JP2006051554A - ナノレベル構造組成評価用試料、観察方法、観察装置、及び、多層膜構造を有するデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 分析試料部1の表面より外部エネルギー或いは内部エネルギーにより前記分析試料部1を構成する原子或いはクラスタのいずれかからなる粒子を外部空間に離脱することにより分析試料部1のナノレベルの構造組成を観察するためのナノレベル構造組成観察用試料の分析試料部1を共通の柄部分2に対して複数の方向に突出する針状部分3〜7から構成する。
【選択図】 図1
Description
図10は、3次元構造組成測定装置の概念的構成図であり、Bを局所的にイオン注入したシリコン基板71を主面に垂直な断面が表れるように切断したのち、切断面を研磨し、次いで、研磨面の表面に複数の針状構造物73を形成し、この針状構造物73に引出電極74を近接させて電界蒸発したのちイオン化した構成原子或いはクラスタを印加した電界で引出し、位置敏感検出器75によって、検出するものである。
この測定を全ての針状構造物73について行い、得られた全ての情報を総合することによって、イオン注入領域72におけるB濃度分布を得ることができる。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、ナノレベル構造組成観察用試料において、分析試料部1の表面より外部エネルギー或いは内部エネルギーにより前記分析試料部1を構成する原子或いはクラスタのいずれかからなる粒子を外部空間に離脱することにより前記分析試料部1のナノレベルの構造組成を観察するためのナノレベル構造組成観察用試料において、前記分析試料部1が共通の柄部分2に対して複数の方向に突出する針状部分3〜7を備えることを特徴とする。
特に、針状部分3〜7の少なくとも一つが複雑な多層膜構造からなる場合に好適である。
図2参照
まず、多層薄膜構造を有する分析試料部12を試料11から切り出して、専用のAl製ホルダ13に固定したのち、FIB(集束イオンビーム)を用いたマイクロピックアップ工程(必要ならば、日本電子顕微鏡学会誌,電子顕微鏡,Vol.37,No.3,p.159,2002参照)を用いてz方向からGaイオン14で研削して針状構造15を形成する。
次いで、同じくFIB法を用いてx方向からGaイオン14を照射することによって、針状構造16と直角方向に突出する針状構造16を形成する。
この場合、Gaイオン14は制御された極めて狭い領域に移動しながら照射して加工するので、既に形成されている針状構造15が形成されることはない。
なお、一つの分析試料部に対して設ける針状構造物の数は任意であり、例えば、図4の上段に示すように3本でも良く、或いは、中断に示すように7本でも良く、或いは、下段に示すように、互いに隣接する針状構造が互いに鋭角の関係方向に突出するように構成しても良い。
なお、上段に示す構造の場合に、水平方向に突出する針状構造をz方向に対して互いに異なった高さに設定しても良いものである。
図5参照
図5は、MOSFETの製造工程の説明図であり、まず、n型シリコン基板21に例えば、選択酸化法を用いて素子分離絶縁層22を形成したのち、nチャネル型MOSFETを形成する領域にはBをイオン注入してp型ウエル領域23を形成し、次いで、p型ウエル領域23に、Bをイオン注入してしきい値調整のためのチャネルドープを行う。
なお、シリコン酸窒化膜を形成する際の窒素は、プラズマの形で導入する。
この時、図6の上段に示すように、ウェハ40の周辺部に予め例えば、2μm×2μmの分析試料部41を形成しておき、トランジスタ部が完成した段階でサンプル的に一枚のウェハから分析試料部41を切出し、次いで、この分析試料部41をAl製ホルダ42に固定したのち、上述のFIB加工によって、3つの針状構造43〜45を形成する。
次いで、従来と同様のアトムプローブ装置の試料ステージ51に被分析試料47を取り付けて、まず、針状構造43について、ナノレベルの3次元構造を解析する。
この場合、被分析試料47にパルス状高電圧を印加することによって、針状構造43の先端部を構成する物質を原子或いはクラスタとして一つずつ電界蒸発させるととともに、イオン化し、イオン化した粒子52を被分析試料47と位置敏感検出器53との間に印加した投影電圧によって加速して位置敏感検出器53に到達した粒子52を検出する。
図8参照
上述の絶縁ゲート型半導体装置の製造工程のトランジスタ部の形成工程終了後に、上記の実施例1のナノレベル構造組成の観察を行った結果、測定値が設計値の許容範囲であった場合、図5の下図に示した配線部の形成を行う。
次いで、従来と同様のアトムプローブ装置の試料ステージ51に被分析試料67を取り付けて、まず、針状構造63について、ナノレベルの3次元構造を解析する。
この場合、被分析試料67にパルス状高電圧を印加することによって、針状構造63の先端部を構成する物質を原子或いはクラスタとして一つずつ電界蒸発させるととともに、イオン化し、イオン化した粒子55を被分析試料67と位置敏感検出器53との間に印加した投影電圧によって加速して位置敏感検出器53に到達した粒子55を検出する。
再び、図1参照
(付記1) 分析試料部1の表面より外部エネルギー或いは内部エネルギーにより前記分析試料部1を構成する原子或いはクラスタのいずれかからなる粒子を外部空間に離脱することにより前記分析試料部1のナノレベルの構造組成を観察するためのナノレベル構造組成観察用試料において、前記分析試料部1が共通の柄部分2に対して複数の方向に突出する針状部分3を備えることを特徴とするナノレベル構造組成観察用試料。
(付記2) 上記針状部分3の少なくとも一つが多層膜構造からなることを特徴とする付記1記載のナノレベル構造組成観察用試料。
(付記3) 多層膜構造を有する被分析試料を複数方向から集束イオンビームを照射することによって照射方向に突出する複数の針状部分3からなる分析試料部1を形成し、前記針状部分3の一つに優先的電界が印加されるように一つの針状部分3を電界印加方向に向けることによって、前記針状部分3を構成する原子或いはクラスタのいずれかからなる粒子を外部空間に離脱することにより前記分析試料部1のナノレベルの構造組成を観察したのち、前記分析試料部1を回転させて他の針状部分3を電界印加方向に向けて観察を行うことを特徴とするナノレベル構造組成観察方法。
(付記4) 上記複数個の針状部分3の内、最近接の針状部分3が直角以下の関係方向を向くように加工することを特徴とする付記3記載のナノレベル構造組成観察方法。
(付記5) 上記針状部分3の上端部と下端部とが絶縁層で電気的に分断されている場合に、前記針状部分3の上端部と下端部とを集束イオンビーム法を用いて前記絶縁層を跨がる導電性膜を堆積させることを特徴とする付記3または4に記載のナノレベル構造組成観察方法。
(付記6) 上記内部エネルギー印加として、パルス状高電界を印加することを特徴とする付記3乃至5のいずれか1に記載のナノレベル構造組成観察方法。
(付記7) 上記外部エネルギー印加として、パルス状電磁波を印加することを特徴とする付記3乃至5のいずれか1に記載のナノレベル構造組成観察方法。
(付記8) 分析試料部1を固定する試料ステージ、前記分析試料部1を構成する原子或いはクラスタのいずれかからなる粒子を外部空間に離脱させるための外部エネルギー或いは内部エネルギーの少なくとも一方を印加するエネルギー印加手段、及び、検出器を備えたナノレベル構造組成観察装置において、前記試料ステージが回転機構を備えていることを特徴とするナノレベル構造組成観察装置。
(付記9) 付記3乃至7のいずれか1に記載のナノレベル構造組成観察方法によって多層膜構造のナノレベル構造組成を観察したのち、観察結果が設計許容値の範囲内であるか否かによって製造工程の進行を決定することを特徴とする多層膜構造を有するデバイスの製造方法。
(付記10) 付記3乃至7のいずれか1に記載のナノレベル構造組成観察方法によって多層膜構造のナノレベル構造組成を観察したのち、観察結果により決定した許容できる範囲の好適製造条件を多層膜構造の製造工程にフィードバックして反映させることを特徴とする多層膜構造を有するデバイスの製造方法。
(付記11) 上記多層膜構造が、絶縁ゲート型半導体装置のトランジスタ部或いは多層配線部のいずれかであることを特徴とする付記9または10に記載の多層膜構造を有するデバイスの製造方法。
2 柄部分
3〜7 針状部分
10 ナノレベル構造組成観察用試料
11 試料
12 分析試料部
13 Al製ホルダ
14 Gaイオン
15〜19 針状構造
21 n型シリコン基板
22 素子分離絶縁層
23 p型ウエル領域
24 ゲート絶縁膜
25 ゲート電極
26 n+ 型ソース領域
27 n+ 型ドレイン領域
28 第1層間絶縁膜
29 ドレイン電極
30 第1Cu配線
31 第2層間絶縁膜
32 TiNバリア層
33 W層
34 ビア
35 第2Cu配線
36 第3層間絶縁膜
40 ウェハ
41 分析試料部
42 Al製ホルダ
43〜45 針状構造
46 W膜
47 被分析試料
51 試料ステージ
52 粒子
53 位置敏感検出器
54 回転機構
55 粒子
60 ウェハ
61 分析試料部
62 Al製ホルダ
63〜65 針状構造
66 W膜
67 被分析試料
71 シリコン基板
72 イオン注入領域
73 針状構造物
74 引出電極
75 位置敏感検出器
Claims (5)
- 分析試料部の表面より外部エネルギー或いは内部エネルギーにより前記分析試料部を構成する原子或いはクラスタのいずれかからなる粒子を外部空間に離脱することにより前記分析試料部のナノレベルの構造組成を観察するためのナノレベル構造組成観察用試料において、前記分析試料部が共通の柄部分に対して複数の方向に突出する針状部分を備えることを特徴とするナノレベル構造組成観察用試料。
- 上記針状部分の少なくとも一つが多層膜構造からなることを特徴とする請求項1記載のナノレベル構造組成観察用試料。
- 多層膜構造を有する被分析試料を複数方向から集束イオンビームを照射することによって照射方向に突出する複数の針状部分からなる分析試料部を形成し、前記針状部分の一つに優先的電界が印加されるように一つの針状部分を電界印加方向に向けることによって、前記針状部分を構成する原子或いはクラスタのいずれかからなる粒子を外部空間に離脱することにより前記分析試料部のナノレベルの構造組成を観察したのち、前記分析試料部を回転させて他の針状部分を電界印加方向に向けて観察を行うことを特徴とするナノレベル構造組成観察方法。
- 分析試料部を固定する試料ステージ、前記分析試料部を構成する原子或いはクラスタのいずれかからなる粒子を外部空間に離脱させるための外部エネルギー或いは内部エネルギーの少なくとも一方を印加するエネルギー印加手段、及び、検出器を備えたナノレベル構造組成観察装置において、前記試料ステージが回転機構を備えていることを特徴とするナノレベル構造組成観察装置。
- 請求項3に記載のナノレベル構造組成観察方法によって多層膜構造のナノレベル構造組成を観察したのち、観察結果が設計許容値の範囲内であるか否かによって製造工程の進行を決定することを特徴とする多層膜構造を有するデバイスの製造方法。
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