JP2006014029A - 高周波モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】高周波モジュールの低背化を図りつつ、送信フィルタ入力端子から送信フィルタ外部端子のインピーダンスを容易に調整し、不要反射の増加及び伝送特性の劣化を防止した高品質の高周波モジュールを提供する。
【解決手段】誘電体基板表面に、送信フィルタ素子を搭載するための搭載部を有し、該搭載部には、少なくとも送信フィルタ用の入力端子が形成され、該入力端子を誘電体基板内に設けられたビア及び／または導体線路を経由して前記誘電体基板裏面に形成された外部端子と電気的に接続してなる高周波モジュールであって、前記送信フィルタ搭載部の直下を含む前記誘電体基板の内部領域および誘電体基板裏面にそれぞれ接地電極を形成するとともに、前記２つの接地電極間に、インダクタンス素子を形成してなり、前記入力端子と前記外部端子とを、前記誘電体基板内に形成されたインダクタンス素子を介して接続してなることを特徴とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、携帯電話などの通信装置に用いられる高周波モジュールに関するものである。

図１に、携帯電話装置等の移動体通信機器における高周波信号処理回路の一般的構成で、ＣＤＭＡのデュアルバンド方式のブロックを示す。図１において、１はアンテナ、２は周波数を分ける分波器、３、４は８００ＭＨｚと１．９ＧＨｚのデュプレクサである。

送信系では、ＲＦＩＣ１７から出力された信号は、９、１０の送信フィルタでノイズを低減し、電力増幅器７、８に伝えられる。電力増幅器７、８はそれぞれ８００ＭＨｚ、１．９ＧＨｚの周波数で駆動し、送信電力を増幅させ、方向性結合器５、６に伝えられ、前記デュプレクサ３、４に入力される。方向性結合器は、電力増幅器からの出力信号のレベルをモニターする機能があり、検波用回路（デテクターＩＣ）１１に接続されている。

一方、受信系は、デュプレクサ３、４からの信号をＬＮＡ１３、１４が信号を増幅し、フィルタ１５、１６を介してＲＦＩＣ１８に伝えられ信号処理される。

また、近年ＧＰＳによる測位機能も機器に取り込まれつつあり、前記分波器からＧＰＳ用フィルタ１２を経て、ＲＦＩＣ１８で信号処理される。

このような移動無線装置においては、その携帯性等のために各部に対する小型化、軽量化の要求が大きく、従来においては要求を考慮して所望の特性が達成できる単位でモジュール化されている。

その一例として図１中の破線に囲まれた領域２２の部分を１つの誘電体基板内に設けてモジュール化した高周波モジュールの外観斜視図を図２に示した。

図２において、誘電体基板２３の表層には、電力増幅器７、８を構成する電力増幅用半導体素子２４、２５と、デュプレクサ３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂ及びＧＰＳ用フィルタ１２、送信フィルタ９、１０、検波用回路（デテクターＩＣ）１１が実装されている。また電力増幅用整合回路２６、２７は誘電体基板表面に搭載されるチップ部品や、誘電体基板の表面や内部の導体パターンによって形成されている。また、誘電体基板の裏面には信号の入出力を行うための外部端子２８が設けられている。

従来における外部端子２８と誘電体基板表面に実装された送信フィルタ、電力増幅器、及びデュプレクサとの接続を説明するための分解斜視図を図６に示した。

図６の高周波モジュールによれば、誘電体層８０１〜８０４を順次積層してなる誘電体基板８２５の表面には、送信フィルタ８０５を接続するための送信フィルタ入力端子８１２、送信フィルタ出力端子８１３、ＧＮＤ接続端子８１７と、デュプレクサ用送信フィルタ８０７ａを接続するためのデュプレクサ用送信フィルタ入力端子８１４、デュプレクサ用送信フィルタ出力端子８１５、ＧＮＤ接続端子８１８と、デュプレクサ用受信フィルタ８０７ｂを接続するためのデュプレクサ用受信フィルタ入力端子８１６、デュプレクサ用受信フィルタ出力端子８２６、ＧＮＤ接続端子８２７とが導体パターンによって形成される。

また、誘電体層８０１の表面には、実装される電力増幅器８０６と送信フィルタ８０５を接続する接続線路８１９、電力増幅器８０６とデュプレクサ用送信フィルタ８０７ａを接続する接続線路８２０も導体パターンで形成される。

誘電体層８０２には、ビア８２４ｉ、８２４ｊ、８２４ｋ、８２４ｌで裏面ＧＮＤ導体８０９と接続されたＧＮＤ電極８０８があり、裏面にはＧＮＤに接続されるＧＮＤ導体８０９と、送信フィルタ外部端子８１０、デュプレクサ用受信信号外部端子８１１が導体パターンで形成される。ＧＮＤ接続端子８１７はビア８２４ｃを介して、ＧＮＤ接続端子８１８はビア８２４ｈを介して、ＧＮＤ接続端子８２７はビア８２４ｍを介してＧＮＤ電極８０８にそれぞれ接続される。ビア８２４ｄは電力増幅器８０６の放熱とＧＮＤ接続のために設けられている。

本モジュールの外部からの送信信号は、送信フィルタ外部端子８１０に入力されビア８２４ｂ、接続線路８２１、ビア８２４ａ、送信フィルタ入力端子８１２の順番に伝送された後、送信フィルタ８０５に入力される。また、電力増幅器８０６から出力された信号は接続線路８２０、デュプレクサ用送信フィルタ入力端子８１４を介してデュプレクサ用送信フィルタ８０７ａに入力された後、デュプレクサ用送信フィルタ出力端子８１５に出力され接続線路８２８、ビア８２４ｇ、接続線路８２３を介して分波回路へ伝送される。分波回路から入力される信号は接続線路８２３、ビア８２４ｇ、接続線路８２８、デュプレクサ用受信フィルタ入力端子８１６の順番に伝送された後、デュプレクサ用受信フィルタ８０７ｂに入力され、デュプレクサ用受信フィルタ出力端子８２６、ビア８２４ｅ、接続線路８２２、ビア８２４ｆの順番に伝送された後、デュプレクサ用受信信号外部出力端子８１１を介して本モジュールの外部に出力される。

図６では、１つの送受信系について説明しており、図１中の送信フィルタ９、１０は、送信フィルタ８０５に、電力増幅器２４、２５、２６、２７は電力増幅器８０６に、デュプレクサ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄはデュプレクサ８０７ａ、８０７ｂにそれぞれ対応している。

伝送信号の損失を少なくするためには、裏面の送信フィルタ外部端子８１０から誘電体層８０１上に形成された送信フィルタ入力端子８１３までの伝送経路のインピーダンスを送信フィルタ８０５と同じ５０Ωに設計する必要がある。これは裏面の送信フィルタ外部端子８１０から誘電体層８０１上に形成された送信フィルタ入力端子８１２と送信フィルタ８０５の接続点においてインピーダンスを整合させることで不要な反射が無く、伝送損失を最も少なくできるためである。

従来は、接続線路８２１の線路幅を調整することで送信フィルタ外部端子８１０から送信フィルタ入力端子８１３までのインピーダンスを５０Ωに設計される。

同様の理由により、裏面のデュプレクサ用受信信号外部端子８１１から誘電体層８０１上に形成されたデュプレクサ用受信フィルタ出力端子８２６までの伝送経路のインピーダンスをデュプレクサ用受信フィルタ８０７ｂと同じ５０Ωに設計する必要があるので接続線路８２２の線路幅を調整することでデュプレクサ用受信信号外部端子８１１からデュプレクサ用受信フィルタ出力端子８２６までのインピーダンスを５０Ωに設計している。
特開２００２−２９０２５７

しかしながらモジュールの低背化が進むに連れてＧＮＤ電極８０８と裏面電極８０９間の距離が小さくなり、低下した伝送線路のインピーダンスを接続線路８２１や接続線路８２２の線路幅の調整によって５０Ωまで上げることが困難になっている。

図７に本モジュール内において接続線路幅を製造可能な最小幅で形成したときの送信フィルタ入力端子８１２から送信フィルタ外部端子８１０を見たインピーダンスを示す。図９における周波数範囲は０〜６ＧＨｚであり、インピーダンスの軌跡はスミスチャートの中心である５０Ωから始まり、周波数が上がるにつれて容量性を示しながら低インピーダンス円の軌道を描いている。この原因は、接続線路８２１と、その上下にあるＧＮＤ電極８０８と裏面電極８０９との距離が近いために、インピーダンスが低くなると同時にＧＮＤ間の寄生容量が大きくなって容量性を示すためである。このような状態で送信フィルタ８０５と接続すると送信フィルタ８０５の送信フィルタ入力端子８１２との接続点において不整合が起こり、それによる不要反射の増加及び伝送特性の劣化が起こる。

これを回避するには、ＧＮＤ電極８０８と裏面電極８０９の距離を広げるしかなく、高周波モジュールの薄型化を困難にしていた。

したがって、本発明は、高周波モジュールの低背化を図りつつ、送信フィルタ入力端子から送信フィルタ外部端子のインピーダンスを容易に調整し、不要反射の増加及び伝送特性の劣化を防止した高品質の高周波モジュールを提供することを目的とするものである。

本発明の高周波モジュールは、誘電体基板表面に、送信フィルタ素子を搭載するための搭載部を有し、該搭載部には、少なくとも送信フィルタ用の入力端子が形成され、該入力端子を誘電体基板内に設けられたビア及び／または導体線路を経由して前記誘電体基板裏面に形成された外部端子と電気的に接続してなる高周波モジュールであって、前記送信フィルタ搭載部の直下を含む前記誘電体基板の内部領域および誘電体基板裏面にそれぞれ接地電極を形成するとともに、前記２つの接地電極間に、インダクタンス素子を形成してなり、前記入力端子と前記外部端子とを、前記誘電体基板内に形成されたインダクタンス素子を介して接続してなることを特徴とする。

また、本発明の第２の高周波モジュールは、誘電体基板表面に、送受信系の信号を送信信号と受信信号に分波するデュプレクサを搭載するための搭載部を有し、該搭載部には、少なくとも前記デュプレクサ用の出力端子が形成され、該出力端子は誘電体基板の裏面に形成された外部端子と誘電体基板内に設けられたビア及び／または線路を経由して電気的に接続してなる高周波モジュールであって、前記送信フィルタ搭載部の直下を含む前記誘電体基板の内部領域および誘電体基板裏面にそれぞれ接地電極を形成するとともに、インダクタンス素子を形成してなり、前記入力端子と前記外部端子とを、前記誘電体基板内に形成されたインダクタンス素子を介して接続してなることを特徴とする。

さらに、本発明の第３の高周波モジュールは、誘電体基板表面に、送信フィルタ素子を搭載するための搭載部、および送受信系の信号を送信信号と受信信号に分波するデュプレクサを搭載するための搭載部を有し、前記送信フィルタ搭載部には、少なくとも送信フィルタ用の入力端子が形成され、該入力端子を誘電体基板内に設けられたビア及び／または導体線路を経由して前記誘電体基板裏面に形成された外部端子と電気的に接続し、前記デュプレクサ搭載部には、少なくとも前記デュプレクサ用の出力端子が形成されており、少なくとも前記デュプレクサ用の出力端子が形成され、該出力端子は誘電体基板の裏面に形成された外部端子と誘電体基板内に設けられたビア及び／または線路を経由して電気的に接続してなる高周波モジュールであって、前記送信フィルタ搭載部および前記デュプレクサ搭載部の直下を含む前記誘電体基板の内部領域および誘電体基板裏面にそれぞれ接地電極を形成するとともに、少なくとも２つのインダクタンス素子を形成してなり、前記送信フィルタ用の入力端子と前記外部端子とを１つのインダクタンス素子と接続し、前記デュプレクサ用の出力端子と前記外部端子とを他のインダクタンス素子と接続してなることを特徴とする。

なお、上記高周波モジュールにおいては、前記送信フィルタ、前記デュプレクサは、ＳＡＷフィルタまたはＦＢＡＲフィルタであることを特徴とする。

本発明の高周波モジュールによれば、上記の通り、誘電体基板内部に導体パターンでインダクタンス素子を形成し、送信フィルタ入力端子と送信フィルタ用外部端子との間にこのインダクタンス素子を介在させることによって、インピーダンスを高くできるので５０Ω近くに調整することができる。また、デュプレクサ用受信フィルタ出力端子とデュプレクサ用受信信号外部端子間においても、同様にしてインダクタンス素子を接続することでインピーダンスを高くすることができる。これにより、いずれの場合においても、高周波モジュール内のＧＮＤ電極と裏面電極間の距離を小さく出来るので、高周波モジュールの薄型化が可能になる。

また、上記高周波モジュールの低背化を図りつつ、送信フィルタ入力端子から送信フィルタ外部端子のインピーダンスを容易に調整することができるために、不要反射の増加及び伝送特性の劣化を防止した高品質の高周波モジュールを提供することができる。

図３は、本発明の高周波モジュールの一例を示す分解斜視図である。図３の高周波モジュール５１９は、誘電体層５０１〜５０５を順次積層して誘電体基板が形成され、誘電体層５０１の表面には、送信フィルタ５０６の搭載部Ａおよび電力増幅器５０７の搭載部Ｂが形成されている。送信フィルタ５０６の搭載部Ａには、送信フィルタ入力端子５０８と送信フィルタ出力端子５０９とＧＮＤ接続端子５１０が形成される。さらに、誘電体層５０１表面には、電力増幅器５０７と送信フィルタ５０６を接続するための接続線路５１１、電力増幅器５０７とデュプレクサを接続する接続線路５１２が形成される。

誘電体層５０２の送信フィルタ５０６実装部、電力増幅器実装部の直下には、ＧＮＤ電極５１５が形成されており、ＧＮＤ接続端子５１０がビア５１８ａを介してこのＧＮＤ電極５１５に接続されている。また、このＧＮＤ電極５１５は、ビア５１８ｅ、ビア５１８ｆによって、誘電体基板５１９の誘電体層５０５の裏面に形成された裏面ＧＮＤ導体５１６と接続されている。また、誘電体基板５１９の裏面には、裏面ＧＮＤ導体５１６とともに、送信フィルタ用の外部接続端子５１７が導体パターンで形成されている。なお、ＧＮＤ電極５１５と裏面ＧＮＤ導体５１６を接続するビアの本数は１本でも３本以上でもよい。

また、ＧＮＤ電極５１５および裏面ＧＮＤ導体５１６との間に位置する誘電体層５０３、５０４には、導体線路５１３と、導体線路５１４とが、上面から見た場合に互いに重なるように配置され、ビア５１８ｃによって接続されることによってスパイラル状のインダクタンス素子Ｎ_１が形成されている。かかる構造によって、導体線路５１３、５１４の上下にＧＮＤ電極が存在しても導体線路の誘導性を高めることが出来る。

そして、誘電体層５０１の送信フィルタ入力端子５０８は、ビア５１８ｂを経由してインダクタンス素子Ｎ１を形成する導体線路５１３と接続され、インダクタンス素子Ｎ１およびビア５１８ｄを経由して、送信フィルタ用の外部接続端子５１７と接続されている。

かかる構成によれば、この高周波モジュールの外部から送信フィルタ外部端子５１７に入力された送信信号は、ビア５１８ｄ、インダクタンス素子Ｎ１を構成する導体線路５１４、ビア５１８ｃ、導体線路５１３、ビア５１８ｂを経由して送信フィルタ入力端子５０８に至り、送信フィルタ５０６に入力される。

なお、本実施例では誘電体層５０３と誘電体層５０４の計２枚の誘電体層の表面にインダクタンス素子を構成する伝送線路パターンを形成しているが、これが誘電体層１層であっても３層以上であってもよい。

また、電力増幅器５０７の直下にはビア５１８ｇがＧＮＤ導体５１６と接続されており、電力増幅器５０７から発生する熱を放熱する役目も有する。

図４に、上記図３の高周波モジュールにおける送信フィルタ入力端子５０８から送信フィルタ外部端子５１７をみたインピーダンスのスミスチャートを示す。図４から明らかなように、広い周波数範囲で５０Ωに近いインピーダンスを達成していることが分かる。具体的な数値比較を行なうための指標として５０Ω±３Ωに収まる周波数帯域の比較を行なうと、図７の従来の接続構造の場合のスミスチャートを示す図９では０〜１６５９ＭＨｚの狭い周波数範囲であるのに対して、図４においては０〜４５２６ＭＨｚの広い周波数範囲に収まっている。

本高周波モジュールの使用周波数が１〜２ＧＨｚであるので、従来例の２ＧＨｚ付近では、不整合量が大きくなるので送信フィルタを接続した場合に不要反射の増加と伝送損失の劣化を招く。一方、本発明の上記の高周波モジュールによれば、主な使用周波数範囲では十分に５０Ω付近のインピーダンスを達成できるので送信フィルタを接続した場合に不要反射と伝送損失の劣化も無い。これによりＧＮＤ電極５１５と裏面ＧＮＤ導体５１６間の厚みを薄く出来るので高周波モジュールの薄型化を可能にすることができる。

次に、図５に第２の本発明に関わる高周波モジュールの一例の分解斜視図を示す。図５において、この高周波モジュールは、誘電体層７０１〜７０５を順次積層してなる誘電体基板７２４を具備する。誘電体層７０１の表面には、デュプレクサ用送信フィルタ７０７ａ、７０７ｂを搭載するための搭載部Ｃ、Ｄが形成されている。

デュプレクサ用送信フィルタ７０７ａ搭載部Ｃには、デュプレクサ用送信フィルタ入力端子７０８とデュプレクサ用送信フィルタ出力端子７０９とＧＮＤ接続端子７１２が形成されている。また、デュプレクサ用送信フィルタ７０７ｂ搭載部Ｄにも同様にデュプレクサ用受信フィルタ入力端子７１０とデュプレクサ用受信フィルタ出力端子７１１とＧＮＤ接続端子７１３が形成されている。

さらに誘電体層７０１の表面には、実装される電力増幅器７０６と送信フィルタを接続する接続線路７１４、電力増幅器７０６とデュプレクサ用送信フィルタ入力端子７０８とを接続する接続線路７１５、デュプレクサ用送信フィルタ７０７ａの出力端子７０９とデュプレクサ用受信フィルタ７０７ｂの入力端子７１０を接続する接続線路７１６が形成されている。

一方、誘電体層７０２のデュプレクサ用送信フィルタ７０７ａ、７０７ｂ実装部Ｃ，Ｄ、電力増幅器７０６実装部Ｅの直下には、ＧＮＤ電極７２０が形成されており、送信フィルタ実装部のＧＮＤ接続端子７１２、７１３が、ビア７２３ｈ、７２３ｉを介してそれぞれＧＮＤ電極７２０に接続されている。また、このＧＮＤ電極７２０は、ビア７２３ｆ、ビア７２３ｇによって、誘電体基板７２４の誘電体層７０５の裏面に形成された裏面ＧＮＤ導体７２１と接続されている。

また、誘電体基板７２４の誘電体層７０５の裏面には、裏面ＧＮＤ導体７２０とともに、デュプレクサ用の受信信号外部出力端子７２２が形成されている。なお、ＧＮＤ電極７２０と裏面ＧＮＤ導体７２１を接続するビアの本数は１本でも３本以上でもよい。

また、電力増幅器７０６の直下には、ビア７２３ａが形成され、誘電体層７０５裏面のＧＮＤ導体７２１と接続されており、電力増幅器７０６から発生する熱を放熱する役目も有する。

また、ＧＮＤ電極７２０および裏面ＧＮＤ導体７２１との間に位置する誘電体層７０３、７０４には、導体線路７１７と、導体線路７１８とが、上面から見た場合に互いに重なるように配置され、ビア７２３ｄによって接続されることによってスパイラル状のインダクタンス素子Ｎ２が形成されている。かかる構造によって、導体線路７１７、７１８の上下にＧＮＤ電極が存在しても導体線路の誘導性を高めることが出来る。

そして、誘電体層７０１のデュプレクサ用受信フィルタ７０７ｂの出力端子７１１は、ビア７２３ｃを経由してインダクタンス素子Ｎ２を形成する導体線路７１７と接続され、インダクタンス素子Ｎ２およびビア７２３ｅを経由して、受信信号外部出力端子７２２と接続されている。

送信フィルタを出た送信信号は、接続線路７１４、電力増幅器７０６、接続線路７１５、デュプレクサ用送信フィルタ入力端子７０８を介してデュプレクサ送信フィルタ７０７ａに入力される。

その後、デュプレクサ用送信フィルタ出力端子７０９、接続線路７１６、ビア７２３ｂ、接続線路７１９を介して分波回路（図示せず）へ伝送する。受信信号は、分波回路から接続線路７１９、ビア７２３ｂ、接続線路７１６、デュプレクサ用受信フィルタ入力端子７１０を介してデュプレクサ用受信フィルタ７０７ｂに入力される。デュプレクサ用受信フィルタ７０７ｂから出力された信号は、デュプレクサ用受信フィルタ出力端子７１１からビア７２３ｃ、インダクタンスＮ２を構成する伝送線路７１７、ビア７２３ｄ、伝送線路７１８、ビア７２３ｅを介して裏面のデュプレクサ用受信信号外部端子７２２に伝送される。

上記の本発明の第２の実施例では、主な使用周波数範囲で十分に５０Ω付近のインピーダンスを達成できるのでデュプレクサ用受信フィルタ７０７ｂを接続した場合に不要反射と伝送損失の劣化も無い。これによりＧＮＤ電極７２０と裏面ＧＮＤ導体７２１間の厚みを薄く出来るので高周波モジュールの薄型化を図ることができる。なお、本実施例では誘電体層７０３と誘電体層７０４の計２枚の誘電体層の表面にインダクタンス素子Ｎ２を構成する伝送線路パターンを形成しているが、インダクタンス素子Ｎ２は、誘電体層１層内に形成しても、また、３枚以上の誘電体層に形成してもよい。

また、本発明の第１の実施例では、誘電体基板表面に、送信フィルタと電力増幅器とが実装されて、その直下を含む領域にＧＮＤ電極が存在する高周波モジュールについて、前記本発明の第２の実施例では、誘電体基板表面に、電力増幅器とデュプレクサとが実装されて、その直下を含む領域にＧＮＤ電極が存在する高周波モジュールについて述べたが、本発明によれば、かかる第１の実施例の高周波モジュールと、第２の実施例の高周波モジュールとを組み合わせることができる。

即ち、１つの誘電体基板の表面に、電力増幅器と、送信フィルタと、デュプレクサとが実装されその直下を含む領域にＧＮＤ電極が形成された高周波モジュールに対して、第１の実施例における電力増幅器５０７と、第２の実施例における電力増幅器７０６とが同一の電力増幅器とみなして、第１の実施例、第２の実施例を適用することができる。その場合、誘電体基板の裏面に形成された裏面ＧＮＤ導体との間に位置する誘電体層に、第１の実施例、第２の実施例で説明したようなインダクタンス素子Ｎ１、Ｎ２を形成することによって、本発明の第１の実施例や第２の実施例で示した効果と同様の効果を有する薄型化を図ることのできる高周波モジュールを得ることができる。

一般的な移動体通信機器の高周波信号処理回路図を示す。 図１の高周波信号処理回路図の一部を具備する高周波モジュールの概略斜視図を示す。 本発明の高周波モジュールの第１の実施例の分解斜視図を示す。 図３の高周波モジュールの送信フィルタ入力端子から送信フィルタ外部端子を見た場合のインピーダンスを示したスミスチャートである。 本発明の高周波モジュールの第２の実施例の分解斜視図を示す。 従来の高周波モジュールの分解斜視図を示す。 図６の高周波モジュールにおける送信フィルタ入力端子から送信フィルタ外部端子を見た場合のインピーダンスを示したスミスチャートである。

符号の説明

Ａ：送信フィルタ搭載部
Ｂ：電力増幅器搭載部
Ｃ、Ｄ：デュプレクサ用送信フィルタ搭載部
５０１〜５０５、７０１〜７０５：誘電体層
５０６：送信フィルタ
５０７、７０６：電力増幅器
５０８：送信フィルタ入力端子
５０９：送信フィルタ出力端子
５１０、７１２、７１３：ＧＮＤ接続端子
５１１、５１２、７１４、７１５、７１６、７１９：接続線路
５１３、５１４、７１７、７１８：インダクタンス素子を構成する伝送線路
５１５、７２０：ＧＮＤ電極
５１６、７２１：裏面ＧＮＤ導体
５１７：送信フィルタ外部接続端子
５１８ａ〜５１８ｇ、７２３ａ〜７２３ｉ：ビア
５１９、７２４：高周波モジュール
７０７ａ：デュプレクサ用送信フィルタ
７０７ｂ：デュプレクサ用受信フィルタ
７０８：デュプレクサ用送信フィルタ入力端子
７０９：デュプレクサ用送信フィルタ出力端子
７１０：デュプレクサ用受信フィルタ入力端子
７１１：デュプレクサ用受信フィルタ出力端子
７２２：デュプレクサ用受信信号外部出力端子
Ｎ１、Ｎ２：インダクタンス素子

Claims (5)

1. 誘電体基板表面に、送信フィルタ素子を搭載するための搭載部を有し、該搭載部には、少なくとも送信フィルタ用の入力端子が形成され、該入力端子を誘電体基板内に設けられたビア及び／または導体線路を経由して前記誘電体基板裏面に形成された外部端子と電気的に接続してなる高周波モジュールであって、前記送信フィルタ搭載部の直下を含む前記誘電体基板の内部領域および誘電体基板裏面にそれぞれ接地電極を形成するとともに、前記２つの接地電極間に、インダクタンス素子を形成してなり、前記入力端子と前記外部端子とを、前記誘電体基板内に形成されたインダクタンス素子を介して接続してなることを特徴とする高周波モジュール。
2. 誘電体基板表面に、送受信系の信号を送信信号と受信信号に分波するデュプレクサを搭載するための搭載部を有し、該搭載部には、少なくとも前記デュプレクサ用の出力端子が形成され、該出力端子は誘電体基板の裏面に形成された外部端子と誘電体基板内に設けられたビア及び／または線路を経由して電気的に接続してなる高周波モジュールであって、前記デュプレクサ搭載部の直下を含む前記誘電体基板の内部領域および誘電体基板裏面にそれぞれ接地電極を形成するとともに、インダクタンス素子を形成してなり、前記入力端子と前記外部端子とを、前記誘電体基板内に形成されたインダクタンス素子を介して接続してなることを特徴とする高周波モジュール。
3. 誘電体基板表面に、送信フィルタ素子を搭載するための送信フィルタ素子搭載部、および送受信系の信号を送信信号と受信信号に分波するデュプレクサを搭載するためのデュプレクサ搭載部を有し、
   前記送信フィルタ搭載部には、少なくとも送信フィルタ用の入力端子が形成され、該入力端子を誘電体基板内に設けられたビア及び／または導体線路を経由して前記誘電体基板裏面に形成された外部端子と電気的に接続し、
   前記デュプレクサ搭載部には、少なくとも前記デュプレクサ用の出力端子が形成されており、少なくとも前記デュプレクサ用の出力端子が形成され、該出力端子は誘電体基板の裏面に形成された外部端子と誘電体基板内に設けられたビア及び／または線路を経由して電気的に接続してなる
   高周波モジュールであって、
   前記送信フィルタ搭載部および前記デュプレクサ搭載部の直下を含む前記誘電体基板の内部領域および誘電体基板裏面にそれぞれ接地電極を形成するとともに、少なくとも２つのインダクタンス素子を形成してなり、
   前記送信フィルタ用の入力端子と前記外部端子とを１つのインダクタンス素子と接続し、
   前記デュプレクサ用の出力端子と前記外部端子とを他のインダクタンス素子と接続して
   なることを特徴とする高周波モジュール。
4. 前記送信フィルタがＳＡＷフィルタまたはＦＢＡＲフィルタであることを特徴とする請求項１または請求項３記載の高周波モジュール。
5. 前記デュプレクサがＳＡＷフィルタまたはＦＢＡＲフィルタであることを特徴とする請求項２または請求項３記載の高周波モジュール。

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