JP2006013374A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 成膜手順として、オゾンO3を含む酸化ガスで成膜装置のチャンバーを充満させた後に、ソースガスを導入することで成膜する。オゾン/TEOSの重量比を3.7以上、成膜速度を45nm/min以下とすることステップカバレッジの良い、膜収縮率が低い良質の絶縁膜が得られる。
【選択図】 図9
Description
10 半導体基板(ウェハ)
11 チャンバー
12 サセプタ
13 シャワーヘッド
14 分散板
15 ガス供給配管
16 バイパスライン
17 オート・プレッシャ・コントローラ
18 バルブ
20 半導体基板
21 絶縁膜
22 配線パターン
23 BPSG膜
24 ボイド
Claims (6)
- 絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、オゾンを含む酸化ガスをチャンバー内に流す工程と、前記オゾンの流量に反応する流量に比して少ない流量のシリコン及び不純物を含んだソースガスを流し、反応律速させて半導体基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜がBPSG膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ソースガスはテトラエトキシシラン(TEOS)を含み、前記オゾンとTEOSとの重量比(オゾン/TEOS)を3.7以上とし成膜することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜の成膜速度を45nm/min以下として成膜することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記成膜工程は、前記成膜速度よりも早い成膜速度で成膜する第2の成膜工程をさらに有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 成膜された前記絶縁膜を、600℃以上750℃以下の温度で、不活性ガスまたは、酸素あるいはスチーム雰囲気中で熱処理することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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KR101204664B1 (ko) | 2008-04-07 | 2012-11-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 소자의 층간절연막 형성방법 |
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