JP2006020051A - Non-reversible circuit element - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a non-reversible circuit element having a microminiature, and thin shape and a low loss. <P>SOLUTION: The non-reversible circuit element includes a permanent magnet, a ferrimagnetic material which applies a DC magnetic field with the permanent magnet, a plurality of center conductors arranged to the ferrimagnetic material, a matching capacitor connected to the center conductor, and a metal casing for constituting the magnetic circuit of the DC magnetic field by the permanent magnet. The metal casing is constituted so that a loop-like current which circulates around the center conductor may not arise on the metal casing. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、携帯電話などの移動体通信システムの中で使用され、一般にアイソレータと呼ばれる非可逆回路素子に関する。   The present invention relates to a nonreciprocal circuit device generally used as an isolator, which is used in a mobile communication system such as a mobile phone.

従来、携帯電話等に用いられる高周波部品の一つとして、アイソレータ,サーキュレータ等の非可逆回路素子がある。一般に非可逆回路素子は、電力増幅器などの破損を防止する目的で使用され、信号の伝送方向の挿入損失は小さいが、逆方向への逆方向損失は大きくなるような機能を持たせたものである。 Conventionally, non-reciprocal circuit elements such as isolators and circulators are one type of high-frequency components used in mobile phones and the like. In general, nonreciprocal circuit elements are used for the purpose of preventing damage to power amplifiers, etc., and have a function that increases the reverse loss in the reverse direction, although the insertion loss in the signal transmission direction is small. is there.

図5は、特許文献1に記載された非可逆回路素子の構造を示す分解斜視図である。この非可逆回路素子は、互いに電気的絶縁状態で、所定の角度間隔で重ねられた3つの中心導体104,105,106をフェライト103上に配置した中心導体部120と、フェライト103に直流磁界を印加するための永久磁石102と、容量素子108、109、110と終端抵抗111を有し、これらを、磁気ヨークを兼ねた上ケース101と下ケース112とで構成する金属ケース内に配置して構成されている。上ケース101および下ケース112間には、絶縁体に金属材料をインサートした樹脂一体型下ケース107が設けられており、樹脂一体型下ケース107内には、容量素子108,109,110、終端抵抗111、中心導体部120が、凹部113b、113c、113d、113aに収納されている。また、樹脂一体型下ケース107の対向する外壁の2側面には、実装基板との接続を行う外部端子が形成されている。前記外部端子の内、外部端子115b、115c、115e、115fは、実装基板のグランドと接続されるグランド端子である。また、外部端子115a,115bは高周波信号を扱う入出力端子であり、樹脂一体型下ケース107内に形成された端子電極116a,116dと繋がっている。  FIG. 5 is an exploded perspective view showing the structure of the non-reciprocal circuit device described in Patent Document 1. As shown in FIG. This non-reciprocal circuit element is electrically insulated from each other and has a central conductor portion 120 in which three central conductors 104, 105, and 106 overlapped at a predetermined angular interval are arranged on a ferrite 103, and a DC magnetic field is applied to the ferrite 103. A permanent magnet 102 for application, capacitive elements 108, 109, and 110 and a terminating resistor 111 are disposed in a metal case constituted by an upper case 101 and a lower case 112 that also serve as a magnetic yoke. It is configured. Between the upper case 101 and the lower case 112, a resin-integrated lower case 107 in which a metal material is inserted into an insulator is provided. In the resin-integrated lower case 107, capacitive elements 108, 109, 110, and terminations are provided. The resistor 111 and the central conductor 120 are housed in the recesses 113b, 113c, 113d, and 113a. In addition, external terminals for connecting to the mounting substrate are formed on the two side surfaces of the opposing outer wall of the resin-integrated lower case 107. Of the external terminals, the external terminals 115b, 115c, 115e, and 115f are ground terminals connected to the ground of the mounting board. The external terminals 115a and 115b are input / output terminals that handle high-frequency signals, and are connected to terminal electrodes 116a and 116d formed in the resin-integrated lower case 107.

この樹脂一体型下ケース107は、例えば銅、あるいは銅合金のような電気良導体の薄板を用い、前記薄板を、プレス成形などにより必要な形に打ち抜き、折曲げ成形して、液晶ポリマーなどの耐熱性樹脂とともに射出成形し、再度打ち抜き加工を行い、薄板の不必要な部分を取り去って形成される。また、中心導体104,105,106の端部は帯状に形成されおり、前記端子電極116a,116d、容量素子108,109,110の一方の電極、チップ抵抗111の一方の電極とはんだ接続される。 The resin-integrated lower case 107 uses a thin plate of a good electrical conductor such as copper or a copper alloy, and the thin plate is punched into a required shape by press molding or the like and bent to form a heat resistant liquid crystal polymer or the like. It is formed by injection molding together with a functional resin, punching is performed again, and unnecessary portions of the thin plate are removed. The end portions of the central conductors 104, 105, and 106 are formed in a band shape, and are solder-connected to the terminal electrodes 116a and 116d, one electrode of the capacitive elements 108, 109, and 110, and one electrode of the chip resistor 111. .

図6は、一般的な非可逆回路素子の等価回路であり、図5に示した従来例もこの等価回路となる。この等価回路は、入力ポートP1、出力ポートP2,終端ポートP3を有し、所望の周波数(中心周波数)で動作するアイソレータを示している。図5に示した非可逆回路素子と対比すると、インダクタンスL1,L2,L3は、中心導体104,105,106が巻回されたフェライト103部分で形成され、コンデンサC1,C2,C3、抵抗Rは、容量素子108,109,110、終端抵抗111と対応し、入力ポートP1、出力ポートP2は入出力端子115a,115bと対応する。 FIG. 6 is an equivalent circuit of a general non-reciprocal circuit element, and the conventional example shown in FIG. 5 is also an equivalent circuit. This equivalent circuit shows an isolator having an input port P1, an output port P2, and a termination port P3 and operating at a desired frequency (center frequency). In contrast to the non-reciprocal circuit element shown in FIG. 5, the inductances L1, L2, and L3 are formed of the ferrite 103 portion around which the central conductors 104, 105, and 106 are wound, and the capacitors C1, C2, C3, and the resistance R are , Capacitance elements 108, 109, and 110, and termination resistor 111, and input port P1 and output port P2 correspond to input / output terminals 115a and 115b.

図7は、特許文献2に記載された非可逆回路素子の構造を示す分解斜視図である。この非可逆回路素子は、2ポート型非可逆回路素子である。図7に示すように、2ポート型アイソレータ1は、概略、金属製上側ケース4と金属製下側ケース8とからなる金属ケースと、永久磁石9と、フェライト20と中心電極21,22とからなる中心電極組立体13と、積層基板30を備えている。 FIG. 7 is an exploded perspective view showing the structure of the non-reciprocal circuit device described in Patent Document 2. As shown in FIG. This nonreciprocal circuit device is a two-port nonreciprocal circuit device. As shown in FIG. 7, the two-port isolator 1 is roughly composed of a metal case composed of a metal upper case 4 and a metal lower case 8, a permanent magnet 9, a ferrite 20, and center electrodes 21 and 22. The center electrode assembly 13 and the laminated substrate 30 are provided.

金属製上側ケース4は略箱形状であり、上部4aおよび四つの側部4bからなる。金属製下側ケース8は、左右の側部8bと底部8aからなる。金属製上側ケース4および金属製下側ケース8は磁気回路を形成するため、例えば、軟鉄などの強磁性体からなる材料で形成され、その表面にAgやCuがめっきされる。 The metal upper case 4 has a substantially box shape and includes an upper part 4a and four side parts 4b. The metal lower case 8 includes left and right side portions 8b and a bottom portion 8a. In order to form a magnetic circuit, the metal upper case 4 and the metal lower case 8 are made of, for example, a material made of a ferromagnetic material such as soft iron, and Ag or Cu is plated on the surface thereof.

中心電極組立体13は、円板状のマイクロ波フェライト20の上面に2組の第1および第2中心電極21,22を、絶縁層(図示せず)を介在させて直交して交差するように配置している。この中心電極21,22は二つのラインで構成されている。第1中心電極21と第2中心電極22のそれぞれの両端部21a,21b、22a,22bは、フェライト20の下面に延在し、それぞれの端部21a〜22bが相互に分離している。 The center electrode assembly 13 intersects two sets of first and second center electrodes 21 and 22 on the upper surface of the disk-shaped microwave ferrite 20 orthogonally with an insulating layer (not shown) interposed therebetween. Is arranged. The center electrodes 21 and 22 are composed of two lines. Both end portions 21a, 21b, 22a, 22b of the first center electrode 21 and the second center electrode 22 extend to the lower surface of the ferrite 20, and the end portions 21a-22b are separated from each other.

積層基板30の両端部には、それぞれ入力ポート14、出力ポート15およびアースポート16が設けられている。入力ポート14は積層基板内のコンデンサ電極に電気的に接続され、出力ポート15は積層基板内のコンデンサ電極に電気的に接続されている。アースポート16は、積層基板内のグランド電極に電気的に接続されている。そして積層基板30は、内部に整合用コンデンサC1,C2および抵抗Rを有している。 An input port 14, an output port 15, and a ground port 16 are provided at both ends of the multilayer substrate 30, respectively. The input port 14 is electrically connected to the capacitor electrode in the multilayer substrate, and the output port 15 is electrically connected to the capacitor electrode in the multilayer substrate. The earth port 16 is electrically connected to a ground electrode in the multilayer substrate. The multilayer substrate 30 has matching capacitors C1 and C2 and a resistor R therein.

永久磁石9は金属製上側ケース4の天井に接着剤によって固定される。中心電極組立体13の中心電極21,22の各々の端部21a〜22bが積層基板30の表面に形成された中心電極用接続電極51〜54にはんだ80にて電気的に接続されることにより、積層基板30上に中心電極組立体13が実装される。なお、中心電極21,22と中心電極用接続電極51〜54のはんだ付けは、マザーボード状態の積層基板30に対して効率良く行ってもよい。 The permanent magnet 9 is fixed to the ceiling of the metal upper case 4 with an adhesive. By electrically connecting the end portions 21 a to 22 b of the center electrodes 21 and 22 of the center electrode assembly 13 to the center electrode connection electrodes 51 to 54 formed on the surface of the multilayer substrate 30 with solder 80. The center electrode assembly 13 is mounted on the multilayer substrate 30. The center electrodes 21 and 22 and the center electrode connection electrodes 51 to 54 may be soldered efficiently to the laminated substrate 30 in the mother board state.

積層基板30は金属製下側ケース8の底部8a上に載置され、積層基板30の下面に配設されているグランド電極がはんだによって底部8aと接続固定される。これにより、アースポート16が底部8aに電気的に容易に接続される。そして、金属製下側ケース8と金属製上側ケース4は、それぞれの側部8bと4bをはんだ等で接合することにより金属ケースを構成し、ヨークとしても機能する。つまり、この金属ケースは、永久磁石9と中心電極組立体13と積層基板30を囲む磁路を形成する。また、永久磁石9はフェライト20に直流磁界を印加する。 The multilayer substrate 30 is placed on the bottom portion 8a of the lower metal case 8, and the ground electrode disposed on the lower surface of the multilayer substrate 30 is connected and fixed to the bottom portion 8a with solder. Thereby, the earth port 16 is easily electrically connected to the bottom portion 8a. The metal lower case 8 and the metal upper case 4 constitute a metal case by joining the side portions 8b and 4b with solder or the like, and also function as a yoke. That is, the metal case forms a magnetic path that surrounds the permanent magnet 9, the center electrode assembly 13, and the laminated substrate 30. The permanent magnet 9 applies a DC magnetic field to the ferrite 20.

この2ポート型アイソレータ1の電気等価回路図を図8に示す。第1中心電極21の一端部21aは入力ポート14に電気的に接続され、他端部21bは出力ポート15に電気的に接続されている。第2中心電極22の一端部22aは出力ポート15に電気的に接続され、他端部22bはアースポート16に電気的に接続されている。整合用コンデンサC1と抵抗Rからなる並列RC回路は、入力ポート14と出力ポート15の間に電気的に接続されている。整合用コンデンサC2は出力ポート15とアースポート16の間に電気的に接続されている。
特開平11―205011号 特開2004―15430号
An electric equivalent circuit diagram of the two-port isolator 1 is shown in FIG. One end 21 a of the first center electrode 21 is electrically connected to the input port 14, and the other end 21 b is electrically connected to the output port 15. One end 22 a of the second center electrode 22 is electrically connected to the output port 15, and the other end 22 b is electrically connected to the ground port 16. The parallel RC circuit including the matching capacitor C1 and the resistor R is electrically connected between the input port 14 and the output port 15. The matching capacitor C <b> 2 is electrically connected between the output port 15 and the earth port 16.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-205011 JP 2004-15430 A

携帯電話の小型化、多機能化に伴い、非可逆回路素子も小型化が強く求められている。前記特許文献1の実施例には、外形寸法が5mm×5mm×2mmといった非可逆回路素子が開示されているが、現在では外形寸法が4mm×4mm×1.7mmといった小型の非可逆回路素子が広く用いられるようになり、さらに3.2mm×3.2mm×1.6mmといった外形寸法の非可逆回路素子も提案されている。
このような小型化の中で、特許文献2に示されるような2ポート型アイソレータは、従来の3ポート型のアイソレータに比較し、部品点数が少なく、小型化に有利と考えられる。そこで、本発明者は、この2ポート型アイソレータを超小型に構成することを試みた。ところが、中心周波数と挿入損失特性が所望の周波数にて得られないという問題点が生じた。
As mobile phones become smaller and more multifunctional, nonreciprocal circuit elements are also strongly required to be smaller. The embodiment of Patent Document 1 discloses a non-reciprocal circuit element having an outer dimension of 5 mm × 5 mm × 2 mm, but at present, a small non-reciprocal circuit element having an outer dimension of 4 mm × 4 mm × 1.7 mm is disclosed. Non-reciprocal circuit elements having outer dimensions of 3.2 mm × 3.2 mm × 1.6 mm have also been proposed.
In such miniaturization, the 2-port isolator as shown in Patent Document 2 has a smaller number of parts than the conventional 3-port isolator, and is considered advantageous for miniaturization. Therefore, the present inventor tried to configure the two-port isolator in a very small size. However, there is a problem that the center frequency and the insertion loss characteristic cannot be obtained at a desired frequency.

そこで本発明の目的は、中心周波数と挿入損失特性を所望の周波数で得られる新規な手段を提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to provide a novel means for obtaining the center frequency and insertion loss characteristics at a desired frequency.

第1の本発明は、永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に配置される複数の中心導体と、前記中心導体に接続される整合用コンデンサと、前記永久磁石による直流磁界の磁気回路を構成するための金属ケースを有し、前記金属ケースは、前記中心導体の周りを周回するようなループ状電流が前記金属ケース上に生じないように構成されている非可逆回路素子である。
第2の本発明は、永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に配置される複数の中心導体と、前記中心導体に接続される整合用コンデンサと、前記永久磁石による直流磁界の磁気回路を構成するための金属ケースを有し、前記金属ケースは、前記中心導体うちグランド電極に接続される中心導体の配置されている方向とほぼ同じ方向に周回するようなループ状電流が前記金属ケース上に生じないように構成されている非可逆回路素子である。
第3の本発明は、永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に配置される複数の中心導体と、前記中心導体に接続される整合用コンデンサと、前記永久磁石による直流磁界の磁気回路を構成するための金属ケースを有し、前記金属ケースは、複数のケース部材を組み合わせて構成されており、前記ケース部材間のうち、少なくとも一つのケース部材間が絶縁性材料により接合され、当該ケース部材間での導電性が阻害されている非可逆回路素子である。
第4の本発明は、永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に配置される複数の中心導体と、前記中心導体に接続される整合用コンデンサと、前記永久磁石による直流磁界の磁気回路を構成するための金属ケースを有し、前記金属ケースは、上ケースと下ケースに分かれており、前記下ケースは、少なくとも一対の対向する側壁部を有し、当該側壁部により前記上ケースと組み合わされており、前記一対の対向する側壁部のうち一方の側壁部は前記上ケースと電気的に導通し、他方の側壁部は前記上ケースと電気的に導通しないように構成されている非可逆回路素子である。
A first aspect of the present invention is a permanent magnet, a ferrimagnetic body to which a DC magnetic field is applied by the permanent magnet, a plurality of center conductors disposed on the ferrimagnetic body, and a matching capacitor connected to the center conductor And a metal case for constituting a magnetic circuit of a DC magnetic field by the permanent magnet, and the metal case does not generate a loop current around the central conductor on the metal case. This is a non-reciprocal circuit device configured.
According to a second aspect of the present invention, there is provided a permanent magnet, a ferrimagnetic body to which a DC magnetic field is applied by the permanent magnet, a plurality of center conductors disposed on the ferrimagnetic body, and a matching capacitor connected to the center conductor And a metal case for constituting a DC magnetic field magnetic circuit by the permanent magnet, wherein the metal case is substantially in the same direction as the direction of the center conductor connected to the ground electrode among the center conductors. The non-reciprocal circuit device is configured so that a loop current that circulates is not generated on the metal case.
According to a third aspect of the present invention, there is provided a permanent magnet, a ferrimagnetic body to which a DC magnetic field is applied by the permanent magnet, a plurality of center conductors disposed on the ferrimagnetic body, and a matching capacitor connected to the center conductor And a metal case for constituting a DC magnetic field magnetic circuit by the permanent magnet, wherein the metal case is configured by combining a plurality of case members, and at least one case among the case members This is a non-reciprocal circuit element in which members are joined by an insulating material and conductivity between the case members is hindered.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a permanent magnet, a ferrimagnetic body to which a DC magnetic field is applied by the permanent magnet, a plurality of center conductors disposed on the ferrimagnetic body, and a matching capacitor connected to the center conductor And a metal case for constituting a magnetic circuit of a DC magnetic field by the permanent magnet, the metal case is divided into an upper case and a lower case, and the lower case has at least a pair of opposing side wall portions. And the side wall portion is combined with the upper case, and one of the pair of opposing side wall portions is electrically connected to the upper case, and the other side wall portion is electrically connected to the upper case. This is a non-reciprocal circuit device configured to prevent electrical conduction.

本発明において、前記中心導体として、一端が入力端子に電気的に接続され、他端が出力端子に電気的に接続される第1の中心導体と、一端が出力端子に電気的に接続され、他端がアース端子に電気的に接続される第2の中心導体とを有することが好ましい。また、 前記下ケースの前記上ケースと半田付けされる側壁部は、前記第2の中心導体の前記他端側にあり、前記下ケースの前記上ケースと半田付けされない側壁部は、前記第2の中心導体の前記一端側にあることが好ましい。また、ループ状電流が前記金属ケース上に生じないように構成されているとは、直流的にループ状電流が流れない構成となっていればよい。 In the present invention, as the central conductor, one end is electrically connected to the input terminal, the other end is electrically connected to the output terminal, and one end is electrically connected to the output terminal, Preferably, the other end has a second central conductor electrically connected to the ground terminal. Further, the side wall portion soldered to the upper case of the lower case is on the other end side of the second central conductor, and the side wall portion not soldered to the upper case of the lower case is the second side conductor. It is preferable that it is on the one end side of the central conductor. Further, the configuration in which the loop current does not occur on the metal case is sufficient if the loop current does not flow in a DC manner.

本発明によれば、所望の周波数にて所望の特性が得られ、特に、超小型、薄型の非可逆回路素子であって、かつ低損失の非可逆回路素子を提供することが出来る。 According to the present invention, desired characteristics can be obtained at a desired frequency, and in particular, an ultra-compact and thin non-reciprocal circuit element that has a low loss can be provided.

図1は、本発明に係る非可逆回路素子(実施例1)の構造を示す説明図である。本発明に係る非可逆回路素子は、フェリ磁性体210と、フェリ磁性体210に近接して互いに電気的絶縁状態で交差するように配置された第1及び第2の中心導体221、222でなる中心導体220と、第1及び第2の中心導体の整合用コンデンサを形成する積層基板250と、積層基板250と電気的に接続する入力端子と出力端子とが形成された樹脂一体型下ケース280と、フェリ磁性体210に直流磁界を供給する永久磁石240と、永久磁石240を収容して磁気回路を形成する上ケース270とを備えた非可逆回路素子である。 FIG. 1 is an explanatory view showing the structure of a non-reciprocal circuit device (Example 1) according to the present invention. The non-reciprocal circuit device according to the present invention includes a ferrimagnetic body 210 and first and second center conductors 221 and 222 that are disposed close to the ferrimagnetic body 210 and intersect each other in an electrically insulated state. A resin-integrated lower case 280 formed with a central conductor 220, a multilayer substrate 250 that forms a matching capacitor for the first and second central conductors, and an input terminal and an output terminal that are electrically connected to the multilayer substrate 250. And a permanent magnet 240 that supplies a DC magnetic field to the ferrimagnetic body 210 and an upper case 270 that houses the permanent magnet 240 and forms a magnetic circuit.

図1に示した上ケース270は磁気回路を形成するため、例えば、軟鉄などの強磁性体からなる材料で形成され、その表面に銀や銅がメッキされる。更に上ケース270は、樹脂一体型下ケース280にインサート成形された金属板とともに、磁気ヨークとしても機能する。つまり、上ケースと樹脂一体型下ケースの金属板とにより、永久磁石240と中心電極組立230と積層基板250を囲む磁路(磁気回路)を形成している。
また、上ケース270は材質が金属であるから、磁気回路を形成するとともに他の構成部材を収納保持する外部ケースとしての機能も有している。
更に、上ケース270の表面には、銀、銅、金、アルミニウムのうち少なくとも一つを含む金属または合金で電気抵抗率が5.5μΩcm以下、好ましくは3.0μΩcm、更に好ましくは1.8μΩcm以下の導電性の高い金属膜を形成することが好ましい。金属膜の厚さは0.5〜25μm、好ましくは0.5〜10μm、更に好ましくは1〜8μmである。磁気ヨークはグランドとしても機能するが、このように構成することで前記金属皮膜が高周波電流のアース端子への経路となり、よって高周波信号の伝送効率を高めるとともに、外部との相互干渉を抑制して損失を低減することができる。
In order to form a magnetic circuit, the upper case 270 shown in FIG. 1 is formed of a material made of a ferromagnetic material such as soft iron, and the surface thereof is plated with silver or copper. Further, the upper case 270 functions as a magnetic yoke together with a metal plate insert-molded in the resin-integrated lower case 280. That is, the upper case and the metal plate of the resin-integrated lower case form a magnetic path (magnetic circuit) that surrounds the permanent magnet 240, the center electrode assembly 230, and the laminated substrate 250.
Further, since the upper case 270 is made of metal, it has a function as an external case that forms a magnetic circuit and accommodates and holds other components.
Further, the surface of the upper case 270 is a metal or alloy containing at least one of silver, copper, gold, and aluminum, and has an electrical resistivity of 5.5 μΩcm or less, preferably 3.0 μΩcm, more preferably 1.8 μΩcm or less. It is preferable to form a highly conductive metal film. The thickness of the metal film is 0.5 to 25 μm, preferably 0.5 to 10 μm, and more preferably 1 to 8 μm. The magnetic yoke also functions as a ground, but with this configuration, the metal film serves as a path to the ground terminal for high-frequency current, thereby improving the transmission efficiency of high-frequency signals and suppressing mutual interference with the outside. Loss can be reduced.

図1に示した樹脂一体型下ケース280は、0.1mm程度の導体薄板を有し、この導体薄板を用いた入力外部電極IN、出力外部電極OUT、及びグランド端子GNDをインサート成形で備えたものである。樹脂一体型下ケース280の空洞部には積層基板250が収容されて、積層基板250のグランド電極GND、入力外部電極IN、及び出力外部電極OUTを、樹脂一体型下ケース280の入力外部電極IN、出力外部電極OUT、及びグランド電極GNDに半田づけにより電気的に接続される。 The resin-integrated lower case 280 shown in FIG. 1 has a conductive thin plate of about 0.1 mm, and includes an input external electrode IN, an output external electrode OUT, and a ground terminal GND using the conductive thin plate by insert molding. Is. The laminated substrate 250 is accommodated in the cavity of the resin-integrated lower case 280, and the ground electrode GND, the input external electrode IN, and the output external electrode OUT of the multilayer substrate 250 are connected to the input external electrode IN of the resin-integrated lower case 280. The output external electrode OUT and the ground electrode GND are electrically connected by soldering.

樹脂一体型下ケース280のフレーム281a,281bは、金属材料、例えばJIS:PB材で厚み0.15mm程度のものが使用され、銅下地メッキ1〜3μmの上に厚み2〜4μmの銀メッキが施されて高周波特性が改善される。尚、このフレーム281a,281bは、下側で接続されており、所謂コ字形状のものであり、上ケースとともに、永久磁石240と中心電極組立230と積層基板250を囲む磁路を形成する下ケースを構成している。このフレーム281a,281bと、入力外部電極IN、及び出力外部電極OUTは、それぞれ樹脂ベース282に電気的に絶縁されてインサート成形されている。また、フレーム281a,281bと、グランド電極GNDとは同一の金属板で形成され、つながっている。 For the frames 281a and 281b of the resin-integrated lower case 280, a metal material, for example, a JIS: PB material having a thickness of about 0.15 mm is used, and a silver plating having a thickness of 2 to 4 μm is formed on the copper base plating 1 to 3 μm. Applied to improve high frequency characteristics. The frames 281a and 281b are connected on the lower side and have a so-called U-shape, and together with the upper case, form a magnetic path that surrounds the permanent magnet 240, the central electrode assembly 230, and the multilayer substrate 250. The case is made up. The frames 281a and 281b, the input external electrode IN, and the output external electrode OUT are each electrically insulated from the resin base 282 and insert-molded. The frames 281a and 281b and the ground electrode GND are formed of the same metal plate and connected to each other.

図2に、上ケース270を樹脂一体型下ケース280に組み合わせた実施例1の斜視図を示す。この実施例1では、上ケース270の四隅に形成された切り欠き部271a〜271dにより、樹脂一体型下ケース280のフレーム281a、281bとの位置が正確に合うように構成されている。そして、下ケースの一方の側壁(フレーム281a)と上ケース270との合わせ面270aを半田付けし、その対向する面側では、下ケースの他方の側壁(フレーム281b)と上ケース270との合わせ面は、半田付けではなく、接着剤により固定されている。この接着剤は絶縁性のものであり、その接着された側では、上ケースと下ケースとは電気的につながっていない。 FIG. 2 shows a perspective view of the first embodiment in which the upper case 270 is combined with the resin-integrated lower case 280. In the first embodiment, the positions of the frames 281a and 281b of the resin-integrated lower case 280 are accurately matched by the notches 271a to 271d formed at the four corners of the upper case 270. Then, the mating surface 270a of one side wall (frame 281a) of the lower case and the upper case 270 is soldered, and the other side wall (frame 281b) of the lower case and the upper case 270 are mated on the opposite surface side. The surface is fixed not by soldering but by an adhesive. This adhesive is insulative, and the upper case and the lower case are not electrically connected on the bonded side.

本実施例1の非可逆回路素子では、積層基板250に整合用コンデンサを内蔵させている。しかしながら、積層基板250では精度のよい容量値のコンデンサを構成することが用意でないため、予め積層基板250に形成された整合用コンデンサを設計値よりも小さくし、出来上がった積層基板250の容量値を確認後、不足分の容量値をチップコンデンサ261,262で補正する構成としている。
この容量値を合わせるための別の方法として、積層基板250に形成された電極パターン等をトリミングして、容量値を微調整する方法も用いることはできる。
もちろん、調整不要であれば、積層基板250に形成された整合用コンデンサのみで構成してもよい。
In the nonreciprocal circuit device according to the first embodiment, a matching capacitor is built in the multilayer substrate 250. However, since it is not ready to configure a capacitor with a precise capacitance value in the multilayer substrate 250, the matching capacitor formed in advance on the multilayer substrate 250 is made smaller than the design value, and the capacitance value of the completed multilayer substrate 250 is reduced. After the confirmation, the insufficient capacitance value is corrected by the chip capacitors 261 and 262.
As another method for adjusting the capacitance value, a method of trimming an electrode pattern or the like formed on the laminated substrate 250 and finely adjusting the capacitance value can be used.
Of course, if adjustment is not necessary, it may be configured only by a matching capacitor formed on the multilayer substrate 250.

実施例1の中心導体組立230は、矩形状のフェリ磁性体210の表面に、2組の第1および第2の中心導体221,222を、絶縁層(図示せず)を介在させて直交して交差するように配置している。
第1中心導体221と第2中心導体222のそれぞれの一端部221a,222aはフェリ磁性体210の側面で開放端となり、他端部は一体となってフェリ磁性体210の下面に延在している。第1中心導体221の一端部221aは入力端子INに電気的に接続され、他端は出力端子OUTに電気的に接続される。
In the center conductor assembly 230 of the first embodiment, two sets of first and second center conductors 221 and 222 are orthogonal to the surface of a rectangular ferrimagnetic body 210 with an insulating layer (not shown) interposed therebetween. Are arranged so that they intersect.
One end portions 221 a and 222 a of the first central conductor 221 and the second central conductor 222 are open ends on the side surfaces of the ferrimagnetic body 210, and the other end portions are integrally extended to the lower surface of the ferrimagnetic body 210. Yes. One end 221a of the first center conductor 221 is electrically connected to the input terminal IN, and the other end is electrically connected to the output terminal OUT.

第1及び第2の中心導体221、222は各々を別の導体で構成することもできるが、銅板などで一体に形成すると組立性が向上する。実施例1では、第1および第2中心導体221,222は、L字状の銅板で一体構成し、第1の中心導体21を3本の並列導体で形成し、前記第2の中心導体222を1本の導体で形成している。それにより、スルー方向の高周波電流に対するインダクタンスを低減して挿入損失を低減すると共に、逆方向へのインダクタンスを相対的に増加することにより反射損失を低減することがスミスチャートから判明した。
前記中心導体220は、銅板の厚みは30μmで、高周波における表皮効果による損失を低減するために半光沢の銀メッキを1〜4μm施し、全体厚みを35μmとした。
Each of the first and second center conductors 221 and 222 can be composed of different conductors. However, when the first and second center conductors 221 and 222 are integrally formed of a copper plate or the like, the assemblability is improved. In the first embodiment, the first and second center conductors 221 and 222 are integrally formed of an L-shaped copper plate, the first center conductor 21 is formed of three parallel conductors, and the second center conductor 222 is formed. Is formed of one conductor. As a result, it has been found from the Smith chart that the inductance for the high-frequency current in the through direction is reduced to reduce the insertion loss, and the reflection loss is reduced by relatively increasing the inductance in the reverse direction.
The central conductor 220 has a copper plate thickness of 30 μm, and a semi-glossy silver plating of 1 to 4 μm is applied to reduce the loss due to the skin effect at high frequencies, and the total thickness is 35 μm.

本発明において、フェリ磁性体210は円板状でも良いが、実施例1に示した矩形状のフェリ磁性体210を用いると、フェリ磁性体の体積を増加できるので、フェリ磁性体の持つ非可逆回路素子特性を最大限に活用できる。永久磁石240も矩形状とすることにより、永久磁石240の磁束密度を端部に至るまで有効活用できる。
すなわち、実施例1に示すように、フェリ磁性体210として矩形状のものを用いることにより、フェリ磁性体210に巻かれる中心導体221,222の長さを極力長く取ることができるため、中心導体221,222のインダクタンスを大きくすることができ、低周波化に適用可能となる。また、矩形状のフェリ磁性体210は、円板状のフェリ磁性体よりも載置時のデッドスペースを減らすこともできるため、より小型化にも対応可能となる。
In the present invention, the ferrimagnetic material 210 may be disk-shaped, but if the rectangular ferrimagnetic material 210 shown in Example 1 is used, the volume of the ferrimagnetic material can be increased. The circuit element characteristics can be utilized to the maximum. By making the permanent magnet 240 rectangular, the magnetic flux density of the permanent magnet 240 can be effectively utilized up to the end.
That is, as shown in the first embodiment, by using a rectangular ferrimagnetic body 210, the length of the central conductors 221 and 222 wound around the ferrimagnetic body 210 can be increased as much as possible. The inductances 221 and 222 can be increased, and can be applied to lower frequencies. In addition, the rectangular ferrimagnetic body 210 can reduce the dead space at the time of mounting as compared with the disk-shaped ferrimagnetic body, and thus can be made more compact.

実施例1のフェリ磁性体210は、ガーネット構造を有するフェライトであり、YIG(イットリウム・鉄・ガーネット)などが用いられる。また、YIGのYの一部をGd,Ca,V等で、Feの一部をAlやGa等で置換したものも用いることができる。なお、YIGに限定されるものではなく、永久磁石240からの直流磁界に対して非可逆回路素子としての機能を果たす材料であれば何れの磁性体材料でも使用できる。 The ferrimagnetic material 210 of Example 1 is a ferrite having a garnet structure, and YIG (yttrium, iron, garnet) or the like is used. Further, it is possible to use YIG in which part of Y is replaced with Gd, Ca, V, etc. and part of Fe is replaced with Al, Ga, or the like. It is not limited to YIG, and any magnetic material can be used as long as it is a material that functions as a non-reciprocal circuit element with respect to a DC magnetic field from the permanent magnet 240.

実施例1の中心導体組立230は、フェリ磁性体210を互いに電気的に絶縁された第1中心導体221と第2中心導体222とで包み込んだ形状をしている。永久磁石240からの直流磁界を受けることでインダクタンスとして機能し、それぞれ固有のインダクタンスLin、Loutを有するものである。 The center conductor assembly 230 of the first embodiment has a shape in which the ferrimagnetic body 210 is wrapped with a first center conductor 221 and a second center conductor 222 that are electrically insulated from each other. By receiving a DC magnetic field from the permanent magnet 240, it functions as an inductance, and has inherent inductances Lin and Lout, respectively.

実施例1の永久磁石240は、中心導体組立230に直流磁界を印加することにより、第1中心導体221と第2中心導体222とを固有のインダクタンスLin、Loutとして機能させるものである。 The permanent magnet 240 according to the first embodiment causes the first central conductor 221 and the second central conductor 222 to function as specific inductances Lin and Lout by applying a DC magnetic field to the central conductor assembly 230.

永久磁石240としてはフェライト磁石(SrO・nFe2O3)が最も安価であり、且つフェリ磁性体210との特性の相性も良い。より好ましくは、Srおよび/またはBaの一部をR元素(R元素は、Yを含む希土類元素の少なくとも1種)で置換し、Feの一部をM元素(M元素は、Co、Mn、Ni及びZnからなる群から選ばれた少なくとも1種)で置換したマグネトプランバイト型結晶構造を有しているフェライト磁石がベターである。従来のフェライト磁石(SrO・nFe2O3)に比較し、高い磁束密度を有するので集中定数型の非可逆回路素子の小型、薄型化を可能にする。 As the permanent magnet 240, a ferrite magnet (SrO · nFe 2 O 3) is the cheapest and has good compatibility with the ferrimagnetic material 210. More preferably, a part of Sr and / or Ba is substituted with an R element (R element is at least one kind of rare earth element including Y), and a part of Fe is replaced with an M element (M element is Co, Mn, A ferrite magnet having a magnetoplumbite type crystal structure substituted with at least one selected from the group consisting of Ni and Zn is better. Compared to a conventional ferrite magnet (SrO.nFe2O3), it has a higher magnetic flux density, so that the lumped constant type nonreciprocal circuit device can be made smaller and thinner.

図3は、実施例1に示した積層基板250の積層構造を示す説明図である。この積層基板250は、誘電体シートS1〜S6の6層の積層でなる。誘電体シートS1〜S6には導電性ペーストで電極パターンが印刷され、誘電体シートS1〜S6の各層間は、導電性ペーストを充填したビアホールVhg1〜Vhg6,Vhi1〜Vhi6,Vho1〜Vho6で電気的に接続される。ビアホールVhg1〜Vhg6は、グランドの電極パターンをグランド端子GNDに電気的に接続するためのビアホールである。ビアホールVhi1〜Vhi6は、グランドの電極パターンを入力外部電極INに電気的に接続するためのビアホールである。ビアホールVho1〜Vho6は、グランドの電極パターンを出力外部電極OUTに電気的に接続するためのビアホールである。 FIG. 3 is an explanatory diagram showing a laminated structure of the laminated substrate 250 shown in the first embodiment. The multilayer substrate 250 is composed of six layers of dielectric sheets S1 to S6. Electrode patterns are printed on the dielectric sheets S1 to S6 with a conductive paste, and each layer of the dielectric sheets S1 to S6 is electrically connected via via holes Vhg1 to Vhg6, Vhi1 to Vhi6, Vho1 to Vho6 filled with the conductive paste. Connected to. The via holes Vhg1 to Vhg6 are via holes for electrically connecting the ground electrode pattern to the ground terminal GND. The via holes Vhi1 to Vhi6 are via holes for electrically connecting the ground electrode pattern to the input external electrode IN. The via holes Vho1 to Vho6 are via holes for electrically connecting the ground electrode pattern to the output external electrode OUT.

誘電体シートS1〜S6の各層毎に、電極パターンの機能を説明する。
誘電体シートS1には、図4の等価回路におけるコンデンサCfを調整するための電極251が形成される。電極251をトリミングすることによりコンデンサCfの調整ができる。電極252はコンデンサCiを調整するための電極である。
誘電体シートS2には、コンデンサCfを形成するための電極253が形成され、誘電体シートS1の電極251と誘電体シートS3の電極255との間で、各々コンデンサCfを形成する。また、コンデンサCiを形成するための電極254が形成され、誘電体シートS1の電極252との間でコンデンサCiを形成する。
誘電体シートS3には電極255が形成され、誘電体シートS2の電極253との間でコンデンサCfを形成する。
誘電体シートS4には電極256が形成され、誘電体シートS3の電極255、誘電体シートS5の電極257との間で、各々コンデンサCiを形成する。
誘電体シートS5には電極257が形成され、誘電体シートS4の電極256との間でコンデンサCiを、誘電体シートS6の電極258との間でコンデンサCfを各々形成する。
誘電体シートS6には電極258が形成され、誘電体シートS5の電極257との間でコンデンサCfを形成する。電極259は、図4で示す等価回路のインダクタンスLを構成する。
以上の誘電体シートS1〜S6がビアホールVhg1〜Vhg6,Vhi1〜Vhi6,Vho1〜Vho6で電気的に接続されて、図4で示す等価回路を形成する。
The function of the electrode pattern will be described for each layer of the dielectric sheets S1 to S6.
An electrode 251 for adjusting the capacitor Cf in the equivalent circuit of FIG. 4 is formed on the dielectric sheet S1. The capacitor Cf can be adjusted by trimming the electrode 251. The electrode 252 is an electrode for adjusting the capacitor Ci.
An electrode 253 for forming the capacitor Cf is formed on the dielectric sheet S2, and the capacitor Cf is formed between the electrode 251 of the dielectric sheet S1 and the electrode 255 of the dielectric sheet S3. In addition, an electrode 254 for forming the capacitor Ci is formed, and the capacitor Ci is formed between the electrode 252 of the dielectric sheet S1.
An electrode 255 is formed on the dielectric sheet S3, and a capacitor Cf is formed between the electrode 253 of the dielectric sheet S2.
An electrode 256 is formed on the dielectric sheet S4, and a capacitor Ci is formed between the electrode 255 of the dielectric sheet S3 and the electrode 257 of the dielectric sheet S5.
An electrode 257 is formed on the dielectric sheet S5, and a capacitor Ci is formed between the electrode 256 of the dielectric sheet S4 and a capacitor Cf is formed between the electrode 258 of the dielectric sheet S6.
An electrode 258 is formed on the dielectric sheet S6, and a capacitor Cf is formed between the electrode 257 of the dielectric sheet S5. The electrode 259 constitutes the inductance L of the equivalent circuit shown in FIG.
The above dielectric sheets S1 to S6 are electrically connected by via holes Vhg1 to Vhg6, Vhi1 to Vhi6, Vho1 to Vho6, and form an equivalent circuit shown in FIG.

図3の最下段に示す図は、積層基板250を裏面から見た斜視図で、入力外部端子INと出力外部端子OUTとが、グランド電極GNDを挟んで配設される。   3 is a perspective view of the multilayer substrate 250 as viewed from the back side, and the input external terminal IN and the output external terminal OUT are arranged with the ground electrode GND interposed therebetween.

積層基板250の材質について説明する。積層基板250基板の製造において誘電体シートS1〜S6に用いるセラミックの材料組成は、銀などの導体ペーストと同時焼成できる低温焼結セラミックス材料、所謂LTCCセラミックなら何でも使用できる。
より好ましくは、主成分であるAl,Si,Sr,TiをそれぞれAl2O3、SiO2、SrO、TiO2に換算したとき、Al2O3換算で10〜60wt%、SiO2換算で25〜60wt%、SrO換算で7.5〜50wt%、TiO2換算で20wt%以下(0を含む)であり、その主成分100wt%に対して、副成分として、Bi、Na、K、Coの群のうちの少なくとも1種をBi2O3換算で0.1〜10wt%、Na2O換算で0.1〜5wt%、K2O換算で0.1〜5wt%、CoO換算で0.1〜5wt%含有し、更に、Cu、Mn、Agの群のうちの少なくとも1種をCuO換算で0.01〜5wt%、MnO2換算で0.01〜5wt%、Agを0.01〜5wt%含有し、その他不可避不純物を含有している混合物を700℃〜850℃で仮焼し、これを粉砕して平均粒径0.6〜2μmの微粉砕粒子からなる誘電体磁器組成物である。
これにより、積層基板250は、銀や銅、金といった高い導電率を有する金属材料を内部電極として用いて、一体焼結を行うことができる。その結果、誘電体材料の有する高いQ値を用い、しかも電気抵抗による損失を抑えた内部電極を用い、極めて損失の小さい非可逆回路素子を構成することができる。
The material of the multilayer substrate 250 will be described. As the material composition of the ceramic used for the dielectric sheets S1 to S6 in the production of the multilayer substrate 250 substrate, any low-temperature sintered ceramic material that can be co-fired with a conductor paste such as silver, so-called LTCC ceramic, can be used.
More preferably, when Al, Si, Sr, and Ti as main components are converted into Al2O3, SiO2, SrO, and TiO2, respectively, 10 to 60 wt% in terms of Al2O3, 25 to 60 wt% in terms of SiO2, and 7 in terms of SrO. 5 to 50 wt%, 20 wt% or less (including 0) in terms of TiO 2, and at least one of the group of Bi, Na, K, and Co as Bi 2 O 3 equivalent to the main component 100 wt% 0.1 to 5 wt% in terms of Na2O, 0.1 to 5 wt% in terms of K2O, 0.1 to 5 wt% in terms of CoO, and Cu, Mn, Ag At least one of them contains 0.01 to 5 wt% in terms of CuO, 0.01 to 5 wt% in terms of MnO2, 0.01 to 5 wt% of Ag, and other inevitable impurities. The mixture was calcined at 700 ° C. to 850 ° C., a dielectric ceramic composition comprising finely divided particles having an average particle diameter of 0.6~2μm by pulverizing it.
Accordingly, the multilayer substrate 250 can be integrally sintered using a metal material having high conductivity such as silver, copper, or gold as the internal electrode. As a result, it is possible to configure a non-reciprocal circuit device with extremely low loss by using an internal electrode that uses a high Q value of a dielectric material and suppresses loss due to electric resistance.

積層基板250の製造方法について説明する。
積層基板250は、誘電体のグリーンシートに電極パターンを導電性ペーストで印刷してビアホールにも導電性ペーストを充填して積層した後に焼成する通常のLTCC(Low Temperature Cofiring:低温焼成法)で製造できる。
更に好ましくは、拘束焼成法によると焼成歪が小さい小型の積層基板を得ることができる。すなわち、積層基板の焼成条件(特に焼成温度1000℃以下)では焼成せず、積層基板の基板平面方向(X−Y方向)の焼成収縮を抑制する収縮抑制シートに上下を挟持して焼成した後に、収縮抑制シートを除去して積層基板250を得ることが出来る。
収縮抑制シートの材料は、アルミナ粉末や、アルミナ粉末と安定化ジルコニア粉末の混合材料などが使用できる。
A method for manufacturing the multilayer substrate 250 will be described.
The laminated substrate 250 is manufactured by a normal LTCC (Low Temperature Cofiring) method in which an electrode pattern is printed on a dielectric green sheet with a conductive paste, and the via hole is filled with the conductive paste and then laminated. it can.
More preferably, according to the constrained firing method, a small laminated substrate with a small firing strain can be obtained. That is, after firing by sandwiching the top and bottom of a shrinkage suppression sheet that suppresses firing shrinkage in the substrate plane direction (XY direction) of the laminated substrate without firing under the firing conditions of the laminated substrate (especially at a firing temperature of 1000 ° C. or less). The multilayer substrate 250 can be obtained by removing the shrinkage suppression sheet.
As the material of the shrinkage suppression sheet, alumina powder, a mixed material of alumina powder and stabilized zirconia powder, or the like can be used.

実施例1のチップコンデンサ261、262について説明する。チップコンデンサ261、262は、1〜3pF程度の容量値を正確に管理された市販のチップコンデンサが使用でき、インサーション・ロス周波数とアイソレーション周波数とを設計値に高精度で合わせ込むことができる。 The chip capacitors 261 and 262 of Example 1 will be described. As the chip capacitors 261 and 262, commercially available chip capacitors whose capacitance values of about 1 to 3 pF are accurately managed can be used, and the insertion loss frequency and the isolation frequency can be adjusted to the design values with high accuracy. .

図4は実施例1の等価回路図である。この等価回路図について説明する。図1の入力外部電極INに対応する入力端子Inと、出力外部電極OUTに対応する出力端子Outとの間に終端抵抗となる抵抗Rを接続し、非可逆回路はアイソレータとして機能する。抵抗Rは、通常のチップ抵抗を搭載する。入力端子Inと出力端子Outとの間には、アイソレーション周波数を制御するコンデンサCiが接続される。また、第1中心導体221とフェリ磁性体210とが永久磁石240の直流磁界の印加により形成するインダクタンスLinも接続される。インダクタンスLinの出力端子Out側には、第2中心導体222とフェリ磁性体210とが永久磁石240の直流磁界の印加により形成するインダクタンスLoutが接続される。インダクタンスLoutの他端はグランドに直結される場合も多いが、図2に示す実施態様では誘電体シートS6にインダクタンスLを形成する電極259を設けることに拠り、インダクタンスLoutの他端を、インダクタンスLを介してグランドに接地している。それにより、2倍、3倍の高調波(2f、3f)を減衰させる減衰極を調整できる。出力端子Outとグランドとの間にはコンデンサCfが接続されている。これにより、インサーション・ロス周波数が制御される。 FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the first embodiment. This equivalent circuit diagram will be described. A resistor R serving as a termination resistor is connected between the input terminal In corresponding to the input external electrode IN and the output terminal Out corresponding to the output external electrode OUT, and the nonreciprocal circuit functions as an isolator. The resistor R is mounted with a normal chip resistor. A capacitor Ci that controls the isolation frequency is connected between the input terminal In and the output terminal Out. Further, an inductance Lin formed by application of a DC magnetic field of the permanent magnet 240 between the first central conductor 221 and the ferrimagnetic material 210 is also connected. On the output terminal Out side of the inductance Lin, an inductance Lout formed by application of a DC magnetic field of the permanent magnet 240 with the second central conductor 222 and the ferrimagnetic body 210 is connected. In many cases, the other end of the inductance Lout is directly connected to the ground. In the embodiment shown in FIG. 2, the other end of the inductance Lout is connected to the inductance Lout by providing the dielectric sheet S6 with the electrode 259 that forms the inductance L. It is grounded via Thereby, the attenuation pole for attenuating the harmonics (2f, 3f) of 2 times and 3 times can be adjusted. A capacitor Cf is connected between the output terminal Out and the ground. Thereby, the insertion loss frequency is controlled.

この実施例1により、3.2mm×3.2mm×1.5mm(高さ)の超小型のアイソレータを構成することができた。尚、使用周波数は830〜840MHzである。 According to Example 1, an ultra-small isolator of 3.2 mm × 3.2 mm × 1.5 mm (height) could be configured. The frequency used is 830 to 840 MHz.

上記実施例1と同様の構成であって、下ケースの一方の側壁(フレーム281a)と上ケース270との合わせ面270aと、その対向する面側の下ケースの他方の側壁(フレーム281b)と上ケース270との合わせ面の両方をいずれも半田付けしないで接着剤で固定した実施例2と、下ケースの一方の側壁(フレーム281a)と上ケース270との合わせ面270aと、その対向する面側の下ケースの他方の側壁(フレーム281b)と上ケース270との合わせ面の両方を半田付けした比較例1を用意した。 The configuration is the same as that of the first embodiment, and the mating surface 270a of one side wall (frame 281a) of the lower case and the upper case 270, and the other side wall (frame 281b) of the lower case facing the opposite side Example 2 in which both of the mating surfaces with the upper case 270 are fixed by an adhesive without soldering, the mating surface 270a between one side wall (frame 281a) of the lower case and the upper case 270, and the facing surfaces thereof. Comparative Example 1 was prepared in which both the other side wall (frame 281b) of the lower case on the surface side and the mating surface of the upper case 270 were soldered.

この実施例1、実施例2及び比較例1のそれぞれの特性図を図9,10,11に示す。図9は実施例1、図10は実施例2、図11は比較例1のものであり、それぞれ挿入損失、アイソレーション、リターンロス(IN)、リターンロス(OUT)を示している。
表1に図9〜11に対応する数値を示す。
The respective characteristic diagrams of Example 1, Example 2 and Comparative Example 1 are shown in FIGS. 9 shows the first embodiment, FIG. 10 shows the second embodiment, and FIG. 11 shows the first comparative example, and shows the insertion loss, isolation, return loss (IN), and return loss (OUT), respectively.
Table 1 shows numerical values corresponding to FIGS.

Figure 2006020051
Figure 2006020051

図9〜11、表1に示すように、本発明の実施例1、2では、目標の周波数830〜840MHzで良好な結果を得ている。これに対し比較例では、特に挿入損失特性がかなり悪くなり、ピーク周波数もずれ、他の特性でもピーク周波数のずれや、特性値が悪くなっている。この結果より、本発明の構造によって、目的周波数に合致し、低損失の非可逆回路素子を得ることができることがわかる。 As shown in FIGS. 9 to 11 and Table 1, in Examples 1 and 2 of the present invention, good results are obtained at a target frequency of 830 to 840 MHz. On the other hand, in the comparative example, the insertion loss characteristic is particularly deteriorated, the peak frequency is shifted, and the shift of the peak frequency and the characteristic value are deteriorated in other characteristics. From this result, it can be seen that the structure of the present invention can provide a non-reciprocal circuit device that matches the target frequency and has low loss.

実施例1、2では、ほぼ同等の良好な特性を得ているが、実施例1の場合、上ケースがグランド電極と接続された状態であり、実装時等において外部の影響を受け難いものと考えられる。従って、実施例2の上ケースがグランド電極に接続されてない構造よりも、実施例1の構造(上ケースがグランド電極に接続されている構造)の方が好ましいものと考えられる。   In Examples 1 and 2, almost the same good characteristics are obtained, but in the case of Example 1, the upper case is in a state connected to the ground electrode and is not easily affected by the outside at the time of mounting or the like. Conceivable. Therefore, the structure of Example 1 (the structure in which the upper case is connected to the ground electrode) is considered preferable to the structure in which the upper case of Example 2 is not connected to the ground electrode.

図1の構造で、本発明の作用効果について説明する。従来ケース構造は、図1と同様に上ケースと下ケースに分け、その上ケースと下ケースの接合部をそれぞれ半田付けしていた。つまり、従来のケースの接合構造は比較例と同様であった。しかし、この比較例の場合、上記で示したように、目標周波数で所望の特性が得られなかった。この要因を考えたところ、全体的に小型、薄型化されてきており、中心導体とケースが非常に近接してきており、この中心導体に流れる電流に起因して、ケースに誘導起電力が発生しやすくなり、この誘導起電力の影響が出ているものと考えられる。実施例1では、中心導体と上ケースの間隔は0.43mm程度である。 With the structure of FIG. 1, the function and effect of the present invention will be described. The conventional case structure is divided into an upper case and a lower case in the same manner as in FIG. 1, and the joint portions of the upper case and the lower case are soldered. That is, the joining structure of the conventional case was the same as that of the comparative example. However, in the case of this comparative example, as shown above, desired characteristics could not be obtained at the target frequency. Considering this factor, the overall size and thickness have been reduced, and the center conductor and the case are very close to each other, and an induced electromotive force is generated in the case due to the current flowing through the center conductor. It becomes easier, and it is thought that the influence of this induced electromotive force appears. In Example 1, the distance between the center conductor and the upper case is about 0.43 mm.

このケースに生じる誘導起電力による影響について図12を用いて説明する。中心導体222に電流301が流れると、発生する高周波磁界によりケースに誘導起電力302が発生する。その誘導起電力302によりケースに誘導電流(中心導体を囲むように周回するループ状電流)304が流れ、その誘導電流304により発生する高周波磁界303が中心導体222の高周波磁界を弱め、この中心導体222のインダクタンスLoutを小さくし、特性が高周波側にシフトするとともに、損失が増大するものと考えられる。 The influence of the induced electromotive force generated in this case will be described with reference to FIG. When a current 301 flows through the center conductor 222, an induced electromotive force 302 is generated in the case by the generated high-frequency magnetic field. The induced electromotive force 302 causes an induced current (a loop current that circulates around the center conductor) 304 to flow in the case, and the high-frequency magnetic field 303 generated by the induced current 304 weakens the high-frequency magnetic field of the center conductor 222. It is considered that the inductance Lout of 222 is reduced, the characteristic shifts to the high frequency side, and the loss increases.

従って、前記誘導電流(中心導体を囲むように周回するループ状電流)304が生じない構造とすることにより、中心導体222への影響を無くす、あるいは少なくすることができると考え、本発明に至ったものである。
つまり、実施例1では、上ケースと下ケースにおいて、2箇所(2側面)で接続しているが、一方では半田付けにより導通しているものの、他方では接着剤により固定しているので導通してなく、前記の誘導電流(中心導体を囲むように周回するループ状電流)304が生じない構造(直流的にループ状電流が流れない構造)としている。また、実施例2では、上ケースと下ケースは接着剤のみで接合しているので、同様に前記の誘導電流(中心導体を囲むように周回するループ状電流)304が生じない構造としている。そして、これにより、所望の周波数で、所望の特性を得ることができ、しかも超小型、薄型の非可逆回路素子を構成できている。
Accordingly, it is considered that the influence on the central conductor 222 can be eliminated or reduced by adopting a structure in which the induced current (loop current that circulates so as to surround the central conductor) 304 does not occur, and the present invention has been achieved. It is a thing.
That is, in Example 1, the upper case and the lower case are connected at two locations (two side surfaces), but on the one hand, they are conductive by soldering, but on the other hand they are fixed by the adhesive, so they are conductive. The induction current (the loop current that circulates so as to surround the central conductor) 304 is not generated (the structure in which the loop current does not flow in a direct current). Further, in the second embodiment, the upper case and the lower case are joined only by the adhesive, so that the induced current (loop current that circulates so as to surround the central conductor) 304 is not generated. Thus, desired characteristics can be obtained at a desired frequency, and an ultra-small and thin non-reciprocal circuit device can be configured.

本発明の実施例としては、実施例1、2に限定されず、種々の構成が考えられる。即ち、誘導電流(中心導体を囲むように周回するループ状電流)304が流れない、あるいは流れにくくすることができればよい。 Examples of the present invention are not limited to Examples 1 and 2, and various configurations are conceivable. That is, it is only necessary that the induced current (loop current that circulates around the central conductor) 304 does not flow or can hardly flow.

例えば図13に斜視図と断面図で示した樹脂一体型下ケースのように、樹脂一体型下ケースの中で、前記誘導電流が流れない、あるいは流れにくくするように、金属フレームにスリットを入れても良い。樹脂一体型下ケースのフレーム(下部)281cにスリット283を施し、好ましくは樹脂ベース282と連続するように、前記スリット283に樹脂を充填する。これにより、フレーム(側壁)281a及び281bが電気的に切断され、上ケース270との合わせ面270a及び270bを半田付けで接続した場合でも、前記誘導電流が流れない、あるいは流れにくくするような構造となる。   For example, a slit is formed in the metal frame so that the induced current does not flow or does not flow easily in the resin-integrated lower case, such as the resin-integrated lower case shown in the perspective view and the sectional view in FIG. May be. A slit 283 is provided in the frame (lower part) 281c of the resin-integrated lower case, and the slit 283 is preferably filled with resin so as to be continuous with the resin base 282. As a result, even when the frames (side walls) 281a and 281b are electrically cut and the mating surfaces 270a and 270b with the upper case 270 are connected by soldering, the induced current does not flow or does not flow easily. It becomes.

また他の構造として、上ケース、樹脂一体型下ケースの接合部分に、絶縁性の高い磁性材料、例えばソフトフェライトを介在させることでも実現出来る。図14に本構造を用いた非可逆回路素子の斜視図を、図15にその分解斜視図を示す。樹脂ケースのフレーム(下部)281cの表面端部にNi-Znフェライト、Mn−Znフェライト等、比較的比抵抗の大きな磁性材料290a、及び290bを配置する。そして、上ケース275の折り曲げ先端部276a、及び276bとを接合させて組み込み、前記絶縁性を発揮させ、磁気ギャップを設けずに前記誘導電流が流れない、あるいは流れにくく、内部磁場を保った構造とすることが出来た。   As another structure, it can also be realized by interposing a magnetic material having high insulation, for example, soft ferrite, at the joint between the upper case and the resin-integrated lower case. FIG. 14 is a perspective view of a non-reciprocal circuit device using this structure, and FIG. 15 is an exploded perspective view thereof. Magnetic materials 290a and 290b having a relatively large specific resistance, such as Ni—Zn ferrite and Mn—Zn ferrite, are disposed on the surface end of the resin case frame (lower part) 281c. A structure in which the bent tip portions 276a and 276b of the upper case 275 are joined and incorporated to exhibit the insulating property, the induced current does not flow or does not flow without providing a magnetic gap, and an internal magnetic field is maintained. I was able to.

本発明に係る非可逆回路素子の一実施例の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of one Example of the nonreciprocal circuit device based on this invention. 本発明に係る非可逆回路素子の一実施例の斜視図である。It is a perspective view of one Example of the nonreciprocal circuit device based on this invention. 本発明に係る非可逆回路素子に用いる積層基板の一実施例を示す図である。It is a figure which shows one Example of the laminated substrate used for the nonreciprocal circuit device based on this invention. 本発明に係る非可逆回路素子の一実施例に対する等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram with respect to one Example of the nonreciprocal circuit device based on this invention. 第一の従来例の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a 1st prior art example. 第一の従来例の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a first conventional example. 第二の従来例の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a 2nd prior art example. 第二の従来例の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a second conventional example. 実施例1の特性図である。2 is a characteristic diagram of Example 1. FIG. 実施例2の特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram of Example 2. 比較例の特性図である。It is a characteristic view of a comparative example. 本発明の作用の説明図である。It is explanatory drawing of an effect | action of this invention. 本発明の他の実施例に係る非可逆回路素子に用いる樹脂一体型下ケースの斜視図と断面図である。It is the perspective view and sectional drawing of the resin integrated lower case used for the nonreciprocal circuit device based on the other Example of this invention. 本発明の他の実施例に係る非可逆回路素子の斜視図である。It is a perspective view of the nonreciprocal circuit device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施例に係る非可逆回路素子の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the non-reciprocal circuit device according to another embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

210 フェリ磁性体
220 中心導体
221 第1の中心導体
222 第2の中心導体
230 中心導体組立体
240 永久磁石
250 積層基板
261,262 チップコンデンサ
270,275 上ケース
280 樹脂一体型下ケース
281a、281b フレーム(側壁)
281c フレーム(下部)
282 樹脂ベース
283 スリット
290 絶縁性の高い磁性材料
301 電流
302 誘導起電力
303 高周波磁界
304 誘導電流(中心導体を囲むように周回するループ状電流)
210 Ferrimagnetic body 220 Center conductor 221 First center conductor 222 Second center conductor 230 Center conductor assembly 240 Permanent magnet 250 Multilayer substrate 261, 262 Chip capacitor 270, 275 Upper case 280 Resin integrated lower case 281a, 281b Frame (Side wall)
281c frame (bottom)
282 Resin base 283 Slit 290 Highly insulating magnetic material 301 Current 302 Inductive electromotive force 303 High frequency magnetic field 304 Inductive current (a loop current that circulates around the central conductor)

Claims (5)

永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に配置される複数の中心導体と、前記中心導体に接続される整合用コンデンサと、前記永久磁石による直流磁界の磁気回路を構成するための金属ケースを有し、
前記金属ケースは、前記中心導体の周りを周回するようなループ状電流が前記金属ケース上に生じないように構成されていることを特徴とする非可逆回路素子。
A permanent magnet, a ferrimagnetic body to which a DC magnetic field is applied by the permanent magnet, a plurality of center conductors disposed on the ferrimagnetic body, a matching capacitor connected to the center conductor, and a DC by the permanent magnet It has a metal case for configuring the magnetic circuit of the magnetic field,
The non-reciprocal circuit device, wherein the metal case is configured such that a loop current that circulates around the central conductor does not occur on the metal case.
永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に配置される複数の中心導体と、前記中心導体に接続される整合用コンデンサと、前記永久磁石による直流磁界の磁気回路を構成するための金属ケースを有し、
前記金属ケースは、前記中心導体うちグランド電極に接続される中心導体の配置されている方向とほぼ同じ方向に周回するようなループ状電流が前記金属ケース上に生じないように構成されていることを特徴とする非可逆回路素子。
A permanent magnet, a ferrimagnetic body to which a DC magnetic field is applied by the permanent magnet, a plurality of center conductors disposed on the ferrimagnetic body, a matching capacitor connected to the center conductor, and a DC by the permanent magnet It has a metal case for configuring the magnetic circuit of the magnetic field,
The metal case is configured such that a loop current that circulates in substantially the same direction as the center conductor connected to the ground electrode among the center conductors does not occur on the metal case. A nonreciprocal circuit device characterized by the above.
永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に配置される複数の中心導体と、前記中心導体に接続される整合用コンデンサと、前記永久磁石による直流磁界の磁気回路を構成するための金属ケースを有し、
前記金属ケースは、複数のケース部材を組み合わせて構成されており、前記ケース部材間のうち、少なくとも一つのケース部材間が絶縁性材料により接合され、当該ケース部材間での導電性が阻害されていることを特徴とする非可逆回路素子。
A permanent magnet, a ferrimagnetic body to which a DC magnetic field is applied by the permanent magnet, a plurality of center conductors disposed on the ferrimagnetic body, a matching capacitor connected to the center conductor, and a DC by the permanent magnet It has a metal case for configuring the magnetic circuit of the magnetic field,
The metal case is configured by combining a plurality of case members, and among the case members, at least one case member is joined by an insulating material, and conductivity between the case members is hindered. A non-reciprocal circuit device characterized by comprising:
永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に配置される複数の中心導体と、前記中心導体に接続される整合用コンデンサと、前記永久磁石による直流磁界の磁気回路を構成するための金属ケースを有し、
前記金属ケースは、上ケースと下ケースに分かれており、前記下ケースは、少なくとも一対の対向する側壁部を有し、当該側壁部により前記上ケースと組み合わされており、前記一対の対向する側壁部のうち一方の側壁部は前記上ケースと電気的に導通し、他方の側壁部は前記上ケースと電気的に導通しないように構成されていることを特徴とする非可逆回路素子。
A permanent magnet, a ferrimagnetic body to which a DC magnetic field is applied by the permanent magnet, a plurality of center conductors disposed on the ferrimagnetic body, a matching capacitor connected to the center conductor, and a DC by the permanent magnet It has a metal case for configuring the magnetic circuit of the magnetic field,
The metal case is divided into an upper case and a lower case, and the lower case has at least a pair of opposed side wall portions, and is combined with the upper case by the side wall portions, and the pair of opposed side walls. The non-reciprocal circuit device is characterized in that one of the side walls is electrically connected to the upper case, and the other side wall is not electrically connected to the upper case.
前記中心導体として、一端が入力端子に電気的に接続され、他端が出力端子に電気的に接続される第1の中心導体と、一端が出力端子に電気的に接続され、他端がアース端子に電気的に接続される第2の中心導体とを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の非可逆回路素子。 As the center conductor, one end is electrically connected to the input terminal, the other end is electrically connected to the output terminal, one end is electrically connected to the output terminal, and the other end is grounded. The nonreciprocal circuit device according to claim 1, further comprising a second central conductor electrically connected to the terminal.
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