JP2006013091A - 半導体光素子及び光送信モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
エッチング停止層を上下2つの利得を有する領域の間に形成し、且つ、エッチング停止層として利得領域とエッチングレートが異なる材質を用いることで、選択的に上側の利得領域のみをエッチングし、一様な深さをもつ周期的な回折格子を形成することが可能となる。
【選択図】 図1
Description
上記の実施例1、2では、半導体レーザ素子の利得媒質としてInGaAlAs、エッチング停止層としてInP、エッチャントとしてクエン酸・過酸化水素系を用いたが、別の組み合わせとして利得媒質にInGaAsPやInGaAsを、エッチング停止層としてInPを、エッチャントとしてH2SO4/H2O2/H2O系を用いることも可能である。
Claims (7)
- 基板上に形成した半導体多層膜中のレーザ光を増幅する活性層に周期的な回折格子を形成した利得結合型半導体光素子であって、
前記活性層に一様な深さで回折格子が形成されるように、エッチング停止層が前記活性層に挟まれて形成されていることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1における半導体光素子であって、
前記エッチング停止層が前記活性層中に形成されるとともに、前記活性層の材質と異なることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1もしくは2に記載の半導体光素子であって、
前記エッチング停止層が単一の半導体層で構成されていることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1もしくは2に記載の半導体光素子であって、
前記エッチング停止層が2層以上の半導体多層膜で構成されていることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項3に記載の半導体光素子であって、
前記活性層がInGaAlAsを材質とした多重量子井戸層で構成され、かつエッチング停止層の材質がInPであることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項4に記載の半導体光素子であって、
利得を有する領域がInGaAlAsを材質とした多重量子井戸層で構成され、かつエッチング停止層の材質がInPとInGaAsPとの互層構造であることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の利得結合型分布帰還型半導体レーザ素子を用いた光送信モジュール、及び光送受信モジュール。
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