JP2006004810A - 平面型表示装置の製造方法および製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】短時間で基板の温度差を解消し、生産性の向上した平面型表示装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 対向配置されているとともに周辺部同士が接合された２枚の基板を備えた平面型表示装置の製造方法において、２枚の基板１１、１２のサイズを検知し、検知した基板サイズと所定サイズとのずれ量を検出する。検出されたずれ量に相当する熱量を基板に供給あるいは基板から除去し、この熱量に応じた基板の熱膨張変化によりずれ量を補正し基板を所定サイズとする。ずれ量を補正した後、基板同士を接合する。
【選択図】 図７

Description

この発明は、対向配置された少なくとも２枚の基板を備えた平面型表示装置の製造方法および製造装置に関する。

近年、陰極線管（以下、ＣＲＴと称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の表示装置が開発されている。このような表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと称する）、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）、表面伝導型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させる表面伝導電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）などがある。

これらの表示装置は、一般に、隙間を置いて対向配置された２枚の基板を備え、これらの基板は周縁部同士を互い接合することにより外囲器を構成している。例えば、ＳＥＤでは、一方の基板の内面に蛍光体層が形成され、他方の基板の内面に電子放出素子が配列されている。（例えば、特許文献１）。

上記のような表示装置の製造工程において、２枚の基板を貼り合わせる封着工程では、２枚の基板を所望の位置関係に正しく合わせてから貼り合わせる必要がある。２枚の基板の相対位置関係がずれている場合、表示画面と表示素子との位置関係がずれ、画像品位の低下を生じる。しかしながら、封着工程およびその前工程においては基板を熱処理することが一般的であり、この際、２枚の基板温度が異なると熱膨張差により位置がずれる問題がある。この問題は、近年の平面型表示装置の大型化にともない顕著なものとなっている。
特開２００２−３１９３４６号

前述の通り、封着工程においては２枚の基板の温度差に起因した位置ずれを生じる。基板間の温度差を緩和しようとする場合、２枚の基板温度が同じ温度になるよう時間をかけて熱処理を加える必要がある。このため、封着工程の時間が長くなり、生産性を低下させる要因となる。

この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、短時間で基板の温度差を解消し、生産性の向上した平面型表示装置の製造方法および製造装置を提供することにある。

上記課題を達成するため、この発明の態様に係る平面型表示装置の製造方法は、対向配置されているとともに周辺部同士が接合された２枚の基板を備えた平面型表示装置の製造方法において、前記２枚の基板のサイズを検知し、前記検知した基板サイズと所定サイズとのずれ量を検出し、前記検出されたずれ量に相当する熱量を前記基板に供給あるいは前記基板から除去し、この熱量に応じた基板の熱膨張変化により前記ずれ量を補正し前記基板を前記所定サイズとし、前記ずれ量を補正した後、前記基板同士を接合することを特徴としている。

この発明の他の態様に係る平面型表示装置の製造装置は、対向配置されているとともに周辺部同士が接合された２枚の基板を備えた平面型表示装置の製造装置において、前記２枚の基板のサイズを検知するサイズ検知手段と、前記検知した基板サイズと所定サイズとのずれ量に相当する熱量を前記基板に供給あるいは前記基板から除去し、この熱量に応じた基板の熱膨張変化により前記ずれ量を補正し前記基板を前記所定サイズとする熱量制御手段と、を備えたことを特徴としている。

上記製造方法および製造装置によれば、２枚の基板の温度差が無くなるまで時間をかけるのではなく、積極的に基板温度差を基板サイズから検知し、補正熱量を基板に供給あるいは除去することで、時間をかけることなく基板温度差を解消するものである。これにより、極めて短時間のうちに２枚の基板サイズを熱的に補正し、生産性を高めることができる。

この発明によれば、短時間で基板の温度差を解消し、生産性の向上した平面型表示装置の製造方法および製造装置を提供するができる。

以下図面を参照しながら、この発明を、平面型表示装置として、ＳＥＤに適用した第１の実施形態について詳細に説明する。
図１および図２に示すように、ＳＥＤは、平面基板として、それぞれ矩形状のガラス板からなる第１基板１１および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて対向配置されている。第１基板１１および第２基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１３を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された扁平な真空外囲器１０を構成している。

接合部材として機能する側壁１３は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２３により、第１基板１１の周縁部および第２基板１２の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。

真空外囲器１０の内部には、第１基板１１および第２基板１２に加わる大気圧荷重を支えるため、例えば、ガラスからなる複数の板状の支持部材１４が設けられている。これらの支持部材１４は、真空外囲器１０の長辺と平行な方向に延在しているとともに、短辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、支持部材１４の形状については特にこれに限定されるものではなく、柱状の支持部材を用いてもよい。

第１基板１１の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン１５が形成されている。図３に示すように、蛍光体スクリーン１５は、赤、青、緑に発光する矩形状の蛍光体層１６、および蛍光体層間に位置した遮光層１７を並べて構成されている。蛍光体層はストライプ状あるいはドット状に形成してもよい。蛍光体スクリーン１５上には、アルミニウム等からなるメタルバック２０およびゲッター膜２２が順に形成されている。

第２基板１２の内面には、蛍光体スクリーン１５の蛍光体層１６を励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。第２基板１２の内面上には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引出されている。

上記のように構成されたＳＥＤは、第１基板１１のメタルバック２０に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。電圧供給部は、例えば、メタルバック２０に１０ｋＶの電圧を印加する。ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１５およびメタルバック２０にアノード電圧が印加され、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン１５の各蛍光体層へ衝突させる。これにより、所望の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。

上記構成の場合、第１基板１１および第２基板１２の位置関係のずれは、画像特性の劣化を引き起こす。本実施形態は、５０インチクラスの大型高精細ＳＥＤに適用した。基板サイズは１２００mm×８００mm、厚さは３mmである。第１基板１１と第２基板１２との位置ずれは、画像表示領域内の全素子を対象として最大５０μｍである。

次に、以上のように構成されたＳＥＤの製造方法について説明する。
まず、蛍光体スクリーン１５およびメタルバック２０が設けられた第１基板１１と、電子放出素子１８および配線２１が設けられているとともに側壁１３および支持部材１４が接合された第２基板１２と、を用意する。

続いて、第１および第２基板１１、１２を所定間隔離して対向配置し、この状態で、真空処理装置内に投入する。ここでは、例えば図４に示すような真空処理装置１００を用いる。真空処理装置１００は、並んで配設されたロード室１０１、ベーキング室１０２、冷却室１０３、ゲッター膜の蒸着室１０４、組立室１０５、冷却室１０６、およびアンロード室１０７を備えている。組立室１０５には、後述するヒーターおよび補助ヒーターに通電する電源１２０と、この電源を制御する電源制御部１２２とが接続されている。真空処理装置１００の各室は、真空処理が可能な処理室として構成され、ＳＥＤの製造時には全室が真空排気されている。これら各処理室間は図示しないゲートバルブ等により接続されている。

まず、第１および第２基板１１、１２は、ロード室１０１に投入する。ロード室１０１内を真空排気して真空雰囲気とした後、第１および第２基板１１、１２をベーキング室１０２へ送り、ここで３５０℃程度に昇温する。これにより、各種部材に吸着した分子を脱離させる。同時にベーキング室１０２に設けられた図示しない電子線発生装置から電子線を、第１基板１１の蛍光体スクリーン面、および第２基板１２の電子放出素子面に照射する。その際、電子線発生装置外部に装着された偏向装置によって電子線を偏向走査することにより、蛍光体スクリーン面および電子放出素子面の全面をそれぞれ電子線洗浄する。

続いて、第１および第２基板１１、１２を冷却室１０３に送り、約１００℃まで冷却した後、蒸着室１０４へ投入する。蒸着室１０４では、メタルバック２０の外側にゲッター膜２２として例えば、バリウム膜が蒸着形成される。次に、第１および第２基板１０、１２を組立室１０５に送り、２枚の基板を位置合わせした後に封着材により貼り合わせる。こうして完成した真空外囲器１０は冷却室１０６に送られ、常温まで冷却されて、アンロード室１０７から取り出される。

なお、組立室１０５では、封着材として導電性を有したインジウムを使用し、これに電流を流すことで生じるジュール熱で２枚の基板を封着している。この方法によれば、封着材のみを局所的に加熱し、ほとんど基板の熱膨張を生じなくなる。また、加熱された封着材の熱は速やかに基板に伝導し、加熱冷却にかかる時間を大幅に短縮することができる。

上記製造方法において、電子放出素子１８と蛍光体層１６との位置関係は、上述した封着工程により決定される。封着工程の前処理において、第１および第２基板１１、１２は加熱された後、両基板とも１００℃に冷却されるが、実際の製造工程では基板温度や温度分布のばらつきから第１および第２基板に熱膨張差が生じ、様々なパターンで基板間の位置ずれが生じる。

図５に、基板の位置ずれの例を示している。図５では、第１基板１１上の蛍光体層１６の内、画像表示領域のコーナー端に位置した蛍光体層１６を破線２６でつないで示し、同じく第２基板１２上の電子放出素子１８の内、画像表示領域のコーナー端に位置した電子放出素子を実線２４でつないで示している。この場合、第１基板１１に対して第２基板１２が全体的に小さい状態、すなわち第２基板の温度が低い状態にある。また、上辺より下辺、右辺より左辺でより第２基板のサイズが小さい非対称の歪みも生じている。

図６は、ある温度差を持った２枚の基板を封着工程に送り、時間経過にともなう基板温度変化を評価した結果を示している。一点鎖線Ｔ１は第１基板温度、点線Ｔ２は第２基板温度、実線Ｔ３は両者の温度差である。

封着工程を行う組立室１０５では、２枚の基板１１、１２を外側から包むように上下にヒーターが設置され、これらのヒーターの温度は２枚の基板が平衡状態で１００℃になるように設定されている。このため、両基板の温度は時間経過とともに１００℃に近づき、両者の温度差は０℃に近づく。しかしながら、平衡に向かうための熱量の移動は温度差に起因するため、基板間の温度差が小さくなるほど移動する熱量が少なくなり、結果的に温度変化が鈍くなる。

５０インチの基板を用いた場合、相対温度差１℃により１０μｍ近くの位置ずれを生じる。このため、第１基板と第２基板との温度差は５℃以内、望ましくは３℃以内に抑制する必要がある。ところが、通常の製造装置では、受入の基板温度のばらつきが１０℃程度あるため、２枚の基板間の温度差を５℃以内とするのに１４分、３℃以内とするのに２３分程度掛かってしまう。

これを解決するため、本実施形態では、組立室１０５にサイズ検知手段と熱量制御手段とを設けている。すなわち、図７に示すように、組立室１０５は真空処理槽３０を備えている。真空処理槽３０内には、第１基板１１および第２基板１２を保温するパネル状のヒーター３１、３２がそれぞれ基板の外側に対向して配置されている。ヒーター３１、３２は、第１および第２基板１１、１２を平衡状態で１００℃に保つように温度制御されている。

図７および図８に示すように、基板と対向したヒーター３１、３２の内面には、補助ヒーター３３、３４がそれぞれ設置されている。通常、補助ヒーター３３、３４は基板を平衡状態で１００℃に保つように温度制御されている。補助ヒーター３３、３４は瞬時に昇温できるように熱容量の小さいランプヒーターもしくはシースヒーターで構成されている。また、補助ヒーター３３、３４は、基板のほぼ全面と対向するように複数ずつ設けられている。補助ヒーター３３、３４は熱量制御手段を構成している。

真空処理槽３０の上壁には窓３７ａ、３７ｂが設けられ、これらの窓に対向して２つのカメラ３５ａ、３５ｂが設けられている。上側のヒーター３１には２つの透孔３８ａ、３８ｂが形成され、それぞれ窓３７ａ、３７ｂと対向している。そして、カメラ３５ａ、３５ｂにより、窓３７ａ、３７ｂおよび透孔３８ａ、３８ｂを介して、第１基板１１の短辺中央に位置した画像表示領域端部を見ることができる。同様に、真空処理槽３０の下壁には窓４０ａ、４０ｂが設けられ、これらの窓に対向して２つのカメラ３６ａ、３６ｂが設けられている。下側のヒーター３２には２つの透孔４２ａ、４２ｂが形成され、それぞれ窓４０ａ、４０ｂと対向している。そして、カメラ３６ａ、３６ｂにより、窓４０ａ、４０ｂおよび透孔４２ａ、４２ｂを介して、第２基板１２の短辺中央に位置した画像表示領域端部を見ることができる。これらのカメラ、窓部、および透孔は、サイズ検知手段を構成している。

組立室１０５に送られてきた第１基板１１の基板サイズは、カメラ３５ａ、３５ｂによって基板短辺中央部の位置をそれぞれ測定し、これらの測定位置間の距離により、画像表示領域長辺サイズとして検知する。同様に、第２基板１２の基板サイズは、カメラ３６ａ、３６ｂによって基板短辺中央部をそれぞれ検知することにより、画像表示領域長辺サイズとして検知する。サイズ検知に要する時間は３０秒程度である。

検知された第１基板１１の画像表示領域長辺サイズと、第２基板１２の画像表示領域長辺サイズとを比較し差がある場合、この差から第１基板１１と第２基板１２との温度差を検出することができる。続いて、この温度差を補正するのに必要な熱量を補助ヒーター３３、３４から第１および第２基板１１、１２の少なとも一方に供給する。ここでは、温度の低い方の基板に、対応する補助ヒーター３３あるいは３４から熱量を供給して加熱し、温度差を補正する。補助ヒーター３３、３４は熱容量の小さいランプヒーターもしくはシースヒーターで構成されているため、温度差を補正するのに要する熱量を極めて短時間のうち供給することができる。１０℃以内の温度上昇であれば３０秒程度で所望の基板温度とすることができ、その後の基板温度変化もほとんど生じない。そして、この熱量に応じた基板の熱膨張変化により長辺サイズの差を補正し、第１および第２基板１１、１２間の位置ずれを補正する。

例えば、図５に示したように、第２基板１２の画像表示領域長辺サイズが第１基板１１の画像表示領域長辺サイズよりも小さい場合、カメラ３５ａ、３５ｂ、３６ａ、３６ｂにより検知し、第２基板１２の温度が第１基板１１よりも低いことを検知する。この場合、図９に示すように、補助ヒーター３４により第２基板１２を加熱し、第１基板との温度差を補正する。加熱により第２基板を熱膨張させ、長辺サイズを第１基板の長辺サイズと一致させることにより、基板間の位置ずれを補正する。位置ずれを補正した結果を図１０に示す。図に示すように、第１および第２基板１１、１２の画像表示領域短辺中央部の長辺サイズは、ほぼ一致し、第１基板１１の画像表示領域２４と第２基板１２の画像表示領域２６との位置ずれが軽減されている。

以上のように構成された製造方法および製造装置によれば、１分程度の短時間で２枚の基板間の温度差を３℃以内とし、基板間の位置ずれを補正することができる。従って、製造効率向上の上で問題となる封着工程の処理時間を大幅に短縮することができ、生産性の向上した平面型表示装置の製造方法および製造装置が得られる。同時に、表示品位の向上した画像表示装置を得ることができる。

上述した第１の実施形態では、封着工程において、２枚の基板のうち低温の基板のみに熱量を供給し、高温の基板に合わせる処理としたが、２枚の基板に熱量を供給し、さらに高温の所望の温度に合わせる構成としてもよい。特にＰＤＰのようにフリットガラスで基板を封着する構成では、封着処理自体が熱処理工程となる。この場合、封着熱処理ピークもしくは封着材が固着する温度を目標温度と定め、２枚の基板の温度を封着熱処理前の温度から目標温度に昇温する過程で、各々の基板に供給する熱量を制御し、目標温度での２枚の基板温度差を解消する構成としてもよい。
もちろん、目標温度が冷却途上にある場合でも、一方の基板に熱量を供給することで冷却速度を鈍らせ、加熱昇温時と同様に２枚の基板の温度差を補正することが可能である。

第１の実施形態において、熱量制御手段として熱量を供給する補助ヒーターを用いたが、基板から熱量を除去する手段、例えば、クーラー、冷却板等を用いてもよい。図１１に示すように、この発明の第２の実施形態によれば、補助ヒーターに代えて、ヒーター３１と第１基板１との間、およびヒーター３２と第２基板１２との間には、それぞれ冷却板４６、４７が設けられている。冷却板４６、４７は、基板とほぼ等しい大きさに形成されているとともに、ヒーター３１、３２と基板との間に出し入れ自在に設けられている。第２の実施形態において、他の構成は第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。

第２の実施形態によれば、カメラによって検知された第１基板１１の画像表示領域長辺サイズと、第２基板１２の画像表示領域長辺サイズとに差がある場合、この差に基づいて第１基板１１と第２基板１２との温度差を検出する。続いて、この温度差を補正するのに必要な熱量を冷却板４６、４７により第１および第２基板１１、１２の少なとも一方から除去する。ここでは、温度の高い方の基板、例えば、第１基板１１と対応するヒーター３１との間に冷却板４６を挿入し数秒間保持する。これにより、冷却板４６によって第１基板１１から温度差に相当する熱量を吸収する。その結果、熱量に応じた第１基板１１の熱膨張変化により長辺サイズを第２基板の長辺サイズと一致させ、第１および第２基板１１、１２間の位置ずれを補正する。なお、他方の冷却板４７は、第１および第２基板１１、１２から離れた位置に移動させておく。

以上のように構成された製造方法および製造装置においても、短時間で２枚の基板間の温度差を無くし、基板間の位置ずれを補正することができる。従って、封着工程の処理時間を大幅に短縮することができ、生産性の向上した平面型表示装置の製造方法および製造装置が得られる。

図１２に示す第３の実施形態のように、サイズ検知手段および熱量制御手段は、例えば、ゲッター膜の蒸着室１０４のような封着工程よりも前の処理位置に設置してもよい。補助ヒーター３３はヒーター３１に組み込まれている必然性はなく、ヒーター３１と別の位置で基板１１と対向して配置されていてもよい。なお、第３の実施形態において、他の構成は第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。

上記構成によれば、封着工程の前に、第１および第２基板間の温度差ばらつきを補正しておくことができる。封着工程よりも前の処理位置で基板サイズのばらつきを補正する場合、第１基板および第２基板を向かい合わせに配置しておく必要が無く、第１基板のみ、もしくは第２基板のみに対して独立にサイズ検知と熱量供給を行うことができる。また、２枚の基板が隣接対向した状態で補助ヒーターから一方の基板に補正熱量を供給した場合、この補正熱量は他方の基板へも伝搬されるが、第２の実施形態によれば、このような補正熱量の伝搬がなく、安定した温度制御ができる。

次に、この発明の第４の実施形態に係る製造方法および製造装置について説明する。図１３に示すように、第４の実施形態によれば、サイズ検知手段として、基板の画像表示領域端の４コーナーをそれぞれ撮像する４つのカメラ５２が設けられている。基板と対向して設けられるパネル状のヒーター３１、３２には、それぞれカメラ５２に対向した透孔が形成されている。そして、各カメラ５２により基板の４辺毎のサイズを検知する。補助ヒーター５１は、基板の４辺とそれぞれ対向して４つ設けられている。
第４の実施形態において、他の構成は第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。

このような構成によれば、２枚の基板の各辺毎にサイズの差を検知し、各辺毎の基板温度差を補正することが可能となる。これにより、図５に示したような基板間の非対称な位置ずれ成分を、基板の各辺毎に最適に補正することができる。
なお、補助ヒーター５１は基板周辺部と対向する位置に配置されているが、必要に応じて、基板の封着部と対向して、あるいは封着部を避けた領域と対向して配置してもよい。また、ヒーター３１、３２と補助ヒーター５１は本来分離する必要はなく、レスポンスの問題が無ければ両者を合体してヒーター自体をサイズ検知データに基づきダイナミックに制御してもよい。

本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
上述した実施形態では、サイズ検知手段としてカメラを用いたが、他の手段を用いてサイズを検知してもよい。たとえば、レーザー変位計を用いて基板端面の位置を測定して基板サイズを検知するシステムや、基板端面に接触式変位計の接触子を当てて基板サイズを検知するシステムを用いてもよい。

熱量制御手段は、ランプヒーターやシースヒーターに限らず、レスポンスの早いヒーターであれば特に限定するものでは無い。また、上述した実施形態のように真空を必要とする場合、熱量制御手段は輻射熱によるヒーターが主体となるが、大気圧に近い雰囲気中で基板の温度補正、サイズ補正を行う場合、温風ヒーターもしくは冷風クーラーが熱量制御手段として適している。特に、ＰＤＰのようなフリットガラスにより封着を行う場合、封着熱処理の昇降温度をサイズ検知手段で検知し、これを熱量制御手段で制御するシステムを構成してもよい。この場合、基板の貼り合わせ精度を向上できるとともに、パネルの反りを大幅に改善することが可能となる。

その他、この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置にも適用可能である。

この発明の第１の実施形態に係る製造方法および製造装置により製造されるＳＥＤを示す斜視図。 図１の線Ａ−Ａに沿って破断した前記ＳＥＤの斜視図。 前記ＳＥＤの蛍光体スクリーンを示す平面図。 前記ＳＥＤの製造工程に用いる真空処理装置を概略的に示す平面図。 製造工程において、ＳＥＤを構成する２枚の基板の位置ずれ状態を概略的に示す図。 製造工程において、ＳＥＤを構成する２枚の基板の温度変化を示す図。 前記製造装置を拡大して示す断面図。 前記製造装置におけるヒーターおよび補助ヒーターを示す平面図。 製造工程において、ＳＥＤを構成する２枚の基板の温度変化を示す図。 前記２枚の基板の位置ずれを補正した状態を示す平面図。 この発明の第２の実施形態に係る製造装置を概略的に示す断面図。 この発明の第３の実施形態に係る製造装置を概略的に示す断面図。 この発明の第４の実施形態に係る製造装置を概略的に示す断面図。

符号の説明

１０…真空外囲器、 １１…第１基板、 １２…第２基板、 １３…側壁、
１５…蛍光体スクリーン、 １７…蛍光体層、 １８…電子放出素子、
３０…真空処理槽、 ３１、３２…ヒーター、 ３３、３４、５１…補助ヒーター、
３５ａ、３５ｂ、３６ａ、３６ｂ、５２…カメラ、 ４６、４７…冷却板

Claims (20)

1. 対向配置されているとともに周辺部同士が接合された２枚の基板を備えた平面型表示装置の製造方法において、
   前記２枚の基板のサイズを検知し、
   前記検知した基板サイズと所定サイズとのずれ量を検出し、
   前記検出されたずれ量に相当する熱量を前記基板に供給あるいは前記基板から除去し、この熱量に応じた基板の熱膨張変化により前記ずれ量を補正し前記基板を前記所定サイズとし、
   前記ずれ量を補正した後、前記基板同士を接合することを特徴とする平面型表示装置の製造方法。
2. 前記２枚の基板の各々について、基板サイズを検知して各基板に対応する所定サイズとのずれ量を検出し、前記検出されたずれ量に相当する熱量を各基板に供給あるいは除去し、この熱量に応じた基板の熱膨張変化により前記ずれ量を補正し各基板を前記所定サイズとすることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置の製造方法。
3. 前記検知された２枚の基板の一方の基板サイズを上記所定サイズとし、他方の基板の基板サイズと所定サイズとのずれ量に相当する熱量を前記他方の基板に供給あるいは前記他方の基板から除去することを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置の製造方法。
4. 前記所定サイズを、前記２枚の基板を貼り合わせる際の封着材の溶融温度もしくは固着温度に基づいて決定することを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置の製造方法
5. 前記基板の少なくとも２点の位置を測定し、測定した２点間の距離により前記基板サイズを検知することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の平面型表示装置の製造方法。
6. 前記基板の少なくとも４コーナーの位置を測定し、各測定点間の距離により前記基板の各辺毎のサイズを検知することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の平面型表示装置の製造方法。
7. 真空雰囲気中で前記２枚の基板を貼り合わせることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の平面型表示装置の製造方法。
8. 大気圧近傍の雰囲気中で前記２枚の基板を貼り合わせることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の平面型表示装置の製造方法。
9. 対向配置されているとともに周辺部同士が接合された２枚の基板を備えた平面型表示装置の製造装置において、
   前記２枚の基板のサイズを検知するサイズ検知手段と、
   前記検知した基板サイズと所定サイズとのずれ量に相当する熱量を前記基板に供給あるいは前記基板から除去し、この熱量に応じた基板の熱膨張変化により前記ずれ量を補正し前記基板を前記所定サイズとする熱量制御手段と、
   を備えた平面型表示装置の製造装置。
10. 前記サイズ検知手段は、前記基板の複数位置を測定するカメラを備えていることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置の製造装置。
11. 前記サイズ検知手段は、レーザーにより基板の一部を測定するシステムを備えていることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置の製造装置。
12. 前記サイズ検知手段は、接触子で基板の一部を測定するシステムを備えていることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置の製造装置。
13. 前記熱量制御手段は、前記基板に対して輻射熱を発生するヒーターを備えていることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置の製造装置。
14. 前記熱量制御手段は、前記基板から輻射熱を吸収するクーラーを備えていることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置の製造装置。
15. 前記熱量制御手段は、伝熱により基板と熱量を交換するヒーターあるいはクーラーを備えていることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置の製造装置。
16. 前記熱量制御手段は、温風ヒーターあるいは冷風クーラーを備えていることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置の製造装置。
17. 前記熱量供給手段は、ランプヒーターを備えていることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置の製造装置。
18. 前記熱量供給手段は、シースヒーターを備えていることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置の製造装置。
19. 前記熱量供給手段は、それぞれ供給する熱量を制御可能な複数のヒーターを備えていることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置の製造装置。
20. 前記熱量供給手段は、前記基板の４つの辺近傍にそれぞれ設置され、基板の辺毎に供給する熱量を制御可能なヒーターを備えていることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置の製造装置。

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