の偏光板を介して所定角度の偏光成分を抽出し、偏光成分をワークに照射する偏光成分抽出手段かに交換可能とする。更に、撮像手段は、λ/4板を同屈折率光学板に交換した場合には、同屈折率光学板によって照射された第1の直線偏光がワークで反射してなる反射光が、同屈折率光学板を透過して偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタにおいて反射光から抽出された第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像し、λ/4板を偏光成分抽出手段に交換した場合には、偏光成分抽出手段によって照射された偏光成分がワークで反射してなる反射光が、偏光成分抽出手段の偏光板に所定角度に応じてベクトル分解された後に偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタにおいてベクトル分解成分から抽出された第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像する。   A ninth aspect of the invention is the wiring pattern inspection method according to the eighth aspect of the present invention, wherein, instead of the λ / 4 plate, the optical member has substantially the same refractive index as that of the optical member of the λ / 4 plate, and is guided by the polarization beam splitter. The first linearly polarized light guided by the same refractive index optical plate that irradiates the work piece so as to condense the linearly polarized light of 1 on the work or the polarizing beam splitter through the polarizing plate at a predetermined angle. The polarized light component is extracted, and the polarized light component extraction means for irradiating the work with the polarized light component can be replaced. Further, when the imaging unit replaces the λ / 4 plate with the same refractive index optical plate, the reflected light formed by reflecting the first linearly polarized light irradiated by the same refractive index optical plate with the workpiece is the same refracted. The second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light which is transmitted through the optical plate and guided to the polarizing beam splitter and extracted from the reflected light by the polarizing beam splitter, and the λ / 4 plate is extracted as the polarization component extracting means. In other words, the reflected light formed by reflecting the polarization component irradiated by the polarization component extraction unit on the workpiece is vector-decomposed on the polarizing plate of the polarization component extraction unit according to a predetermined angle, and then the polarization beam splitter. The second linearly polarized light that is guided and orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the vector decomposition component in the polarization beam splitter is imaged.

従って、請求項9の発明の配線パターン検査方法においては、以上のような手段を講じることにより、耐紫外線性が弱い偏光フィルタ、及び偏光ビームスプリッタに入射する光は、予めバンドパスフィルタによって紫外線がカットされている。したがって、これら光学部材の高寿命化を図り、もって、これら光学部材の交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能となる。   Therefore, in the wiring pattern inspection method according to the ninth aspect of the present invention, by taking the above-described means, the light incident on the polarizing filter having a low ultraviolet resistance and the polarizing beam splitter is preliminarily converted by the bandpass filter. It has been cut. Therefore, it is possible to extend the life of these optical members, thereby reducing the replacement frequency of these optical members and suppressing the increase in running cost.

請求項10の発明は、光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査方法であって、光源からの検査光をほぼ平行に導光し、光源からの検査光のうちの赤外線成分を遮断する。更に、赤外線成分を遮断された検査光の波長域から、最上層配線パターンにおける反射光量と、ベースフィルム及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、選択された波長域における光から、偏光ビームスプリッタによって、検査光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を導光方向及び第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導く。更に、ベースフィルムとほぼ同じ屈折率を持つ同屈折率光学板によって、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、ワーク上で集光するようにワークに照射し、照射された第1の直線偏光がワークで反射してなる反射光が、同屈折率光学板を透過して偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタにおいて反射光から抽出された第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像手段によって撮像する。   The invention of claim 10 is a wiring pattern inspection method for optically inspecting a top layer wiring pattern of a work comprising a multilayer wiring substrate for a semiconductor package having a wiring pattern on a light transmissive base film, wherein the inspection is performed from a light source. Light is guided substantially in parallel, and the infrared component in the inspection light from the light source is blocked. Furthermore, from the wavelength range of the inspection light in which the infrared component is blocked, the wavelength range where the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest is selected, and the selected wavelength range The first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction of the inspection light is extracted from the light in the light beam in the light guide direction and the first straight line. The direction is perpendicular to the electric field vector direction of polarized light. Furthermore, the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is irradiated onto the work so as to be condensed on the work by the same refractive index optical plate having substantially the same refractive index as that of the base film. The reflected light formed by reflecting the linearly polarized light on the workpiece is transmitted through the same refractive index optical plate and guided to the polarizing beam splitter, and the second light orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the reflected light by the polarizing beam splitter. The linearly polarized light is imaged by the imaging means.

従って、請求項10の発明の配線パターン検査方法においては、以上のような手段を講じることにより、耐紫外線性が弱い偏光フィルタ、及び偏光ビームスプリッタに入射する光は、予めバンドパスフィルタによって紫外線がカットされている。したがって、これら光学部材の高寿命化を図り、もって、これら光学部材の交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能となる。   Therefore, in the wiring pattern inspection method of the invention of claim 10, by taking the above-described means, the light incident on the polarizing filter having a low ultraviolet resistance and the polarizing beam splitter is preliminarily irradiated by a bandpass filter. It has been cut. Therefore, it is possible to extend the life of these optical members, thereby reducing the replacement frequency of these optical members and suppressing the increase in running cost.

請求項11の発明は、光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査方法であって、光源からの検査光をほぼ平行に導光し、光源からの検査光のうちの赤外線成分を遮断する。そして、赤外線成分を遮断された検査光の波長域から、最上層配線パターンにおける反射光量と、ベースフィルム及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、選択された波長域における光から、偏光ビームスプリッタによって、検査光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を導光方向及び第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導く。更に、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、偏光成分抽出手段が備える所定角度の偏光板を介して所定角度の偏光成分を抽出し、偏光成分をワークに照射し、照射された偏光成分がワークで反射してなる反射光が、偏光成分抽出手段の偏光板の所定角度に応じてベクトル分解された後に偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタにおいてベクトル分解成分から抽出された第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像手段によって撮像する。   The invention according to claim 11 is a wiring pattern inspection method for optically inspecting the uppermost wiring pattern of a work consisting of a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern on a light-transmitting base film, wherein the inspection is performed from a light source. Light is guided substantially in parallel, and the infrared component in the inspection light from the light source is blocked. Then, from the wavelength range of the inspection light from which the infrared component is blocked, select the wavelength range in which the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest, and the selected wavelength range The first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction of the inspection light is extracted from the light in the light beam in the light guide direction and the first straight line. The direction is perpendicular to the electric field vector direction of polarized light. Further, the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is extracted through a polarizing plate having a predetermined angle provided in the polarizing component extraction unit, and the workpiece is irradiated with the polarized component. The reflected light obtained by reflecting the polarization component on the workpiece is vector-decomposed according to a predetermined angle of the polarizing plate of the polarization component extraction means, guided to the polarization beam splitter, and extracted from the vector decomposition component by the polarization beam splitter. The second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light is imaged by the imaging means.

従って、請求項11の発明の配線パターン検査方法においては、以上のような手段を講じることにより、耐紫外線性が弱い偏光フィルタ、及び偏光ビームスプリッタに入射する光は、予めバンドパスフィルタによって紫外線がカットされている。したがって、これら光学部材の高寿命化を図り、もって、これら光学部材の交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能となる。   Therefore, in the wiring pattern inspection method of the invention of claim 11, by taking the above-described means, the light incident on the polarizing filter having a low UV resistance and the polarizing beam splitter is preliminarily converted by the bandpass filter. It has been cut. Therefore, it is possible to extend the life of these optical members, thereby reducing the replacement frequency of these optical members and suppressing the increase in running cost.

請求項12の発明は、請求項8、請求項10、及び請求項11のうち何れか1項の発明の配線パターン検査方法において、λ/4板または同屈折率光学板または偏光成分抽出手段を着脱可能に備えている。   According to a twelfth aspect of the present invention, in the wiring pattern inspection method according to any one of the eighth, tenth, and eleventh aspects, the λ / 4 plate, the same refractive index optical plate, or the polarization component extracting means is provided. Removable.

従って、請求項12の発明の配線パターン検査方法においては、以上のような手段を講じることにより、ワークに応じて、λ/4板または同屈折率光学板または偏光成分抽出手段を自在に選択することができる。   Therefore, in the wiring pattern inspection method according to the twelfth aspect of the present invention, the λ / 4 plate, the same refractive index optical plate, or the polarization component extracting means can be freely selected according to the work by taking the above-described means. be able to.

請求項13の発明は、請求項8乃至12のうち何れか1項の発明の配線パターン検査方法において、光源内に設置された放電ランプに供給される電圧に相乗された周波数成分がノイズとして撮像手段に影響を及ぼさないようにするノイズを除去する。   According to a thirteenth aspect of the present invention, in the wiring pattern inspection method according to any one of the eighth to twelfth aspects, the frequency component synthesized by the voltage supplied to the discharge lamp installed in the light source is imaged as noise. Remove noise that does not affect the means.

従って、請求項13の発明の配線パターン検査方法においては、以上のような手段を講じることにより、撮像手段によって撮像された画像にノイズが入らないようにすることができ、もって、検査精度を高めることが可能となる。   Therefore, in the wiring pattern inspection method according to the thirteenth aspect of the present invention, by taking the above-described means, it is possible to prevent noise from entering the image picked up by the image pickup means, thereby improving the inspection accuracy. It becomes possible.

請求項14の発明は、請求項8乃至13のうち何れか1項の発明の配線パターン検査方法において、偏光ビームスプリッタの代わりに、クロスニコルに設置された2枚の偏光板とハーフミラーとを用い、前記偏光ビームスプリッタと同じ機能を持たせている。   According to a fourteenth aspect of the present invention, in the wiring pattern inspection method according to any one of the eighth to thirteenth aspects, two polarizing plates and a half mirror installed in crossed Nicols are used instead of the polarizing beam splitter. The same function as that of the polarization beam splitter is used.

従って、請求項14の発明の配線パターン検査方法においては、以上のような手段を講じることにより、クロスニコルに設置された2枚の偏光板とハーフミラーとを用いて、偏光ビームスプリッタの代わりとすることができる。   Therefore, in the wiring pattern inspection method of the invention of claim 14, by taking the above-described means, two polarizing plates and half mirrors installed in crossed Nicols are used instead of the polarizing beam splitter. can do.

本発明によれば、紫外線をカットする作用をもつバンドパスフィルタを、可能な限り光源側に備え、光学部材を照射する紫外線量を低減することができる。   According to the present invention, a bandpass filter having an action of cutting off ultraviolet rays is provided on the light source side as much as possible, and the amount of ultraviolet rays irradiated on the optical member can be reduced.

以上により、光学部材の高寿命化を図ることが可能となり、もって、光学部材の交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能な配線パターン検査装置及び配線パターン検査方法を実現することができる。   As described above, it is possible to achieve a long lifetime of the optical member, and thus to realize a wiring pattern inspection apparatus and a wiring pattern inspection method capable of suppressing the increase in running cost by reducing the replacement frequency of the optical member. Can do.

以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置の一例を示すブロック図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a block diagram showing an example of a wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the first embodiment is applied.

すなわち、本実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置は、光源10と、ライトガイド11と、熱線カットフィルタ12と、集光レンズ群13と、バンドパスフィルタ14と、拡散板15と、偏光フィルタ16(省略可)と、集光レンズ群17と、偏光ビームスプリッタ18(クロスニコルに設置された2枚の偏光板とハーフミラーとで、偏光ビームスプリッタ18の代わりとしても良い)と、前レンズ群19と、λ/4板20と、後レンズ群22と、撮像部23と、画像処理装置24とを備えている。このようにλ/4板20を用いた配線パターン検査装置は、特にベースフィルムとしてのポリイミドと、配線層としての銅とをラミネートして作製した配線基板を積層してなるワークの検査に適している。   That is, the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the present embodiment is applied includes a light source 10, a light guide 11, a heat ray cut filter 12, a condenser lens group 13, a band pass filter 14, and a diffusion. The plate 15, the polarizing filter 16 (can be omitted), the condenser lens group 17, and the polarizing beam splitter 18 (two polarizing plates and half mirrors installed in crossed Nicols can be used instead of the polarizing beam splitter 18). A front lens group 19, a λ / 4 plate 20, a rear lens group 22, an imaging unit 23, and an image processing device 24. As described above, the wiring pattern inspection apparatus using the λ / 4 plate 20 is particularly suitable for inspection of a workpiece formed by laminating a wiring board prepared by laminating polyimide as a base film and copper as a wiring layer. Yes.

光源10は、例えばメタルハライドランプ等の可視域全域に亘って発光する高輝度照明が好適である。高分解能による撮像がなされるためには十分な光量が必要である。従って、光源10としては例えば消費電力量が250Wのメタルハライドランプから350Wのメタルハライドランプに変えたり、ライトガイド11としては複数の光源10からの光を統合して一端から出力できるようなスポット型のものが好適である。   The light source 10 is preferably a high-luminance illumination that emits light over the entire visible range, such as a metal halide lamp. A sufficient amount of light is necessary for imaging with high resolution. Therefore, for example, the light source 10 can be changed from a metal halide lamp with a power consumption of 250 W to a metal halide lamp with a power of 350 W, or the light guide 11 can be a spot type that can integrate light from a plurality of light sources 10 and output from one end. Is preferred.

また、光源10には、ノイズ除去部25が備えられている。このノイズ除去部25は、例えばノイズ除去回路であって、光源10内に設置された放電ランプに供給される電圧に相乗された例えば100Hzの周波数成分がノイズとして撮像センサ23aに影響を及ぼさないようにする。   Further, the light source 10 is provided with a noise removing unit 25. The noise removing unit 25 is, for example, a noise removing circuit, and a frequency component of, for example, 100 Hz, which is synergized with a voltage supplied to a discharge lamp installed in the light source 10, does not affect the image sensor 23a as noise. To.

このような光源10から発せられる光は、多方面の光成分を有する所謂ランダム光である。このようなランダム光が光源10から発せられると、ライトガイド11に入射する。   The light emitted from such a light source 10 is so-called random light having various light components. When such random light is emitted from the light source 10, it enters the light guide 11.

ライトガイド11は、光源10からの光をほぼ平行にして熱線カットフィルタ12に導く。   The light guide 11 guides the light from the light source 10 to the heat ray cut filter 12 in a substantially parallel manner.

熱線カットフィルタ12は、長波長側の光(例えば700nm以上の波長)を遮断し、それ以外の光を導光させるものであり、赤外線フィルタが好適である。   The heat ray cut filter 12 blocks light on the long wavelength side (for example, a wavelength of 700 nm or more) and guides other light, and an infrared filter is suitable.

集光レンズ群13は、熱線カットフィルタ12を介した光を集光してバンドパスフィルタ14に導く。   The condenser lens group 13 condenses the light that has passed through the heat ray cut filter 12 and guides it to the bandpass filter 14.

バンドパスフィルタ14は、最上層配線パターンにおける反射光量と、例えばポリイミド絶縁層が用いられたベースフィルム、及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、選択した波長域の光のみを拡散板15側に導く。具体的には、グリーン成分である550nmの波長に着目する。   The bandpass filter 14 selects a wavelength region where the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the base film using, for example, a polyimide insulating layer and the reflected light amount in the wiring pattern is the largest, Only light is guided to the diffusion plate 15 side. Specifically, attention is focused on a wavelength of 550 nm, which is a green component.

また、バンドパスフィルタ14は、紫外線をカットする作用をも有している。したがって、選択した波長域の光(例えばグリーン成分である550nmの光)を、紫外線成分を効率良くカットした状態で拡散板15に導く。   The band pass filter 14 also has an action of cutting ultraviolet rays. Therefore, light in the selected wavelength region (for example, light having a green component of 550 nm) is guided to the diffusion plate 15 in a state where the ultraviolet component is efficiently cut.

このようにバンドパスフィルタ14を通過した光は、紫外線成分がカットされていることから、バンドパスフィルタ14よりも下流側に設置された光学部材は、紫外線による照射を回避することができる。このため、バンドパスフィルタ14は、可能な限り、光源10側に配置されるようにすることが好ましい。少なくとも、図1に示すように、耐紫外線性が弱く紫外線の照射によって比較的容易に劣化する(面精度が劣化する)偏光フィルタ16、偏光ビームスプリッタ18、及びλ/4板20よりも上流側に配置することが好ましい。このように配置することによって、これら光学部材の高寿命化を図り、もって、これら光学部材の交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能となるからである。   Since the light passing through the bandpass filter 14 is cut off from the ultraviolet component, the optical member installed on the downstream side of the bandpass filter 14 can avoid irradiation with ultraviolet rays. For this reason, it is preferable that the band pass filter 14 is arranged on the light source 10 side as much as possible. As shown in FIG. 1, at least upstream of the polarizing filter 16, the polarizing beam splitter 18, and the λ / 4 plate 20, which has weak UV resistance and is relatively easily deteriorated by UV irradiation (surface accuracy is deteriorated). It is preferable to arrange in. By arranging in this way, it is possible to extend the life of these optical members, thereby reducing the replacement frequency of these optical members and suppressing an increase in running cost.

拡散板15は、バンドパスフィルタ14によって導かれた光を、光強度の均一化を図った上で偏光フィルタ16に入射させる。この拡散板15には、高透過性を有するフロスト型拡散板が好適である。   The diffusing plate 15 makes the light guided by the bandpass filter 14 enter the polarizing filter 16 after making the light intensity uniform. As the diffusion plate 15, a frost type diffusion plate having high permeability is suitable.

偏光フィルタ16は、このようにして拡散板15から導かれた光から直線偏光(電界ベクトルが図1中表裏方向である)を抽出し、抽出した光を集光レンズ群17に導く。上述したように光源10から発せられる光は、ランダム光であるから、偏光フィルタ16は、このようなランダム光から直線偏光を抽出することになる。   The polarizing filter 16 extracts linearly polarized light (the electric field vector is the front and back direction in FIG. 1) from the light guided from the diffusion plate 15 in this way, and guides the extracted light to the condenser lens group 17. Since the light emitted from the light source 10 is random light as described above, the polarizing filter 16 extracts linearly polarized light from such random light.

この偏光フィルタ16には、後述する偏光ビームスプリッタ18と同様、適用波長域、消光比、偏光比、外形サイズ等を十分考慮した上で適切なものを選択するようにする。また、高分解能にて撮像するためには系内の全透過光量が多ければ多いほど優位になる。したがって、例えば偏光フィルタ16としては、高透過率であるワイヤーグリッド偏光フィルタが好適である。   As for the polarizing filter 16, an appropriate filter is selected in consideration of an applicable wavelength range, an extinction ratio, a polarization ratio, an outer size, and the like, as in the polarizing beam splitter 18 described later. Further, in order to capture an image with a high resolution, the greater the total amount of transmitted light in the system, the greater the advantage. Therefore, for example, as the polarizing filter 16, a wire grid polarizing filter having a high transmittance is suitable.

集光レンズ群17は、偏光フィルタ16によって導かれた直線偏光を、均一平行導光し、偏光ビームスプリッタ18に導く。   The condenser lens group 17 uniformly guides the linearly polarized light guided by the polarizing filter 16 and guides it to the polarizing beam splitter 18.

偏光ビームスプリッタ18は、集光レンズ群17によって導光された光の直線偏光の割合を更に高め、この直線偏光を、下方に配置された前レンズ群19に導く。   The polarization beam splitter 18 further increases the proportion of linearly polarized light guided by the condenser lens group 17 and guides this linearly polarized light to the front lens group 19 disposed below.

前レンズ群19は、偏光ビームスプリッタ18からの直線偏光を、集光してλ/4板20に導く。   The front lens group 19 collects the linearly polarized light from the polarization beam splitter 18 and guides it to the λ / 4 plate 20.

λ/4板20は、前レンズ群19から導かれた直線偏光を円偏光に変換し、この変換した円偏光をワーク21に照射する。λ/4板20は、紫外線照射によって劣化するので、新品と交換可能なように配置している。   The λ / 4 plate 20 converts linearly polarized light guided from the front lens group 19 into circularly polarized light, and irradiates the work 21 with the converted circularly polarized light. Since the λ / 4 plate 20 is deteriorated by ultraviolet irradiation, the λ / 4 plate 20 is disposed so that it can be replaced with a new one.

この円偏光は、ワーク21で反射し、回転方向が逆とされた円偏光となり、この反射光は、λ/4板20によって図中左右方向の直線偏光成分に変換され、更に偏光ビームスプリッタ18を透過した後に後レンズ群22に導光されるようにしている。   The circularly polarized light is reflected by the work 21 and becomes circularly polarized light whose rotation direction is reversed. This reflected light is converted into a linearly polarized light component in the horizontal direction in the figure by the λ / 4 plate 20 and further, the polarization beam splitter 18. After being transmitted, the light is guided to the rear lens group 22.

後レンズ群22は、このようにして偏光ビームスプリッタ18から導光された光を、撮像部23の撮像センサ23aにおいて焦点を結ぶように集光する。   The rear lens group 22 condenses the light guided from the polarization beam splitter 18 in this way in the imaging sensor 23a of the imaging unit 23 so as to be focused.

撮像センサ23aは、このようにして導光された光を撮像する。これによって、最上層配線パターン情報を顕在化された配線パターンの画像を取得し、取得した画像データを画像処理装置24に送る。   The imaging sensor 23a images the light guided in this way. As a result, an image of the wiring pattern in which the uppermost layer wiring pattern information is revealed is acquired, and the acquired image data is sent to the image processing device 24.

なお、例えば偏光ビームスプリッタ18から導光された光を、後レンズ群22に導く代わりに、導光方向を分岐させるための必要なハーフミラーや、後レンズ群22とは別の後レンズ群等を適所配置させ、その分岐光を複数の撮像センサ(図示せず)に結像させることによって、複数撮像センサによる高分解能かつ広視野撮像を行うようにしても良い。   For example, instead of guiding the light guided from the polarization beam splitter 18 to the rear lens group 22, a half mirror necessary for branching the light guide direction, a rear lens group separate from the rear lens group 22, etc. May be arranged at appropriate positions, and the branched light may be imaged on a plurality of imaging sensors (not shown) to perform high-resolution and wide-field imaging with the plurality of imaging sensors.

画像処理装置24は、図示しないパーソナルコンピュータ、キーボード、マウス、ディスプレイ、画像処理ボード等を備えている。そして、撮像部23から、最上層配線パターン情報を顕在化された配線パターンの画像データが送られると、この画像データをディスプレイから表示する。更に、この表示された画像データと、正常な設計配線パターンデータとを用いた各種演算、認識処理及び比較処理を行い、撮像された画像データの配線パターンの良否を判定する。また、画像処理装置24は、撮像動作に必要なステージ制御等を行うインターフェースの役割も受け持つ。   The image processing device 24 includes a personal computer, a keyboard, a mouse, a display, an image processing board, and the like (not shown). When the image data of the wiring pattern in which the uppermost wiring pattern information is made visible is sent from the imaging unit 23, the image data is displayed from the display. Further, various calculations using the displayed image data and normal design wiring pattern data, recognition processing, and comparison processing are performed, and the quality of the wiring pattern of the imaged image data is determined. The image processing device 24 also has a role of an interface for performing stage control and the like necessary for the imaging operation.

次に、以上のように構成した本実施の形態に係る配線パターン検査方法及び配線パターン検査装置の作用について説明する。   Next, the operation of the wiring pattern inspection method and wiring pattern inspection apparatus according to the present embodiment configured as described above will be described.

本実施の形態では、光源10として、メタルハライドランプ等の可視域全域に亘って発光する高輝度照明が使用される。このメタルハライドランプは、太陽光に近いスペクトルを有し、系内に導光させる光には370nm近辺以上の波長成分が含まれる。そして、図1に示すように、ライトガイド11、熱線カットフィルタ12、集光レンズ群13、バンドパスフィルタ14、拡散板15、偏光フィルタ16、集光レンズ群17、偏光ビームスプリッタ18、前レンズ群19、λ/4板20、後レンズ群22、撮像センサ23aといった多数の光学部材を配置している。このため、これら光学部材の紫外線照射による劣化、特に面精度の劣化の影響が懸念される。   In the present embodiment, high-luminance illumination that emits light over the entire visible range, such as a metal halide lamp, is used as the light source 10. This metal halide lamp has a spectrum close to that of sunlight, and light guided in the system contains a wavelength component of around 370 nm or more. And as shown in FIG. 1, the light guide 11, the heat ray cut filter 12, the condensing lens group 13, the band pass filter 14, the diffuser plate 15, the polarizing filter 16, the condensing lens group 17, the polarizing beam splitter 18, the front lens A number of optical members such as the group 19, the λ / 4 plate 20, the rear lens group 22, and the image sensor 23a are arranged. For this reason, there is a concern about the influence of deterioration of these optical members due to ultraviolet irradiation, particularly deterioration of surface accuracy.

図2は、このような紫外線照射によるλ/4板20の面精度の劣化の影響を示す画像である。図2(a)は、面精度が劣化していない正常なλ/4板20について干渉計によって求めた干渉像である。一方、図2(b)は、紫外線照射によって面精度が劣化したλ/4板20について干渉計によって求めた干渉像である。   FIG. 2 is an image showing the influence of deterioration of the surface accuracy of the λ / 4 plate 20 due to such ultraviolet irradiation. FIG. 2A is an interference image obtained by an interferometer with respect to a normal λ / 4 plate 20 whose surface accuracy is not deteriorated. On the other hand, FIG. 2B is an interference image obtained by an interferometer for the λ / 4 plate 20 whose surface accuracy has deteriorated due to ultraviolet irradiation.

図2(a)に示すように、縞模様が真っ直ぐな程面精度が良いことを示す。それに対して図2(b)に示す画像は、縞模様が湾曲しており、紫外線照射の影響によって面精度が劣化していることが確認できる。   As shown in FIG. 2A, the straighter the stripe pattern, the better the surface accuracy. On the other hand, in the image shown in FIG. 2B, the stripe pattern is curved, and it can be confirmed that the surface accuracy is deteriorated due to the influence of ultraviolet irradiation.

このような面精度劣化が生じると、画像コントラスト低下に陥ることになり、最適な検査画像を得ることができなくなる。従って、図1に示すように、紫外線をカットする作用を持つバンドパスフィルタ14を、できる限り光源10側に配置し、光源10と、バンドパスフィルタ14との間にできる限り光学部材を配置しないようにすることによって、光学部材の高寿命化が図られ、もって、光学部材の交換頻度が低くなり、ランニングコストの上昇を抑えることが可能となる。   When such surface accuracy deterioration occurs, the image contrast is lowered, and an optimum inspection image cannot be obtained. Therefore, as shown in FIG. 1, the bandpass filter 14 having an action of cutting ultraviolet rays is disposed as close to the light source 10 as possible, and an optical member is not disposed between the light source 10 and the bandpass filter 14 as much as possible. By doing so, the life of the optical member can be extended, so that the replacement frequency of the optical member is reduced, and the increase in running cost can be suppressed.

図3は、ポリイミドフィルムに銅箔を接着剤でラミネートし、これをサブトラクティブ法やセミアディティブ法等によりパターンニング処理した配線パターンからなる半導体パッケージ用多層配線基板の最上層配線パターンを、(a)従来技術であるリング照明方法によって撮像した場合と、(b)本実施の形態による配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置によって撮像した場合とをそれぞれ示す画像である。   FIG. 3 shows an uppermost wiring pattern of a multilayer wiring board for a semiconductor package comprising a wiring pattern obtained by laminating a copper foil on a polyimide film with an adhesive and patterning this by a subtractive method or a semi-additive method. FIG. 4 is an image showing a case where the image is picked up by a ring illumination method which is a conventional technique, and a case where an image is picked up by a wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the present embodiment is applied.

図3(a)に示すように、従来技術であるリング照明方法の場合、最上層配線パターンAのみならず、ポリイミド絶縁層Bを介して存在する内層配線パターンCも撮像されていることが分かる。更に、最上層配線パターンA及び内層配線パターンCは同程度の明るさであるため、例えば2値化処理によっても最上層配線パターンAと内層配線パターンCとを分離することができない。これにより、最上層配線パターンAと内層配線パターンCとが交差している箇所では、画像からは、どちらが上側に存在しているパターンなのか判別するのは困難である。   As shown in FIG. 3A, in the case of the conventional ring illumination method, it is understood that not only the uppermost layer wiring pattern A but also the inner layer wiring pattern C existing via the polyimide insulating layer B is imaged. . Furthermore, since the uppermost layer wiring pattern A and the inner layer wiring pattern C have the same brightness, the uppermost layer wiring pattern A and the inner layer wiring pattern C cannot be separated even by binarization processing, for example. As a result, it is difficult to discriminate which pattern is present on the upper side from the image where the uppermost layer wiring pattern A and the inner layer wiring pattern C intersect.

一方、図3(b)に示すように、本実施の形態による配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置によって撮像された画像の場合、内層配線パターンCは撮像されず、最上層のポリイミド絶縁層Bと、その上に配置された最上層配線パターンAのみが撮像される。しかも、最上層配線パターンAの部分は明るく、ポリイミド絶縁層Bの部分は暗く撮像されるので、内層配線パターンCに影響されないばかりか、例えば二値化という簡単な画像処理技術を用いることによって、最上層配線パターンAとポリイミド絶縁層Bとの領域を精度良く分類することができる。   On the other hand, as shown in FIG. 3B, in the case of an image picked up by the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the present embodiment is applied, the inner layer wiring pattern C is not picked up and the uppermost polyimide insulation is obtained. Only the layer B and the uppermost layer wiring pattern A disposed thereon are imaged. In addition, since the uppermost wiring pattern A is bright and the polyimide insulating layer B is dark, it is not affected by the inner wiring pattern C. For example, by using a simple image processing technique called binarization, The regions of the uppermost wiring pattern A and the polyimide insulating layer B can be classified with high accuracy.

そして、このように両者の領域が分類できた状態でCADデータ(パターン設計情報)や良品ワーク(正しく配線パターンが形成されたワーク)を基準マスター画像との比較処理や、特徴抽出法等により、差異のあった部分を不良として判定することが可能となる。   Then, in such a state that both areas are classified, CAD data (pattern design information) and non-defective work (work in which a wiring pattern is correctly formed) are compared with a reference master image, a feature extraction method, etc. It is possible to determine a portion having a difference as a defect.

さらに、得られた画像データでは、過検出要因となり得るノイズ成分がないことが理想である。そこで、図4(a)は、光源10にメタルハライドランプを使用し、ノイズ除去部25を設けない条件で撮像して得られた画像データである。このように、ノイズ除去部25を設けずに撮像した場合、横縞ノイズの発生が確認された。この例の場合、30ラインに1回白い横縞が発生しており、精度の高い画像データとは言い難く、更に配線パターンが斜め方向に形成された状態では、この横縞ノイズと配線パターンとの交点において配線パターンのエッジが波打つ現象も確認され、誤検出要素となり、問題となる。この原因を検証した結果、メタルハライドランプに供給される電圧に相乗された100Hzノイズに起因するものと判明した。   Furthermore, in the obtained image data, it is ideal that there is no noise component that can be an overdetection factor. Therefore, FIG. 4A shows image data obtained by using a metal halide lamp as the light source 10 and imaging under the condition where the noise removing unit 25 is not provided. Thus, when imaging was performed without providing the noise removing unit 25, occurrence of horizontal stripe noise was confirmed. In the case of this example, a white horizontal stripe occurs once in 30 lines, which is difficult to say with high-precision image data. Further, in the state where the wiring pattern is formed in an oblique direction, the intersection of the horizontal stripe noise and the wiring pattern. In this case, the phenomenon that the edge of the wiring pattern undulates is also confirmed, which becomes a false detection element and causes a problem. As a result of verifying this cause, it was found that it was caused by 100 Hz noise that was synergistic with the voltage supplied to the metal halide lamp.

図4では、横縞ノイズが分かりにくいので、輝度値のグラフを用いて説明する。図9に示す画像データを見ると、全体にわたって白線が存在していることがわかる。図9中に示すX−X’線に存在する白線情報を強調(積算)すると、図10に示すようなデータとなる。図10に示すように、明るい部分(白線)が一定周期で発生していることがわかる。このノイズ成分が存在すると画像品位が低下すると共に、画像を見ると分かるが、この白線と配線パターンとが交差する部分は、配線パターンが波打っている。このような波打ちが存在すると、誤検出が多くなり、安定したパターン検査ができなくなるため、横縞ノイズの除去は不可欠である。   In FIG. 4, since horizontal stripe noise is difficult to understand, a description is given using a graph of luminance values. From the image data shown in FIG. 9, it can be seen that white lines exist throughout. When the white line information existing in the X-X ′ line shown in FIG. 9 is emphasized (integrated), data as shown in FIG. 10 is obtained. As shown in FIG. 10, it can be seen that bright portions (white lines) are generated at a constant period. If this noise component is present, the image quality deteriorates and the image can be seen, but the wiring pattern is wavy at the intersection of the white line and the wiring pattern. If such undulations exist, erroneous detection increases and stable pattern inspection cannot be performed. Therefore, it is indispensable to remove horizontal stripe noise.

そこで、本実施の形態による配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置には、この100Hzで発生する電圧ノイズを回路的に除去するノイズ除去部25が設けられている。図4(b)は、このようなノイズ除去部25を設けた場合に得られた図4(a)と同一箇所を撮像して得られた画像データである。このように、ノイズ除去部25を設けることによって、光源10に供給される電圧に相乗された100Hzノイズが回路的に除去され、より精度の高い画像データを得ることが可能となる。   Therefore, the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the present embodiment is applied is provided with a noise removing unit 25 that removes the voltage noise generated at 100 Hz in a circuit manner. FIG. 4B shows image data obtained by imaging the same part as FIG. 4A obtained when such a noise removing unit 25 is provided. In this manner, by providing the noise removing unit 25, 100 Hz noise that is synergistic with the voltage supplied to the light source 10 is removed in a circuit, and it becomes possible to obtain more accurate image data.

上述したように、本実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置においては、上記のような作用により、紫外線をカットする作用をもつバンドパスフィルタ14を、可能な限り光源10側に備えることによって、光学部材、特に偏光フィルタ16、偏光ビームスプリッタ18、及びλ/4板20を照射する紫外線量を低減することができる。これによりこれら光学部材の高寿命化を図ることができ、もって、交換頻度を低くしてランニングコストの上昇を抑えることが可能となる。   As described above, in the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the present embodiment is applied, the bandpass filter 14 having the function of cutting ultraviolet rays by the function as described above is provided with the light source 10 as much as possible. By providing it on the side, it is possible to reduce the amount of ultraviolet rays that irradiate the optical member, in particular, the polarizing filter 16, the polarizing beam splitter 18, and the λ / 4 plate 20. As a result, the lifetime of these optical members can be increased, and therefore the replacement frequency can be lowered to suppress an increase in running cost.

また、光源10にノイズ除去部25を設けることによって、光源10内に設置された放電ランプに供給される電圧に相乗された100Hzノイズを回路的に除去することができ、より精度の高い画像データを得ることが可能となる。   Further, by providing the noise removal unit 25 in the light source 10, it is possible to remove 100 Hz noise that is synergistic with the voltage supplied to the discharge lamp installed in the light source 10 in a circuit, and to obtain more accurate image data. Can be obtained.

(第2の実施の形態)
図5は、第2の実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置の一例を示すブロック図である。
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a block diagram showing an example of a wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the second embodiment is applied.

すなわち、本実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置は、図1に示す第1の実施の形態に配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置におけるλ/4板20を、同屈折率光学板26に置換した構成としている。したがって、ここでは、図1と同一部分については同一符号を付して示してその説明を省略し、異なる部分について説明する。   That is, the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the present embodiment is applied includes the λ / 4 plate 20 in the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method is applied to the first embodiment shown in FIG. The refractive index optical plate 26 is replaced. Accordingly, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and different parts are described.

半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性によっては、図1の光学構成では最上層配線パターンのみを光学的に顕在化できない場合のあることが分かっている。例えば、銅めっきを析出することによって形成された配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板に対しては、λ/4板20に代えて、同屈折率光学板26を用いた場合の方が、最上層配線パターンのみを光学的に顕在化することができる。したがって、図1に示す第1の実施の形態に係る配線パターン検査装置において、λ/4板20を、同屈折率光学板26に交換可能な構成としておき、ワーク21に応じてλ/4板20を用いるか、または同屈折率光学板26を用いるかを選択できるようにしておく。そして、銅めっきを析出することによって形成された配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板の検査を行う場合には、λ/4板20を、同屈折率光学板26に交換する。   It has been found that depending on the manufacturing method, material, and polarization characteristics of the base film material used for the multilayer wiring board for semiconductor packages, only the uppermost wiring pattern may not be optically manifested in the optical configuration of FIG. For example, for a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern formed by depositing copper plating, the same refractive index optical plate 26 is used instead of the λ / 4 plate 20. Only the uppermost wiring pattern can be revealed optically. Therefore, in the wiring pattern inspection apparatus according to the first embodiment shown in FIG. 1, the λ / 4 plate 20 is configured to be replaceable with the same refractive index optical plate 26, and the λ / 4 plate according to the workpiece 21. 20 or the same refractive index optical plate 26 can be selected. When the semiconductor package multilayer wiring board having the wiring pattern formed by depositing copper plating is inspected, the λ / 4 plate 20 is replaced with the same refractive index optical plate 26.

同屈折率光学板26は、λ/4板20の光学部材とほぼ同じ屈折率を持ち、前レンズ群19から導かれた直線偏光が、ワーク21上で結像するようにワーク21に照射する。この照射された直線偏光は、ワーク21で反射し、この反射光が、同屈折率光学板26を透過し、前レンズ群19を介して偏光ビームスプリッタ18に導かれ、偏光ビームスプリッタ18において反射光からこの直線偏光と直交する直線偏光が抽出されるようにしている。同屈折率光学板26もまた、劣化時に交換できるよう、交換可能なように配置している。   The refractive index optical plate 26 has substantially the same refractive index as the optical member of the λ / 4 plate 20 and irradiates the work 21 so that the linearly polarized light guided from the front lens group 19 forms an image on the work 21. . The irradiated linearly polarized light is reflected by the work 21, and the reflected light passes through the same refractive index optical plate 26, is guided to the polarizing beam splitter 18 through the front lens group 19, and is reflected by the polarizing beam splitter 18. Linearly polarized light orthogonal to this linearly polarized light is extracted from the light. The refractive index optical plate 26 is also arranged so as to be exchangeable so that it can be exchanged at the time of deterioration.

後レンズ群22は、このようにして偏光ビームスプリッタ18から導光された光を、撮像センサ23aにおいて焦点を結ぶように集光する。   The rear lens group 22 condenses the light guided from the polarization beam splitter 18 in this way so as to focus on the image sensor 23a.

撮像センサ23aは、このようにして後レンズ群22によって集光された光を撮像する。これによって、最上層配線パターン情報が顕在化された配線パターンの画像を取得し、取得した画像データを画像処理装置24に送る。   The imaging sensor 23a images the light collected by the rear lens group 22 in this way. As a result, an image of the wiring pattern in which the uppermost layer wiring pattern information is revealed is acquired, and the acquired image data is sent to the image processing device 24.

次に、以上のように構成した本実施の形態に係る配線パターン検査方法及び配線パターン検査装置の作用について説明する。   Next, the operation of the wiring pattern inspection method and wiring pattern inspection apparatus according to the present embodiment configured as described above will be described.

図6は、銅めっきを析出することによって形成された配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板の最上層配線パターンについて撮像された画像データの一例を、本実施の形態による配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置によって撮像した場合を示す画像である。   FIG. 6 shows an example of image data taken for the uppermost wiring pattern of a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern formed by depositing copper plating, and applying the wiring pattern inspection method according to the present embodiment. It is an image which shows the case where it images with the performed wiring pattern inspection apparatus.

このように、最上層の配線パターンのみが光学的に顕在化されて撮像されていることがわかる。なお、第1の実施の形態では、図3(b)に示すように、最上層配線パターンAが明るく、ポリイミド絶縁層Bが暗く撮像されていたのに対し、本実施の形態で撮像された画像データでは、その逆に、最上層配線パターンAが暗く、ポリイミド絶縁層Bが明るく撮像される。これは、一方向の偏光成分しかない直線偏光がポリイミド絶縁層Bの内部で多重反射を繰り返し、あらゆる方向の偏光成分を有することになるためにポリイミド絶縁層B部分は明るく、最上層配線パターンAは暗くなるからである。   Thus, it can be seen that only the uppermost wiring pattern is optically manifested and imaged. In the first embodiment, as shown in FIG. 3B, the uppermost wiring pattern A was imaged brightly and the polyimide insulating layer B was imaged dark, whereas the imaged in this embodiment. On the contrary, in the image data, the uppermost wiring pattern A is dark and the polyimide insulating layer B is brightly imaged. This is because linearly polarized light having only one direction of polarization component repeats multiple reflections inside the polyimide insulation layer B, and has a polarization component in all directions, so that the polyimide insulation layer B portion is bright and the uppermost wiring pattern A Because it becomes dark.

このようにして、半導体パッケージ用多層配線基板に使用する材料種類に応じた適切な光学条件を簡便に設定することによって最上層配線パターン情報が顕在化された配線パターン画像の取得が可能となる。   In this manner, it is possible to obtain a wiring pattern image in which the uppermost wiring pattern information is made obvious by simply setting an appropriate optical condition according to the material type used for the multilayer wiring board for a semiconductor package.

(第3の実施の形態)
図7は、第3の実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置の一例を示すブロック図である。
(Third embodiment)
FIG. 7 is a block diagram showing an example of a wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the third embodiment is applied.

すなわち、本実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置は、図1に示す第1の実施の形態の配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置におけるλ/4板20を、半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性によって偏光板27に置換した構成としている。したがって、ここでは、図1と同一部分については同一符号を付して示してその説明を省略し、異なる部分について説明する。   That is, the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the present embodiment is applied includes the λ / 4 plate 20 in the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the first embodiment shown in FIG. The polarizing plate 27 is replaced by the manufacturing method, material, and polarization characteristics of the base film material used for the multilayer wiring board for a semiconductor package. Accordingly, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and different parts are described.

図7にその構成を示すような配線パターン検査装置は、独立して構成しても良いが、図1に示す第1の実施の形態に係る配線パターン検査装置において、λ/4板20を、偏光板27に交換可能な構成としておき、ワーク21に応じてλ/4板20を用いるか、または偏光板27を用いるかを選択できるようにしておいてもよい。   Although the wiring pattern inspection apparatus whose configuration is shown in FIG. 7 may be configured independently, in the wiring pattern inspection apparatus according to the first embodiment shown in FIG. The polarizing plate 27 may be configured to be replaceable, and it may be possible to select whether to use the λ / 4 plate 20 or the polarizing plate 27 according to the work 21.

偏光板27は所定の偏光角度(例えば45°:直線偏光の電界ベクトルの振動方向に対して)を有しており、前レンズ群19から導かれた直線偏光から、所定角度の偏光成分を抽出し、この偏光成分をワーク21に照射する。この照射された偏光成分は、ワーク21で反射し、この反射光が、偏光板27の所定角度に応じてベクトル分解された後に、前レンズ群19を介して偏光ビームスプリッタ18に導かれ、偏光ビームスプリッタ18においてこのベクトル分解成分から抽出された直線偏光と直交する直線偏光が抽出されるようにしている。偏光板27もまた、劣化時に交換できるよう、交換可能なように配置している。   The polarizing plate 27 has a predetermined polarization angle (for example, 45 °: with respect to the vibration direction of the electric field vector of linearly polarized light), and extracts a polarization component of a predetermined angle from the linearly polarized light guided from the front lens group 19. Then, the work 21 is irradiated with this polarized component. The irradiated polarized component is reflected by the work 21, and the reflected light is vector-decomposed according to a predetermined angle of the polarizing plate 27 and then guided to the polarizing beam splitter 18 through the front lens group 19. The beam splitter 18 extracts linearly polarized light orthogonal to the linearly polarized light extracted from the vector decomposition component. The polarizing plate 27 is also arranged so as to be exchangeable so that it can be exchanged at the time of deterioration.

後レンズ群22は、このようにして偏光ビームスプリッタ18から導光された光を、撮像センサ23aにおいて焦点を結ぶように集光する。   The rear lens group 22 condenses the light guided from the polarization beam splitter 18 in this way so as to focus on the image sensor 23a.

撮像センサ23aは、このようにして後レンズ群22によって集光された光を撮像する。これによって、最上層配線パターン情報が顕在化された配線パターンの画像を取得し、取得した画像データを画像処理装置24に送る。   The imaging sensor 23a images the light collected by the rear lens group 22 in this way. As a result, an image of the wiring pattern in which the uppermost layer wiring pattern information is revealed is acquired, and the acquired image data is sent to the image processing device 24.

このようにして、半導体パッケージ用多層配線基板に使用する材料種類に応じた適切な光学条件を簡便に設定することによって最上層配線パターン情報が顕在化された配線パターン画像の取得が可能となる。   In this manner, it is possible to obtain a wiring pattern image in which the uppermost wiring pattern information is made obvious by simply setting an appropriate optical condition according to the material type used for the multilayer wiring board for a semiconductor package.

以上、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を参照しながら説明したが、本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲の発明された技術的思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   The best mode for carrying out the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such a configuration. Within the scope of the invented technical idea of the scope of claims, a person skilled in the art can conceive of various changes and modifications. The technical scope of the present invention is also applicable to these changes and modifications. It is understood that it belongs to.

第1の実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置の一例を示すブロック図。The block diagram which shows an example of the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method which concerns on 1st Embodiment is applied. 紫外線照射によるλ/4板の面精度の劣化の影響を示す画像。The image which shows the influence of deterioration of the surface accuracy of a λ / 4 plate by ultraviolet irradiation. ポリイミドフィルムに銅箔を接着剤でラミネートした配線パターンからなる半導体パッケージ用多層配線基板の最上層配線パターンについて撮像された画像の一例。An example of the image imaged about the uppermost layer wiring pattern of the multilayer wiring board for semiconductor packages which consists of a wiring pattern which laminated the copper foil on the polyimide film with the adhesive agent. ノイズ除去部の効果を示す比較画像データ。Comparative image data showing the effect of the noise removal unit. 第2の実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置の一例を示すブロック図。The block diagram which shows an example of the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method which concerns on 2nd Embodiment is applied. 銅めっきを析出することによって形成された配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板の最上層配線パターンについて撮像された画像データの一例。An example of the image data imaged about the uppermost layer wiring pattern of the multilayer wiring board for semiconductor packages which has the wiring pattern formed by depositing copper plating. 第3の実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置の一例を示すブロック図。The block diagram which shows an example of the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method which concerns on 3rd Embodiment is applied. 特許文献1で開示されている装置の構成図。The block diagram of the apparatus currently disclosed by patent document 1. FIG. ノイズを有している画像データ。Image data that has noise. 図9中に示すX−X’部分における輝度と位置との関係を示す図。The figure which shows the relationship between the brightness | luminance in the X-X 'part shown in FIG. 9, and a position.

符号の説明Explanation of symbols

A…最上層配線パターン、B…ポリイミド絶縁層、C…内層配線パターン、10…光源、11…ライトガイド、12…熱線カットフィルタ、13…集光レンズ群、14…バンドバスフィルタ、15…拡散板、16…偏光フィルタ、17…集光レンズ群、18…偏光ビームスプリッタ、19…前レンズ群、20…λ/4板、21…ワーク、22…後レンズ群、23…撮像部、23a…撮像センサ、24…画像処理装置、25…ノイズ除去部、26…同屈折率光学板、27…偏光板、30…センサーカメラ、31…偏光ビームスプリッタ、32…偏光ビームスプリッタ、33…結像レンズ、34…偏光フィルタ、40…集光レンズ、41…CCD素子、42…バンドパスフィルタ、50…ワーク固定駆動機構、51…ワーク   A ... uppermost layer wiring pattern, B ... polyimide insulating layer, C ... inner layer wiring pattern, 10 ... light source, 11 ... light guide, 12 ... heat ray cut filter, 13 ... condensing lens group, 14 ... band-pass filter, 15 ... diffusion Plate: 16 ... Polarizing filter, 17 ... Condensing lens group, 18 ... Polarizing beam splitter, 19 ... Front lens group, 20 ... λ / 4 plate, 21 ... Workpiece, 22 ... Rear lens group, 23 ... Imaging unit, 23a ... Image sensor 24 ... Image processing device 25 ... Noise removal unit 26 ... Same refractive index optical plate 27 ... Polarizing plate 30 ... Sensor camera 31 ... Polarizing beam splitter 32 ... Polarizing beam splitter 33 ... Image forming lens 34 ... Polarizing filter, 40 ... Condensing lens, 41 ... CCD element, 42 ... Band pass filter, 50 ... Work fixing drive mechanism, 51 ... Work

Claims (14)

光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査装置であって、
光源と、
前記光源からの光をほぼ平行に導光する平行導光手段と、
前記光源からの光のうちの赤外線成分を遮断する赤外線遮断手段と、
前記赤外線遮断手段によって赤外線成分を遮断された光の波長域から、前記最上層配線パターンにおける反射光量と、前記ベースフィルム及び前記配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された波長域における光から、この光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を前記導光方向及び前記第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導く偏光ビームスプリッタと、
前記偏光ビームスプリッタによって導かれた前記第1の直線偏光を円偏光に変換し、この変換した円偏光を前記ワークに照射するλ/4板と、
前記ワークに照射された円偏光が前記ワークで反射してなる反射光が、前記λ/4板を透過して前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいて前記反射光から抽出された前記第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像する撮像手段と
を備えた配線パターン検査装置。
A wiring pattern inspection apparatus for optically inspecting a top layer wiring pattern of a work composed of a multilayer wiring substrate for a semiconductor package having a wiring pattern on a light-transmitting base film,
A light source;
Parallel light guide means for guiding light from the light source substantially in parallel;
Infrared blocking means for blocking an infrared component of light from the light source;
Selection for selecting the wavelength range in which the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest from the wavelength range of the light whose infrared component is blocked by the infrared blocking means Means,
A first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction of the light is extracted from the light in the wavelength range selected by the selection means, and the extracted first linearly polarized light is the light guide direction. And a polarizing beam splitter that guides in a direction orthogonal to the electric field vector direction of the first linearly polarized light,
A λ / 4 plate for converting the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter into circularly polarized light and irradiating the workpiece with the converted circularly polarized light;
Reflected light obtained by reflecting the circularly polarized light applied to the workpiece is reflected by the workpiece, is transmitted through the λ / 4 plate and guided to the polarizing beam splitter, and is extracted from the reflected light by the polarizing beam splitter. A wiring pattern inspection apparatus comprising: an imaging unit configured to image a second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light.
請求項1に記載の配線パターン検査装置において、
前記λ/4板の代わりに、前記λ/4板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持ち、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた前記第1の直線偏光を、前記ワーク上で集光するように前記ワークに照射する同屈折率光学板か、または前記偏光ビームスプリッタによって導かれた前記第1の直線偏光を所定角度の偏光板を介して前記所定角度の偏光成分を抽出し、前記偏光成分を前記ワークに照射する偏光成分抽出手段かに交換可能とし、
前記撮像手段は、前記λ/4板を前記同屈折率光学板に交換した場合には、前記同屈折率光学板によって照射された前記第1の直線偏光が前記ワークで反射してなる反射光が、前記同屈折率光学板を透過して前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいてこの反射光から抽出された前記第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像し、前記λ/4板を前記偏光成分抽出手段に交換した場合には、前記偏光成分抽出手段によって照射された前記所定の偏光成分が前記ワークで反射してなる反射光が、前記偏光成分抽出手段の偏光板の所定角度に応じてベクトル分解された後に前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいてこのベクトル分解成分から抽出された前記第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像するようにした配線パターン検査装置。
In the wiring pattern inspection apparatus according to claim 1,
Instead of the λ / 4 plate, the first linearly polarized light having substantially the same refractive index as that of the optical member of the λ / 4 plate and guided by the polarization beam splitter is condensed on the workpiece. The first linearly polarized light guided by the same refractive index optical plate that irradiates the workpiece or the polarizing beam splitter is extracted through a polarizing plate having a predetermined angle, and the polarizing component is extracted. It is possible to replace the polarized light component extraction means for irradiating the workpiece,
In the case where the λ / 4 plate is replaced with the same refractive index optical plate, the image pickup means reflects the first linearly polarized light irradiated by the same refractive index optical plate by the workpiece. Is imaged with the second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the reflected light through the same refractive index optical plate and guided to the polarizing beam splitter, When the λ / 4 plate is replaced with the polarization component extraction unit, the reflected light formed by the predetermined polarization component irradiated by the polarization component extraction unit reflected by the workpiece is reflected by the polarization component extraction unit. After vector decomposition according to a predetermined angle of the polarizing plate, the light is guided to the polarization beam splitter and is orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the vector decomposition component in the polarization beam splitter. A wiring pattern inspection apparatus configured to image the second linearly polarized light.
光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査装置であって、
光源と、
前記光源からの光をほぼ平行に導光する平行導光手段と、
前記光源からの光のうちの赤外線成分を遮断する赤外線遮断手段と、
前記赤外線遮断手段によって赤外線成分を遮断された光の波長域から、前記最上層配線パターンにおける反射光量と、前記ベースフィルム及び前記配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された波長域における光から、この光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を前記導光方向及び前記第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導く偏光ビームスプリッタと、
前記λ/4板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持ち、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた前記第1の直線偏光を、前記ワーク上で集光するように前記ワークに照射する同屈折率光学板と、
前記照射された前記第1の直線偏光が前記ワークで反射してなる反射光が、前記同屈折率光学板を透過して前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいて前記反射光から抽出された前記第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像する撮像手段と
を備えた配線パターン検査装置。
A wiring pattern inspection apparatus for optically inspecting a top layer wiring pattern of a work composed of a multilayer wiring substrate for a semiconductor package having a wiring pattern on a light-transmitting base film,
A light source;
Parallel light guide means for guiding light from the light source substantially in parallel;
Infrared blocking means for blocking an infrared component of light from the light source;
Selection for selecting the wavelength range in which the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest from the wavelength range of the light whose infrared component is blocked by the infrared blocking means Means,
A first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction of the light is extracted from the light in the wavelength range selected by the selection means, and the extracted first linearly polarized light is the light guide direction. And a polarizing beam splitter that guides in a direction orthogonal to the electric field vector direction of the first linearly polarized light,
Same refractive index optics having the same refractive index as that of the optical member of the λ / 4 plate and irradiating the work with the first linearly polarized light guided by the polarization beam splitter so as to be condensed on the work. The board,
Reflected light formed by reflecting the irradiated first linearly polarized light by the work is transmitted through the same refractive index optical plate and guided to the polarizing beam splitter, and is extracted from the reflected light by the polarizing beam splitter. A wiring pattern inspection apparatus comprising: an imaging unit configured to image a second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light.
光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査装置であって、
光源と、
前記光源からの光をほぼ平行に導光する平行導光手段と、
前記光源からの光のうちの赤外線成分を遮断する赤外線遮断手段と、
前記赤外線遮断手段によって赤外線成分を遮断された光の波長域から、前記最上層配線パターンにおける反射光量と、前記ベースフィルム及び前記配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された波長域における光から、この光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を前記導光方向及び前記第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導く偏光ビームスプリッタと、
前記偏光ビームスプリッタによって導かれた前記第1の直線偏光を所定角度の偏光板を介して前記所定角度の偏光成分を抽出し、前記偏光成分を前記ワークに照射する偏光成分抽出手段と、
前記照射された前記偏光成分が前記ワークで反射してなる反射光が、前記偏光成分抽出手段の偏光板の所定角度に応じてベクトル分解された後に前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいて前記ベクトル分解成分から抽出された前記第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像する撮像手段と
を備えた配線パターン検査装置。
A wiring pattern inspection apparatus for optically inspecting a top layer wiring pattern of a work composed of a multilayer wiring substrate for a semiconductor package having a wiring pattern on a light-transmitting base film,
A light source;
Parallel light guide means for guiding light from the light source substantially in parallel;
Infrared blocking means for blocking an infrared component of light from the light source;
Selection for selecting the wavelength range in which the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest from the wavelength range of the light whose infrared component is blocked by the infrared blocking means Means,
A first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction of the light is extracted from the light in the wavelength range selected by the selection means, and the extracted first linearly polarized light is the light guide direction. And a polarizing beam splitter that guides in a direction orthogonal to the electric field vector direction of the first linearly polarized light,
Polarization component extraction means for extracting the first linearly polarized light guided by the polarization beam splitter through a polarizing plate having a predetermined angle to extract the polarized component having the predetermined angle, and irradiating the polarized component on the workpiece;
Reflected light formed by reflecting the irradiated polarized component by the workpiece is subjected to vector decomposition according to a predetermined angle of the polarizing plate of the polarized component extracting means, and then guided to the polarized beam splitter, and the polarized beam splitter. The wiring pattern inspection apparatus comprising: an imaging unit that images the second linearly polarized light that is orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the vector decomposition component in FIG.
請求項1、請求項3、及び請求項4のうち何れか1項に記載の配線パターン検査装置において、
前記λ/4板または前記同屈折率光学板または前記偏光成分抽出手段を着脱可能に備えた配線パターン検査装置。
In the wiring pattern inspection apparatus according to any one of claims 1, 3, and 4,
A wiring pattern inspection apparatus provided with the λ / 4 plate, the same refractive index optical plate, or the polarization component extraction means detachably.
請求項1乃至5のうち何れか1項に記載の配線パターン検査装置において、
前記光源内に設置された放電ランプに供給される電圧に相乗された周波数成分がノイズとして前記撮像手段に影響を及ぼさないようにするノイズ除去手段を付加した配線パターン検査装置。
In the wiring pattern inspection apparatus according to any one of claims 1 to 5,
A wiring pattern inspection apparatus to which a noise removing unit is added so that a frequency component combined with a voltage supplied to a discharge lamp installed in the light source does not affect the imaging unit as noise.
請求項1乃至6のうち何れか1項に記載の配線パターン検査装置において、
前記偏光ビームスプリッタの代わりに、クロスニコルに設置された2枚の偏光板とハーフミラーとを用い、前記偏光ビームスプリッタと同じ機能を持たせた配線パターン検査装置。
In the wiring pattern inspection apparatus according to any one of claims 1 to 6,
A wiring pattern inspection apparatus using two polarizing plates and a half mirror installed in crossed Nicols instead of the polarizing beam splitter and having the same function as the polarizing beam splitter.
光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査方法であって、
光源からの検査光をほぼ平行に導光し、
前記光源からの検査光のうちの赤外線成分を遮断し、
前記赤外線成分を遮断された検査光の波長域から、前記最上層配線パターンにおける反射光量と、前記ベースフィルム及び前記配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、
前記選択された波長域における光から、偏光ビームスプリッタによって、前記検査光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を前記導光方向及び前記第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導き、
前記偏光ビームスプリッタによって導かれた前記第1の直線偏光を、λ/4板によって円偏光に変換し、更にこの変換した円偏光を前記ワークに照射し、
前記照射された円偏光が前記ワークで反射してなる反射光が、前記λ/4板を透過して前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいて前記反射光から抽出された前記第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像手段によって撮像する
ようにした配線パターン検査方法。
A wiring pattern inspection method for optically inspecting a top layer wiring pattern of a work consisting of a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern on a light transmissive base film,
The inspection light from the light source is guided almost in parallel,
Blocking the infrared component of the inspection light from the light source;
From the wavelength range of the inspection light in which the infrared component is blocked, select the wavelength range where the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest,
A first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction of the inspection light is extracted from the light in the selected wavelength range by the polarization beam splitter, and the extracted first linearly polarized light is Leading to a light guide direction and a direction orthogonal to the electric field vector direction of the first linearly polarized light,
The first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is converted into circularly polarized light by a λ / 4 plate, and the converted circularly polarized light is irradiated onto the workpiece,
Reflected light formed by reflecting the irradiated circularly polarized light by the workpiece is transmitted through the λ / 4 plate and guided to the polarizing beam splitter, and is extracted from the reflected light by the polarizing beam splitter. The wiring pattern inspection method in which the second linearly polarized light orthogonal to the linearly polarized light is imaged by the imaging means.
請求項8に記載の配線パターン検査方法において、
前記λ/4板の代わりに、前記λ/4板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持ち、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた前記第1の直線偏光を、前記ワーク上で集光するように前記ワークに照射する同屈折率光学板か、または前記偏光ビームスプリッタによって導かれた前記第1の直線偏光を所定角度の偏光板を介して前記所定角度の偏光成分を抽出し、前記偏光成分を前記ワークに照射する偏光成分抽出手段かに交換可能とし、
前記撮像手段は、前記λ/4板を前記同屈折率光学板に交換した場合には、前記同屈折率光学板によって照射された前記第1の直線偏光が前記ワークで反射してなる反射光が、前記同屈折率光学板を透過して前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいてこの反射光から抽出された前記第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像し、前記λ/4板を前記偏光成分抽出手段に交換した場合には、前記偏光成分抽出手段によって照射された前記偏光成分が前記ワークで反射してなる反射光が、前記偏光成分抽出手段の偏光板の所定角度に応じてベクトル分解された後に前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいて前記ベクトル分解成分から抽出された前記第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像するようにした配線パターン検査方法。
The wiring pattern inspection method according to claim 8,
Instead of the λ / 4 plate, the first linearly polarized light having substantially the same refractive index as that of the optical member of the λ / 4 plate and guided by the polarization beam splitter is condensed on the workpiece. The first linearly polarized light guided by the same refractive index optical plate that irradiates the workpiece or the polarizing beam splitter is extracted through a polarizing plate having a predetermined angle, and the polarizing component is extracted. It is possible to replace the polarized light component extraction means for irradiating the workpiece,
In the case where the λ / 4 plate is replaced with the same refractive index optical plate, the image pickup means reflects the first linearly polarized light irradiated by the same refractive index optical plate by the workpiece. Is imaged with the second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the reflected light through the same refractive index optical plate and guided to the polarizing beam splitter, When the λ / 4 plate is replaced with the polarization component extraction means, the reflected light formed by the polarization component irradiated by the polarization component extraction means reflected by the workpiece is a polarizing plate of the polarization component extraction means. Second vector orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the vector decomposed component by the polarization beam splitter after being vector decomposed according to a predetermined angle of A wiring pattern inspection method for imaging linearly polarized light.
光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査方法であって、
光源からの検査光をほぼ平行に導光し、
前記光源からの検査光のうちの赤外線成分を遮断し、
前記赤外線成分を遮断された検査光の波長域から、前記最上層配線パターンにおける反射光量と、前記ベースフィルム及び前記配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、
前記選択された波長域における光から、偏光ビームスプリッタによって、前記検査光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を前記導光方向及び前記第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導き、
前記ベースフィルムとほぼ同じ屈折率を持つ同屈折率光学板によって、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた前記第1の直線偏光を、前記ワーク上で集光するように前記ワークに照射し、
前記照射された前記第1の直線偏光が前記ワークで反射してなる反射光が、前記同屈折率光学板を透過して前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいて前記反射光から抽出された前記第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像手段によって撮像する
ようにした配線パターン検査方法。
A wiring pattern inspection method for optically inspecting a top layer wiring pattern of a work consisting of a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern on a light transmissive base film,
The inspection light from the light source is guided almost in parallel,
Blocking the infrared component of the inspection light from the light source;
From the wavelength range of the inspection light in which the infrared component is blocked, select the wavelength range where the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest,
A first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction of the inspection light is extracted from the light in the selected wavelength range by the polarization beam splitter, and the extracted first linearly polarized light is Leading to a light guide direction and a direction orthogonal to the electric field vector direction of the first linearly polarized light,
The first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is irradiated to the work so as to be condensed on the work by a refractive index optical plate having substantially the same refractive index as the base film,
Reflected light formed by reflecting the irradiated first linearly polarized light by the work is transmitted through the same refractive index optical plate and guided to the polarizing beam splitter, and is extracted from the reflected light by the polarizing beam splitter. A wiring pattern inspection method in which the second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light is imaged by an imaging means.
光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検査する配線パターン検査方法であって、
光源からの検査光をほぼ平行に導光し、
前記光源からの検査光のうちの赤外線成分を遮断し、
前記赤外線成分を遮断された検査光の波長域から、前記最上層配線パターンにおける反射光量と、前記ベースフィルム及び前記配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、
前記選択された波長域における光から、偏光ビームスプリッタによって、前記検査光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、この抽出した第1の直線偏光を前記導光方向及び前記第1の直線偏光の電界ベクトル方向と直交する方向に導き、
前記偏光ビームスプリッタによって導かれた前記第1の直線偏光を、偏光成分抽出手段が備える所定角度の偏光板を介して前記所定角度の偏光成分を抽出し、前記偏光成分を前記ワークに照射し、
前記照射された前記偏光成分が前記ワークで反射してなる反射光が、前記偏光成分抽出手段の偏光板の所定角度に応じてベクトル分解された後に前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいてベクトル分解成分から抽出された前記第1の直線偏光と直交する第2の直線偏光を撮像手段によって撮像する
ようにした配線パターン検査方法。
A wiring pattern inspection method for optically inspecting a top layer wiring pattern of a work consisting of a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern on a light transmissive base film,
The inspection light from the light source is guided almost in parallel,
Blocking the infrared component of the inspection light from the light source;
From the wavelength range of the inspection light in which the infrared component is blocked, select the wavelength range where the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest,
A first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction of the inspection light is extracted from the light in the selected wavelength range by the polarization beam splitter, and the extracted first linearly polarized light is Leading to a light guide direction and a direction orthogonal to the electric field vector direction of the first linearly polarized light,
The first linearly polarized light guided by the polarization beam splitter is extracted through a polarizing plate having a predetermined angle provided in a polarizing component extraction unit, and the workpiece is irradiated with the polarized component.
Reflected light formed by reflecting the irradiated polarized component by the workpiece is subjected to vector decomposition according to a predetermined angle of the polarizing plate of the polarized component extracting means, and then guided to the polarized beam splitter, and the polarized beam splitter. A wiring pattern inspection method in which the second linearly polarized light orthogonal to the first linearly polarized light extracted from the vector decomposition component in FIG.
請求項8、請求項10、及び請求項11のうち何れか1項に記載の配線パターン検査方法において、
前記λ/4板または前記同屈折率光学板または前記偏光成分抽出手段を着脱可能に備えた配線パターン検査方法。
In the wiring pattern inspection method according to any one of claims 8, 10, and 11,
A wiring pattern inspection method comprising the λ / 4 plate, the same refractive index optical plate, or the polarization component extracting means detachably.
請求項8乃至12のうち何れか1項に記載の配線パターン検査方法において、
前記光源内に設置された放電ランプに供給される電圧に相乗された周波数成分がノイズとして前記撮像手段に影響を及ぼさないようにするノイズを除去するようにした配線パターン検査方法。
The wiring pattern inspection method according to any one of claims 8 to 12,
A wiring pattern inspection method for removing noise so that a frequency component combined with a voltage supplied to a discharge lamp installed in the light source does not affect the imaging means as noise.
請求項8乃至13のうち何れか1項に記載の配線パターン検査方法において、
前記偏光ビームスプリッタの代わりに、クロスニコルに設置された2枚の偏光板とハーフミラーとを用い、前記偏光ビームスプリッタと同じ機能を持たせた配線パターン検査方法。
In the wiring pattern inspection method according to any one of claims 8 to 13,
A wiring pattern inspection method using two polarizing plates and a half mirror installed in crossed Nicols instead of the polarizing beam splitter and having the same function as the polarizing beam splitter.
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