JP2006012437A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

【課題】 無効電力の発生を減少させることが出来るＰＤＰを提供する。
【解決手段】 放電空間Ｓを挟んで対向される前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１４の間に、互いに直交する方向に延びて交差する部分の放電空間Ｓ内にそれぞれ放電セルＣ１を形成する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）と列電極Ｄ１が配置されているＰＤＰにおいて、背面ガラス基板１４上にこの背面ガラス基板１４の誘電率よりも小さい誘電率を有する低誘電材料によって形成された低誘電体層１５を備え、この低誘電体層１５上に列電極Ｄ１が形成されている。
【選択図】 図３

Description

この発明は、面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルのパネル構造に関する。

図１は、従来のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）の構成を列方向（パネルの上下方向）に沿って断面して示す構成図である。

この図１において、従来のＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の紙面に対して垂直方法）に延びるように平行に配列されている。

行電極Ｘ，Ｙは、それぞれ、前面ガラス基板１の行方向に延びる金属膜からなるバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａの等間隔位置にそれぞれ接続されて互いに対になっている他の行電極側に列方向（図１において左右方向）に延びる透明電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成され、この透明電極ＸｂとＹｂが、対になっている他の透明電極と放電ギャップｇを介して互いに対向されている。

前面ガラス基板１の背面側には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層２が形成されており、さらに、誘電体層２の背面側には保護層３が形成されている。

一方、前面ガラス基板１と放電空間を介して平行に配置された背面ガラス基板４の表示側の面上には、列電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になっている透明電極ＸｂおよびＹｂに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。

背面ガラス基板４の表示側の面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層５が形成され、この列電極保護層５上に、放電空間の行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄが交差している部分に形成される放電セルＣをそれぞれ方形に区画する隔壁６が形成されている。

そして、放電セルＣ内において、隔壁６の側面と列電極保護層５の表面に、これらの五つの面を全て覆うように赤，緑，青の三原色に色分けされて形成された蛍光体層７が、行方向に順に並ぶように配列されている。

前面ガラス基板１と背面ガラス基板６との間の放電空間Ｓ内には、Ｘｅガスを含む放電ガスが封入されている（例えば、特許文献１参照）。
上記ＰＤＰは、画像形成のためのリセット放電およびアドレス放電，サステイン放電が放電セルＣ内において行われる。

すなわち、リセット期間に行電極対（Ｘ，Ｙ）の対になっている各透明電極Ｘｂ，Ｙｂ間で一斉にリセット放電が行われて、誘電体層２の各放電セルＣに隣接している部分の壁電荷が全て消去（または、全ての部分に壁電荷が形成）され、次のアドレス期間において、行電極Ｙの透明電極Ｙｂと列電極Ｄとの間で選択的にアドレス放電が発生されて、形成しようとする画像に対応して誘電体層２に壁電荷が形成されている発光セルと誘電体層２の壁電荷が消去された非発光セルがパネル面に分布される。

そして、この後、次のサステイン放電期間において、発光セル内において行電極対（Ｘ，Ｙ）の対になっている透明電極Ｘｂ，Ｙｂ間でサステイン放電が行われ、このサステイン放電によって放電ガス中のキセノンから真空紫外線が放射されて、この真空紫外線により、赤，緑，青の三原色に色分けされた蛍光体層７が励起されて発光することにより、パネル面に画像が形成される。

上記のような構成の従来のＰＤＰには、一般的に、誘電率が約８である背面ガラス基板４が使用されている。

このため、従来のＰＤＰでは、この背面ガラス基板４上に形成された任意の列電極Ｄにアドレス放電のための電圧が印加されると、この電圧が印加された列電極Ｄと周囲の他の列電極Ｄや行電極対（Ｘ，Ｙ）との間に大きな静電容量が発生し、これによって無効電力が増大してしまうという問題が生じている。

特開２０００−３１１６１２号公報

この発明は、上記のような従来のＰＤＰにおける問題点を解決することをその課題の一つとしている。

第１の発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向される一対の基板の間に、互いに直交する方向に延びて交差する部分の放電空間内にそれぞれ単位発光領域を形成する行電極対と列電極が配置されているＰＤＰにおいて、前記一対の基板の一方の基板上にこの一方の基板の誘電率よりも小さい誘電率を有する低誘電材料によって形成された低誘電体層を備え、この低誘電体層上に列電極が形成されていることを特徴としている。

さらに、第２の発明（請求項９に記載の発明）によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向される一対の基板の間に、互いに直交する方向に延びて交差する部分の放電空間内にそれぞれ単位発光領域を形成する行電極対と列電極が配置されているＰＤＰにおいて、前記一対の基板の一方の基板が他方の基板の誘電率よりも小さい誘電率を有する低誘電材料によって形成され、この一方の基板上に列電極が形成されていることを特徴としている。

この発明によるＰＤＰは、前面ガラス基板の背面側に形成された行電極対に対して直交する方向に延びる列電極が、低誘電率を有する材料によって形成された低誘電体層、例えば、前面ガラス基板と放電空間を介して対向される背面ガラス基板上にこの背面ガラス基板よりも小さい誘電率を有する低誘電材料によって形成された低誘電体層、または、前面ガラス基板よりも小さい誘電率を有する低誘電材料によって形成されて背面基板を構成する低誘電体層上に形成されているＰＤＰをその最良の実施形態としている。

この実施形態によるＰＤＰは、列電極が低誘電体層上に形成されていることによって、画像形成時のアドレス期間において任意の列電極に電圧が印加された際に、この電圧が印加された列電極と周囲の他の列電極や行電極との間に形成される静電容量が、従来のＰＤＰよりも小さくなり、これによって画像形成時に発生する無効電力が減少して、ＰＤＰの消費電力が低減される。

そして、この無効電力の減少によって、ＰＤＰを駆動するドライバに、電流容量が小さいドライバを採用することが可能になり、これによって、ＰＤＰの製品コストを低減することが可能になる。

図２ないし４は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第１の実施例を示しており、図２はこの第１実施例におけるＰＤＰを模式的に示す正面図、図３は図２のＶ−Ｖ線における断面図、図４は図２のＷ−Ｗ線における断面図である。

この図２ないし４に示されるＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１０の背面に、複数の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、前面ガラス基板１０の行方向（図２の左右方向）に延びるように平行に配列されている。

行電極Ｘ１は、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘ１ａと、前面ガラス基板１０の行方向に延びて透明電極Ｘ１ａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｘ１ｂとによって構成されている。

行電極Ｙ１も同様に、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｙ１ａと、前面ガラス基板１０の行方向に延びて透明電極Ｙ１ａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｙ１ｂとによって構成されている。

この行電極Ｘ１とＹ１は、前面ガラス基板１０の列方向（図２の上下方向）に交互に配列されており、バス電極Ｘ１ｂとＹ１ｂに沿って並列されたそれぞれの透明電極Ｘ１ａとＹ１ａが、互いに対となる相手の行電極側に延びて、透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの幅広部の頂辺が、それぞれ所要の幅の放電ギャップｇ１を介して互いに対向されている。

前面ガラス基板１０の背面には、列方向において隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の互いに背中合わせになったバス電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの間に、このバス電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂに沿って行方向に延びる黒色または暗色の光吸収層（遮光層）１１が形成されている。

さらに、前面ガラス基板１０の背面には、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆するように誘電体層１２が形成されており、この誘電体層１２の背面には、互いに隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の背中合わせに位置するバス電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂおよびこのバス電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの間に位置する光吸収層１１に対向する位置に、誘電体層１２の背面側に突出する嵩上げ誘電体層１２Ａが、バス電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂと平行に延びるように形成されている。

そして、この誘電体層１２と嵩上げ誘電体層１２Ａの背面側には、ＭｇＯからなる保護層１３が形成されている。

一方、前面ガラス基板１０と放電空間Ｓを介して平行に配置された背面ガラス基板１４の表示側の面上には、ＳｉＯ_２を含有し背面ガラス基板１４を形成するガラス材料よりも小さい誘電率を有する低誘電率材料によって、白色の低誘電体層１５が形成されている。

この低誘電体層１５は、その厚さが１００μｍ前後となるように、印刷やダイレクトコート等による厚膜形成方法によって背面ガラス基板１４上にべたに形成される。

この低誘電体層１５上には、列電極Ｄ１が、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の互いに対となった透明電極Ｘ１ａとＹ１ａに対向する位置において行電極対（Ｘ１，Ｙ１）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。

低誘電体層１５の表示側の面上には、さらに、列電極Ｄ１を被覆する白色の列電極保護層１６が形成され、この列電極保護層１６上に、隔壁１７が形成されている。

この隔壁１７は、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）のバス電極Ｘ１ｂとＹ１ｂに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる一対の横壁１７Ａと、隣接する列電極Ｄ１の間の中間位置において一対の横壁１７Ａ間を列方向に延びる縦壁１７Ｂとによって略梯子形状に形成されており、各隔壁１７が、隣接する他の隔壁１７の背中合わせに対向する横壁１７Ａとの間において行方向に延びる隙間ＳＬを介して、列方向に並設されている。

そして、この梯子状の隔壁１７によって、前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１４の間の放電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）において対になっている透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａに対向する部分に形成された放電セルＣ１が、それぞれ方形に区画されている。

放電セルＣ１に面する隔壁１７の横壁１７Ａおよび縦壁１７Ｂの側面と列電極保護層１６の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層１８が形成されており、この蛍光体層１８の色は、各放電セルＣ１毎に赤，緑，青の三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。

嵩上げ誘電体層１２Ａは、この嵩上げ誘電体層１２Ａを被覆している保護層１３が隔壁１７の横壁１７Ａの表示側の面に当接される（図３参照）ことによって、放電セルＣ１と隙間ＳＬの間がそれぞれ閉じられているが、縦壁１７Ｂの表示側の面は保護層１３が当接されておらず（図４参照）、その間に隙間ｒが形成されて、行方向において隣接する放電セルＣ１がこの隙間ｒを介して互いに連通されている。

放電空間Ｓ内には、キセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが封入されている。

上記ＰＤＰは、従来のＰＤＰと同様に、リセット期間に行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の対になっている各透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａ間で一斉にリセット放電が行われて、誘電体層１２の各放電セルＣ１に隣接している部分の壁電荷が全て消去（または、全ての部分に壁電荷が形成）される。

次のアドレス期間において、スキャン・パルスが印加される行電極Ｙ１の透明電極Ｙ１ａとデータ・パルスが印加される列電極Ｄ１との間で選択的にアドレス放電が発生されて、映像信号の画像データに対応して、誘電体層１２に壁電荷が形成されている発光セルと誘電体層１２の壁電荷が消去されている非発光セルがパネル面に分布される。

そして、次のサステイン放電期間において、発光セル内において行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の対になっている透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａ間でサステイン放電が行われ、このサステイン放電によって放電ガス中のキセノンから真空紫外線が放射されて、この真空紫外線により、赤，緑，青の三原色に色分けされた蛍光体層１８が励起されて発光することにより、パネル面に画像が形成される。

上記のＰＤＰの構成によれば、列電極Ｄ１が、背面ガラス基板１４よりも小さい誘電率を有する低誘電率材料によって形成された白色の低誘電体層１５上に形成されていることによって、画像形成時のアドレス期間において任意の列電極Ｄ１にデータ・パルス（電圧）が印加された際に、この電圧が印加された列電極Ｄ１と周囲の他の列電極Ｄ１や行電極Ｘ１，Ｙ１との間に形成される静電容量が、列電極が背面ガラス基板上に直接形成された従来のＰＤＰよりも小さくなり、これによって画像形成時に発生する無効電力が減少して、ＰＤＰの消費電力が低減される。

そして、この無効電力の減少によって、ＰＤＰを駆動するアドレス・ドライバ（列電極Ｄ１に印加される電圧を制御するドライバ）に、電流容量が小さいドライバを採用することが可能になり、これによって、ＰＤＰの製品コストを低減することが可能になる。

また、このＰＤＰの低誘電体層１５は、背面ガラス基板１４上に形成されるために透明性を要求されることはなく、上記のようにＳｉＯ_２を含む白色の材料で形成されることによって、蛍光体層１８からの発光を反射して、ＰＤＰの発光効率を向上させる。

なお、この発光効率を向上させるために、さらに、低誘電体層１５に明色の顔料を混入させるようにしても良い。

図５は、上記ＰＤＰの低誘電体層１５の厚さと、電圧が印加された列電極Ｄ１と周囲の他の列電極Ｄ１および行電極Ｘ１，Ｙ１間に形成される静電容量（アドレス系静電容量）との関係を示した図である。

この図５中、横軸は、誘電率が５の低誘電材料によって形成された低誘電体層１５の厚さを示している。

なお、この横軸において低誘電体層１５の厚さが０μｍのときとは、従来のＰＤＰのように、背面ガラス基板１４上に列電極Ｄ１が直接形成されている場合を示している。

そして、縦軸は、誘電率が７．９の背面ガラス基板１４上に列電極Ｄ１が直接形成されている（低誘電体層１５の厚さが０μｍ）場合のアドレス系静電容量を規格値１とした場合の静電容量の値を示している。

この図５から、背面ガラス基板１４上に低誘電体層１５が形成されることによって、その厚さが薄い場合でもアドレス系静電容量が減少し、さらに、この低誘電体層１５の厚さが厚いほどアドレス系静電容量の減少率が大きくなることが分かる。

そして、この図５において、低誘電体層１５の厚さが１００μｍの場合に、低誘電体層１５が形成されていない（低誘電体層１５の厚さが０μｍ）場合に比べて、アドレス系静電容量が約１９パーセントも減少しているが、低誘電体層１５の厚さが５００μｍの場合のアドレス系静電容量の減少率が約２２パーセントであることから、低誘電体層１５の厚さは１００μｍ以上に設定するのが好ましく、さらには、低誘電体層１５の厚さに対するアドレス系静電容量の減少率を考慮した場合に、低誘電体層１５の厚さは、ほぼ１００μｍに設定するのが好ましい。

図６は、低誘電体層１５が形成されていない従来のＰＤＰのアドレス系静電容量、および、行電極対に電圧が印加される場合に行電極間に形成される静電容量（サステイン系静電容量）と、低誘電体層１５が形成されている前記構成のＰＤＰにおけるアドレス系静電容量およびサステイン系静電容量との比較を示すグラフである。

この図６において、背面ガラス基板の誘電率は何れも７．９であり、低誘電体層１５は、誘電率５の低誘電材料によって１００μｍの厚さに形成されている。

そして、この図６の縦軸は、図５の場合と同様に、誘電率が７．９の背面ガラス基板上に列電極が直接形成されている場合のアドレス系静電容量を規格値１とした場合の静電容量の値を示している。

この図６から、背面ガラス基板１４上に低誘電体層１５を形成したことによって、アドレス系静電容量が減少するだけでなく、サステイン系静電容量も従来のＰＤＰに比較して減少していることが分かる。

これは、低誘電体層１５の形成によってパネル全体の静電容量が減少する結果、サステイン系静電容量もアドレス系静電容量と同様に減少するものと考えられる。

この結果、低誘電体層１５の形成によって、サステイン放電に必要な電力（サステイン電力）を低減することが可能になる。

図７は、低誘電体層１５が形成されていない従来のＰＤＰのアドレス系静電容量と、低誘電体層１５が形成された前記構成のＰＤＰにおけるアドレス系静電容量との比較を示すグラフである。

この図７において、背面ガラス基板の誘電率は何れも７．９であり、低誘電体層１５は、誘電率５の低誘電材料によって１００μｍの厚さに形成されている。

この図７の縦軸は、低誘電体層１５が形成されていない従来のＰＤＰのアドレス系静電容量を規格値１とした場合の値を示している。

そして、それぞれのグラフ中の部分ａ１，ａ２は、アドレス系静電容量のうち列電極−列電極間に形成される静電容量を示し、部分ｂ１，ｂ２は、列電極−行電極間に形成される静電容量を示している。

この図７から、低誘電体層１５の形成によって、従来のＰＤＰに比べて、アドレス系静電容量の全体が減少するとともに、列電極−列電極間の静電容量の減少の方が列電極−行電極間の静電容量の減少よりも大きく、アドレス系静電容量全体における列電極−行電極間の静電容量が占める比率が従来のＰＤＰよりも高くなっていることが分かる。

従って、この低誘電体層１５が形成されることによって、アドレス放電時に、電気力線が列電極−行電極間で発生し易くなり、電界の多くの部分が隣接する列電極Ｄ１の方向よりも行電極Ｙ１の方向に向くので、より安定したアドレス放電が可能になる。

図８は、低誘電体層１５が形成されていない従来のＰＤＰのサステイン系静電容量と、低誘電体層１５が形成された前記構成のＰＤＰにおけるサステイン系静電容量との比較を示すグラフである。

この図８において、背面ガラス基板の誘電率は何れも７．９であり、低誘電体層１５は、誘電率５の低誘電材料によって１００μｍの厚さに形成されている。

この図８の縦軸は、低誘電体層１５が形成されていない従来のＰＤＰのサステイン系静電容量を規格値１とした場合の値を示している。

そして、それぞれのグラフ中の部分ａ３，ａ４は、サステイン系静電容量のうち行電極−行電極間に形成される静電容量を示し、部分ｂ３，ｂ４は、行電極−列電極−行電極間に形成される静電容量を示している。

この図８から、低誘電体層１５の形成によって、従来のＰＤＰに比べて、サステイン系静電容量の全体が減少するとともに、行電極−行電極間の静電容量の減少の方が行電極−列電極−行電極間の静電容量の減少よりも大きく、サステイン系静電容量全体における行電極−列電極−行電極間の静電容量が占める比率が従来のＰＤＰよりも高くなっていることが分かる。

従って、この低誘電体層１５が形成されることによって、サステイン放電の際の電気力線が行電極−列電極−行電極間において発生し易くなり、電界の多くの部分が背面ガラス基板１４の方向に向くので、サステイン放電が主に起こる位置が前面ガラス基板１０側から背面ガラス基板１４に近い位置すなわち蛍光体層１８側に近づき、これによって、従来のＰＤＰに比べて、ＰＤＰの発光効率が向上される。

なお、上記においては、何れも低誘電体層１５の誘電率が５の場合について説明を行ったが、低誘電体層１５は、その誘電率が従来用いられている背面ガラス基板１４の誘電率よりも小さい値、例えば７．９よりも小さい誘電率であれば、上記と同様の効果を発揮することが出来る。

図９は、この発明の実施形態の第２の実施例を、図３と同様にＰＤＰを列方向に沿って断面して示した図である。

前記第１実施例のＰＤＰが、背面ガラス基板１４上にこの背面ガラス基板１４の誘電率よりも小さい誘電率を有する低誘電材料によって低誘電体層１５が形成されていたのに対し、この第２実施例のＰＤＰは、背面基板２４が、第１実施例の低誘電体層１５と同様のＳｉＯ_２ を主成分とし、前面ガラス基板１０を形成するガラス材料よりも小さい誘電率（例えば、誘電率５）を有する低誘電材料によって形成された低誘電体基板によって構成されている。

そして、背面基板２４上には、第１実施例の低誘電体層１５に対応する低誘電体層は形成されておらず、背面基板２４上に列電極Ｄ１が直接形成されている。

他の部分の構成は、第１実施例のＰＤＰの構成とほぼ同様であり、同一の構成部分については、第１実施例の場合と同一の符号が付されている。

この実施例のＰＤＰも、第１実施例のＰＤＰと同様に、列電極Ｄ１が、前面ガラス基板１０（すなわち、従来の背面ガラス基板）よりも小さい誘電率を有する低誘電率材料によって形成された背面基板２４上に形成されていることによって、画像形成時のアドレス期間において任意の列電極Ｄ１にデータ・パルス（電圧）が印加された際に、この電圧が印加された列電極Ｄ１と周囲の他の列電極Ｄ１や行電極Ｘ１，Ｙ１との間に形成される静電容量が従来のＰＤＰよりも小さくなり、これによって画像形成時に発生する無効電力が減少して、ＰＤＰの消費電力が低減される。

そして、この無効電力の減少によって、ＰＤＰを駆動するアドレス・ドライバ（列電極Ｄ１に印加される電圧を制御するドライバ）に、電流容量が小さいドライバを採用することが可能になり、これによって、ＰＤＰの製品コストを低減することが可能になる。

従来のＰＤＰの構成を示す断面図である。 この発明の実施形態における第１実施例を模式的に示す正面図である。 図２のＶ−Ｖ線における断面図である。 図２のＷ−Ｗ線における断面図である。 同例におけるアドレス系静電容量と低誘電体層の厚さとの関係を示すグラフである。 同例におけるアドレス系とサステイン系静電容量の比較を示すグラフである。 同例におけるアドレス系静電容量の比較を示すグラフである。 同例におけるサステイン系静電容量の比較を示すグラフである。 この発明の実施形態における第２実施例を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１０ …前面ガラス基板（他方の基板）
１４ …背面ガラス基板（一方の基板）
１５ …低誘電体層
２４ …背面基板（一方の基板，低誘電体層）
Ｘ１，Ｙ１ …行電極
Ｄ１ …列電極
Ｃ１ …放電セル（単位発光領域）

Claims (16)

1. 放電空間を挟んで対向される一対の基板の間に、互いに直交する方向に延びて交差する部分の放電空間内にそれぞれ単位発光領域を形成する行電極対と列電極が配置されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記一対の基板の一方の基板上にこの一方の基板の誘電率よりも小さい誘電率を有する低誘電材料によって形成された低誘電体層を備え、
   この低誘電体層上に列電極が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 前記低誘電率層の厚さが、１００μｍ以上である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記低誘電率層の厚さが、ほぼ１００μｍである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 前記低誘電率層の誘電率が、ほぼ５である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記一方の基板が、パネルの背面側に位置される背面基板である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記背面基板上に形成された低誘電体層が、可視光に対する反射性を有している請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 前記低誘電体層が白色である請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
8. 前記低誘電体層を形成する低誘電材料に明色の顔料が含有されている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 前記低誘電体層が、ＳｉＯ_２を含む低誘電材料によって形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
10. 放電空間を挟んで対向される一対の基板の間に、互いに直交する方向に延びて交差する部分の放電空間内にそれぞれ単位発光領域を形成する行電極対と列電極が配置されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
    前記一対の基板の一方の基板が他方の基板の誘電率よりも小さい誘電率を有する低誘電材料によって形成され、
    この一方の基板上に列電極が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
11. 前記一方の基板が、パネルの背面側に位置される背面基板である請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
12. 前記一方の基板の誘電率が、７．９以下である請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
13. 前記一方の基板の誘電率が、ほぼ５である請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
14. 前記一方の基板が、可視光に対する反射性を有している請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
15. 前記一方の基板が白色である請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
16. 前記一方の基板が、ＳｉＯ_２を含む低誘電材料によって形成されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。

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