JP2006012268A - 多値情報記録媒体とその記録方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高感度で記録でき、クロスイレースを低減でき、しかも記録特性のパワーマージンが広がり、繰り返し記録特性、保存性を劣化させない多値情報記録媒体とその記録方法の提供。
【解決手段】光照射による非晶質相と結晶相の可逆的相変化及び各相の光学定数の変化を利用して記録再生を行なうことができる相変化記録層を有し、一定の長さのセルの中心位置に対称に且つマーク面積を変えて記録し、非晶質マークと該非晶質マーク間の結晶部を含む領域から反射される反射光強度のレベルで3値以上の記録を行なうことが可能な多値情報記録媒体であって、該相変化記録層の再結晶上限線速が記録線速以下であることを特徴とする多値情報記録媒体。
【選択図】図9
【解決手段】光照射による非晶質相と結晶相の可逆的相変化及び各相の光学定数の変化を利用して記録再生を行なうことができる相変化記録層を有し、一定の長さのセルの中心位置に対称に且つマーク面積を変えて記録し、非晶質マークと該非晶質マーク間の結晶部を含む領域から反射される反射光強度のレベルで3値以上の記録を行なうことが可能な多値情報記録媒体であって、該相変化記録層の再結晶上限線速が記録線速以下であることを特徴とする多値情報記録媒体。
【選択図】図9
Description
本発明は多値情報記録媒体とその記録方法に関する。
現在実用化されている光情報記録媒体として、結晶状態と非晶質(アモルファス)状態の可逆的相変化を利用した、いわゆる相変化型光情報記録媒体が知られている。
その記録材料としては、GeTe−Sb2Te3擬似二元系組成を有するGe2Sb2Te5などの化合物組成に代表されるGe−Sb−Te三元合金材料、及びSb70Te30共晶組成近傍の合金を主成分とするAg−In−Sb−Teに代表されるAgInSbTe系材料がある。前者のGeSbTe系材料はDVD−RAMとして、後者のAgInSbTe系材料は、CD−RW、DVD−RW及びDVD+RWとして広く実用化されている。これらの相変化型光情報記録媒体は、何れも螺旋状又は同心円状の溝を有するプラスチック基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層を基本的な層として設けた積層構造を有し、2値情報の記録・再生を行うものである。
その記録材料としては、GeTe−Sb2Te3擬似二元系組成を有するGe2Sb2Te5などの化合物組成に代表されるGe−Sb−Te三元合金材料、及びSb70Te30共晶組成近傍の合金を主成分とするAg−In−Sb−Teに代表されるAgInSbTe系材料がある。前者のGeSbTe系材料はDVD−RAMとして、後者のAgInSbTe系材料は、CD−RW、DVD−RW及びDVD+RWとして広く実用化されている。これらの相変化型光情報記録媒体は、何れも螺旋状又は同心円状の溝を有するプラスチック基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層を基本的な層として設けた積層構造を有し、2値情報の記録・再生を行うものである。
一方、近年、デジタル化の進展やブロードバンドの普及に伴って扱う情報量が増大し、高密度かつ高速でデータを記録・再生できる新たな記録媒体が求められている。このような背景から、上記相変化型光記録媒体においては、記録再生波長の短波長化や開口数NA(Numerical Aperture)の増大により、集光ビーム径を小さくして記録マークのサイズを小さくし、高密度化及び高速化を狙った技術開発が盛んに行われている。例えば、現状の記録型DVDは、記録再生波長λ=650nm、開口数NA=0.65、記録容量4.7GBであるが、記録再生波長をλ=400〜420nmに短波長化し、開口数NA=0.85とした記録容量20GB以上の光記録システムが提案されている(特許文献1)。しかしながら、このシステムでは、高NA化によってDVDとの互換が難しくなり、加えて指紋などの記録媒体面の汚れに弱いという致命的な問題を抱えていた。
これに対し、開口数NAを従来の記録型DVDシステムの0.65程度に保ったままで高密度化及び高速化を実現する技術として多値記録方式が注目されている。本発明者らは、アモルファス記録マークの周辺結晶部に対する占有率の違いにより多値情報を記録し、記録容量20GB以上を達成する方法について既に提案している(非特許文献1)。
これに対し、開口数NAを従来の記録型DVDシステムの0.65程度に保ったままで高密度化及び高速化を実現する技術として多値記録方式が注目されている。本発明者らは、アモルファス記録マークの周辺結晶部に対する占有率の違いにより多値情報を記録し、記録容量20GB以上を達成する方法について既に提案している(非特許文献1)。
以下、この非特許文献1の技術について説明する。
図1に、マーク占有率とRf信号の概念図を示す。記録マークは各セルの略中心に位置している。記録マークが書換え可能な相変化材料の相状態或いは基板の凹凸形状として記録された位相ピットでも同じ関係となる。記録マークが基板の凹凸形状として記録された位相ピットの場合は、Rf信号の信号利得が最大となるように位相ピットの光学的溝深さをλ/4(λは記録再生レーザの波長)とする必要がある。Rf信号値は、記録再生用の集光ビームがセルの中心に位置する場合の値で与えられ、1つのセルに占める記録マークの占有率の大小によって変化する。一般的にRf信号値は、記録マークが存在しないときに最大となり、記録マークの占有率が最も高いときに最小となる。
このような面積変調方式により、例えば、記録マークパタン数(多値レベル数)=6で多値記録を行うと、各記録マークパタンからのRf信号値は図2のような分布を示す。Rf信号値は、その最大値と最小値の幅(ダイナミックレンジ、DR)を1として正規化された数値で表記されている。記録再生は、λ=650nm、NA=0.65(集光ビーム径=約0.8μm)の光学系を用いて行い、セルの円周方向長さ(以下、セル長と記す)を約0.6μmとした。このような多値記録マークは、図3のような記録ストラテジで、記録パワーPw、消去パワーPe、ボトムパワーPbのパワー及びその開始時間をパラメータとしてレーザ変調することにより形成できる。
図1に、マーク占有率とRf信号の概念図を示す。記録マークは各セルの略中心に位置している。記録マークが書換え可能な相変化材料の相状態或いは基板の凹凸形状として記録された位相ピットでも同じ関係となる。記録マークが基板の凹凸形状として記録された位相ピットの場合は、Rf信号の信号利得が最大となるように位相ピットの光学的溝深さをλ/4(λは記録再生レーザの波長)とする必要がある。Rf信号値は、記録再生用の集光ビームがセルの中心に位置する場合の値で与えられ、1つのセルに占める記録マークの占有率の大小によって変化する。一般的にRf信号値は、記録マークが存在しないときに最大となり、記録マークの占有率が最も高いときに最小となる。
このような面積変調方式により、例えば、記録マークパタン数(多値レベル数)=6で多値記録を行うと、各記録マークパタンからのRf信号値は図2のような分布を示す。Rf信号値は、その最大値と最小値の幅(ダイナミックレンジ、DR)を1として正規化された数値で表記されている。記録再生は、λ=650nm、NA=0.65(集光ビーム径=約0.8μm)の光学系を用いて行い、セルの円周方向長さ(以下、セル長と記す)を約0.6μmとした。このような多値記録マークは、図3のような記録ストラテジで、記録パワーPw、消去パワーPe、ボトムパワーPbのパワー及びその開始時間をパラメータとしてレーザ変調することにより形成できる。
上記のような多値記録方式においては、記録線密度を上げていく(=セル長を短くしていく)と、次第に集光ビーム径に対してセル長の方が短くなり、対象となるセルを再生するとき、集光ビームが前後のセルにはみ出すようになる。そのため対象となるセルのマーク占有率が同じでも、前後のセルのマーク占有率の組合せにより、対象となるセルから再生されるRf信号値が影響を受ける。即ち、前後のマークとの符号間干渉が起こるようになる。この影響で、図2に示すように、各パタンにおけるRf信号値は偏差を持った分布になる。即ち、対象となるセルがどの記録マークのパタンであるかを判定するためには、各記録マークから再生されるRf信号値の間隔が、前記偏差以上に離れている必要がある。図2の場合、各パターン番号の記録マークのRf信号値の間隔と偏差はほぼ同等であり、記録マークパタンの判定ができる限界になっている。
この限界を打破する技術として提案されたのが、非特許文献1に開示された、連続する3つのデータセルを用いた多値判定技術である。この技術は、連続する3つのデータセルの組み合わせパターン(8値記録時、83=512通り)からなる多値信号分布を学習し、そのパターンテーブルを作成するステップと、未知データの再生信号結果から3連続マークパターンを予測した後、前記パターンテーブルを参照して再生対象となる未知信号を多値判定するステップとからなる。これにより、再生時に符号間干渉が生じるような従来のセル密度或いはSDR値においても、多値信号判定のエラー率を低くすることが可能になった。ここでSDR値とは、多値階調数をnとした時の各多値信号の標準偏差σiの平均値と、多値Rf信号のダイナミックレンジDRとの比=Σσi/(n×DR)で表され、2値記録におけるジッターに相当する信号品質である。一般に、多値階調数nを一定とすると、多値信号の標準偏差σiが小さいほど、且つダイナミックレンジDRが大きいほどSDR値は小さくなり、多値信号の分別性が良くなってエラー率は低くなる。逆に、多値階調数nを大きくすると、SDR値は大きくなりエラー率は高くなる。
このような多値判定技術を用いると、例えば多値階調数を8に増やして、各Rf信号値の分布が重なり合ってしまう図4のような場合でも、8値の多値判定が可能となる。
このような多値判定技術を用いると、例えば多値階調数を8に増やして、各Rf信号値の分布が重なり合ってしまう図4のような場合でも、8値の多値判定が可能となる。
以上の多値記録方法及び特許文献2に開示された記録方法は、2値記録では、繰り返しオーバーライトを行なったときに既に記録されているマークを消し残りなく消去し新しいマークを記録することができる方法として採用されている。この方法は、Sb−Te系の共晶組成を基本とした相変化記録層材料を用いる場合に有効である。レーザー光を用いて、記録パワーPwを照射し、融点付近或いはその温度以上まで記録層の温度を上昇させた後、レーザー光をボトムパワーPbまで下げて記録層を冷却すると、急冷により非晶質相が形成される。その後、記録パワーより低い消去パワーPeをパルス状でなく連続光で照射し、再び融点付近まで記録層を加熱する。このとき、一旦溶融状態になった後、除冷されて結晶化温度以上の温度領域で再結晶化が起きる。以前に記録された記録マークは、この原理によって、マーク端部からトラック中心に向かって再結晶化が進行することで消すことが可能である。従って、記録マークの形状は図3のようになっている。この方法を多値記録に適用し、ボトムパワーPb、消去パワーPeの照射時間を調整してマーク長を制御する。この方法を用いればマーク長の制御だけでなく、繰り返しオーバーライト特性も初回記録と同様の特性を保つことができる。
しかしながら、上記記録方法はマーク長制御に関しては優れているが、高い記録パワー、消去パワーが必要になってくる。特に波長405nmの青紫LDを用いて高密度記録を行なうためには、基本セル長が一層短くなり、記録される溝のピッチも狭くなるため、記録時の隣接トラックのクロスイレース、オーバーライト時の記録層の繰り返し熱履歴、基板の熱変形の影響が大きくなる。また、記録線速がより高速になると、照射パワーがより高くなるためこの影響が大きくなる。更に、記録パワーに対するマージン、特に高いパワー側のマージンが狭くなってしまう。
しかしながら、上記記録方法はマーク長制御に関しては優れているが、高い記録パワー、消去パワーが必要になってくる。特に波長405nmの青紫LDを用いて高密度記録を行なうためには、基本セル長が一層短くなり、記録される溝のピッチも狭くなるため、記録時の隣接トラックのクロスイレース、オーバーライト時の記録層の繰り返し熱履歴、基板の熱変形の影響が大きくなる。また、記録線速がより高速になると、照射パワーがより高くなるためこの影響が大きくなる。更に、記録パワーに対するマージン、特に高いパワー側のマージンが狭くなってしまう。
多値記録方法において、データの再生エラー率を10−4以下にするためには、次の(1)〜(6)を満たす必要がある。
(1)前記SDRを低くすること
(2)記録前、記録後の反射信号の変動がないこと
(3)媒体欠陥がないこと
(4)高温高湿環境下の結晶化によるマーク面積の減少、反射率の減少がないこと
(5)記録媒体、記録再生装置のLD(レーザダイオード)及び再生信号処理に関わる回路のノイズがないこと
(6)媒体のノイズが小さいこと
即ち、多値の各レベル(8値ならば0〜7レベル)毎の再生反射信号において、0(記録マークなし)と7(1セルでの最長マーク)の振幅が大きく取れ、しかも各レベル間の信号間隔が広く等間隔で反射信号の変動が小さいことである。中でも(1)を限りなく小さくすることが必須である。そのためには記録媒体の記録材料とその構成元素の組成比、保護層材料、反射層材料、及び各層の膜厚を最適化し、記録方法即ちレーザー光の照射条件を最適化することにより、所定の長さの記録マークを形成し且つ繰り返しオーバーライトを行っても、前のマークが確実に消去され所定の長さのマークが再形成されるようにしなければならない。
(1)前記SDRを低くすること
(2)記録前、記録後の反射信号の変動がないこと
(3)媒体欠陥がないこと
(4)高温高湿環境下の結晶化によるマーク面積の減少、反射率の減少がないこと
(5)記録媒体、記録再生装置のLD(レーザダイオード)及び再生信号処理に関わる回路のノイズがないこと
(6)媒体のノイズが小さいこと
即ち、多値の各レベル(8値ならば0〜7レベル)毎の再生反射信号において、0(記録マークなし)と7(1セルでの最長マーク)の振幅が大きく取れ、しかも各レベル間の信号間隔が広く等間隔で反射信号の変動が小さいことである。中でも(1)を限りなく小さくすることが必須である。そのためには記録媒体の記録材料とその構成元素の組成比、保護層材料、反射層材料、及び各層の膜厚を最適化し、記録方法即ちレーザー光の照射条件を最適化することにより、所定の長さの記録マークを形成し且つ繰り返しオーバーライトを行っても、前のマークが確実に消去され所定の長さのマークが再形成されるようにしなければならない。
しかし、多値記録では、1つのセルの長さを短くし、更にそのセル内でマーク面積を変調させるため、レベル1は非常に小さいマークとなる。しかも、各レベルのマークは常にセルの中心位置に対称に記録されなければならない。例えばLDのビーム径0.54μm、セル長0.24μmでは、レベル1のマークが0.03μmとなるため、ビーム径の僅か5.5%という短い長さのマークになる。このような小さいマークを精密に制御するためには、記録媒体の最適化、記録方法の最適制御が要求される。更に、このように小さいマークの面積を各レベル毎に制御することができても、より高い記録パワー、より高い消去パワーの場合には、隣接トラックへの熱によるクロスイレース、繰り返しオーバーライト劣化が生じる。
一方、相変化記録層に用いるSb−Te系は、記録線速が速くなるとTe量に対するSb量の比(Sb/Te)を大きくする必要があり、その場合、高温環境下の保存性が劣化し易いため、主にGeを添加して劣化を抑制している。しかし、あまり多く添加すると、再結晶化によりマークを制御する方法に対して制御がし難くなってくる。
そこで本発明では、高感度で記録でき、クロスイレースを低減でき、しかも記録特性のパワーマージンが広がり、繰り返し記録特性、保存性を劣化させない多値情報記録媒体とその記録方法の提供を目的とする。
一方、相変化記録層に用いるSb−Te系は、記録線速が速くなるとTe量に対するSb量の比(Sb/Te)を大きくする必要があり、その場合、高温環境下の保存性が劣化し易いため、主にGeを添加して劣化を抑制している。しかし、あまり多く添加すると、再結晶化によりマークを制御する方法に対して制御がし難くなってくる。
そこで本発明では、高感度で記録でき、クロスイレースを低減でき、しかも記録特性のパワーマージンが広がり、繰り返し記録特性、保存性を劣化させない多値情報記録媒体とその記録方法の提供を目的とする。
上記課題は次の1)〜7)の発明(以下、本発明1〜7という)によって解決される。
1) 光照射による非晶質相と結晶相の可逆的相変化及び各相の光学定数の変化を利用して記録再生を行なうことができる相変化記録層を有し、一定の長さのセルの中心位置に対称に且つマーク面積を変えて記録し、非晶質マークと該非晶質マーク間の結晶部を含む領域から反射される反射光強度のレベルで3値以上の記録を行なうことが可能な多値情報記録媒体であって、該相変化記録層の再結晶上限線速が記録線速以下であることを特徴とする多値情報記録媒体。
2) 記録線速Vrと再結晶上限線速Vcが、次の関係式を満たすことを特徴とする1)記載の多値情報記録媒体。
0.5<Vc/Vr≦1
3) 光照射側の相変化記録層と保護層の間に、膜厚1〜5nmの界面層を有することを特徴とする1)又は2)記載の多値情報記録媒体。
4) 1)〜3)の何れかに記載の多値情報記録媒体に記録、消去するためのパルス状の照射光が、少なくとも記録パワーPw、消去パワーPe、ボトムパワーPbのパルスからなり、各パルスのパワーの大きさと照射時間で制御が行われる記録方法において、多値数m(mは3以上の整数)、各レベルi(iは0からm−1までの整数)のマークを、各レベルに応じて、記録パワー照射パルスが1個又は2個の照射光を用いて記録することを特徴とする多値情報記録媒体の記録方法。
5) 0.1≦Pe/Pw≦0.5、Pb<Pr(再生パワー)であることを特徴とする4)記載の多値情報記録媒体の記録方法。
6) 全てのレベルのマークがPw、Pe、Pbで制御され、記録パワー照射パルスが2個である照射光を用いて記録することを特徴とする4)又は5)記載の多値情報記録媒体の記録方法。
7) 基本セルの領域の中が結晶状態のみであるレベル0のマークを記録するに際し、Pe<Pw2≦Pwである第2の記録パワーPw2とPeで制御される複数の照射パルスを用いることを特徴とする4)又は5)記載の多値情報記録媒体の記録方法。
1) 光照射による非晶質相と結晶相の可逆的相変化及び各相の光学定数の変化を利用して記録再生を行なうことができる相変化記録層を有し、一定の長さのセルの中心位置に対称に且つマーク面積を変えて記録し、非晶質マークと該非晶質マーク間の結晶部を含む領域から反射される反射光強度のレベルで3値以上の記録を行なうことが可能な多値情報記録媒体であって、該相変化記録層の再結晶上限線速が記録線速以下であることを特徴とする多値情報記録媒体。
2) 記録線速Vrと再結晶上限線速Vcが、次の関係式を満たすことを特徴とする1)記載の多値情報記録媒体。
0.5<Vc/Vr≦1
3) 光照射側の相変化記録層と保護層の間に、膜厚1〜5nmの界面層を有することを特徴とする1)又は2)記載の多値情報記録媒体。
4) 1)〜3)の何れかに記載の多値情報記録媒体に記録、消去するためのパルス状の照射光が、少なくとも記録パワーPw、消去パワーPe、ボトムパワーPbのパルスからなり、各パルスのパワーの大きさと照射時間で制御が行われる記録方法において、多値数m(mは3以上の整数)、各レベルi(iは0からm−1までの整数)のマークを、各レベルに応じて、記録パワー照射パルスが1個又は2個の照射光を用いて記録することを特徴とする多値情報記録媒体の記録方法。
5) 0.1≦Pe/Pw≦0.5、Pb<Pr(再生パワー)であることを特徴とする4)記載の多値情報記録媒体の記録方法。
6) 全てのレベルのマークがPw、Pe、Pbで制御され、記録パワー照射パルスが2個である照射光を用いて記録することを特徴とする4)又は5)記載の多値情報記録媒体の記録方法。
7) 基本セルの領域の中が結晶状態のみであるレベル0のマークを記録するに際し、Pe<Pw2≦Pwである第2の記録パワーPw2とPeで制御される複数の照射パルスを用いることを特徴とする4)又は5)記載の多値情報記録媒体の記録方法。
以下、上記本発明について詳しく説明する。
レーザー光を媒体に照射し、記録層を溶融後、急冷又は徐冷によりマークの記録及び消去を行なう場合、特に溶融状態にしてから徐冷し再結晶化させてマーク長を制御する場合は、結晶核がある大きさに形成されたのち成長していく核形成・成長過程ではなく、結晶成長優先モードを利用している。この場合、最適消去パワー程度の大きさのパワーを連続的に照射した時に、記録線速よりも1.5〜3m/s高い線速で、再結晶化から非晶質相形成への転換が始まり、それより速い線速では非晶質相が形成されるように、記録材料の構成元素や組成を決める。
その手段としては、LD波長405nm、対物レンズNA0.65の光学ヘッドを用いて、記録媒体を一定線速で回転させながら、予め結晶化されている記録媒体の盤面の溝部に6mWの連続光(DC光)を一回照射して、そのときの反射光の電圧を測定する。具体的には、線速3.5m/sで回して、DC光を1トラック照射して反射光の電圧を測定する。これをトラックを変えながら、線速を0.5m/sずつ増やしていき、同様の評価を行なう。ある線速から、溝の中心付近で非晶質相が形成されることにより、反射電圧が減少し始め、それ以上速くなると非晶質相が溝全体に形成され更に減少していく。この反射電圧、即ち反射率が減少し始める線速を再結晶上限線速と定義する(図5参照。なお、図中の◆は、再結晶上限線速範囲のうち、最大となる場合の規格化反射電位の線速依存性、◇は、同じく最小となる場合の規格化反射電位の線速依存性を表す。)。従来の記録媒体に記録すべき記録線速Vrと再結晶上限線速Vcの関係は、Vr=Vc−αで、α=1.5〜3.0m/sである。
レーザー光を媒体に照射し、記録層を溶融後、急冷又は徐冷によりマークの記録及び消去を行なう場合、特に溶融状態にしてから徐冷し再結晶化させてマーク長を制御する場合は、結晶核がある大きさに形成されたのち成長していく核形成・成長過程ではなく、結晶成長優先モードを利用している。この場合、最適消去パワー程度の大きさのパワーを連続的に照射した時に、記録線速よりも1.5〜3m/s高い線速で、再結晶化から非晶質相形成への転換が始まり、それより速い線速では非晶質相が形成されるように、記録材料の構成元素や組成を決める。
その手段としては、LD波長405nm、対物レンズNA0.65の光学ヘッドを用いて、記録媒体を一定線速で回転させながら、予め結晶化されている記録媒体の盤面の溝部に6mWの連続光(DC光)を一回照射して、そのときの反射光の電圧を測定する。具体的には、線速3.5m/sで回して、DC光を1トラック照射して反射光の電圧を測定する。これをトラックを変えながら、線速を0.5m/sずつ増やしていき、同様の評価を行なう。ある線速から、溝の中心付近で非晶質相が形成されることにより、反射電圧が減少し始め、それ以上速くなると非晶質相が溝全体に形成され更に減少していく。この反射電圧、即ち反射率が減少し始める線速を再結晶上限線速と定義する(図5参照。なお、図中の◆は、再結晶上限線速範囲のうち、最大となる場合の規格化反射電位の線速依存性、◇は、同じく最小となる場合の規格化反射電位の線速依存性を表す。)。従来の記録媒体に記録すべき記録線速Vrと再結晶上限線速Vcの関係は、Vr=Vc−αで、α=1.5〜3.0m/sである。
記録マークの形状は、図3に示すようなパルス波形で記録すれば、図3の上部に示すようになる。マーク後端部は、トラック中心では温度が高く非晶質相が残っているが、トラック端では温度は低いものの結晶化温度以上になっており、再結晶化がトラック端からトラック中心に向かって進行していくため、図のような形状になる。
相変化記録層は、Sb、Teを基本とし、Sb/Te=1.5〜4.0、好ましくは、2.0〜3.8とする。Geを添加して、高温環境、或いは再生パワーを連続的に照射した時のマークの結晶化を抑制する。特にSb量が75原子%を超えると信頼性が低下してくる。従来のように再結晶上限線速より記録線速が低いモードで記録を行なう場合には、Sb量を増やす必要があるためSb/Te比が高くなり信頼性が低下し易い。また、高い記録パワーの光を照射し、より急冷な媒体構成にする必要があるため、隣接トラックの熱の広がりによるクロスイレースの影響が大きくなる。また、高い記録パワー、消去パワーを必要とするため、繰り返しオーバーライトを行なった場合に特性が劣化してしまう。更に、基板と記録層の間の保護層の膜厚がより薄くなると、基板への熱のダメージが大きくなる。
相変化記録層は、Sb、Teを基本とし、Sb/Te=1.5〜4.0、好ましくは、2.0〜3.8とする。Geを添加して、高温環境、或いは再生パワーを連続的に照射した時のマークの結晶化を抑制する。特にSb量が75原子%を超えると信頼性が低下してくる。従来のように再結晶上限線速より記録線速が低いモードで記録を行なう場合には、Sb量を増やす必要があるためSb/Te比が高くなり信頼性が低下し易い。また、高い記録パワーの光を照射し、より急冷な媒体構成にする必要があるため、隣接トラックの熱の広がりによるクロスイレースの影響が大きくなる。また、高い記録パワー、消去パワーを必要とするため、繰り返しオーバーライトを行なった場合に特性が劣化してしまう。更に、基板と記録層の間の保護層の膜厚がより薄くなると、基板への熱のダメージが大きくなる。
再結晶化優先モードの場合、記録パワー、ボトムパワー、消去パワーの順にパワーを照射すると、消去パワーの照射による熱の広がりで、マーク先端の一部が再結晶化されてしまい、レベル1のマークのように非常に短いマークが一層短くなり易い。
そこで上述のように、従来技術ではVc>Vrとしているのに対し、本発明ではVc≦Vr、更に好ましくは、0.5<Vc/Vr≦1となるようにする。即ち、非晶質相形成優先条件とする。図6に示すように、Vr=Vc+α(α=0〜+2.5m/s)とすることが好ましい。Vcは、相変化記録層材料の構成元素の組成比によって決まる。3種類以上の構成元素からなる場合は組成比によって取りうるVcが同じになる場合もあるが、その場合は保存性、繰り返し記録特性の良い組成比を選択する。なお、図6中の◆及び◇の意味は、図5の場合と同じである。
そこで上述のように、従来技術ではVc>Vrとしているのに対し、本発明ではVc≦Vr、更に好ましくは、0.5<Vc/Vr≦1となるようにする。即ち、非晶質相形成優先条件とする。図6に示すように、Vr=Vc+α(α=0〜+2.5m/s)とすることが好ましい。Vcは、相変化記録層材料の構成元素の組成比によって決まる。3種類以上の構成元素からなる場合は組成比によって取りうるVcが同じになる場合もあるが、その場合は保存性、繰り返し記録特性の良い組成比を選択する。なお、図6中の◆及び◇の意味は、図5の場合と同じである。
本発明に用いる相変化記録層材料としては、Ag−In−Sb−Te、In−Sb−Te、Ge−Sb−Te、Ge−In−Sb−Te、Ge−Sn−Sb−Te、Ge−Bi−Sb−Te、Ge−Zn−Sb−Te、Ge−Ag−In−Sb−Te、Ga−Ge−Sb−Te、Ge−Mn−Sb−Te、Ga−Mn−Sb−Te、Ga−Sb−Te、Ge−Sb、Ga−Sb、Ga−Sn−Sb、In−Sbなどが挙げられる。
本発明では、記録線速6m/s以上で記録できるようにするため、Sb−Teを基本とした系を用いる場合には、少なくともGe、Sb、Teからなり、Ge10原子%以下、Sb65〜75原子%、Te15〜25原子%のものが好ましい。更に、これに添加する他の元素としては、Mn、Sn、In、Gaが好ましく、添加量は1〜10原子%の範囲である。
本発明では、記録線速6m/s以上で記録できるようにするため、Sb−Teを基本とした系を用いる場合には、少なくともGe、Sb、Teからなり、Ge10原子%以下、Sb65〜75原子%、Te15〜25原子%のものが好ましい。更に、これに添加する他の元素としては、Mn、Sn、In、Gaが好ましく、添加量は1〜10原子%の範囲である。
本発明の多値情報記録媒体の層構成の一例を図11に示す。基本構成としては、基板1上に、下部保護層2、相変化記録層4、上部保護層5、反射層7をこの順に積層するか、或いは、その逆順に積層するが、図11では更に界面層3を設けた例を示している。
基板は、波長405nmの青紫色レーザ光以上の波長で透過率が高く、しかも複屈折が小さく、吸湿性が小さいものが好ましい。ガラス基板は変形や反りが殆どなく機械特性まで考慮すれば最適である。しかし、実用的には安価で加工し易い材料が好ましく、ポリカーボネートが良い。
下部及び上部保護層には、ZnSとSiO2の混合物であって、ZnS:SiO2=30〜90:70〜10(モル比)が好ましく用いられる。中でも50:50〜80:20のものが好ましい。その他の保護層材料としては、酸化物、窒化物を用いても良い。
反射層にはAl、Ag、Cu、Pd、Nd、Ni、Ti、Au、Bi、その他の遷移金属元素、希土類元素を用いる。中でも、Ag又はAg95原子%以上の合金が好ましい。媒体に入射する光の波長が短くなると膜表面の凹凸の影響を受け易いため、表面が平滑であるAgが最適であるが、高温環境下で凝集、結晶粒成長の変化が起こるため、合金がより好ましい。添加元素の量は熱伝導率を大きく下げないように高々2原子%とする。Ag合金の場合においても、接触する保護層にZnS、ZnSSiO2を用いた場合は、高温環境下でAgとSの化合物ができ易いので、反射層と保護層の間に酸化物、窒化物、炭化物層などからなる硫化防止層6を設ける必要がある。
基板は、波長405nmの青紫色レーザ光以上の波長で透過率が高く、しかも複屈折が小さく、吸湿性が小さいものが好ましい。ガラス基板は変形や反りが殆どなく機械特性まで考慮すれば最適である。しかし、実用的には安価で加工し易い材料が好ましく、ポリカーボネートが良い。
下部及び上部保護層には、ZnSとSiO2の混合物であって、ZnS:SiO2=30〜90:70〜10(モル比)が好ましく用いられる。中でも50:50〜80:20のものが好ましい。その他の保護層材料としては、酸化物、窒化物を用いても良い。
反射層にはAl、Ag、Cu、Pd、Nd、Ni、Ti、Au、Bi、その他の遷移金属元素、希土類元素を用いる。中でも、Ag又はAg95原子%以上の合金が好ましい。媒体に入射する光の波長が短くなると膜表面の凹凸の影響を受け易いため、表面が平滑であるAgが最適であるが、高温環境下で凝集、結晶粒成長の変化が起こるため、合金がより好ましい。添加元素の量は熱伝導率を大きく下げないように高々2原子%とする。Ag合金の場合においても、接触する保護層にZnS、ZnSSiO2を用いた場合は、高温環境下でAgとSの化合物ができ易いので、反射層と保護層の間に酸化物、窒化物、炭化物層などからなる硫化防止層6を設ける必要がある。
記録層の膜厚は5〜25nmであり、10〜20nmが好ましい。下部保護層の膜厚は40〜250nm、上部保護層の膜厚は5〜20nmであり、上部保護層の膜厚は10〜14nmが好ましい。硫化防止層の膜厚は2〜10nmが良い。反射層の膜厚は100〜150nmが良い。
記録媒体の各層は厚さ0.6mmの基板上にスパッタリング法により形成される。
基板の溝深さは20〜35nm、溝幅は0.2〜0.3μm、溝ピッチは0.40〜0.50μmである。溝ピッチは、記録容量を増加させるために狭くするが、その場合、隣接トラックへの記録消去時の熱の広がりにより、隣接トラックの記録マークが消去され易くなると共に、信号を再生するときに隣接トラックの信号が回り込むため再生信号の劣化が起き易くなる。
記録媒体の各層は厚さ0.6mmの基板上にスパッタリング法により形成される。
基板の溝深さは20〜35nm、溝幅は0.2〜0.3μm、溝ピッチは0.40〜0.50μmである。溝ピッチは、記録容量を増加させるために狭くするが、その場合、隣接トラックへの記録消去時の熱の広がりにより、隣接トラックの記録マークが消去され易くなると共に、信号を再生するときに隣接トラックの信号が回り込むため再生信号の劣化が起き易くなる。
上記各層の条件を満たす記録媒体のサンプルを作製した。記録線速6m/sで記録できるように相変化記録層にはGe:Sb:Te=5:68:27(原子%)を用い膜厚14nmとした。下部保護層にはZnS:SiO2=70:30(モル比)を用い、膜厚50nmとした。上部保護層にはZnS:SiO2=80:20(モル比)を用い、膜厚11nmとした。更にその上に、SiCからなる膜厚3nmの硫化防止層、膜厚140nmのAg反射層を設けた。
次いでLD波長800nm、ビーム径200μm×1μm(半径方向×トラック方向)の大口径LDを用いた初期化装置で初期化し、記録層を結晶状態にした。
この記録媒体に対し、図7に示すような公知の照射パルス波形で記録を行った。記録パワーPw、消去パワーPe、ボトムパワーPbを含む各記録条件を表1に示すが、これは8値記録の場合の記録条件である。しかし、従来から用いられてきたこれらの条件では、マーク後端部が長くなってしまう。特にM5〜M7を各々単独で連続的に記録した場合に、各レベルの反射率差が小さくなってしまい、これらマークをランダムに記録した場合に、各レベルのマークの識別が難しくなってしまう。これではデータエラー率が大きく情報再生できないことになる。この場合、非晶質相が形成され易く、再結晶化速度が遅いため、マーク後端部が狙いよりも長くなってしまう。従って、狙いのマークを形成するためには、記録方法、即ち照射パルス波形制御方法を変える必要がある。
次いでLD波長800nm、ビーム径200μm×1μm(半径方向×トラック方向)の大口径LDを用いた初期化装置で初期化し、記録層を結晶状態にした。
この記録媒体に対し、図7に示すような公知の照射パルス波形で記録を行った。記録パワーPw、消去パワーPe、ボトムパワーPbを含む各記録条件を表1に示すが、これは8値記録の場合の記録条件である。しかし、従来から用いられてきたこれらの条件では、マーク後端部が長くなってしまう。特にM5〜M7を各々単独で連続的に記録した場合に、各レベルの反射率差が小さくなってしまい、これらマークをランダムに記録した場合に、各レベルのマークの識別が難しくなってしまう。これではデータエラー率が大きく情報再生できないことになる。この場合、非晶質相が形成され易く、再結晶化速度が遅いため、マーク後端部が狙いよりも長くなってしまう。従って、狙いのマークを形成するためには、記録方法、即ち照射パルス波形制御方法を変える必要がある。
そこで、本発明では、図8及び図9に一例を示す照射パルス波形を用いて、各レベルのマークが、一定の長さでしかもセルの中心位置に対称に形成されるようにする。
図8は記録マークをPwとPeの2つのパワーで制御し、記録パワー照射パルスを1個とする場合を示す。記録媒体は非晶質相優先構成になっているために、記録層が融点以上になるように記録パワーを照射すれば、照射時間内でマークが形成される。その後、消去パワーPeを照射することで、前マークを消去すると共にマーク長を制御する。Peの大きさは、Pe/Pwが0.5以下とすることが望ましい。Pwが高くなるとPeも高くなり且つPeが連続照射されるため、Peが高くなるにつれて記録層の融点付近まで温度が上昇した場合にはマークが形成されてしまうし、オーバーライト時は、前マークを消去することが難しくなる。従って、Peの大きさとしては、記録層の結晶化温度を超える程度の温度となるようにする必要はあるが、高すぎない方が良い。融点を超えない最大Peは、LD波長405nm、NA0.65の光を照射した場合は4mW以下である。Pwが最大10mWであれば、Pe/Pw=0.4以下が好ましいことになる。一方、最低Peは、1mW程度であるから、Pe/Pwは0.1以上、好ましくは0.15以上である。
図8は記録マークをPwとPeの2つのパワーで制御し、記録パワー照射パルスを1個とする場合を示す。記録媒体は非晶質相優先構成になっているために、記録層が融点以上になるように記録パワーを照射すれば、照射時間内でマークが形成される。その後、消去パワーPeを照射することで、前マークを消去すると共にマーク長を制御する。Peの大きさは、Pe/Pwが0.5以下とすることが望ましい。Pwが高くなるとPeも高くなり且つPeが連続照射されるため、Peが高くなるにつれて記録層の融点付近まで温度が上昇した場合にはマークが形成されてしまうし、オーバーライト時は、前マークを消去することが難しくなる。従って、Peの大きさとしては、記録層の結晶化温度を超える程度の温度となるようにする必要はあるが、高すぎない方が良い。融点を超えない最大Peは、LD波長405nm、NA0.65の光を照射した場合は4mW以下である。Pwが最大10mWであれば、Pe/Pw=0.4以下が好ましいことになる。一方、最低Peは、1mW程度であるから、Pe/Pwは0.1以上、好ましくは0.15以上である。
図9の照射パルス波形は、より長いマークを記録する場合に適用する。例えば最大8値ならばM4以上のレベルに適用する。記録パワー照射パルスが2個あるが、先頭パルス照射時間Tmp1、後パルス照射時間Tmp2は異なっていても良い。記録パワーも同様に異なっていても良い。また、図8、図9何れも、レベル毎にTmp1、Tmp2、Tclは異なっていても良い。各レベルで時間を変えることにより精密なマーク長制御が可能になる。
以上の記録媒体及び記録方法は、初めて記録する場合は問題ないが、繰り返し記録を可能にするためには、前マークを確実に消去することが要求される。この場合、特にM0レベルは結晶状態であるために、消し残りがあるとSDRが増加してしまう。そこで結晶化を促進するために図10に示すような第2の記録パワーPw2とPeで制御される複数のパルスを照射し、記録する場合に比べて短いパルス時間と短いパルス間隔にして消去する。Pw2は記録パワーPwと同じか低い値とする。パルス時間は、長すぎるとマーク形成されてしまうのでTmp1の1/2以下であって、1nsec以上が好ましい。また、この方法は、M0だけでなく、M1〜M7の内のより短いマークであるM1〜M4までの各パルス照射後に適用しても良い。
以上の記録媒体及び記録方法は、初めて記録する場合は問題ないが、繰り返し記録を可能にするためには、前マークを確実に消去することが要求される。この場合、特にM0レベルは結晶状態であるために、消し残りがあるとSDRが増加してしまう。そこで結晶化を促進するために図10に示すような第2の記録パワーPw2とPeで制御される複数のパルスを照射し、記録する場合に比べて短いパルス時間と短いパルス間隔にして消去する。Pw2は記録パワーPwと同じか低い値とする。パルス時間は、長すぎるとマーク形成されてしまうのでTmp1の1/2以下であって、1nsec以上が好ましい。また、この方法は、M0だけでなく、M1〜M7の内のより短いマークであるM1〜M4までの各パルス照射後に適用しても良い。
一方、記録方法によりオーバーライト特性を向上させる手段以外に、媒体に結晶成長を促進させるための界面層を設ける手段がある(図11参照)。界面層自体は、熱により上下に接する層と反応したり構成元素が拡散したりしないことが好ましい。界面層は、光照射側であって、下部保護層と記録層の間に設けることが好ましい。これにより、下部保護層の熱による変化や繰り返し記録した場合の反射率の低下が抑制される。また、界面層の光吸収は小さい方が良く、膜厚は1〜5nm、好ましくは1〜3nm程度が良い。結晶成長の促進によりオーバーライト特性は向上するが、隣接トラックへの熱拡散により隣接トラックのマークが消去されてしまうクロスイレースが大きくなる可能性があるので、これを抑制するために、上部保護層、記録層の膜厚を極力薄くして熱を反射層側へ逃がし、オーバーライト特性を効果的に向上させることが好ましい。
界面層の材料としては、酸化物や複合酸化物が好ましく、具体例としては、ZnO、Al2O3、MgO、SiO2、InO、ZrO2−Y2O3、TiO2、In−Mg−O、In−Zn−O、Ta2O5が挙げられる。
界面層の材料としては、酸化物や複合酸化物が好ましく、具体例としては、ZnO、Al2O3、MgO、SiO2、InO、ZrO2−Y2O3、TiO2、In−Mg−O、In−Zn−O、Ta2O5が挙げられる。
本発明によれば、高感度で記録でき、クロスイレースを低減でき、しかも記録特性のパワーマージンが広がり、繰り返し記録特性、保存性を劣化させない多値情報記録媒体とその記録方法を提供できる。
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。
(実施例1)
溝深さ21nm、溝幅0.30μm、溝ピッチ0.46μmの案内溝を有するポリカーボネート(商品名ST3000、帝人バイエルポリテック製)上に、スパッタリング法により、ZnSSiO2(モル比70:30)からなる膜厚50nmの下部保護層、Ge:Sb:Te=4:68:28(原子%)からなる膜厚14nmの記録層、ZnSSiO2(モル比80:20)からなる膜厚11nmの上部保護層、SiCからなる膜厚3nmの硫化防止層、Agからなる膜厚140nmの反射層を順に形成した。
次いで、その上に、スピンコート法で紫外線硬化樹脂(大日本インキ製SD318)を膜厚7μm形成し環境保護層とした。
更に、その上に、厚さ100μmの紫外線硬化型樹脂(日本化薬DVD003)からなる接着層を介して膜のない厚さ0.6mmの基板を貼り合わせ、情報記録媒体を得た。
続いて、LD波長800nm、ビーム径1100μm×1μm(半径方向×トラック方向)の大口径LDを用いた初期化装置により、盤面パワー550mW、線速3m/s、ヘッド送り36μm/rで記録層を結晶化させた。
この記録媒体に対し、波長405nmのLD(レーザーダイオード)、対物レンズの開口率(NA)0.65、ビーム径0.54μmのピックアップヘッドを用い、媒体の盤面に消去パワー6mWを連続的に照射し、線速を3m/sから0.1m/sずつ増やし、8m/sまで上げた。この間、反射信号の電圧をモニターしていったところ、線速4.0m/sで反射信号の減少が見られた。即ち、この記録媒体の再結晶上限線速は4.0m/sということになる。
次に、上記と同じピックアップヘッドを用い、媒体の盤面に記録を行った。照射される記録パワーPwは6.5mWとし、ボトムパワーPbは再生パワー0.5mWより小さい0.2mWとした。基本セル長を0.24μmとし、マークのない状態を“0”レベル、長さ0.03μm即ち基本セル長の1/8の長さのマークを“1”レベル、以下、2/8〜7/8の長さのマークを“2”〜“7”レベルとし、最大8値の多値記録を行なった。記録線速は6m/sとし(即ち、Vc/Vr=4/6≒0.67)、基本セル長のマークを記録するためのクロック周波数は25MHzとした。記録条件は表2に示す通りである。
以上の条件で、隣接トラックを連続5トラック記録後、3トラック目のSDRを測定したところ、2.6%になった。なお、SDRの測定は次のようにして行った。
即ち、39セクター(1セクター当り1221個のセル数とする)分のデータを取り込んだ。次に1トラックに記録した信号を取り込み、ハイパスフィルター(high pass fiilter)により1kHz以下の低周波の反射信号変動を除去した。M0マークを5セル連続で、かつM7マークを7セル連続で記録し、セクターマークとした。このデータを用いてAGC処理を行ないトータルのSDR値を求めた。AGC処理とは、M0、M7の反射電圧を基準にして、これらの信号を、M0を0.8V、M7を0.1Vの電圧に増幅し、次いで記録されているランダム信号を増幅した後、波形等価(EQ)処理を行ない、各レベルの反射信号電圧の標準偏差を求める作業である。
溝深さ21nm、溝幅0.30μm、溝ピッチ0.46μmの案内溝を有するポリカーボネート(商品名ST3000、帝人バイエルポリテック製)上に、スパッタリング法により、ZnSSiO2(モル比70:30)からなる膜厚50nmの下部保護層、Ge:Sb:Te=4:68:28(原子%)からなる膜厚14nmの記録層、ZnSSiO2(モル比80:20)からなる膜厚11nmの上部保護層、SiCからなる膜厚3nmの硫化防止層、Agからなる膜厚140nmの反射層を順に形成した。
次いで、その上に、スピンコート法で紫外線硬化樹脂(大日本インキ製SD318)を膜厚7μm形成し環境保護層とした。
更に、その上に、厚さ100μmの紫外線硬化型樹脂(日本化薬DVD003)からなる接着層を介して膜のない厚さ0.6mmの基板を貼り合わせ、情報記録媒体を得た。
続いて、LD波長800nm、ビーム径1100μm×1μm(半径方向×トラック方向)の大口径LDを用いた初期化装置により、盤面パワー550mW、線速3m/s、ヘッド送り36μm/rで記録層を結晶化させた。
この記録媒体に対し、波長405nmのLD(レーザーダイオード)、対物レンズの開口率(NA)0.65、ビーム径0.54μmのピックアップヘッドを用い、媒体の盤面に消去パワー6mWを連続的に照射し、線速を3m/sから0.1m/sずつ増やし、8m/sまで上げた。この間、反射信号の電圧をモニターしていったところ、線速4.0m/sで反射信号の減少が見られた。即ち、この記録媒体の再結晶上限線速は4.0m/sということになる。
次に、上記と同じピックアップヘッドを用い、媒体の盤面に記録を行った。照射される記録パワーPwは6.5mWとし、ボトムパワーPbは再生パワー0.5mWより小さい0.2mWとした。基本セル長を0.24μmとし、マークのない状態を“0”レベル、長さ0.03μm即ち基本セル長の1/8の長さのマークを“1”レベル、以下、2/8〜7/8の長さのマークを“2”〜“7”レベルとし、最大8値の多値記録を行なった。記録線速は6m/sとし(即ち、Vc/Vr=4/6≒0.67)、基本セル長のマークを記録するためのクロック周波数は25MHzとした。記録条件は表2に示す通りである。
以上の条件で、隣接トラックを連続5トラック記録後、3トラック目のSDRを測定したところ、2.6%になった。なお、SDRの測定は次のようにして行った。
即ち、39セクター(1セクター当り1221個のセル数とする)分のデータを取り込んだ。次に1トラックに記録した信号を取り込み、ハイパスフィルター(high pass fiilter)により1kHz以下の低周波の反射信号変動を除去した。M0マークを5セル連続で、かつM7マークを7セル連続で記録し、セクターマークとした。このデータを用いてAGC処理を行ないトータルのSDR値を求めた。AGC処理とは、M0、M7の反射電圧を基準にして、これらの信号を、M0を0.8V、M7を0.1Vの電圧に増幅し、次いで記録されているランダム信号を増幅した後、波形等価(EQ)処理を行ない、各レベルの反射信号電圧の標準偏差を求める作業である。
(比較例1)
実施例1と同じ媒体に対し、表2の記録条件を、前述した表1に示す記録条件に変えた点以外は、実施例1と同様にして記録を行ったところ、記録パワー7.5mWでSDRが5.0%であった。
実施例1と同じ媒体に対し、表2の記録条件を、前述した表1に示す記録条件に変えた点以外は、実施例1と同様にして記録を行ったところ、記録パワー7.5mWでSDRが5.0%であった。
(実施例2〜4、比較例2〜4)
記録層材料を表3に示す組成のものに変えた点以外は、実施例1と同様にして実施例2〜4、及び比較例2〜4の情報記録媒体を作製した。各記録層の再結晶上限線速を表3に示す。
実施例2〜4の記録媒体に対し、実施例1と同様にして記録した後、SDRを測定したところ、表3のようになった。
また、比較例2〜4の記録媒体に対し、記録パワー7.5mWで記録した後、SDRを測定したところ、表3のようになった。
これらの結果から、本発明では、従来よりも感度が良くなり、しかもクロスイレースの影響を小さくできることが分る。
記録層材料を表3に示す組成のものに変えた点以外は、実施例1と同様にして実施例2〜4、及び比較例2〜4の情報記録媒体を作製した。各記録層の再結晶上限線速を表3に示す。
実施例2〜4の記録媒体に対し、実施例1と同様にして記録した後、SDRを測定したところ、表3のようになった。
また、比較例2〜4の記録媒体に対し、記録パワー7.5mWで記録した後、SDRを測定したところ、表3のようになった。
これらの結果から、本発明では、従来よりも感度が良くなり、しかもクロスイレースの影響を小さくできることが分る。
(実施例5)
実施例1と同じ記録媒体に対し、表4の記録条件で記録した。Pwを6.5mW、Pw2を4mWとして5トラックを連続して記録したところ、1回目記録のSDRは2.7%であった。その後、同一トラックを10回、100回、1000回、同じ条件でオーバーライトした後のSDRは、10回2.7%、100回2.8%、1000回2.8%となり、1000回後は初回より0.2%程度の増加であった。
実施例1と同じ記録媒体に対し、表4の記録条件で記録した。Pwを6.5mW、Pw2を4mWとして5トラックを連続して記録したところ、1回目記録のSDRは2.7%であった。その後、同一トラックを10回、100回、1000回、同じ条件でオーバーライトした後のSDRは、10回2.7%、100回2.8%、1000回2.8%となり、1000回後は初回より0.2%程度の増加であった。
(実施例6)
溝深さ21nm、溝幅0.30μm、溝ピッチ0.46μmの案内溝を有するポリカーボネート(商品名ST3000、帝人バイエルポリテック製)上に、スパッタリング法により、ZnSSiO2(モル比70:30)からなる膜厚50nmの下部保護層、Al2O3からなる膜厚2nmの界面層、Ge:Sb:Te=4:68:28(原子%)からなる膜厚14nmの記録層、ZnSSiO2(モル比80:20)からなる膜厚11nmの上部保護層、SiCからなる膜厚3nmの硫化防止層、Agからなる膜厚140nmの反射層を順に形成した。
次いで、その上に、スピンコート法で紫外線硬化樹脂(大日本インキ製SD318)を膜厚7μm形成し環境保護層とした。
更に、その上に、厚さ100μmの紫外線硬化型樹脂(日本化薬DVD003)からなる接着層を介して膜のない厚さ0.6mmの基板を貼り合わせ、情報記録媒体を得た。
続いて、LD波長800nm、ビーム径1100μm×1μm(半径方向×トラック方向)の大口径LDを用いた初期化装置により、盤面パワー750mW、線速4m/s、ヘッド送り36μm/rで記録層を結晶化させた。
この記録媒体に対し、波長405nmのLD(レーザーダイオード)、対物レンズの開口率(NA)0.65、ビーム径0.54μmのピックアップヘッドを用い、媒体の盤面に消去パワー6mWを連続的に照射し、線速を3m/sから0.1m/sずつ増やし、8m/sまで上げた。この間、反射信号の電圧をモニターしていったところ、線速4.3m/sで反射信号の減少が見られた。即ち、この記録媒体の再結晶上限線速は4.3m/sということになる。
次に、この記録媒体に対し、Pe/Pwを変えた点以外は表4に示す記録条件で記録した。Pwを6.5mW、Peを2.4mWとして(即ち、Pe/Pw=2.4/6.5=0.369)、5トラック連続で記録したところ、1回目記録のSDRは2.6%であった。更に、同一トラックを10回、100回、1000回オーバーライトしたところ、各回数のSDRは殆ど変化がなく2.7%であった。
溝深さ21nm、溝幅0.30μm、溝ピッチ0.46μmの案内溝を有するポリカーボネート(商品名ST3000、帝人バイエルポリテック製)上に、スパッタリング法により、ZnSSiO2(モル比70:30)からなる膜厚50nmの下部保護層、Al2O3からなる膜厚2nmの界面層、Ge:Sb:Te=4:68:28(原子%)からなる膜厚14nmの記録層、ZnSSiO2(モル比80:20)からなる膜厚11nmの上部保護層、SiCからなる膜厚3nmの硫化防止層、Agからなる膜厚140nmの反射層を順に形成した。
次いで、その上に、スピンコート法で紫外線硬化樹脂(大日本インキ製SD318)を膜厚7μm形成し環境保護層とした。
更に、その上に、厚さ100μmの紫外線硬化型樹脂(日本化薬DVD003)からなる接着層を介して膜のない厚さ0.6mmの基板を貼り合わせ、情報記録媒体を得た。
続いて、LD波長800nm、ビーム径1100μm×1μm(半径方向×トラック方向)の大口径LDを用いた初期化装置により、盤面パワー750mW、線速4m/s、ヘッド送り36μm/rで記録層を結晶化させた。
この記録媒体に対し、波長405nmのLD(レーザーダイオード)、対物レンズの開口率(NA)0.65、ビーム径0.54μmのピックアップヘッドを用い、媒体の盤面に消去パワー6mWを連続的に照射し、線速を3m/sから0.1m/sずつ増やし、8m/sまで上げた。この間、反射信号の電圧をモニターしていったところ、線速4.3m/sで反射信号の減少が見られた。即ち、この記録媒体の再結晶上限線速は4.3m/sということになる。
次に、この記録媒体に対し、Pe/Pwを変えた点以外は表4に示す記録条件で記録した。Pwを6.5mW、Peを2.4mWとして(即ち、Pe/Pw=2.4/6.5=0.369)、5トラック連続で記録したところ、1回目記録のSDRは2.6%であった。更に、同一トラックを10回、100回、1000回オーバーライトしたところ、各回数のSDRは殆ど変化がなく2.7%であった。
Pw 記録パワー
Pw2 第2の記録パワー
Pe 消去パワー
Pb ボトムパワー
M0 レベル0のマーク
M1 レベル1のマーク
Tms 記録パワー照射開始時間
Tmp 記録パワー照射時間
Tmp1 先頭パルス照射時間
Tmp2 後パルス照射時間
Tcl ボトムパワー照射時間
Te 消去パワーの照射時間
Te2 第2の記録パワーの照射時間
◆ 再結晶上限線速範囲のうち、最大となる場合の規格化反射電位の線速依存性
◇ 再結晶上限線速範囲のうち、最小となる場合の規格化反射電位の線速依存性
Pw2 第2の記録パワー
Pe 消去パワー
Pb ボトムパワー
M0 レベル0のマーク
M1 レベル1のマーク
Tms 記録パワー照射開始時間
Tmp 記録パワー照射時間
Tmp1 先頭パルス照射時間
Tmp2 後パルス照射時間
Tcl ボトムパワー照射時間
Te 消去パワーの照射時間
Te2 第2の記録パワーの照射時間
◆ 再結晶上限線速範囲のうち、最大となる場合の規格化反射電位の線速依存性
◇ 再結晶上限線速範囲のうち、最小となる場合の規格化反射電位の線速依存性
Claims (7)
- 光照射による非晶質相と結晶相の可逆的相変化及び各相の光学定数の変化を利用して記録再生を行なうことができる相変化記録層を有し、一定の長さのセルの中心位置に対称に且つマーク面積を変えて記録し、非晶質マークと該非晶質マーク間の結晶部を含む領域から反射される反射光強度のレベルで3値以上の記録を行なうことが可能な多値情報記録媒体であって、該相変化記録層の再結晶上限線速が記録線速以下であることを特徴とする多値情報記録媒体。
- 記録線速Vrと再結晶上限線速Vcが、次の関係式を満たすことを特徴とする請求項1記載の多値情報記録媒体。
0.5<Vc/Vr≦1 - 光照射側の相変化記録層と保護層の間に、膜厚1〜5nmの界面層を有することを特徴とする請求項1又は2記載の多値情報記録媒体。
- 請求項1〜3の何れかに記載の多値情報記録媒体に記録、消去するためのパルス状の照射光が、少なくとも記録パワーPw、消去パワーPe、ボトムパワーPbのパルスからなり、各パルスのパワーの大きさと照射時間で制御が行われる記録方法において、多値数m(mは3以上の整数)、各レベルi(iは0からm−1までの整数)のマークを、各レベルに応じて、記録パワー照射パルスが1個又は2個の照射光を用いて記録することを特徴とする多値情報記録媒体の記録方法。
- 0.1≦Pe/Pw≦0.5、Pb<Pr(再生パワー)であることを特徴とする請求項4記載の多値情報記録媒体の記録方法。
- 全てのレベルのマークがPw、Pe、Pbで制御され、記録パワー照射パルスが2個である照射光を用いて記録することを特徴とする請求項4又は5記載の多値情報記録媒体の記録方法。
- 基本セルの領域の中が結晶状態のみであるレベル0のマークを記録するに際し、Pe<Pw2≦Pwである第2の記録パワーPw2とPeで制御される複数の照射パルスを用いることを特徴とする請求項4又は5記載の多値情報記録媒体の記録方法。
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JP2004186413A JP2006012268A (ja) | 2004-06-24 | 2004-06-24 | 多値情報記録媒体とその記録方法 |
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