JP2005535149A - 無線周波識別タグの大量アセンブリの方法および装置 - Google Patents
無線周波識別タグの大量アセンブリの方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005535149A JP2005535149A JP2005506084A JP2005506084A JP2005535149A JP 2005535149 A JP2005535149 A JP 2005535149A JP 2005506084 A JP2005506084 A JP 2005506084A JP 2005506084 A JP2005506084 A JP 2005506084A JP 2005535149 A JP2005535149 A JP 2005535149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die
- dies
- substrate
- wafer
- grid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07718—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being manufactured in a continuous process, e.g. using endless rolls
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
- G06K19/0775—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for connecting the integrated circuit to the antenna
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
- G06K19/07758—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for adhering the record carrier to further objects or living beings, functioning as an identification tag
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68313—Auxiliary support including a cavity for storing a finished device, e.g. IC package, or a partly finished device, e.g. die, during manufacturing or mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19042—Component type being an inductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
本発明は、RFIDタグなどの電子デバイスを製造する技術を対象とするものである。本明細書の説明は、実例となる主にRFIDタグの製造に関する。しかしながら、当業者であれば本明細書の教示から理解されるように、この説明は他のタイプの電子デバイスの製造にも適応可能である。
本発明は、RFIDタグ100などのタグをアセンブルするための、連続ロール(continuous−roll)アセンブリ技法および他の技法を対象とするものである。こうした技法には、複数のタグに分けることも可能なタグアンテナ基板116の材料の連続ウェブ(web)(またはロール)が含まれる。本明細書に記載されるように、製造された1つまたは複数のタグを個々の使用に合わせて後処理することができる。例示のために本明細書に記載された技法は、RFIDタグ100のアセンブリを参照して作られるものである。しかしながらこれらの技法は、当業者であれば本明細書の教示から明らかなように、他のタグの実施および他の好適なデバイスにも適用可能である。
図3に示され上記で論じたステップ308は、坦持面からタグ基板への分離ダイの移動に関する。坦持面に(たとえば図5に示されるように)張り付けられた分離ダイは、様々な技法でタグ基板に移ることができる。通常、この移動はピックアンドプレイスツールを使用して実施される。ピックアンドプレイスツールは、ロボット機構によって制御された真空ダイコレットを使用するものであり、担持構造から吸引動作によってダイをピックアップし、そのダイをダイコレット内にしっかりと保持する。ピックアンドプレイスツールは、このダイをダイキャリアまたは移動面に付着する。たとえば好適な移動面の1つが、ドイツのMulbauerによって製造される「パンチテープ」である。このピックアンドプレイス方式の欠点は、一度に1つのダイしか移動できないことである。したがってこのピックアンドプレイス方式を拡大して、かなり高いスループット率にすることはできない。
本発明の一実施形態によれば、第2の面上に塗布された粘着物質を第1の面上に存在する分離ダイに押し付けて、粘着物質が塗布された第2の面にダイを張り付けることができる。第2の面を第1の面から引き離して、張り付けられたダイを第1の面から運び去ることができる。その後ダイを後続の中間/移動面または基板などの最終面に移すことができる。
図3を参照しながら本明細書で説明するように、ステップ308では、「パッドが上」の方法でダイ104を坦持面404からタグ基板116へと移すことができる。ダイ104がこの方法でタグ基板116に移る場合、ダイ104は接続パッド204a〜dがタグ基板116とは反対を向くように配向される。
図3を参照して本明細書で説明するように、ステップ308では、坦持面404からタグ基板116へと「パッドが下」の方法でダイ104を移動することができる。ダイ104がこの方法でタグ基板116に移る場合、ダイ104は接続パッド204a〜dがタグ基板116の方を向くように配向される。
本発明の並行ダイパンチプロセスによれば、第1の面に張り付けられた分離ダイ上でパンチテープなどの第2の面が位置合わせされる。パンチテープには、面に複数のダイ受入れ穴(receptor hole)「ディボット(divot)」またはセル(小部屋、個室)が形成される。パンチテープの各受入れセルは、第1の面の対応するダイと位置合わせされる。複数の機械的パンチが起動され、第1の面からパンチテープの対応する受入れセルへとダイを押し込む。この方法では、単に一度に1つのダイを移すのではなく、数十および数百のダイを含むかなり多数のダイをパンチテープに同時に一度に移すことができる。
本発明の一実施形態によれば、パンチング機構は、複数のダイのそれぞれを第1の面から対応するアンテナ基板へ直接同時に一度に移すことができる。第1の面が、ウェーハからの分離ダイを張り付ける坦持面である実施形態では、このプロセスによって、RFIDタグ100などの大量の電子デバイスを極めて高速に製造することができる。
本発明の並行ダイパンチ実施形態によれば、パンチテープ2200などの第2の面は第1の面に張り付けられた分離ダイ104の上で位置合わせされる。パンチテープ2200内の各受入れセル2202は、その中に配置された対応するダイ104を有する。その後各セル2202は、アンダーフィル材料で充填される。パンチング機構2402が起動され、パンチテープ2200から基板構造2802の対応するタグ基板116上にダイ104を動かす。この方法では、単に一度に1つのダイを移すのではなく、数十および数百のダイを含むかなり多数のダイをパンチテープ2200からに同時に一度に移すことができる。さらに、タグ基板116にダイ104を移す前にアンダーフィル材料を添加することによって、各ダイを移動プロセス時にそれぞれのタグ基板116上に容易にアンダーフィルすることが可能であり、それによって多大な利点が与えられた。
本発明の一実施形態によれば、マルチバレル型ダイ移動装置を使用して、複数のダイ104を第1の面から第2の面へ移すことができる。図48Aは、本発明の一実施形態に従ったマルチバレル型ダイ移動装置4802の一例を示す図である。マルチバレル型ダイ移動装置4802は、本体4804および複数のバレル4806を含む。本体4804は、バレル4806をガス供給および真空供給源4810に結合する。たとえば、空気、窒素、または他のガスなどのガスを、真空供給源4810によって供給することができる。諸実施形態では、1つまたは複数のバレル4806のうちの任意数が存在可能であるが、存在するバレル4806の数だけダイ104の移動速度が倍増するので、通常は複数のバレル4806が存在する。たとえば、数十または数百のバレルが存在可能である。
本発明の一実施形態によれば、「ダイフレーム」または「ウェーハテープ」を使用して、複数のダイ104をターゲット面へ移すことができる。ダイフレームまたはウェーハテープは、ウェーハのダイをターゲット面へ容易に移動できるように保持するために、ウェーハから直接形成される。ダイはダイフレーム/ウェーハテープから中間面へ移動するか、または基板などの最終面へ直接移動することができる。したがって、本発明のダイフレームまたはウェーハテープは、従来の移動プロセスに比べて、基板へダイを移動する場合に要求される製造ステップをより少なくすることができる。たとえば典型的な従来のプロセスでは、ダイはピックアンドプレイスマシンによってウェーハから中間移動面へと個々に移る。その後ダイは、中間面から最終の行き先面へと移る。この2段階プロセスでは、ダイが裏返されることが見込まれる。本発明によれば、ダイは、中間面への移動なしに、ダイフレーム/ウェーハテープから基板へと直接移動することができる。さらに必要に応じて、移動によってダイを裏返すことも裏返さないこともできる。
一実施形態では、ダイフレームを、ウェーハ/ダイを張り付ける際に使用される「ブルーテープ」または「グリーンテープ」と同様に、柔軟で平らなテープ構造内に形成することができる。このテープ構造は、硬化性材料または物質を含むように製造される。ウェーハはこのテープ構造に張り付けられ、複数のダイに分離される。硬化したグリッド構造がテープ構造内に形成され、複数のダイを取り外し可能なように保持するように、テープ構造を処理する。図71は、本発明の一実施形態に従った、こうしたダイフレームまたはダイ支持フレームを作成するためのステップを提供する流れ図7100を示す。流れ図7100については、例示の目的で図72、図73A、図73B、および図74に関して以下で説明する。
一実施形態では、ウェーハ/ダイの張り付けに使用される「ブルーテープ」または「グリーンテープ」と同様の平坦なテープ構造上にダイフレームを形成することができる。テープ構造は、硬化するカプセル化された解放可能な材料または物質を含むように製造される。このテープ構造にウェーハが張り付けられ、複数のダイに分離される。ウェーハをダイに分離するプロセスによってテープ構造が切り裂きされ、カプセル化された材料が解放される。解放された材料が硬化してテープ構造上へ硬化したグリッド構造を作成し、これが複数のダイを取り外し可能なように保持する。その後、テープ構造の残りの部分はオプションで取り外すことができる。図76は、本発明の他の実施形態例に従って、こうしたダイフレームまたはダイ支持フレームを作成するためのステップを提供する流れ図7600を示す。流れ図7600については、例示の目的で図77〜図82に関して以下で説明する。
図3を参照しながら本明細書に記載されたように、ステップ310では、RFIDタグ100のアセンブリを完了するための後処理が実行される。
本発明は、タグアセンブリ装置を対象とするものでもある。図55および図56は、本明細書に記載された技法を使用する2つのタグアセンブリ装置を示すブロック図である。
図55は、「パッドが上」のアセンブリ装置5500を示す。アセンブリ装置5500は、本明細書に記載されるような「パッドが上」の方法でタグをアセンブルする。したがってアセンブリ装置5500は、図3および図11を参照しながら本明細書で説明されたステップを実行する。
図56は、「パッドが下」のアセンブリ装置5600を示す。アセンブリ装置5600は、本明細書に記載されるような「パッドが下」の方法でタグをアセンブルする。したがってアセンブリ装置は、図3および図16を参照しながら本明細書で説明されたステップを実行する。
以上、本発明の様々な実施形態について述べてきたが、これらは限定的ではなく例示的に示したものであることを理解されたい。当業者であれば、本発明の精神および請求の範囲を逸脱することなく、本明細書の形式および細部における様々な変更が可能であることが明らかであろう。したがって本発明は、上記の例示的な実施形態のいずれによっても限定されるものでなく、特許請求の範囲およびそれらと等価のものに従ってのみ規定されるものとする。
Claims (178)
- (a)複数のダイの各ダイが、チップキャリアの第1の面にある複数のセルのうちの対応するセル内に収まって、収納されるように、該複数のダイを坦持面から、該第1の面上に接近可能の複数のセルを有する前記チップキャリアへ移動させるステップと、
(b)アンダーフィル材料を、前記対応するセル内の各ダイを十分に覆うように前記複数のセルの各セル内に充填するステップと、
を含むことを特徴とする複数の無線周波数識別(RFID)タグをアセンブルする方法。 - (c)各セル内の前記アンダーフィル材料が前記チップキャリアの前記第1の面とほぼ同一面となるようにするために、前記チップキャリアの前記第1の面をスクィージングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ステップ(b)は、各ダイを十分に覆うために非導電性アンダーフィル材料を前記複数のセルの各セル内に充填するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ステップ(b)は、各ダイを十分に覆うために異方性の導電性アンダーフィル材料を前記複数のセルの各セル内に充填するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ステップ(b)は、各ダイを十分に覆うために等方性の導電性アンダーフィル材料を前記複数のセルの各セル内に充填するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記各ダイは第1の面上に配置された少なくとも1つの接触パッドを有し、前記ステップ(a)は、
前記少なくとも1つの接触パッドを有する前記第1の面が前記セルの外側を向くように、各ダイを前記対応するセル内に挿入するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - (c)前記チップキャリアの前記第1の面を、複数のタグ基板部分を有する基板構造の面に近接して位置づけするステップと、
(d)各ダイの前記第1の面を覆う前記アンダーフィル材料が、前記複数のタグ基板部分のうちの対応するタグ基板と密着するように、前記対応するセルの外側に各ダイを移すために、前記複数のセルの各セルの反対側の場所に近い前記チップキャリアの第2の面をパンチング(一撃で押す)するステップと、
(e)各ダイの前記少なくとも1つの接触パッドが、前記対応するタグ基板の少なくとも1つの対応する接触パッドに電気的に接続されるように、各ダイの前記第1の面を前記対応するタグ基板に張り付けるステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記ステップ(e)は、
各ダイを前記対応するタグ基板に張り付けるために、各ダイの前記第1の面を覆うアンダーフィル材料を硬化させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記アンダーフィル材料は異方性の導電性材料であり、前記硬化させるステップは、
前記アンダーフィル材料を瞬間硬化させるステップを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記アンダーフィル材料は熱硬化性エポキシ樹脂であり、前記硬化させるステップは、
前記熱硬化性エポキシ樹脂を硬化させるために熱を加えるステップを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記アンダーフィル材料は音響硬化性エポキシ樹脂であり、前記硬化させるステップは、
前記音響硬化性エポキシ樹脂を硬化させるために音源を加えるステップを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記アンダーフィル材料は電子ビーム硬化性エポキシ樹脂であり、前記硬化させるステップは、
前記電子ビーム硬化性エポキシ樹脂を硬化させるために電子ビームを加えるステップを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記アンダーフィル材料は紫外線(UV)波長硬化性エポキシ樹脂であり、前記硬化させるステップは、
前記UV波長硬化性エポキシ樹脂を硬化させるためにUV光を加えるステップを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記アンダーフィル材料は赤外線(IR)波長硬化性エポキシ樹脂であり、前記硬化させるステップは、
前記IR波長硬化性エポキシ樹脂を硬化させるためにIR光を加えるステップを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記アンダーフィル材料は圧力硬化性エポキシ樹脂であり、前記硬化させるステップは、
前記圧力硬化性エポキシ樹脂を硬化させるために、各ダイと対応するタグ基板との間に圧力を加えるステップを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記硬化させるステップは、
各タグの前記少なくとも1つの接触パッドを前記対応するタグ基板の前記少なくとも1つの対応する接触パッドと電気的に接続させるために、各ダイと対応するタグ基板との間の距離を短縮するように前記アンダーフィル材料を短縮させるステップを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記アンダーフィル材料は導電性を提供するために導電性の小球体を含み、前記硬化させるステップは、
各タグの前記少なくとも1つの接触パッドを前記対応するタグ基板の前記少なくとも1つの対応する接触パッドと電気的に接続させるために、前記小球体を少なくとも変形させるように各ダイと対応するタグ基板との間に圧力を生じさせて、前記アンダーフィル材料を短縮させるステップを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記基板構造の前記複数のタグ基板部分が直列に配置され
(f)前記ステップ(c)の前に、タグ基板部分の配列を含む第2の基板構造から前記基板構造を分離するステップをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記基板構造の前記複数のタグ基板部分が1列のタグ基板部分に配列され、前記ステップ(c)は、
前記基板構造を前記チップキャリアと位置合わせするステップを含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記位置合わせするステップは、
前記基板構造を前記チップキャリアと機械的に位置合わせするステップを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記機械的に位置合わせするステップは、
前記チップキャリア内に間隔を置いて配置された穴と連結する間隔を置いて配置されたくぎを有する第1のホイールを使用して、前記チップキャリアを位置合わせするステップと、
前記基板構造内に間隔を置いて配置された穴と連結する、間隔を置いて配置されたくぎを有する第2のホイールを使用して、前記基板構造を位置合わせするステップとを含み、前記第1のホイールと該第2のホイールは同期されるものであることを特徴とする請求項20に記載の方法。 - 前記位置合わせするステップは、
前記基板構造を前記チップキャリアと光学的に位置合わせするステップを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 各ダイは第1の面上に配置された少なくとも1つの接触パッドを有し、前記ステップ(a)は、
前記少なくとも1つの接触パッドを有する前記第1の面が前記セルの内側に向くようにして、各ダイを前記対応するセル内に挿入するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - (c)前記チップキャリアの前記第1の面を、複数のタグ基板部分を有する基板構造の面に近接して位置づけするステップと、
(d)前記アンダーフィル材料が、各ダイの端面と対応する空洞の壁部との間にある空洞の隙間を十分に満たして、かつ各ダイの前記第1の面および前記アンダーフィル材料の表面が前記対応するタグ基板の表面とほぼ同一面となるように、前記複数のセルの各セルの場所に最も近い前記チップキャリアの第2の面を、前記複数のタグ基板部分の対応するタグ基板の表面にある対応する空洞内へとパンチングして、前記対応するセルの外側に各ダイを移すステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。 - (e)各ダイの前記少なくとも1つの接触パッドを、前記対応するタグ基板の前記表面上にある少なくとも1つの対応する接触パッドと電気的に接続するステップをさらに含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記ステップ(e)は、
各ダイの前記少なくとも1つの接触パッドそれぞれと、前記対応するタグ基板の前記表面上にある前記少なくとも1つの対応する接触パッドとの間に、導電性材料を付着するステップを含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。 - 前記付着するステップは、
各ダイの前記少なくとも1つの接触パッドそれぞれと、前記対応するタグ基板の前記表面上にある前記少なくとも1つの対応する接触パッドとの間に、導電性材料を印刷するステップを含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。 - 前記付着するステップは、
各ダイの前記少なくとも1つの接触パッドそれぞれと、前記対応するタグ基板の前記表面上にある前記少なくとも1つの対応する接触パッドとの間に、導電性材料を加えるために蒸着プロセスを使用するステップを含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。 - 各ダイの高さは前記対応するセルの高さの半分に実質的に等しく、前記ステップ(b)は、
各ダイに対応する前記セルの前記高さの残りの半分を、前記アンダーフィル材料で満たすステップを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。 - (c)前記ステップ(a)の前に、前記複数のダイが分離して前記坦持面に張り付けられているように、前記坦持面に張り付けられたウェーハから前記複数のダイを切り離すステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- (d)前記ステップ(c)の前に、前記ウェーハを前記坦持面に張り付けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。
- (c)前記ステップ(a)の前に、前記チップキャリア内に前記複数のセルを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ステップ(c)は、
前記チップキャリアの前記第1の面および第2の面上で開口している、前記チップキャリアを貫通する複数の直列に配置された開口部を形成するステップと、
前記チップキャリアの前記第2の面上の前記複数の直列に配置された開口部を覆うために、前記チップキャリアの前記第2の面に粘着構造を付けるステップと、
を含むことを特徴とする請求項32に記載の方法。 - (a)坦持面の第1の面に張り付けられた複数のダイの各ダイが、パンチテープの表面にある複数の空セルのうちの1つの対応する空セルに近接するように、前記坦持面を前記パンチテープの表面に近接して位置づけするステップと、
(b)前記複数のダイの各ダイを、前記坦持面から前記近接する対応する空セル内に同時に一度に移すステップと、
を含むことを特徴とする複数の無線周波数識別(RFID)タグをアセンブルする方法。 - 前記複数のダイは、前記坦持面の前記第1の面に張り付けられたダイの総数のうちの各N個の1つに実質的に等しく、前記ステップ(a)は、
前記坦持面の前記第1の面に張り付けられた前記各N個の1つの各ダイが、前記パンチテープの表面内の前記複数の空セルのうちの1つの対応する空セルに近接するように、前記坦持面を前記パンチテープの前記表面に近接して位置づけするステップを含むことを特徴とする請求項34に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
実質的に同一平面上の複数のパンチング部分を有するパンチング機構を前記坦持面の第2の面に加えるプロセスを含み、前記複数のパンチング部分のうちの1つのパンチング部分が前記複数の空セルのうちの各空セルに対応するものであることを特徴とする請求項34に記載の方法。 - (c)前記坦持面の前記第1の面に張り付けられた他の複数のダイの各ダイを、前記パンチテープの前記表面内の他の複数の空セルのうちの1つの対応する空セルに近接して位置づけするために、前記坦持面の前記パンチテープを増加するステップと、
(d)他の複数のダイの各ダイを、前記坦持面から前記近接する対応する空セル内に同時に一度に移すステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項36に記載の方法。 - (e)前記ステップ(a)の前に、前記坦持面に張り付けられたすべてのダイが前記坦持面から完全に移るまで、前記ステップ(c)および(d)を反復するステップをさらに含むことを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 前記複数のダイの各ダイは第1の面上に配置された少なくとも1つの接触パッドを有し、
(c)前記ステップ(a)の前に、前記複数のダイの各ダイの前記第1の面が前記坦持面の方を向くように、前記坦持面上の前記複数のダイを配向するステップをさらに含むことを特徴とする請求項34に記載の方法。 - 前記複数のダイの各ダイは第1の面上に配置された少なくとも1つの接触パッドを有し、
(c)前記ステップ(a)の前に、前記複数のダイの各ダイの前記第1の面が前記坦持面と反対の方向を向くように、前記坦持面上の前記複数のダイを配向するステップをさらに含むことを特徴とする請求項34に記載の方法。 - (a)第2の坦持面に張り付けられた各ダイの第1の面のほとんどが、第1の坦持面の第1の面に張り付けられるように、前記第1の坦持面の第1の面を、前記第2の坦持面に張り付けられた各ダイの第1の面のほとんどに対して密着するように位置づけするステップと、
(b)各ダイを前記第2の坦持面から完全に取り外しさせるように、前記第1の坦持面と前記第2の坦持面との間の距離を伸長するステップと、
(c)前記第1の坦持面の前記第1の面に張り付けられた複数のダイの各ダイの第2の面が、パンチテープの表面にある複数の空セルのうちの1つの対応する空セルに近接するように、前記第1の坦持面を前記パンチテープの表面に近接して位置づけするステップと、
(d)前記複数のダイの各ダイを、前記第1の坦持面から前記近接する対応する空セル内に同時に一度に移すステップと、
を含むことを特徴とする複数の無線周波数識別(RFID)タグをアセンブルする方法。 - 前記ステップ(d)は、
実質的に同一平面上の複数のパンチング部分を有するパンチング機構を第1の前記坦持面の第2の面に加えるプロセスを含み、前記複数のパンチング部分のうちの1つのパンチング部分が前記複数の空セルのうちの各空セルに対応するものであることを特徴とする請求項41に記載の方法。 - (e)前記第1の坦持面の前記第1の面に張り付けられた他の複数のダイの各ダイを、前記パンチテープの前記表面内の他の複数の空セルのうちの1つの対応する空セルに近接して位置づけするために、前記第1の坦持面の前記パンチテープを増加するステップと、
(f)他の複数のダイの各ダイを、前記第1の坦持面から前記他の複数の空セルのうちの前記近接する対応する空セル内に同時に一度に移すステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。 - (g)ステップ(a)で前記第1の坦持面の前記第1の面に張り付けられたすべてのダイが前記第1の坦持面から完全に移るまで、前記ステップ(e)および(f)を反復するステップをさらに含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。
- 前記ステップ(a)の前に、少なくとも1つの接触パッドが前記複数のダイの各ダイの前記第1の面上に配置されるように、前記第2の坦持面上に前記複数のダイを配向するステップをさらに含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
- (a)複数のタグ基板部分を有する基板構造の表面にアンダーフィル材料を添加するステップと、
(b)坦持面の第1の面に張り付けられた複数のダイの各ダイが、前記複数のタグ基板部分の対応するタグ基板に近接するように、坦持面を前記基板構造の前記表面に近接して位置づけするステップと、
(c)前記複数のダイの各ダイを、前記坦持面から前記近接する対応するタグ基板上に同時に一度に移すステップと、
を含むことを特徴とする複数の無線周波数識別(RFID)タグをアセンブルする方法。 - 前記ステップ(c)は、
実質的に同一平面上の複数のパンチング部分を有するパンチング機構を前記坦持面の第2の面に加えるプロセスを含み、前記複数のパンチング部分のうちの1つのパンチング部分が前記複数の空セルのうちの各空セルに対応するものであることを特徴とする請求項46に記載の方法。 - 前記アンダーフィル材料を硬化させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項46に記載の方法。
- 前記複数のダイは前記坦持面の前記第1の面に張り付けられた前記ダイのすべてであり、前記ステップ(c)は、
前記坦持面の前記第1の面に張り付けられた前記ダイのすべてを同時に一度に移すステップを含むことを特徴とする請求項46に記載の方法。 - 前記複数のダイは前記坦持面の前記第1の面に張り付けられた前記ダイの一部であり、前記ステップ(c)は、
前記坦持面の前記第1の面に張り付けられた前記ダイの一部を同時に一度に移すステップを含むことを特徴とする請求項46に記載の方法。 - 複数のダイの各ダイが、チップキャリアの第1の面にある複数のセルのうちの対応するセル内に収まって、収納されるように、該複数のダイを坦持面から、該第1の面上に接近可能の複数のセルを有する前記チップキャリアへ移動させる手段と、
アンダーフィル材料を、前記対応するセル内の各ダイを十分に覆うように、前記複数のセルの各セル内に充填する手段と、
を含むことを特徴とする複数の無線周波数識別(RFID)タグをアセンブルするシステム。 - 各セル内の前記アンダーフィル材料が前記チップキャリアの前記第1の面とほぼ同一面となるようにするために、前記チップキャリアの前記第1の面に加えられるスクィージングの要素をさらに含むことを特徴とする請求項51に記載のシステム。
- 前記チップキャリアの前記第1の面を、複数のタグ基板部分を有する基板構造の面に近接して位置付けする手段をさらに含むことを特徴とする請求項51に記載のシステム。
- 各ダイの前記第1の面を覆う前記アンダーフィル材料が、前記複数のタグ基板部分のうちの対応するタグ基板と密着するように、前記対応するセルの外側に各ダイを移すために、前記複数のセルの各セルの反対側の場所に近い前記チップキャリアの第2の面をパンチング(一撃で押す)する少なくとも1つのパンチング部材をさらに含むことを特徴とする請求項51に記載のシステム。
- 各ダイの前記少なくとも1つの接触パッドが、前記対応するタグ基板の少なくとも1つの対応する接触パッドに電気的に接続されるように、前記アンダーフィル材料を硬化して各ダイの前記第1の面を前記対応するタグ基板に張り付ける手段をさらに含むことを特徴とする請求項54に記載のシステム。
- 前記アンダーフィル材料が、各ダイの端面と対応する空洞の壁部との間にある空洞の隙間を十分に満たして、かつ各ダイの前記第1の面および前記アンダーフィル材料の表面が前記対応するタグ基板の表面とほぼ同一面となるように、前記複数のセルの各セルの場所に最も近い前記チップキャリアの第2の面を、前記複数のタグ基板部分の対応するタグ基板の表面にある対応する空洞内へとパンチングして、前記対応するセルの外側に各ダイを移す、少なくとも1つのパンチング部材をさらに含むことを特徴とする請求項51に記載のシステム。
- 各ダイの前記少なくとも1つの接触パッドを、前記対応するタグ基板の前記表面上にある少なくとも1つの対応する接触パッドと電気的に接続する手段をさらに含むことを特徴とする請求項56に記載のシステム。
- 前記ウェーハを前記坦持面に張り付ける手段をさらに含むことを特徴とする請求項51に記載のシステム。
- 前記複数のダイが切り離されて、かつ前記坦持面に張り付いたままとなるように、前記坦持面に張り付けられたウェーハから前記複数のダイを切り離す手段をさらに含むことを特徴とする請求項58に記載のシステム。
- 前記複数のセルを有するチップキャリアを形成する手段をさらに含むことを特徴とする請求項51に記載のシステム。
- 第1の面から第2の面へ複数のダイを移す方法であって、
(a)複数の中空バレルの各中空バレルを、前記第1の面上に存在する各ダイに並列に取り付けるステップと、
(b)前記各ダイを各中空バレル内に並列に移すステップと、
(c)各中空バレルが所定数の1スタックのダイを含むまで、ステップ(a)および(b)を反復するステップと、
(d)各中空バレルに含まれる前記1スタックのダイが完全になくなるまで、各中空バレルから前記第2の面上へダイを並列に付着するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記ステップ(b)は、
前記各ダイを各中空バレルの第2の端部に移すために、各中空バレルの第1の端部に真空力を加えるステップを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。 - 前記ステップ(d)は、
前記真空力を修正するステップを含むことを特徴とする請求項62に記載の方法。 - 前記ステップ(a)は、
各中空バレルから前記各ダイを前記第2の面に付着させるために、前記複数の中空バレルの各中空バレルの前記第1の端部を、前記第2の面へ並列に付着するステップを含むことを特徴とする請求項62に記載の方法。 - 前記ステップ(a)は、
各中空バレルから前記各ダイを前記第2の面に付着させるために、前記複数の中空バレルの各中空バレルの前記第2の端部を、前記第2の面へ並列に付着するステップを含むことを特徴とする請求項62に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
前記各ダイを各中空バレル内へ移すために、ガス圧力を使用するステップを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。 - 前記ステップ(d)は、
前記ガス力を修正するステップを含むことを特徴とする請求項66に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
前記各ダイを各中空バレル内へ移すために、機械的な力を使用するステップを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
前記各ダイを各中空バレル内へ移すために、化学的な力を使用するステップを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
前記各ダイを各中空バレル内へ移すために、静電気の力を使用するステップを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
前記各ダイを各中空バレル内へ移すために、粘着材料を使用するステップを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。 - 前記ステップ(d)は、
付着された前記ダイを各中空バレルから前記第2の面に張り付けられるようにするステップを含むことを特徴とする請求項71に記載の方法。 - 第1の面から第2の面へ複数のダイを移すシステムであって、
実質的に並列に位置合わせされる複数の中空バレルであって、前記複数の中空バレルの各中空バレルは1スタック内の複数のダイを収納するように構成されたものである、複数の中空バレルと、
前記各中空バレルの第1の端部に連結される真空デバイスとを含み、
前記各中空バレルの第2の端部は前記第1の面に存在する各ダイに並列に取り付けられ、
前記真空デバイスは、前記各ダイを前記各中空バレルの前記第2の端部内に並列に移すために、前記各中空バレルの前記第1の端部に真空力を印加し、
前記真空力は修正されて、前記各中空バレルから第2の面に前記各ダイを並列に付着するために、前記各中空バレルが前記第2の面に取り付けられることを特徴とするシステム。 - 前記各ダイを前記各中空バレルから前記第2の面へ並列に付着するために、前記各中空バレルの前記第1の端部が前記第2の面に取り付けられることを特徴とする請求項73に記載のシステム。
- 前記各ダイを前記各中空バレルから前記第2の面へ並列に付着するために、前記各中空バレルの前記第2の端部が前記第2の面に取り付けられることを特徴とする請求項73に記載のシステム。
- 前記各ダイは、前記各中空バレルに対応する前記第1の面上に存在する複数のダイのうちの1つであり、
前記各中空バレル内に1スタックのダイを形成するために、前記対応する複数のダイのうちの前記各ダイを前記各中空バレルの前記第2の端部内に移動するために前記真空力が印加される間に、前記各中空バレルの前記第2の端部が、前記対応する複数のダイの各ダイに並列に順次取り付けられることを特徴とする請求項73に記載のシステム。 - 前記各中空バレルは、前記対応する複数のダイの各ダイを前記第2の面上に連続して付着するために、前記第2の面上の複数のターゲット領域に並列に取り付けられることを特徴とする請求項76に記載のシステム。
- 前記第1の面は罫書き済みウェーハであることを特徴とする請求項73に記載のシステム。
- 前記第1の面は坦持面であることを特徴とする請求項73に記載のシステム。
- 前記第2の面は中間面であることを特徴とする請求項73に記載のシステム。
- 前記第2の面は基板であることを特徴とする請求項73に記載のシステム。
- 前記基板は複数のアンテナ基板を含むことを特徴とする請求項81に記載のシステム。
- (a)ウェーハの第1の面内において、ウェーハの第1の面内に形成された複数のダイの周囲にリング状の溝を形成するステップと、
(b)前記ウェーハの前記第1の面内で前記複数のダイを分離するグリッド状の溝を形成するために、前記ウェーハの前記第1の面を罫書きするステップであって、前記グリッドは前記リング状の溝と交差するものである、罫書きするステップと、
(c)前記リング状の溝および前記グリッドの溝を十分に満たすように、前記ウェーハの前記第1の面に凝固材料を充填するステップと、
(d)前記凝固材料を、前記リング状の溝内のリング状の硬化物と、前記グリッドの溝内のグリッド状の硬化物とへ硬化させるステップと、
(e)前記グリッド状の硬化物が前記複数のダイを取り外し可能なように保持するように、ウェーハを薄くするステップと、
を含むことを特徴とするダイフレームを形成する方法。 - (f)ステップ(b)の前に、前記ウェーハの前記第1の面上に保護材料の層を付着するステップをさらに含むことを特徴とする請求項83に記載の方法。
- (g)ステップ(d)の後に、少なくとも何らかの余分な凝固材料を取り除くために、前記ウェーハの前記第1の面から前記保護材料を取り除くステップをさらに含むことを特徴とする請求項84に記載の方法。
- 前記ステップ(g)は、
前記保護材料を溶剤に浸すステップを含むことを特徴とする請求項85に記載の方法。 - 前記ステップ(f)は、
前記ウェーハの前記第1の面上に前記保護材料の層を回転塗布するステップを含むことを特徴とする請求項85に記載の方法。 - 前記保護材料はフォトレジスト材料であり、前記ステップ(f)は、
前記フォトレジスト材料を前記ウェーハの前記第1の面上に付けるステップを含むことを特徴とする請求項84に記載の方法。 - 前記ステップ(f)は、
前記ウェーハの前記第1の面を望ましい深さまで罫書きするステップを含むことを特徴とする請求項84に記載の方法。 - 前記凝固材料はポリマーであり、前記ステップ(c)は、
前記リング状の溝および前記グリッドの溝を十分に満たすように、前記ウェーハの前記第1の面に前記ポリマーを添加するステップを含むことを特徴とする請求項84に記載の方法。 - 前記凝固材料は硬化性材料であり、前記ステップ(d)は、
前記硬化性材料を硬化させるステップを含むことを特徴とする請求項84に記載の方法。 - 請求項83に記載の方法に従って形成されることを特徴とするダイフレーム。
- (a)ダイフレーム内に取り外し可能なように保持された複数のダイのうちの1つのダイが、基板テープの複数の基板のうちの対応する基板に近接するように、ダイフレームを複数の基板を含む基板テープの面に近接して位置づけするステップと、
(b)前記ダイを前記ダイフレームから前記近接する対応する基板上へ移すステップと、
を含むことを特徴とする複数の無線周波数識別(RFID)タグをアセンブルする方法。 - (c)前記基板テープを増加するステップと、
(d)前記ダイフレーム内に取り外し可能なように保持された複数のダイのうちの他のダイが、前記基板テープの前記複数の基板のうちの次の対応する基板に近接するように、前記基板テープの前記面に近接して前記ダイフレームを位置づけするステップと、
(e)前記他のダイを前記ダイフレームから前記近接する次の対応する基板上へ移動するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項93に記載の方法。 - (f)前記ステップ(c)、(d)、および(e)を反復するステップをさらに含むことを特徴とする請求項94に記載の方法。
- (f)前記ダイフレーム内に取り外し可能なように保持された前記複数のダイのすべてのダイが前記基板テープの対応する基板に移るまで、前記ステップ(c)、(d)、および(e)を反復するステップをさらに含むことを特徴とする請求項94に記載の方法。
- 前記ステップ(b)は、
前記ダイを前記ダイフレームから前記近接する対応する基板上へパンチングするステップを含むことを特徴とする請求項93に記載の方法。 - 前記ステップ(a)は、
前記ダイフレームを位置づけするステップを含み、前記ダイフレームは複数の矩形の開口部を有するグリッドを含み、該複数の矩形の開口部の各開口部はダイを取り外し可能なように保持することを特徴とする請求項93に記載の方法。 - 複数のダイを行き先面に移す方法であって、
前記ステップ(b)は、
前記ダイを前記ダイフレームから前記近接する対応する基板上へ移すためにガス圧力を加えるステップを含むことを特徴とする請求項93に記載の方法。 - (a)1スタックのダイフレームを形成するステップであって、各ダイフレームは複数の矩形の開口部を有するグリッドを含み、前記複数の矩形の開口部のうちの各開口部はダイを取り外し可能なように保持し、前記スタック内の前記ダイフレームの対応する矩形の開口部は、複数列の開口部を形成するために、1列に整列される、1スタックのダイフレームを形成するステップと、
(b)開口部内に取り外し可能なように保持されたダイを、前記複数の列のうちの少なくとも1列から前記行き先面へ移すステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記ステップ(b)は、
(1)前記1スタックのダイフレームの前記複数列の開口部のうちの第1列の開口部へ、パンチング部材を取り付けるステップと、
(2)前記第1列の開口部の矩形の開口部内に取り外し可能なように保持されたダイが前記行き先面に移るように、前記パンチング部材でパンチングするステップと、
を含むことを特徴とする請求項100に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
(3)前記第1列の開口部のダイがなくなるまで、前記ステップ(2)を反復するステップをさらに含むことを特徴とする請求項101に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
(1)複数のパンチング部材のうちの各パンチング部材を、前記1スタックのダイフレームの前記複数列の開口部の各列の開口部に取り付けるステップと、
(2)前記各列の開口部の矩形の開口部内に取り外し可能なように保持されたダイが、前記行き先面に移るように、前記複数のパンチング部材のうちの各パンチング部材でパンチングするステップと、
を含むことを特徴とする請求項100に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
(3)前記1スタックのダイが完全になくなるまで、前記ステップ(2)を反復するステップをさらに含むことを特徴とする請求項103に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
(1)前記1スタックのダイフレームの前記複数列の開口部のうちの第1列の開口部に、中空バレルをあてがうステップと、
(2)前記第1列の開口部の開口部内に取り外し可能なように保持されたダイを前記中空バレル内に移すステップと、
(3)前記中空バレルが1スタックのダイを全て収納するまで、前記ステップ(1)および(2)を反復するステップと、
(4)前記中空バレルに収納された前記1スタックのダイがなくなるまで、前記中空バレルから前記行き先面上へダイを付着するステップと、
を含むことを特徴とする請求項100に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
(1)複数の中空バレルの各中空バレルを、前記1スタックのダイフレームの前記複数列の開口部の各列の開口部に並列にあてがうステップと、
(2)前記各列の開口部の前記開口部内に取り外し可能なように保持されたダイを、各中空バレル内へ並列に移すステップと、
(3)前記各中空バレルが所定数の1スタックのダイを収納するまで、前記ステップ(1)および(2)を反復するステップと、
(4)前記各中空バレルに収納される前記1スタックのダイが完全になくなるまで、前記各中空バレルから前記行き先面上へダイを付着するステップと、
を含むことを特徴とする請求項100に記載の方法。 - 前記行き先面は中間面であり、前記ステップ(b)は、
開口部内に取り外し可能なように保持されたダイを、前記複数列のうちの少なくとも1つの列から前記中間面へ移すステップを含むことを特徴とする請求項100に記載の方法。 - 前記行き先面は基板であり、前記ステップ(b)は、
開口部内に取り外し可能なように保持されたダイを、前記複数列のうちの少なくとも1つの列から前記基板へ移動するステップを含むことを特徴とする請求項100に記載の方法。 - 前記基板は複数のアンテナ基板を含み、前記ステップ(b)は、
開口部内に取り外し可能なように保持されたダイを、前記複数列のうちの少なくとも1つの列から前記複数のアンテナ基板のうちの対応するアンテナ基板上へ移すステップを含むことを特徴とする請求項108に記載の方法。 - 各ダイは前記ダイの第1の面上に配置された少なくとも1つの接触パッドを有し、前記ステップ(b)は、
前記少なくとも1つの接触パッドが前記行き先面と密着するように、開口部内に取り外し可能なように保持されたダイを、前記複数列のうちの少なくとも1つの列から前記行き先面へ移すステップを含むことを特徴とする請求項100に記載の方法。 - 各ダイは該ダイの第1の面上に配置された少なくとも1つの接触パッドを有し、前記ステップ(b)は、
前記少なくとも1つの接触パッドが前記行き先面と反対の方向を向くように、開口部内に取り外し可能なように保持されたダイを、前記複数列のうちの少なくとも1つの列から前記行き先面へ移すステップを含むことを特徴とする請求項100に記載の方法。 - (c)前記ステップ(b)の前に、前記1スタックのダイフレームをダイ付着装置に挿入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項100に記載の方法。
- 貫通する複数の矩形の開口部を有するグリッドと、
複数のダイであって、前記複数の矩形の開口部の各々が前記複数のダイのうちの対応するダイを取り外し可能なように保持するものである、複数のダイと、
を備えることを特徴とするダイフレーム装置。 - 前記グリッド周囲に取り付けられたリングをさらに備えることを特徴とする請求項113に記載の装置。
- 前記リングを保持し、前記複数の矩形の開口部から前記複数のダイを移す期間に、前記グリッドを位置づけすることが可能な保持機構をさらに備えることを特徴とする請求項114に記載の装置。
- 前記グリッドは十分に平坦であり、前記グリッドは前記複数のダイのうちの1つのダイの厚さに実質的に等しい厚さを有することを特徴とする請求項115に記載の装置。
- 前記グリッドはポリマーを備えることを特徴とする請求項113に記載の装置。
- 前記グリッドは、エポキシ、樹脂、ウレタン、およびガラスのうちの少なくとも1つを備えることを特徴とする請求項113に記載の装置。
- 前記グリッドは、前記複数のダイがウェーハ内に存在する間に、前記複数のダイの周囲に形成されることを特徴とする請求項113に記載の装置。
- ダイフレームを形成する方法であって、
(a)その結果生じる複数のダイが、ウェーハを通って粘着面まで延在するグリッド状の溝によって分離されるように、粘着面に張り付けられたウェーハを罫書きするステップと、
(b)前記グリッドの前記溝を十分に満たすように、前記罫書き済みウェーハに凝固材料を加えるステップと、
(c)前記凝固材料を、前記グリッドの前記溝内のグリッド状の硬化物へ硬化させるステップと、
(d)前記グリッド状の硬化物が前記複数のダイを取り外し可能なように保持するように、前記粘着面を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - (e)前記ステップ(b)の前に、前記粘着面を担持構造で保持するステップをさらに含むことを特徴とする請求項120に記載の方法。
- 前記ステップ(b)は、
前記罫書き済みウェーハの外端面と前記担持構造の内端面との間のスペースを、前記凝固材料で十分に満たすステップを含むことを特徴とする請求項121に記載の方法。 - 前記ステップ(c)は、
前記スペース内の前記凝固材料を、その中の前記グリッド状の硬化物を支持するリング状の硬化物へと硬化させるステップを含むことを特徴とする請求項122に記載の方法。 - 第1の面から第2の面へ複数のダイを移す方法であって、
(a)張り付けられた複数のダイを有する第1の面に近接するように第2の面を位置づけするステップと、
(b)前記複数のダイが前記第2の面に接触し、前記第2の面の粘着性によって前記第2の面に張り付くまで、前記第1の面と前記第2の面との間の距離を短縮させるステップと、
(c)前記第1の面と第2の面とを互いに離れるように移動するステップであって、それによって前記複数のダイが前記ダイ2の面に張り付けられたままとなる、移動ステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - (d)前記ステップ(b)の前に、前記第2の面の粘着性が前記第1の面のそれよりも強くなるように、前記第2の面に粘着性材料を添加するステップをさらに含むことを特徴とする請求項124に記載の方法。
- (d)前記ステップ(a)の前に、前記複数のダイの各ダイの少なくとも1つの接触パッドが前記第1の面と反対の方向を向くように、前記第1の面に張り付けられた前記複数のダイを配向するステップをさらに含むことを特徴とする請求項124に記載の方法。
- 前記ステップ(c)は、
前記第1の面と第2の面とを互いに離れるように移動するステップであって、それによって前記複数のダイはパッドが下向きのやり方で前記第2の面に張り付けられたままとなる、移動するステップを含むことを特徴とする請求項126に記載の方法。 - (d)前記ステップ(a)の前に、前記複数のダイの各ダイの少なくとも1つの接触パッドが前記第1の面の方向を向くように、前記第1の面に張り付けられた前記複数のダイを配向するステップをさらに含むことを特徴とする請求項124に記載の方法。
- 前記ステップ(c)は、
前記第1の面と第2の面を離れるように移動するステップであって、それによって前記複数のダイはパッドが上向きのやり方で前記第2の面に張り付けられたままとなる、移動するステップを含むことを特徴とする請求項128に記載の方法。 - 前記第1の面は罫書き済みウェーハであって、前記ステップ(a)は、
前記第2の面を、張り付けられた前記複数のダイを有する前記罫書き済みウェーハに近接するように位置づけするステップを含むことを特徴とする請求項124に記載の方法。 - 前記第1の面は坦持面であって、前記ステップ(a)は、
前記第2の面が面張り付けられた前記複数のダイを有する前記坦持面に近接するように、該第2の面を位置づけするステップを含むことを特徴とする請求項124に記載の方法。 - 前記第2の面は中間面であって、前記ステップ(a)は、
前記中間面が張り付けられた前記複数のダイを有する前記坦持面に近接するように、該中間面を位置づけするステップを含むことを特徴とする請求項124に記載の方法。 - 前記第2の面は基板であって、前記ステップ(a)は、
(1)前記基板を、該基板が張り付けられた前記複数のダイを有する前記坦持面に近接するように位置づけするステップを含むことを特徴とする請求項124に記載の方法。 - 前記基板は複数のアンテナ基板を含み、前記ステップ(a)は、
前記基板を、該基板が張り付けられた前記複数のダイを有する前記坦持面に近接するように位置づけするステップであって、前記複数の基板の各アンテナ基板は前記複数のダイのうちの対応するダイに近接して配置される、位置づけするステップを含むことを特徴とする請求項124に記載の方法。 - 第1の面から第2の面へ複数のダイを移すシステムであって
前記第1の面の複数のダイが前記第2の面に密接し、前記第2の面に張り付くまで、前記第1の面と前記第2の面との間の距離を短縮させる手段と、
前記第1の面と第2の面とを互いに離れるように移動する手段であって、それによって前記複数のダイが前記ダイ2の面に張り付けられたままとなる、移動する手段と、
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記距離を短縮させる手段と前記離れるように移動する手段とが重なっていることを特徴とする請求項135に記載のシステム。
- 前記距離を短縮させる手段と前記離れるように移動する手段とが別々であることを特徴とする請求項135に記載のシステム。
- 前記第2の面の粘着性が前記第1の面のそれより強くなるように、前記第2の面が粘着性材料で被覆されることを特徴とする請求項135に記載のシステム。
- 前記複数のダイの各ダイの少なくとも1つの接触パッドが前記第2の面に密着する直前に前記第2の面の方を向くように、前記第1の面の前記複数のダイが配向されることを特徴とする請求項135に記載のシステム。
- 前記複数のダイは、パッドが下向きのやり方で前記第2の面に張り付けられることを特徴とする請求項139に記載のシステム。
- 前記複数のダイの各ダイの少なくとも1つの接触パッドが前記第2の面に密着する直前に前記第2の面と反対の方向を向くように、前記第1の面の前記複数のダイが配向されることを特徴とする請求項135に記載のシステム。
- 前記複数のダイは、パッドが上の方法で前記第2の面に張り付けられることを特徴とする請求項141に記載のシステム。
- 前記第1の面は罫書き済みウェーハであることを特徴とする請求項135に記載のシステム。
- 前記第1の面は坦持面であることを特徴とする請求項135に記載のシステム。
- 前記第2の面は中間面であることを特徴とする請求項135に記載のシステム。
- 前記第2の面は基板であることを特徴とする請求項135に記載のシステム。
- 前記基板は複数のアンテナ基板を含むことを特徴とする請求項146に記載のシステム。
- (a)複数のダイを備えるウェーハをテープ構造の面に張り付けるステップと、
(b)前記テープ構造の前記面上で前記複数のダイを切り離すために、前記ウェーハ内にグリッド状の溝を形成するステップと、
(c)前記グリッドの前記溝を介して接近可能な前記テープ構造の一部を、グリッド状の構造へと硬化させるステップとを含み、
前記グリッド状の構造は、前記複数のダイを取り外し可能なように保持し、前記複数のダイのうちの1つまたは複数のダイは前記グリッド状の構造からターゲット面上へ移動可能であることを特徴とするダイフレームを形成する方法。 - 前記テープ構造は露光したときへ硬化する材料を備え、前記ステップ(c)は、
前記テープ構造を前記グリッドの前記溝を介して露光するステップを含むことを特徴とする請求項148に記載の方法。 - 前記テープ構造は紫外線(UV)に露光したときへ硬化する材料を備え、前記露光ステップは、
前記テープ構造を前記グリッドの前記溝を介してUV光で露光するステップを含むことを特徴とする請求項149に記載の方法。 - 前記ステップ(c)は、
前記グリッドの前記溝を介して前記テープ構造に材料を加えるステップであって、前記材料は前記テープ構造を硬化させるものである、ステップを含むことを特徴とする請求項148に記載の方法。 - 前記材料を加えるステップは、
前記グリッドの前記溝を介して前記テープ構造上に前記材料を噴霧するステップを含むことを特徴とする請求項151に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
前記テープ構造の前記面上の前記ウェーハを罫書きするステップを含むことを特徴とする請求項148に記載の方法。 - (d)前記材料の層を含むように前記テープ構造を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項149に記載の方法。
- 前記材料はフォトレジスト材料であり、前記ステップ(d)は、
(d)前記フォトレジスト材料の前記層を含むように前記テープ構造を形成するステップを含むことを特徴とする請求項154に記載の方法。 - 請求項148に記載の方法に従って形成されることを特徴とするダイフレーム。
- ウェーハをテープ構造の面に付け、前記テープ構造の前記面上で複数のダイを切り離すために前記ウェーハ内にグリッド状の溝を形成する、ウェーハ作成モジュールと、
前記グリッドの前記溝を介して接近可能な前記テープ構造の一部をグリッド状の構造へと硬化させる、硬化剤供給源とを含み、
前記グリッド状の構造は前記複数のダイを取り外し可能なように保持し、前記複数のダイのうちの1つまたは複数のダイは前記グリッド状の構造からターゲット面へ移動可能であることを特徴とするダイフレームを形成するためのシステム。 - 前記テープ構造は露光されたときへ硬化する材料を備え、前記硬化剤供給源は、前記グリッドの前記溝を介して前記テープ構造を露光する光源を備えることを特徴とする請求項157に記載のシステム。
- 前記テープ構造は紫外線(UV)に露光されたときへ硬化する材料を備え、前記硬化剤供給源は、前記グリッドの前記溝を介して前記テープ構造をUV光に露光するものであることを特徴とする請求項158に記載のシステム。
- 前記テープ構造は前記材料の層を含むことを特徴とする請求項158に記載のシステム。
- 前記材料はフォトレジスト材料であることを特徴とする請求項160に記載のシステム。
- 前記硬化剤供給源は前記グリッドの前記溝を介して前記テープ構造に材料を取り付け、これによって前記テープ構造を硬化させることを特徴とする請求項157に記載のシステム。
- 前記硬化剤供給源は、前記グリッドの前記溝を介して前記テープ構造に材料を噴霧することを特徴とする請求項162に記載のシステム。
- (a)複数のダイを備えるウェーハをテープ構造の面に張り付けるステップであって、前記テープ構造はカプセル化された硬化物を備える、張り付けるステップと、
(b)前記テープ構造の前記面上で前記複数のダイを切り離すために、前記ウェーハ内にグリッド状の溝を形成するステップとを含み、該形成するステップは、前記カプセル化された硬化物を前記溝内で前記グリッドの前記溝内のグリッド状の硬化物へ硬化させるために、前記溝内の前記テープ構造の前記面を切り裂くステップを含むものであることを特徴とするダイフレームを形成する方法。 - (c)前記グリッド状の硬化物が前記複数のダイを取り外し可能なように保持するように、前記テープ構造を取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項164に記載の方法。
- (c)前記ステップ(a)の前に、前記テープ構造を担持構造で保持するステップをさらに含むことを特徴とする請求項164に記載の方法。
- 前記ステップ(b)は、
前記グリッド状の溝を形成するため、および前記溝内の前記カプセル化された硬化物を解放させるために前記テープ構造の前記面を切り裂くために、レーザを使用するステップを含むことを特徴とする請求項164に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
前記グリッド状の溝を形成するため、および前記溝内の前記カプセル化された硬化物を解放させるために前記テープ構造の前記面を切り裂くために、のこぎりを使用するステップを含むことを特徴とする請求項164に記載の方法。 - 請求項164に記載の方法に従って形成されることを特徴とするダイフレーム。
- ウェーハをテープ構造の面に付け、前記テープ構造の前記面上で複数のダイを切り離すために前記ウェーハ内にグリッド状の溝を形成する、ウェーハ作成モジュールを含み、前記テープ構造はカプセル化された硬化物を含み、前記ウェーハ作成モジュールは、前記カプセル化された硬化物を前記溝内で前記グリッドの前記溝内のグリッド状の硬化物へと硬化させるために、前記溝を形成するときに前記溝内の前記テープ構造の前記面を切り裂くものであることを特徴とするダイフレームを形成するためのシステム。
- グリッド状の硬化物が前記複数のダイを取り外し可能なように保持するように、前記テープ構造を取り外すテープ取り外し装置をさらに含むことを特徴とする請求項170に記載のシステム。
- 前記ウェーハ作成モジュールは、前記グリッド状の溝を形成するため、および前記溝内の前記カプセル化された硬化物を解放させるための、レーザを含むことを特徴とする請求項170に記載のシステム。
- 前記ウェーハ作成モジュールは、前記グリッド状の溝を形成して、該溝内の前記カプセル化された硬化物を放出させるための、のこぎりを含むことを特徴とする請求項170に記載のシステム。
- (a)ダイフレーム内に取り外し可能なように保持された複数のダイのうちの1つのダイが基板に近接するように、ダイフレームを基板の表面に近接して位置づけするステップと、
(b)前記ダイを前記ダイフレームから前記近接する基板上へ移すステップと、
を含むことを特徴とする複数の無線周波数識別(RFID)タグをアセンブルする方法。 - (c)前記ダイフレーム内に取り外し可能なように保持された前記複数のダイのうちの他のダイが他の基板に近接するように、前記ダイフレームを他の基板の表面に近接して位置づけするステップと、
(d)他のダイを前記ダイフレームから前記近接する他の基板上へ移すステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項174に記載の方法。 - (e)前記ダイフレーム内に取り外し可能なように保持された前記複数のダイのすべてのダイが対応する基板に移るまで、前記ステップ(c)および(d)を反復するステップをさらに含むことを特徴とする請求項175に記載の方法。
- 前記ステップ(b)は、
前記ダイを前記ダイフレームから前記近接する基板上へパンチングするステップを含むことを特徴とする請求項174に記載の方法。 - 前記ステップ(b)は、
前記ダイを前記ダイフレームから前記近接する基板上へ移すためにガス圧力を印加するステップを含むことを特徴とする請求項174に記載の方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US40010102P | 2002-08-02 | 2002-08-02 | |
US10/322,718 US6915551B2 (en) | 2002-08-02 | 2002-12-19 | Multi-barrel die transfer apparatus and method for transferring dies therewith |
US10/322,467 US7117581B2 (en) | 2002-08-02 | 2002-12-19 | Method for high volume assembly of radio frequency identification tags |
US10/322,701 US7102524B2 (en) | 2002-08-02 | 2002-12-19 | Die frame apparatus and method of transferring dies therewith |
US10/322,702 US6848162B2 (en) | 2002-08-02 | 2002-12-19 | System and method of transferring dies using an adhesive surface |
US10/429,803 US7023347B2 (en) | 2002-08-02 | 2003-05-06 | Method and system for forming a die frame and for transferring dies therewith |
PCT/US2003/023792 WO2004012896A1 (en) | 2002-08-02 | 2003-07-30 | Method and appartus for high volume assembly of radio frequency identification tags |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005535149A true JP2005535149A (ja) | 2005-11-17 |
JP2005535149A5 JP2005535149A5 (ja) | 2006-10-05 |
Family
ID=31499693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005506084A Pending JP2005535149A (ja) | 2002-08-02 | 2003-07-30 | 無線周波識別タグの大量アセンブリの方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1545828A4 (ja) |
JP (1) | JP2005535149A (ja) |
AU (1) | AU2003257016B2 (ja) |
CA (1) | CA2494487A1 (ja) |
TW (1) | TWI226813B (ja) |
WO (1) | WO2004012896A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190084084A (ko) * | 2016-11-23 | 2019-07-15 | 로히니, 엘엘씨. | 패턴 어레이 직접 이송 장치 및 이를 위한 방법 |
KR20210095211A (ko) * | 2019-01-21 | 2021-07-30 | 가부시끼 가이샤 도꾜 세이미쯔 | 웨이퍼 박리 세정 장치 |
JP2022525005A (ja) * | 2019-03-06 | 2022-05-11 | ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 半導体デバイスを転写するための多軸移動 |
US11488940B2 (en) | 2015-03-20 | 2022-11-01 | Rohinni, Inc. | Method for transfer of semiconductor devices onto glass substrates |
US11728195B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-08-15 | Rohinni, Inc. | Apparatuses for executing a direct transfer of a semiconductor device die disposed on a first substrate to a second substrate |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040250417A1 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-16 | Arneson Michael R. | Method, system, and apparatus for transfer of dies using a die plate |
WO2006109678A1 (ja) | 2005-04-06 | 2006-10-19 | Hallys Corporation | 電子部品の製造装置 |
DE102005022780B4 (de) * | 2005-05-12 | 2017-12-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchips für Tag-Anwendungen und Verfahren zur Packung von Halbleiterchips |
US7684781B2 (en) * | 2005-11-25 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device |
US8067253B2 (en) | 2005-12-21 | 2011-11-29 | Avery Dennison Corporation | Electrical device and method of manufacturing electrical devices using film embossing techniques to embed integrated circuits into film |
WO2008132287A1 (en) | 2007-04-26 | 2008-11-06 | Confidex Oy | Rfid tag |
US7678667B2 (en) * | 2007-06-20 | 2010-03-16 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of bonding MEMS integrated circuits |
DE102008046742A1 (de) | 2008-09-11 | 2010-03-18 | Mtu Aero Engines Gmbh | Verfahren zum Verbinden von Bauteilen |
US8034663B2 (en) | 2008-09-24 | 2011-10-11 | Eastman Kodak Company | Low cost die release wafer |
US20100072490A1 (en) * | 2008-09-24 | 2010-03-25 | Kerr Roger S | Low cost flexible display sheet |
US7879691B2 (en) | 2008-09-24 | 2011-02-01 | Eastman Kodak Company | Low cost die placement |
JP2020515074A (ja) | 2017-03-24 | 2020-05-21 | カードラブ・アンパルトセルスカブCardLab ApS | キャリアのアセンブリとそれに固定された複数の電気回路、およびその製造方法 |
KR102609560B1 (ko) * | 2017-09-08 | 2023-12-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55118690A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device for carrying electronic part |
US5255430A (en) * | 1992-10-08 | 1993-10-26 | Atmel Corporation | Method of assembling a module for a smart card |
US6027027A (en) * | 1996-05-31 | 2000-02-22 | Lucent Technologies Inc. | Luggage tag assembly |
US6107920A (en) * | 1998-06-09 | 2000-08-22 | Motorola, Inc. | Radio frequency identification tag having an article integrated antenna |
US6451154B1 (en) * | 2000-02-18 | 2002-09-17 | Moore North America, Inc. | RFID manufacturing concepts |
DE10017431C2 (de) * | 2000-04-07 | 2002-05-23 | Melzer Maschinenbau Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Datenträgern mit integriertem Transponder |
-
2003
- 2003-07-30 WO PCT/US2003/023792 patent/WO2004012896A1/en active Application Filing
- 2003-07-30 JP JP2005506084A patent/JP2005535149A/ja active Pending
- 2003-07-30 EP EP03766981A patent/EP1545828A4/en not_active Withdrawn
- 2003-07-30 AU AU2003257016A patent/AU2003257016B2/en not_active Ceased
- 2003-07-30 CA CA002494487A patent/CA2494487A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-01 TW TW092121188A patent/TWI226813B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11488940B2 (en) | 2015-03-20 | 2022-11-01 | Rohinni, Inc. | Method for transfer of semiconductor devices onto glass substrates |
US11515293B2 (en) | 2015-03-20 | 2022-11-29 | Rohinni, LLC | Direct transfer of semiconductor devices from a substrate |
US11562990B2 (en) | 2015-03-20 | 2023-01-24 | Rohinni, Inc. | Systems for direct transfer of semiconductor device die |
KR20190084084A (ko) * | 2016-11-23 | 2019-07-15 | 로히니, 엘엘씨. | 패턴 어레이 직접 이송 장치 및 이를 위한 방법 |
KR102376228B1 (ko) * | 2016-11-23 | 2022-03-17 | 로히니, 엘엘씨. | 패턴 어레이 직접 이송 장치 및 이를 위한 방법 |
US11462433B2 (en) | 2016-11-23 | 2022-10-04 | Rohinni, LLC | Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die |
US11728195B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-08-15 | Rohinni, Inc. | Apparatuses for executing a direct transfer of a semiconductor device die disposed on a first substrate to a second substrate |
KR20210095211A (ko) * | 2019-01-21 | 2021-07-30 | 가부시끼 가이샤 도꾜 세이미쯔 | 웨이퍼 박리 세정 장치 |
KR102339238B1 (ko) * | 2019-01-21 | 2021-12-13 | 가부시끼 가이샤 도꾜 세이미쯔 | 웨이퍼 박리 세정 장치 |
JP2022525005A (ja) * | 2019-03-06 | 2022-05-11 | ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 半導体デバイスを転写するための多軸移動 |
JP7241905B2 (ja) | 2019-03-06 | 2023-03-17 | ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 半導体デバイスを転写するための多軸移動 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1545828A1 (en) | 2005-06-29 |
AU2003257016A1 (en) | 2004-02-23 |
TWI226813B (en) | 2005-01-11 |
CA2494487A1 (en) | 2004-02-12 |
WO2004012896A1 (en) | 2004-02-12 |
EP1545828A4 (en) | 2008-07-23 |
AU2003257016B2 (en) | 2009-03-12 |
TW200412217A (en) | 2004-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7023347B2 (en) | Method and system for forming a die frame and for transferring dies therewith | |
US7102524B2 (en) | Die frame apparatus and method of transferring dies therewith | |
US7795076B2 (en) | Method, system, and apparatus for transfer of dies using a die plate having die cavities | |
JP2005535149A (ja) | 無線周波識別タグの大量アセンブリの方法および装置 | |
US20070158024A1 (en) | Methods and systems for removing multiple die(s) from a surface | |
KR100732648B1 (ko) | 비접촉 아이디 카드 및 그의 제조방법 | |
EP1801867A2 (en) | Method of flip-chip mounting a semiconductor chip to a circuit board, circuit board for flip-chip connection and method of manufacturing the same | |
US20080124842A1 (en) | Method and apparatus for linear die transfer | |
KR20060017790A (ko) | 전자장치를 제조하기 위한 전달 어셈블리 | |
KR20060132708A (ko) | 소형-피쳐-크기 및 대형-피쳐-크기 부품들이 통합된 장치및 그의 제조 방법 | |
EP2329522A2 (en) | Thermal barrier layer for integrated circuit manufacture | |
US20070131016A1 (en) | Transferring die(s) from an intermediate surface to a substrate | |
JP2007042087A (ja) | Rfidタグ及びその製造方法 | |
US7772042B2 (en) | Solvent softening to allow die placement | |
CN110654714A (zh) | 半导体元件的载带系统与从载带的口袋搬移半导体元件的方法 | |
US20060261957A1 (en) | Method for producing bridge modules | |
JP2014203843A (ja) | 半導体素子の実装方法およびアンテナ回路部材 | |
JP2010266992A (ja) | 非接触icカードの製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060731 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060731 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090717 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091016 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091023 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100427 |