JP2006084446A - Apparatus and method for detecting circuit pattern, and apparatus and method for inspection - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、複数の配線パターンが、例えばポリイミド絶縁層のように透明性を有する複数の層によって積層された半導体パッケージ用多層配線基板において、最上層の配線パターンを光学的にパターン抽出し、高分解能による撮像を行い、自動的にそのパターンを検査する配線パターンの検出装置、検出方法、検査装置、及び検査方法に関する。 In the multilayer wiring board for a semiconductor package in which a plurality of wiring patterns are laminated by a plurality of layers having transparency such as a polyimide insulating layer, the present invention optically extracts the uppermost layer wiring pattern, The present invention relates to a wiring pattern detection apparatus, a detection method, an inspection apparatus, and an inspection method that perform imaging with resolution and automatically inspect the pattern.
一般に電気機器の小型・軽量化を目的として使用される半導体パッケージ用多層配線基板上に形成された配線パターンは、ポリイミドフィルムに銅箔を接着剤でラミネートし、これをサブトラクティブ法やセミアディティブ法等によりパターンニング処理して、厚さが5〜15μm、最も集積度を有する部分で幅が10μm程度である。 In general, wiring patterns formed on multilayer wiring boards for semiconductor packages, which are used for the purpose of reducing the size and weight of electrical equipment, are obtained by laminating a copper foil on a polyimide film with an adhesive, and then subtracting or semi-additively. The thickness is 5 to 15 μm and the width is about 10 μm at the most integrated part.
このパターニング処理工程において、配線パターンの細り(欠け)、断線、ショート、太り(突起)等の重欠陥が発生する恐れがある。このため、従来これら欠陥の有無はオープン/ショート導通検査や目視検査によって判別されてきた。しかし、目視検査は、パターンの微細化、熟練を要する上に、検査員の体調等により検査結果にばらつきが生じる恐れがある。そこで、最近ではカメラを使用して自動的に欠陥有無を検査する自動検査装置が各種提案されている。また、上記半導体パッケージ用多層配線基板において最小10μm幅の配線パターンに存在する各種欠陥を目視にて検査することは可能であるが、目視検査は検査時間がかかり人件費増に伴う製品単価アップが懸念されるため自動検査が必要であり、例えば10μm幅内の1/3以上の欠陥を検出するためには撮像分解能1μmを実現しなければならない。そこで、撮像分解能と撮像視野(対象ワークサイズ)との関係から大局的に撮像方法、検査方法を模索する必要がある。 In this patterning process, there is a possibility that serious defects such as thinning (chips), disconnection, short circuit, and thickening (projections) of the wiring pattern may occur. For this reason, conventionally, the presence or absence of these defects has been determined by open / short continuity inspection and visual inspection. However, the visual inspection requires pattern miniaturization and skill, and the inspection results may vary depending on the physical condition of the inspector. Therefore, various automatic inspection apparatuses that automatically inspect for defects using a camera have been proposed recently. In addition, it is possible to visually inspect various defects existing in a wiring pattern having a minimum width of 10 μm in the multilayer wiring board for semiconductor packages. However, the visual inspection takes time to inspect, and the product cost increases due to an increase in labor costs. Since there is a concern, automatic inspection is necessary. For example, in order to detect a defect of 1/3 or more within a width of 10 μm, an imaging resolution of 1 μm must be realized. Therefore, it is necessary to search for an imaging method and an inspection method globally from the relationship between the imaging resolution and the imaging field of view (target work size).
このような事情に基づいてなされた発明として、特許文献1の発明がある。図10は、特許文献1で開示されている装置の構成図である。例えば白色光源や、メタルハライドランプ等の可視域全域に亘って発光する高輝度照明が用いられた光源10から光が発せられると、この光は、ライトガイド11、集光レンズ40、熱線カットフィルタ12を経て偏光ビームスプリッタ31に入射する。熱線カットフィルタ12は、長波長側の光(例えば700nm以上の波長)を遮断し、それ以外の光を偏光ビームスプリッタ31に入射させる。
As an invention made based on such circumstances, there is an invention of Patent Document 1. FIG. 10 is a configuration diagram of an apparatus disclosed in Patent Document 1. In FIG. For example, when light is emitted from a
光源10から発せられた光は、多方面の光成分を有する所謂ランダム光である。このランダム光は、偏光ビームスプリッタ31に入射すると、偏光ビームスプリッタ31によって直線偏光が抽出される。偏光ビームスプリッタ31は、抽出した直線偏光を偏光ビームスプリッタ32に導光させる。
The light emitted from the
偏光ビームスプリッタ32は、偏光ビームスプリッタ31から導光された光には、紙面表裏方向以外が電界ベクトル方向である光も若干含まれているので、それを排除し、更に紙面下方に導光する。そして、結像レンズ33および偏光フィルタ34は、この直線偏光を、偏光角度を40〜50°とした角度成分の光に変換し、ワーク固定駆動機構50によって固定されたワーク51へ向けて照射する。このとき入射される直線偏光を所定偏光角に応じてベクトル分解された光成分がワーク51に向けて照射される。
In the polarizing
ワーク51に照射された光成分は、ワーク51で反射し、この反射光が偏光フィルタ34の偏光角に応じてベクトル分解された光成分が、偏光フィルタ34および結像レンズ33を経て偏光ビームスプリッタ32に入射する。このとき、偏光ビームスプリッタ32において前記導光方向に電界ベクトル方向がある直線偏光が抽出され、この直線偏光は、バンドパスフィルタ42に入射する。
The light component irradiated to the
バンドパスフィルタ42は、最上層配線パターンの反射光量と、ポリイミド絶縁層部分の反射光による偏光ビームスプリッタ32からの量との差異が最も大きくなる波長域を抽出し、抽出した波長域の光のみをセンサーカメラ30内のCCD素子41へと入射させる。
The
そして、バンドパスフィルタ42を通った光がCCD素子41によって撮像される。ワーク51から反射される光成分の強弱は、銅およびポリイミドに依存し、かつ銅の方が反射強度が強いので、最上層銅パターン部が明るく撮像されるようになる。また、ワーク51に照射する際、偏光比を高めて配線パターンおよびポリイミド絶縁層に照射することにより、より鮮明に最上層配線パターンの画像が撮像される。
Then, the light passing through the
このような特許文献1の発明によって、半導体パッケージ用の多層配線基板に対して内層配線パターンの影響を光学的に除去することが可能となり、最上層配線パターンの高精細な画像を撮像し、同配線パターンの検査を自動的にかつ高い信頼性の下で行うことが可能となった。更に、大面積の最上層配線パターンに対しても短時間で最上層配線パターンの検査および検出を行うことができるようになった。
しかしながら、特許文献1で開示された技術は、あらゆる半導体パッケージ用多層配線基板に対して万能に作用するものではなく、半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性によっては、精度良く最上層配線パターンを光学的に顕在化できない場合もあることが分かってきた。 However, the technique disclosed in Patent Document 1 does not work universally for any multilayer wiring substrate for semiconductor packages, and depends on the manufacturing method, material, and polarization characteristics of the base film material used for the multilayer wiring substrate for semiconductor packages. It has been found that the uppermost layer wiring pattern may not be optically revealed with high accuracy.
例えば、図10に示すような構成の配線パターン検査装置では、ポリイミドフィルムに銅箔を接着剤でラミネートした配線パターンからなる半導体パッケージ用多層配線基板に対しては、最上層配線パターンを分解抽出した高精度な画像データを取得することができるものの、銅めっきを析出することによって形成された配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板に対しては、最上層配線パターンを分離抽出した高精度な画像データを取得することができない。 For example, in the wiring pattern inspection apparatus configured as shown in FIG. 10, the uppermost wiring pattern is decomposed and extracted for a multilayer wiring board for a semiconductor package composed of a wiring pattern in which a copper foil is laminated on a polyimide film with an adhesive. High-accuracy image data can be acquired, but for multilayer wiring boards for semiconductor packages having a wiring pattern formed by depositing copper plating, a high-accuracy image obtained by separating and extracting the uppermost wiring pattern The data cannot be obtained.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性が異なるワークに対しても、実質的に一つの装置で、最上層配線パターンを分離抽出した高精度な画像データを取得することができる配線パターンの検査装置、検査方法、検出装置、及び検出方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and even with a workpiece having a different manufacturing method, material, and polarization characteristics of a base film material used for a multilayer wiring board for a semiconductor package, it is substantially a single device. Another object of the present invention is to provide a wiring pattern inspection apparatus, inspection method, detection apparatus, and detection method capable of acquiring highly accurate image data obtained by separating and extracting the uppermost layer wiring pattern.
上記の目的を達成するために、本発明では、以下のような手段を講じる。 In order to achieve the above object, the present invention takes the following measures.
すなわち、請求項1の発明は、光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検出する配線パターン検出装置であって、光源と、光源からの光をほぼ平行に導光する平行導光手段と、光源からの光のうちの赤外線成分を遮断する赤外線遮断手段と、赤外線遮断手段によって赤外線成分が遮断された光を集光する第1のレンズと、第1のレンズによって集光された光を、強度を均一化するように拡散する拡散板と、拡散板によって拡散された光を集光する第2のレンズと、第2のレンズによって集光された光を、光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出する偏光フィルタと、偏光フィルタによって抽出された第1の直線偏光を、導光方向および電界ベクトル方向と直交する方向に導く偏光ビームスプリッタとを備えている。 That is, the invention of claim 1 is a wiring pattern detection device for optically detecting a top layer wiring pattern of a work comprising a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern on a light transmissive base film, comprising: a light source; Parallel light guiding means for guiding light from the light source substantially in parallel, infrared blocking means for blocking the infrared component of the light from the light source, and collecting the light whose infrared component is blocked by the infrared blocking means A first lens; a diffusion plate that diffuses the light collected by the first lens so that the intensity is uniform; a second lens that collects the light diffused by the diffusion plate; The light collected by the lens is extracted with a polarizing filter that extracts first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guiding direction, and with the first linearly polarized light extracted by the polarizing filter. A polarization beam splitter that guides the light in the direction perpendicular to the light guide direction and the electric field vector direction.
更に、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を円偏光に変換する着脱可能なλ/4波長板か、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を導く、λ/4波長板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持つ着脱可能な同屈折率光学板か、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、所定偏光角度の偏光板を介して所定偏光角度の偏光成分を抽出する着脱可能な偏光成分抽出手段かのうちの何れかである光学部材を備えている。 Further, a detachable λ / 4 wavelength plate that converts the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter into circularly polarized light, or a λ / 4 wavelength plate that guides the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter. The first linearly polarized light guided by a detachable same refractive index optical plate having substantially the same refractive index as that of the optical member or a polarizing beam splitter is applied to a polarization component having a predetermined polarization angle through a polarizing plate having a predetermined polarization angle. An optical member which is any one of the detachable polarization component extracting means for extracting is provided.
更にまた、光学部材としてλ/4波長板が用いられた場合には、λ/4波長板によって変換された円偏光を、光学部材として同屈折率光学板が用いられた場合には、同屈折率光学板によって導かれた第1の直線偏光を、光学部材として偏光成分抽出手段が用いられた場合には、偏光成分抽出手段によって抽出された偏光成分をそれぞれ集光してワークに照射する第3のレンズを備えている。 Furthermore, when a λ / 4 wave plate is used as the optical member, circularly polarized light converted by the λ / 4 wave plate is used. When the same refractive index optical plate is used as the optical member, the same refraction is used. When the polarization component extraction means is used as the optical member for the first linearly polarized light guided by the index optical plate, the polarization components extracted by the polarization component extraction means are respectively condensed and irradiated onto the workpiece. 3 lenses are provided.
更に、光学部材としてλ/4波長板が用いられた場合には、第3のレンズによって照射された円偏光がワークで反転し回転方向が逆とされた後に第3のレンズおよびλ/4波長板を透過した後に、光学部材として同屈折率光学板が用いられた場合には、第3のレンズによってワークに照射された第1の直線偏光がワークで反射してなる反射光が、第3のレンズおよび同屈折率光学板を透過した後に、光学部材として偏光成分抽出手段が用いられた場合には、第3のレンズによってワークに照射された偏光成分がワークで反射してなる反射光が、第3のレンズを介した後に偏光成分抽出手段に導かれて偏光成分抽出手段において、偏光板の所定偏光角度に応じてベクトル分解された後に、それぞれ偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタにおいて、その電界ベクトル方向が第1の直線偏光の方向と直交する第2の直線偏光が抽出された後に、第2の直線偏光を集光する第4のレンズを備えている。 Further, when a λ / 4 wavelength plate is used as the optical member, the circularly polarized light irradiated by the third lens is reversed by the work and the rotation direction is reversed, and then the third lens and the λ / 4 wavelength are reversed. When the same refractive index optical plate is used as the optical member after passing through the plate, the reflected light formed by reflecting the first linearly polarized light irradiated to the workpiece by the third lens by the workpiece is the third. When the polarization component extraction means is used as an optical member after passing through the lens and the same refractive index optical plate, the reflected light formed by reflecting the polarization component irradiated to the workpiece by the third lens is reflected by the workpiece. Then, after passing through the third lens, it is guided to the polarization component extraction means and the polarization component extraction means performs vector decomposition according to the predetermined polarization angle of the polarizing plate, and then guides it to the polarization beam splitter. The liter includes a fourth lens for condensing the second linearly polarized light after the second linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the direction of the first linearly polarized light is extracted.
更に、第4のレンズによって集光された第2の直線偏光から、最上層配線パターンにおける反射光量と、ベースフィルム及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択する選択手段と、選択手段によって選択された波長域の光を撮像する撮像手段とを備えている。 And a selection means for selecting a wavelength region in which the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest from the second linearly polarized light collected by the fourth lens. Imaging means for imaging light in the wavelength range selected by the selection means.
また、請求項2の発明の配線パターン検出装置は、偏光ビームスプリッタによって第1の直線偏光を抽出することによって、請求項1の発明の配線パターン検出装置における偏光フィルタを省略した構成としている。 Further, the wiring pattern detection device of the invention of claim 2 has a configuration in which the polarization filter in the wiring pattern detection device of the invention of claim 1 is omitted by extracting the first linearly polarized light by the polarization beam splitter.
また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明の配線パターン検出装置において、偏光ビームスプリッタの代わりに、クロスニコルに設定された2枚の導光板とハーフミラーとを用いる。 According to a third aspect of the present invention, in the wiring pattern detection apparatus according to the first or second aspect of the present invention, two light guide plates set in crossed Nicols and a half mirror are used instead of the polarization beam splitter.
このような請求項1乃至請求項3の発明の配線パターン検出装置においては、以上のような手段を講じることにより、半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性に応じて、λ/4波長板または同屈折率光学板または偏光成分抽出手段を使い分けることによって、あらゆる半導体パッケージ用多層配線基板に対して、最上層の配線パターンの画像を精度良く光学的に分離することができる。 In such a wiring pattern detection device according to the first to third aspects of the invention, by taking the above-described means, the manufacturing method, material, and polarization characteristics of the base film material used for the multilayer wiring board for semiconductor packages can be improved. Accordingly, by properly using the λ / 4 wavelength plate, the same refractive index optical plate, or the polarization component extraction means, the image of the uppermost wiring pattern is optically accurately separated from any multilayer wiring board for semiconductor packages. be able to.
また、λ/4波長板、同屈折率光学板、及び偏光成分抽出手段は、互いに交換可能な構成としているので、検査対象毎に別の装置とすることなく、実質的に一つの装置によって、半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性等の異なるあらゆる半導体パッケージ用多層配線基板に対して、最上層の配線パターンの画像を精度良く光学的に分離することができる。 In addition, since the λ / 4 wavelength plate, the same refractive index optical plate, and the polarization component extraction means are configured to be interchangeable with each other, a substantially single device can be used without using a separate device for each inspection target. It is possible to optically separate the image of the uppermost wiring pattern with high accuracy from all types of multilayer wiring substrates for semiconductor packages that differ in the manufacturing method, material, polarization characteristics, etc. of the base film material used for the multilayer wiring substrate for semiconductor packages. it can.
請求項4の発明は、請求項1乃至3のうち何れか1項の発明の配線パターン検出装置において、光源内に設けられた放電ランプに供給される電圧に相乗された周波数成分がノイズとして撮像手段に影響を及ぼさないようにするノイズ除去手段を付加している。 According to a fourth aspect of the present invention, in the wiring pattern detection device according to any one of the first to third aspects, the frequency component synthesized with the voltage supplied to the discharge lamp provided in the light source is imaged as noise. Noise removing means is added so as not to affect the means.
従って、請求項4に記載の配線パターン検出装置においては、以上のような手段を講じることにより、撮像された画像にノイズが入らないようにすることができ、もって、検査精度を高めることが可能となる。 Therefore, in the wiring pattern detection device according to the fourth aspect, by taking the above-described means, it is possible to prevent noise from entering the captured image, thereby improving the inspection accuracy. It becomes.
請求項5の発明は、請求項1乃至4のうち何れか1項の発明の配線パターン検出装置と、請求項1乃至4のうち何れか1項の発明の配線パターン検出装置に備えられた撮像手段で撮像された画像と所定の良品画像とを照合し、最上層配線パターンが良品であるか否かを検査する検査手段とを備えた配線パターン検査装置である。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an imaging provided in the wiring pattern detection device according to any one of the first to fourth aspects and the wiring pattern detection device according to any one of the first to fourth aspects. The wiring pattern inspection apparatus includes inspection means for checking whether or not the uppermost wiring pattern is a non-defective product by comparing an image captured by the means with a predetermined good product image.
従って、請求項5の発明の配線パターン検査装置においては、以上のような手段を講じることにより、半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性等の異なるあらゆる半導体パッケージ用多層配線基板に対して、最上層配線パターンが良品であるか否かを精度良く検査することが可能となる。 Therefore, in the wiring pattern inspection apparatus according to the invention of claim 5, by taking the above-described means, any semiconductor package having different manufacturing method, material, polarization characteristics, etc. of the base film material used for the multilayer wiring board for semiconductor packages. It is possible to accurately inspect whether or not the uppermost wiring pattern is a non-defective product with respect to the multilayer wiring board for use.
請求項6の発明は、光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワークの最上層配線パターンを光学的に検出する配線パターン検出方法であって、光源から発せられる検査光をほぼ平行に導光し、ほぼ平行に導光された検査光から赤外線成分を除去し、赤外線成分が除去された検査光を、光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を偏光フィルタにより抽出し、偏光フィルタによって抽出された第1の直線偏光を、偏光ビームスプリッタを用いて導光方向および第1の直線偏光の電界ベクトルの方向と直交する方向に導く。 The invention according to claim 6 is a wiring pattern detection method for optically detecting the uppermost wiring pattern of a work composed of a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern on a light-transmitting base film, which is emitted from a light source. The inspection light is guided substantially parallel, the infrared component is removed from the inspection light guided substantially parallel, and the electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction of the inspection light from which the infrared component is removed. The first linearly polarized light is extracted by a polarizing filter, and the first linearly polarized light extracted by the polarizing filter is extracted in a direction orthogonal to the light guiding direction and the direction of the electric field vector of the first linearly polarized light using a polarizing beam splitter. Lead.
そして、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、着脱可能なλ/4波長板を用いて円偏光に変換するか、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、λ/4波長板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持つ着脱可能な同屈折率光学板を用いて導くか、偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、所定偏光角度の偏光板を備えた着脱可能な偏光成分抽出手段を用いて、所定偏光角度の偏光成分を抽出するかのうちの何れかを行う。 Then, the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is converted into circularly polarized light by using a detachable λ / 4 wavelength plate, or the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is converted into λ / The first linearly polarized light guided by a detachable refractive index optical plate having substantially the same refractive index as that of the optical member of the four-wavelength plate or guided by the polarization beam splitter is provided with a polarizing plate having a predetermined polarization angle. Either of extracting a polarization component of a predetermined polarization angle is performed using a detachable polarization component extraction means.
そして、λ/4波長板が用いられた場合には、λ/4波長板によって変換された円偏光を、同屈折率光学板が用いられた場合には、同屈折率光学板によって導かれた第1の直線偏光を、偏光成分抽出手段が用いられた場合には、偏光成分抽出手段によって抽出された偏光成分をそれぞれワークに照射する。 When a λ / 4 wavelength plate is used, circularly polarized light converted by the λ / 4 wavelength plate is guided by the same refractive index optical plate when the same refractive index optical plate is used. When the polarization component extraction unit is used for the first linearly polarized light, the workpiece is irradiated with the polarization component extracted by the polarization component extraction unit.
更に、λ/4波長板が用いられた場合には、照射された円偏光がワークで反転し回転方向が逆とされた後にλ/4波長板を透過した後に、同屈折率光学板が用いられた場合には、ワークに照射された第1の直線偏光がワークで反射してなる反射光が同屈折率光学板を透過した後に、偏光成分抽出手段が用いられた場合には、ワークに照射された偏光成分がワークで反射してなる反射光が偏光成分抽出手段に導かれて偏光板の所定偏光角度に応じてベクトル分解された後に、それぞれ偏光ビームスプリッタに導かれ、偏光ビームスプリッタは、導かれた光から、その電界ベクトル方向が第1の直線偏光の方向と直交する第2の直線偏光を抽出する。 Furthermore, when a λ / 4 wavelength plate is used, the irradiated optically polarized light is reversed by the work and the direction of rotation is reversed and then transmitted through the λ / 4 wavelength plate. In the case where the polarized light component extraction means is used after the reflected light formed by reflecting the first linearly polarized light irradiated to the work is transmitted through the same refractive index optical plate, The reflected light formed by reflecting the irradiated polarization component by the work is guided to the polarization component extraction means and vector-decomposed according to the predetermined polarization angle of the polarizing plate, and then guided to the polarization beam splitter. The second linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the direction of the first linearly polarized light is extracted from the guided light.
そして、抽出された第2の直線偏光から、最上層配線パターンにおける反射光量と、ベースフィルム及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、この選択した波長域の光を撮像する。 Then, from the extracted second linearly polarized light, a wavelength region in which the difference between the reflected light amount in the uppermost layer wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest is selected, and light in the selected wavelength region is selected. Take an image.
また、請求項7の発明の配線パターン検出方法は、偏光ビームスプリッタによって第1の直線偏光を抽出することによって、請求項6の発明の配線パターン検出方法における偏光フィルタを省略した構成としている。 Further, the wiring pattern detection method of the invention of claim 7 is configured such that the polarization filter in the wiring pattern detection method of the invention of claim 6 is omitted by extracting the first linearly polarized light by the polarization beam splitter.
また、請求項8の発明は、請求項6または請求項7の発明の配線パターン検出方法において、偏光ビームスプリッタの代わりに、クロスニコルに設定された2枚の導光板とハーフミラーとを用いる。 The invention according to claim 8 is the wiring pattern detection method according to claim 6 or 7, wherein two light guide plates and half mirrors set in crossed Nicols are used instead of the polarization beam splitter.
このような請求項6乃至8の発明の配線パターン検出方法においては、以上のような手段を講じることにより、半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性に応じて、λ/4波長板または同屈折率光学板または偏光成分抽出手段を使い分けることによって、あらゆる半導体パッケージ用多層配線基板に対して、最上層の配線パターンの画像を精度良く光学的に分離することができる。 In such a wiring pattern detection method of the inventions of claims 6 to 8, by taking the above-described means, the base film material used for the multilayer wiring board for a semiconductor package is manufactured according to the manufacturing method, material, and polarization characteristics. By properly using the λ / 4 wavelength plate, the same refractive index optical plate, or the polarization component extraction means, it is possible to optically separate the image of the uppermost wiring pattern with high accuracy from any multilayer wiring board for semiconductor packages. it can.
また、λ/4波長板、同屈折率光学板、及び偏光成分抽出手段は、互いに交換可能な構成としているので、検査対象毎に別の装置とすることなく、実質的に一つの装置によって、半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性等の異なるあらゆる半導体パッケージ用多層配線基板に対して、最上層の配線パターンの画像を精度良く光学的に分離することができる。 In addition, since the λ / 4 wavelength plate, the same refractive index optical plate, and the polarization component extraction means are configured to be interchangeable with each other, a substantially single device can be used without using a separate device for each inspection target. It is possible to optically separate the image of the uppermost wiring pattern with high accuracy from all types of multilayer wiring substrates for semiconductor packages that differ in the manufacturing method, material, polarization characteristics, etc. of the base film material used for the multilayer wiring substrate for semiconductor packages. it can.
請求項9の発明の配線パターン検出方法は、請求項6乃至8のうち何れか1項の発明の配線パターン検出方法において、光源内に設けられた放電ランプに供給される電圧に相乗された周波数成分がノイズとして撮像に影響を及ぼさないように、周波数成分を除去する。 A wiring pattern detection method according to a ninth aspect of the present invention is the wiring pattern detection method according to any one of the sixth to eighth aspects, wherein the frequency is synergistic with a voltage supplied to a discharge lamp provided in the light source. The frequency component is removed so that the component does not affect imaging as noise.
従って、請求項9に記載の配線パターン検出方法においては、以上のような手段を講じることにより、撮像された画像にノイズが入らないようにすることができ、もって、検査精度を高めることが可能となる。 Therefore, in the wiring pattern detection method according to the ninth aspect, by taking the above-described means, it is possible to prevent noise from entering the captured image, and thus to improve the inspection accuracy. It becomes.
請求項10の発明は、請求項6乃至9のうち何れか1項の発明の配線パターン検出方法と、請求項6乃至9のうち何れか1項の発明の配線パターン検出方法で撮像された画像と所定の良品画像とを照合することによって、最上層配線パターンが良品であるか否かを検査するようにした配線パターン検査方法である。
The invention of
従って、請求項10の発明の配線パターン検査方法においては、以上のような手段を講じることにより、半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性等の異なるあらゆる半導体パッケージ用多層配線基板に対して、最上層配線パターンが良品であるか否かを精度良く検査することが可能となる。
Accordingly, in the wiring pattern inspection method of the invention of
本発明によれば、半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性が異なるワークに対しても、実質的に一つの装置で、最上層配線パターンを分離抽出した高精度な画像データを取得することができる配線パターンの検査装置、検査方法、検出装置、及び検出方法を実現することができる。 According to the present invention, the top layer wiring pattern is separated and extracted with substantially one apparatus even for workpieces having different manufacturing methods, materials, and polarization characteristics of the base film material used for the multilayer wiring board for semiconductor packages. A wiring pattern inspection apparatus, inspection method, detection apparatus, and detection method capable of acquiring accurate image data can be realized.
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明の実施の形態に係る配線パターン検出方法を適用した配線パターン検出装置、および同実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置の一例を示すブロック図である。 FIG. 1 is a block diagram showing an example of a wiring pattern detection apparatus to which a wiring pattern detection method according to an embodiment of the present invention is applied and a wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the embodiment is applied. .
すなわち、同実施の形態に係る配線パターン検出方法を適用した配線パターン検出装置は、光透過性のベースフィルムに配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板からなるワーク21の最上層配線パターンを光学的に検査する装置であって、光源10と、ライトガイド11と、熱線カットフィルタ12と、照明レンズ13aと、拡散板15と、照明レンズ13bと、偏光フィルタ16と、偏光ビームスプリッタ18と、λ/4波長板20と、前群レンズ13cと、後群レンズ13dと、バンドパスフィルタ14と、撮像部23と、ノイズ除去部25とを備えてなる。ここで、偏光フィルタ16は、省略することも可能である。さらに、このような配線パターン検出装置に、画像処理部24を付加することにより、同実施の形態に係る配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置となる。
That is, the wiring pattern detection apparatus to which the wiring pattern detection method according to the embodiment is applied optically applies the uppermost wiring pattern of the
光源10は、検査光Kを発する。このような光源10は、例えばメタルハライドランプ等の可視域全域に亘って発光する高輝度照明が好適である。高分解能による撮像がなされるためには十分な光量が必要である。従って、光源10としては例えば消費電力量が250Wのメタルハライドランプから350Wのメタルハライドランプに変えたり、ライトガイド11としては複数の光源10からの検査光Kを統合して一端から出力できるようなスポット型のものが好適である。このような光源10から発せられる検査光Kは、多方面の光成分を有する所謂ランダム光である。このようなランダム光からなる検査光Kが光源10から発せられると、ライトガイド11に入射する。
The
ライトガイド11は、光源10から発せられた検査光Kを、図中に示す導光方向Fに対してほぼ平行に導光する。
The
熱線カットフィルタ12は、長波長側の光(例えば700nm以上の波長)を遮断し、それ以外の光を導光させるものであり、赤外線フィルタが好適であり、ライトガイド11によって導かれた検査光Kのうちの赤外線成分を遮断する。そして、このようにして赤外線成分が除去された検査光kを照明レンズ13aに導く。
The heat ray cut
照明レンズ13aは、一つまたは二つ以上のレンズからなり、熱線カットフィルタ12によって赤外線成分が除去された検査光kを集光し、拡散板15へと導く。
The
拡散板15は、照明レンズ13aによって集光された検査光kを、強度を均一化するように拡散し、照明レンズ13bへと導く。この拡散板15には、高透過性を有するフロスト型拡散板が好適である。
The
照明レンズ13bは、一つまたは二つ以上のレンズからなり、拡散板15によって導かれた検査光kを集光し、偏光フィルタ16へと導く。なお、証明レンズ13bにより集光された検査光kは略平行光となっている。また、偏光フィルタ16を省略した場合、この略平行光は直接、偏光ビームスプリッタ18へと導かれる。
The
偏光フィルタ16は、照明レンズ13bから導かれた検査光kを、光の導光方向に電界ベクトルの方向が直交する第1の直線偏光m(図中表裏方向)に変換し、偏光ビームスプリッタ18へと導く。この偏光フィルタ16は、偏光ビームスプリッタ18も同様であるが、適用波長域、消光比、偏光比、外形サイズ等を十分考慮した上で適切なものを選択するようにする。また、高分解能にて撮像するためには系内の全透過光量が多ければ多いほど優利になる。したがって、例えば偏光フィルタ16としては、高透過率であるワイヤーグリッド偏光フィルタが好適である。
The
偏光ビームスプリッタ18は、偏光フィルタ16から導かれた直線偏光mから、あるいは照明レンズ13bから導かれた略平行光から、導光方向Fに対して電界ベクトル方向が直交する直線偏光nを抽出し、この直線偏光nを、導光方向Fおよび前記電界ベクトル方向と直交する方向Vに導く。
The
λ/4波長板20は、偏光ビームスプリッタ18によって導かれた直線偏光nを円偏光pに変換し、前群レンズ13cに導く。このようなλ/4波長板20は、図1に示すように、偏光ビームスプリッタ18と前群レンズ13cとの間に配置することが好ましいが、これに限るものではなく、前群レンズ13cとワーク21との間に配置するようにしても良い。
The λ / 4
前群レンズ13cは、一つまたは二つ以上のレンズからなり、λ/4波長板20から導かれた円偏光pを集光してワーク21に照射する。ワーク21に照射された円偏光pは、ワーク21で反転し、回転方向が逆となって前群レンズ13cおよびλ/4波長板20を透過し、偏光ビームスプリッタ18に到達する。
The
すると、偏光ビームスプリッタ18は、この光から、直線偏光nと電界ベクトル方向が直交する直線偏光qを抽出し、この直線偏光qを後群レンズ13dに導く。なお、偏光ビームスプリッタ18に代えて、図6に示すように、クロスニコルに設定された2枚の偏光板53,54とハーフミラー52とによって構成した光学部材を用いるようにしても良い。
Then, the
後群レンズ13dは、一つまたは二つ以上のレンズからなり、偏光ビームスプリッタ18から導かれた直線偏光qを集光し、バンドパスフィルタ14に導く。
The
バンドパスフィルタ14は、後群レンズ13dによって導かれた直線偏光qから、最上層配線パターンにおける反射光量と、ベースフィルム及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、この波長域にある成分光gを、撮像部23に導く。具体的には、グリーン成分である550nmの波長に着目する。また、バンドパスフィルタ14は、紫外線をカットする作用をも有している。したがって、選択した波長域の光(例えばグリーン成分である550nmの光)から、紫外線成分を効率良くカットする。
The
撮像部23は、バンドパスフィルタ14によって導かれた成分光gを撮像する。これによって、最上層配線パターン情報が顕在化された配線パターンの画像データを取得し、取得した画像データを画像処理部24に送る。
The
画像処理部24は、図示しないパーソナルコンピュータ、キーボード、マウス、ディスプレイ、画像処理ボード等を備えている。そして、撮像部23から、最上層配線パターン情報が顕在化された配線パターンの画像データが送られると、この画像データをディスプレイから表示する。更に、この表示された画像データと、正常な設計配線パターンデータとを用いた各種演算、認識処理及び比較処理を行い、撮像された画像データの配線パターンの良否を判定する。
The
図2は、ポリイミドフィルムに銅箔を接着剤でラミネートし、これをサブトラクティブ法やセミアディティブ法等によりパターンニング処理した配線パターンからなる半導体パッケージ用多層配線基板の最上層配線パターンを、(a)従来技術であるリング照明方法によって撮像した場合と、(b)上述した構成の配線パターンの検出装置および検査装置によって撮像した場合とをそれぞれ示す画像である。 FIG. 2 shows an uppermost wiring pattern of a multilayer wiring board for a semiconductor package comprising a wiring pattern obtained by laminating a copper foil on a polyimide film with an adhesive, and patterning this by a subtractive method or a semi-additive method. ) Images showing a case where the image is picked up by a ring illumination method as a conventional technique, and (b) a case where the image is picked up by a wiring pattern detection device and an inspection device having the above-described configuration.
図2(a)に示すように、従来技術であるリング照明方法の場合、最上層配線パターンAのみならず、ポリイミド絶縁層Bを介して存在する内層配線パターンCも撮像されていることが分かる。更に、最上層配線パターンA及び内層配線パターンCは同程度の明るさであるため、例えば2値化処理によっても最上層配線パターンAと内層配線パターンCとを分離することができない。これにより、最上層配線パターンAと内層配線パターンCとが交差している箇所では、画像からは、どちらが上側に存在しているパターンなのか判別するのは困難である。 As shown in FIG. 2A, in the conventional ring illumination method, it is understood that not only the uppermost wiring pattern A but also the inner wiring pattern C existing via the polyimide insulating layer B is imaged. . Furthermore, since the uppermost layer wiring pattern A and the inner layer wiring pattern C have the same brightness, the uppermost layer wiring pattern A and the inner layer wiring pattern C cannot be separated even by binarization processing, for example. As a result, it is difficult to discriminate which pattern is present on the upper side from the image where the uppermost layer wiring pattern A and the inner layer wiring pattern C intersect.
一方、図2(b)に示すように、上述した構成の配線パターンの検出装置および検査装置によって撮像された画像の場合、内層配線パターンCは撮像されず、最上層のポリイミド絶縁層Bと、その上に配置された最上層配線パターンAのみが撮像される。しかも、最上層配線パターンAの部分は明るく、ポリイミド絶縁層Bの部分は暗く撮像されるので、内層配線パターンCに影響されないばかりか、例えば二値化という簡単な画像処理技術を用いることによって、最上層配線パターンAとポリイミド絶縁層Bとの領域を精度良く分類することができる。 On the other hand, as shown in FIG. 2B, in the case of an image captured by the wiring pattern detection device and inspection device having the above-described configuration, the inner layer wiring pattern C is not imaged, and the uppermost polyimide insulating layer B, Only the uppermost wiring pattern A disposed thereon is imaged. In addition, since the uppermost wiring pattern A is bright and the polyimide insulating layer B is dark, it is not affected by the inner wiring pattern C. For example, by using a simple image processing technique called binarization, The regions of the uppermost wiring pattern A and the polyimide insulating layer B can be classified with high accuracy.
そして、このように両者の領域が分類できた状態で、画像処理部24において、CADデータ(パターン設計情報)や良品ワーク(正しく配線パターンが形成されたワーク)を基準マスター画像とした比較処理や、特徴抽出法等により、差異のあった部分を不良として判定することが可能となる。
Then, in a state where both areas can be classified in this way, the
このようにλ/4波長板20を用いた配線パターンの検出装置および検査装置は、特にベースフィルムとしてのポリイミドと、配線層としての銅とをラミネートして作製した配線基板を積層してなるワーク21を対象とした検出および検査に適している。
In this way, the wiring pattern detection device and inspection device using the λ / 4
また、上述した構成の配線パターンの検出装置および検査装置では、λ/4波長板20が着脱可能に配置されており、λ/4波長板20が配置されている箇所に、λ/4波長板20のみならず、同屈折率光学板26、または偏光板27を自在に交換して配置できるようにしている。更に、同屈折率光学板26および偏光板27もまた、着脱可能な構成としており、一旦配置された同屈折率光学板26を、λ/4波長板20や偏光板27に交換して配置したり、一旦配置された偏光板27を、λ/4波長板20や同屈折率光学板26に交換して配置することも自在にできるようにしている。
Further, in the wiring pattern detection device and inspection device having the above-described configuration, the λ / 4
図3は、λ/4波長板20を同屈折率光学板26に交換した検出装置および検査装置の構成例を示すブロック図である。図1の構成の検出装置および検査装置と異なる点について以下に記載する。
FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration example of a detection device and an inspection device in which the λ / 4
同屈折率光学板26は、λ/4波長板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持ち、偏光ビームスプリッタ18によって導かれた直線偏光nを、前群レンズ13cに導く。
The refractive index
この場合、前群レンズ13cは、同屈折率光学板26から導かれた直線偏光nを集光してワーク21に照射する。ワーク21に照射された直線偏光nは、ワーク21で反射し、前群レンズ13cおよび同屈折率光学板26を透過して偏光ビームスプリッタ18に到達する。
In this case, the
すると、偏光ビームスプリッタ18は、この光から、直線偏光nと電界ベクトル方向が直交する直線偏光qを抽出し、この直線偏光qを後群レンズ13dに導く。
Then, the
後群レンズ13dは、偏光ビームスプリッタ18から導かれた直線偏光qを集光し、バンドパスフィルタ14に導く。
The
バンドパスフィルタ14は、このように導かれた直線偏光qから、最上層配線パターンにおける反射光量と、ベースフィルム及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、この波長域にある成分光gを、撮像部23に導く。
The
そして、撮像部23は、バンドパスフィルタ14によって導かれた成分光gを撮像する。これによって、最上層配線パターン情報が顕在化された配線パターンの画像データを取得する。
Then, the
図4は、銅めっきを析出することによって形成された配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板の最上層配線パターンについて撮像された画像データの一例を、図3にその構成を示すように、同屈折率光学板26を用いた配線パターンの検出装置および検査装置によって撮像した場合を示す画像である。
FIG. 4 shows an example of image data taken for the uppermost wiring pattern of a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern formed by depositing copper plating, as shown in FIG. It is an image which shows the case where it images with the detection apparatus and inspection apparatus of a wiring pattern using the refractive index
図4に示すように、最上層の配線パターンのみが光学的に顕在化されて撮像されていることがわかる。なお、図2(b)では、最上層配線パターンAが明るく、ポリイミド絶縁層Bが暗く撮像されていたのに対し、図4に示す画像データでは、その逆に、最上層配線パターンAが暗く、ポリイミド絶縁層Bが明るく撮像される。これは、一方向の偏光成分しかない直線偏光がポリイミド絶縁層Bの内部で多重反射を繰り返し、あらゆる方向の偏光成分を有することになるためにポリイミド絶縁層B部分は明るく、最上層配線パターンAは暗くなるからである。 As shown in FIG. 4, it can be seen that only the uppermost wiring pattern is optically manifested and imaged. In FIG. 2B, the uppermost wiring pattern A is bright and the polyimide insulating layer B is captured dark, whereas in the image data shown in FIG. 4, the uppermost wiring pattern A is darker. The polyimide insulating layer B is imaged brightly. This is because linearly polarized light having only one direction of polarization component repeats multiple reflections inside the polyimide insulation layer B, and has a polarization component in all directions, so that the polyimide insulation layer B portion is bright and the uppermost wiring pattern A Because it becomes dark.
このように同屈折率光学板26を用いた配線パターンの検出装置および検査装置は、特に銅めっきを析出することによって形成された配線パターンを有する半導体パッケージ用多層配線基板を積層してなるワーク21の検出および検査に適している。
In this way, the wiring pattern detection device and inspection device using the same refractive index
図5は、λ/4波長板20を偏光板27に交換した検出装置および検査装置の構成例を示すブロック図である。図1の構成の検出装置および検査装置と異なる点について以下に記載する。
FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration example of a detection device and an inspection device in which the λ / 4
偏光板27は、偏光ビームスプリッタ18によって導かれた直線偏光nから、偏光板27の偏光角度に対応してベクトル分解した成分sを抽出し、このベクトル分解成分sを前群レンズ13cに導く。
The
この場合、前群レンズ13cは、偏光板27から導かれたベクトル分解成分sを集光してワーク21に照射する。ワーク21に照射されたベクトル分解成分sは、ワーク21で反射し、前群レンズ13cを透過して偏光板27に到達する。
In this case, the
すると、偏光板27は、このベクトル分解成分sを、更に偏光板27の偏光角度に応じてベクトル分解し、このベクトル分解成分uを、偏光ビームスプリッタ18に導く。すると、偏光ビームスプリッタ18は、ベクトル分解成分uから、直線偏光んと電界ベクトルの方向が直交する直線偏光qを抽出し、この直線偏光qを後群レンズ13dに導く。
Then, the
後群レンズ13dは、偏光ビームスプリッタ18から導かれた直線偏光qを集光し、バンドパスフィルタ14に導く。
The
バンドパスフィルタ14は、このように導かれた直線偏光qから、最上層配線パターンにおける反射光量と、ベースフィルム及び配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、この波長域にある成分光gを、撮像部23に導く。
The
そして、撮像部23は、バンドパスフィルタ14によって導かれた成分光gを撮像する。これによって、最上層配線パターン情報が顕在化された配線パターンの画像データを取得する。
Then, the
さらに、得られた画像データでは、過検出要因となり得るノイズ成分がないことが理想である。そこで、図7(a)は、光源10にメタルハライドランプを使用し、ノイズ除去部25を設けない条件で撮像して得られた画像データである。このように、ノイズ除去部25を設けずに撮像した場合、横縞ノイズの発生が確認された。この例の場合、30ラインに1回白い横縞が発生しており、精度の高い画像データとは言い難く、更に配線パターンが斜め方向に形成された状態では、この横縞ノイズと配線パターンとの交点において配線パターンのエッジが波打つ現象も確認され、誤検出要素となり、問題となる。この原因を検証した結果、メタルハライドランプに供給される電圧に相乗された100Hzノイズに起因するものと判明した。
Furthermore, in the obtained image data, it is ideal that there is no noise component that can be an overdetection factor. Therefore, FIG. 7A shows image data obtained by using a metal halide lamp as the
図7では、横縞ノイズが分かりにくいので、輝度値のグラフを用いて説明する。図8に示す画像データを見ると、全体にわたって白線が存在していることがわかる。図8中に示すX−X’線に存在する白線情報を強調(積算)すると、図9に示すようなデータとなる。図9に示すように、明るい部分(白線)が一定周期で発生していることがわかる。このノイズ成分が存在すると画像品位が低下すると共に、画像を見ると分かるが、この白線と配線パターンとが交差する部分は、配線パターンが波打っている。このような波打ちが存在すると、誤検出が多くなり、安定したパターン検査ができなくなるため、横縞ノイズの除去は不可欠である。 In FIG. 7, since horizontal stripe noise is difficult to understand, a description will be given using a graph of luminance values. It can be seen from the image data shown in FIG. 8 that a white line exists throughout. When white line information existing in the X-X ′ line shown in FIG. 8 is emphasized (integrated), data as shown in FIG. 9 is obtained. As shown in FIG. 9, it can be seen that bright portions (white lines) are generated at a constant period. If this noise component is present, the image quality deteriorates and the image can be seen, but the wiring pattern is wavy at the intersection of the white line and the wiring pattern. If such undulations exist, erroneous detection increases and stable pattern inspection cannot be performed. Therefore, it is indispensable to remove horizontal stripe noise.
そこで、本実施の形態による配線パターン検査方法を適用した配線パターン検査装置には、この100Hzで発生する電圧ノイズを回路的に除去するノイズ除去部25が設けられている。図7(b)は、このようなノイズ除去部25を設けた場合に得られた図7(a)と同一箇所を撮像して得られた画像データである。このように、ノイズ除去部25を設けることによって、光源10に供給される電圧に相乗された100Hzノイズが回路的に除去され、より精度の高い画像データを得ることが可能となる。
Therefore, the wiring pattern inspection apparatus to which the wiring pattern inspection method according to the present embodiment is applied is provided with a
このようにして、半導体パッケージ用多層配線基板に使用するベースフィルム材料の製法、材質、偏光特性が異なるワークに対しても、ワークに応じて、λ/4波長板20、または同屈折率光学板26、または偏光板27を選択することができるので、いかなるワークに対しても、実質的に一つの装置で、最上層配線パターンのみを精度良く光学的に分離し、もって、最上層配線パターンの検出および検査を精度良く行うことが可能となる。
In this way, the λ / 4
以上、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を参照しながら説明したが、本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲の発明された技術的思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 The best mode for carrying out the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such a configuration. Within the scope of the invented technical idea of the scope of claims, a person skilled in the art can conceive of various changes and modifications. The technical scope of the present invention is also applicable to these changes and modifications. It is understood that it belongs to.
10…光源、11…ライトガイド、12…熱線カットフィルタ、13a,13b…照明レンズ、13c…前群レンズ、13d…後群レンズ、14…バンドパスフィルタ、15…拡散板、16…偏光フィルタ、18…偏光ビームスプリッタ、20…波長板、21…ワーク、23…撮像部、24…画像処理部、25…ノイズ除去部、26…同屈折率光学板、27…偏光板、30…センサーカメラ、31…偏光ビームスプリッタ、32…偏光ビームスプリッタ、33…結像レンズ、34…偏光フィルタ、40…集光レンズ、41…CCD素子、42…バンドパスフィルタ、50…ワーク固定駆動機構、51…ワーク、52…ハーフミラー、53,54…偏光板
DESCRIPTION OF
Claims (10)
光源と、
前記光源からの光をほぼ平行に導光する平行導光手段と、
前記光源からの光のうちの赤外線成分を遮断する赤外線遮断手段と、
前記赤外線遮断手段によって赤外線成分が遮断された光を集光する第1のレンズと、
前記第1のレンズによって集光された光を、強度を均一化するように拡散する拡散板と、
前記拡散板によって拡散された光を集光する第2のレンズと、
前記第2のレンズによって集光された光を、前記光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出する偏光フィルタと、
前記偏光フィルタによって抽出された第1の直線偏光を、前記導光方向および前記電界ベクトル方向と直交する方向に導く偏光ビームスプリッタと、
前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を円偏光に変換する着脱可能なλ/4波長板か、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を導く、前記λ/4波長板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持つ着脱可能な同屈折率光学板か、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、所定偏光角度の偏光板を介して前記所定偏光角度の偏光成分を抽出する着脱可能な偏光成分抽出手段かのうちの何れかである光学部材と、
前記光学部材としてλ/4波長板が用いられた場合には、前記λ/4波長板によって変換された円偏光を、前記光学部材として同屈折率光学板が用いられた場合には、前記同屈折率光学板によって導かれた第1の直線偏光を、前記光学部材として偏光成分抽出手段が用いられた場合には、前記偏光成分抽出手段によって抽出された偏光成分をそれぞれ集光して前記ワークに照射する第3のレンズと、
前記光学部材として前記λ/4波長板が用いられた場合には、前記第3のレンズによって照射された円偏光が前記ワークで反転し回転方向が逆とされた後に前記第3のレンズおよび前記λ/4波長板を透過した後に、前記光学部材として前記同屈折率光学板が用いられた場合には、前記第3のレンズによって前記ワークに照射された前記第1の直線偏光が前記ワークで反射してなる反射光が、前記第3のレンズおよび前記同屈折率光学板を透過した後に、前記光学部材として前記偏光成分抽出手段が用いられた場合には、前記第3のレンズによって前記ワークに照射された前記偏光成分が前記ワークで反射してなる反射光が、前記第3のレンズを介した後に前記偏光成分抽出手段に導かれて前記偏光成分抽出手段において、前記偏光板の所定偏光角度に応じてベクトル分解された後に、それぞれ前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいて、その電界ベクトル方向が前記第1の直線偏光の方向と直交する第2の直線偏光が抽出された後に、前記第2の直線偏光を集光する第4のレンズと、
前記第4のレンズによって集光された第2の直線偏光から、前記最上層配線パターンにおける反射光量と、前記ベースフィルム及び前記配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された波長域の光を撮像する撮像手段と
を備えた配線パターン検出装置。 A wiring pattern detection device for optically detecting the uppermost wiring pattern of a work composed of a multilayer wiring substrate for a semiconductor package having a wiring pattern on a light-transmitting base film,
A light source;
Parallel light guide means for guiding light from the light source substantially in parallel;
Infrared blocking means for blocking an infrared component of light from the light source;
A first lens for condensing the light whose infrared component is blocked by the infrared blocking means;
A diffusion plate for diffusing the light collected by the first lens so as to make the intensity uniform;
A second lens for condensing the light diffused by the diffusion plate;
A polarization filter that extracts light collected by the second lens from a first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction;
A polarization beam splitter that guides the first linearly polarized light extracted by the polarizing filter in a direction orthogonal to the light guide direction and the electric field vector direction;
A removable λ / 4 wavelength plate for converting the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter into circularly polarized light, or the λ / 4 wavelength for guiding the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter. A detachable same-index optical plate having substantially the same refractive index as the optical member of the plate, or the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is passed through a polarizing plate having a predetermined polarization angle. An optical member that is one of detachable polarization component extraction means for extracting the polarization component;
When a λ / 4 wave plate is used as the optical member, circularly polarized light converted by the λ / 4 wave plate is used. When the same refractive index optical plate is used as the optical member, the same light is used. When the polarization component extraction means is used as the optical member for the first linearly polarized light guided by the refractive index optical plate, the polarization components extracted by the polarization component extraction means are respectively condensed to collect the workpiece. A third lens for irradiating
When the λ / 4 wavelength plate is used as the optical member, the circularly polarized light irradiated by the third lens is reversed by the work and the rotation direction is reversed, and then the third lens and the When the same refractive index optical plate is used as the optical member after passing through a λ / 4 wavelength plate, the first linearly polarized light irradiated to the workpiece by the third lens is the workpiece. When the polarized light component extraction means is used as the optical member after the reflected light that has been reflected passes through the third lens and the same refractive index optical plate, the work is performed by the third lens. Reflected light formed by reflecting the polarized component irradiated to the workpiece by the work is guided to the polarized component extracting unit after passing through the third lens, and the polarized component extracting unit determines the predetermined polarization of the polarizing plate. After being subjected to vector decomposition according to the light angle, each is guided to the polarization beam splitter, and the second linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the direction of the first linearly polarized light is extracted from the polarized beam splitter. And a fourth lens for condensing the second linearly polarized light,
Selection for selecting a wavelength region in which the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest from the second linearly polarized light collected by the fourth lens Means,
The wiring pattern detection apparatus provided with the imaging means which images the light of the wavelength range selected by the said selection means.
光源と、
前記光源からの光をほぼ平行に導光する平行導光手段と、
前記光源からの光のうちの赤外線成分を遮断する赤外線遮断手段と、
前記赤外線遮断手段によって赤外線成分が遮断された光を集光する第1のレンズと、
前記第1のレンズによって集光された光を、強度を均一化するように拡散する拡散板と、
前記拡散板によって拡散された光を集光する第2のレンズと、
前記第2のレンズによって集光された光を、この光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を抽出し、前記導光方向および前記電界ベクトル方向と直交する方向に導く偏光ビームスプリッタと、
前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を円偏光に変換する着脱可能なλ/4波長板か、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を導く、前記λ/4波長板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持つ着脱可能な同屈折率光学板か、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、所定偏光角度の偏光板を介して前記所定偏光角度の偏光成分を抽出する着脱可能な偏光成分抽出手段かのうちの何れかである光学部材と、
前記光学部材としてλ/4波長板が用いられた場合には、前記λ/4波長板によって変換された円偏光を、前記光学部材として同屈折率光学板が用いられた場合には、前記同屈折率光学板によって導かれた第1の直線偏光を、前記光学部材として偏光成分抽出手段が用いられた場合には、前記偏光成分抽出手段によって抽出された偏光成分をそれぞれ集光して前記ワークに照射する第3のレンズと、
前記光学部材として前記λ/4波長板が用いられた場合には、前記第3のレンズによって照射された円偏光が前記ワークで反転し回転方向が逆とされた後に前記第3のレンズおよび前記λ/4波長板を透過した後に、前記光学部材として前記同屈折率光学板が用いられた場合には、前記第3のレンズによって前記ワークに照射された前記第1の直線偏光が前記ワークで反射してなる反射光が、前記第3のレンズおよび前記同屈折率光学板を透過した後に、前記光学部材として前記偏光成分抽出手段が用いられた場合には、前記第3のレンズによって前記ワークに照射された前記偏光成分が前記ワークで反射してなる反射光が、前記第3のレンズを介した後に前記偏光成分抽出手段に導かれて前記偏光成分抽出手段において、前記偏光板の所定偏光角度に応じてベクトル分解された後に、それぞれ前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタにおいて、その電界ベクトル方向が前記第1の直線偏光の方向と直交する第2の直線偏光が抽出された後に、前記第2の直線偏光を集光する第4のレンズと、
前記第4のレンズによって集光された第2の直線偏光から、前記最上層配線パターンにおける反射光量と、前記ベースフィルム及び前記配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された波長域の光を撮像する撮像手段と
を備えた配線パターン検出装置。 A wiring pattern detection device for optically detecting the uppermost wiring pattern of a work composed of a multilayer wiring substrate for a semiconductor package having a wiring pattern on a light-transmitting base film,
A light source;
Parallel light guide means for guiding light from the light source substantially in parallel;
Infrared blocking means for blocking an infrared component of light from the light source;
A first lens for condensing the light whose infrared component is blocked by the infrared blocking means;
A diffusion plate for diffusing the light collected by the first lens so as to make the intensity uniform;
A second lens for condensing the light diffused by the diffusion plate;
From the light collected by the second lens, first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guide direction of the light is extracted, and the light guide direction and the direction orthogonal to the electric field vector direction are extracted. A polarizing beam splitter that leads to
A removable λ / 4 wavelength plate for converting the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter into circularly polarized light, or the λ / 4 wavelength for guiding the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter. A detachable same-index optical plate having substantially the same refractive index as the optical member of the plate, or the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is passed through a polarizing plate having a predetermined polarization angle. An optical member that is one of detachable polarization component extraction means for extracting the polarization component;
When a λ / 4 wave plate is used as the optical member, circularly polarized light converted by the λ / 4 wave plate is used. When the same refractive index optical plate is used as the optical member, the same light is used. When the polarization component extraction means is used as the optical member for the first linearly polarized light guided by the refractive index optical plate, the polarization components extracted by the polarization component extraction means are respectively condensed to collect the workpiece. A third lens for irradiating
When the λ / 4 wavelength plate is used as the optical member, the circularly polarized light irradiated by the third lens is reversed by the work and the rotation direction is reversed, and then the third lens and the When the same refractive index optical plate is used as the optical member after passing through a λ / 4 wavelength plate, the first linearly polarized light irradiated to the workpiece by the third lens is the workpiece. When the polarized light component extraction means is used as the optical member after the reflected light that has been reflected passes through the third lens and the same refractive index optical plate, the work is performed by the third lens. Reflected light formed by reflecting the polarized component irradiated to the workpiece by the work is guided to the polarized component extracting unit after passing through the third lens, and the polarized component extracting unit determines the predetermined polarization of the polarizing plate. After being subjected to vector decomposition according to the light angle, each is guided to the polarization beam splitter, and the second linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the direction of the first linearly polarized light is extracted from the polarized beam splitter. And a fourth lens for condensing the second linearly polarized light,
Selection for selecting a wavelength region in which the difference between the reflected light amount in the uppermost wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest from the second linearly polarized light collected by the fourth lens Means,
A wiring pattern detection apparatus comprising: imaging means for imaging light in the wavelength range selected by the selection means.
前記偏光ビームスプリッタの代わりに、クロスニコルに設定された2枚の導光板とハーフミラーとを用いる配線パターン検出装置。 In the wiring pattern detection apparatus according to claim 1 or 2,
A wiring pattern detection apparatus using two light guide plates and a half mirror set in crossed Nicols instead of the polarizing beam splitter.
前記光源内に設けられた放電ランプに供給される電圧に相乗された周波数成分がノイズとして前記撮像手段に影響を及ぼさないようにするノイズ除去手段を付加した配線パターン検出装置。 In the wiring pattern detection apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The wiring pattern detection apparatus which added the noise removal means which prevents the frequency component synthesize | combined with the voltage supplied to the discharge lamp provided in the said light source from affecting the said imaging means as noise.
請求項1乃至4のうち何れか1項に記載の配線パターン検出装置で撮像された画像と、所定の良品画像とを照合し、前記最上層配線パターンが良品であるか否かを検査する検査手段と
を備えた配線パターン検査装置。 The wiring pattern detection device according to any one of claims 1 to 4,
An inspection for checking whether or not the uppermost wiring pattern is a non-defective product by collating an image captured by the wiring pattern detection device according to any one of claims 1 to 4 with a predetermined good product image. And a wiring pattern inspection apparatus.
光源から発せられる検査光をほぼ平行に導光し、
前記ほぼ平行に導光された検査光から赤外線成分を除去し、
前記赤外線成分が除去された検査光を、前記光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を偏光フィルタにより抽出し、
前記偏光フィルタによって抽出された第1の直線偏光を、偏光ビームスプリッタを用いて前記導光方向および前記第1の直線偏光の電界ベクトルの方向と直交する方向に導き、
前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、着脱可能なλ/4波長板を用いて円偏光に変換するか、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、前記λ/4波長板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持つ着脱可能な同屈折率光学板を用いて導くか、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、所定偏光角度の偏光板を備えた着脱可能な偏光成分抽出手段を用いて、前記所定偏光角度の偏光成分を抽出するかのうちの何れかを行い、
前記λ/4波長板が用いられた場合には、前記λ/4波長板によって変換された円偏光を、前記同屈折率光学板が用いられた場合には、前記同屈折率光学板によって導かれた第1の直線偏光を、前記偏光成分抽出手段が用いられた場合には、前記偏光成分抽出手段によって抽出された偏光成分をそれぞれ前記ワークに照射し、
前記λ/4波長板が用いられた場合には、前記照射された円偏光が前記ワークで反転し回転方向が逆とされた後に前記λ/4波長板を透過した後に、前記同屈折率光学板が用いられた場合には、前記ワークに照射された前記第1の直線偏光が前記ワークで反射してなる反射光が前記同屈折率光学板を透過した後に、前記偏光成分抽出手段が用いられた場合には、前記ワークに照射された前記偏光成分が前記ワークで反射してなる反射光が前記偏光成分抽出手段に導かれて前記偏光板の所定偏光角度に応じてベクトル分解された後に、それぞれ前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタは、前記導かれた光から、その電界ベクトル方向が前記第1の直線偏光の方向と直交する第2の直線偏光を抽出し、
前記抽出された第2の直線偏光から、前記最上層配線パターンにおける反射光量と、前記ベースフィルム及び前記配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、この選択した波長域の光を撮像する
ようにした配線パターン検出方法。 A wiring pattern detection method for optically detecting the uppermost wiring pattern of a work consisting of a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern on a light transmissive base film,
The inspection light emitted from the light source is guided almost in parallel,
Removing the infrared component from the inspection light guided substantially in parallel;
The inspection light from which the infrared component has been removed is extracted by a polarizing filter with a first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guiding direction of the light,
The first linearly polarized light extracted by the polarizing filter is guided to a direction orthogonal to the direction of the light guide and the electric field vector of the first linearly polarized light using a polarization beam splitter,
The first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is converted into circularly polarized light using a detachable λ / 4 wavelength plate, or the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is converted into the λ The first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is guided to a polarizing plate having a predetermined polarization angle by using a removable refractive index optical plate having substantially the same refractive index as the optical member of the / 4 wavelength plate. Using the detachable polarization component extraction means provided, to perform any one of extracting the polarization component of the predetermined polarization angle,
When the λ / 4 wavelength plate is used, circularly polarized light converted by the λ / 4 wavelength plate is guided by the same refractive index optical plate when the same refractive index optical plate is used. When the polarization component extraction unit is used, the first linearly polarized light is irradiated onto the workpiece with the polarization component extracted by the polarization component extraction unit,
When the λ / 4 wavelength plate is used, the irradiated circularly polarized light is inverted by the work and the rotation direction is reversed, and then transmitted through the λ / 4 wavelength plate. When a plate is used, the polarized light component extraction unit uses the reflected light formed by reflecting the first linearly polarized light irradiated on the workpiece through the same refractive index optical plate. In this case, after the polarized light applied to the workpiece is reflected by the workpiece, the reflected light is guided to the polarization component extraction means and subjected to vector decomposition according to a predetermined polarization angle of the polarizing plate. , Respectively, guided to the polarization beam splitter, and the polarization beam splitter extracts, from the guided light, second linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the direction of the first linearly polarized light,
From the extracted second linearly polarized light, a wavelength region in which the difference between the reflected light amount in the uppermost layer wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest is selected, and the selected wavelength region A wiring pattern detection method for imaging light.
光源から発せられる検査光をほぼ平行に導光し、
前記ほぼ平行に導光された検査光から赤外線成分を除去し、
前記赤外線成分が除去された検査光を、前記光の導光方向に対して電界ベクトル方向が直交する第1の直線偏光を偏光ビームスプリッタにより抽出し、前記導光方向および前記第1の直線偏光の電界ベクトルの方向と直交する方向に導き、
前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、着脱可能なλ/4波長板を用いて円偏光に変換するか、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、前記λ/4波長板の光学部材とほぼ同じ屈折率を持つ着脱可能な同屈折率光学板を用いて導くか、前記偏光ビームスプリッタによって導かれた第1の直線偏光を、所定偏光角度の偏光板を備えた着脱可能な偏光成分抽出手段を用いて、前記所定偏光角度の偏光成分を抽出するかのうちの何れかを行い、
前記λ/4波長板が用いられた場合には、前記λ/4波長板によって変換された円偏光を、前記同屈折率光学板が用いられた場合には、前記同屈折率光学板によって導かれた第1の直線偏光を、前記偏光成分抽出手段が用いられた場合には、前記偏光成分抽出手段によって抽出された偏光成分をそれぞれ前記ワークに照射し、
前記λ/4波長板が用いられた場合には、前記照射された円偏光が前記ワークで反転し回転方向が逆とされた後に前記λ/4波長板を透過した後に、前記同屈折率光学板が用いられた場合には、前記ワークに照射された前記第1の直線偏光が前記ワークで反射してなる反射光が前記同屈折率光学板を透過した後に、前記偏光成分抽出手段が用いられた場合には、前記ワークに照射された前記偏光成分が前記ワークで反射してなる反射光が前記偏光成分抽出手段に導かれて前記偏光板の所定偏光角度に応じてベクトル分解された後に、それぞれ前記偏光ビームスプリッタに導かれ、前記偏光ビームスプリッタは、前記導かれた光から、その電界ベクトル方向が前記第1の直線偏光の方向と直交する第2の直線偏光を抽出し、
前記抽出された第2の直線偏光から、前記最上層配線パターンにおける反射光量と、前記ベースフィルム及び前記配線パターンにおける反射光量との差が最も大きくなる波長域を選択し、この選択した波長域の光を撮像する
ようにした配線パターン検出方法。 A wiring pattern detection method for optically detecting the uppermost wiring pattern of a work consisting of a multilayer wiring board for a semiconductor package having a wiring pattern on a light transmissive base film,
The inspection light emitted from the light source is guided almost in parallel,
Removing the infrared component from the inspection light guided substantially in parallel;
From the inspection light from which the infrared component has been removed, first linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the light guiding direction of the light is extracted by a polarization beam splitter, and the light guiding direction and the first linearly polarized light are extracted. Led in a direction perpendicular to the direction of the electric field vector of
The first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is converted into circularly polarized light using a detachable λ / 4 wavelength plate, or the first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is converted into the λ The first linearly polarized light guided by the polarizing beam splitter is guided to a polarizing plate having a predetermined polarization angle by using a removable refractive index optical plate having substantially the same refractive index as the optical member of the / 4 wavelength plate. Using the detachable polarization component extraction means provided, to perform any one of extracting the polarization component of the predetermined polarization angle,
When the λ / 4 wavelength plate is used, circularly polarized light converted by the λ / 4 wavelength plate is guided by the same refractive index optical plate when the same refractive index optical plate is used. When the polarization component extraction unit is used, the first linearly polarized light is irradiated onto the workpiece with the polarization component extracted by the polarization component extraction unit,
When the λ / 4 wavelength plate is used, the irradiated circularly polarized light is inverted by the work and the rotation direction is reversed, and then transmitted through the λ / 4 wavelength plate. When a plate is used, the polarized light component extraction unit uses the reflected light formed by reflecting the first linearly polarized light irradiated on the workpiece through the same refractive index optical plate. In this case, after the polarized light applied to the workpiece is reflected by the workpiece, the reflected light is guided to the polarization component extraction means and subjected to vector decomposition according to a predetermined polarization angle of the polarizing plate. , Respectively, guided to the polarization beam splitter, and the polarization beam splitter extracts, from the guided light, second linearly polarized light whose electric field vector direction is orthogonal to the direction of the first linearly polarized light,
From the extracted second linearly polarized light, a wavelength region in which the difference between the reflected light amount in the uppermost layer wiring pattern and the reflected light amount in the base film and the wiring pattern is the largest is selected, and the selected wavelength region A wiring pattern detection method for imaging light.
前記偏光ビームスプリッタの代わりに、クロスニコルに設定された2枚の偏光板とハーフミラーを用いる配線パターン検出方法。 In the wiring pattern detection method according to claim 6 or 7,
A wiring pattern detection method using two polarizing plates and a half mirror set in crossed Nicols instead of the polarizing beam splitter.
前記光源内に設けられた放電ランプに供給される電圧に相乗された周波数成分がノイズとして前記撮像に影響を及ぼさないように、前記周波数成分を除去する配線パターン検出方法。 In the wiring pattern detection method according to any one of claims 6 to 8,
A wiring pattern detection method for removing the frequency component so that a frequency component combined with a voltage supplied to a discharge lamp provided in the light source does not affect the imaging as noise.
請求項6乃至9のうち何れか1項に記載の配線パターン検出方法で撮像された画像と、所定の良品画像とを照合することによって、前記最上層配線パターンが良品であるか否かを検査するようにした配線パターン検査方法。 A wiring pattern detection method according to any one of claims 6 to 9,
The image picked up by the wiring pattern detection method according to any one of claims 6 to 9 and a predetermined good product image are collated to inspect whether or not the uppermost wiring pattern is a good product. Wiring pattern inspection method to be done.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010538276A (en) * | 2007-09-03 | 2010-12-09 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | Polarized broadband wafer inspection |
EP4067867A1 (en) * | 2016-02-04 | 2022-10-05 | Nova Biomedical Corporation | Light-emitting module |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63133115A (en) * | 1986-11-26 | 1988-06-04 | Nikon Corp | Optical microscope |
JPH04362911A (en) * | 1991-03-28 | 1992-12-15 | Olympus Optical Co Ltd | Stereoscopic microscope |
JPH1194761A (en) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | Pattern inspection apparatus |
JPH11264800A (en) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Nikon Corp | Inspecting device |
JP2003262595A (en) * | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Foreign-substance inspection apparatus |
JP2003344306A (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-03 | Hitachi High-Technologies Corp | Method of observing microstructure and equipment for inspecting defect |
WO2004040281A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Wiring pattern inspection device, inspection method, detection device, and detection method |
-
2004
- 2004-09-17 JP JP2004272437A patent/JP2006084446A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63133115A (en) * | 1986-11-26 | 1988-06-04 | Nikon Corp | Optical microscope |
JPH04362911A (en) * | 1991-03-28 | 1992-12-15 | Olympus Optical Co Ltd | Stereoscopic microscope |
JPH1194761A (en) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | Pattern inspection apparatus |
JPH11264800A (en) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Nikon Corp | Inspecting device |
JP2003262595A (en) * | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Foreign-substance inspection apparatus |
JP2003344306A (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-03 | Hitachi High-Technologies Corp | Method of observing microstructure and equipment for inspecting defect |
WO2004040281A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Wiring pattern inspection device, inspection method, detection device, and detection method |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010538276A (en) * | 2007-09-03 | 2010-12-09 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | Polarized broadband wafer inspection |
JP2014211447A (en) * | 2007-09-03 | 2014-11-13 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | Polarized broadband wafer inspection |
EP4067867A1 (en) * | 2016-02-04 | 2022-10-05 | Nova Biomedical Corporation | Light-emitting module |
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