JP2006041951A - プロセスばらつき検知装置およびプロセスばらつき検知方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】迅速にプロセスばらつきの状態を検知し、チップに含まれる各マクロに対して効率よくチューニングを実行すること。
【解決手段】検知回路用パルス生成回路110が、クロック信号CLKを各プロセスばらつきの応じたパルス幅の信号を生成し、生成した各信号を検知回路120〜150に出力する。そして、FS検知回路120は、FS状態時にHをラッチ1に出力し、SF検知回路130は、SF状態時にHをラッチ2に出力し、FF検知回路140は、FF状態時にHをラッチ3に出力し、SS検知回路150は、SS状態時にHをラッチ4に出力する。
【選択図】 図3
【解決手段】検知回路用パルス生成回路110が、クロック信号CLKを各プロセスばらつきの応じたパルス幅の信号を生成し、生成した各信号を検知回路120〜150に出力する。そして、FS検知回路120は、FS状態時にHをラッチ1に出力し、SF検知回路130は、SF状態時にHをラッチ2に出力し、FF検知回路140は、FF状態時にHをラッチ3に出力し、SS検知回路150は、SS状態時にHをラッチ4に出力する。
【選択図】 図3
Description
本発明は、集積回路に含まれるプロセスばらつきを検知するプロセスばらつき検知回路およびプロセスばらつき検知方法に関し、特に、迅速にプロセスばらつきの状態を検知し、チップに含まれる各マクロ回路に対して効率よくチューニングを実行可能なプロセスばらつき検知装置およびプロセスばらつき検知方法に関するものである。
IC(Integrated Circuit)やLSI(Large Scale Integration)などの半導体集積回路(以下、単にチップと表記する)は、シリコンウエーハに、不純物を添加したり、絶縁膜、配線金属膜などを形成する工程を何度も繰り返して製造される。
しかし、シリコンウエーハからチップを製造した際に、製造したチップ間にプロセスばらつきが存在し、チップが正常に動作しないという問題が発生している。そのため、従来では、チップ内のマクロ回路をチューニングすべく、プロセスばらつきを予め想定して、各マクロ回路内にチューニング回路を組み込んでいる。また、現在では半導体デバイスの微細化に伴い、チップ内でのプロセスばらつきも顕著になっている。
そして、チップ製造後、人手によってチップに対するテストを実行し、最適なクロックチューニング信号を判定し、判定したクロックチューニング信号を各マクロ回路に入力することによって、プロセスばらつきが存在するチップであっても、正常に動作させることを可能としている。
なお、特許文献1では、ダミービット線の電位と参照電圧とを比較してタイミング信号を生成することによって、動作マージンを向上させ、チップの高速動作を可能とする技術が公開されている。
しかしながら、従来の技術では、迅速にプロセスばらつきの状態を検知することができず、チップに含まれる各マクロ回路に対して効率よくチューニングを実行することができないという問題があった。
具体的には、チューニング回路に入力するクロックチューニング信号を特定する場合には、チップを製造し、さらに人手によってテストを実行する必要があるため、多大な時間およびコストを必要とするとともに、テストを実行するユーザにかかる負担も大きい。
また、従来に係る技術では、同種のマクロ回路には共通のクロックチューニング信号を使用しているため、チップが有する各マクロ回路毎にチューニング信号を設定することができない。
本発明は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、迅速にプロセスばらつきの状態を検知し、チップに含まれる各マクロ回路に対して効率よくチューニングを実行可能なプロセスばらつき検知装置およびプロセスばらつき検知方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明は、集積回路に含まれるプロセスばらつきを検知するプロセスばらつき検知装置であって、外部から入力されるクロック信号を基にして、プロセスばらつきの特徴に応じたパルス幅のパルス信号を生成するパルス信号生成手段と、前記パルス信号と、チャネル幅やゲート長をアンバランスに設定したトランジスタとを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力する出力手段とを備えたことを特徴とする。
また、本発明は、上記発明において、プロセスばらつきの状態を数種類のパターンに分類し、各パターンに対応した前記出力手段を複数備えたことを特徴とする。
また、本発明は、上記発明において、前記出力手段は、前記パルス信号と、通常よりもチャネル幅を小さくしたトランジスタを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力することを特徴とする。
また、本発明は、上記発明において、前記出力手段が出力する値を、チューニング回路のクロックチューニング信号として利用することを特徴とする。
また、本発明は、半導体集積回路に含まれるプロセスばらつきを検知するプロセスばらつき検知方法であって、外部から入力されるクロック信号を基にして、プロセスばらつきの特徴に応じたパルス幅のパルス信号を生成するパルス信号生成工程と、前記パルス信号と、チャネル幅やゲート長をアンバランスに設定したトランジスタを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力させる出力工程と、を含んだことを特徴とする。
本発明によれば、外部から入力されるクロック信号を基にして、プロセスばらつきの特徴に応じたパルス幅のパルス信号を生成し、該パルス信号と、チャネル幅やゲート長などをアンバランスに設定したトランジスタとを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力するので、迅速にプロセスばらつきの状態を検知することができる。
また、本発明によれば、特定のプロセスばらつきの場合に出力された出力値をチェック回路のクロックチューニング信号として利用するので、効率よく、プロセスばらつき状態に対応することができる。
以下に添付図面を参照して、この発明に係るプロセスばらつき検知装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。
まず、本実施例に係るプロセスばらつき検知の概念について説明する。図1は、本実施例に係るプロセスばらつき検知の概念を説明するための図である。同図に示すように、クロック信号CLKが回路1〜4に入力され、回路1〜4は、ラッチ(Latch)1〜4に接続される。また、ラッチ1〜4は、チョップパルス信号CLKPに接続される。
回路1〜4は、特定のプロセスばらつきが生じた際に、ラッチ1〜4が正しい出力値を取り込めなくなるように構成されている。ここで、プロセスばらつきとは、チップに含まれるトランジスタなどを構成するpmosおよびnmosが電圧に接続された際の、理想の反応速度に対する実際の反応速度のばらつきを示す。
本実施例では、pmosの反応速度が速く(理想の反応速度に対して速い)nmosの反応速度が遅い(理想の反応速度に対して遅い)状態(FS状態)、pmosの反応速度が遅くnmosの反応速度が速い状態(SF状態)、pmosの反応速度が速くnmosの反応速度が速い状態(FF状態)、pmosの反応速度が遅くnmosの反応速度が遅い状態(SS状態)およびpmos、nmos共に反応速度が理想の速度の状態(TT状態)計5種類の状態を設定する。
そして、回路1は、FS状態時のみラッチ1にHデータ(以下、Hと表記する)を入力し、回路2は、SF状態時のみラッチ2にHを入力し、回路3は、FF状態時のみラッチ3にHを入力し、回路4は、SS状態時のみラッチ4にHを入力することとなる。
そして、チョップパルス信号CLKPをトリガにラッチ1〜4にデータが取り込まれ、出力される値を参照することによって、プロセスばらつきの状態を把握することが可能となる。具体的には、出力1のみからHが出力される場合には、プロセスばらつきがFS状態であり、出力2のみからHが出力される場合には、プロセスばらつきがSF状態であり、出力3のみからHが出力される場合には、プロセスばらつきがFF状態であり、出力4のみからHが出力される場合には、SS状態であり、出力1〜4全てからHが出力されない場合には、TT状態であることがわかる。また、出力1〜4から出力される値を、クロックチューニング信号(CT)として、利用することで、自動的に、プロセスばらつきに対応することが可能となる。
図2は、本実施例に係るプロセスばらつき検知装置100の接続例を示す図である。図2に示すように、プロセスばらつき検知装置100は、チューニング回路を備えたRAM(Random Access Memory)200に接続し、プロセスばらつきに対応したクロックチューニング信号をRAM200に入力する。なお、図2は一例であり、プロセスばらつき検知装置100は、チューニング回路を備えたどのようなマクロ回路にでも利用可能である。
また、本実施例に係るプロセスばらつき検知装置100は、各マクロ回路に設定することが可能であるため、マクロ毎に最適なクロックチューニング信号を生成し、プロセスばらつきに対応させることができる。
次に、本実施例に係るプロセスばらつき検知装置100の構成について説明する。図3は、本実施例に係るプロセスばらつき検知装置100の構成を示すブロック図である。同図に示すように、このプロセスばらつき検知装置100は、検知回路用パルス生成回路110と、FS検知回路120と、SF検知回路130と、FF検知回路140と、SS検知回路と、ラッチ1〜4とを有する。
検知回路用パルス生成回路110は、プロセスばらつきの状態に応じて異なったパルス幅の信号を生成し、生成した信号を、FS検知回路120と、SF検知回路130と、FF検知回路140と、SS検知回路150に入力する。
ここで、検知回路用パルス生成回路110の構成について説明する。図4は、検知回路用パルス生成回路110の構成を示す図である。同図に示すように、検知回路用パルス生成回路110は、複数のインバータ(NOT演算子)とNAND演算子とから構成される。
また、検知回路用パルス生成回路110には、クロック信号CLKと、IH信号とが入力される。なお、IH信号は、クロック信号CLKを抑えるための信号であり、IH信号がHの場合には、検知回路120〜150にLデータ(以下、Lと表記する)を取り込ませ、検知回路120〜150を初期化する。
また、検知回路用パルス生成回路110は、クロック信号CLKを遅延させた信号CLKDと、FS検知回路120およびFF検知回路140で使用する信号CLPと、SF検知回路130およびFF検知回路140で利用するCLPXと、SS検知回路150で使用する信号CLP1およびCLPX1とをそれぞれ出力する。
次に、各プロセスばらつきの状態に係る各ノードの波形について説明する。まず、各プロセス状態によるクロック信号CLKがインバータを2段経過したノードAの波形(以下、波形Aと表記する)と、インバータを9段経過したノードBの波形(以下、波形Bと表記する)と、NAND演算子110aを経過したノードDの波形(以下、波形Dと表記する)とを図5に示す。
図5に示すように、プロセスばらつきの状態がFF状態の場合には、pmosおよびnmosの反応速度(スイッチング速度)が速いため、波形Bが通常よりも早く出る。従って、波形Dに係るLowの区間(以下、L区間と表記する)の幅が狭くなる。
一方、プロセスばらつきの状態がSS状態の場合には、pmosおよびnmosの反応速度が遅いため、波形Bが通常よりも遅く出る。従って、波形Dに係るL区間の幅が広くなる。なお、プロセスばらつきの状態が、TT、FSおよびSF状態では、波形Bは通常通りとなるため、波形DのL区間の幅は通常通り生成される。
次に、各プロセス状態による波形Aと、インバータ6段で遅延させて生成されるノードCの波形(以下、波形Cと表記する)と、NAND演算子110bを経過したノードEの波形(以下、波形Eと表記する)とを図6に示す。
図6に示すように、プロセスばらつきの状態がFFの場合には、pmosおよびnmosの反応速度が速いため、波形Cが通常よりも早く出る。従って、波形Eに係るL区間の幅が広くなる。
一方、プロセスばらつきの状態がSSの場合には、pmosおよびnmosの反応速度が遅いため、波形Cが通常よりも遅く出る。従って、波形Eに係るL区間の幅は狭くなる。なお、プロセスのばらつきの状態が、TT、FSおよびSF状態では、波形Cは通常通りとなるため、波形DのL区間の幅は通常通り生成される。
従って、CLPは、波形Dを反転した信号となり、CLPXは、波形Dを2度反転した信号(波形Dとほぼ同様の信号)となる。また、CLP1は、波形Eを反転した信号となり、CLPX1は、波形Eを2度反転した信号(波形Eとほぼ同様の信号)となる。
図7に、CLP、CLPX、CLP1およびCLPX1と、各プロセス状態時のパルス幅との関係を示す。同図に示すように、CLPは、TT、FSおよびSF状態時には、H区間の幅が通常通りとなり、FF状態時にはH区間の幅が狭くなり、SS状態時には、H区間の幅が広くなる。
また、CLPXは、TT、FSおよびSF状態時には、L区間の幅が通常通りとなり、FF状態時にはL区間の幅が狭くなり、SS状態時には、L区間の幅が広くなる。CLP1は、TT、FSおよびSF状態時には、H区間の幅が通常通りとなり、FF状態時にはH区間の幅が広くなり、SS状態時には、H区間の幅が狭くなる。また、CLPX1は、TT、FSおよびSF状態時には、L区間の幅が通常通りとなり、FF状態時にはL区間の幅が広くなり、SS状態時には、L区間の幅が狭くなる。
次に、検知回路120〜150について説明する。まず、各検知回路の内、FS検知回路120の説明を行う。FS検知回路120は、検知回路用パルス生成回路110から、CLKDおよびCLPを受付け、プロセスばらつきの状態がFS状態の場合にのみ、ラッチ1に1を出力する。
図8に、FS検知回路120の構成の一例を示す。同図に示すように、FS検知回路120は、nmosのパストランジスタNPと、複数のインバータとを有する。ここで、トランジスタの簡単な模式図を、図9に示す。
図9に示すように、ゲートGに電圧が印加されると、ソースS、ドレインD間が導通し、電流が流れる。このときの、ドレイン−ソース電流IDSは次のような式で表される。
IDS=A×W/L(A:比例定数)
つまり、チャネル幅Wが小さいほど、ゲート長Lが大きいほどIDSが小さくなり、トランジスタの動作速度が遅くなる。
IDS=A×W/L(A:比例定数)
つまり、チャネル幅Wが小さいほど、ゲート長Lが大きいほどIDSが小さくなり、トランジスタの動作速度が遅くなる。
なお、本実施例では、FS検知回路120に係るパストランジスタNPのチャネル幅Wを意図的に小さくする。このように、チャネル幅Wを意図的に小さくすることによって、nmosの反応速度が遅い場合に、CLKDの値を取り込めなくする。
しかし、同様にnmosの反応速度が遅いSS状態時には、CLPのパルス幅が広くなるため、CLKDの値を取り込むことが可能となる。すなわち、FS状態時のみ、CLKDの値を取り込むことが不可能となり、FS状態時のみ、ラッチ1にHを出力することとなる。
図10に、CLKDおよびCLPの波形と、各プロセス変動に係るノードAA1の波形(以下、波形AA1と表記する)とを示す。同図に示すように、プロセスばらつきの状態が、FS状態以外の場合には、CLPがHになった際に、波形AA1は実線で表すようにHとなるが、FS状態の場合には、CLPがHとなった場合にでも、波形AA1は破線に表すように、Lのままとなる。
次に、SF検知回路130の説明を行う。SF検知回路130は、検知回路用パルス生成回路110から、CLKDおよびCLPXを受付け、プロセスばらつきの状態がSF状態の場合にのみ、ラッチ2にHを出力する。
図11に、SF検知回路130の構成の一例を示す。同図に示すように、SF検知回路130は、pmosのパストランジスタPPと、複数のインバータとを有する。本実施例に係るSF検知回路130は、CLPXがLの時に、CLKDのHの値を読み取る。
また、pmosの反応速度が遅いときにCLKDの値を取り込めなくするために、SF検知回路130に係るパストランジスタPPのチャネル幅Wを意図的に小さくし、インバータ300に係るnmosのチャネル幅Wを小さくする。
なお、同じnmosの反応速度が遅いSS状態時では、FS検知回路120と同様に、CLPXのパルス幅が広いため、パストランジスタPPのオン状態が長く続く間に、CLKDの値を取り込むことができる。すなわち、SF状態時のみ、CLKDの値を取り込むことが不可能となり、SF状態時のみ、ラッチ2にHを出力することとなる。
図12に、CLKDおよびCLPXの波形と、各プロセス変動に係るノードAA2の波形(以下、波形AA2と表記する)とを示す。同図に示すように、プロセスばらつきの状態が、SF状態以外の場合には、CLPXがLになった際に、波形AA2は、実線で表すようにHとなるが、SF状態の場合には、CLPXがLとなった場合にでも、波形AA2は破線に表すように、Lのままとなる。
次に、FF検知回路140の説明を行う。FF検知回路140は、CLKD、CLPおよびCLPXを受付け、プロセスばらつきの状態がFF状態の場合にのみ、ラッチ3にHを出力する。
図13に、FF検知回路140の一例を示す。同図に示すように、FF検知回路140は、nmosのパストランジスタNP1と、pmosのパストランジスタPP1と、複数のインバータとを有する。
本実施例に係るFF検知回路140は、パストランジスタNP1を含んだ第1段階と、パストランジスタPP1を含んだ第2段階で信号を取り込むこととなる。また、プロセスばらつきがFF状態の場合にのみCLKDの値を取り込むために、パストランジスタNP1およびPP1のチャネル幅Wの値を意図的に小さくする。
第1段階において、パストランジスタNP1のチャネル幅Wが小さいため、プロセス変動が、TT、SS、SF状態ではCLKDの値Hを取り込むことができない。しかし、nmosの反応速度のはやいSF、FF状態では、CLKDの値を取り込むことができる。
そして、第2段階において、パストランジスタPP1のチャネル幅Wが小さいため、pmosの反応速度が遅いSF状態では取り込むことができず、pmosの反応速度が速いFF状態でのみ、第2段階までCLKDの値Hを取り込むことができ、ラッチ3にHを出力することになる。
図14に、CLKD、CLP、CLPX、各プロセス変動に係るノードAA3の波形(以下、波形AA3と表記する)および各プロセス変動に係るノードABの波形(以下、波形)を示す。同図に示すように、プロセスばらつきの状態が、SFおよびFF状態の場合にのみ、CLPがHになった際に、波形AA3がHとなる。
また、プロセスばらつきの状態がFF状態時には、CLPXが0になった際に、実線で示すように波形ABはHとなる。一方、プロセスばらつきの状態が、SF状態時には、CLPXがLになった際に、破線で示すように波形ABはLのままとなる。
次に、SS検知回路150の説明を行う。SS検知回路150は、検知回路用パルス生成回路110から、CLKD、CLP1およびCLPX1を受付け、プロセスばらつきの状態がSS状態の場合にのみ、ラッチ4にHを出力する。
図15に、SS検知回路150の構成の一例を示す。同図に示すように、SS検知回路150は、相補型ゲートMUXと、複数のインバータとを有する。本実施例に係るSS検知回路150は、CLP1がHで、CLPXがLの場合に、CLKDの値を取り込むこととなる。
また、相補型ゲートMUX(以下、MUXと表記する)のpmosおよびnmosのチャネル幅Wを意図的に小さくし、さらに、SS状態になるとパルス幅の狭くなるCLPX1、CLP1をMUXのゲート入力とすることによってMUXのオン状態を短くする。従って、SS状態の場合にのみ、CLKDの値が取り込めなくなり、SS状態時のみラッチ4にHが出力される。
図16に、CLKD、CLP1、CLPX1および各プロセス変動に係るノードAA4の波形(以下、波形AA4と表記する)を示す。同図に示すように、CLP1がHとなりCLPX1がLとなった際に、プロセスばらつきがSS状態時のみ、破線で示すように、波形AA4はLのままとなり、それ以外は、実線に示すようにHとなる。
上述してきたように、本実施例に係るプロセスばらつき検知装置100は、検知回路用パルス生成回路110が、クロック信号CLKを各プロセスばらつきの応じたパルス幅の信号を生成し、生成した各信号を検知回路120〜150に出力する。そして、FS検知回路120は、FS状態時にHをラッチ1に出力し、SF検知回路130は、SF状態時にHをラッチ2に出力し、FF検知回路140は、FF状態時にHをラッチ3に出力し、SS検知回路150は、SS状態時にHをラッチ4に出力するので、プロセスばらつきの状態を容易に把握することができ、出力1〜4の値をクロックチューニング信号として利用することで、効率よくプロセスばらつきに対応することができる。
なお、本実施例は、プロセスばらつき検知装置100を検知回路120〜150と、ラッチ1〜4とに分離して構成したが、これに限定されるものではなく、例えば、図17に示すように、ラッチ自体を、各プロセスばらつき検知可能なスキャンラッチ(Scan-Latch)として構成してもよい。
また、本実施例では、一例として、各パストランジスタのチャネル幅Wを小さくし、各プロセスばらつきの状態を検知可能としたが、これに限定されるものではなく、トランジスタに係る他の部分をアンバランスに設定することによって、同様の効果を得ることが可能となる。例えば、図9に示すチャネル幅Wを小さくする代わりに、ゲート長Lを大きくしてもよい。
(付記1)集積回路に含まれるプロセスばらつきを検知するプロセスばらつき検知装置であって、
外部から入力されるクロック信号を基にして、プロセスばらつきの特徴に応じたパルス幅のパルス信号を生成するパルス信号生成手段と、
前記パルス信号と、チャネル幅やゲート長をアンバランスに設定したトランジスタとを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力する出力手段と、
を備えたことを特徴とするプロセスばらつき検知装置。
外部から入力されるクロック信号を基にして、プロセスばらつきの特徴に応じたパルス幅のパルス信号を生成するパルス信号生成手段と、
前記パルス信号と、チャネル幅やゲート長をアンバランスに設定したトランジスタとを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力する出力手段と、
を備えたことを特徴とするプロセスばらつき検知装置。
(付記2)プロセスばらつきの状態を数種類のパターンに分類し、各パターンに対応した前記出力手段を複数備えたことを特徴とする付記1に記載のプロセスばらつき検知装置。
(付記3)前記出力手段は、前記パルス信号と、通常よりもチャネル幅を小さくしたトランジスタを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力することを特徴とする付記1または2に記載のプロセスばらつき検知装置。
(付記4)前記出力手段は、前記パルス信号と、通常よりもゲート長を長くしたトランジスタを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力することを特徴とする付記1または2に記載のプロセスばらつき検知装置。
(付記5)前記出力手段が出力する値を、チューニング回路のクロックチューニング信号として利用することを特徴とする付記1または2に記載のプロセスばらつき検知装置。
(付記6)半導体集積回路に含まれるプロセスばらつきを検知するプロセスばらつき検知方法であって、
外部から入力されるクロック信号を基にして、プロセスばらつきの特徴に応じたパルス幅のパルス信号を生成するパルス信号生成工程と、
前記パルス信号と、チャネル幅やゲート長をアンバランスに設定したトランジスタを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力させる出力工程と、
を含んだことを特徴とするプロセスばらつき検知方法。
外部から入力されるクロック信号を基にして、プロセスばらつきの特徴に応じたパルス幅のパルス信号を生成するパルス信号生成工程と、
前記パルス信号と、チャネル幅やゲート長をアンバランスに設定したトランジスタを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力させる出力工程と、
を含んだことを特徴とするプロセスばらつき検知方法。
以上説明したように、本発明にかかるプロセスばらつき検知装置およびプロセスばらつき検知方法は、出力値としてプロセス状態を知ることが出来る為にデバックの際に有用であり、また、出力値をクロックチューニング信号として使用することでチップ内のプロセスばらつきにも対応でき、チップの製造歩留まりを向上させることができる。
100 プロセスばらつき検知装置
110 検知回路用パルス生成回路
120 FS検知回路
130 SF検知回路
140 FF検知回路
150 SS検知回路
110 検知回路用パルス生成回路
120 FS検知回路
130 SF検知回路
140 FF検知回路
150 SS検知回路
Claims (5)
- 集積回路に含まれるプロセスばらつきを検知するプロセスばらつき検知装置であって、
外部から入力されるクロック信号を基にして、プロセスばらつきの特徴に応じたパルス幅のパルス信号を生成するパルス信号生成手段と、
前記パルス信号と、チャネル幅やゲート長をアンバランスに設定したトランジスタとを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力する出力手段と、
を備えたことを特徴とするプロセスばらつき検知装置。 - プロセスばらつきの状態を数種類のパターンに分類し、各パターンに対応した前記出力手段を複数備えたことを特徴とする請求項1に記載のプロセスばらつき検知装置。
- 前記出力手段は、前記パルス信号と、通常よりもチャネル幅を小さくしたトランジスタを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力することを特徴とする請求項1または2に記載のプロセスばらつき検知装置。
- 前記出力手段が出力する値を、チューニング回路のクロックチューニング信号として利用することを特徴とする請求項1または2に記載のプロセスばらつき検知装置。
- 半導体集積回路に含まれるプロセスばらつきを検知するプロセスばらつき検知方法であって、
外部から入力されるクロック信号を基にして、プロセスばらつきの特徴に応じたパルス幅のパルス信号を生成するパルス信号生成工程と、
前記パルス信号と、チャネル幅やゲート長をアンバランスに設定したトランジスタを利用して、特定のプロセスばらつき状態の場合にのみ所定の値を出力させる出力工程と、
を含んだことを特徴とするプロセスばらつき検知方法。
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