JP2006066838A

JP2006066838A - 回路基板

Info

Publication number: JP2006066838A
Application number: JP2004250969A
Authority: JP
Inventors: Shinji Mizuno; 伸二水野; Koji Mitsui; 浩二三井; Kozo Morita; 幸三森田; Takeya Hirayama; 雄也平山
Original assignee: Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd
Current assignee: Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd
Priority date: 2004-08-30
Filing date: 2004-08-30
Publication date: 2006-03-09

Abstract

【課題】回路パターンの比抵抗値を小さくできて細い回路パターンでも高電流を流すことができ、また小型化・集積化が図れる回路基板を提供する。
【解決手段】可撓性を有する絶縁性の合成樹脂フイルム１１の表面に回路パターン２０−１〜７を設けてなるフレキシブル回路基板１０である。回路パターン２０−１〜７の内の少なくとも一部の回路パターン２０−３，４，５，６は、銀又は銀化合物又は銅又は銅化合物の微粒子を含有する微粒子含有ペーストを前記合成樹脂フイルム１１に塗布して１４０℃〜２５０℃の加熱温度で加熱することで微粒子を互いに融着してなる金属微粒子融着型導電性被膜を有してなる融着型回路パターンによって形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、回路基板に関するものである。

従来、可撓性を有する絶縁性の合成樹脂フイルムの表面に回路パターンを設けてなるフレキシブル回路基板が、各種電子機器に使用されている。そして前記フレキシブル回路基板に設ける回路パターンとして、導電ペーストを合成樹脂フイルム上に塗布して硬化させることで形成される回路パターンがある。導電ペーストの塗布によって回路パターンを形成すると、銅箔をエッチングして回路パターンを形成する場合等に比べて、回路パターンの形成が容易でその製造コストの低減化が図れ、また廃液や不要金属等が出ない工程が可能で、環境負荷が低く、また電力節減効果も期待でき、好適である。

しかしながら一方で導電ペーストを用いた回路パターンには、以下のような問題点があった。
即ち、従来の導電ペースト（一般には銀ペースト）は、鱗片状の銀粒子（平均粒径１〜５０μｍ程度）に、樹脂バインダーや有機溶剤等を添加することで構成されている。そして回路パターンの形成は、この導電ペーストを絶縁基板である合成樹脂フイルムの表面に印刷し、一般的には１６０℃程度で加熱・乾燥することで行われる。しかしながらこのようにして形成された回路パターンの比抵抗（体積抵抗率）は、１×１０^-4〜４×１０^-5〔Ω・ｃｍ〕程度であり、銀そのものの比抵抗１．６×１０^-6〔Ω・ｃｍ〕に比べてかなり高い値となっている。このように従来の導電ペーストからなる回路パターンの比抵抗が高い原因は、樹脂バインダーが銀粒子間に残存するため銀粒子同士の接触箇所が少ないためであり、更には銀粒子同士の電気的導通は物理的接触のみであるため各接触箇所において接触抵抗が発生してしまうためである。このため従来、導電ペーストを用いて形成した回路パターンを有するフレキシブル回路基板においては、その回路パターンに高電流を流すことが困難であった。即ち例えばこのフレキシブル回路基板に設けたスイッチの回路や固定抵抗器の回路には、数ｍＡ程度の電流を流すだけで良いので回路パターンの比抵抗値が大きいことはあまり問題にならない。しかしながら例えばこのフレキシブル回路基板に設けたチップＬＥＤの回路には、数１０ｍＡ程度の電流を流す必要があるので回路パターンの比抵抗値が大きいと、回路パターンに規定の電流を流すことができず、チップＬＥＤの発光が阻害されたり、高圧の静電気や過電流が流れ込むと最悪の場合加熱によりパターン切れを生じる恐れがあった。一方これを防止するには、そのパターン幅を太くすることとなるが、そうするとフレキシブル回路基板の小型・集積化が阻害されるという問題が生じる。

上記問題点は、銀ペーストのみでなく、銅粒子に樹脂バインダーや有機溶剤等を添加することで構成される銅ペーストにも同様に生じる問題である。
特開２００３−１９７０３２号公報

本発明は上述の点に鑑みてなされたものでありその目的は、回路パターンの比抵抗値を小さくできて細い回路パターンでも高電流を流すことができ、また小型化・集積化が図れる回路基板を提供することにある。

本願請求項１に記載の発明は、絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、前記回路パターンの内の少なくとも一部の回路パターンは、銀又は銀化合物又は銅又は銅化合物の微粒子を含有する微粒子含有ペーストを１４０℃〜２５０℃の加熱温度で加熱することで前記微粒子を互いに融着してなる金属微粒子融着型導電性被膜を有してなる融着型回路パターンによって形成されていることを特徴とする回路基板にある。

本願請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の回路基板において、前記融着型回路パターンは、前記絶縁基板上に導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜の上に、前記金属微粒子融着型導電性被膜を積層して構成されていることを特徴とする回路基板にある。

本願請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の回路基板において、前記融着型回路パターンは、前記金属微粒子融着型導電性被膜の上に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜を積層して構成されていることを特徴とする回路基板にある。

本願請求項４に記載の発明は、請求項１又は２又は３に記載の回路基板において、前記回路パターンの一部が、前記融着型回路パターンによって形成され、その他の回路パターンが、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを前記絶縁基板に塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜からなる樹脂硬化型回路パターンによって形成されていることを特徴とする回路基板にある。

本願請求項５に記載の発明は、絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、前記回路基板の一部に設けた接続部の表面には、前記回路パターンに連結され且つ他の部材に設けた接点に電気的に接続される接点パターンが形成されており、少なくとも前記回路パターンの内の一部の回路パターン及びこれに連結される接点パターンは、銀又は銀化合物又は銅又は銅化合物の微粒子を含有する微粒子含有ペーストを前記絶縁基板に塗布して１４０℃〜２５０℃の加熱温度で加熱することで前記微粒子を互いに融着してなる金属微粒子融着型導電性被膜を有してなる融着型回路パターンによって形成されていることを特徴とする回路基板にある。

本願請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の回路基板において、前記融着型回路パターンは、前記絶縁基板上に導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜の上に、前記金属微粒子融着型導電性被膜を積層して構成されていることを特徴とする回路基板にある。

本願請求項７に記載の発明は、請求項５に記載の回路基板において、前記融着型回路パターンは、前記金属微粒子融着型導電性被膜の上に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜を積層して構成されていることを特徴とする回路基板にある。

本願請求項８に記載の発明は、請求項６又は７に記載の回路基板において、前記融着型回路パターンの内の前記接点パターンを構成している部分の上に、さらにマイグレーション防止用の樹脂硬化型導電性被膜をオーバーコートにて積層したことを特徴とする回路基板にある。

本願請求項９に記載の発明は、請求項１乃至８の内の何れかに記載の回路基板において、
前記絶縁基板は合成樹脂フイルムであり、前記回路基板は前記合成樹脂フイルムの表面に回路パターンを設けてなるフレキシブル回路基板であることを特徴とする回路基板にある。

請求項１に記載の発明によれば、銀又は銅の微粒子（特に平均粒径がナノメータレベルの微細な微粒子）は、低い加熱温度（１４０℃〜２５０℃）により互いに融着して連続した金属の薄い金属微粒子融着型導電性被膜を形成する。このためこの金属微粒子融着型導電性被膜を有してなる回路パターン（融着型回路パターン）は金属銀（又は金属銅）と同程度の低い比抵抗を有するものとなる。従ってパターン幅の細い回路パターンであってもこれに高電流を流すことができる。また高電流を流さない回路パターンにあってはそのパターン幅をさらに細くすることができる。これらのことから回路基板の小型化・集積化が図れる。

また前述のように低い加熱温度で銀又は銅の微粒子が融着するので、回路基板を構成する絶縁基板として、耐熱性の低い絶縁基板を用いることができる。

また銀又は銅の微粒子の粒径は小さいので、金属微粒子融着型導電性被膜の外周辺の境界線部分の凹凸を小さくでき、きわめてファインな境界線を形成することができる。従ってこの金属微粒子融着型導電性被膜のみによって回路パターンを形成した場合は、その分隣接する回路パターン間の離間距離を短くすることができ、さらなる回路基板の小型化が図れる。

一方融着型回路パターンを構成する金属微粒子融着型導電性被膜は金属層なので、半田付けも可能となる（但しこの場合、絶縁基板としてハンダ付けに耐える耐熱性の高い絶縁基板を用いる必要がある）。

請求項２，６に記載の発明によれば、絶縁基板上に設けた樹脂硬化型導電性被膜の上に金属微粒子融着型導電性被膜を積層して融着型回路パターンを構成したので、絶縁基板の材質によっては、この絶縁基板と前記樹脂硬化型導電性被膜との密着性に比べて、この絶縁基板との密着性のあまり良くない金属微粒子融着型導電性被膜を、確実に絶縁基板上に設置することができる。また回路基板として可撓性のあるフレキシブル回路基板を用いた場合は、金属微粒子融着型導電性被膜は樹脂硬化型導電性被膜に比べてフレキシブル回路基板を屈曲させたときにクラックが入り易いが、クラックの入り難い樹脂硬化型導電性被膜を積層することで金属微粒子融着型導電性被膜を補強し、これによってフレキシブル回路基板の屈曲に対して十分対応できるようになる。

請求項３，７に記載の発明によれば、金属微粒子融着型導電性被膜の上に樹脂硬化型導電性被膜を積層して融着型回路パターンを構成したので、絶縁基板の材質によっては、この絶縁基板と前記樹脂硬化型導電性被膜との密着性に比べて、この絶縁基板との密着性のあまり良くない金属微粒子融着型導電性被膜を、その上に樹脂硬化型導電性被膜を積層することで、確実に絶縁基板上に設置することができる。また回路基板としてフレキシブル回路基板を用いた場合は、金属微粒子融着型導電性被膜は樹脂硬化型導電性被膜に比べてフレキシブル回路基板を屈曲させたときにクラックが入り易いが、その上に樹脂硬化型導電性被膜を積層することで補強し、これによってフレキシブル回路基板の屈曲に対して十分対応できるようになる。

請求項４に記載の発明によれば、一枚の回路基板上に、融着型回路パターンと樹脂硬化型回路パターンとを混在させたので、高電流を流す回路パターンと低電流を流す回路パターンとが混在する回路基板であっても、回路パターンの線幅を太くする必要はなく、回路基板の小型化が図れる。

また融着型回路パターンの形成と樹脂硬化型回路パターンの形成とが、何れも微粒子含有ペーストと樹脂含有導電ペーストの塗布・加熱という類似の工程によって形成できるので、高電流を流す回路パターンと低電流を流す回路パターンとが混在する回路基板であっても、製造工程および製造設備が煩雑になることはない。

請求項５に記載の発明によれば、金属微粒子融着型導電性被膜を有してなる回路パターン（融着型回路パターン）は金属銀（又は金属銅）と同程度の低い比抵抗を有するものとなるので、パターン幅の細い回路パターン及びこれに連結される接点パターンにも高電流を流すことができ、また高電流を流さない回路パターン及びこれに連結される接点パターンにあってはそのパターン幅をさらに細くすることができ、これらのことから回路基板の小型化・集積化が図れる。

また銀又は銅の微粒子の粒径は小さいので、金属微粒子融着型導電性被膜の外周辺の境界線部分の凹凸を小さくでき、きわめてファインな境界線を形成することができる。従ってこの金属微粒子融着型導電性被膜のみによって回路パターン及びこれに連結される接点パターンを形成した場合は、その分隣接する回路パターン及びこれに連結される接点パターン間の離間距離を短くすることができ、さらなる回路基板の小型化が図れる。

請求項８に記載の発明によれば、融着型回路パターンの内の接点パターンを構成している部分の上に、さらにマイグレーション防止用の樹脂硬化型導電性被膜をオーバーコートにて積層したので、接近して設置した接点パターン間のマイグレーションを防止できる。またマイグレーションを防止できるから、さらに各接点パターンを接近して形成でき、接続部の小型化が図れる。また接点パターンは樹脂硬化型導電性被膜のオーバーコートにより耐環境性（耐酸化性や耐硫化性）に強くなり、且つその上に他の部材に設けた接点が接触することに対する機械的耐久性も強くなる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態にかかる回路基板（以下この実施形態では「フレキシブル回路基板」という）１０及びこれに取り付ける各種部品を示す斜視図である。同図に示すようにフレキシブル回路基板１０（図１ではフレキシブル回路基板１０の接続部４０よりも左側の部分はその記載を省略している）は、可撓性を有する絶縁性の絶縁基板（以下この実施形態では「合成樹脂フイルム」という）１１の表面に回路パターン２０（２０−１〜７）を設けて構成されている。またフレキシブル回路基板１０の一部（二ヶ所）に設けた接続部３０，４０の表面には、それぞれ前記回路パターン２０（２０−１〜７）に連結される接点パターン２１−１〜５，２３−５〜７が設けられている。以下各構成部分について説明する。

合成樹脂フイルム１１は、可撓性を有する絶縁性の合成樹脂フイルム（厚みは例えば５０〜７５μｍ）であり、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フイルム、ポリフェニレンスルフイド（ＰＰＳ）フイルム、ポリイミド（ＰＩ）フイルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フイルム、ポリエーテルイミドフイルム等によって構成され得るが、本実施形態では耐熱性は低いが安価なＰＥＴフイルムを使用している。合成樹脂フイルム１１の外周の所定部分からは帯状に突出するリード部１３が設けられ、リード部１３の先端部分は下記するコネクタ７０に接続される接続部（以下「第一接続部」という）３０となっている。また合成樹脂フイルム１１の内部の所定位置にも下記する他のフレキシブル回路基板８０の接続部８１に接続されるもう一つの接続部（以下「第二接続部」という）４０が設けられている。

次に回路パターン２０としてこのフレキシブル回路基板１０には、スイッチ回路用の回路パターン２０−１，２０−２と、発光素子用の回路パターン２０−３，２０−４と、第一，第二接続部３０，４０間を連結する回路パターン２０−５と、フレキシブル回路基板１０の図示しない他の部分から接続部４０に引き出される二本の回路パターン２０−６，２０−７とを具備して構成されている。スイッチ回路用の両回路パターン２０−１，２０−２の一方の端部同士は対向して配置され、それぞれの端部には、円形のスイッチ接点部２０−１ａと、スイッチ接点部２０−１ａを囲むＣ字状のスイッチ接点部２０−２ａとが設けられている。また発光素子用の両回路パターン２０−３，２０−４の一方の端部同士は対向して配置され、それぞれの端部には、電極固定ランド部２０−３ａ，２０−４ａが設けられている。また各回路パターン２０−１，２０−２，２０−３，２０−４のもう一方の端部と、回路パターン２０−５の一端は、リード部１３に引き出され、それらの端部は第一接続部３０上で接点パターン２１−１，２，３，４，５となっている。また回路パターン２０−５の第一接続部３０とは反対側の端部と、回路パターン２０−６，２０−７の一端は第二接続部４０に並列に設置された接点パターン２３−５，６，７となっている。つまりフレキシブル回路基板１０の一部に設けた第一，第二接続部３０，４０の表面には、前記回路パターン２０−１〜７に連結され且つ他の部材に設けた接点に電気的に接続される接点パターン２１−１〜５，２３−５〜７が形成されている。

ここで上記回路パターン２０−１〜７の内、回路パターン２０−１，２，７は、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを合成樹脂フイルム１１に塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜からなる樹脂硬化型回路パターンによって形成され、一方回路パターン２０−３，４，５，６は、前記回路パターン２０−１等と同様の樹脂硬化型導電性被膜の上に、銀又は銀化合物又は銅又は銅化合物の微粒子を含有する微粒子含有ペーストを塗布して加熱することで前記微粒子を互いに融着してなる金属微粒子融着型導電性被膜（以下「融着型導電性被膜」という）を積層してなる融着型回路パターンによって形成されている。以下各回路パターン２０−１〜７の構造を、その形成方法と共に説明する。

まず樹脂硬化型回路パターンとなる回路パターン２０−１，２，７の形成には、鱗片状の導電粉（この実施形態では平均粒径１〜５０μｍ程度の銀粒子）を、樹脂バインダー及び有機溶剤に分散して構成される一般の樹脂含有導電ペーストである銀ペーストを用意する。ここで樹脂バインダーとしては例えば熱硬化性の架橋型ウレタン樹脂や、フェノール樹脂等を用いる。そして合成樹脂フイルム１１上にこの樹脂含有導電ペーストを、回路パターン２０−１，２，７（接点パターン２１−１，２，２３−７及びスイッチ接点部２０−１ａ，２ａを含む）の形状に塗布（例えばスクリーン印刷やインクジェット印刷やスプレー印刷等の印刷）し、次に１６０℃程度で加熱・硬化させることで回路パターン２０−１，２，７を形成する。この樹脂硬化型導電性被膜からなる樹脂硬化型回路パターンは、その比抵抗が、１×１０^-4〜４×１０^-5〔Ω・ｃｍ〕程度で比較的大きな抵抗値となるが、回路パターン２０−１，２のようにスイッチ回路用の回路パターン等の場合はこれに流れる電流が数ｍＡ程度なので、抵抗値の大きさはそれほど問題にならない。

次に融着型回路パターンとなる回路パターン２０−３，４，５，６の形成は、以下の工程順序で形成される。
工程１：前記回路パターン２０−１，２，７を形成するのに用いた同一の樹脂含有導電ペーストである銀ペースト、即ち導電粉（この実施形態では平均粒径１〜５０μｍ程度の銀粒子）を樹脂バインダー及び有機溶剤に分散して構成される樹脂含有導電ペーストを前記回路パターン２０−１，２，７の形成と同時に、回路パターン２０−３，４，５，６（接点パターン２１−３，４，５，２３−５，６及び電極固定ランド部２０−３ａ，４ａを含む）の形状に塗布（例えばスクリーン印刷やインクジェット印刷やスプレー印刷等の印刷）し、次に１６０℃程度で加熱硬化させることで回路パターン２０−３，４，５，６の形状の樹脂硬化型導電性被膜を形成する。即ち回路パターン２０−１，２，７の形成と回路パターン２０−３，４，５，６用の樹脂硬化型導電性被膜は同時に同一の工程で形成する。

工程２：次に銀化合物を含有した微粒子含有ペーストとを用意する。微粒子含有ペーストには種々の構成のものがあるが、ここでは、酸化銀微粒子（銀化合物の微粒子）と有機銀化合物と有機溶剤からなる微粒子含有ペーストを用いている。酸化銀微粒子は例えば１６０℃程度の熱で加熱されると酸素を離して銀に戻る。すなわち酸化銀は空気中で熱せられることで自己還元し（２Ａｇ₂Ｏ→４Ａｇ＋Ｏ₂）、酸素が分離して金属銀微粒子が形成される。一方所定の化学構造の有機銀化合物に熱を加えることで熱分解すれば、その有機分は揮散し、金属銀微粒子が析出する。このとき析出する銀微粒子は活性である（Ｒ−Ａｇ→Ａｇ＋Ｒ１↑＋Ｒ２↑＋…）。また有機溶剤は加熱によって揮発する。そこでこの実施形態に用いる微粒子含有ペーストとして、１４０〜２００℃以下で分解する特定の分子構造の有機銀化合物を用い、この有機銀化合物と前記酸化銀微粒子とを併用して配合したものを用いた。この微粒子含有ペーストを絶縁基板にスクリーン印刷して１４０〜２００℃程度で加熱すれば、酸化銀微粒子から酸素が分離して金属銀微粒子が発生し、次に隣接している前記金属銀微粒子同士が、有機銀化合物からの活性な析出銀微粒子によって融着されることにより、最終的に緻密な導電性の高い連続した銀膜が生成できる。ここで１４０〜２００℃以下で分解する有機銀化合物としては、例えば三級脂肪酸銀塩が好適である。なおこのような微粒子含有ペーストとしては、例えば特開２００３−２０３５２２号公報や特開２００３−３０９３７５号公報等に記載のペーストがある。

なお前記酸化銀微粒子の平均粒径は５００ｎｍ以下が好ましいが、還元剤等を添加することでこれよりも大きな粒径とすることも可能である。三級脂肪酸銀塩とは総炭素数が５〜３０の三級脂肪酸の銀塩であり、滑剤的な役割を果たし、酸化銀微粒子と三級脂肪酸銀塩とを混練してペースト状にする際に酸化銀微粒子を粉砕して微粒子化を促進するとともに、酸化銀微粒子の周囲に存在して酸化銀微粒子の再凝集を抑制し、分散性を向上させるものであり、同時に加熱時には銀を析出し、酸化銀微粒子から還元して生成する銀微粒子同士を融着させるものである。このような三級脂肪酸銀塩の具体例としては、ピバリン酸銀、ネオヘプタン酸銀、ネオノナン酸銀、ネオデカン酸銀等がある。

なおこの実施形態では粒子状銀化合物として酸化銀（酸化第１銀、酸化第２銀）の微粒子を用いたが、その代りに炭酸銀、酢酸銀等、又はこれらの混合物の微粒子を用いても良い。またこの粒子状銀化合物に還元剤を添加すれば、平均粒径が５００ｎｍ以上の比較的大きな微粒子であっても還元がスムーズに行えるようになり、その利用が容易に行えるようになる。

また有機溶剤としては、イソホロン、テルピネオール、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、ブチルセロソルブアセテートなどがある。

そして工程１で形成された回路パターン２０−３，４，５，６の形状を有する前記樹脂硬化型導電性被膜の上に、上記微粒子含有ペーストを、積層するように塗布（例えばスクリーン印刷やインクジェット印刷やスプレー印刷等の印刷）して加熱すれば、融着型導電性被膜が積層形成される。加熱温度は微粒子含有ペーストの材質に応じて１４０℃〜２５０℃とし、加熱時間は１０秒〜１２０分程度とする。以上により回路パターン２０−３，４，５，６は、合成樹脂フイルム１１上に導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜の上に、銀化合物の微粒子を含有する微粒子含有ペーストを塗布して加熱することで前記微粒子を金属銀微粒子に還元した上で互いに融着してなる融着型導電性被膜を積層することで構成される融着型回路パターンが形成されたことになる。更に少なくとも回路パターン２０−１〜７の内の一部の回路パターン２０−３，４，５，６及びこれに連結される接点パターン２１−３，４，５，２３−５，６は、銀化合物の微粒子を含有する微粒子含有ペーストを樹脂硬化型導電性被膜の上に塗布して１４０℃〜２５０℃の加熱温度で加熱することで前記微粒子を互いに融着してなる金属微粒子融着型導電性被膜を積層してなる融着型回路パターンによって形成されている。

上記融着型導電性被膜は、金属銀微粒子が互いに融着して連続している金属銀の塗膜なので、その比抵抗は３〜８×１０^-6〔Ω・ｃｍ〕程度と小さく、金属銀と同じオーダーになる。なお前記加熱時間を長くすればするほど、また加熱温度を高くすればするほど比抵抗は小さくなり、また密着性もより良好になる。従来の鱗片状の銀粒子（平均粒径１〜５０μｍ程度）を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを用いて形成した樹脂硬化型導電性被膜の場合は、前述のようにその比抵抗が、１×１０^-4〜４×１０^-5〔Ω・ｃｍ〕程度なのに対して、非常に小さい比抵抗となる。従って融着型導電性被膜と樹脂硬化型導電性被膜とを積層してなる融着型回路パターンは、金属銀に近い比抵抗を有し、従って数十ｍＡの高電流を流すような回路パターン２０−３，４，５，６であっても、その線幅を太くしたり、その厚みを厚くしたりすることなく、他の回路パターン２０−１，２，７と同じような線幅と厚みに形成することができる。また１４０℃〜２５０℃程度の低い温度による加熱で済むので、合成樹脂フイルム１１として熱に弱い材質（ＰＥＴ等）のフイルムを使用することができる。

なおこの実施形態において、融着型回路パターンを、合成樹脂フイルム１１上に設けた樹脂硬化型導電性被膜の上に融着型導電性被膜を積層して構成したのは以下の理由による。即ち合成樹脂フイルム１１と融着型導電性被膜の密着性は、両者の相性によっては、合成樹脂フイルム１１と樹脂硬化型導電性被膜との密着性に比べて、あまり良くない場合がある。そこで融着型導電性被膜を確実に合成樹脂フイルム１１上に設置するため、両者に対して密着性の優れている樹脂硬化型導電性被膜を介在したのである。また融着型導電性被膜は樹脂硬化型導電性被膜に比べて合成樹脂フイルム１１を屈曲させたときにクラックが入り易いが、クラックの入り難い柔軟性のある樹脂硬化型導電性被膜を積層することで融着型導電性被膜を補強し、これによって合成樹脂フイルム１１の屈曲に対して十分対応できるようにするためでもある。

またこの実施形態のように、一枚のフレキシブル回路基板１０上に、融着型回路パターン２０−３，４，５，６と樹脂硬化型回路パターン２０−１，２，７とを混在させたので、高電流を流す回路パターンと低電流しか流さない回路パターンとが混在するフレキシブル回路基板であっても、回路パターンの線幅を太くする必要はなく、フレキシブル回路基板１０の小型化が図れる。また融着型回路パターン２０−３，４，５，６と樹脂硬化型回路パターン２０−１，２，７は、何れも微粒子含有ペースト又は樹脂含有導電ペーストの塗布・加熱という類似の工程によって形成できるので、高電流を流す回路パターンと低電流を流す回路パターンとが混在するフレキシブル回路基板であっても、製造工程及び製造設備の簡素化が図れる。

次に以上のようにして各種回路パターン２０−１〜７を形成した合成樹脂フイルム１１の前記スイッチ接点部２０−１ａ，２０−２ａと、電極固定ランド部２０−３ａ，２０−４ａと、接続部３０，４０の部分を除く表面全体を覆うように、絶縁塗料を印刷・乾燥することで、絶縁部材５０（図１には図示せず。図２，図３参照）を被覆・形成する。この絶縁塗料としては例えば紫外線硬化型の樹脂を用い、２０μｍ程度の膜厚で塗布・硬化する。なお絶縁部材５０は絶縁フイルム（例えば厚み２５μｍのＰＥＴフイルムを厚み５〜１０μｍの接着剤で接着する）で構成しても良い。そして前記接続部３０を構成する合成樹脂フイルム１１の裏面側に矩形状の板材（例えば厚み２００μｍ程度のＰＥＴフイルムを厚み１０μｍ程度の接着剤で接着する）からなる補強部材５５を貼り付ければ、フレキシブル回路基板１０が完成する。なお補強部材５５は合成樹脂を塗布すること（例えば紫外線硬化型の樹脂を２００μｍ程度の膜厚で塗布・硬化すること）で構成しても良いし、省略しても良い。

そして以上のようにして完成したフレキシブル回路基板１０のスイッチ接点部２０−１ａ，２０−２ａの真上に、弾性金属板をその中央が上方向に凸となるように湾曲変形してなる反転板６０を載置し、図示しない接着テープ等によって固定し、またフレキシブル回路基板１０の電極固定ランド部２０−３ａ，２０−４ａ上に発光素子６５を載置して発光素子６５の両端に設けた電極部６５ａ，６５ｂをそれぞれこれら電極固定ランド部２０−３ａ，２０−４ａに導電性接着剤や図示しない機械的各種固定手段によって取り付ける。さらにこのフレキシブル回路基板１０の接続部３０には他の部材であるコネクタ７０が、接続部４０には他の部材であるフレキシブル回路基板８０の接続部８１が接続される。

ここで図２は接続部３０とコネクタ７０とを示す斜視図である。同図に示すように接続部３０には前記接点パターン２１−１，２，３，４，５が設けられており、接点パターン２１−１〜５以外の回路パターン２０−１〜５上には前記絶縁部材５０が被覆され、また前述のように接続部３０の裏面側には補強部材５５が設けられている。一方コネクタ７０は、合成樹脂製のケース７１の一側面に設けた挿入部７３の内部に、前記接点パターン２１−１〜５と同一本数・同一ピッチの金属板からなる接点部材７５を並列に配置して構成されている。各接点部材７５はその一端側に設けた一対のアーム部７７，７７の先端部に接点７８を設けると共に、その他端側をケース７１の外部に突出して端子部７９としている。端子部７９はこのコネクタ７０を載置する別の基板の端子パターンに接続される。

そしてこのコネクタ７０の挿入部７３にフレキシブル回路基板１０の接続部３０を挿入すると、接続部３０に設けた各接点パターン２１−１〜５に接点７８が弾接して両者間が電気的に導通する。このとき接点パターン２１−３，４，５は前述のようにその比抵抗が小さく、且つ小型化によって接点パターン２１−３，４，５と接点７８との接触面積が小さく、また接点７８の接点パターン２１−３，４，５に対する弾接力が弱くても、両者間の接触抵抗値を小さくできる。従ってこれら接点パターン２１−３，４，５に高電流を流すことができ、機能部品の不都合（その回路パターンにＬＥＤを設置している場合、その回路パターンに数１０ｍＡ程度の高電流を流す必要があるが、接触抵抗値が大きいとＬＥＤの発光が阻害されたりする）は生じない。なお接続部３０に接続するコネクタの形状、構造に種々の変更が可能であることは言うまでもない。

なおこの実施形態においては、前記各接点パターン２１−１〜５の上に、マイグレーション防止用（及び耐摺動性を高めるため）のオーバーコート層を積層している。このオーバーコート層は、樹脂バインダーにカーボン粉を混練してなる導電ペースト（以下「カーボンペースト」という）、或いは樹脂バインダーに金属粒子の表面に他の金属を被覆してなる金属粉（以下「被覆金属粉」という）を混練してなる導電ペースト（以下「被覆金属粉ペースト」という）を各接点パターン２１−１〜５上に塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜によって構成されている。オーバーコート層の厚みは例えば１０〜１５μｍとする。樹脂バインダーとしては、例えばフェノール樹脂、ウレタン樹脂等を用いる。被覆金属粉は、非貴金属である例えばニッケル粉又は銅粉又はアルミニウム粉又は鉄粉の表面に、貴金属である金又はパラジウム等を被覆して構成されている。このように非貴金属粉を貴金属で被覆してなる導電性粉末（例えばニッケル粉に金又はパラジウムを被覆してなる導電性粉末）を用いた導電ペーストからなる被膜は高導電性で耐マイグレーション性に優れている（例えば特開平８−３３５４０６号公報参照）。特に耐マイグレーション性と耐摺動性があるオーバーコート層を、融着型導電性被膜を用いた接点パターン２１−３〜５上にオーバーコートしているので、接点パターン２１−３〜５によってその抵抗値が格段に低下された上で、さらに耐マイグレーション性及び機械的耐久性（耐摺動性）及び耐環境性（耐酸化性や耐硫化性）にも強くなる。そしてマイグレーションが防止できる分各接点パターン２１−１〜５を接近して形成でき、接続部３０の小型化が図れる。

次に図３はフレキシブル回路基板１０の接続部４０に他のフレキシブル回路基板８０の接続部８１を機械的固定手段によって接続する構造の要部分解斜視図である（図３ではフレキシブル回路基板１０の接続部４０の部分のみと、フレキシブル回路基板８０の接続部８１の部分のみと、機械的固定手段である弾発手段１００，ケース１１０，固定板１２０とが示されている）。同図に示すようにフレキシブル回路基板１０の接続部４０には、前記三本の接点パターン２３−５，６，７が並列に露出している。また接点パターン２３−５，６，７を設けた部分の両側部には貫通する小孔からなる係止部２５，２５が設けられている。前述のように接点パターン２３−５，６，７の部分を除く合成樹脂フイルム１１の表面は絶縁部材５０によって覆われている。

一方フレキシブル回路基板８０は可撓性を有する絶縁性の合成樹脂フイルム９１の表面（図では下面）に、複数本の並列に設置された露出する細長帯状の接点パターン８３−１，２，３と、各接点パターン８３−１，２，３に連結する細長帯状の回路パターン８５−１，２，３とを設け、接点パターン８３−１，２，３の部分を除く合成樹脂フイルム９１の表面（図では下面）上を絶縁部材８７（絶縁部材５０と同様の構成）で覆うとともに、接点パターン８３−１，２，３を設けた部分の両側部に貫通する小孔からなる係止部８９，８９を設けて構成されている。

そしてこの実施形態の合成樹脂フイルム９１は、耐熱性のある合成樹脂フイルムであるＰＩフイルム（厚み８０μｍ）で構成され、また複数本の接点パターン８３−１，２，３と回路パターン８５−１，２，３は合成樹脂フイルム９１の表面に貼り付けた銅箔をエッチング処理することで形成されており、その厚みは１８μｍ程度である。接点パターン８３−１，２，３は、合成樹脂フイルム９１の内部（外周部分でない部分）に設けられている。

そしてこれら接続部４０，８１同士を接続するには、フレキシブル回路基板１０の接点パターン２３−５，６，７と、フレキシブル回路基板８０の接点パターン８３−１，２，３とを対向させて積層し、フレキシブル回路基板１０の接点パターン２３−５，６，７を設けた面の反対面側に設置した弾性金属板製の弾発手段１００を収納する収納部１１１を有する金属板製のケース１１０と、フレキシブル回路基板８０の接点パターン８３−１，２，３を設けた面の反対面側に設置した金属板製の固定板１２０とを、ケース１１０の両端に設けた舌片状の係止片１１３，１１３をフレキシブル回路基板１０，８０の係止部２５，２５，８９，８９に挿入した後、固定板１２０の両端に設けた凹状の係合部１２１，１２１に挿入してその先端側の部分を固定板１２０の表面に折り曲げて一体化する。これによって弾発手段１００の一辺から突出して略Ｕ字状に折り曲げられた先端にある複数の弾発部１０１の各々がフレキシブル回路基板１０の接続部４０の反対面側を接続部８１側に向けて弾発し、これにより各接点パターン２３−５，６，７及び接点パターン８３−１，２，３間が圧接され、電気的に接続される。なおこの実施形態では弾発手段１００として弾性金属板を用いているが、その代わりに弾性を有するラバー（ゴム）部材を用いても良い。

このとき接点パターン２３−５，６，７の内の、融着型回路パターンからなる接点パターン２３−５，６は前述のようにその抵抗値が小さく、且つこれらに接続される接点パターン８３−１，２は銅箔なので元々その抵抗値が小さいので、例え小型化によって接点パターン２３−５，６と接点パターン８３−１，２との接触面積が小さく、また弾発部１０１による弾発力が弱くても、両者間の接触抵抗値を小さくでき、このため回路パターン２０−５，６と回路パターン８５−１，２間を流れる電流を例えば数十ｍＡ程度の高電流とすることができ、部品の不都合（その回路パターンにＬＥＤを設置している場合、その回路パターンに数１０ｍＡ程度の電流を流す必要があるが、接触抵抗値が大きいとＬＥＤの発光が阻害されたりする）は生じない。

またこの接点パターン２３−５，６，７においても、接点パターン２１−１〜５と同様に、接点パターン２３−５，６，７の表面に、前述した樹脂バインダーにカーボン粉が混練しているカーボンペースト、或いは前述した樹脂バインダーに金属粒子の表面に他の金属を被覆してなる被覆金属粉を混練してなる被覆金属粉ペーストを塗布して硬化させてなるマイグレーション防止用の樹脂硬化型導電性被膜（オーバーコート層）をオーバーコートにて積層しても良い。

即ちこの接続部４０，８１においては、少なくとも融着型回路パターンからなる接点パターン２３−５，６を設けてなるフレキシブル回路基板１０と、金属箔からなる接点パターン８３−１，２を設けてなるフレキシブル回路基板８０とを具備し、両フレキシブル回路基板１０，８０を、両者の接点パターン２３−５，６及び８３−１，２同士が導通するように重ね合わせ、弾発手段１００及びケース１１０及び固定板１２０によって構成される接続手段（圧接接続手段）にて接続一体化されるように構成されている。

ところで前述のように本実施形態においては、フレキシブル回路基板１０の接点パターン２３−５，６，７及びフレキシブル回路基板８０の接点パターン８３−１，２，３を、何れもフレキシブル回路基板１０，８０の内部（外周部分でない部分）に設けている。即ち接続部４０，８１をフレキシブル回路基板１０，８０の内部（各種回路パターンを設けた面の内部）に設けることとしているが、これは以下の理由による。即ち従来一般に基板間を接続する場合、両基板の外周端部まで接点パターンを引き出し、この端部において導電性接着剤等の接続手段によって両接点パターン間を接続していた。しかしながら基板上に形成する各種回路パターンの集積化が進んで多数の回路パターンを小さい寸法形状の基板中に設ける場合、わざわざ基板の何れかの外周端部に接点パターンを集めることは困難となってきていた。即ち多数の電子部品を取り付けたフレキシブル回路基板を電子機器内部に収納し、その際フレキシブル回路基板を電子機器内部に屈曲などさせた複雑な取付状態とするが、そのようなフレキシブル回路基板においてわざわざ接点パターンを基板の外周端部にまで引き出して設けることは困難となってきていた。そこでこの実施形態においては上述のように接続部４０，８１をフレキシブル回路基板１０，８０の内部の位置に各種回路パターンに割り込んで設置し、これによってフレキシブル回路基板１０，８０の小型化や構造の複雑化に対応できるようにしたのである。なお接点パターンをフレキシブル回路基板の内部に設けるのは、何れか一方のフレキシブル回路基板（１０又は８０）であってもよい。

またこの実施形態では、弾発手段１００をフレキシブル回路基板１０の背面側に設置してフレキシブル回路基板１０をフレキシブル回路基板８０側に押し付けることで、両フレキシブル回路基板１０，８０に設けた接点パターン２３−５，６，７及び８３−１，２，３間を圧接接続するように構成しているが、このようにフレキシブル回路基板１０側を弾発したのは以下の理由による。即ち前述のようにフレキシブル回路基板１０はＰＥＴ製であってその厚みが７５μｍ程度で薄いばかりか、その表面に形成される接点パターン２３−５，６，７は柔軟性のある金属微粒子融着型導電性被膜及び／又は樹脂硬化型導電性被膜である。一方フレキシブル回路基板８０はＰＩ製であってその厚みは８０μｍ程度と薄いのではあるが、その表面に形成される接点パターン８３−１，２，３は銅箔であって前記接点パターン２３−５，６，７に比べて硬度が高いので、全体としてフレキシブル回路基板８０はフレキシブル回路基板１０よりも硬くて柔軟性がない。そこで、より柔軟性のあるフレキシブル回路基板１０側を弾発手段１００の弾発部１０１によって弾発することで、軟らかいフレキシブル回路基板１０を変形させてフレキシブル回路基板８０に弾接させ、これによって両者間の接続が確実となるようにしたのである。

更にこの実施形態においてフレキシブル回路基板８０の合成樹脂フイルム９１として耐熱性のあるＰＩフイルムを用いたのは、このフレキシブル回路基板８０には半田付けが必要だからであり、従って半田付けの必要のないフレキシブル回路基板１０の合成樹脂フイルム１１としては安価なＰＥＴフイルムを用いている。言い換えれば、半田付けの必要な部分だけ高価な耐熱性のあるフレキシブル回路基板８０を用いると共に、半田付けの必要のない部分については安価なフレキシブル回路基板１０を用いて両者を接続し、半田付けの必要な電子部品を取り付けるフレキシブル回路基板全体のコストをできるだけ安価に構成するようにしている。しかも両フレキシブル回路基板１０，８０の接点パターン２３−５，６，７及び８３−１，２，３間の圧接接続を上記圧接接続手段を用いて行ったので、その接続が確実に行える。

ところで上記実施形態ではフレキシブル回路基板８０に半田付けを行うために回路パターンとして金属箔を用いたが、この実施形態に用いた融着型回路パターンのように、その上面に融着型導電性被膜が露出しているタイプの融着型回路パターンの場合、融着型導電性被膜は金属層そのものなので半田付けが可能である。そこで前記半田付けを行う回路パターンとして金属箔の代りに回路パターン２０−５，６のように融着型導電性被膜が露出しているタイプの融着型回路パターンを用いても良い。このとき半田付けしない回路パターンについては通常の樹脂含有導電ペーストを塗布してなる樹脂硬化型回路パターンによって形成すれば良い。

なお上記実施形態では、フレキシブル回路基板８０に半田付けを行うために合成樹脂フイルム９１としてＰＩフイルムを用いたが、半田付けを必要としない場合は、合成樹脂フイルム９１としてＰＥＴフイルムなどの半田付けに対する耐熱性を有しない材料を用いても良い。この場合、回路パターンとして、フレキシブル回路基板１０の回路パターンと同様に、融着型回路パターンと樹脂硬化型回路パターンとを混在させて設けても良い。

なお上記実施形態では、銀化合物の微粒子である酸化銀微粒子を還元した銀微粒子を互いに融着してなる融着型導電性被膜を有してなる融着型回路パターンを形成したが、銀化合物の代わりに銅化合物を用いても良い。即ち融着型回路パターンは、銅化合物の微粒子を還元した銅微粒子を互いに融着してなる融着型導電性被膜を有するように形成しても良い。銅の金属微粒子を用いて形成される融着型回路パターンの場合も、前記銀の金属微粒子によって形成される融着型回路パターンの場合と同様に、その比抵抗は、金属銅自体の比抵抗に近い値となり、細い融着型回路パターンであっても高電流を流すことが可能となる。また１４０〜２５０℃程度の低い温度による加熱で済むので、熱に弱い材質（ＰＥＴ等）からなる合成樹脂フイルムを使用することができる。

以上本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において例えば以下のような種々の変形が可能である。なお直接明細書及び図面に記載のない何れの形状・構造・材質であっても、本願発明の作用・効果を奏する以上、本願発明の技術的思想の範囲内である。
（１）上記実施形態では、融着型回路パターンを、合成樹脂フイルム１１上に設けた樹脂硬化型導電性被膜の上に融着型導電性被膜を積層して構成したが、その逆に合成樹脂フイルム１１上に設けた融着型導電性被膜の上に樹脂硬化型導電性被膜を積層して構成してもよい。このように構成しても、合成樹脂フイルム１１と樹脂硬化型導電性被膜との密着性に比べて、その材質によってはこの合成樹脂フイルム１１との密着性のあまり良くない融着型導電性被膜を、その上に樹脂硬化型導電性被膜を積層することで、確実に合成樹脂フイルム１１上に設置することができる。また融着型導電性被膜は樹脂硬化型導電性被膜に比べて合成樹脂フイルム１１を屈曲させたときにクラックが入り易いが、その上に樹脂硬化型導電性被膜を積層することで補強し、これによって合成樹脂フイルム１１の屈曲に対して十分対応できるようになる。

（２）上記実施形態では、融着型回路パターンを、樹脂硬化型導電性被膜と融着型導電性被膜とを積層することで構成したが、合成樹脂フイルム１１と融着型導電性被膜との密着性が良い場合は、樹脂硬化型導電性被膜を省略して融着型導電性被膜のみによって融着型回路パターンを構成しても良い。融着型導電性被膜のみによって融着型回路パターンを構成した場合、金属微粒子の粒径は小さいので、融着型回路パターンの外周辺の境界線部分の金属微粒子による凹凸を微細にでき（言い換えればスクリーン印刷時のスクリーンのメッシュを金属微粒子の粒径に合わせて微細にできるので）、きわめてファインな境界線を形成することができる。従ってこの融着型導電性被膜のみによって融着型回路パターンを形成した場合は、その分隣接する融着型回路パターン間の離間距離を短くすることができ、さらなるフレキシブル回路基板の小型化が図れる。

（３）また例えばフレキシブル回路基板の接続部を除く回路パターンの部分については樹脂硬化型導電性被膜と融着型導電性被膜とを積層した構造とし、一方接続部の接点パターンについては融着型導電性被膜のみの構造としてもよい。このように構成すれば、可撓性が必要な回路パターンについては合成樹脂フイルムへの密着性がよい樹脂硬化型導電性被膜と融着型導電性被膜との積層構造とし、可撓性はそれほど必要ない（補強部材５５や固定板１２０によって固定される）が隣接するパターン間のピッチを小さくして小型化したい接点パターンについてはパターンの外周辺のファイン化ができて前記ピッチを小さくできる融着型導電性被膜のみの構造とすることができる。

（４）上記実施形態では融着型導電性被膜として、粒子状の銀化合物（酸化銀微粒子等）と有機銀化合物と有機溶剤からなる微粒子含有ペーストを合成樹脂フイルム１１に塗布して加熱することで構成しているが、本発明に用いることができる微粒子含有ペーストはこの例に限定されず、種々の変更が可能である。例えば酸化銀微粒子を用いず、有機銀化合物又は有機銅化合物と有機溶剤からなるペーストでもよい。また金属銀又は金属銅の微粒子を分散したものでも良い。即ち例えば微粒子含有ペーストとして、特開２００２−２９９８３３号公報で記載されているように、平均粒径が１〜１００ｎｍである金属（銀及び／又は銅）微粒子が、その表面を、当該金属微粒子に含まれる金属元素と配位可能な有機化合物で被覆されて、液体中に安定に分散した２５０℃以下の温度で燒結するペースト組成物（微粒子含有ペースト）を用い、この微粒子含有ペーストを合成樹脂フイルム上に塗布して１４０℃〜２５０℃で加熱して前記金属微粒子を互いに融着することで金属微粒子融着型導電性被膜を形成しても良い。即ちこの例では、酸化銀微粒子を還元するのではなく、金属銀（銅）微粒子自体を分散したペーストを用いている。平均粒径が１〜１００ｎｍの銀及び／又は銅の微細な金属微粒子（ナノ粒子）は、上記実施形態と同様に、低い加熱温度により容易に溶融し、互いに融着して連続した金属の薄い金属微粒子融着型導電性被膜を形成する。加熱時間は１０秒〜１２０分程度とする。このようにして形成された金属微粒子融着型導電性被膜も、その比抵抗は７×１０^-6〔Ω・ｃｍ〕程度（金属銀微粒子の場合）と、金属銀（銅）と同じレベルで小さい。またこの例以外にも各種の微粒子含有ペーストが提案されており、本発明はその何れの微粒子含有ペーストを用いても良い。即ち要は、銀又は銀化合物又は銅又は銅化合物の微粒子を含有し、絶縁基板に塗布して１４０℃〜２５０℃の加熱温度で加熱することで前記微粒子が互いに融着して金属微粒子融着型導電性被膜を形成することができる微粒子含有ペーストであれば、どのような組成からなる微粒子含有ペーストであってもよい。

（５）例えば上記実施形態では金属微粒子融着型導電性被膜を銀又は銀化合物又は銅又は銅化合物の微粒子を単独で融着することで形成しているが、金属微粒子融着型導電性被膜は、これらの微粒子を混合したものを融着することで形成しても良い。また本発明を他の各種形状・構造のフレキシブル回路基板に適用しても良いことはいうまでもない。

（６）上記実施形態の接続部３０は、複数本の接点パターン２１−１，２，３，４，５が並列に相互に接近して設置されているので、銀マイグレーションを生じ易い。そこで上記実施形態ではこれら接点パターン２１−１，２，３，４，５の上に、カーボンペースト又は被覆金属粉ペーストを塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜をマイグレーション防止用としてオーバーコートしている。そしてさらにマイグレーションを防止するために、前記樹脂硬化型導電性被膜のオーバーコートと共に、又は前記樹脂硬化型導電性被膜のオーバーコートの代りに、図４に示すように、接続部３０上の複数本の接点パターン２１−１，２，３，４，５の間をスリット３７で仕切るように構成しても良い。スリット３７は合成樹脂フイルム１１のみを貫通するように設けても良いし、合成樹脂フイルム１１と補強部材５５の両者を貫通するように設けても良い。またスリットは前記合成樹脂フイルム１１の各接点パターン２３−５，６，７の間に設けても良い。

（７）上記実施形態では微粒子含有ペーストを合成樹脂フイルムに塗布して１４０℃〜２５０℃の加熱温度で加熱することで金属微粒子融着型導電性被膜を有してなる融着型回路パターンを形成したが、その代りに、前記融着型回路パターンを一旦転写部材に形成し、次にこの転写部材に形成した融着型回路パターン上に合成樹脂フイルムを当接することで前記融着型回路パターンを転写部材から合成樹脂フイルムに転写し、これによって合成樹脂フイルムの表面に融着型回路パターンを設けてなる回路基板を構成してもよい。

（８）上記実施形態では、絶縁基板として可撓性を有する合成樹脂フイルム１１を用い、この合成樹脂フイルム１１の表面に回路パターン２０−１〜７を設けてフレキシブル回路基板１０を構成したが、本発明はフレキシブル回路基板１０に限らず、セラミック，ガラス等の絶縁硬質基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板であっても良く、また導電性の金属基板の表面又は絶縁基板の表面に薄い層からなる絶縁層を印刷手法又はスパッタリング手法等によって被覆して構成される絶縁基板の該絶縁層表面に回路パターンを設けてなる回路基板であっても良い。

（９）上記実施形態では絶縁基板の形状として薄板状の絶縁基板を用いたが、本発明に用いることができる絶縁基板の形状は上記形状の絶縁基板に限られず、塊状、円筒状等の立体形状の絶縁基板であってもよい。即ち塊状、円筒状等の立体形状の絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板であっても良い。

本発明の一実施形態にかかるフレキシブル回路基板１０及びこれに取り付ける各種部品を示す斜視図である。接続部３０とコネクタ７０を示す斜視図である。フレキシブル回路基板１０の接続部４０に他のフレキシブル回路基板８０の接続部８１を機械的固定手段によって接続する構造の分解斜視図である。他の実施形態にかかる接続部３０を示す要部斜視図である。

符号の説明

１０フレキシブル回路基板（回路基板）
１１合成樹脂フイルム（絶縁基板）
１３リード部
２０（２０−１〜７）回路パターン
２０−１ａ，２０−２ａスイッチ接点部
２０−３ａ，２０−４ａ電極固定ランド部
２１（２１−１〜５）接点パターン
２３（２３−５〜７）接点パターン
３０接続部
３７スリット
４０接続部
５０絶縁部材
５５補強部材
６０反転板
６５発光素子
７０コネクタ
７１ケース
７３挿入部
７５接点部材
７８接点
８０他のフレキシブル回路基板
８１接続部
８３−１，２，３接点パターン
８５−１，２，３回路パターン
８７絶縁部材
９１合成樹脂フイルム
１００弾発手段
１１０ケース
１２０固定板

Claims

絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、
前記回路パターンの内の少なくとも一部の回路パターンは、銀又は銀化合物又は銅又は銅化合物の微粒子を含有する微粒子含有ペーストを１４０℃〜２５０℃の加熱温度で加熱することで前記微粒子を互いに融着してなる金属微粒子融着型導電性被膜を有してなる融着型回路パターンによって形成されていることを特徴とする回路基板。
請求項１に記載の回路基板において、
前記融着型回路パターンは、前記絶縁基板上に導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜の上に、前記金属微粒子融着型導電性被膜を積層して構成されていることを特徴とする回路基板。
請求項１に記載の回路基板において、
前記融着型回路パターンは、前記金属微粒子融着型導電性被膜の上に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜を積層して構成されていることを特徴とする回路基板。
請求項１又は２又は３に記載の回路基板において、
前記回路パターンの一部が、前記融着型回路パターンによって形成され、
その他の回路パターンが、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを前記絶縁基板に塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜からなる樹脂硬化型回路パターンによって形成されていることを特徴とする回路基板。
絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、
前記回路基板の一部に設けた接続部の表面には、前記回路パターンに連結され且つ他の部材に設けた接点に電気的に接続される接点パターンが形成されており、
少なくとも前記回路パターンの内の一部の回路パターン及びこれに連結される接点パターンは、銀又は銀化合物又は銅又は銅化合物の微粒子を含有する微粒子含有ペーストを前記絶縁基板に塗布して１４０℃〜２５０℃の加熱温度で加熱することで前記微粒子を互いに融着してなる金属微粒子融着型導電性被膜を有してなる融着型回路パターンによって形成されていることを特徴とする回路基板。
請求項５に記載の回路基板において、
前記融着型回路パターンは、前記絶縁基板上に導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜の上に、前記金属微粒子融着型導電性被膜を積層して構成されていることを特徴とする回路基板。
請求項５に記載の回路基板において、
前記融着型回路パターンは、前記金属微粒子融着型導電性被膜の上に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布して硬化させてなる樹脂硬化型導電性被膜を積層して構成されていることを特徴とする回路基板。
請求項６又は７に記載の回路基板において、
前記融着型回路パターンの内の前記接点パターンを構成している部分の上に、さらにマイグレーション防止用の樹脂硬化型導電性被膜をオーバーコートにて積層したことを特徴とする回路基板。
請求項１乃至８の内の何れかに記載の回路基板において、
前記絶縁基板は合成樹脂フイルムであり、
前記回路基板は前記合成樹脂フイルムの表面に回路パターンを設けてなるフレキシブル回路基板であることを特徴とする回路基板。