JP2006013317A - セラミック積層基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 内部に内部配線層を有し、両主面に表面配線層を備えるとともに、前記両主面に複数の第1の分割溝と、前記第1の分割溝と交差する複数の第2の分割溝を形成してなるセラミック積層基板において、前記セラミック積層基板の少なくとも一方の主面の外周縁に衝撃緩衝層を周設した。
【選択図】 図1
Description
近年、半導体素子の動作時発熱が大きくなって来ているが、この発熱は半導体素子自身及び、他の電子部品の動作に影響を及ぼす。このため前記発熱を効率的に放熱することが回路基板の重要な要求特性の一つとなっている。そこで回路基板材料として放熱性、電気的特性、信頼性等に優れた機能材料であるAl2 O3 などのセラミックスが多用されている。
このようなLTCC技術による回路部品は、1000℃以下で焼結可能な低温焼結セラミックス材料と、これと同時焼成可能な導体ペーストを用いて構成される場合が多い。
例えば、ドクターブレード等によりキャリアフィルムに塗こう形成(キャスティング)したセラミックスグリーンシートを用い、所望形状に切断した前記グリーンシートに、キャパシタンス素子やインダクタンス素子を構成する回路パターン(電極パターン)をAgやCuなどの導体ペーストで形成し、さらに孔開け装置によりグリーンシートの上下を貫通するビアホールを形成する。次いで、各グリーンシートに形成したビアホールに、AgやCuなどの金属を主成分とする導体ペーストを印刷充填し、そして前記グリーンシートを必要枚数重ね、積層、圧着し、その後、必要な寸法に切断し、グリーンシートと導体ペーストとの同時焼成を行う事によって得られる。
最近、このようなLTCC技術を前記基板に採用し、キャパシタンス素子、インダクタンス素子の少なくとも一部を電極パターンにより積層内蔵するとともに、キャビティーを形成して、このキャビティーにベアチップ状態の半導体素子を実装したりすることが行われている。さらに移動体通信機器の小型化、高性能化に対する要求の高まりとともに、様々な回路機能が盛り込まれるように成り、例えば携帯電話の高周波回路部を構成するアンテナスイッチ、フィルタ、方向性結合器、高周波増幅器などを前記基板に複合一体化することも提案されている。
以下、セラミックと電極パターンとを積層した基板をセラミック積層基板と呼ぶ。
そこで本発明は、セラミック積層基板の外周稜部の欠け、クラックの発生を抑え、セラミックの飛散を生じさせず、もって積層基板の表面に形成された電極パターンと、他の回路素子との電気的接続を阻害することが無く、信頼性の高いセラミック積層基板を得ることを目的とする。
前記第1及び第2の分割溝は、インダクタンス素子やキャパシタンス素子といった回路素子を構成する電極パターンが形成された領域を、個片に分割できる程度に形成されていれば良い。従って、少なくとも分割すべき領域よりも長く、積層基板の側面までの間に形成される。
また、前記衝撃緩衝層を連続して切れ目無く周設しても良いが、衝撃緩衝層を形成しない部分(抜き部)を形成し、不連続に形成しても良く、例えば、図6(a)(b)に示すように、積層基板の側面にまで及ぶ第1及び第2の分割溝を挟んで離隔し、不連続に形成しても良い。
本発明においては、前記衝撃緩衝層はセラミックよりも低ビッカース硬度であり、前記セラミックとの密着性に優れるものが選択される。例えば、エポキシ系などの樹脂材料や、Ag,Au,Cu,Niなどの金属材料、合金で構成するのが好ましい。さらに、前記衝撃緩衝層を多層の金属層とし、ビッカース硬度の異なる複数の金属膜を層状に重ねて形成するのも好ましい。
前記積層基板1は、絶縁体、例えば低温焼成が可能なセラミック誘電体材料(LTCC材)と、導体材料からなる電極パターンを主構成物とする。前記LTCC材は、ドクターブレード法などの成形方法により、厚さが20μm〜200μmのグリーンシートに成形され、このグリーンシート上には、Agを主体とする導電ペーストにより電極パターンが印刷形成される。そして、複数のグリーンシートを積層圧着し、一体化した未焼成状態の積層体とする。前記積層体の、最上層に位置するグリーンシートには、ワイヤボンディング配線用、面実装部品搭載用の電極パターン(表面配線層)とともに、衝撃緩衝層20が、前記導体ペーストにより印刷形成されている。
前記衝撃緩衝層20を前記電極パターンとともに同時に印刷形成すれば、工数を増加させることが無いので好ましく、他方、衝撃緩衝層20を別工程で形成すれば、衝撃緩衝層20と電極パターンとの厚みを異ならせて形成するのが容易となる。従って、衝撃緩衝層20をどの工程で形成するかは、必要に応じて適宜設定することが出来る。
さらに、この表面及び裏面には、後に、積層基板1を個片の積層基板に分割できるように、直交する複数の分割溝300が格子状に形成されている。本実施例では、7.5mm×5mmの個片に分割されるように分割溝が形成されている。また、個片の積層基板には、フィルタ回路やスイッチ回路等の高周波回路を構成するインダクタンス素子やキャパシタンス素子が、電極パターン(内部配線層)により形成されている。
前記衝撃緩衝層20は、積層基板1を構成するセラミック材料よりも、低ビッカース硬度を有する樹脂や金属から選択され、好ましくは、ビッカース硬度Hv300以下の材料で形成する。
前記樹脂としては、エポキシ系樹脂が好ましく、印刷や塗布などの方法により衝撃緩衝層を形成することが出来る。積層基板1に搭載された面実装部品は、フロー工法等によりはんだ付けを行うが、その際に、積層基板1と衝撃緩衝層20との線膨張係数差により生じる熱応力によって積層基板の変形や、割れが生じないように、樹脂材料の線膨張係数を20〜35×10−5/℃とするのが好ましく、更に20〜25×10−5/℃とするのがより好ましい。
また、前記金属材料としては、Ag,Au,Cu,Ni,Pt,Pd,Snなどの金属材料、あるいは前記金属材料を含む合金で構成するのが好ましく、これらを印刷や、塗布、転写、めっきなどの方法によって積層基板に形成する。衝撃緩衝層20は単一の金属層で形成しても良いが、ビッカース硬度の異なる金属層を多層に形成して衝撃緩衝層を形成しても良い。最外層にビッカース硬度の高い金属層を形成すれば、衝撃緩衝層の強度が向上するので好ましい。
前記衝撃緩衝層20は、衝撃を和らげる効果を発揮するとともに、セラミックが欠けた場合でも、衝撃緩衝層20により保持されるので、電極パターンに飛散することがない。
低温焼成が可能なセラミック誘電体材料(LTCC材)を用い、前記した方法によって未焼成状態の積層体を作製するとともに、Agを主体とする導電ペーストで、他の電極パターン(図示せず)とともに、衝撃緩衝層20を積層体主面の外縁部に印刷形成した(図2(a)参照)。なお、積層体の外周縁は後加工で除去されるので、衝撃緩衝層20は、積層体の外周稜部にまで及んで形成する必要はない。また、衝撃緩衝層20を、予め表面電極層を構成する電極パターンとともにグリーンシートに形成しておき、これを積層圧着してもよい。この場合、衝撃緩衝層20がグリーンシートに押し込まれ、積層体に一部が埋設される。
積層体を切断刃で切断すると、図3に示すように、切断刃の入側では、側面と主面の成す角βが、直角或いは鈍角になり易く、他方、側面と出側の主面の成す角αは鋭角になり易い。このため断面は、僅かに傾斜を有するようになる。このような傾斜面であっては、応力が集中する鋭角側の稜部が、主としてガイド150等に当接する。しかしながら、本発明では、前記稜部に衝撃緩衝層20を形成し、外力がセラミックに直接作用し難い構造としているため、欠けやクラックが生じるのを防ぐことが出来る。
図3に示した断面は、一方の稜部が鋭角に形成されオーバーハングした状態であったのに対して、図4及び図5のものの稜部は面取りされ、鈍角となるように形成されている。分割溝用の鋼刃の刃先は、所定の開角度を有するように形成されているため、刃先を積層体に圧入する際に積層体の稜部に面取りが形成される。なお、図面では、面取りをカット状に図示しているが、切断刃を積層体から抜いた後、弾性による積層体の戻りによっては、円弧状となる場合もある。しかしながら、どちらの場合であっても、ガイド等に当接するのは主として側面であり、稜部が当接する確率を減じているため、欠けやクラックの発生を更に減じることが出来る。
このようにして本発明に係るセラミック積層基板を得た。さらに電解めっきや無電解めっきにより、衝撃緩衝層上に他の金属層を形成してもよい。前記他の金属層としては、はんだめっきによるSn合金層や、ニッケルめっきによる、Ni、Ni−P合金層、金めっきによるAu層などが例示される。
20 衝撃緩衝層
150 ガイド
300
Claims (5)
- 内部に内部配線層を有し、両主面に表面配線層を備えるとともに、前記両主面に複数の第1の分割溝と、前記第1の分割溝と交差する複数の第2の分割溝を形成してなるセラミック積層基板において、
前記セラミック積層基板の少なくとも一方の主面の外周縁に衝撃緩衝層を周設したことを特徴とするセラミック積層基板。 - 前記第1及び第2の分割溝は積層基板の側面、または側面付近にまで及び、前記衝撃緩衝層の少なくとも一部が分割溝を挟んで離隔し、不連続に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のセラミック積層基板。
- 前記衝撃緩衝層が樹脂材料或いは、金属材料で構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のセラミック積層基板。
- 前記衝撃緩衝層を、ビッカース硬度の異なる複数の金属膜を層状に重ねて形成することを特長とする請求項1又は2に記載のセラミック積層基板。
- 前記積層基板の側面が、焼結肌であることを特長とする請求項1乃至4のいずれかに記載のセラミック積層基板。
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WO2010106839A1 (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-23 | 株式会社村田製作所 | 回路基板及びマザー積層体 |
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