JP2006010445A - 温度検出装置、および温度制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】この発明は、被検体の温度を非接触で検出できる温度検出装置、およびこの検出結果に基づいて被検体を所望する温度に制御できる温度制御装置を提供することを課題とする。
【解決手段】温度制御装置１００は、前面基板および背面基板を対向させて収容配置する真空チャンバを有する。真空チャンバ内には、前面基板用の上ヒータ３２および背面基板用の下ヒータ３４が配置されている。各基板の温度を制御する場合、まず、真空チャンバの外側からカメラ３８によって基板のマークを検出し、演算部４２にて、各マーク間の距離を算出する。そして、演算部４２が、算出した距離を記憶部４４に予め記憶した基準値と比較し、基板の熱膨張率に基づいて基板の温度を算出する。さらに、制御部４０は、演算結果に基づいて、上ヒータ３２および下ヒータ３４を制御し、前面基板と背面基板の温度を均一に制御する。
【選択図】 図５

Description

この発明は、熱膨張可能な被検体の温度を非接触で検出する温度検出装置、および温度制御装置に係り、特に、２枚のガラス基板の周縁部同士を封着した偏平な表示装置を製造する際に、ガラス基板の温度を非接触で検出する温度検出装置、および検出結果に基づいてガラス基板の温度を所望する温度に制御する温度制御装置に関する。

近年、偏平な平面パネル構造の真空外囲器を有する表示装置として、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）や、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等が知られている。また、ＦＥＤの一種として、表面伝導型の電子放出素子を備えた表示装置（以下、ＳＥＤと称する）の開発が進められている。

ＳＥＤは、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有する。これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部を互いに接合され、内部を真空にされて偏平な平面パネル構造の真空外囲器を構成している。

前面基板の内面には３色の蛍光体層が形成され、背面基板の内面には、蛍光体層を励起発光させる電子の放出源として、画素毎に対応する多数の電子放出素子が整列配置されている。また、背面基板の内面上には、電子放出素子を駆動するための多数本の配線がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器の外部に引き出されている。

前面基板と背面基板の間には板状のグリッドが配設されている。このグリッドには、電子放出素子に対して整列した位置関係で多数のビーム通過孔が形成されているとともに、前面基板および背面基板の内面に当接することで基板間の隙間を維持するための複数の柱状のスペーサが設けられている。

このＳＥＤを動作させる場合、配線に接続した駆動回路を介して各電子放出素子に選択的に駆動電圧が印加される。これにより、各電子放出素子から選択的に電子ビームが放出され、これら電子ビームが、グリッドの対応するビーム通過孔を通って対応する蛍光体層に照射され、蛍光体層が励起発光されてカラー画像が表示されるようになっている。

上記ＳＥＤを製造する場合、側壁を周縁部に接合した背面基板と前面基板を真空チャンバ内に配置して真空雰囲気中で両者を封着することにより真空外囲器を構成する（例えば、特許文献１参照。）。この場合、前面基板と背面基板の温度を略同じ温度に設定することが重要であり、同じ温度に設定することで熱応力による位置ズレ等の不具合を防止できる。また、複数の蛍光体層を有する前面基板と複数の電子放出素子を有する背面基板を封着する場合、両者を高精度に位置合わせすることが重要であり、両者を高精度に位置合わせすることで信頼性の高いＳＥＤを提供できる。

一般に、前面基板および背面基板の温度を検出する場合、熱伝対等のセンサを基板に接触させて基板の温度を局所的に検出する。この場合、基板全体の温度を把握することが難しく、温度分布が均一であるか否かを判断することも難しい。このため、前面基板と背面基板を基板全体に亘って同じ温度に設定することは極めて困難であり、１枚の基板に着目しても基板全体に亘って温度分布を均一にすることは極めて困難であった。このように、基板の温度分布が不均一になると、基板に歪みを生じてしまい、２枚の基板を正確に位置合わせしたつもりでも、各電子放出素子と蛍光体層との間にズレを生じてしまい、ＳＥＤとしての信頼性を損なう問題があった。
特開２００３−０６８２３８

この発明の目的は、被検体の温度を非接触で検出できる温度検出装置、およびこの検出結果に基づいて被検体を所望する温度に制御できる温度制御装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の温度検出装置は、熱膨張可能な被検体に互いに離間して形成された複数のマークを検出する検出部と、上記被検体を基準温度に設定した状態で予め測定した上記マーク間の距離を基準値として記憶した記憶部と、上記検出部で検出したマーク間の距離を算出して上記記憶部に記憶されている基準値と比較し、この比較結果および当該被検体の熱膨張率に基づいて当該被検体の温度を算出する演算部と、を有する。

上記発明の温度検出装置によると、基準温度における被検体のマーク間の距離を予め測定しておき、検出部で検出したマーク間の距離および熱膨張率に基づいて被検体の温度を算出する。これにより、被検体の温度を非接触で比較的正確に検出できる。

また、本発明の温度検出装置は、矩形板状のガラス基板に互いに離間して形成された複数のマークを検出する検出部と、上記ガラス基板を基準温度に設定した状態で予め測定した上記マーク間の距離を基準値として記憶した記憶部と、上記検出部で検出したマーク間の距離を算出して上記記憶部に記憶されている基準値と比較し、この比較結果および当該ガラス基板の熱膨張率に基づいて当該ガラス基板の温度を算出する演算部と、を有する。

また、本発明の温度制御装置は、熱膨張可能な被検体に互いに離間して形成された複数のマークを検出する検出部と、上記被検体を加熱或いは冷却する加熱／冷却部と、上記被検体を基準温度に設定した状態で予め測定した上記マーク間の距離を基準値として記憶した記憶部と、上記検出部で検出したマーク間の距離を算出して上記記憶部に記憶されている基準値と比較し、この比較結果および当該被検体の熱膨張率に基づいて当該被検体の温度を算出する演算部と、この演算部における演算結果に基づいて上記加熱／冷却部を制御し、当該被検体の温度を所望する温度に制御する制御部と、を有する。

上記発明によると、被検体の温度を非接触で正確に検出できるとともに、この検出結果に基づいて、被検体の温度を所望する温度に容易に制御できる。

更に、本発明の温度制御装置は、矩形板状のガラス基板に互いに離間して形成された複数のマークを検出する検出部と、上記ガラス基板を加熱或いは冷却する加熱／冷却部と、上記ガラス基板を基準温度に設定した状態で予め測定した上記マーク間の距離を基準値として記憶した記憶部と、上記検出部で検出したマーク間の距離を算出して上記記憶部に記憶されている基準値と比較し、この比較結果および当該ガラス基板の熱膨張率に基づいて当該ガラス基板の温度を算出する演算部と、この演算部における演算結果に基づいて上記加熱／冷却部を制御し、当該ガラス基板の温度を所望する温度に制御する制御部と、を有する。

この発明の温度検出装置、および温度制御装置は、上記のような構成および作用を有しているので、被検体の温度を非接触で検出でき、この検出結果に基づいて被検体を所望する温度に制御できる。

以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態について詳細に説明する。
始めに、図１乃至図３を参照して、本発明の実施の形態に係る表示装置の一例として、ＳＥＤ（Surface-conduction Electron-emitter Display）について説明する。図１は、前面基板２を部分的に切り欠いた状態のＳＥＤの真空外囲器１０（以下、表示パネル１０と称する場合もある）を示す斜視図であり、図２は、図１の真空外囲器１０を線分II-IIで切断した断面図であり、図３は、図２の断面を部分的に拡大した部分拡大断面図である。

図１乃至図３に示すように、表示パネル１０は、それぞれ矩形のガラス板からなる前面基板２および背面基板４を備え、これらのガラス基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて互いに平行に対向配置されている。なお、背面基板４は、前面基板２より１回り大きいサイズを有する。また、前面基板２および背面基板４は、ガラスからなる矩形枠状の側壁６を介して周縁部同志が接合され、内部が真空の扁平な平面パネル構造の真空外囲器１０を構成している。

前面基板２の内面には画像表示面として機能する蛍光体スクリーン１２が形成されている。この蛍光体スクリーン１２は、赤、青、緑の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および遮光層１１を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体スクリーン１２上には、アルミニウム等からなるメタルバック１４が形成されている。

背面基板４の内面には、蛍光体スクリーン１２の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起発光させるための電子を放出する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１６が設けられている。これらの電子放出素子１６は、画素毎、すなわち蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子１６は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、背面基板４の内面上には、各電子放出素子１６に駆動電圧を与えるための多数本の配線１８がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引き出されている。

接合部材として機能する側壁６は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０ａ、２０ｂ（以下、総称して封着材２０と称する場合もある）により、前面基板２の周縁部および背面基板４の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。本実施の形態では、背面基板４と側壁６をフリットガラス２０ａを用いて接合し、前面基板２と側壁６をインジウム２０ｂを用いて接合した。もし、配線１８のある背面基板４と側壁６を低融点金属で封着する場合は、配線１８と封着材２０の電気ショートを避けるため、中間層として絶縁層を設ける必要がある。

また、表示パネル１０は、前面基板２と背面基板４の間にガラスからなる複数の細長い板状のスペーサ８を備えている。本実施の形態において、スペーサ８は、複数の細長いガラス板としたが、矩形板状の金属板からなるグリッド（図示せず）と、グリッドの両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサ（図示せず）と、で構成しても良い。

各スペーサ８は、上述したメタルバック１４、および蛍光体スクリーン１２の遮光層１１を介して前面基板２の内面に当接する上端８ａ、および背面基板４の内面上に設けられた配線１８上に当接する下端８ｂを有する。しかして、これら複数のスペーサ８は、前面基板２および背面基板４の外側から作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。

さらに、ＳＥＤは、前面基板２のメタルバック１４と背面基板４との間にアノード電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。電圧供給部は、例えば、背面基板４の電位を０Ｖに設定し、メタルバック１４の電位を１０ｋＶ程度にするよう、両者の間にアノード電圧を印加する。

そして、上記ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、配線１８に接続した図示しない駆動回路を介して電子放出素子１６の素子電極間に電圧を与え、任意の電子放出素子１６の電子放出部から電子ビームを放出するとともに、メタルバック１４にアノード電圧を印加する。電子放出部から放出された電子ビームは、アノード電圧により加速され、蛍光体スクリーン１２に衝突する。これにより、蛍光体スクリーン１２の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂが励起されて発光し、カラー画像を表示する。

また、上記構造の表示パネル１０を製造する場合、予め、蛍光体スクリーン１２およびメタルバック１４の設けられた前面基板２を用意し、電子放出素子１６および配線１８が設けられているとともに側壁６およびスペーサ８が接合された背面基板４を用意しておく。そして、これら前面基板２、および背面基板４を後述する真空チャンバ３０内に配置し、真空チャンバ３０内を真空排気した後、側壁６を介して前面基板２を背面基板４に接合する。これにより、複数のスペーサ８を備えた表示パネル１０が製造される。

真空チャンバ内で前面基板２と背面基板４を接合する場合、高温に過熱したインジウム２０ｂを封着材として用いるため、前面基板２および背面基板４も比較的高温に設定される。このとき、良好な接合状態を得るためには、前面基板２と背面基板４の温度が均一であることが重要であり、前面基板２と背面基板４との間に温度差があると、熱応力等により良好な接合状態が得られない。

特に、前面基板２にゲッター膜を形成する際に、ヒータの上で待機している背面基板４との間に温度差が生じるため、この温度差を解消するため前面基板２の温度を背面基板４の温度まで加熱して両者の温度を均一にする必要がある。

また、１枚の基板に着目すると、基板全面に亘って温度を均一に設定することが重要であり、基板内で温度が不均一になると、基板に歪みを生じてしまう。高精度な位置決めが必要とされる前面基板２或いは背面基盤４に歪みを生じると、両者を高精度に位置決めできなくなり表示パネル１０の信頼性を損なうことになる。

図４には、この発明の第１の実施の形態に係る温度制御装置１００（温度検出装置）（以下、単に、装置１００と称する）の概略構造を模式的に示してある。この装置１００は、前面基板２（被検体）および背面基板４（被検体）の温度を検出して両者の温度を均一に制御し、上述した不具合を防止するようにしたものである。

装置１００は、上述したように、蛍光体スクリーン１２、およびメタルバック１４を有する前面基板２、および、電子放出素子１６、配線１８、側壁６、およびスペーサ８を有する背面基板４を互いに対向させて収容配置する真空チャンバ３０を有する。真空チャンバ３０内には、この発明の加熱／冷却部として機能する上ヒータ３２、および下ヒータ３４が上下に離間して配置されている。上ヒータ３２の図中下面には前面基板２の背面が密着されて取り付けられており、下ヒータ３４の図中上面には背面基板４の背面が密着されて取り付けられている。なお、ここでは、図示簡略化のため、蛍光体スクリーン１２、メタルバック１４、電子放出素子１６、配線１８、および側壁６の図示を省略してある。

また、真空チャンバ３０の外側には、真空チャンバ３０内を真空引きするためのポンプ３６が取り付けられている。さらに、真空チャンバ３０の外側で図中上方に離間した位置には、この発明の検出部として機能する複数台のカメラ３８が設けられている。各カメラ３８は、真空チャンバ３０の図示しない透明なビューポートを通して、真空チャンバ３０内に配置された前面基板２に形成された複数のマークＭ、および背面基板４に形成された複数のマークＭを撮影して各マークＭの位置を非接触で検出する。なお、各基板２、４に形成された複数のマークＭは、それぞれ互いに離間した位置に形成されており、例えば各基板の４角にそれぞれ形成されている。

図５には、上記構造の装置１００による処理動作を制御する制御系のブロック図を示してある。装置１００は、上述した複数台のカメラ３８、上ヒータ３２、および下ヒータ３４の他に、制御部４０、演算部４２、および記憶部４４を有する。

記憶部４４は、各基板２、４を予め決定した基準温度に設定した状態で予め計測したマークＭ間の距離を基準値として記憶している。３つ以上のマークＭがある場合、記憶部４４は、基準温度における各マーク間の距離をそれぞれ測定して基準値として記憶している。

演算部４２は、カメラ３８を介して検出した各マークＭの位置情報に基づいて、マークＭ間の距離を算出する。また、演算部４２は、演算したマークＭ間の距離を記憶部４４に予め記憶されている基準値と比較し、この比較結果およびガラス基板の熱膨張率に基づいて当該ガラス基板の温度を算出する。

制御部４０は、演算部４２における演算結果、すなわち基板の温度に基づいて、上ヒータ３２、および下ヒータ３４を制御し、前面基板２および背面基板４の温度を所望する温度に制御する。

上記装置１００を動作させて前面基板２と背面基板４の温度を均一に制御する場合、まず、複数台のカメラ３８によって前面基板２の複数のマークＭおよび背面基板４の複数のマークＭの位置を検出する。そして、演算部４２にて、各基板毎にそれぞれのマークＭ間の距離を演算し、記憶部４４に記憶されている基準値とそれぞれ比較する。

このとき、例えば、演算部４２で演算したマークＭ間の距離が基準値より小さい場合、制御部４０は、当該基板の温度が上述した基準温度より低い温度であることを判断できる。また、演算部４２では、演算したマークＭ間の距離および当該基板の熱膨張率に基づいて、当該基板の温度を算出できる。つまり、制御部４０では、各基板の温度を非接触で判断できることになる。そして、制御部４０は、前面基板２と背面基板４の温度が同じ温度になるように、上ヒータ３２、および下ヒータ３４を制御する。

以上のように、本実施の形態によると、前面基板２および背面基板４を収容配置した真空チャンバ３０の外側から非接触でマークＭの位置を検出し、マークＭ間の距離を算出し、基板の熱膨張率および算出結果に基づいて、基板の温度を検出するようにした。つまり、基準温度における基板のマークＭ間の距離を予め測定しておき、カメラ３８で撮影したマークＭ間の距離および熱膨張率に基づいて当該基板の温度を算出するようにした。これにより、ガラス基板の温度を非接触で比較的正確に検出できるようになった。

また、このように、ガラス基板の温度を検出した後、この検出結果に基づいて上ヒータ３２および下ヒータ３４を制御することで、前面基板２および背面基板４の温度を所望する温度に容易に制御できるようになった。

図６には、この発明の第２の実施の形態に係る温度制御装置２００（温度検出装置）（以下、単に、装置２００と称する）の制御系のブロック図を示してある。この装置２００は、前面基板２或いは背面基板４のいずれか一方に着目して、基板全面に亘って温度を均一に制御するためのものである。

装置２００は、上ヒータ３２および下ヒータ３４がそれぞれ４つのヒータを有する以外、上述した第１の実施の形態の装置１００と略同じ構造を有するため、上述した第１の実施の形態の装置１００と同様に機能する構成要素には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。尚、以下の説明では、前面基板２の温度を制御する上ヒータ３２について代表して説明するが、下ヒータ３４も同様に制御される。

例えば、上ヒータ３２は、図７にも示すように、前面基板２の４辺にそれぞれ対向する４つのヒータ５１、５２、５３、５４を有する。４つのヒータ５１〜５４は、それぞれ前面基板２の対応する辺を含む周辺部分を部分的に加熱或いは冷却する。なお、ここで言う冷却とは、ヒータの電源を切ることで基板の対応部分を自然冷却させる状態を指す。つまり、各ヒータ５１〜５４は、前面基板２をそれぞれ別の位置で部分的に加熱する。

上記構造の装置２００を用いて前面基板２の温度を均一にする場合、まず、４角のマークＭをそれぞれカメラ３８で撮影して各マークＭの位置を検出する。そして、演算部４２において、各マークＭ間の距離を算出する。このとき、演算部４２では、隣接する角にある各組のマークＭ間の距離をそれぞれ演算し、記憶部４４に予め記憶されている基準値とそれぞれ比較する。

このとき、例えば、図８に示すように、各組のマークＭ間の距離が不均等である場合、比較的短い部分のヒータを加熱して比較的長い部分のヒータを停止する。図８に示す例では、ヒータ５１に対向する前面基板２の辺、およびヒータ５３に対向する辺が比較的短かく、ヒータ５２、５４に対向する辺が比較的長いため、ヒータ５１、５３をＯＮにしてヒータ５２、５４をＯＦＦにする。そして、各組のマークＭ間の距離が均等になるように、４つのヒータ５１〜５４を選択的に動作させる。なお、このとき、記憶部４４に記憶した基準値に基づいて、前面基板２の各部の温度を任意に設定できるため、上述したように前面基板２の歪みを矯正するとともに前面基板２の温度を所望する温度に制御することもできる。

以上のように、本実施の形態においても、上述した第１の実施の形態と同様に、基板の温度を非接触で検出でき、さらに、１枚の基板に着目した場合における温度分布も大まかに検出できる。このため、基板の温度斑などによる歪みを容易に矯正でき、前面基板２と背面基板４を高精度に位置決めすることができる。

なお、この発明は、上述した実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上述した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、上述した実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせても良い。

例えば、上述した実施の形態では、予め前面基板２および背面基板４を基準温度に設定した状態でマーク間距離を計測して基準値を用意しておき、実際に検出したマーク間距離を基準値とを比較して各基板２、４の温度を検出し、２枚の基板の温度を均一に制御する場合について説明したが、これに限らず、いずれか一方の基板の温度に他方の基板の温度を合わせる場合には、予めマーク間の距離を測定する必要はない。

また、上述した第２の実施の形態では、前面基板２の各辺に対向する４つのヒータ５１〜５４を用いた場合について説明したが、これに限らず、前面基板２の領域をさらに細かく分けてさらに多くのヒータを設けても良い。この場合、基板の温度斑をより細かく矯正できる。

この発明の実施の形態に係るＳＥＤの真空外囲器を示す外観斜視図。 図１の真空外囲器を線分II−IIに沿って切断した断面斜視図。 図２の断面を部分的に拡大して示す部分拡大断面図。 この発明の第１の実施の形態に係る温度制御装置の概略構造を示す模式図。 図５の装置の制御系を示すブロック図。 この発明の第２の実施の形態に係る温度制御装置の制御系を示すブロック図。 図６の装置の前面基板を加熱するヒータの位置を示す概略図。 前面基板に温度斑を生じている場合における検出結果を示す概略図。

符号の説明

１…ＳＥＤ、２…前面基板、４…背面基板、６…側壁、８…スペーサ、１０…真空外囲器（表示パネル）、１２…蛍光体スクリーン、１４…メタルバック、１６…電子放出素子、１８…配線、２０…封着材、３０…真空チャンバ、３２…上ヒータ、３４…下ヒータ、３８…カメラ、４０…制御部、４２…演算部、４４…記憶部、５１〜５４…ヒータ。

Claims (11)

1. 熱膨張可能な被検体に互いに離間して形成された複数のマークを検出する検出部と、
   上記被検体を基準温度に設定した状態で予め測定した上記マーク間の距離を基準値として記憶した記憶部と、
   上記検出部で検出したマーク間の距離を算出して上記記憶部に記憶されている基準値と比較し、この比較結果および当該被検体の熱膨張率に基づいて当該被検体の温度を算出する演算部と、
   を有することを特徴とする温度検出装置。
2. 矩形板状のガラス基板に互いに離間して形成された複数のマークを検出する検出部と、
   上記ガラス基板を基準温度に設定した状態で予め測定した上記マーク間の距離を基準値として記憶した記憶部と、
   上記検出部で検出したマーク間の距離を算出して上記記憶部に記憶されている基準値と比較し、この比較結果および当該ガラス基板の熱膨張率に基づいて当該ガラス基板の温度を算出する演算部と、
   を有することを特徴とする温度検出装置。
3. 上記ガラス基板を収容配置した真空チャンバをさらに有し、
   上記検出部は、上記真空チャンバを開放することなく、該真空チャンバの外から上記複数のマークを撮影して各マークの位置を検出することを特徴とする請求項２に記載の温度検出装置。
4. 熱膨張可能な被検体に互いに離間して形成された複数のマークを検出する検出部と、
   上記被検体を加熱或いは冷却する加熱／冷却部と、
   上記被検体を基準温度に設定した状態で予め測定した上記マーク間の距離を基準値として記憶した記憶部と、
   上記検出部で検出したマーク間の距離を算出して上記記憶部に記憶されている基準値と比較し、この比較結果および当該被検体の熱膨張率に基づいて当該被検体の温度を算出する演算部と、
   この演算部における演算結果に基づいて上記加熱／冷却部を制御し、当該被検体の温度を所望する温度に制御する制御部と、
   を有することを特徴とする温度制御装置。
5. 上記加熱／冷却部は、上記被検体をそれぞれ別の位置で部分的に加熱する複数のヒータを有することを特徴とする請求項４に記載の温度制御装置。
6. 上記複数のマークは、上記複数のヒータが加熱する上記被検体の各部分に対し、互いに離間してそれぞれ２つずつ形成されていることを特徴とする請求項５に記載の温度制御装置。
7. 上記制御部は、上記マークの位置および上記演算結果に基づいて、上記複数のヒータを選択的に制御し、当該被検体の温度を均一に制御することを特徴とする請求項５に記載の温度制御装置。
8. 矩形板状のガラス基板に互いに離間して形成された複数のマークを検出する検出部と、
   上記ガラス基板を加熱或いは冷却する加熱／冷却部と、
   上記ガラス基板を基準温度に設定した状態で予め測定した上記マーク間の距離を基準値として記憶した記憶部と、
   上記検出部で検出したマーク間の距離を算出して上記記憶部に記憶されている基準値と比較し、この比較結果および当該ガラス基板の熱膨張率に基づいて当該ガラス基板の温度を算出する演算部と、
   この演算部における演算結果に基づいて上記加熱／冷却部を制御し、当該ガラス基板の温度を所望する温度に制御する制御部と、
   を有することを特徴とする温度制御装置。
9. 上記加熱／冷却部は、上記ガラス基板をそれぞれ別の位置で部分的に加熱する複数のヒータを有することを特徴とする請求項８に記載の温度制御装置。
10. 上記複数のマークは、上記複数のヒータが加熱する上記ガラス基板の各部分に対し、互いに離間してそれぞれ２つずつ形成されていることを特徴とする請求項９に記載の温度制御装置。
11. 上記制御部は、上記マークの位置および上記演算結果に基づいて、上記複数のヒータを選択的に制御し、当該ガラス基板の温度を均一に制御することを特徴とする請求項９に記載の温度制御装置。

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