JP2006049523A - 面実装用電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】製造が容易で、薄型化・低価格化が図れる面実装用電子部品を提供する。
【解決手段】合成樹脂成形品からなる絶縁基台１０及び合成樹脂フイルム２０とを具備して構成される絶縁部材と、絶縁部材の表面に設けられる抵抗体パターン２５及びこの抵抗体パターン２５に接続されて絶縁部材の表面に露出する端子パターン２９，２９とを具備し、実装基板上に面実装することで、端子パターン２９，２９を実装基板上に形成した接続パターンに接続して取り付ける構造の面実装用の電子部品用基板（面実装用電子部品）１−１である。端子パターン２９，２９を、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀及び／又は金及び／又は銅の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、実装基板上に面実装される各種の面実装用電子部品に関するものである。

従来、電子機器の小型化、高密度実装化に伴って、チップ型電子部品、即ちリード線をなくして実装基板（回路基板）上に電子部品本体を直接実装できる構造にした面実装用電子部品が利用されている。この種の面実装用電子部品は、絶縁部材の表面又はその内部に抵抗やコンデンサやサーミスタやバリスタ等の機能部を設け、これら機能部に接続し且つ絶縁部材の表面に露出するように端子パターンを設けて構成されている。具体的には、例えば面実装用可変抵抗器、面実装用固定抵抗器、面実装用コンデンサ、面実装用サーミスタ、面実装用バリスタ等がある。そしてこれら面実装用電子部品は、実装基板上に実装され、その端子パターンの部分が実装基板上に形成した接続パターンに接続されて半田等によって取り付けられる。

そして従来、前記端子パターンは、例えば真空蒸着やスパッタリングによって金属薄膜層を形成したその表面にメッキによって金属層を形成して構成したり、導電ペーストを塗布して焼成して構成したりしていた。

しかしながら上記従来の端子パターンにおいて、メッキを用いた端子パターンの場合はメッキ設備が必要となるばかりか、めっき用の薬品に対して機能部等の他の部分を保護しなければならない等、その製造工程が煩雑になっていた。

また半田付け用の厚膜導電ペーストとしては銀・パラジウム系ペーストがあるが、７５０℃の高温で焼成する必要があり、絶縁部材としてセラミックを使用せざるを得ない。そうするとセラミックの機械的強度の弱さ及びその加工寸法において更なる絶縁部材の薄型化・低価格化が図れない。
特開平７−７８７０１号公報

本発明は上述の点に鑑みてなされたものでありその目的は、製造が容易であり、また薄型化・低価格化が図れる面実装用電子部品を提供することにある。

本願請求項１に記載の発明は、絶縁部材と、絶縁部材の表面又はその内部に設けられる機能部及びこの機能部に接続されて絶縁部材の表面に露出する端子パターンとを具備し、実装基板上に面実装することで、前記端子パターンを前記実装基板上に形成した接続パターンに接続して取り付ける構造の面実装用電子部品において、前記端子パターンを、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀及び／又は金及び／又は銅の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって形成したことを特徴とする面実装用電子部品にある。

請求項２に記載の発明は、前記絶縁部材は合成樹脂であり、且つ前記導電性被膜は、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀及び／又は金及び／又は銅の金属微粒子を含有する導電ペーストを前記絶縁部材に塗布して加熱することで前記金属微粒子を互いに融着して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面実装用電子部品にある。

請求項３に記載の発明は、前記面実装用電子部品は面実装型摺接用電子部品用基板であり、また前記機能部は絶縁部材の表面に設けられる機能パターンであり、前記絶縁部材は、合成樹脂成形品からなる絶縁基台と、前記絶縁基台上に取り付けられる合成樹脂フイルムとを具備して構成され、前記機能パターンと端子パターンとは前記合成樹脂フイルム上に形成され、さらに前記機能パターンはその表面に摺動子が摺接する導体パターンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の面実装用電子部品にある。

請求項１に記載の発明によれば、端子パターンを、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀及び／又は金及び／又は銅の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって形成したが、これら微細な金属微粒子は、低い加熱温度により容易に溶融し、互いに融着して連続した金属の薄い端子パターンを形成する。このため端子パターンの比抵抗を低くすることができる。従ってこの面実装用電子部品を実装する実装基板との接触抵抗値を小さくできて端子パターンの膜厚や幅を薄く小さくでき、面実装用電子部品の小型化に好適となる。また端子パターンの膜厚を薄くできるので、端子パターンの可撓性を増すことができてその屈曲性が増し、従って例えば合成樹脂フイルム上に端子パターンを設けてこれを屈曲させるような構造の面実装用電子部品にも容易に対応できる。また前述のように低い加熱温度で金属微粒子が溶融するので、耐熱性の低い絶縁部材を用いた面実装用電子部品にも適用できる。

請求項２に記載の発明によれば、導電ペーストを塗布して加熱することで端子パターンを形成することができるので、低抵抗の端子パターンを有する面実装用電子部品の製造が容易に行える。

請求項３に記載の発明によれば、絶縁部材を絶縁基台と合成樹脂フイルムとによって構成し、且つ機能パターンと端子パターンとを合成樹脂フイルム上に形成することで、容易に本願発明の面実装用電子部品を、面実装型摺接用電子部品用基板として構成することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本発明にかかる面実装用電子部品は、リード線をなくして実装基板（回路基板）上に電子部品本体を直接実装できる構造にした面実装用電子部品であり、この種の面実装用電子部品は、絶縁部材の表面又はその内部に抵抗やコンデンサやサーミスタやバリスタ等の機能部を設け、さらにこれら機能部に接続し且つ絶縁部材の表面に露出するように端子パターンを設けて構成されているものを言う。具体的には、例えば面実装用可変抵抗器（面実装用半固定可変抵抗器を含む）に用いる面実装型摺接用電子部品用基板や、面実装用固定抵抗器や、面実装用コンデンサや、面実装型コイルや、面実装用サーミスタや、面実装用バリスタ等に本発明を適用できる。以下、本発明の面実装用電子部品を面実装型摺接用電子部品用基板に適用した実施の形態（第一〜第三の実施の形態）と、面実装用固定抵抗器に適用した実施の形態（第四の実施の形態）とについて説明する。

〔第一の実施の形態〕
図１，図２は本発明の第一の実施の形態にかかる面実装型摺接用電子部品用基板である面実装型回転式電子部品用基板（以下「電子部品用基板」という）１−１を示す図であり、図１は斜視図、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は正面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図、図２（ｄ）は裏面図である。両図に示すように電子部品用基板１−１は、絶縁基台１０の上面に合成樹脂フイルム２０を、インサート成形によって、一体に取り付けて構成されている。なお絶縁基台１０と絶縁基台１０上に取り付けられる合成樹脂フイルム２０（但し下記する抵抗体パターン２５と端子パターン２９，２９とを除く）とによって「絶縁部材」が構成される。以下各構成部分について説明する。

絶縁部材となる絶縁基台１０は略矩形状で板状の合成樹脂成形品であり、中央には円形の貫通孔１１が設けられ、また下面中央には凹状の集電板収納凹部１５が設けられている。この絶縁基台１０は熱可塑性の合成樹脂、例えばナイロンやポリフェニレンスルフイド（ＰＰＳ）等によって構成されている。

一方合成樹脂フイルム２０は可撓性を有し、絶縁部材の一部を構成する。合成樹脂フイルム２０は、例えばＰＰＳフイルム、ポリイミド（ＰＩ）フイルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フイルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フイルム、ポリエーテルイミドフイルム等によって構成され、その上に端子パターン２９，２９とその表面に摺動子が摺接する機能部（導体パターンであり、更に具体的には抵抗体パターンである。以下「抵抗体パターン」という）２５とを設けている。即ちこの合成樹脂フイルム２０はその中央の前記貫通孔１１に対応する位置にこれと同一内径の貫通孔２１を設け、またその表面の貫通孔２１の周囲にはこれを馬蹄形状に囲む抵抗体パターン２５を設け、さらに抵抗体パターン２５の両端にはそれぞれ端子パターン２９，２９を抵抗体パターン２５と接続して設けている。合成樹脂フイルム２０の端子パターン２９，２９を設けた側の辺は絶縁基台１０の上面から外周側辺を介してその下面側に折り返されており、これによって端子パターン２９，２９も絶縁基台１０の外周側辺から下面側まで至っている。

ここで前記抵抗体パターン２５は物理的蒸着（ＰＶＤ、physical vapor deposition）又は化学的蒸着（ＣＶＤ、chemical vapor deposition）による金属薄膜によって構成されている。物理的蒸着の方法としては、真空蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着等を用いる。化学的蒸着の方法としては、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等を用いる。蒸着する抵抗体パターン２５の材質としては、ニッケルクロム合金等のニッケル系材料、又はクロム珪酸塩系化合物（Ｃｒ−ＳｉＯ₂）等からなるサーメット系材料、又は窒化タンタル等のタンタル系材料等を用いる。クロム珪酸塩系化合物は２０００μΩ・ｃｍ以上の大きな比抵抗を容易に実現できるので、この電子部品用基板１−１の小型化に好適である。この種の金属蒸着による抵抗体パターン２５によれば、抵抗体パターン２５全体を均質で均一な厚みに形成できることは言うまでもなく、さらに樹脂中に導電紛を混合したペーストを印刷焼成した抵抗体パターンのように内部に樹脂を有していないので、熱や温度によって抵抗値が変化しにくい。例えばカーボンペーストを印刷焼成した抵抗体パターンの場合、抵抗温度係数が５００ｐｐｍ／℃なのに対して、上記真空蒸着を用いた金属薄膜の場合の抵抗温度係数は、１００ｐｐｍ／℃であった。これはセラミック基板に高温で抵抗体パターンを焼き付けた場合と同等の良好な温度特性である。但し本発明に用いる抵抗体パターン２５は、樹脂中に導電紛を混合した導電ペーストを印刷焼成してなる抵抗体パターンであってもよいし、それ以外の各種方法によって形成される抵抗体パターンであってもよい。以下の各実施の形態においても同様である。

次に端子パターン２９，２９は、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって構成している。この導電性被膜の比抵抗（体積抵抗率）は、３×１０^-5〜３×１０^-6〔Ω・ｃｍ〕程度であり、銀自体の比抵抗１．６×１０^-6〔Ω・ｃｍ〕に近い小さい値となっている。そこでこの実施の形態ではこの導電性被膜の膜厚を、１〜１０μｍ程度と薄く形成することができる（なお安定した導通のためには金属粒子径の４倍以上の膜厚が好ましい）。本実施の形態の導電性被膜としては、特開２００３−３０８７３０号公報，特開２００３−３０８７３１号公報，特開２００３−３０８７３２号公報で記載の導電性被膜（藤倉化成（株）製）を使用している。以下この導電性被膜について説明する。

前記端子パターン２９，２９を構成する導電性被膜を形成するには、まず平均粒径が１〜１０００ｎｍ（好ましくは１〜５００ｎｍ）の銀（又は銀化合物）の金属微粒子（以下この実施の形態では「銀微粒子」という）を含有した導電ペーストを用意する。導電ペーストは、銀微粒子を、バインダ樹脂，溶媒，還元剤の少なくとも一種類以上のものに分散した液状のペーストとして構成されている。ここでバインダ樹脂としては、アクリル樹脂、ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等や、これらのモノマーを用いる。また溶媒としては、水、メタノール、エタノール、プロパノール、セカンダリーブチルアルコール等のアルコール類、又はイソホロン、テルピネオール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ブチルセロソルブアセテート等の有機溶媒を用いる。また還元剤としては、エチレングリコール、ホルマリン、ヒドラジン、アスコルビン酸、各種アルコール等を用いる。また前記銀化合物としては、酸化銀（酸化第１銀、酸化第２銀）、炭酸銀、酢酸銀、アセチルアセトン銀錯体等を用いる（これらは二種以上を混合しても良い）。また前記導電ペーストには銀微粒子の二次凝集を防止するため、分散剤を添加して銀微粒子を良好に分散させておくことが望ましい。分散剤としては、例えばヒドロキシプロピルセルロース、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール等を用いる。

次に以上のように構成された導電ペーストを、前記端子パターン２９，２９の形状となるように合成樹脂フイルム２０上に印刷する。印刷には例えばスクリーン印刷を用いる。そして前記導電ペーストを印刷した合成樹脂フイルム２０を加熱すれば、前記端子パターン２９，２９を構成する導電性被膜が完成する。加熱温度は導電ペーストの材質に応じて１５０℃〜２３０℃とし、加熱時間は１０秒〜１２０分程度とする。

ここで図１２は以上のようにして形成される導電性被膜の性能試験の結果を示す図である。この導電性被膜は、具体的には銀化合物として酸化銀微粒子でその粒径が数１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲のものを用い、これを溶媒（テルピネオール）に分散させてなる導電ペーストを、ポリフェニレンスルフイド製のフイルム上にスクリーン印刷によって印刷形成したものを、加熱温度１５０℃〜２２０℃の範囲、及び加熱時間３分〜３０分の範囲の各種条件で焼成して形成されたものである。そしてこれら各種条件で形成された各種導電性被膜の諸特性（比抵抗、膜厚、基板への密着性、鉛筆硬度）を測定した。ここで基板への密着性の測定方法は、導電性被膜上を覆うようにフイルム上に粘着テープ（ニットー３１Ｂテープ）を気泡が入らないように爪で押し付けながら貼り付け、直ちにこの粘着テープの一端を持ち、導電性被膜面に垂直方向に一気に引き剥がし、このとき導電性被膜が剥がれるか否かを測定する測定方法である。また鉛筆硬度の測定方法は、導電性被膜面を上にしたフイルムを水平な台の上に固定し、導電性被膜面に対して４５°の角度をなすように鉛筆を手で持ち、導電性被膜面に対して垂直方向に１〔ｋｇｆ〕の強さで導電性被膜面にこれを押し付けながら、水平方向に均一な速さ（１ｃｍ／ｓｅｃ）で０．５ｃｍの距離を１０往復させる。上記動作を導電性被膜の３ヶ所について行い、一ヶ所でもフイルムにとどく被膜の破れがある場合は硬度記号が１級階下の鉛筆に取り換えて同様な試験を繰り返し、フイルムにとどく破れが認められない最高位の鉛筆硬度記号を鉛筆硬度値とする試験方法である。

同図に示すように上記導電性被膜は、加熱温度が１５０℃と低い温度であり、且つ加熱時間が３分と短い時間であっても、比抵抗は３．１×１０^-5〔Ω・ｃｍ〕と小さく、また密着性も鉛筆硬度も下記する摺動子３０の摺動に耐えられるものであった。

なお図１２に示すように、加熱時間を長くすればするほど、また加熱温度を高くすればするほど比抵抗は小さくなり、また密着性も鉛筆硬度も良好になる。即ちこの導電性被膜の比抵抗（体積抵抗率）は、３×１０^-5〜３×１０^-6〔Ω・ｃｍ〕程度で、銀自体の比抵抗１．６×１０^-6〔Ω・ｃｍ〕に近い、非常に小さい値となっている。従来の鱗片状の銀粒子（平均粒径１〜５０μｍ程度）からなる導電ペーストの場合は、前述のようにその比抵抗が、１×１０^-4〜４×１０^-5〔Ω・ｃｍ〕程度なのに対して、非常に小さい比抵抗となるのは以下の理由による。

即ち平均粒径１〜１０００ｎｍという微細な粒子状の銀化合物の場合について説明すると、この銀化合物は、単に加熱により、或いは還元剤との共存下で加熱することにより、容易に金属銀粒子に還元される微粒子である。特に平均粒径が５００ｎｍ以下の粒子状銀化合物は還元反応の速度が速くなるので好ましい。そしてこの還元反応時に生じる反応熱によって、還元反応によって形成された金属銀微粒子が溶融し、互いに融着して連続した金属銀の薄い高導電性の導電性被膜を形成するのである。このため得られる導電性被膜は、銀自体と同等の比抵抗を有するものとなる。なお導電ペーストに還元剤を添加すれば、より低温での還元反応が進み、導電性皮膜を形成できるので好適である。即ち従来の導電性ペーストは平均粒径１〜５０μｍ程度の鱗片状の銀粒子を用いていたので、１６０℃程度加熱しても溶融せず、これら銀粒子間の物理的接触のみによって導通していたので、その比抵抗が大きなものになっていたが、平均粒径が１〜１０００ｎｍ程度（即ちナノサイズ）の微粒子状の銀粒子を用いた場合は表面エネルギーが指数関数的に大きくなり、このため金属銀微粒子間が１５０℃〜２２０℃程度の低い温度でも溶着して一体の金属となるので、その比抵抗が小さくなるのである。

そして以上のようにこの導電性被膜は銀自体と同等の低い比抵抗を有する。また低い比抵抗を有するので、その厚みを薄くすることができる。なお微細な銀微粒子の導電ペーストを塗布・焼成して形成された端子パターン２９，２９は、その外周辺の境界線に生じる銀微粒子による凹凸も微細になるので（言い換えればスクリーン印刷時のスクリーンのメッシュを銀微粒子の粒径に合わせて微細にできるので）、極めてファインな境界線が形成される。また１５０℃〜２２０℃程度の低い温度による加熱で済むので、熱に弱い材質（例えばＰＥＴフイルム）からなる合成樹脂フイルム２０を使用することができる。

次にこの電子部品用基板１−１の製造方法を説明する。まず図３に示すように貫通孔２１を有し、その表面に物理的蒸着又は化学的蒸着による金属薄膜からなる抵抗体パターン２５と、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜からなる端子パターン２９，２９とを形成した合成樹脂フイルム２０を用意する。この合成樹脂フイルム２０は、その両側辺から連結部３１，３１が突出しており、これら連結部３１，３１によって同一の多数の合成樹脂フイルム２０が並列に連結されている。

次に連結部３１，３１によって連結された各合成樹脂フイルム２０を図４に示すように、金型４１，４５内にインサートする。このとき金型４１，４５内には前記絶縁基台１０と同一形状のキャビティーＣ１が形成されるが、合成樹脂フイルム２０はその抵抗体パターン２５形成面をキャビティーＣ１の金型４１側の内平面Ｃ１１に当接し、且つ端子パターン２９，２９を設けた一端部分を金型４５側に折り返しておく。

そしてキャビティーＣ１の側面に設けたゲートＰ１から加熱・溶融した合成樹脂（ナイロン、ポリフェニレンスルフイド等）を圧入してキャビティーＣ１内を満たす。そしてこの圧入圧力により合成樹脂フイルム２０の折り返した部分は図４に点線で示すようにキャビティーＣ１の内周面に押し付けられ、その状態のまま冷却・固化される。そして金型４１，４５を取り外し、成形された絶縁基台１０の両側から突出する連結部３１，３１の部分を切断すれば、図１，図２に示す電子部品用基板１−１が完成する。

図５は上記電子部品用基板１−１を用いて構成した半固定可変抵抗器１００−１を示す図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は正面図、図５（ｃ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ断面図、図５（ｄ）は裏面図である。同図に示すように半固定可変抵抗器１００−１は、電子部品用基板１−１の上面に摺動子６０を配置し、下面に集電板５０を配置し、集電板５０に設けた円筒状の筒状突起５１を貫通孔１１，２１に貫通させ、さらに電子部品用基板１−１を貫通した筒状突起５１の先端を摺動子６０に設けた嵌挿孔６１に貫通した上でその先端をかしめることで摺動子６０を回動自在に取り付けて構成されている。ここで集電板５０は電子部品用基板１−１の下面に設けた集電板収納凹部１５に収納されている。そして摺動子６０を回動すれば、摺動子６０に設けられた摺動接点６３が抵抗体パターン２５（図２参照）の表面を摺接して端子パターン２９，２９と集電板５０間の抵抗値を変化する。

なおこの半固定可変抵抗器１００−１は、図１３に示すように、実装基板１５０上に面実装され、その際半固定可変抵抗器１００−１の下面に設けた端子パターン２９，２９と集電板５０の下面とを半田等１５１によって実装基板１５０に設けた接続パターン１５３に電気的・機械的に接続して取り付けられる。そして端子パターン２９，２９の比抵抗が低いので、端子パターン２９，２９と接続パターン１５３との接触抵抗値を小さくできる。また端子パターン２９，２９の膜厚を薄くできるので、端子パターン２９，２９の可撓性を増すことができてその屈曲性が増し、従ってこの実施の形態のように合成樹脂フイルム２０上に端子パターン２９，２９を設けてこれを屈曲させるような構造の半固定可変抵抗器１００−１にも容易に対応できる。また前述のように低い加熱温度で金属微粒子が溶融するので、合成樹脂フイルム２０として耐熱性の低い絶縁部材（例えばＰＥＴフイルム）を用いることができ、従来のセラミック基板に比べて絶縁部材として合成樹脂を使用できるので絶縁部材の薄型化と低価格化とが図れる。

〔第二の実施の形態〕
図６は本発明の第二の実施の形態にかかる電子部品用基板１−２を示す図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は正面図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ断面図、図６（ｄ）は裏面図である。同図に示す電子部品用基板１−２において前記電子部品用基板１−１と同一部分には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。この電子部品用基板１−２においても、絶縁基台１０の上面に合成樹脂フイルム２０をインサート成形によって一体に取り付けて構成しており、また合成樹脂フイルム２０上に形成される抵抗体パターン２５は物理的蒸着又は化学的蒸着による金属薄膜によって構成されており、また端子パターン２９，２９は、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって構成されている。

この電子部品用基板１−２において前記電子部品用基板１−１と相違する点は、集電板５０−２を絶縁基台１０の内部に一体成形した点である。即ちこの電子部品用基板１−２においては、筒状突起５１−２を設けた基部５３−２の一辺から外方に向けて接続部５５−２を突出して構成した集電板５０−２を、その筒状突起５１−２が絶縁基台１０の貫通孔１１（同時に合成樹脂フイルム２０の貫通孔２１）の中（中央）に位置するように絶縁基台１０の内部にインサート成形によって埋め込んでいる。このとき接続部５５−２の下面は絶縁基台１０の下面に露出している。筒状突起５１−２は合成樹脂フイルム２０の上面側に突出している。このように構成すれば、絶縁基台１０を成形する際に、絶縁基台１０と合成樹脂フイルム２０と集電板５０−２とが同時に一体化できるので、製造工程の簡略化が図れる。

図７は上記電子部品用基板１−２を用いて構成した半固定可変抵抗器１００−２を示す図であり、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は正面図、図７（ｃ）は図７（ａ）のＥ−Ｅ断面図、図７（ｄ）は裏面図である。同図に示すように半固定可変抵抗器１００−２は、電子部品用基板１−２の上面に摺動子６０を配置する際に集電板５０−２に設けた筒状突起５１−２を摺動子６０に設けた嵌挿孔６１に貫通し、その先端をかしめることで摺動子６０を回動自在に取り付けて構成されている。そして摺動子６０を回動すれば、摺動子６０に設けられている摺動接点６３が抵抗体パターン２５（図７参照）の表面を摺接して端子パターン２９，２９と集電板５０−２間の抵抗値を変化する。

〔第三の実施の形態〕
図８，図９は本発明の第三の実施の形態にかかる電子部品用基板１−３を示す図であり、図８（ａ）は上側から見た斜視図、図８（ｂ）は下側から見た斜視図、図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は正面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＥ−Ｅ断面図、図９（ｄ）は裏面図である。同図に示す電子部品用基板１−３において前記電子部品用基板１−１，１−２と同一部分には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。この電子部品用基板１−３においても、絶縁基台１０の上面に合成樹脂フイルム２０をインサート成形によって一体に取り付けて構成しており、また合成樹脂フイルム２０上に形成される抵抗体パターン２５は物理的蒸着又は化学的蒸着による金属薄膜によって構成されており、また端子パターン２９，２９は、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって構成されている。なおこの電子部品用基板１−３を構成する各部材の材質及びその製造方法は、上記第一，第二の実施の形態の対応する各部材の材質及びその製造方法と同じである。

そしてこの実施の形態においても絶縁基台１０は略矩形状で板状の合成樹脂成形品であり、前記電子部品用基板１−２と同様に、集電板５０−３を絶縁基台１０の内部に一体にインサート成形している。集電板５０−３は筒状突起５１−３を設けた基部５３−３の一辺から外方に向けて接続部５５−３を突出して構成されている。筒状突起５１−３は絶縁基台１０に設けた筒状突起５１−３の外径よりも大きい内径の貫通孔１１の中（中央）に位置するように絶縁基台１０内に設置されており、このとき接続部５５−３の下面は絶縁基台１０の下面に露出している。また筒状突起５１−３は合成樹脂フイルム２０の上面側に突出している。このように構成すれば、第二の実施の形態と同様に、絶縁基台１０と合成樹脂フイルム２０と集電板５０−３とが同時に一体化できるので、製造工程の簡略化が図れる。

次に合成樹脂フイルム２０は図１０で示すような略矩形状（幅は絶縁基台１０と幅と略同一、長さは絶縁基台１０の長さより所定寸法長い形状）の熱可塑性の合成樹脂フイルムの中央の前記貫通孔１１に対応する位置にこれと同一内径の貫通孔２１を設けて構成され、またその表面の貫通孔２１の外周に馬蹄形状の導体パターン（以下この実施の形態では「抵抗体パターン」という）２５を設け、さらに抵抗体パターン２５の端部（２５ｅ，２５ｅ）に長さ方向（Ａ）に沿う略矩形状の端子パターン２９，２９を接続して設けている。合成樹脂フイルム２０はその端子パターン２９，２９を設けた側の辺を絶縁基台１０の上面から外周側辺を介してその下面に折り返し、これによって合成樹脂フイルム２０は絶縁基台１０の上面と外周側面と下面にその表面が露出するように折り曲げられた状態で絶縁基台１０に取り付けられる。従って抵抗体パターン２５は絶縁基台１０の上面に、端子パターン２９，２９は絶縁基台１０の上面と外周側辺から下面にわたって露出している。

そしてこの電子部品用基板１−３においては、合成樹脂フイルム２０の抵抗体２５の外側にある長さ方向（Ａ）の一辺の端部（抵抗体パターン２５側）となる端辺７１を覆う円弧形状を有する押え部１７ａ（但し抵抗体パターン２５を覆ってはいない）と、合成樹脂フイルム２０の抵抗体パターン２５の端部（２５ｅ，２５ｅ）の外周近傍の部分に二つの端子パターン２９，２９を覆う円弧形状を有する押え部１７ｂと、絶縁基台１０の下面に配置された合成樹脂フイルム２０の端子パターン２９，２９を設けた側の端辺７３を覆う絶縁基台１０の下面と同一面の平板状の押え部１７ｃとを、それぞれ絶縁基台１０と一体にインサート成形樹脂で設け、これによって合成樹脂フイルム２０を絶縁基台１０に強固に固定している。

合成樹脂フイルム２０の端辺７１は、抵抗体パターン２５の円弧形状に合わせて円弧状に形成されており、押え部１７ａもこの円弧形状に合わせて円弧状に形成されている。

合成樹脂フイルム２０の抵抗体パターン２５の端子パターン２９，２９を接続した部分の両外周側辺（即ち合成樹脂フイルム２０の幅方向（Ｂ）の両端部）には凹状に切り欠かれた一対の樹脂挿通部７５ａ，７５ａが設けられ、また両端子パターン２９，２９の間には貫通孔からなる樹脂挿通部７５ｂが設けられ、これら樹脂挿通部７５ａ，７５ａ，７５ｂの上を通過し且つ抵抗体パターン２５の円弧形状に合わせて円弧状に押え部１７ｂが成形されている。押え部１７ｂは樹脂挿通部７５ａ，７５ａ，７５ｂの部分でその下側の絶縁基台１０を構成する成形樹脂と連結されている。

合成樹脂フイルム２０の絶縁基台１０の下面側に折り返された長さ方向（Ａ）のもう一つの辺の端部（端子パターン２９，２９側）となる端辺７３は、略直線状でその中央に円弧状に凹む凹部７７（図１０参照）を設けている。そして一端辺７３の上には、端辺７３を複数箇所（五ヶ所）で押さえるように押え部１７ｃが成形されている。合成樹脂フイルム２０の端辺７３近傍部分の面は、合成樹脂フイルム２０を絶縁基台１０の下面側に折り返した直後の面（絶縁基台１０の側面側に位置する下面）から更に絶縁基台１０の内部に向かって凹む凹部７８の底面まで凹ませているが、これは押え部１７ｃの表面を端子パターン２９，２９の露出面と同一面にするため、押え部１７ｃの厚み分だけ合成樹脂フイルム２０の面を低くしておく必要があるからである。

次にこの電子部品用基板１−３の製造方法を説明する。まず図１０に示すように貫通孔２１、樹脂挿通部７５ａ，７５ａ，７５ｂを有し、その表面に物理的蒸着又は化学的蒸着による金属薄膜によって形成した抵抗体パターン２５と、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって形成した端子パターン２９，２９とを具備した合成樹脂フイルム２０を用意する。この合成樹脂フイルム２０は、抵抗体パターン２５を設けた部分の両側辺から連結部３１，３１を突出しており、これら連結部３１，３１によって同一の多数の合成樹脂フイルム２０（図示せず）が並列に連結されている。

次に前記合成樹脂フイルム２０及び集電板５０−３を図１１に示すように、金型４１，４５内にインサートする。このとき金型４１，４５内には絶縁基台１０と同一形状のキャビティーＣ１が形成されるが、合成樹脂フイルム２０はその抵抗体パターン２５形成面をキャビティーＣ１の金型４１側の内平面Ｃ１１に当接し、且つ端子パターン２９，２９を設けた一端辺７３側部分を金型４５側に折り返しておく。なお合成樹脂フイルム２０の端辺７３に凹部７７（図１０参照）を設けたのは、合成樹脂フイルム２０の端辺７３側部分を金型４５側に折り返した際に、金型４５に設けた貫通孔１１を形成するための凸部４７に合成樹脂フイルム２０が当接しないように逃げるためである。

そして金型４１側に設けた二ヶ所の樹脂注入口（図８（ａ）に示す矢印Ｇ１，Ｇ２及び図１１に示すＧ１，Ｇ２）から加熱・溶融した合成樹脂を圧入してキャビティーＣ１内を満たす。このとき溶融樹脂の圧入圧力と熱とにより合成樹脂フイルム２０はキャビティーＣ１の内周面に押し付けられてその内周面形状に変形し、その状態のまま冷却・固化される。そして金型４１，４５を取り外し、成形された絶縁基台１０の両側から突出している連結部３１，３１の部分を切断すれば、図８，図９に示す電子部品用基板１−３が完成する。

なお前述のように押え部１７ｃによって端辺７３及びその近傍を断続的に複数箇所で押さえたのは、端辺７３の一部を金型４５の面に当接させておくことで、端辺７３の部分が溶融成形樹脂の圧入圧力によって金型４５の面まで押し上げられて変形しないようにこれを押えておくためである。つまり押え部１７ｃを設けないで絶縁基台１０の下面から露出している端辺７３及びその近傍部分は、金型４５によって端辺７３及びその近傍を押えていた結果形成されたものである。

この電子部品用基板１−３によれば、絶縁基台１０の上面に設けられた合成樹脂フイルム２０と絶縁基台１０の下面に設けられた合成樹脂フイルム２０とに、それぞれ合成樹脂フイルム２０を強固に絶縁基台１０に固定する押え部１７ａ〜１７ｃを設けたので、たとえ合成樹脂フイルム２０と絶縁基台１０とがインサート成形時の熱と圧力だけによっては固着しにくい材質の組み合わせであったとしても、合成樹脂フイルム２０が絶縁基台１０の表面から剥がれるなどの問題は生じず、容易にこれを強固に固定しておくことができる。なおこの実施の形態においては、押え部１７ａ〜１７ｃを合成樹脂フイルム２０の絶縁基台１０の上面側に設けられた抵抗体パターン２５側の端辺７１と、抵抗体パターン２５の端部２５ｅ，２５ｅの外周近傍部分と、絶縁基台１０の下面側に設けられた端子パターン２９，２９側の端辺７３とに設けたが、合成樹脂フイルム２０の絶縁基台１０上への固着が比較的強固の場合、押え部はこれら三ヵ所の内の何れか一ヵ所のみに設けるだけでもかまわない。その場合、合成樹脂フイルム２０の絶縁基台１０の下面側に折り曲げた部分が最も元の形状に戻ろうとする応力が強く、はがれ易いので、端子パターン２９，２９側の端辺７３の部分に押え部１７ｃを設けることが好ましい。

以上のようにして製造された電子部品用基板１−３は、その筒状突起５１−３を、前記図７に示すと同様の摺動子６０の嵌挿孔６１に貫通してその先端をかしめることで摺動子６０を回動自在に取り付け、これによって半固定可変抵抗器が構成される。

〔第四の実施の形態〕
図１４は本発明の第四の実施の形態にかかる面実装用固定抵抗器１−４を示す図であり、図１４（ａ）は平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＨ−Ｈ断面図、図１４（ｃ）は裏面図である。同図に示すように面実装用固定抵抗器１−４は、絶縁部材２１０と、絶縁部材２１０の表面に設けられる機能部（以下この実施の形態では「抵抗体パターン」という）２２０と、この抵抗体パターン２２０の両端に接続されて絶縁部材２１０の表面（上面と下面）に露出する端子パターン２３０，２３０とを具備して構成されている。以下各構成部分について説明する。

絶縁部材２１０は、例えば厚み３０μｍ程度の絶縁性の合成樹脂フイルム（例えばＰＰＳフイルム、ＰＩフイルム、ＰＥＴフイルム、ＰＥＮフイルム、ポリエーテルイミドフイルム等）を略矩形状に形成することで構成されている。絶縁部材２１０の端子パターン２３０，２３０を設けた側の両端辺中央には、半円弧状の凹部２１１が設けられている。

抵抗体パターン２２０は例えばＮｉ−Ｃｒ系やＴａ系等の金属微粒子を真空中で吹き付けて堆積させてなる蒸着金属薄膜によって形成されており、その表面には絶縁材料からなるオーバーコート層２２１が印刷等によって被覆されている。

端子パターン２３０は、絶縁部材２１０の上下面に形成され、上面側（抵抗体パターン２２０を設けた面側）に設けた端子パターン２３０には抵抗体パターン２２０の端部が接続されている。この端子パターン２３０は、前記各実施の形態の端子パターン２９と同様に、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって形成されている。その形成方法も前記各実施形態で示した端子パターン２９と同じである。上下面に形成されている端子パターン２３０，２３０間は、絶縁部材２１０の凹部２１１内に充填されている導電部材２４０によって導通されている。導電部材２４０は導電ペーストを硬化することによって構成されている。なおこの実施の形態の場合、実装基板上に設けた接続パターンに直接接続される端子パターン２３０は、絶縁部材２１０の下面側（即ち抵抗体パターン２２０を設けた面の反対側の面）の面に設けた端子パターン２３０なので、この面に設けた端子パターン２３０のみを、本発明にかかる平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって形成してもよい。また導電部材２４０を平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀の金属微粒子を互いに融着してなる導電部材によって形成しても良い。

そしてこの面実装用固定抵抗器１−４を製造するには、大型の絶縁部材２１０の凹部２１１となる部分に円形の開口を多数形成し、この大型の絶縁部材２１０の上下面に多数の端子パターン２３０，２３０を形成し、次にその一方の面に多数の抵抗体パターン２２０及びオーバーコート層２２１を形成した後、前記各開口に導電部材２４０となる導電ペーストを充填して硬化させ、その後大型の絶縁部材２１０を一つずつの面実装用固定抵抗器１−４の大きさにカットし、その際前記導電ペーストを充填した開口をその中央で切断すれば、図１４に示す面実装用固定抵抗器１−４が完成する。

以上のようにして構成された面実装用固定抵抗器１−４は、図示しない実装基板上に面実装され、その際面実装用固定抵抗器１−４の下面両端に設けた端子パターン２３０，２３０は半田等によって実装基板に設けた接続パターンに電気的・機械的に接続して取り付けられる。そしてこの実施の形態においても、端子パターン２３０，２３０の比抵抗が低いので、端子パターン２３０，２３０と実装基板の接続パターンとの接触抵抗値を小さくできる。また前述のように低い加熱温度で金属微粒子が溶融するので、絶縁部材２１０として耐熱性の低い絶縁部材（例えばＰＥＴフイルム）を用いることができる。

なおこの実施の形態では絶縁部材２１０として合成樹脂フイルムを用いたが、その代わりに絶縁部材２１０を成形樹脂によって構成しても良いし、成形樹脂上に合成樹脂フイルムを取り付けたもので構成しても良い。その他にもその電子部品の構造により、種々の変形が可能であることはいうまでもない。要は、絶縁部材と、絶縁部材の表面又はその内部に設けられる機能部及びこの機能部に接続されて絶縁部材の表面に露出する端子パターンとを具備し、実装基板上に面実装することで、前記端子パターンを前記実装基板上に形成した接続パターンに接続して取り付ける構造の面実装用電子部品であれば、どのような機能・構造のものであっても、本発明を適用できる。

以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。なお直接明細書及び図面に記載がない何れの形状や構造や材質であっても、本願発明の作用・効果を奏する以上、本願発明の技術的思想の範囲内である。例えば上記各実施の形態では導体パターンとして抵抗体パターンを用いたが、スイッチパターン等、他の各種パターンを用いても良い。スイッチパターンを設ける場合はスイッチパターンと端子パターンとを同一材質とし、同一の工程で形成しても良い。また上記各実施の形態では端子パターン２９，２９の上に抵抗体パターン２５を設けたが、逆に抵抗体パターン２５の上に端子パターン２９，２９を設けてもよい。

また上記各実施の形態では端子パターンを銀の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって形成したが、その代わりに、端子パターンを金の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって形成しても良い。また端子パターンを銅の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって形成しても良い。さらにこれら金属（銀，金，銅）の内の二種類以上を混合した金属微粒子によって導電性被膜を形成しても良い。

また上記実施の形態では、面実装型摺接用電子部品用基板として面実装型回転式電子部品用基板を示したが、機能パターンを直線状に形成してその上を摺動子が直線状に摺接する面実装型スライド式電子部品用基板等に本願発明を適用しても良く、要は、機能パターン上を他の部材が摺接する構造の各種面実装型摺接用電子部品用基板であれば良い。

本発明にかかる電子部品用基板（面実装型回転式電子部品用基板）１−１の斜視図である。 本発明にかかる電子部品用基板１−１を示す図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は正面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図、図２（ｄ）は裏面図である。 電子部品用基板１−１の製造方法説明図である。 電子部品用基板１−１の製造方法説明図である。 電子部品用基板１−１を用いて構成した半固定可変抵抗器１００−１を示す図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は正面図、図５（ｃ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ断面図、図５（ｄ）は裏面図である。 電子部品用基板１−２を示す図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は正面図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ断面図、図６（ｄ）は裏面図である。 電子部品用基板１−２を用いて構成した半固定可変抵抗器１００−２を示す図であり、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は正面図、図７（ｃ）は図７（ａ）のＥ−Ｅ断面図、図７（ｄ）は裏面図である。 本発明にかかる電子部品用基板１−３を示す図であり、図８（ａ）は上側から見た斜視図、図８（ｂ）は下側から見た斜視図である。 本発明にかかる電子部品用基板１−３を示す図であり、図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は正面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＥ−Ｅ断面図、図９（ｄ）は裏面図である。 電子部品用基板１−３の製造方法説明図である。 電子部品用基板１−３の製造方法説明図である。 導電性被膜の性能試験の結果を示す図である。 半固定可変抵抗器１００−１を実装基板１５０上に面実装した状態を示す断面図である。 本発明にかかる面実装用固定抵抗器１−４を示す図であり、図１４（ａ）は平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＨ−Ｈ断面図、図１４（ｃ）は裏面図である。

符号の説明

１−１ 電子部品用基板（面実装型回転式電子部品用基板、面実装用電子部品）
１０ 絶縁基台（絶縁部材）
２０ 合成樹脂フイルム（絶縁部材）
２５ 抵抗体パターン（導体パターン、機能パターン、機能部）
２９，２９ 端子パターン
１００−１ 半固定可変抵抗器
５０ 集電板
６０ 摺動子
１５０ 実装基板
１５３ 接続パターン
１−２ 電子部品用基板（面実装型回転式電子部品用基板、面実装用電子部品）
５０−２ 集電板
１００−２ 半固定可変抵抗器
１−３ 電子部品用基板（面実装型回転式電子部品用基板、面実装用電子部品）
５０−３ 集電板
１−４ 面実装用固定抵抗器（面実装用電子部品）
２１０ 絶縁部材
２２０ 抵抗体パターン（機能部）
２３０，２３０ 端子パターン
２４０ 導電部材

Claims (3)

1. 絶縁部材と、絶縁部材の表面又はその内部に設けられる機能部及びこの機能部に接続されて絶縁部材の表面に露出する端子パターンとを具備し、
   実装基板上に面実装することで、前記端子パターンを前記実装基板上に形成した接続パターンに接続して取り付ける構造の面実装用電子部品において、
   前記端子パターンを、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀及び／又は金及び／又は銅の金属微粒子を互いに融着してなる導電性被膜によって形成したことを特徴とする面実装用電子部品。
2. 前記絶縁部材は合成樹脂であり、且つ前記導電性被膜は、平均粒径が１〜１０００ｎｍの銀及び／又は金及び／又は銅の金属微粒子を含有する導電ペーストを前記絶縁部材に塗布して加熱することで前記金属微粒子を互いに融着して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面実装用電子部品。
3. 前記面実装用電子部品は面実装型摺接用電子部品用基板であり、また前記機能部は絶縁部材の表面に設けられる機能パターンであり、
   前記絶縁部材は、合成樹脂成形品からなる絶縁基台と、前記絶縁基台上に取り付けられる合成樹脂フイルムとを具備して構成され、
   前記機能パターンと端子パターンとは前記合成樹脂フイルム上に形成され、さらに前記機能パターンはその表面に摺動子が摺接する導体パターンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の面実装用電子部品。

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