JP2006066678A - 半導体製造装置、半導体製造装置のメンテナンス方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】上部電極と下部電極の間隔を直接かつ精度よく測定できるようにする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置のメンテナンス方法は、上部電極１２と下部電極２０とを対向させる工程と、下部電極２０に出没可能に設けられた突出部２２ｂを上部電極１２に向けて突出させて、該突出部２２ｂを上部電極１２に当接させ、該突出部２２ｂの突出量を測定することにより、上部電極１２と下部電極２０の間隔を測定する工程と、を具備する。上部電極１２と下部電極２０とを対向させる工程と、上部電極１２と下部電極２０の間隔を測定する工程との間に、突出部２２ｂが下部電極２０に没している状態で、下部電極２０上に半導体基板１を載置する工程と、半導体基板１に突出部２２ｂを当接させることにより、間隔を測定するときの基準点を設定する工程とを具備してもよい。
【選択図】 図３

Description

本発明は、半導体製造装置、半導体製造装置のメンテナンス方法、及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、上部電極と下部電極の間隔を直接かつ精度よく測定することができ、また、短時間で基準に合わせることができる半導体製造装置、半導体製造装置のメンテナンス方法、及び半導体装置の製造方法に関する。

図５は、従来の半導体製造装置の構成を説明するための断面概略図である。本図に示す半導体製造装置は、平行平板型のエッチング装置であり、上部電極ユニット及び下部電極１２０を有する。上部電極ユニットは、高周波が入力される上部ユニット１１０と、上部電極１１２と、上部電極１１２を上部ユニット１１０に固定するための電極クランプリング１１４を有している。下部電極１２０は、上部電極１１２と対向する位置に配置されており、また、上部電極１１２と表面同士が平行になっている。

これらの各部品は、真空容器（図示せず）の中に収容されている。また、真空容器の外部には、制御部（図示せず）が設けられている。この制御部は、上部電極と下部電極の間隔の設定値が入力されると、上部電極と下部電極の間隔が設定値に一致するように上部電極ユニットを移動させる。

この半導体製造装置が半導体基板を処理するときには、上部電極１１２に高周波が入力され、上部電極１１２と下部電極１２０の間にプラズマが発生する。このプラズマを所定の密度かつ均一にするためには、上部電極１１２と下部電極１２０の間隔を所定の値にし、かつ、上部電極１１２と下部電極１２０を平行にする必要がある。

一方、半導体装置は定期的にメンテナンスされる。このメンテナンス時に、上部電極１１２は、上部ユニット１１０から取り外され、堆積物を除去するためのクリーニングが行われ、その後、上部ユニット１１０に再び固定される。このため、メンテナンス後には、上部電極１１２と下部電極１２０の間隔は、制御部が制御しようとした値になるとは限らない。また、上部電極１１２と下部電極１２０が互いに平行であるとも限らない。

従って、メンテナンス後には、上部電極１１２と下部電極１２０の間隔を測定し、その測定値が、制御部が制御しようとした値になっていることを確認し、かつ、上部電極１１２と下部電極１２０が平行であることを確認する必要がある。従来は、図５に示すように、複数の間隔測定治具１３０を用いて、上部電極１１２と下部電極１２０の間隔を測定していた。

間隔測定治具１３０を用いて上部電極１１２と下部電極１２０の間隔を測定するとき、まず、上部電極ユニットを上方に移動させる。その状態で、複数の間隔測定治具１３０を、下部電極１２０上に、上部電極１１２の周縁部に対向するように載置する。その後、真空容器内を排気し、上部電極ユニットを基板処理時の位置に移動させる。これにより、間隔測定治具１３０は、上部電極１１２と下部電極１２０に挟まれ、上部が押しつぶされる。次いで、真空容器を大気開放し、上部電極ユニットを上方に移動させ、間隔測定治具１３０を取り出す。次いで、間隔測定治具１３０の高さを測定することにより、上部電極１１２と下部電極１２０の間隔を測定する。なお、複数の間隔測定治具１３０の高さが等しい場合、上部電極１１２と下部電極１２０は互いに平行であると判断することができる。

上部電極１１２と下部電極１２０の間隔が基準を満たさない場合、または上部電極１１２と下部電極１２０が互いに平行でない場合は、上部電極１１２と下部電極１２０の間隔を調整し、その後、上記した方法で再び上部電極１１２と下部電極１２０の間隔を測定する。

図６（Ａ）は、使用前の間隔測定治具１３０の側面概略図である。間隔測定治具１３０は、ピン部材１３２をドーナツ状の支持部材１３４に差し込んだ構造である。
図６（Ｂ）は、使用後の間隔測定治具１３０の側面概略図である。ピン部材１３２は、上部電極１１２により支持部材１３４の中空部の中に押し込まれている。そして、支持部材１３４の底面からピン部材１３２上面までの高さｈを、マイクロメータ等を用いて測定することにより、間隔測定治具１３０の高さを測定する。

上記したメンテナンスには、例えば６〜８時間必要であるが、このうち１〜２時間は、真空容器内を大気開放及び排気するための時間である。このため、上部電極１１２と下部電極１２０の間隔の測定が複数回必要な場合、真空容器内の排気回数が増えるため、メンテナンス時間は飛躍的に長くなってしまう。

また、真空容器内を大気開放する場合、真空容器内に残存する堆積物が舞い上がったり、外部からパーティクルを取り込むことがある。この場合、半導体基板の処理に影響が出る。また、間隔測定治具を上部電極で押しつぶした後、必ず一回は大気開放するため、大気開放の際に上部電極と下部電極の間隔が、測定時の間隔からずれる可能性もあった。

また、上部電極を十分に上方に移動できない場合、下部電極の上に間隔測定治具を載置できない。このような場合、下部電極と電極クランプリングの間隔を測定することにより、下部電極と上部電極の間隔を推定するしかなかった。

また、測定時の上部電極と下部電極の間隔は、半導体製造装置が半導体基板を処理するときと同じであるのが好ましい。しかし、半導体製造装置が半導体基板を処理するときの上部電極と下部電極の間隔が狭い場合、処理時の状態では、下部電極の上に間隔測定治具を載置できないことがある。このような場合、制御部による間隔の設定値を、半導体基板を処理するときの設定値より大きくした上で、下部電極と上部電極の間隔を測定するしかなかった。

また、間隔測定治具の測定は、作業員がマイクロメータを用いて行っていた。このため、下部電極と上部電極の間隔は、測定誤差が入る場合もあった。

本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、上部電極と下部電極の間隔を直接かつ精度よく測定することができる半導体製造装置、半導体製造装置のメンテナンス方法、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。また、本発明は、真空容器内で堆積物やパーティクルが舞い上がりにくい半導体製造装置、半導体製造装置のメンテナンス方法、及び半導体装置の製造方法を提供することにもある。

上記課題を解決するため、本発明に係る半導体製造装置は、上部電極と、
前記上部電極に対向する下部電極と、
前記下部電極に出没可能に設けられ、前記上部電極に向けて突出して該上部電極に当接する突出部と、
前記突出部の突出量を測定することにより、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する間隔測定部と、を具備する。

この半導体製造装置によれば、突出部が上部電極に当接するまでの突出量を測定することにより、上部電極と下部電極の間隔を測定することができる。従って、上部電極と下部電極の間隔を直接かつ精度よく測定することができる。

この半導体製造装置は、突出部を複数有し、かつ、これら複数の突出部が、上部電極又は下部電極の周縁部に沿うように、下部電極に配置されているのが好ましい。このようにすると、複数の突出部の突出量がばらついているか否かを調べることにより、上部電極と下部電極が平行であるか否かを判断することができる。

突出部は、下部電極に載置された半導体基板を下部電極から浮かせるリフトピンであってもよい。この場合、半導体製造装置の部品の数を少なくすることができる。

本発明に係る他の半導体製造装置は、電力が入力される入力電極と、
前記入力電極に対向する接地電極と、
前記接地電極に収容可能に設けられ、前記入力電極に向けて突出して該入力電極に当接する突出部と、
前記突出部の突出量を測定することにより、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する間隔測定部と、を具備する。

上記した半導体製造装置は、例えば平行平板型のエッチング装置である。

本発明に係る半導体製造装置のメンテナンス方法は、上部電極と下部電極とを対向させる工程と、
前記下部電極に出没可能に設けられた突出部を前記上部電極に向けて突出させて、該突出部を前記上部電極に当接させ、該突出部の突出量を測定することにより、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する工程と、を具備する。

上部電極と下部電極とを対向させる工程と、上部電極と下部電極の間隔を測定する工程との間に、上部電極と下部電極とを真空容器で密閉する工程と、真空容器内を排気する工程と、を具備し、上部電極と下部電極の間隔を測定する工程の後に、容器内を排気した状態で上部電極と下部電極の間隔を調整する工程をさらに具備してもよい。

上部電極と下部電極とを対向させる工程と、上部電極と下部電極の間隔を測定する工程との間に、上部電極と下部電極とを真空容器で密閉する工程と、真空容器内を排気する工程と、を具備し、上部電極と下部電極の間隔を測定する工程の後に、容器内を排気した状態で、上部電極から突出部を離間させる工程と、上部電極と下部電極の間隔を調整する工程と、突出部を再び上部電極に当接させ、上部電極と下部電極の間隔を再測定する工程と、をさらに具備してもよい。

上部電極と下部電極とを対向させる工程と、上部電極と下部電極の間隔を測定する工程との間に、突出部が下部電極に没している状態で、下部電極上に半導体基板を載置する工程と、半導体基板に突出部を当接させることにより、間隔を測定するときの基準点を設定する工程と、を具備してもよい。このようにすると、基準点を容易かつ精度よく設定することができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、上部電極と下部電極とを対向させる工程と、
前記下部電極に設けられた突出部を前記上部電極に向けて突出させ、該突出部を前記上部電極に当接させることにより、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する工程と、
前記下部電極上に半導体基板を載置し、前記上部電極と前記下部電極の間にプラズマを発生させることにより、前記半導体基板を処理する工程と、
を具備する。

本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、上部電極に対向した下部電極上に、半導体基板を載置する工程と、
前記上部電極と前記下部電極の間にプラズマを発生させることにより、前記半導体基板を処理する工程と、
前記半導体基板を処理する工程で異常があった場合に、
前記下部電極に設けられた突出部を前記上部電極に向けて突出させ、該突出部を前記上部電極に当接させることにより、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する工程と、
前記上部電極と前記下部電極の間隔を調整する工程と、
再び前記上部電極と前記下部電極の間にプラズマを発生させることにより、他の半導体基板を処理する工程と、を具備する。

発明を実施するための形態

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係る半導体製造装置の断面概略図である。この半導体製造装置は、上部電極と下部電極の間にプラズマを発生させることにより、下部電極上に載置された半導体基板を処理する。例えば半導体製造装置が平行平板型のエッチング装置である場合、半導体基板の表面がエッチングされる。また、半導体製造装置が平行平板型のプラズマＣＶＤ装置である場合、半導体基板には膜が形成される。

この半導体製造装置は、上部電極ユニット、下部電極２０、制御部（図示せず）、およびハンドリングアーム（図示せず）を有している。上部電極ユニットと下部電極２０は、真空容器（図示せず）の内部に収容されており、制御部は真空容器の外部に設けられている。

上部電極ユニットは、電極クランプリング１４を用いて上部電極１２を上部ユニット１０に組み付けた構造である。上部ユニット１０には高周波電源（図示せず）から高周波が入力されるが、この高周波は、上部電極１２に伝達する。なお、上部電極ユニットには複数（例えば３つ以上）のネジが組み付いているが、このネジの端部は真空容器の外部に露出している。このため、上部電極ユニットの上下の位置、及び平行度は、ネジの端部を回すことにより、真空容器の外部から一定の範囲内で調節することができる。

下部電極２０は、接地側の電極であり、上部電極１２に対向する位置に配置されている。下部電極２０の表面は、上部電極１２の表面より大きい。また、下部電極２０は、表面側に、リフトピン２１及び間隔測定器２２がそれぞれ複数設けられている。

複数のリフトピン２１それぞれは、同一の円に沿って配置されている。ハンドリングアームが半導体基板を交換するとき、リフトピン２１は、下部電極２０の表面から上方に突出することにより、半導体基板を下部電極２０の表面から浮かせる。なお、リフトピン２１は、使用されないときには下部電極２０の中に収容されている。リフトピン２１の出没は、制御部によって制御されている。

間隔測定器２２は、上部電極１２と下部電極２０の間隔を測定するための機器であり、下部電極２０の中に埋め込まれた間隔測定部２２ａと、間隔測定部２２ａの上面に設けられた突出ピン２２ｂとを有する。間隔測定部２２ａの上面は、下部電極２０の上面より下に位置している。突出ピン２２ｂは上下に移動可能であるが、その可動範囲は、上端が、下部電極２０の表面より下に位置する状態から、上部電極１２の表面より上方に位置する状態までである。突出ピン２２ｂの上下移動は、制御部によって制御されている。

また、間隔測定部２２ａは、突出ピン２２ｂの上下移動量を測定することが可能であるが、その測定原理は、例えばダイヤルゲージと同じである。また、間隔測定部２２ａは、突出ピン２２ｂの上下移動量を制御部に出力することができる。

なお、間隔測定器２２は、上部電極１２の周縁部に対向するように設けられるのが好ましい。また、間隔測定器２２は、上部電極１２に組み付いている前記したネジに対向する位置またはその近傍に設けられるのが好ましい。

次に、図２及び図３（Ａ），（Ｂ）を用いて、図１の半導体製造装置のメンテナンス方法、およびこの半導体製造装置による半導体装置の製造方法について説明する。まず、作業員は、上部電極ユニットを分解し、電極クランプリング１４及び上部電極１２を上部ユニット１０から外す。次いで、作業員は、分解した電極クランプリング１４及び上部電極１２をアルコールで拭き、また、上部ユニット１０もアルコールで拭く（図２のＳ２）。次いで、作業員は、電極クランプリング１４及び上部電極１２を上部ユニット１０に組み付け、上部電極１２と下部電極２０とを対向させる。次いで、上部電極１２の位置を調節する（図２のＳ４）。その後、真空容器内部が排気される（図２のＳ６）。

次いで、ソフトウェア制御により、間隔測定器２２の突出ピン２２ｂの上端を、下部電極２０の表面より下方に位置させる。次いで、ソフトウェア制御により、ハンドリングアーム（図示せず）を用いて下部電極２０上に半導体基板１を載置し、その後、複数の突出ピン２２ｂそれぞれを上方に突出させ、突出ピン２２ｂそれぞれの上端を半導体基板１の下面に当接させる。次いで、ソフトウェア制御により、これら突出ピン２２ｂの位置を、それぞれ、上部電極１２と下部電極２０の間隔測定時のゼロ点すなわち基準点に設定する（図２のＳ７及び図３（Ａ））。

次いで、上部電極１２と下部電極２０の間隔を、予め定められた値に設定する。その後、ソフトウェア制御により、リフトピン２１を上方に突出させて半導体基板１を下部電極２０の上方に浮かせ、ハンドリングアームを用いて半導体基板１を下部電極２０上から取り除く。その後、ソフトウェア制御により、リフトピン２１を下部電極２０の中に収容する。

そして、ソフトウェア制御により、複数の突出ピン２２ｂそれぞれをさらに上方に突出させ、突出ピン２２ｂそれぞれの上端を上部電極１２の表面に当接させる。間隔測定部２２ａは、複数の突出ピン２２ｂそれぞれの突出量を測定し、複数の測定値それぞれを制御部に出力する。制御部は、これら測定値と基準点の差分を算出し、算出した差分を、間隔測定器２２それぞれが配置された位置における上部電極１２と下部電極２０の間隔と判断する（図２のＳ８及び図３（Ｂ））。

次いで、ソフトウェア制御により、算出した間隔をディスプレイ（図示せず）に表示させる。作業員は、表示された複数の間隔それぞれが基準値の範囲内であるか否かを判断することにより、上部電極１２と下部電極２０の間隔が基準を満たしているか否かを判断する。また、作業員は、表示された複数の測定値相互間のばらつきが基準以下であるか否かを判断することにより、上部電極１２と下部電極２０相互間の平行度が基準を満たしているか否かを判断する（図２のＳ１０）。なお、これらの判断は制御部が行ってもよい。その後、突出ピン２２ｂを下方に移動させ、突出ピン２２ｂの上端を上部電極１２から離間させる。

上部電極１２と下部電極２０の間隔及び相互間の平行度のいずれかが基準を満たしていない場合（図２のＳ１０：Ｎｏ）、作業員は、真空容器外部に露出しているネジの端部を回すことにより、上部電極１２と下部電極２０の間隔または平行度を調整する（Ｓ１２）。その後、再び間隔測定器２２及び制御部は、上部電極１２と下部電極２０の間隔を測定する（図２のＳ８）。

上部電極１２と下部電極２０の間隔及び相互間の平行度の双方が基準を満たしている場合（図２のＳ１０：Ｙｅｓ）、ソフトウェア制御により、下部電極２０上に半導体基板を載置させ、その後、上部電極１２と下部電極２０の間にプラズマを発生させ、半導体基板を処理させる（Ｓ１４）。処理後の半導体基板または処理中に異常がない場合（図２のＳ１６：Ｎｏ）、ソフトウェア制御により、下部電極２０上の半導体基板を交換し、新たな半導体基板を処理する（Ｓ１４）。

処理後の半導体基板または処理中に異常が発生した場合（図２のＳ１６：Ｙｅｓ）、間隔測定器２２は、図２のＳ８で説明した処理を行うことにより、上部電極１２と下部電極２０の間隔を測定し、制御部に出力する（図２のＳ１８）。そして作業員は、上部電極１２と下部電極２０の間隔が基準を満たしているか否かを判断し、また、上部電極１２と下部電極２０相互間の平行度が基準を満たしているか否かを判断する（図２のＳ２０）。

上部電極１２と下部電極２０の間隔及び相互間の平行度のいずれかが基準を満たしていない場合（図２のＳ１０：Ｎｏ）、作業員は、上部電極１２と下部電極２０の間隔または平行度を、基準を満たすように調整する（図２のＳ１２、Ｓ８及びＳ１０）。その後、半導体製造装置は、半導体基板の処理を再開する（Ｓ１４）。

上部電極１２と下部電極２０の間隔及び相互間の平行度のいずれかが基準を満たしていない場合（図２のＳ１０：Ｎｏ）、半導体製造装置の他の部分に問題があると判断し、図２のＳ２に戻る。

以上、第１の実施形態によれば、接地側の電極である下部電極２０に間隔測定器２２を組み込み、間隔測定器２２及び真空容器外部の制御部を用いて、下部電極２０と上部電極１２の間隔を直接かつ精度よく測定することができる。このため、真空容器の内部を真空に保ったまま、上部電極１２と下部電極２０の間隔が基準を満たしているか否か、及び、上部電極１２と下部電極２０の平行度が基準を満たしているか否かを判断することができる。また、上部電極１２と下部電極２０の間隔及び平行度が基準を満たしていない場合、真空容器外部に露出しているネジの端部を回すことにより、間隔及び平行度を再調整することができる。

従って、大気開放及び排気の回数を減らし、半導体製造装置のメンテナンスに必要な時間を短くすることができる。また、下部電極２０と上部電極１２の間隔が、大気開放及び排気を行うことにより測定値からずれることを抑制できる。また、真空容器の内部に残留している堆積物は舞い上がりにくくなり、かつ、外部からパーティクルが流入しにくくなる。

また、間隔測定器２２を用いて直接下部電極２０と上部電極１２の間隔を測定する。このため、測定誤差が小さくなり、容易に上部電極と下部電極の間隔及び平行度を、短時間で容易に基準を満たすように調整することができる。また、下部電極２０に間隔測定器２２を組み込んだため、上部電極１２と下部電極２０の間隔の設定値が小さくも、この間隔を直接かつ精度よく測定することができる。

なお、上記した工程のうち、ソフトウェア制御で行っている工程をマニュアルで行っても、同一の効果を得ることができる。

図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置の断面概略図である。本半導体製造装置において、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。

この半導体製造装置は、リフトピンを備えていない点、及び間隔測定器２２がリフトピンの機能を有している点を除いて、第１の実施形態と同一である。また、本実施形態に係る半導体製造装置のメンテナンス方法、およびこの半導体製造装置による半導体装置の製造方法も、リフトピンが上下動すべき工程において間隔測定器２２の突出ピン２２ｂが上下動する点を除いて、第１の実施形態と同一である。

この第２の実施形態においても第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、部品の数を少なくすることができるため、半導体製造装置の製造コストを低くすることができる。

尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。

第１の実施形態に係る半導体製造装置の断面概略図。 図１の半導体製造装置のメンテナンス方法、およびこの半導体製造装置による半導体装置の製造方法のフローチャート。 （Ａ）及び（Ｂ）は、図１の半導体製造装置のメンテナンス方法、およびこの半導体製造装置による半導体装置の製造方法を説明するための断面概略図。 第２の実施形態に係る半導体製造装置の断面概略図。 従来の半導体製造装置の構成を説明するための断面概略図。 （Ａ）は使用前の間隔測定治具１３０の側面概略図、（Ｂ）は使用後の間隔測定治具１３０の側面概略図。

符号の説明

１…半導体基板、１０，１１０…上部ユニット、１２，１１２…上部電極、１４，１１４…電極クランプリング、２０，１２０…下部電極、２１…リフトピン、２２…間隔測定器、２２ａ…間隔測定部、２２ｂ…突出ピン、１３０…間隔測定治具、１３２…ピン部材、１３２ａ…上面、１３４…支持部材

Claims (11)

1. 上部電極と、
   前記上部電極に対向する下部電極と、
   前記下部電極に出没可能に設けられ、前記上部電極に向けて突出して該上部電極に当接する突出部と、
   前記突出部の突出量を測定することにより、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する間隔測定部と、
   を具備する半導体製造装置。
2. 前記突出部を複数有し、
   該複数の突出部は、前記上部電極又は前記下部電極の周縁部に沿うように、前記下部電極に配置されている請求項１に記載の半導体製造装置。
3. 前記突出部は、前記下部電極に載置された半導体基板を前記下部電極から浮かせるリフトピンである請求項１または２に記載の半導体製造装置。
4. 電力が入力される入力電極と、
   前記入力電極に対向する接地電極と、
   前記接地電極に収容可能に設けられ、前記入力電極に向けて突出して該入力電極に当接する突出部と、
   前記突出部の突出量を測定することにより、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する間隔測定部と、
   を具備する半導体製造装置。
5. 前記半導体製造装置は、平行平板型のエッチング装置である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
6. 上部電極と下部電極とを対向させる工程と、
   前記下部電極に出没可能に設けられた突出部を前記上部電極に向けて突出させて、該突出部を前記上部電極に当接させ、該突出部の突出量を測定することにより、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する工程と、
   を具備する半導体製造装置のメンテナンス方法。
7. 前記上部電極と前記下部電極とを対向させる工程と、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する工程との間に、
   前記上部電極と前記下部電極とを真空容器で密閉する工程と、
   前記真空容器内を排気する工程と、
   を具備し、
   前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する工程の後に、前記容器内を排気した状態で前記上部電極と前記下部電極の間隔を調整する工程をさらに具備する請求項６に記載の半導体製造装置のメンテナンス方法。
8. 前記上部電極と前記下部電極とを対向させる工程と、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する工程との間に、
   前記上部電極と前記下部電極とを真空容器で密閉する工程と、
   前記真空容器内を排気する工程と、
   を具備し、
   前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する工程の後に、前記容器内を排気した状態で、
   前記上部電極から前記突出部を離間させる工程と、
   前記上部電極と前記下部電極の間隔を調整する工程と、
   前記突出部を再び前記上部電極に当接させ、前記上部電極と前記下部電極の間隔を再測定する工程と、
   をさらに具備する請求項６に記載の半導体製造装置のメンテナンス方法。
9. 前記上部電極と前記下部電極とを対向させる工程と、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する工程との間に、
   前記突出部が前記下部電極に没している状態で、前記下部電極上に半導体基板を載置する工程と、
   前記半導体基板に前記突出部を当接させることにより、前記間隔を測定するときの基準点を設定する工程と、
   を具備する請求項６乃至８のいずれか一項に記載の半導体製造装置のメンテナンス方法。
10. 上部電極と下部電極とを対向させる工程と、
    前記下部電極に設けられた突出部を前記上部電極に向けて突出させ、該突出部を前記上部電極に当接させることにより、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する工程と、
    前記下部電極上に半導体基板を載置し、前記上部電極と前記下部電極の間にプラズマを発生させることにより、前記半導体基板を処理する工程と、
    を具備する半導体装置の製造方法。
11. 上部電極に対向した下部電極上に、半導体基板を載置する工程と、
    前記上部電極と前記下部電極の間にプラズマを発生させることにより、前記半導体基板を処理する工程と、
    前記半導体基板を処理する工程で異常があった場合に、
    前記下部電極に設けられた突出部を前記上部電極に向けて突出させ、該突出部を前記上部電極に当接させることにより、前記上部電極と前記下部電極の間隔を測定する工程と、
    前記上部電極と前記下部電極の間隔を調整する工程と、
    再び前記上部電極と前記下部電極の間にプラズマを発生させることにより、他の半導体基板を処理する工程と、
    を具備する半導体装置の製造方法。

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