JP2006077213A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置、ならびに半導体装置の製法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板9上に搭載した半導体素子5の電極6と、上記半導体素子5の周囲に設けられた複数の導電部4とを電気的に接続するワイヤー7と、上記基板9と、半導体素子5と、複数の導電部4とが封止樹脂層8中に内蔵され、上記基板9の底面と導電部4の底面とが、上記封止樹脂層8から露出している半導体装置の上記封止樹脂層8の形成に用いられる、ポリエチレン系ワックスを含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
【選択図】図5
Description
下記の一般式(a)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量192、融点100℃)
下記の一般式(b)で表される繰り返し単位を有するエポキシ樹脂(エポキシ当量170、融点60℃)
下記の一般式(c)で表されるエポキシ樹脂(エポキシ当量198、融点60℃)
下記の一般式(d)で表されるビフェニルノボラック樹脂(水酸基当量203、融点90℃)
下記の一般式(e)で表されるフェノールアラルキル樹脂(水酸基当量170、融点83℃)
下記の一般式(f)で表されるフェノール樹脂(水酸基当量215、融点81℃)
トリフェニルホスフィン(TPP)
酸化ポリエチレンワックス(滴点103〜108℃、酸価15〜19mgKOH/g)
酸化ポリエチレンワックス(滴点108〜113℃、酸価16〜19mgKOH/g)
カルナバワックス
平均粒径30μmの球状溶融シリカ粉末
平均粒径1μmの球状溶融シリカ粉末
アクリロニトリル−ブタジエンゴム(Nipol 1072J 、日本ゼオン社製、アクリロニトリル含有量18重量%)20部、エポキシ樹脂(EPPN−501HY、日本化薬社製)50部、フェノール樹脂(MEH−7500−3S、明和化成社製)30部、触媒(TPP、北興化学社製)0.5部をメチルエチルケトン(MEK)350部に溶解して接着剤溶液を調製した。ついで、上記接着剤溶液を用いて、厚み100μmの片面粗化銅合金箔(BHY−13B−7025、ジャパンエナジー社製)に塗布した後、150℃で3分間乾燥させることにより、厚み15μmの接着剤層が形成された接着シートを作製した。上記接着シートの接着剤層の硬化前の100℃での弾性率は2.5×10-3Paであり、硬化後の200℃での弾性率は4.3MPaであった。また、銅合金箔に対する接着力は、12N/20mmであった。そして、上記接着シートの接着剤層の硬化後のガラス転移温度は190℃であった。さらに、基材として用いた銅合金箔の200℃での弾性率は130GPaであった。なお、上記ガラス転移温度は、レオメトリックス社製の粘弾性測定装置(DMA)を用い、昇温速度5℃/分で測定した。また、上記各弾性率は、各温度条件下、つぎのようにして測定した。
評価機器:レオメトリックス社製の粘弾性スペクトルメータ(ARES)
昇温速度:5℃/min
周波数:1Hz
測定モード:引張モード
後記の表1に示す各成分を同表に示す割合で配合し、80〜120℃に加熱したロール混練機(5分間)にかけて溶融混練することによりエポキシ樹脂組成物を作製した。
まず、図1に示すように、上記作製した接着シート3を準備し、この接着シート3の接着剤層2面の所定部分に、半導体素子搭載用の基板9(大きさ:4.2mm×4.2mm)および複数の導電部4(大きさ:直径0.3mm)を形成した。
成形温度:175℃
時間:120秒
クランプ圧力:200kN
トランスファースピード:3mm/秒
トランスファー圧:5kN
1パッケージ当たり156個の導電部(直径0.3mm)を有する。
パッケージ全体のサイズ:8.2mm×8.2mm
パッケージ(封止樹脂層8)の厚み:0.45mm
エポキシ樹脂組成物の配合成分および配合量を後記の表1〜表2に示す内容に変更し、上記実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を作製した。そして、上記実施例1と同様にして接着シート3面上に半導体装置を形成した。
2 接着剤層
3 接着シート
4 導電部
5 半導体素子
6 電極
7 ワイヤー
8 封止樹脂層
9 基板
Claims (10)
- 基板上に搭載された半導体素子の電極と、上記半導体素子の周囲に設けられた複数の導電部とを電気的に接続する電気的接続部と、上記基板と、半導体素子と、複数の導電部とが封止樹脂層中に内蔵され、上記基板の底面と導電部の底面とが、上記封止樹脂層から露出している半導体装置の上記封止樹脂層の形成に用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記エポキシ樹脂組成物が、ポリエチレン系ワックスを含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 上記ポリエチレン系ワックスが、酸化ポリエチレンワックスである請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 上記導電部が、上下にそれぞれ張り出し部分を有している請求項1または2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 基板上に搭載された半導体素子の電極と、上記半導体素子の周囲に設けられた複数の導電部とを電気的に接続する電気的接続部と、上記基板と、半導体素子と、複数の導電部とが封止樹脂層中に内蔵され、上記基板の底面と導電部の底面とが、上記封止樹脂層から露出している半導体装置であって、上記封止樹脂層が請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化体によって形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 上記導電部が、上下にそれぞれ張り出し部分を有している請求項4記載の半導体装置。
- 請求項4または5記載の半導体装置の製造方法であって、基材面に接着剤層を形成してなる接着シートを準備する工程と、上記接着シートの接着剤層面の所定部分に,半導体素子搭載用の基板と,複数の導電部を形成する工程と、半導体素子の電極が形成されていない面を上記基板上に固着して半導体素子を搭載する工程と、上記基板上に搭載された上記半導体素子の電極と上記導電部とを電気的に接続する工程と、上記基板と,上記基板上に搭載された半導体素子と,上記接着シート上に形成された導電部と,それらの電気的接続部とを包含するよう,ポリエチレン系ワックスを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止して接着シート面上に半導体装置を形成する工程と、上記形成された半導体装置から、接着シートを剥離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。
- 上記ポリエチレン系ワックスが、酸化ポリエチレンワックスである請求項6記載の半導体装置の製法。
- 上記導電部が、上下にそれぞれ張り出し部分を有している請求項6または7記載の半導体装置の製法。
- 上記接着シートの接着剤層が、熱硬化型接着剤組成物を用いて形成されたものである請求項6〜8のいずれか一項に記載の半導体装置の製法。
- 上記接着シートの接着剤層が、下記の特性(x)および(y)を備えたエポキシ樹脂組成物を用いて形成されたものである請求項6〜9のいずれか一項に記載の半導体装置の製法。
(x)硬化後のガラス転移温度が150℃以上である。
(y)硬化後の200℃での弾性率が1MPa以上である。
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