JP2005353313A - 画像表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高い気密性を保持できるとともに量産性に適した画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像表示装置の真空外囲器は、隙間を置いて対向配置された前面基板11および背面基板と、前面基板および背面基板の周縁部間に配設され、封着材により前面基板および背面基板に封着された枠体13と、を備えている。枠体は、複数の枠部材13a、13bを接合して形成され、少なくとも2つの繋ぎ目を有している。
【選択図】 図4

Description

この発明は、対向配置された一対の基板と、基板間に配設された枠体とを有した平坦な形状の画像表示装置に関する。
近年、陰極線管(以下、CRTと称する)に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が開発されている。このような画像表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ(以下、LCDと称する)、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称する)、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ(以下、FEDと称する)、更に、FEDの一種として、表面伝導型の電子放出素子を用いた表面伝導電子放出ディスプレイ(以下、SEDと称する)などがある。
例えばFEDでは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形状の枠体を介して周辺部同士を互いに接合することにより真空の外囲器を構成している。前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面には蛍光体を励起して発光させる電子放出源として多数の電子放出素子が設けられている。
また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には複数の支持部材が配設されている。背面基板側の電位はほぼアース電位であり、蛍光面にはアノード電圧が印加される。そして、蛍光体スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体に多数の電子放出素子から放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させることによって画像を表示する。
このような表示装置では、表示装置の厚さを数mm程度にまで薄くすることができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されているCRTと比較し、軽量化、薄型化を達成することができる。
上記FEDでは、外囲器の内部を高真空にすることが必要となる。外囲器を真空にする手段として、外囲器を構成する前面基板と背面基板との最終組み立てを真空槽内にて行う方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。上記の方法では、封着材として、封着、封止一括処理に適したIn等の低融点金属材料が用いられている。このような方法で作成された真空外囲器は、封着工程および真空封止工程を兼ねるうえ、排気管を用いて外囲器内を排気する場合のような時間を必要とせず、かつ、極めて良好な真空度を得ることができる。
しかし、ガラスの枠体は高価であることや、枠体と一方の基板を予め大気中で接合する工程を含んでいることから製造コストが高いことなどの問題が残っていた。これらの問題を解決する手段として、金属製の枠体を用いて基板と枠体との接合を真空槽内で同時に行う方法が提案されている(例えば、特許文献2)。この場合、Inに通電することでInを溶融させ封着を行う。
特開2001−229825号 特開2003−068238号
上記のように、基板および枠体を真空雰囲気中で封着する場合、枠体が少しでも変形すると、真空ベーキング時、溶融したInが枠枠の変形状態に倣って移動し、Inの高さ、厚さにバラツキが発生する。この状態で通電加熱封着をすると、Inが全領域において同時に溶融することができず、封着時間の超過により量産性が低下する。また、局所的な過剰発熱でInの濡れ性が劣化し、封着不良による真空リークや、熱歪応力増大による基板破壊が発生することがある。
更に、枠体を封着工程から投入した場合、通電加熱によるIn溶融直後に、上下の基板から固体Inを介して押圧されていた枠体が自由状態となる。この際、Inの移動が生じ、上記と同様な問題が発生してしまう。そのため、大型の表示装置に用いられる枠体を、封着位置に合わせて高い精度で加工する技術が必要となる。また、枠体は細く、かつ、剛性が低いため、設計通りの枠体ができたとしても、取扱いが面倒であり、基板封着用の真空槽へ投入する前の搬送時に変形する虞がある。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、高い気密性を保持できるとともに量産性に適した平面型の画像表示装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板と、前記前面基板および背面基板の周縁部間に配設され、封着材により前記前面基板および背面基板に封着された枠体と、を備え、前記枠体は、複数の枠部材を接合して形成され、少なくとも2つの繋ぎ目を有している。
本発明によれば、高い気密性を保持できるとともに量産性に適した平面型の画像表示装置を提供することができる。
以下、図面を参照しながら、この発明の画像表示装置をFEDに適用した実施形態について詳細に説明する。
図1および図2に示すように、このFEDは、絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラスからなる前面基板11、および背面基板12を備え、これらの基板は約1.5〜3.0mmの隙間を置いて対向配置されている。前面基板11および背面基板12は、側壁として機能する矩形状の枠体13を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された偏平な矩形状の真空外囲器10を構成している。
真空外囲器10の内部には、前面基板11および背面基板12に加わる大気圧荷重を支えるため、複数の板状の支持部材14が設けられている。これらの支持部材14は、真空外囲器の長辺と平行な方向に延在しているとともに、短辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。支持部材14の形状については特にこれに限定されるものではなく、柱状の支持部材を用いてもよい。
図2および図3に示すように、前面基板11の内面上には蛍光体スクリーン16が形成されている。この蛍光体スクリーン16は、マトリクス状に配列されているとともにそれぞれ赤、青、緑の3色に発光する矩形状の蛍光体層R、G、B、およびこれらの蛍光体層間に位置した遮光層20を有している。蛍光体スクリーン16上には、例えば、アルミニウムで形成されたメタルバック17およびゲッタ膜19が順に重ねて形成されている。
背面基板12の内面上には、蛍光体層R、G、Bを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の電界放出型の電子放出素子22が設けられている。これらの電子放出素子22は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。
蛍光体スクリーン16には高電圧が印加されるため、前面基板11、背面基板12、および支持部材14用の板ガラスには、高歪点ガラスが使用されている。図2および図4に示すように、枠体13は、複数、例えば、2つの枠部材13a、13bによって構成されている。枠部材13a、13bは、それぞれほぼL字形状に形成されているとともに各端部は、直線部に対して約45度外側へ折り曲げられている。枠部材13a、13bは、それぞれ断面が円形の金属棒あるいはワイヤにより形成され、表面に銀メッキ層15が形成されている。これらの枠部材13a、13bは、それぞれ端部同士を突き合わせた状態で配置され、共同して矩形状の枠体13を構成している。枠部材13a、13bの端部同士は、前面基板11の表面と平行な方向に沿って重ねて配置されている。前面基板11と枠体13との間、および背面基板12と枠体13との間は、封着面上に形成された下地層31とこの下地層上に形成されたインジウム層32とが融合した封着層33によって封着されている。また、枠部材13a、13bの端部同士はインジウム(In)により封着されている。
次に、上記のように構成されたFEDの製造方法について詳細に説明する。
まず、前面基板11となる板ガラスに蛍光体スクリーン16を形成する。これは、前面基板11と同じ大きさの板ガラスを準備し、この板ガラスにプロッターマシンで蛍光体層のストライプパターンを形成する。この蛍光体ストライプパターンを形成された板ガラスと前面基板用の板ガラスとを位置決め治具に載せて露光台にセットすることにより、露光、現像して蛍光体スクリーン16を生成する。
続いて、背面基板用の板ガラスに電子放出素子22を形成する。この場合、板ガラス上にマトリックス状の導電性カソード層を形成し、この導電性カソード層上に、例えば熱酸化法、CVD法、あるいはスパッタリング法により二酸化シリコン膜の絶縁膜を形成する。その後、この絶縁膜上に、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法によりモリブデンやニオブなどのゲート電極形成用の金属膜を形成する。次に、この金属膜上に、形成すべきゲート電極に対応した形状のレジストパターンをリソグラフィーにより形成する。このレジストパターンをマスクとして金属膜をウェットエッチング法またはドライエッチング法によりエッチングし、ゲート電極28を形成する。
次いで、レジストパターン及びゲート電極をマスクとして絶縁膜をウェットエッチングまたはドライエッチング法によりエッチングして、キャビティ25を形成する。そして、レジストパターンを除去した後、背面基板表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビーム蒸着を行うことにより、ゲート電極28上に、例えばアルミニウムやニッケルからなる剥離層を形成する。この後、背面基板表面に対して垂直な方向から、カソード形成用の材料として、例えばモリブデンを電子ビーム蒸着法により蒸着する。これによって、各キャビティ25の内部に電子放出素子22を形成する。続いて、剥離層をその上に形成された金属膜とともにリフトオフ法により除去する。
電子放出素子22を形成した後、背面基板12上に複数の支持部材14を配置する。続いて、枠体13を構成する2本の枠部材13a、13bを形成する。各枠部材13a、13bは、断面が円形の金属棒を枠体13のサイズに合わせてほぼL字形状に折り曲げて形成する。各枠部材13a、13bは、例えば、前面基板および背面基板を構成するガラスパネルと熱膨張係数がほぼ等しいNiFe合金により形成されている。
次に、各枠部材13a、13bの表面を銀メッキ処理する。この場合、まず、NiFe合金の丸棒を純水およびアルコールで洗浄して乾燥させる。そして、メッキ液槽に丸棒を入れ、電解メッキ処理により、丸棒の表面に銀メッキ膜を約2〜7μmの厚さで形成する。その後、丸棒を純水およびアルコールで洗浄して乾燥させる。これにより、表面に銀メッキ層15が形成された枠部材13a、13bが得られる。
枠部材13a、13bは、同一寸法、同一形状に形成され、共通部品として扱うことができる。また、枠体13を2つの部品に分わけ構成することで、枠体の加工性、成形性を高めることができる。枠部材の表面を銀メッキ処理することにより、後述する金属封着材と枠部材との親和性が良くなり、気密性の高い封着が可能となる。
続いて、前面基板11の内面周縁部に位置した封着面、および背面基板12の内面周縁部に位置した封着面に、スクリーン印刷法により銀ペーストをそれぞれ塗布し、枠状の下地層31を形成する。続いて、各下地層31の上に、導電性を有した金属封着材としてインジウムを塗布し、それぞれ下地層の全周に亘って延びたインジウム層32を形成する。金属封着材料としては、融点が約350℃以下で密着性、接合性に優れた低融点金属材料を使用することが望ましい。
次に、一方の基板、例えば、前面基板11のインジウム層32上に、第1および第2枠部材13a、13bを載置する。その際、図4に示したように、第1および第2枠部材13a、13bは、端部同士を突き合わせて配置し、矩形状の枠体を形成する。同時に、前面基板11に対して第1および第2枠部材13a、13bを位置合わせする。
続いて、図5に示すように、封着面に下地層31およびインジウム層32が形成された背面基板12と、インジウム層32の上に枠体13が載置された前面基板11とを、封着面同士が向かい合った状態で、かつ、所定の距離をおいて対向した状態に配置する。この際、例えば、前面基板11を上向きとして背面基板12の下方に配置する。この状態で前面基板11および背面基板12を治具等により保持し、真空処理装置に投入する。
図6に示すように、この真空処理装置100は、順に並んで設けられたロード室101、ベーキング、電子線洗浄室102、冷却室103、ゲッタ膜の蒸着室104、組立室105、冷却室106、およびアンロード室107を有している。これら各室は真空処理が可能な処理室として構成され、FEDの製造時には全室が真空排気されている。また、隣合う処理室間はゲートバルブ等により接続されている。
枠体13が載置された前面基板11および背面基板12をロード室101に投入した後、ロード室101内を排気して真空雰囲気とする。次いで、前面基板11および背面基板12はベーキング、電子線洗浄室102へ送られる。べーキング、電子線洗浄室102では、10−5Pa程度の高真空度に達した時点で、背面基板12および前面基板11を300℃程度の温度に加熱してベーキングし、各部材の表面吸着ガスを十分に放出させる。
この温度ではインジウム層(融点約156℃)32が溶融する。しかし、インジウム層32は親和性の高い下地層31上に形成されているため、インジウムが流動することなく、第1および第2枠部材13a、13bはインジウムにより前面基板11に接着される。第1および第2枠部材13a、13b間の繋ぎ目部分にはインジウムが濡れ広がる。なお、枠部材からの放出ガスによりシール性が劣化するため、インジウムと枠部材とを接着する前に枠部材を予めベーキングし、ガス出しを行っておくことが望ましい。但し、ベークプロセスが200度程度以下の場合はその限りでない。以下、枠体13が接着された前面基板11を前面基板側組立体と称する。
べーキング、電子線洗浄室102では、加熱と同時に、図示しない電子線発生装置から、前面基板側組立体の蛍光体スクリーン面、および背面基板12の電子放出素子面に電子線を照射する。この電子線は、電子線発生装置外部に装着された偏向装置によって偏向走査されるため、蛍光体スクリーン面、および電子放出素子面の全面を電子線洗浄することが可能となる。
電子線洗浄後、前面基板側組立体および背面基板12は冷却室103に送られ、例えば約100℃の温度まで冷却される。続いて、前面側組立体および背面基板12はゲッタ膜の蒸着室104へ送られ、ここで蛍光体スクリーンの外側にゲッタ膜としてBa膜が蒸着形成される。Ba膜は、表面が酸素や炭素などで汚染されることが防止され、活性状態を維持することができる。
次に、前面基板側組立体および背面基板12は組立室105に送られる。ここで、前面基板側組立体および背面基板12を重ね合せた状態で、インジウム層32および枠体13に通電してこれらを加熱する。これにより、インジウム層32が再び液状に溶融あるいは軟化され、前面基板側組立体および背面基板12とが枠体13を介して互いに封着され、真空外囲器10が形成される。通電加熱は、例えば、枠体13の繋ぎ目のある角部に電極を配置することで行う。
このようにして形成された真空外囲器10は、冷却室106で常温まで冷却された後、アンロード室107から取り出される。以上の工程により、FEDが完成する。
以上のように構成されたFEDおよびその製造方法によれば、真空雰囲気中で前面基板11、および背面基板12の封着を行なうことにより、ベーキングおよび電子線洗浄の併用によって基板の表面吸着ガスを十分に放出させることができ、ゲッタ膜も酸化されず十分なガス吸着効果を得ることができる。これにより、高い真空度を維持可能なFEDが得られる。
また、枠体13は、複数、例えば、2つの枠部材に分わけ構成されている。そのため、単一部材によって矩形枠状に一体成形された枠体に比較して、枠部材は搬送、組立て等の取扱いが容易であるとともに、搬送時および組立て時の変形を防止することができる。同時に、枠体の加工性、成形性を高めることができる。従って、所望形状の枠体を所定位置に高い精度で封着することができ、その結果、50インチ以上の大型の表示装置であっても、容易にかつ確実に封着でき、高い気密性および量産性が得られる。更に、枠部材の表面を銀メッキ処理することにより、封着材と枠部材との親和性が良くなり、気密性の高い封着が可能となる。
なお、枠部材はNiFe合金に限らず、メッキ処理ができ、かつ、基板との熱膨張係数が比較的近い他の材料を用いてもよい。例えば、Fe、Ni、Ti、ステンレスの何れか含む単体もしくは合金等の導電性を有した金属、あるいはガラス、セラミック等の導電性を持たない材料を用いることができる。また、枠部材の断面形状は、円形に限らず、矩形、楕円形等、必要に応じて変更可能である。更に、枠部材は中実に限らず、中空に形成されていてもよい。メッキ層は、銀に限らず、金、白金、パラジウム、ニッケル等、封着材と濡れ性を確保できるものであれば良い。更に、枠部材の濡れ性を確保でき、真空シールできれば、メッキ層を省略し直接封着材をつけても良い。封着材はインジウムに限らず、インジウム合金、無機接着材等を用いてもよく、真空度を劣化させず、かつ、シール性劣化のないものであれば他の材料をもちいてもよい。
枠体13は、2分割に限らず、3つ以上に分割されていてもよい、つまり、3つ以上の枠部材で構成してもよい。また、枠部材は、L字形状に限らず、直線形状、U字形状等、他の形状としてもよい。各枠部材の端部は、斜めに折り曲げられていても、あるいは、直線状のままのいずれでもよい。
例えば、図7に示す第1の変形例によれば、枠体13は4つの枠部材13a、13b、13c、13dにより構成されている。枠部材13a、13b、13c、13dは、それぞれ直線状に形成され、枠体13の長辺、短辺をそれぞれ構成している。また、各枠部材の両端は、直線部に対してほぼ45度に折曲げられている。枠部材13a、13b、13c、13dは、枠体13の各角部において、端部同士が基板表面と平行な方向に沿って突き合わされている。枠体13の各繋ぎ目は、封着材により封着され、かつ、隙間が埋められている。
枠部材同士の繋ぎ目は、枠体13の角部に限らず、辺上にあってもよい。図8に示す第2の変形例によれば、枠体13は2つの枠部材13a、13bにより構成され、各枠部材はほぼU字形状に形成されている。そして、枠部材13a、13bは、枠体13の長辺部において、端部同士が基板表面と平行な方向に沿って突き合わされている。枠体13の各繋ぎ目は、封着材により封着され、かつ、隙間が埋められている。
図9に示す第3の変形例によれば、枠体13は4つの枠部材13a、13b、13c、13dにより構成され、各枠部材はほぼL字形状に形成されている。枠部材13a、13b、13c、13dは、枠体13の長辺部、短辺部において、端部同士が基板表面と平行な方向に沿って突き合わされている。枠体13の各繋ぎ目は、封着材により封着され、かつ、隙間が埋められている。
図10に示す第4の変形例のように、枠部材の端部同士は、所定幅に渡り基板表面と平行な方向で、かつ、枠体の辺部と直行する方向に重なった状態で互いに連結してもよい。
第1ないし第4の変形例において、FEDの他の構成は前述した実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。第1ないし第4の変形例においても、前述した実施形態と同様の作用効果を得ることができる。基板に対する枠体の位置決めを考慮した場合、枠体は2分割程度が望ましい。逆に、枠部材の搬送性、取扱い易さを考慮した場合、枠体の分割数は多い方が望ましい。
なお、本発明は前記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、前記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
例えば、上述した実施の形態では、電子放出素子として電界放出型の電子放出素子を用いたが、これに限らず、pn型の冷陰極素子あるいは表面伝導型の電子放出素子等の他の電子放出素子を用いてもよい。また、この発明は、プラズマ表示パネル(PDP)、エレクトロルミネッセンス(EL)等の他の画像表示装置の製造にも適用可能である。
この発明の実施形態に係るFEDを一部破断して示す斜視図。 図1の線A−Aに沿った断面図。 前記FEDの蛍光体スクリーンを示す平面図。 前記FEDの前面基板および枠体を示す平面図。 真空装置投入直前の背面基板と枠体を載せた前面基板とを対向配置した状態を示す断面図。 上記FEDの製造に用いる真空処理装置を概略的に示す図。 この発明の第1の変形例に係るFEDの前面基板および枠体を示す平面図。 この発明の第1の変形例に係るFEDの前面基板および枠体を示す平面図。 この発明の第1の変形例に係るFEDの前面基板および枠体を示す平面図。 この発明の第1の変形例に係るFEDの前面基板および枠体を示す平面図。
符号の説明
10…真空外囲器、 11…前面基板、 12…背面基板、 13…枠体、
13a、13b、13c、13d…枠部材、 14…支持部材、
16…蛍光体スクリーン、 22…電子放出素子、 31…下地層、
32…インジウム層、 33…封着層

Claims (14)

  1. 隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板と、
    前記前面基板および背面基板の周縁部間に配設され、封着材により前記前面基板および背面基板に封着された枠体と、を備え、
    前記枠体は、複数の枠部材を接合して形成され、少なくとも2つの繋ぎ目を有している画像表示装置。
  2. 前記枠部材はそれぞれ一対の端部を有し、前記枠部材の端部は、他の枠部材の端部と前記前面基板の表面と平行な方向に沿って互いに重なって接合されている請求項1に記載の画像表示装置。
  3. 前記枠体は、この枠体の各辺部をそれぞれ構成した4つの直線状の枠部材を有している請求項1又は2に記載の画像表示装置。
  4. 前記枠体は、それぞれL字形状に形成された2つの枠部材を有し、2つの枠部材の端部同士は互いに接合され前記枠体の角部を形成している請求項1又は2に記載の画像表示装置。
  5. 前記枠体は、それぞれほぼU字形状に形成された2つの枠部材を有し、2つの枠部材の端部同士は互いに接合され前記枠体の対向する2つの辺部に位置している請求項1又は2に記載の画像表示装置。
  6. 前記枠体は、それぞれL字形状に形成された4つの枠部材を有し、4つの枠部材の端部同士は互いに接合され前記枠体の各辺部にそれぞれ位置している請求項1又は2に記載の画像表示装置。
  7. 前記枠体と前面基板との間、前記枠体と背面基板との間は、それぞれ封着材により封着され、前記枠部材の端部同士は前記封着材により接合されている請求項1ないし6のいずれか1項に記載の画像表示装置。
  8. 前記枠部材は、金属により形成されている請求項1ないし7のいずれか1項に記載の画像表示装置。
  9. 前記枠部材は、前記前面基板および背面基板の熱膨張係数とほぼ等しい熱膨張係数を有した金属により形成されている請求項8に記載の画像表示装置。
  10. 前記枠部材の表面は、前記封着材に対する濡れ性を有した金属によりメッキされている請求項8又は9に記載の画像表示装置。
  11. 前記枠部材は、ガラスにより形成されている請求項1ないし7のいずれか1項に記載の画像表示装置。
  12. 前記封着材は低融点金属である請求項1ないし11のいずれか1項に記載の画像表示装置。
  13. 前記封着材は導電性を有していることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1項に記載の画像表示装置。
  14. 前記前面基板の内面に設けられた蛍光体層と、前記背面基板の内面上に設けられ前記蛍光体層を励起する複数の電子源とを備えている請求項1ないし13のいずれか1項に記載の画像表示装置。
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