TWI226813B - Method and apparatus for high volume assembly of radio frequency identification tags - Google Patents

Method and apparatus for high volume assembly of radio frequency identification tags Download PDF

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TWI226813B
TWI226813B TW092121188A TW92121188A TWI226813B TW I226813 B TWI226813 B TW I226813B TW 092121188 A TW092121188 A TW 092121188A TW 92121188 A TW92121188 A TW 92121188A TW I226813 B TWI226813 B TW I226813B
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Michael R Arneson
William R Bandy
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Description

1226813 (1) 狄、發明說明 t發明所屬之技術領域】 本發明一般而言係有關電子裝置之組裝。更明確地’ 本發明係有關射頻識別（RFID )標籤之組裝。 【先前技術】
挑選及放置技術經常被使用以組裝電子裝置。此等技 術涉及一操縱器，諸如機器人手臂，用以從一晶圓移除積 體電路（1C )晶粒並將其安裝至一具有其他電子組件（諸 如天線、電容、電阻、及電感）之基底上以形成一電子裝 置。 挑選及放置技術涉及複雜的機器人組件及控制系統’ 其僅操作一晶粒於某一時刻。此技術具有限制生產量的缺 點。再者，挑選及放置技術限制了放置準確度，並具有一 最小晶粒尺寸需求。
一種可使用挑選及放置技術而被組裝的電子裝置型式 爲RFID “標籤”。RFID標籤可被固定至一項目，以利檢 測及/或監督此項目之存在。RFID標籤之存在，及因而標 籤所固定之項目的存在，可由已知爲“讀取器”之裝置所 檢查及監督。 隨著市場對於諸如RFID標籤等產品之要求增加，及 隨著晶粒尺寸縮小，對於極小晶粒之高組裝生產率、以及 低生產成本均爲提供商業上可實行產品之關鍵要素。因此 ，所需的是一種用於電子裝置（諸如RFID標籤）之高產 -5- (2) 1226813 量組裝的方法及設備，其克服這些限制。 【發明內容】 本發明係有關用以製造一或更多電子裝置（諸如 RFID標籤）之方法、系統、及設備，此等電子裝置各包 含一具有一或更多導電接觸墊之晶粒，該等導電接觸墊提 供電連接至一基底上之電子電路。 於第一型態中，多數RFID標籤係依據本發明而被組 φ 裝。多數晶粒被分離自一劃線晶圓並安裝至一轉移或支撐 表面（一般在工業中被稱爲“綠色帶”）。晶粒係從支撐 表面被轉移至相應的標籤基底，無論是直接地或是經由一 或更多中間表面。 於第一型態中，晶粒係使用黏著表面機構及製程而被 轉移於表面之間。 於另一型態中，晶粒係使用衝壓（punching )機構及 製程而被轉移於表面之間。 · 於另一型態中，晶粒係多桶晶粒同夾（c〇Het)機構 及製程而被轉移於表面之間。 於另一型態中，形成一晶粒框。再者，使用晶粒框以 轉移晶粒。 於用以製造晶粒框之一型態中’ 一包含多數晶粒之晶 圓被安裝至一帶結構之表面上。一溝槽（grooves)柵（ g I" i d )被形成於晶圓中以分離帶結構之表面上的多數晶粒 。可透過栅之溝槽而存取之帶結構的一部分被致使硬化爲 -6 - (3) 1226813 柵狀的結構。柵狀結構可移除式地固持多數晶粒。多數晶 粒之一或更多晶粒可從栅狀結構被移動至一靶表面上。 於用以製造晶粒框之一另型態中，一包含多數晶粒之 晶圓被安裝至一帶結構之表面上。帶結構包含一囊封（ encapsulated )硬化材料。一溝槽栅被形成於晶圓中以分 離帶結構之表面上的多數晶粒。帶結構之表面被破壞於溝 槽中（於形成溝槽時）以致使囊封硬化材料於溝槽中硬化 成爲柵狀的硬化材料於柵之溝槽中。 於一型態中’晶粒可被轉移自一依據本發明而製造的 晶粒框。一晶粒框被放置緊鄰一基底之表面以致其可移除 式地固持於晶粒框中的多數晶粒之一晶粒係緊鄰基底。各 晶粒可以此方式從晶粒框被轉移至緊鄰的表面。晶粒可從 晶粒框被一個接一個地轉移，或者多數晶粒可被同時地轉 移。 於一型態中，晶粒可被轉移於“墊朝上（pads up) ” 定向的表面之間。當晶粒以“墊朝上”定向被轉移至一基底 時，則相關的電子電路可被印刷或者被形成以將晶粒之接 觸墊耦合至標籤基底之相關電子電路。 於一替代型態中，晶粒可被轉移於“墊朝下（pads down ) ”定向的表面之間。當晶粒以“墊朝下”定向被轉移 至一基底時，則相關的電子電路可被預先印刷或者被預先 沈積於標籤基底上。 於另一型態中，描述一種用以形成晶粒之系統。一晶 圓備製模組供應一晶圓至一帶結構之表面。晶圓備製模組 -7 - (4) 1226813 形成一溝槽柵於一晶圓中以分離帶結構之表面上的多數晶 粒。一硬化劑源致使其可透過柵之溝槽而存取的帶結構之 一部分硬化成爲一柵狀結構。柵狀結構可移除式地固持多 數晶粒。多數晶粒之一或更多晶粒可從柵狀結構被移動至 一靶表面上。 於又另一型態中，描述另一種用以形成晶粒框之系統 。一晶圓備製模組供應一晶圓至一帶結構之表面。晶圓備 製模組形成一溝槽柵於一晶圓中以分離帶結構之表面上的 多數晶粒。帶結構包含一囊封硬化材料。一晶圓切斷（ singulation )模組形成一溝槽柵於晶圓中以分離帶結構之 表面上的多數晶粒。晶圓切斷模組破壞溝槽中之帶結構的 表面（當形成溝槽時）以致使囊封硬化材料於溝槽中硬化 成爲柵狀的硬化材料。 於本發明之另一型態中，一種系統及設備致能rFID 標籤之組裝。存在有一晶粒轉移模組以從支撐表面轉移多 數晶粒至標籤基底，以墊朝上或朝下方式。 於本發明之另一型態中，一替代系統及設備致能 RF ID標籤之組裝。存在有一晶圓備製模組以從支撐表面 轉移晶粒至一轉移表面。一晶粒轉移模組從轉移表面轉移 晶粒至標籤基底，以墊朝上或朝下方式。 這些及其他優點及特徵將透過以下本發明之詳細敘述 而變得淸楚明白。 實施方式 冬 (5) 1226813 本發明提供用以組裝電子裝置（包含RFID標籤）之 改良的方法及系統。.本發明提供對於目前方法之改良。習 知技術包含版本爲基礎的系統，其一次一個地挑選及放置 晶粒於基底上。本發明可同時地轉移多數晶粒。版本爲基 礎的系統受限於其可被操作之晶粒尺寸，諸如被限制爲大 於600微米平方之晶粒。本發明可應用於100微米及甚至更 小的晶粒。再者，習知系統之產量是不佳的，其中可能意 外地一次拾取兩個或更多晶粒，其造成額外晶粒之損失。 本發明提供簡化之優點。習知的晶粒轉移帶機構可由 本發明使用。再者，得以達成高得多的製造速率。目前的 技術於每小時處理5 - 8千個單元。本發明可提供對於這些 速率之N因數的改良。例如，本發明之實施例可處理晶 粒以五倍於習知技術之速率、1 0 0倍於習知技術之速率、 及甚至更快的速率。再者，因爲本發明容許倒裝晶片（ flip-chip)晶粒安裝技術，所以無須線路接合。 此處所述之實施例的元件可以任何方式結合。範例 RFID標籤被描述於以下章節中。RFID標籤之組裝實施例 被描述於下一章節。進一步的處理方法被接著描述，然後 描述標籤組裝系統。 1.0 RFID 標籤 本發明係有關用以製造電子裝置（諸如RFID標籤） 之技術。爲了說明之目的，此處之描述主要係有關RFID 標籤之製造。然而，其插述亦適用於進一步電子裝置型式 -9 - (6) 1226813 之製造，如那些熟悉相關技術者將從此處之教導淸楚瞭解
圖1 A顯示一示货RFID標籤1〇〇之方塊圖，依據本發 明之一實施例。如圖1 A中所示’ R F 1D標籤1 0 0包含一晶 粒1 0 4及置於一標籤基底1 1 6上之相關電子電路1 〇 6。相關 電子電路106包含一天線1 I4於本範例中。圖1B及1C顯示 示範RFID標籤1〇〇之詳細視圖’其被標示爲RFID標籤 100a及100b。如圖及1C中所不’晶粒1〇4可被裝設於 相關電子電路1 〇 6之天線1 1 4上。如此處另外進一步描述， 晶粒104可被裝設以一墊朝上或墊朝下定向。
RFID標籤1〇〇可被置於一存在有大量（或集合） RFID標籤之區域中。RFID標籤1 00接收其由一或更多標 籤讀取器所傳輸之詢問信號。依據詢問協定，RFID標籤 1 00回應這些信號。每一回應包含其識別現有RFID標籤 之潛在集合的相應RFID標籤1 〇〇。於接收回應時，標籤 讀取器決定回應標籤之身分（identity )，藉此確認標籤 存在於標籤讀取器所界定之涵蓋區域內。 RFID標籤100可被使用於各種應用中，諸如庫存控制 、機場行李監督、以及保全及監視應用。因此，RFID標 籤1 〇 〇可被附加至各種項目，諸如航空公司行李、零售庫 存、倉庫庫存、汽車、迷你碟片（CDs )、數位視頻碟片 (DVDs )、錄影帶、及其他物件。RFID標籤1 00致能此 等項目之位置監督及即時追蹤。
於本實施例中，晶粒](M係一積體電路，其執行RFID -10- (7) 1226813 操作，諸如依據各種詢問協定而通訊與一或更多標籤讀取 器（未顯示）。示範的詢問協定被描述於美國專利編號 65〇〇25344，其係於1999年十二月14日核准給 Bandy等人 ，案名爲電子庫存之系統及方法、以及美國專利申請案號 1 0/072,8 85，其係於2002年二月12日提出申請。晶粒104 包含多數接觸墊，其各提供與相關電子電路106之電連接 〇 相關電子電路106係透過1C晶粒104之多數接觸墊而 被連接至晶粒1 04。於實施例中，相關電子電路1 06提供一 或更多能力，包含RF接收及傳輸能力、感應器功能、電 力接收及儲存功能、以及額外的能力。相關電子電路1 06 之組件可被印刷至一標籤基底1 1 6上，以諸如導電墨水等 材料。導電墨水之範例包含銀導體5000、5021及5025，其 係由 DuPont Electronic Materials of Research Triangle Park, N.C.所製造。其他適於將相關電子電路l〇6印刷至標 籤基底116上之材料或機構包含聚合物介電成分5018及碳 基的 PTC 電阻膏72 82 ，其亦由 DuPont Electronic Materials of Research Triangle Park5 N.C.所製造。熟悉相 關技術之人士將從此處之教導淸楚瞭解其他可被用以沈積 組件材料於基底上之材料或機構。 如圖1A-1C中所示，標籤基底116具有一第一表面， 其容納晶粒104、相關電子電路106、以及標籤1〇〇之進一 步組件。標籤基底1 1 6亦具有一第二表面，其係與第一表 面相反。一黏著劑材料或観底（backing )可被包含於第 - 11 - (8) 1226813 二表面上。當存在時，黏著劑襯底致使標籤1 〇 〇得以被安 裝至物件’諸如書本或消費者產品。標籤基底η 6被製作 至下列材料‘ |，如聚酯、紙張、塑膠、織品（如布）.、及/ 或其他材料（諸如商業上可得的Tyvec® )。 於標籤100之某些實施中，標籤基底Π6可包含一刻痕 或“胞”（未顯示於圖1 A - 1 C )，其容納晶粒1 〇 4。此一實 施之範例被包含於晶粒104之“墊朝上，，定向中，如別處之 進一步描述。 圖2A及2B顯示一範例晶粒104之平面及側視圖。晶 粒104包含四個接觸墊204a_d，其提供介於相關電子電路 10 6與晶粒104的內部電路之間的電連接。注意到雖然係顯 示四個接觸墊204a-d，但可根據特定應用而使用任何數目 的接觸墊。接觸墊204係由導電材料所致，於晶粒之製造 期間。接觸墊204可進一步由額外及/或其他材料（諸如金 或助焊劑）之沈積所建立，假如組裝製程需要的話。此等 後處理（或“緩衝（bumping)”）將是那些熟悉相關技術者 所熟知的。 圖2C顯示一安裝有晶粒104之基底1 16的一部分，依 據本發明之一實施例。如圖2中所示，晶粒1 04之接觸墊 2 04a-d被耦合至基底1 16之個別接觸區域210a-d。接觸區 域21 Oa-d提供電連接至相關電子電路106。矩形形狀之接 觸墊204 a-d的配置容許晶粒104安裝至基底1 16之彈性、以 及良好的機械黏合。此配置容許1C晶粒104之不完美放置 於基底1 1 6上的容限範圍，而仍達成可接受的電耦合於接 (9) 1226813 觸墊2(Ma-d與接觸區域210a-d之間。例如，圖2D顯示基 底1 16上之1C晶粒l(M的不完.美放置。然而，.即使Ic晶 粒1 0 4被不當地放置，仍達成可接受的電耦合於接觸墊 204a-d與接觸區域21〇a-d之間。 注意到雖然圖2A-2D顯示共同地形成一矩形形狀之四 個接觸墊2〇4a-d的佈局，但亦可使用較多或較少數目的接 觸墊204。再者，接觸墊204a-d可於本發明之實施例中被 設計爲其他形狀。 2.0 RFID標籤組裝 本發明係有關連續輥組裝技術及其他用以組裝標籤（ 諸如RFID標籤1〇〇 )之技術。此等技術涉及標籤天線基 底1 1 6之材料的連續網（或輥），其能夠被分離成多數標 籤。如此處所述，所製造的一或更多標籤可接著被後處理 以利個別的使用。爲了說明之目的，此處所述之技術係參 考RFID標籤100之組裝。然而，這些技術可被應用於其 他標籤實施及其他適當的裝置，如那些熟悉相關技術人士 可從此處教導所得知。 本發明有利地去除一次一個地組裝電子裝置（諸如 RFID標籤）的限制，而容許多數電子裝置被平行地組裝 。本發明提供連續輥技術，其係可擴充的且提供較習知挑 選及放置技術更高得多產量的組裝速率。 圖3顯示一具有相關於RFID標籤100之連續輥製造之 範例步驟的流程圖3 0 0，依據本發明之範例實施例。圖3顯 -13 - (10) 1226813 示一流程圖’其說明一用以組裝標籤i 0 0之製程3 〇 〇。製程 3 Ο 0從步驟3 Ο 2開始。.於步驟3 〇 2，製造一具有多數晶粒1 〇 4 之晶, 400。圖4Α顯示一示範晶圓400之平面。圖4Α中 所示，多數晶粒1〇4被配置於多數列4〇2a-n。 於步驟3 04，晶圓4〇〇被供應至一支撐表面404。支撐 表面404包含一黏著劑材料以提供黏合。例如，支撐表面 4 04可爲一黏著劑帶，其將晶圓·4 〇 〇固持於定位以利後續處 理。圖4Β顯示其接觸與一範例支撐表面404之晶圓400的 範例視圖。 於步驟3 0 6，晶圓4 〇 〇上之多數晶粒1 〇 4被分離。例如 ，步驟3 0 6可包含依據一製程（諸如雷射蝕刻）以爲晶圓 4 0 0劃線。圖5顯示晶圓4 0 0之一視圖，此晶圓4 0 0具有與支 撐表面4 0 4接觸之範例分離晶粒1 〇 4。圖5顯示多數劃線 5〇2a-l，其標示晶粒104被分離之位置。 於步騾3 0 8，多數晶粒1 〇 4係從支撐表面4 0 4被轉移至 基底1 1 6。於一實施例中，步驟3 0 8可容許“墊朝下，，轉移 。另一方面，步驟3 0 8可容許“墊朝上”轉移。如此處所使 用，“墊朝上”及“墊朝下”表示R F I D標籤1 〇 〇之替代實施。 明確地，這些術語指示相關於標籤基底1 1 6之連接墊2 0 4的 定向。於標籤1 0 0之“墊朝上”定向，晶粒1 0 4被轉移至標籤 基底116，以其接觸墊204a-d背向標籤基底116。於標籤 1 0 0之“墊朝下”定向，晶粒1 〇 4被轉移至標籤基底丨〗6，以 其接觸墊2(Ha-d面朝向（並接觸與）標籤基底116。有關“ 墊朝上”轉移之步驟3 0 8的範例係參考圖1 1而被更詳細地描 (11) 1226813 述。有關“墊朝下”轉移之步驟3 Ο 8的範例係參考圖1 6而被 更詳細地描述。 於步驟3 1 0 ’執行後處理。於步驟3〗〇期間，完成了 RF ID標籤1 〇 〇之組裝。步驟3 1 0係參考圖5 4而被更詳細地 描述於下。 2.1晶粒轉移實施例 圖3中所述（以及以上所討論）之步驟3 〇 8係關於從一 支撐表面轉移分離的晶粒至一標籤基底。被安裝至支撐表 面（如圖5中所示者）之分離晶粒可藉由多種技術而被轉 移至標籤基底。習知地，此轉移係使用一種挑選及放置工 具而完成。挑選及放置工具使用一種真空晶粒筒夾，其係 由一機器人機構所控制，此機器人機構藉由吸力作用以從 支撐結構拾取晶粒、並將晶粒穩固地固持於晶粒統夾。挑 選及放置工具將晶粒置入一晶粒載具或轉移表面。例如， ―種適當的轉移表面係由Mulbauer，Germany所製造的 “ 衝壓帶”。目前的挑選及放置方式之缺點在於其一次僅有 一晶粒可被轉移。因此，目前的挑選及放置方式無法適當 地擴充於極高產量的速率。 本發明容許從一支撐表面一次地轉移一個以上晶粒至 一轉移表面。事實上，本發明容許一個以上晶粒之轉移於 任何兩個表面之間，包含從一支撐表面轉移晶粒至一中間 表面、於多數中間表面之間轉移晶粒、於一中間表面與最 終基底表面之間轉移晶粒、及直接從一支撐表面轉移晶粒 -15- (12) 1226813 至最終基底表面。 圖6顯示一流程圖6 0 0，其提供用以從第一表面轉移晶 粒至第二表面之步驟，依據本發明之實施例。本發明之結 構實施例將根據以下討論而使熟悉相關技術人士淸楚明白 。這些步驟被詳細地描述如下。 流程圖600從步驟602開始。於步驟602，多數安裝至 一支撐表面之晶粒被承接。例如，晶粒爲晶粒1 04，其係 顯示爲安裝至圖4A中之一支撐表面404。支撐表面可爲“ 綠色帶”，如熟悉相關技術人士所熟知的。 於步驟604，多數晶粒被轉移至一後續表面。例如， 晶粒1 0 4可依據本發明之實施例而被轉移。例如，晶粒可 由一黏著劑帶（諸如衝壓帶）、多桶輸送機構及/或製程 、或晶粒框（諸如以下之進一步描述）來轉移，且亦可由 其他機構及製程、或者由此處所述之機構/製程的組合來 轉移。於實施例中，後續表面可爲中間表面或實際的最終 表面。例如，中間表面可爲一轉移表面，其包含“藍色帶 ”，如熟悉相關技術人士所熟知的。當後續表面爲基底時 ，後續表面可爲一基底結構，其包含多數標籤基底，或者 可爲另一基底型式。 於步驟606，決定其後續表面是否爲最終表面。假如 後續表面是晶粒將被永久安裝之基底，則流程圖6 0 0之製 程便完成。因此，如圖6中所示，此製程進行至流程圖3 〇 〇 之步驟3 1 0，如圖3中所示。假如後續表面並非最終表面， 則製程進行至步驟6〇4，其中多數晶粒被接著轉移至另一 (13) 1226813 後續表面。步驟604及6 Ο 6可依據特定應用所需而被重複任 意次數。. 任何中間/轉移表面及最終基底表面可或可不具有形 成於其中以供晶粒駐存之胞。各種以下所述之製程均可被 使用以同時地轉移多數晶粒於第一與第二表面之間，依據 本發明之實施例。於此處所述之任何製程中，晶粒可被轉 移以墊朝上或墊朝下定向，從一表面至另一表面。 此處所述之晶粒轉移製程包含使用一黏著劑表面、一 平行晶粒衝壓製程、一多桶晶粒筒夾製程、一晶粒框、及 一晶粒支撐框之轉移。此處所述之晶粒轉移的元件可被結 合以任何方式，如熟悉相關技術人士所瞭解的。這些晶粒 轉移製程、及用以執行這些製程之相關範例結構被進一步 描述於下列次章節中。 2.1.1使用黏著劑表面之晶粒轉移 依據本發明之一實施例，一塗敷於第二表面上之黏著 劑物質可被壓在其駐存於第一表面上之分離晶粒上，其致 使晶粒安裝至黏合性塗敷的第二表面上。第二表面可被移 動離開第一表面，以攜載所安裝之晶粒離開第一表面。晶 粒可接著被轉移至後續中間/轉移表面，或者至一最終表 面（諸如基底）。 圖7顯示一流程圖7 0 0，其提供使用一黏著劑表面以從 第一表面轉移多數晶粒至第二表面的步驟。爲了說明之目 的，流程圖7 00將參考圖8-] 0而被描述，雖然流程圖700之 (14) 1226813 製程並不限定於圖-1 〇中所示之結構。 流程圖7 0 0從步驟702開始。於步驟702，第二表面被 設置緊鄰第一表面，其安裝有多數晶粒。例如，如圖8中 所不，多數晶粒1〇4被安裝至第一表面802。一第二表面 8 〇 4被設置接近第一表面8 0 2。例如，於實施例中，第一表 面8 0 2可爲一劃線晶圓或者支撐表面，或可爲一中間表面 。再者，第二表面804可爲一中間或轉移表面，或者可爲 一基底表面。圖4Α顯示一範例支撐表面，如支撐表面4〇4 。第二表面804可爲一綠帶或者一藍帶，如本工業中所熟 知者。 於步驟704，介於第一表面與第二表面之間的距離被 減小直到多數晶粒接觸第二表面並由於第二表面之黏合性 而安裝至第二表面。其範例顯示於圖9。如圖9中所示，第 二表面804係接觸與多數晶粒104。第一及第二表面802及 8 〇4之任一或兩者可被移動以致使接觸。注意第二表面8〇4 可具有黏合性，因爲其爲一黏著劑帶，或者可爲一具有黏 合材料之表面，諸如塗敷有環氧、膠、或蠟，以致使其具 有黏合性。 於步驟7〇6，第一表面及第二表面被移開，而多數晶 粒仍保持安裝至第二表面。例如，其顯示於圖丨〇。如圖j 〇 中所示，第一表面8 02及第二表面804已被移開，且多數晶 粒104保持女裝至第一表面8〇4。多數晶粒ι〇4被分開自第 一表面8 0 2。多數晶粒104保持安裝至第二表面8〇4，由於 第一表面8 0 4相對於第一表面8 〇 2之較大的黏合性。 -18- (15) 1226813 於一實施例中，流程圖7 00可包含額外的步驟，其中 一黏著劑材料被塗敷至第二表面以致其第二表面之黏合性 大於第一表面之黏合性。 ， 注意到可使用重疊（包含同一）機構以執行步驟704 至7 〇 6以減少第一與第二表面之間的距離，並移開第一與 第二表面，或者可使用不同的機構。例如，用以執行步驟 7〇4及/或706之機構可包含使用滾筒、活塞型衝壓技術、 空氣噴射、及/或任何本說明書之別處所述的其他適當機 構或其他已知的機構。 注意到流程圖700可應用於其在任一第一及第二表面 8 02及8 〇4上被定向以墊朝上或墊朝下之晶粒。例如，流程 圖700可包含進一步步驟，其中多數安裝至第一表面之晶 粒被定向以致其多數晶粒之各晶粒的至少一接觸墊係背向 第一表面。因此，當第一表面與第二表面被移開時，則多 數晶粒將以墊朝下方式保持安裝至第二表面。另一方面， 流程圖700可包含步驟，其中多數安裝至第一表面之晶粒 被定向以致其多數晶粒之各晶粒的至少一接觸墊係面朝向 第一表面。因此，當第一表面與第二表面被移開時，則多 數晶粒將以墊朝上方式保持安裝至第二表面。 於實施例中，流程圖700之製程可被實施於第一表面 上之任何部分的或所有的分離晶粒。例如，此製程可被完 成以一或更多次重複，使用一或更多黏著劑塗敷的第二表 面804之帶’其係各黏附至（並將單一行晶粒1〇4帶離開自 )第一衣面802。另一方面，可使用薄片大小的黏著劑塗 (16) 1226813 敷第二表面8 Ο4以黏附至（並將多行/任何大小陣列晶粒 104帶離開自）第一表面802。 爲了說明之目的，於此提出以下兩個次章節以提供使 用一黏著劑表面之晶粒轉移的更詳細範例。然而，本發明 並不限定於這些範例。 2.1.1.1墊朝上轉移 如參考圖3所述，於步驟3 0 8中，晶粒104可從支撐表 面4 04被轉移至標籤基底1 16，以一 “墊朝上”方式。當晶 粒1 0 4係以此方式被轉移至標籤基底}丨6時，其被定向以致 接觸墊204 a-d係背向標籤基底1 16。 圖1 1係一流程圖’其更詳細地說明“墊朝上”轉移之 步驟3 0 8的執行。此執行係從步驟1 1 〇 2開始。於步驟1 1 〇 2 中，一或更多晶粒1 〇 4被定向以利從支撐表面4 0 4轉移至標 籤基底U 6上。步驟1 1 0 2係參考圖1 2 A、1 2 B、1 3、1 4、及 1 5而被更詳細地描述，其提供一 “墊朝上”轉移操作之各 個階段期閭的晶粒1 0 4、支撐表面4 0 4、一轉移表面.丨2 〇 2、 及標籤基底1 1 6之範例視圖。 步驟1102包含步驟1120及1122。於步驟1120，晶粒 1 〇 4被設置接觸與轉移表面1 2 0 2。此步驟之執行被說明於 圖12A及12B，其提供接觸與支撐表面404及轉移表面12〇2 之一晶粒1 〇4的視圖。設置晶粒1 04接觸與轉移表面12〇2可 包含減少支撐表面4〇4與轉移表面1 202間之實際分離直到 晶粒1 〇 4接觸轉移表面]2 0 2的步驟。此亦可透過滾筒、活 -20- (17) 1226813 塞型衝壓技術、及/或空氣噴射之使用而執行。 步驟1120進一步包含對齊轉移表面12〇2與一或更多列 4 〇 2之步驟。例如’圖〗2 A顯示對齊與列4 0 2 a之轉移表面 1 2 0 2。於此範例中，轉移表面丨2 〇 2具有一寬度】2 〇 4，其被 選擇以接觸晶粒1 0 4之單一列4 0 2。然而，亦可利用其他的 寬度，其達成與多數列402之接觸。 於步驟1 1 2 2，晶粒1 〇 4被移除自支撐表面4 〇 4，藉此達 成從支撐表面404轉移至轉移表面1202。圖13係其轉移至 轉移表面1202之多數晶粒1〇4的視圖。從支撐表面404移除 晶粒104可包含下列步驟：於轉移表面1 202上提供較支撐 表面404上更強的黏著劑、及增加支撐表面404與轉移表面 1 202之間的實際分離。另一方面，從支撐表面404移除晶 粒104可包含下列步驟：提供一鬆弛黏著劑於支撐表面404 上，其藉由鬆弛作用（諸如暴露至熱能量、輻射、或紫外 線光）而使之喪失其黏合性質、及產生一鬆弛作用於需要 移除時。 在步驟1102之後，執行一步驟1 1〇4。於步驟1 1〇4，塗 敷一黏著劑至標籤基底1 1 6。此黏著劑將提供介於晶粒1 0 4 與標籤基底11 6之間的接合。 步驟1 106接續於步驟1 1〇4之後。於步驟1 106，晶粒 1 〇 4係以“墊朝上，，方式被轉移至標籤基底1 1 6上。步驟 1106包含下列步騾：設置晶粒104接觸與標鐵基底116並移 除晶粒ι〇4自轉移表面1 202。圖14及15顯示來自步驟1106 之執行的圖片。 (18) 1226813 圖14顯不一接觸與轉移表面1202及標數基底116之曰曰 粒104η。晶粒10 4η係接觸與一形成於標籤基底1 16上之胞 或刻痕1 4 0 2。刻痕1 4 0 2致使接觸墊2 0 4得以成爲大致上整 平（even)與其容納相關電子電路106之標籤基底Η6上的 表面。設置晶粒1 04接觸與標籤基底1 1 6包含一步驟：減少 介於轉移表面1 202與標籤基底1 1 6之間的實際分離直到晶
粒1 〇4接觸標籤基底1 1 6。此可透過滾筒、活塞型衝壓技術 、及/或空氣噴射之使用而執行。此外，以“墊朝上”定向 設置晶粒1 04接觸與標籤基底1 1 6包含將晶粒1 〇4對齊與相 應刻痕1 402之步驟。
從轉移表面1 202移除晶粒1 04可包含下列步驟：提供 一較轉移表面1 202上更強的黏著劑於標籤基底1 16上、及 增加介於轉移表面1 202與標籤基底1 16之間的實際分離。 另一方面，從支撐表面404移除晶粒104可包含下列步驟： 提供一鬆弛黏著劑於轉移表面1 202上，其藉由鬆弛作用（ 諸如暴露至熱能量、輻射、或紫外線光）而使之喪失其黏 合性質、及產生一鬆弛作用於需要移除時。 圖15顯不一*晶粒104η從轉移表面1202釋放並轉移至 標籤基底1 16。如圖15中所示，接觸墊204係大致上整平與 標籤基底1 1 6之表面1 5 0 2及1 5 0 4，藉此致使電連接得以被 輕易地形成於接觸墊2 0 4與印刷在這些表面上的相關電子 電路1 0 6之間。 在步驟1 1 0 6之後，執行一步驟π 0 8。於步驟1 1 〇 8，相 關電子電路1 0 6被印刷於標籤基底]]6上。步驟]1 0 6可包含 -22 - (19) 1226813 透過一絲網（screen)印刷製程、噴墨製程、及/或熱噴霧 製程而將.相關電子電路1 0 6印刷至標籤基底1 1 6上的步驟。 另一方面，步驟1106可包含透過一奉獻（oblation)製程 以移除其已配置在標籤基底1 1 6上之導電材料的步驟。 在步驟1 1 0 8之後，執行一步驟1 1 1 〇。於步驟Π 1 0，塗 敷一塗層於標籤基底1 1 6上。此塗層保護標籤1 〇 〇之元件， 諸如晶粒1 04及相關電子電路1 06，不受機械力影響。此外 ，此塗層提供電絕緣。再者，此塗層可提供一壓縮力於標 籤基底116上以進一步確保相關電子電路106與晶粒104之 間的適當連接。此一壓縮力可透過使用熱可收縮材料而被 提供。 2.1 . 1 . 2 墊朝下轉移
如參考圖3所述，於步驟3 0 8中，晶粒104可從支撐表 面404被轉移至標籤基底1 16，以一 “墊朝下”方式。當晶 粒1 04係以此方式被轉移至標籤基底1 1 6時，其被定向以致 接觸墊204a-d係面朝向標籤基底1 16。 圖1 6係一流程圖，其更詳細地說明“墊朝下”轉移之 步驟3 0 8的執行。此執行係從步驟1 602開始。於步驟1602 中，一或更多晶粒104被定向以利從支撐表面404轉移至標 籤基底1 16上。步驟1 602係參考圖12A、12B、13-14、及 17-20而被更詳細地描述。這些圖形提供一“墊朝下”轉移 操作之各個階段期間的晶粒1 04、支撐表面404、一轉移表 面1 202、一次要轉移表面1702、及標籤基底1 16之範例視 -23- (20) 1226813 圖。 步驟1620包含一轉移晶·粒1〇4至一主要轉移表面上之 步驟1 62 0及一轉移晶粒1〇4至一次要轉移表面上之步驟 1 622 ° 於步驟1 6 2 0，晶粒1 〇 4被設置接觸與轉移表面i 2 〇 2並 移除自支撐表面404，藉此導致晶粒1〇4從支撐表面404轉 移至轉移表面1 2 02。 圖12A及12B提供接觸與支撐表面404及轉移表面 1 2 0 2之一晶粒1 〇 4的視圖。轉移表面1 2 0 2係-一黏著劑材料 ，諸如帶。設置晶粒1 0 4接觸與轉移表面1 2 〇 2可包含減少 支撐表面404與轉移表面1 202間之實際分離直到晶粒1 〇4接 觸轉移表面1202的步驟。此亦可透過滾筒、活塞型衝壓技 術、及/或空氣噴射之使用而執行。 圖13係移除自支撐表面4〇4並轉移至轉移表面1202之 多數晶粒104的視圖。從支撐表面4〇4移除晶粒1〇4可包含 下列步驟：於轉移表面1202上提供較支撐表面404上更強 的黏著劑、及增加支撐表面404與轉移表面1 202之間的實 際分離。另一方面，從支撐表面404移除晶粒1〇4可包含下 列步驟：提供一鬆弛黏著劑於支撐表面4 〇 4上，其藉由鬆 驰作用（諸如暴露至熱能量、輻射、或紫外線光）而使之 喪失其黏合性質、及產生一鬆弛作用於需要移除時。 在步驟1 6 2 0之後，執行一步驟1 6 2 2。於步驟1 6 2 2，晶 粒1 04係從轉移表面12〇2被轉移至次要轉移表面〗7〇2上。 於步驟1 6 2 2，晶粒]〇 4被放置接觸與次要轉移表面]7 0 2。 (21) 1226813 圖1 7提供此一接觸之不範視圖，其中晶粒1 〇 4係接觸與轉 移表面1202及次要轉移表面1702。放置晶粒1〇4接觸與次 要轉移表面1702可包含減少支撐表面404與轉移表面1202 間之實際分離直到晶粒104接觸轉移表面12〇2的步驟。此 亦可透過滾筒、活塞型衝壓技術、及/或空氣噴射之使甩 而執行。 接下來，根據步驟1622，晶粒1〇4被移除自轉移表面 1202以完成轉移至次要轉移表面1702。圖18係其已被移除 自轉移表面1202且之後被轉移至次要轉移表面17〇2之晶粒 1 〇 4的視圖。如此處所述，轉移表面1 2 0 2及次要轉移表面 1 7 0 2均爲黏著劑表面。因此，從轉移表面〗2 〇 2移除晶粒 104可包含下列步驟：於次要轉移表面1 702上提供較轉移 表面1 2 0 2上更強的黏著劑、及轉移表面1 2 〇 2與次要轉移表 面1 7 02之間的實際分離。另一方面，從轉移表面1 202移除 晶粒1 〇 4可包含下列步驟：提供一鬆弛黏著劑於轉移表面 1 2 0 2上，其藉由鬆弛作用（諸如暴露至熱能量、輻射、或 紫外線光）而使之喪失其黏合性質、及產生一鬆弛作用於 需要移除時。 於步驟1 604，相關電子電路106被印刷於標籤基底Π6 上。步驟1 604可包含透過一絲網印刷製程、噴墨製程、及 /或熱噴霧製程而將相關電子電路1 0 6印刷至標籤基底Π 6 上的步驟。另一方面，步驟1604可包含透過一奉獻製程以 移除其已配置在標籤基底1 1 6上之導電材料的步驟。 於步驟]606，一導電黏著劑層被放置於標籤基底u 6 (22)1226813 之上。此步驟包含塗敷一各向異性黏著劑’其係導電於單 一維。一種此類黏著劑係商業可得的 “z軸黏著劑，其 係相關技術中所熟知的。各向異性黏著劑導電於單一方向 。因此，其有利地致使電連接得以被建立於連接墊2 0 4與 相關電子電路106之間而不會將連接墊204短路在一起。 於步驟1 6 08，晶粒10 4係以“墊朝下”方式被轉移至標 籤基底116上。在步驟1606中被置於標籤基底116上之各向 異性黏著劑層提供一電連接於各連接墊204與相關電子電 路1 0 6的相應元件之間。步驟1 6 0 8包含下列步驟：設置晶 粒104接觸與標籤基底116及從次要轉移表面1 702移除晶粒 104 ° 晶與 置0211 設17底 面基 表籤 底 基 10籤 粒標 騾 步 的 觸 接 此 移標 、 轉觸術 要接技 次04壓 少il衝 f 3型 :活 11分筒 底際滾 基實過 籤之透 標間可 與16赤 及/或空氣噴射之使用而執行。圖19係一接觸與次要轉移 表面1 7 0 2及標籤基底1 1 6之“墊朝下”定向的晶粒1 0 4之視 圖。如圖1 9中所示，可使用一衝壓構件1 9 0 2以於晶粒1 0 4 相反之位置上對次要轉移表面1 7 0 2衝壓，以將晶粒1 0 4從 次要轉移表面1 702轉移至標籤基底1 16。如上所述，亦可 替代地使用其他轉移機構及/或製程。 從次要轉移表面1 702移除晶粒1〇4可包含下列步驟： 於標籤基底116上提供較次要轉移表面1702上更強的黏著 劑、及增加次要轉移表面1 7 0 2與標籤基底1 1 6之間的實際 分離。另一方面，從次要轉移表面]7 0 2移除晶粒]0 4可包
-26 - (23) 1226813 含下列步驟：提供一鬆弛黏著劑於次要轉移表面17〇2上， 其藉由鬆弛作用（諸如暴露至熱能量、輻射、或紫外線光 )而使之喪失其黏合性質、及產生一鬆弛作用於需要移除 時。圖20係一安裝至標籤基底η6之“墊朝下”定向的晶粒 1 〇 4之視圖。 2.1.2 平行晶粒衝壓至一支撑表面上 依據本發明之平行晶粒衝壓製程，一第二表面（諸如 一衝壓帶）被對齊於安裝到第一表面之分離晶粒上。衝壓 帶具有多數晶粒承接器洞，“凹陷區（divots ) ”，或胞 形成於一表面中。衝壓帶中之各承接器胞被對齊與第一表 面之一相應晶粒。多重機械孔被啓動以將晶粒從第一表面 推入衝壓帶之相應承接器胞。以此方式，任何數目的晶粒 (包含數十及數百晶粒）可被同時地轉移入衝壓帶’而非 一次僅轉移一晶粒。 圖2 1顯示一流程圖2 1 00，其提供使用一平行衝壓製程 以從第一表面轉移多數晶粒至第二表面的步驟，依據本發 明之實施例。注意到其爲可選擇的流程圖8 0 0之步驟被顯 示爲封入於虛線內。進一步的結構實施例將根據下列討論 而使熟悉相關技術人士淸楚明白。 流程圖21 00將配合圖22-29而被描述，以利說明之目 的。一範例衝壓帶2200之透視圖被顯示於圖22，依據本發 明之一實施例。圖23顯示衝壓帶22 00之橫斷面圖。如圖22 中所示，衝壓帶22 00具有多數胞22 02形成於一頂部表面中 -27- (24) 、 1226813 。於某些實施例中，衝壓帶22 00可進一步具有多數導引洞 2204形成於頂部表面中。 如圖2 3中所示之範例，衝壓帶22 〇 〇可被形成自一衝壓 帶主體23 02及一黏著劑帶23 04。黏著劑帶23 04被安裝至衝 壓帶主體2302之一底部表面。衝壓帶主體23 02通常爲撓性 的’且可具有多種厚度，包含範圍從5 mil至1 1 mils之厚 度、或其他厚度。衝壓帶主體2302可被製作以塑膠或者其 他撓性或非撓性材料。黏著劑帶23 04可爲黏著劑帶或其他 黏著劑材料之任何帶。另一方面，衝壓帶2 2 0 0可爲一種習 知的晶片載具（如工業中可取得者），及/或可爲單件衝 壓帶。 胞2 2 0 2開口於衝壓帶2 2 0 0之一頂部表面上而未開口於 衝壓帶2200之底部表面上。多數胞2202係形成自多數通過 衝壓帶主體23 02之開口，其一端係由黏著劑帶23 04所覆蓋 。開口可藉由雷射蝕刻或藉由其他製程而被預形成、或可 被形成於衝壓帶2200中。 當存在時，導引洞2204可穿透將於衝壓帶22 00之底部 及頂部表面上開口的衝壓帶2200，或可開口於兩表面之僅 僅其中之一。導引洞22 04可被使用以使衝壓帶22 00對齊與 —表面。 於以下之討論中，衝壓帶22 00被描述爲接收晶粒自 一支撐表面，並轉移晶粒至一基底。然而，於實施例中， 例如，衝壓帶2 2 0 0可接收晶粒自一表面（其爲一劃線晶圓 或支撐表面）、或者一中間表面。再者，衝壓帶2 2 0 0可轉 (25) 1226813 移晶粒至一中間或轉移表面、或者至一基底表面。 圖21中所示之流程圖2100從步驟21〇2開始。於步驟 2102’ 一支撐表面被定位緊鄰於衝壓帶表面中之多數空胞 的一相應空胞。圖24說明步驟2102。例如，如圖24中所示 ，步驟2102之支撐表面可爲支撐表面404，其被定位緊鄰 於衝壓帶2200。如圖24中所示，多數晶粒104a被安裝至 支撐表面404，而其他的多數晶粒i〇4b被安裝至支撐表面 4 04之表面。多數晶粒i〇4a之各晶粒被定位緊鄰於衝壓帶 2200中之一空胞2202。 圖24亦顯示一定位鄰近於支撐表面404之衝壓設備 2 4 02，依據本發明之一範例實施例。衝壓設備24 02包含一 主體2404及多數衝壓構件2406。衝壓構件2406被安裝至主 體2404。於實施例中，衝壓設備24 02可爲任何型式之適用 的衝壓裝置，包含一平坦表面（其具有延伸自該表面之衝 壓構件24 06 )，或者可爲滾拴（rolling-pin)型裝置（其 具有從該裝置徑向朝外延伸之衝壓構件2406 )。衝壓設備 2402亦可被組裝以額外的方式。 於步驟2104，所有多數晶粒係從支撐表面被同時地轉 移入緊鄰的、相應空胞。例如，如圖2 5中所示，所有多數 晶粒104A係藉由衝壓設備2402而被同時地轉移入相應的 空胞22 02。如圖25中所示，衝壓設備2402已朝上移動以藉 由推動支撐表面而將每一多數晶粒104A推入其相應的 胞22 02。如圖25中所示，支撐表面404實質上屈曲以容許 衝壓構件240 6朝上推動多數晶粒I 〇4a而不會對支撐表面 >29- (26) 1226813 4 〇4造成實質的損害。雖未顯示於圖25，多數晶粒104a係 由於黏著劑帶2 3 04之黏合性而安裝於胞2202中，且在衝壓 構件2406被移除或縮回後仍1呆持於胞2202中。 於可選擇的步驟2 1 0 6中，衝壓帶被遞增相對於支撐表 面以將其安裝至裝置之第一表面的其他多數晶粒之各晶粒 定位緊鄰於衝壓帶之表面中的其他多數空胞之一相應空胞 。例如，如圖2 6中所示，衝壓帶2 2 0 0已被移動並定位緊鄰 於多數晶粒1 〇 4 b以致其衝壓帶2 2 0 0之一空胞2 2 0 2係緊鄰 於多數晶粒1 〇 4 b之各晶粒。 注意其遞增衝壓帶2200相對於支撐表面404之製程表 不其任一或更多衝壓帶2200、支撐表面404、及/或衝壓設 備2 4 0 2均可被移動以適當地定位這些元件相對於晶粒1 〇 4 在支撐表面404上。 於可選擇的步驟2 1 0 8中，所有的其他多數晶粒係從支 撐表面被轉移入緊鄰的相應空胞。例如，如圖2 6中所示， 衝壓設備2402將多數晶粒l〇4b之各晶粒推入相鄰的胞 2202中。多數晶粒l〇4b係由於黏著劑帶23 04之黏合性而 安裝於胞2202中。 於可選擇的步驟2 1 1 0中，步驟2 1 0 6及2 1 0 8可被重複直 到實質上安裝至支撐表面之所有晶粒已從支撐表面被轉移 至衝壓帶。注意其可選擇的步驟2106、2108、及2110適用 於實施例’其中需要多次重複以從一表面衝壓多數晶粒至 另一表面以使得其所有安裝至第一表面之晶粒被轉移至第 二表面。換言之，例如，於單一步驟中被轉移之多數晶粒 >30- (27) 1226813 可實質上等於其安裝至支撐表面之晶粒總數的每N個晶 粒之一。因此，於此一實施例中，支撐表面可被定位緊鄰 於衝壓帶之表面，以使得其安裝至支撐表面之第一表面的 每N個晶粒之一的各晶粒係緊鄰於衝壓帶表面中之多數 空胞的一相應空胞。 於一替代實施例中，多數已轉移之晶粒可爲所有安裝 至第一表面的晶粒，以致其無須進一步的重複。例如，圖 27顯示多數安裝至支撐表面404之晶粒104，其中各晶粒被 定位緊鄰於衝壓帶2 2 0 0中之相應胞2 2 0 2。如圖2 7中所示， 衝壓設備24 02具有相應於多數晶粒1〇4之多數衝壓構件 2406。因此，當衝壓構件2406同時地朝上衝壓入支撐表面 404時，則所有多數晶粒104被同時地移入衝壓帶2200之相 應胞2 2 0 2中。 注意其此處所述之衝壓機構晶粒轉移實施例可應用於 墊朝上及墊朝下晶粒定向。於此，多數晶粒1 0 4可被轉移 入相應的胞22 02，以其墊面朝著相應胞2202之內或外，如 所需。再者，衝壓機構實施例可被替代以如上所述之黏著 劑帶轉移實施例以翻轉晶粒1 〇4之定向。因此，黏著劑帶 可被使用以轉移晶粒一或更多次，接續以藉由衝壓機構之 多數晶粒1 〇4的最終轉移。因此，黏著劑帶實施例可被使 用來以墊朝上或墊朝下定向晶粒，在被衝壓入胞2202之前 〇 例如，於一範例步驟2 1 0 6中，支撐表面4 0 4可被遞增 以晶粒1 〇 4之一行相對於衝壓帶。衝壓帶2 2 0 0可被纏繞於 (28) 1226813 一滾筒上。衝壓帶2 2 Ο 0被推進.以致其空晶粒承接器胞2 2 〇 2 被對齊於支撐表面404上之一晶粒1〇4行上。支撐表面404 之行中的晶粒1 0 4被衝壓入空晶粒承接器胞2 2 〇 2，於步驟 2108。支撐表面404可接著被再次遞增一行，且衝壓帶 2200被再次推進，以致其支撐表面404之晶粒104的下一行 可被衝壓入衝壓帶22 00之進一步空晶粒承接器胞。此程序 可被重複直到支撐表面404用盡晶粒1〇4爲止。 使用一衝壓機構之範例晶粒轉移實施例被詳細地描述 於下列次章節中。 2.1.2.1 從支撐表面直接轉移至天線基底 依據本發明之一實施例，一衝壓機構可伺時地從一第 一表面轉移多數晶粒之各晶粒至一相應天線基底上。於其 中第一表面爲一安裝有來自一晶圓之分離晶粒的支撐表面 之實施例中，此製程容許大量電子裝置（諸如RFID標籤 ]〇〇)之極快速製造。 流程圖21 00之步驟21 02及2 104支援從一支撐表面至一 基底之晶粒的轉移，其中取代其使用一衝壓帶爲第二表面 ，一基底被使用爲第二表面。圖2 8說明使用衝壓設備2 4 0 2 之一範例，以從支撐表面404轉移多數晶粒104至一基底結 構2 8 02，其包含多數標籤基底部分（亦即，標籤基底 1 16a-d )。 如圖28中所示，衝壓設備2402具有多數衝壓構件2406 ，其被定位鄰近支撐表面404之一相反表面上的晶粒104。 • 32 - (29) 1226813 於一修改過的步驟21 02中，支撐表面404被定位緊鄰基底 結構2 8 02之一表面，以致其多數晶粒之各晶粒104係緊鄰 一標籤基底116。各標籤基底116具有接觸區域210a及 2 10b以供耦合至各晶粒104之接觸墊204a及204b。 注意其一塡充材料層2804可被可選擇地塗敷至基底結 構2 8 02之表面。如此容許各晶粒104成爲塡充，當安裝至 基底結構2 8 0 2時。 於一修改過的步驟2 1 04中，所有多數晶粒1 04被同時 地從支撐表面404轉移至緊鄰、相應的標籤基底1 16上。例 如，如圖28中所示，衝壓構件2406可被移動於箭號2408之 方向以轉移晶粒1 0 4。圖2 9顯示基底結構2 8 0 2，以各晶粒 104女裝至標氣基底ii6a-d之一相應者。塡充材料層2804 提供一塡充材料以被置於各晶粒104與標籤基底1 16之間。 適於塡充材料層2804之範例塡充材料被進一步描述於下列 章節。 以此方式，多數RFID標籤100可被快速地產生，以 較少的製程步驟。圖2 9中所示之標籤基底1 1 6 a - d可隨後被 分離以產生多數個別的r F X D標籤1 〇 〇。注意雖然圖2 8及 2 9顯示以一“墊朝下，，定向直接地轉移晶粒i 〇 4至標籤基底 1 1 6 ’但熟悉相關技術人士將從此處之教導瞭解此直接地 轉移晶粒至標籤基底i 16亦可被完成以一“墊朝上，，定向。 -33- (30) 1226813
如衝壓帶2200 )被對齊於安裝至一第一表面之分離晶粒 104上。衝壓帶2200中之各承接器胞2202具有一置於其中 之相應晶粒。各胞22 02被接著塡入以一塡充材料，。衝 壓設備2402被啓動以從衝壓帶220 0移動晶粒1〇4至基底結 構2 8 02之相應標籤基底1 1 6上。以此方式，任何數目的晶 粒（包含數十及數百晶粒）可被同時地轉移自衝壓帶2 2 〇 〇 ，而非一次僅轉移一晶粒。再者，藉由在轉移晶粒1 〇 4至 標籤基底1 1 6之前塗敷塡充材料，則各晶粒可被輕易地塡 充於個別標籤基底1 1 6上，於轉移製程期間，其提供數項 優點。 圖30顯示一流程圖3 000，其提供用以組裝RFID標籤 之步驟，依據本發明之實施例。注意其爲可選擇的流程圖 3 0 00之步驟被顯示爲封入於虛線內。流程圖3 0 0 0將配合圖 3 1 -4 7而被描述，以利說明之目的。進一步的結構實施例 將根據下列討論而使熟悉相關技術人士淸楚明白。
流程圖3 000從步驟3 0 02開始。於步驟3 0 02，多數晶粒 係從一支撐表面被轉移至一晶片載具，其具有多數可存取 於晶片載具之一第一表面上的胞，以致其多數晶粒之各晶 粒駐存於多數胞之一相應胞中且係凹陷在相關於第一表面 之相應胞中。例如，晶片載具係一衝壓帶，諸如圖3 1中所 示之衝壓帶2200。如圖3 1中所示，衝壓帶2200具有範例空 的第一及第二胞22 02a及2202b。圖32及33顯示其被轉移 入第一及第二胞22 02a及22 02b中之第一及第二晶粒l〇4a 及1 〇 4 b。第一及第二晶粒]〇 4 a及]〇 4 b可藉由任何此處所 -34 - (31) 1226813 述之製程或其他已知製程（包含藉由一種挑選及放置製程 )而被轉移入第一及第二胞2202a及2202b。第一及第二 晶粒104a及104b可一次一個地被轉移入第一及第二胞 22 02a及2 2 02b (如圖32及33所示），或者同時地。注意 其兩個晶粒被顯示於目前範例中以利說明之目的，且本發 明可應用至任何數目的晶粒。 於步驟30〇4，一塡充材料被塗敷入多數晶粒之各晶粒 。例如，如圖34中所示，一塡充材料34〇2被塗敷入第一及 第一胞2202a及22〇2b以實質上覆蓋每一晶粒1〇4a及1〇灿 ’其係顯示爲第一及第二塡充材料部分34〇2a及34〇21^。 塡充材料34〇2被用以塡充晶粒1〇4當其安裝至一基底（諸 如標籤基底11 6 )時，以利諸如環境及密封保護等目的（ 除了其他原因之外）。 於貫施例中，塡充材料3 4〇2可爲熟悉相關技術人士所 傳統上已知的任何塡充材料。塡充材料3 4 〇 2可爲導電的、 或非導電的。例如，塡充材料34〇2可爲等向導電，亦即， 於所有方向爲實質上均勻地導電。再者，塡充材料34〇2可 爲各向異性導電’亦即，於一所欲方向導電。{列如，塡充 材料34〇2可爲一種z軸環氧化物。 方、貝施例中，塗敷於各胞2 2 0 2之塡充材料3 4 〇 2的量 可被控制，以致其提供特定應用所需的量。麵，圖34顯 2 ”第及第一塡充材料34〇2a及3402b已被塗敷以致其 塡充材料延伸超出第一及第二胞22〇2&及22〇2b。於另〜 範例中，圖35顯示其第—及第：塡充材料34_及·b -35 ‘ (32) 1226813 已被塗敷以致其_充材料係齊平（flush)或整平與衝厚 帶22.00之頂部表面。例如，爲了致使塡充材料34G2齊平或 整平與衝壓帶2200之頂部表面，可使用一種“刮平（ s q u e e g e e ) ”製程。圖3 6顯示所執行之一範例刮平製程。 例如，一刮平元件3 6 02被傳遞沿著衝壓帶22〇〇之頂部表面 ，平滑化第一胞2202a中之第一塡充材料3 4〇2a。顯示其 一過量塡充材料3604被移除。於圖36之範例中，塡充材料 3402被塗敷至胞2202，在刮平元件3602被供應之前。另— 方面，塡充材料3402可藉由刮平元件3602而被塗敷。 於圖3 4 - 3 6之範例中，各晶粒1 〇 4之高度約略等於相應 胞2202之局度的一半。塡充材料3604塡入胞2202之剩餘的 一半高度。以此胞22 02中之塡充材料3 604的量相對於晶粒 1 0 4之尺寸，可提供足夠的塡充材料3 6 0 4至晶粒1 〇 4 (當安 裝至基底116時），而不會有過量的塡充材料。然而，本 發明可應用於胞22 02中之塡充材料3 604的更高或更低部分 〇 於流程圖3 000之可選擇步驟3 006，晶片載具之第一表 面被定位緊鄰一具有多數標籤基底部分之基底結構的表面 。例如’圖3 7顯示一範例基底結構2 8 0 2。基底結構2 8 0 2包 含多數標籤基底部分（亦即，標籤基底1 1 6 )，亦被稱爲 標籤基底之網或陣列。基底結構2 8 0 2包含任何數目的標籤 基底11 6 ’且可被成形爲標籤基底〗丨6之任何尺寸、行、列 、或陣列。圖38顯示圖37之基底結構2 8 02，在已被分離爲 個別的條狀標籤基底結構2 8 0 2 a、2 8 0 2 b、2 8 0 2 c、及2 8 0 2 d (33) 1226813 。基底結構2 8 02可藉由鋸、切、藉由雷射、及藉由其他製 程而被分離爲長條。基底結構2 8 0 2之一長條可被便利地使 用以轉移晶粒104自衝=壓帶2200，其通常亦形成條狀。 圖3 9顯示條狀基底結構2 8 0 2 a之一部分的視圖。基底 結構2802包含第一及第二標籤基底116a及116b。第一標 籤基底116a包含一天線114a及一導引洞3902a。第二標籤 基底1 16b包含一天線1 14b及一導引洞3 9 02b。 導引洞3 902可被使用以對齊基底結構2 802 a與衝壓帶 2200。例如，導引洞3 902可被使用與圖22中所示之導引洞 2204以提供對齊。導引洞3 902及導引洞2204可被使用以機 械地或光學地對齊基底結構2802a與衝壓帶2200。例如， 機械對齊可包含使用一具有其連結與導引洞22 04之間隔栓 (pegs )的第一輪以對齊衝壓帶2200、及使用一具有其連 結與導引洞3 9 02之間隔栓的第二輪以對齊基底結構2 8 02a 。第一輪及第二輪被同步化。 圖40顯示其被定位緊鄰於基底結構2 8 02 a之衝壓帶 22 00的頂部表面，依據步驟3 006。標籤基底1 1.6a被定位 緊鄰於胞2 2 0 2 a。 於可選擇的步驟3 0 0 8，晶片載具之第二表面被衝壓鄰 近一與多數胞之各胞相反的位置，以移動各晶粒離開相應 胞以致其覆蓋各晶粒之塡充材料接觸多數標籤基底部分之 一相應標籤基底。例如，如圖4 1中所示，一衝壓構件4 1 02 衝壓其相反於第一胞2202 a之衝壓帶22 00的底部表面。第 一晶粒]〇4移動離開第一胞2 2 02 a朝向標籤基底1 16a。塡 (34) 1226813 充材料3 402a接觸標籤基底1 16a。如圖42中所示，衝壓構 件4102移動第一晶粒104直到第一晶粒104接觸與標籤基底 1 1 6a °
於可選擇的步驟3 0 1 0，各晶粒之第一表面被安裝至相 應的標籤基底以致其各晶粒之至少一接觸墊被電耦合至相 應標籤基底之至少一相應接觸墊。例如5第一晶粒1 〇4被 安裝至標籤基底116a以致其接觸墊204a-d被電耦合至標 籤基底116a之接觸區域210a-d。第一晶粒104a可以多種 方式被安裝至標籤基底116a。例如，步驟3010可包含一步 驟，其中塡充材料3402被硬化以安裝各晶粒104至相應的 標籤基底1 1 6。一可硬化塡充材料3 4 0 2可爲閃光可硬化、 熱可硬化、聲音可硬化、電子束可硬化、紫外線（UV ) 光可硬化、紅外線光可硬化、壓力可硬化、及其他型式的 可硬化材料。因此，熱、聲源、電子束、UV光、IR光' 及/或壓力可被供應如所需，以硬化塡充材料3 402。例如 ’一種雙組環氧化物可被使用於一閃光可硬化塡充材料。 於一實施例中，塡充材料34〇2之硬化致使塡充材料 3 4〇2收縮或縮小。藉由收縮，塡充材料3402可致使介於各 晶粒1 04與相應標籤基底1 1 6之間的距離減小，而導致各晶 粒1〇4之接觸墊204 a-d之增進的機械及/或電耦合至相應標 籤基底116之相應的接觸區域21 Oa-d。於此一實施例中， 塡充材料3 4 0 2具有其支配當硬化時之收縮量的擴張/收縮 之一熱係數。藉由選擇用於塡充材料34〇2之材料，此係數 可被調整。因此，塡充材料3 4 02之熱係數可被調整以匹配 -38- (35) 1226813 標籤基底1 1 6之熱係數，或以其他方式。例如，塡充材料 3 4 02可被調整以收縮一特定的量.，諸如其質量的2倍或3倍 。例如，塡充材料3 4 0 2可另被調整以施加一特定的力於^ 區域上，諸如50 kg/cm2。 例如，塡充材料3 402之收縮可致使接觸墊204a-d接觸 與相應的接觸區域2 1 〇a-d，其產生一足夠的電連接以供所 得裝置之操作。接觸墊204a-d及/或接觸區域2i()a-d之平 滑度及平坦度可爲實質上一致的以致有一大面積可接觸於 其間。於另一範例中，接觸墊204a-d及/或接觸區域2 1 〇a-d之平滑度及平坦度可爲不一致的以提升導電度。例如， 接觸墊204a-d (及/或接觸區域210a-d)可具有一或更多凸 塊、釘狀物、尖峰，等等。因此，當接觸墊204 a-d接觸與 接觸區域2 1 0 a - d時，則一或更多凸塊、釘狀物、尖峰可部 分地或完全地穿透或刺穿接觸區域210 a-d，其產生一增進 的電及機械連接。 於另一範例中，於一實施例中，塡充材料3 4 0 2包含導 電微球以提供導電性。例如，微球可爲金、銀、其他金屬 、或金屬之組合/合金。因此，當硬化時，可收縮塡充材 料致使塡充材料收縮，則一壓力被產生於各晶粒與相應的 標籤基底之間。增加的壓力致使微球形成一接觸於晶粒與 基底之間、變形、電耦合接觸墊204a-d至接觸區域210a-d 〇 在晶粒l〇4a被安裝至標籤基底1 16a之後，晶粒 可被類似地安裝至標籤基底116b。另一方面，晶粒l〇4a -39- (36) 1226813 及1 04b可被同時地安裝至其個別的標籤基底。 於圖3 2-42之範例中，晶粒104被定向而以墊朝下方式 被裝設於標籤基底1 16上。圖43^47顯示伊範例，其中晶粒 1 〇 4被定向而以墊朝上方式被裝設於標籤基底1 1 6上。例如 ，如圖43中所示，第一及第二晶粒1〇4a及104b已被插入 胞2202a及2202b中以致其接觸墊2〇4a-d面朝向胞。
如圖4 4中所示，衝壓帶2 2 0 0被定位緊鄰於基底結構 2802a之標籤基底116a。如圖45中所示，衝壓帶2200被衝 壓鄰近胞2202a之一位置以將胞22 02a中之晶粒l〇4a移入 標籤基底116a中之一相應胞或空腔4402，以致其塡充材 料3402a實質上塡入一介於晶粒l〇4a外緣與空腔4402之間 的間隙。如圖45中所不’晶粒l〇4a之一表面及塡充材料 3402a之一表面係實質上齊平或整平與標籤基底116a之表 面。 圖4 6顯示一安裝於標籤基底1 1 6之空腔中的單一晶粒
1 04。如圖4 6中所示，於目前範例中，晶粒1 〇 4之接觸墊 204a及2 04b並未電耦合至標籤基底1 16之信號。圖47顯示 其已藉由第一及第二電導體4702a及4702b而被電耦合至 標籤基底116之接觸區域210a及210b的晶粒1〇4之接觸墊 2 04a及204b。例如，電導體47 02可被列印、藉由一蒸汽 沈積製程而被塗敷、及另被形成於各晶粒104的接觸墊204 與相應標籤基底1 16表面上的接觸區域210之間。 2.1.3 多桶轉移晶粒 -40- (37) 1226813 依據本發明之一·實施例，多數晶粒1 〇 4可使用一種多 桶晶粒轉移設備而從一第一表面被轉移至一第二表面。圖 48Α顯示一範例多桶晶粒轉移設備4802，依據本發明之— 實施例。多桶晶粒轉移設備4 8 02包含一主體4 8 04、及多數 桶4806。主體4804該桶4806耦合至一氣體供應及真空源 4810。例如’可由真空源4810供應諸如空氣、氮氣、或其 他氣體等氣體。於實施例中，可存在有一或更多任何數目 的桶4806，但通常存在多數桶4 8 0 6以增加晶粒1 04之轉移 率達到所存在之桶4806數的因數。例如，可存在數十或數 百個桶。 圖48Α中所示，具有多數桶48 06之多桶晶粒轉移設備 4802被定位於其安裝至第一表面的分離晶粒104之上。第 一表面被顯示爲支撐表面404，於圖48Α之範例中。各桶 4806被定位以致其桶4 80 6之一個別端係位於支撐表面404 上之一個別晶粒104之上。多桶晶粒轉移設備48 02接收晶 粒104，並將其儲存於多數桶4 8 06之晶粒1〇4堆。如圖48Β 中所示，多桶晶粒轉移設備4802被接著定位於一第二表面 之上。第二表面被顯示爲轉移表面1202，於圖48Β之範例 中。多桶晶粒轉移設備4 8 02將其儲存於桶4 806中之晶粒 104放置在第二表面上。 圖4 9顯示一流程圖4 900，其提供用以轉移晶粒之範例 步驟，依據本發明之一實施例。爲說明之目的，流程圖 4 9〇〇之步驟可被進一步描述關連於多桶晶粒轉移設備4 8 02 ，如圖4 9 - 5 2中所示。然而，其他的結構實施例將使熟悉 > 41 - (38) 1226813 相關技術人士根據下列討論而淸楚明白。這些步驟被詳細 描述於下。 .
流程圖49 0 0從步驟4902'開始。於步驟4902，多數中空 桶之各中空桶被供應平行於一駐存在第一表面上之個別晶 粒。例如，圖50顯示其被供應至第一表面8 02之多桶晶粒 轉移設備4 8 02的橫斷面圖。多數中空桶爲桶4 8 06。桶4 8 06 爲中空以致其至少單一晶粒104可一次傳遞入桶4 8 0 6，且 被儲存於其中。如圖4 8 A中所示，各桶4 8 0 6被供應平行與 其他桶4 8 0 6，而至第一表面上之一個別晶粒1 〇4。 於步驟4 9 0 4，個別晶粒被致使平行地移入各中空桶中 。例如，如圖5 0中所示，各中空桶4 8 0 6具有一個別晶粒 104，其已被移入個別中空桶48 06中。
於步驟4906，步驟49 02及49 04被重複以產生晶粒堆於 各中空桶中。因此，例如，多桶晶粒轉移設備4 8 02可被移 動如所需之多次以定位桶48 06於個別晶粒上以致其桶4 8 0 6 可收集個別的晶粒1 0 4。例如，如圖5 0中所示，足夠的晶 粒1 04已移入各桶4 8 06以產生晶粒1 04堆5 002於各桶4 8 06中 。如圖5 0中所不之堆5 0 0 2包含兩晶粒1 0 4，但於實施例中 可包含任何數目的晶粒1 04，包含數十、數百、數千、及 甚至更多晶粒。 於步驟4 90 8，來自各中空桶之晶粒被平行地放置於第 二表面之上直到各中空桶中之晶粒堆被實質上用盡。例如 ，圖51及52顯示其被供應至各個第二表面8 04之多桶晶粒 車等移設備4 8 0 2的橫斷面圖。如圖5 1及5 2中所示，多桶晶粒 -42- (39) 1226813 轉移設備4 8 Ο 2之桶4 8 Ο 6平行地將晶粒1 〇 4放置於第二表面 804之上。桶4 8 06放置晶粒104直到其實質上用盡晶粒ι〇4 。換言之，桶4 8 06可將不同數量的晶粒1〇4放置於第二表 面8 0 4上，根據第二表面8 0 4所需之晶粒數目，及/或直到 ~或更多桶4806接近或完全用盡晶粒1〇4。 第二表面804可具有黏合性，其容許晶粒1〇4之黏附。 例如’第一表面804可爲一黏著劑帶，或者可具有黏著劑 材料，諸如被塗敷以提供黏合性之蠟物質。如圖5丨中所示 ’第二表面8〇4具有形成於其中之胞5102，其中晶粒1〇4係 從桶4806被放置。另一方面，如圖52中所示，第二表面 804可具有一實質上平坦的表面，其晶粒1〇4被放置於此表 面上。再者，如圖5 1及5 2中所示，晶粒可被放置以墊朝下 或墊朝上定向。桶4806可在收集晶粒之後被反轉以改變晶 粒104之定向，在其被放置於第二表面80 4上之前。例如， 圖5 0中所示之端4 8 0 8與5 0 0 4可在收集晶粒1 〇 4之後被反轉 。另一方面，桶4 8 06可被保持未反轉。 於一實施例中，可於步驟49〇4及490 8中使用真空以將 晶粒移入或移出桶4806。例如，一真空源48 10被顯示爲安 裝至圖48 A、48Β、及50-51中之多桶晶粒轉移設備4 8 02。 真空源48 10可被供應至多桶晶粒轉移設備4802以造成一或 更多桶48 06中之真空或吸力來將個別晶粒1〇4移入桶4 8 06 。真空或吸力可爲連續的或者被供應以受控的脈衝。真空 源4810亦可被供應或改變以將來自桶4 8 0 6之晶粒1〇4移至 第二表面8 0 4上。例如，真空源4 8 1 0可供應正壓脈衝以移 (40) 1226813 動個別晶粒104離開桶4 8 06。. 桶4 8 0 6可被構成以容許真空源4 8 1 0之較佳供應。圖5 3 顯示一內部具有晶粒104之範例桶4 8 0 6的橫斷面頂部視圖 ，依據本發明之一實施例。桶4 8 0 6可爲如圖5 3中所示之矩 形，或者可爲圓形、或其他形狀。桶4 8 0 6可具有一平滑的 內部表面5 3 0 2，於本發明之一實施例中。另一方面，如圖 53中所示，內部表面5 3 02可具有一形成於一或更多角落之 通道5304，以容許氣體通過晶粒104周圍。通道5304可被 使用以控制桶48 06中之真空或壓力。 桶4806可被製作以金屬、塑膠、或其他可應用材料。 例如，48 06可爲桶、管、或類似於注射針之針狀物。桶 4 8 0 6被構成以共同地固持任何數目的晶粒104。於一實施 例中，各桶48 06之數目及長度將被構成以具有至少有一晶 圓之晶粒1 〇4的累積晶粒1 〇4固持能力。例如，累積固持能 力可爲50,000至1〇〇, 〇〇〇個晶粒104。 塡入的多桶晶粒筒夾可被移動（自動地或其他方式） 至標籤總成之一晶粒分配站。一空的多桶晶粒筒夾可接著 被定位鄰近分離晶粒之一新的晶圓，於一支撐表面上，以 重複製程。 注意到其他的機構及/或製程可替代地被使用於步驟 4 9 04以致使晶粒移入各中空桶中，及於步驟4 9 0 8以從各中 空桶放置晶粒。例如，機械結構及力、化學製程及力、靜 電力、黏著劑材料、氣體壓力系統、及進一步的機構及製 程均可被使用，如熟悉相關技術人士根據此處教導所將瞭 -44 - 1226813 (41) 解者。 2.1.4 使用晶粒框之晶粒轉移 依據本發明之一實施例，可使用“晶粒框”或“晶圓 帶”以轉移多數晶粒104至一目標表面。晶粒框或晶圓帶被 直接形成自一晶圓以固持晶圓之晶粒以致其可被輕易地轉 移至目標表面。晶粒可從晶粒框/晶圓帶被轉移至一中間 表面、或直接至一最終表面，諸如基底。因此，本發明之 晶粒框或晶圓帶容許較少的必要製造步驟（當轉移晶粒至 一基底時），相較於習知的轉移製程。例如，於一種典型 的習知製程中，晶粒係藉由一挑選及放置機器而從晶圓被 個別地轉移至一中間轉移表面。晶粒被接著從中間表面被 轉移至最終目的地表面。此二步驟製程容許晶粒被翻轉。 依據本發明，晶粒可被直接地從晶粒框/晶圓帶被轉移至 基底，而無須轉移至一中間表面。再者，晶粒可藉由轉移 而被翻轉或不被翻轉，如所需。 注意本發明之晶粒框/晶圓帶於下被稱爲晶粒框，以 簡化敘述。晶粒框可依據本發明之製程而被形成，其某些 範例被描述於下以利說明之目的，而非限制之目的。圖 5 7A及5 7B顯示用以製造晶粒框之流程圖，依據本發明之 範例實施例。本發明的晶粒框、及用以製造本發明的晶粒 框之進一步實施例將根據下列討論而使熟悉相關技術人士 淸楚明白。再者，圖6 6及6 8 A - B顯示使用一晶粒框以轉移 晶粒之範例流程圖，依據本發明之範例實施例。使用本發 -45- (42) 1226813 明之晶粒框以轉移晶粒之進一步實施例將根據下列討論而 使熟悉相關技術人士淸楚明白。 圖5 7 A顯示—流程圖5 7 〇 〇 ,其提供用以製造一晶粒框 之範例步驟，依據本發明之一實施例。流程圖5 7 0 0將參考 圖5 8 - 6 3而被描述於下，以利說明之目的。流程圖5 7 0 〇從 步驟5702開始。於步驟5702，一環狀溝槽被形成於一晶圓 之一第一表面中，圍繞多數形成於晶圓之第一表面中的晶 粒。例如，圖5 8顯示一範例晶圓5 8 0 0。如圖5 8中所示，一 環狀溝槽5802已被形成於晶圓5800之一表面中，緊鄰晶圓 5 8 0 0之一外緣。例如，環狀溝槽5 8 0 2之深度可約略等於一 積體電路晶粒（如晶粒1 04 )之厚度，其係形成於晶圓 5 8 00之表面中（未顯示於圖58 )。於圖58之範例中，環狀 溝槽5802實質上爲圓形或橢圓，且爲連續的。於替代實施 例中，環狀溝槽S 8 02可被形成以其他形狀，包含方形及其 他多角形。再者，環狀溝槽5 8 02不一定需爲連續的，如圖 5 8之範例中所示者，而可被取代爲非連續的，且例如，可 包含形成於晶圓5 8 0 0之表面中的兩或更多分離部分。 於步驟5 704，晶圓之第一表面被劃線以形成溝槽之柵 於晶圓之第一表面中，其分離多數晶粒。例如，圖5 9顯示 已被劃線之後的晶圓5 8 0 0。晶圓5 8 0 0之劃線已產生一柵 5 902於晶圓5 8 00之表面中。柵5 90 2係形成自晶圓58〇〇之表 面中所形成的多數水平及垂直溝槽5 9 0 4。例如，圖5 9中顯 示栅5902之第一溝槽5904A、第二溝槽5904B、第三溝槽 5904C、及第四溝槽59CMD。於柵5902中駐存著晶圓5800 (43) 1226813 之表面的多數區域，其中可駐存晶粒1 〇4。例如，圖5 9顯 示其駐存於柵5 902中之第一晶粒l〇4a的區域及第二晶粒 l〇4b的區域。注意其晶粒104之·特徵並未顯示於圖58及圖 59 ° 圖6 0顯示晶圓5 8 0 0之一部分的橫斷面圖。如圖6 0中所 示，環狀溝槽5802及溝槽5904a與5904b具有深度6002之 厚度。例如，深度6 0 02可爲100微米、或其他厚度。深度 6 0 0 2通常係等於或大於晶圓5 8 0 0之晶粒的厚度。如圖6 0中 所示，晶圓5 8 0 0具有厚度6004。厚度60 04可爲習知或特殊 目的晶圓之任何厚度，其可爲，例如，600至700微米。 於步驟5 7 0 6，可固化材料被塗敷至晶圓之第一表面以 實質上塡入環狀溝槽及柵之溝槽。圖61顯示，例如，一可 固化材料6102’其已被塗敷至晶圓5800之表面以實質上塡 入環狀溝槽5802及柵59 Q2之溝槽5904。可固化材料6102實 質上塡入環狀溝槽5 8 0 2及溝槽5 9 0 4。例如，可固化材料 6 1 0 2可塡入溝槽至一低於晶圓5 8 0 0之表面的位準，至與晶 圓5800之表面相同的位準（如圖62中所示）、或者甚至稍 微地突出於晶圓5 8 00之表面上。可固化材料61 02可爲，例 如，一聚合物、環氧化物、樹脂、氨基鉀酸酯、玻璃、或 其他材料。 可使用多種製程以致使可固化材料61 02塡入溝槽5 802 及5 904 (當塗敷至晶圓5 8 00時），而不會留下其他於晶圓 5 8 00之表面上之實質上過量的可固化材料6102。例如，一 真空源可被供應至晶圓5 8 00之相反表面、或者至一帶（諸 (44) 1226813
如晶圓5 8 00所安裝至之藍或綠帶），以致使可固化材料 6102被拉入溝槽5802及5 904。於另一實施例中，一氣體源 可將一氣體導引朝向晶圓5 8 00之表面（其係被可固化材料 6 1 0 2塗敷），以將可固化材料6 1 02吹動、迫使、或推動進 入溝槽5 8 02及5 904。於另一實施例中，可固化材料61 02以 一旋塗方式被塗敷至晶圓5 8 00之表面，以致其晶圓5 8 00之 一旋轉動作致使可固化材料6102移動或 “wick”進入溝槽 5802及5904。可固化材料6102可被塗敷以額外的方式以塡 入溝槽5 8 02及5 904，包含藉由“刮平（squeegee ) ”應用、 噴灑、蒸汽沈積、物理沈積、或化學沈積。
於步驟5 7 0 8，可固化材料被致使硬化成爲環狀溝槽中 之環狀硬化材料，並成爲柵之溝槽中之柵狀硬化材料以形 成晶粒框。例如，於圖6 1及6 2之範例中，可固化材料6 1 0 2 被致使硬化於環狀溝槽5802中、及柵5902之溝槽5904中。 於一實施例中，硬化材料係藉由以一硬化製程致使可固化 材料6 1 0 2硬化而形成。因此，可固化材料6 1 0 2可爲任何可 硬化的材料，諸如可硬化聚合物、環氧化物、樹脂、氨基 鉀酸酯、玻璃、或其他材料。可固化材料6 1 0 2可爲一種以 不同方式被致使硬化的材料，包含藉由熱 '藉由容許足夠 的時間量供可固化材料6 1 〇 2自行硬化、藉由供應光、或藉 由其他本說明書所述之其他方式或者另外已知的方式。 於步驟5 7 1 0，晶圓被減薄以致其柵狀的硬化材料可移 除地固持多數晶粒。例如，圖6 3顯示依據本發明所形成之 一晶粒框6 3 00。晶粒框63 00包含一種得自環狀溝槽5 8 02中 -48- (45) 1226813
及柵5902之溝槽5904中的可固化材料6102之硬化的硬化材 料63 04。晶粒框63 00進一步得自晶圓5 8 00之減薄。如圖63 中所示，晶圓5 8 00以被減薄以形成厚度約爲深度6002之晶 粒框6 3 0 0。於實施例中，晶粒框6 3 0 0可被形成或減薄以具 有約略等於深度6002之厚度、或較小的厚度。因此，因爲 晶粒框6 3 0 0具有約略等於或小於深度6 0 02之厚度，所以晶 粒框63 00可移除地固持晶粒104於相應的開口 63 02中。換 言之，晶粒104可被輕易地移除自開口 63 02。例如，如圖 63中所示，晶粒框63 00可移除地固持晶粒104A於開口 63 02A中，並可移除地固持晶粒l〇4B於一開Π 63 02Β中 。晶粒框63 0 0提供環狀溝槽5 8 02及溝槽5 904之形狀的支撐 結構，其能夠可移除地固持晶粒104於開口 63 02中。晶粒 104可被移除自晶粒框6300藉由推動、向前擠、或者以其 他方式迫使其從晶粒框6300之任一表面離開而至另一表面 上。根據其晶粒1 〇4被迫使自晶粒框63 00之哪個表面將會 決定晶粒104是否以墊朝上或墊朝下定向被轉移至一表面 注意其晶圓5 8 0 0可依據任何習知或另外已知的機構而 被減薄於步驟5710。再者，注意其可固化材料6102被選擇 以使得其並非實質上黏合至晶粒1 04，以致其晶粒1 〇4可被 輕易地移除自晶粒框63 00且因而被可移除地固持於其中。 圖5 7 B顯示一流程圖5 7 2 0，其提供用以製造一晶粒框 之範例步驟，依據本發明之另一實施例。流程圖5 72〇將參 考圖64A-64C、65A、及65B而被描述於下，以利說明之 -49- (46) 1226813
目的。流程圖5 72 0從步驟5 722開始。於步驟5 722，一安裝 至黏著劑表面之晶圓被劃線以致其所得的多.數晶粒係由其 延伸通過晶圓而至黏著劑表面之溝槽柵所分離。例如，圖 6 4 A顯示一安裝至黏著劑表面6 4 0 4之劃線晶圓6 4 0 2。黏著 劑表面6 4 0 4被固持於一晶圓框6 4 0 6中。晶圓框6 4 0 6亦可被 稱爲晶圓載具或帶狀環。例如，黏著劑表面6404可爲一綠 帶、藍帶、或者其他黏著劑表面帶。晶圓框64 06以拉緊方 式固持及支撐黏著劑表面6404以致其劃線晶圓64 02可被存 取。因爲晶圓6402已被劃線，所以晶圓6402具有溝槽5904 之柵5902 (未顯示於圖64A中），其分離晶圓6402之晶粒 104。晶圓6402被劃線以致其溝槽5904延伸通過晶圓6402 而至黏著劑表面6 4 0 4。因此，晶圓6 4 0 2之晶粒1 〇 4被個別 地安裝至黏著劑表面6404。圖64B顯示一具有由溝槽5 904 所分離之三個晶粒1 0 4的範例劃線晶圓6 4 0 2之橫斷面圖。 注意其劃線晶圓64 02被顯示爲具有三個晶粒104以利說明 之目的，而非限制之目的。圖64C顯示一安裝至黏著劑表 面6404之範例劃線晶圓6402的一部分之透視圖，其具有多 數由柵5 9 02之溝槽5 904所分離的晶粒104。 於步驟5 724，一可固化材料被塗敷至劃線晶圓以實質 上塡入柵之溝槽。例如，如圖65A中所示，可固化材料 6 102被塗敷至劃線晶圓64 02以部分地或完全地塡入晶粒 104之間的溝槽5904。如圖65A所示，可固化材料6102a塡 入晶粒1〇4之間的溝槽5 904。於一實施例中，可固化材料 61 02可被塗敷以致其存在可固化材料6102b以塡入黏著劑 •50- (47) 1226813 表面6404上之一空間6 5 00，介於晶圓6402的外緣與晶圓框 6406的內緣之間。注意於一實施例中，可固化材料61〇2可 甚至部分地延伸於晶，圓框6 4 0 6之內，如圖6 5 A中所示，雖 然其並非必要。可固化材料6 1 0 2可被塗敷以本說明書之他 處所述的任何方式，諸如以上參考圖61及62所述，或者其 他已知者。 於步驟5 7 2 6，可固化材料被致使硬化爲栅之溝槽中的 柵狀硬化材料。例如，圖65A中所示之可固化材料6102a 及6 1 0 2 b被致使硬化爲柵狀硬化材料，諸如以上參考圖6 3 有關硬化材料之敘述。 於步驟5 72 8，黏著劑表面被移除以致其柵狀硬化材料 可移除地固持多數晶粒。例如，圖6 5 B顯示一晶粒框6 3 0 0 ，其係得自黏著劑表面64 (Η之移除。硬化材料63 04a出現 於晶粒1 0 4之間，而硬化材料6 3 0 4 b存在於晶粒1 〇 4之外。 硬化材料63 04可移除地固持晶粒104，以晶粒框6 3 00之柵 形狀，如上所述。注意其黏著劑表面64 04可被移除或分離 ，藉由剝離、化學地溶解、或以其他方式將其移除自晶粒 tE 63 00 〇 注意其晶粒框6 3 00可被形成以墊朝上或墊朝下方式。 例如，流程圖5 720可包含類似於圖7之流程圖700中所示的 步驟702、704、及706之步驟，以利翻轉晶粒104之定向， 在步驟5 7 22之執行以前。因此，晶粒104之墊可面朝向或 背向黏著劑表面6404，根據所選擇之定向。 晶粒框6 3 0 0之結構具有數項優點。例如，以環形狀形 (48) 1226813 成於環狀溝槽5 8 Ο 2中之晶粒框6 3 Ο 0的部分容許一.固 (諸如一夾鉗或夾具）可靠地固持晶粒框6 3 0 0，當 於（例如）轉移晶粒時。以柵形狀形成於柵59〇2中 框6 3 0 0的部分容許晶粒1 〇 4之固持，可相當輕易地 粒1 0 4，如以下所述。晶粒框6 3 0 0之結構具有進一 。注意於某些實施例中，晶粒框6 3 0 0之環狀部分可 要，且不存在。 最好是，過量的可固化材料6 1 0 2不剩餘在晶圓 表面上。於實施例中，流程圖5 7 0 0可包含一額外的 其被執行在步驟5704之前，其中一保護材料層被塗 圓之表面上。保護材料可，例如，爲光阻材料、或 護材料’其可被旋塗或以其他方法被塗敷至晶圓之 。因此，於一實施例中，流程圖5 7 0 0亦可包含其中 材料移除自晶圓之表面的步驟。例如，從晶圓移除 料可致使過量可固化材料6 1 02之移除於其硬化狀態 非硬化狀態（亦即，在步驟5 7 0 8之前或之後）。例 圓5 8 0 0可被進入溶劑，或者可塗敷有一溶劑以從晶 之表面溶解保護材料。保護材料可藉由其熟悉相關 士已知的其他方式而被移除自晶圓5 8 〇 〇。 晶粒框63 00可被使用以轉移晶粒1〇4至一後續 地或轉移表面。後續表面可爲一中間表面，諸如藍 ’或其他已知的或本說明書別處所示的中間表面， 被使用以轉移晶粒1 (Μ至一最終目的地表面，諸如 再者，bs粒框6 0 0谷許晶粒之精確轉移。例如’因 持機構 其被用 之晶粒 移除晶 步優點 能非必 5 8 00 之 步驟， 敷至晶 其他保 表面上 將保護 保護材 或於其 如’晶 圓 5 8 0 0 技術人 的目的 或綠帶 或者可 基底。 爲其可 -52- (49) 1226813 移除地固持於晶粒框6 3 00中之晶粒的位置係準確已知的， 所以存在晶粒之精確登記。因此，可能無須昂貴的光學及 /或其他型式的登記系統以找出及準確地放置晶粒。 f 圖66顯示一流程圖6600，其提供使用一框以轉移多數 晶粒至一表面的步驟，依據本發明之實施例。注意其爲可 選擇的流程圖6 6 00之步驟被顯示爲包含於虛線內。流程圖 6 6 0 0將參考圖6 7而被描述，以利說明之目的。進一步的結 構實施例將使熟悉相關技術人士根據下列討論而淸楚明白 〇 流程圖66 00從步驟6602開始。於步驟6602，一晶粒框 被定位緊鄰一包含多數基底之基底帶的表面以致其可移除 地固持於晶粒框中的多數晶粒之一晶粒係緊鄰基底帶之多 數基底的一相應基底。例如，圖67顯示一種使用晶粒框 6 3 0 0以轉移晶粒至一表面的系統6 7 0 0。系統6 7 0 0包含晶粒 辛匡6 3 0 0、衝壓構件2 4 0 6、一晶粒框夾具6 7 0 2、一第一捲軸 (reel) 6 7 06、一第二捲軸6708、及一基底帶6710。如圖 6 7中所示，基底帶6710包含多數基底6712a-c。基底帶 6 7 1 0可包含任何數目的基底6 7 1 2。如圖6 7中所示，晶粒框 6300被定位緊鄰基底帶6710之一表面。晶粒框6300被定位 緊鄰基底帶6 7 1 0以致其一晶粒1 〇 4可從晶粒框6 3 0 0被衝壓 至基底帶6710之一基底6712，如以下所述。 於步驟6604，晶粒係從晶粒框被轉移至緊鄰的相應基 底。如圖6 7中所示，晶粒1 〇 4已從晶粒框6 3 0 0被轉移至基 底帶6710之基底6712b之一表面。例如’如圖67中所示’ -53- (50) 1226813 晶粒1 〇 4可從晶粒框6 3 0 0 (其可移除地固持晶粒1 〇 4 )被衝 壓至基底6 7 1 2 a上。例如，可使用一衝壓構件2 4 0 6以從晶 粒框6300衝壓晶粒104至基底6712a上。於進一步實施例 中，可使用其他的機構以從晶粒框6 3 0 0轉移晶粒1 〇 4至一 基底6712 。 多數晶粒可以此方式從晶粒框6 3 0 0被轉移至基底帶 6 7 10。於步驟6606，基底帶被遞增。例如，如圖67之範例 所示，基底帶6710可包含多數被串列配置之基底6712。基 底帶6710可依據一種捲軸至捲軸系統（諸如圖67中所示者 )而被遞增。於圖67中，一第一捲軸6706可供應基底帶 6710至一第二捲軸6708，其承接基底帶6710。藉由轉動第 一及第二捲軸6706及6708，則基底帶6710可被遞增以移動 下一基底6 7 1 2至定位以從晶粒框6 3 0 0承接晶粒1 〇 4。其他 的機構可被使用以遞增基底帶6 7 1 0。再者，於其他實施例 中’基底帶可包含基底6 7 1 2之N X Μ陣列，其中N > 1且 Μ > 1，而取代串列對齊的基底6 7 1 2。 於步驟660 8，晶粒框被定位緊鄰於基底帶之表面以致 #可移除地固持於晶粒框中的多數晶粒之另一晶粒係緊鄰 方令基底帶之多數基底的下一相應基底。例如，如圖6 7中所 示’晶粒框63 0 0被固持於晶粒框夾具6702中。晶粒框夾具 6 7 02可被橫向地移動相對於基底帶67 10以定位下一晶粒 104於下〜基底6712之上，諸如基底6712a或基底6712b。 因爲晶粒104之尺寸爲熟知的，晶粒框夾具67 02可藉由晶 粒1〇4之寬度或長度而被重新定位，以取代藉由一光學及/ -54- (51) 1226813 或其他登記系統型式（其必須決定一晶粒之位置）來被重 新定位。例如，於一實施例中，對於一 5 00x5 0 0微米·尺寸 的晶粒’晶粒框夾具67 02可被移動5 0 0微米（可能加上溝 槽5 9 04之寬度）以放置下一晶粒104於供轉移的位置內。 注意本發明可應用於任何尺寸的晶粒。 於步驟6610，。因此，以此方式，多數晶粒1〇4可另 一晶粒係從晶粒框被轉移至緊鄰的下一相應基底從晶粒框 6300被轉移至基底帶6710之相應基底6712上。以此方式， 例如’大量標籤基底/晶粒組合可被產生以一相當快速的 方式，以較習知製程更少的步驟。 注意其多重晶粒框63 00可被放置成一堆疊，其晶粒 104可從該堆疊被轉移至一目的地表面。晶粒104可使用一 衝壓機構、一真空/氣體源、及任何其他本說明書之別處 所述的或其他已知的機構。例如，圖6 8 A顯示一流程圖 6 8 0 0，其提供使用一晶粒框堆疊以轉移多數晶粒至一表面 的步驟，依據本發明之另一實施例。注意其爲可選擇的流 程圖6 8 0 0之步驟被顯示封入於虛線內。進一步的結構實施 例將根據下列討論而使熟悉相關技術人士淸楚明白。 流程圖6 8 0 0將配合圖69而被描述，以利說明之目的。 流程圖6 8 0 0從步驟6 8 0 2開始。於步驟6 8 0 2，形成一晶粒框 堆疊，各晶粒框包含一具有多數矩形開口之栅，其中多數 矩形開口之各開口可移除地固持一晶粒，其中堆疊中的晶 粒框之相應的矩形開口被對齊於一行以形成開口之多數行 。例如，圖6 9顯示晶粒框之堆疊6 9 0 2。堆疊6 9 0 2包含多數 (52) 1226813 晶粒框6 3 Ο 0。爲說明之目的，堆疊6 9 Ο 2被·顯示爲包含六個 晶粒框6 3 0 0 a- f，但是可包含任何數目的兩個或更多晶粒 框6 3 0 0。如上所述，各晶粒框6 3Ό 0包含構形爲柵5 9 0 2之形 式的硬化材料63 04。多數開口 63 02存在於各晶粒框63 00中 ，其各可移除地固持一晶粒1 0 4。晶粒框6 3 0 0被對齊以致 其相應的開口 6 3 0 2形成堆疊6 9 0 2中之行（未顯示於圖6 9中 )°
於步驟6 8 04，一可移除地固持於開口中的晶粒係從多 數行之至少一行被轉移至目的地表面。換言之，一或更多 晶粒1 〇 4係從來自一或更多行之堆疊6 9 0 2被轉移至目的地 表面。晶粒104可從堆疊6902被轉移以數種方式。例如， 如圖69中所示，一或更多衝壓構件24 06可被應用於堆疊 6 9 02中之開口 63 02的相應行。一衝壓構件24〇6推動堆疊 6902以從堆疊6 902中之開口 63 02的個別行移動晶粒104至 目的地表面。—衝壓構件24 06可被步進以一次推出單一晶 粒104。任何數目的衝壓構件24〇6可平行地操作，諸如圖 69之範例中所示的衝壓構件2406a-c，以增加晶粒轉移率 可使用其他方法以從堆疊6902轉移晶粒1〇4，包含使 $氣ft或真空源（以施加氣體壓力、靜電力）、挑選及放 S裝置、及本說明書之別處所述的方法、或者其他已知的 方法。以下參考圖68B以詳細地描述另一範例的此等方法 〇 &眉、其目的地表面可爲一基底帶或結構，如圖6 9中所 -56 - (53) 1226813 不。另一方面，目的地表面可爲一衝壓帶或晶片載具（諸 如圖22中所示）、任何中、間表面（諸如綠帶或藍帶）、或 任何其他表面。再者，晶粒1 0 4可被轉移至目的地表面以 墊朝上或朝下架構，根據堆疊6 9 02之定向。堆疊6 9 0 2可被 插入一晶粒放置設備，其固持並對齊一堆疊中之個別晶粒 框63 00，且容許晶粒從該處被轉移。 圖68B顯示流程圖6800之一範例實施例的進一步細節 。圖68B將配合圖70而被描述，以利說明之目的。圖70顯 示一種系統7000，用以使用一多桶晶粒轉移設備4 802而從 晶粒框63 00轉移晶粒，依據本發明之一範例實施例。如圖 70中所示，多桶晶粒轉移設備4802包含多數桶4806a-c。 再者，系統7000包含晶粒框6300之堆疊6902，其包含第一 、第二、第三、及第四晶粒框6300a-d。堆疊6902可包含 任何數目的晶粒框6 3 0 0。 於步驟ό 8 0 2 ’形成一晶粒框堆疊，各晶粒框包含一具 有多數矩形開口之柵，其中多數矩形開口之各開口可移除 地固持一晶粒，其中堆疊中之晶粒框的相應開口被對齊於 一行。例如’如圖7 0所示，晶粒框堆疊6 9 0 2之晶粒框 63 00a-d被對齊以致其多數行7〇〇2被形成。各行7〇〇2包含 一可移除地固持於每一晶粒框63〇〇a_d中之開口中的晶粒 〇 於步驟6 8 1 2，多數中空桶之各中空桶被應用於晶粒框 之堆豐的開口之一個別行。例如，如圖7 〇中所示，一第一 行7002a具有其被供應至之第一桶48〇6a，—第二行7〇〇2b (54) 1226813 具有其被供應至之第二桶4 8 0 6b，及一第三行7002c具有 其被供應至之第三桶4806c。 於步驟6 8 1 4，可移除地固持於個別開口行之開口中的 晶粒被致使平行地移入各中空桶。如圖7 0中所示，其被可 移除地固持於晶粒框6 3 0 0 a - 6 3 0 0 d z中的晶粒1 〇 4被致使移 入桶4806。晶粒1〇4可被致使移入中空桶4806，藉由真空 、藉由氣體壓力、藉由機械機構、或藉由本說明書之他處 所述或另外已知的其他機構。 於步驟6816，步驟68 12及68 14被重複直到一或更多桶 4806a-c變爲充滿、直到堆疊6902用盡晶粒、或當任意數 目之晶粒104已被移動自堆疊6902時。 於步驟6 8 1 8，來自各中空桶之晶粒被放置於表面上直 到其各中空桶所內含之晶粒堆疊被實質上用盡。因此，來 自中空桶4806之晶粒1〇4可被放置於目標表面之目的地上 ，直到中空桶4806中之晶粒1〇4被用盡、或直到表面充滿 了晶粒1 04、或直到任意數目的晶粒1 〇4已被轉移。如上所 述，晶粒104可被放置自桶4806，藉由機械機構、藉由真 空、藉由氣體壓力、或藉由本說明書之他處所述或另外已 知的其他機構。 因此，晶粒框63 00可被使用以多種方式來轉移晶粒至 一目標表面。再者，晶粒框6 3 0 0可被結合與任何本說明書 之他處所述的其他的晶粒轉移機構及製程以提供增進的晶 粒轉移機構及製程。進一步的範例晶粒框實施例被描述於 下列章節中，以利說明之目的。 -58- (55) 1226813 2.1.4.1 形成於一帶結構中之晶粒框 :於一實施例中，晶粒框可被形成以一撓性的、平坦帶 結構，類似於其被用以安裝晶圓/晶粒之“藍帶”或“綠帶 ”。帶結構被製造以包含一可硬化材料或物質。一晶圓被 安裝至帶結構，且被分離爲多數晶粒。帶結構被處理以致 使一硬化的柵結構形成於帶結構中，其可移除地固持多數 晶粒。圖7 1顯示一流程圖7 1 0 0，其提供用以製造此一晶粒 框或晶粒支撐框之步驟，依據本發明之一範例實施例。流 程圖7100係參考圖72、73A、73B、及74而被描述，以利 說明之目的。 流程圖7100從步驟7102開始。於步驟7102，一包含多 數晶粒之晶圓被安裝至一帶結構之表面。例如，如上所述 ，圖4B顯示一安裝至範例支撐表面404之晶圓400。如圖 4A中所示，晶圓400包含多數晶粒104。於本實施例中， 晶圓4 0 0被安裝以類似於帶結構之方式。帶結構之表面及/ 或晶圓400可具有一塗敷於其上之黏著劑材料以將晶圓400 黏合至帶結構。帶結構被更詳細地描述於下。 於步驟7 1 04，一溝槽柵被形成於晶圓中以分離帶結構 之表面上的多數晶粒。例如，圖7 2顯示其安裝至一帶結構 72 00之表面7202的晶圓400，依據本發明之一範例實施例 。晶圓400被分離爲帶結構7200上之多數晶粒1〇4，依據任 何習知的晶圓分離技術，包含藉由鋸、雷射、機械或化學 蝕刻、及其他技術以劃線或分離晶圓4 00。晶圓400之分離 (56) 1226813 產生溝槽59〇4之柵5 9 02於晶圓400中。 帶結構7 2 0 0係一撓性結構，其包含一硬化或可固化材 料，其可藉由數種技術而被致使硬化。例如，帶結構7 2 0 〇 可包含一種材料，其可藉由供應光（包含藉由供應紫外線 (UV )或其他頻帶的光）而被致使硬化。另一方面，帶 結構7200可包含一種材料，其可藉由供應固體、液體、或 氣體而被致使硬化，該等固體、液體、或氣體係作用與帶 結構72 0 0之材料以致使帶結構7200之部分硬化或固化。 帶結構72 00之全部或部分可包含其可被致使硬化之材 料。例如，圖73A顯示帶結構72 00之一橫斷面圖，其爲一 具有可固化或可硬化材料貫穿之單層結構。另一方面，圖 73B顯示帶結構72 00爲一多層結構，其包含一可固化或可 硬化材料層7302。層7302可被製作爲帶結構7200，或者可 被散佈、塗敷、或噴灑至帶結構72 00上。例如，可固化或 可硬化材料可爲一塗敷至帶結構72 00之光阻材料或者一環 氧化物。帶結構7 2 0 0可進一步包含一紙張、帶、聚合物、 或其他材料層以提供結構支撐。 注意其步驟7102及7104可藉由此處所述或另外已知的 結構而執行；且可藉由相同結構、或不同結構而執行。例 如，一晶圓備製模組可執行步驟71 02及。此晶圓備製 模組之一範例被進一步描述於以下之章節3.0 - 3 · 2。晶圓備 製模組可包含一晶圓供應設備，用以供應一晶圓至帶結構 7200，及/或可包含一晶圓切斷設備’用以分離/切斷表面 7202上之晶圓。 (57) 1226813 於步驟7 1 06，其可透過柵之溝槽而存取之帶結構被致 使硬化爲柵狀結構。例如，圖74顯示一範例系統7400.，用 以致使其可透過柵5 902之溝槽5904而存取之帶結構72 00的 』为硬化爲珊狀結構。如圖7 4中所不，一'硬化劑源7 4 0 2傳 輸一硬化劑7404朝向分離的晶圓400及帶結構72 0 0。由於 晶粒1 0 4之位置，硬化劑7 4 0 4透過溝槽5 9 0 4而到達帶結構 72 00且位於周邊區域上。因此，可透過溝槽59〇4而存取及 位於周邊區域中之帶結構7 2 0 0的部分被致使硬化，其個別 被顯不爲硬化的溝槽部分7410及硬化的周邊區域7420。其 無法存取至硬化劑7 4 0 4 (由於硬化劑7 4 0 4之供應被晶粒 104所阻擋）之帶結構72 00的部分不會硬化。例如，圖74 顯示其未硬化之帶結構72〇〇的範例部分743 0。 硬化劑源7402可包含硬化劑之各種來源，根據帶結構 7 2 0 0中之硬化或可固化材料的型式。例如，硬化劑源7 4 0 2 可包含一光源及個別的光學設備，包含UV光源或紅外線 (IR )光源，用於一暴露至光便硬化之材料。例如，硬化 材料可爲一光阻材料。於此一實施例中，硬化劑7 4 0 4可爲 光，諸如U V、IR、或其他頻帶的光。 另一方面，硬化劑源74 02可包含一氣體或液體供應， 以供應或噴灑氣體或液體朝向分離的晶圓400及帶結構 7 2 0 〇。例如，硬化劑7 4 0 4可爲雙組環氧化物之環氧化物， 以反應與帶結構7200中所含有之相應的環氧化物。其他的 硬化劑源及硬化劑亦可應用於本發明，包含熱源。 因而形成一晶粒框7 4 6 0。依據流程圖7 1 0 0所形成之晶 (58) 1226813 粒框74 60係可移除地固持多數晶粒104。因此，多數晶粒 104之一或更多晶粒10 4可從,晶粒框7460之柵狀結構被移動 至一目標表面上。圖75顯示一晶粒框7460，其包含範例 的栅狀結構7 5 0 0。晶粒框7460係由晶粒框夾具67 02所固持 。如圖75中所示，一晶粒1 〇4係從晶粒框7460被移動至一 基底6 7 1 2。於圖7 5之範例中，晶粒1 〇 4係藉由一衝壓構件 2 4 0 6而被移動。晶粒1 〇 4可被移動自晶粒框7 4 6 0以多種方 式，包含藉由衝壓、藉由氣體之動作、及任何其他本說明 書之別處所述的或其他已知的方式。 注意其各非硬化區域7430可或可不分裂自晶粒框7460 。當個別晶粒104被移動自晶粒框74 60時。 晶粒框7 4 6 0可被使用以多種方式來轉移晶粒1 0 4至一 目標表面，包含本說明書之別處所述之用以轉移晶粒的任 何方式。再者，晶粒框7 4 6 0可被結合與本說明書之別處所 述之任何其他的晶粒轉移機構及製程，以提供增進的晶粒 轉移機構及製程。 - 62- (59) 1226813 地固持多數晶粒。剩餘的帶結構可接著被可選擇地移除。 圖7 6顯示一流程圖7 600，其提供用以製造此一晶粒框或晶 粒支撐框之步驟，依據本發明之另一範例實施例。流程圖 7 600將配合圖77_82而被描述於下，以利說明之目的。 流程圖7 600從步驟7602開始。於步驟7602，一包含多 數晶粒之晶圓被安裝至一帶結構之表面，其中帶結構包含 一囊封的可鬆弛硬化或可硬化材料。例如，如上所述，圖 4B顯示安裝至一範例支撐表面404之晶圓4〇〇。於本實施 例中’晶圓400被類似地安裝至一帶結構。然而，於當前 實施例中，帶結構包含一囊封的硬化或可固化材料，其可 被鬆弛及硬化。 例如，圖7 7顯示其安裝至一帶結構7 7 0 2之表面7 7 0 6。 表面7 7 0 6及/或晶圓4〇〇可具有一被塗敷之黏著劑材料，以 供黏合晶圓400至表面7706。 帶結構7 7 0 2可爲一單或多層結構。帶結構7 7 0 2之一範 例多層結構被顯示於圖7 7。如圖7 7中所示，帶結構7 7 0 2包 含一層7 7 0 4。層7 7 4 0包含一囊封的硬化材料，其可被鬆弛 及硬化。例如，層770 4可包含一被鬆弛自層7704之氣體、 液體、或固體，且當塗敷一適當的劑至層77 04時會硬化。 層7 704之操作及結構被進一步描述如下。 帶結構7 7 0 2通常是撓性的，但亦可以是剛性的。如圖 77之範例實施例中所示，帶結構7702可可包含一帶層77 0 8 以供額外的結構支撐，雖然帶層7 7 0 8並非必要的。帶層 7 7 0 8可從多種材料來製造。例如，帶層7 7 0 8可爲紙張、聚 (60) 1226813 合物、基底材料、玻璃、金屬或金屬/合金之組合、塑膠 、或其他適當的物質、或者其組合。 . 於步驟7 6 04，晶圓之溝槽柵被形成以分離帶結構之表 面上的多數晶粒，其包含破壞溝槽中之帶結構的表面以致 使囊封硬化材料而於溝槽中硬化爲柵狀硬化材料於柵之溝 槽中。例如，圖78顯示其被分離爲帶結構7 702之表面7 70 6 上的晶粒104之晶圓400的橫斷面圖，依據本發明之一範例 實施例。晶圓400之分離產生溝槽5 904之柵5 902 (類似於 圖5 9中所示者）。 晶圓400可被分離爲帶結構7702上之多數晶粒104，依 據任何習知的晶圓分離技術，包含藉由鋸、雷射、機械或 化學蝕刻、及其他技術以劃線或分離晶圓400。例如，圖 7 8顯示其使用雷射78 10而被分離爲多數晶粒104之晶圓400 的橫斷面圖，依據本發明之一實施例。圖7 9顯示使用鋸 7 9 1 0而被分離爲多數晶粒1 〇 4之晶圓4 0 0之一部分的透視圖 ，依據本發明之另一實施例。 如步驟7 6 0 4所述，形成溝槽之柵會破壞溝槽中之帶結 構的表面以致使溝槽中之囊封硬化材料硬化爲柵狀的硬化 材料。例如，如各圖78及79所示，帶結構7 702之表面7706 被破壞。表面7 7 0 6中之一範例缺口被指示爲一缺口 7 8 2 0。 —足夠的缺口 7 8 2 0形成在沿著各溝槽5 9 0 4之長度的表面 7 706中以致其囊封的硬化材料實質上塡入各溝槽5 9 04。缺 □ 7 82 0可具有任何所需的寬度及深度以鬆弛囊封硬化材料 之足夠的量。根據用以產生缺口 7 8 2 0之特定分離技術，則 (61) 1226813 個別缺口 7 820可爲一開口、一破洞.、一裂縫、或者一抓痕 於表面7 7 06中。 圖78及79各顯示一鬆弛的硬化材料7 8 02，其部分地或 完全地塡入一個別溝槽5 9 04。缺口 7 8 20鬆弛硬化材料7802 自帶結構7702之層7704。硬化材料7802可爲氣體、液體、 固體、或者其組合。例如，層7 7 0 4中所囊封之材料可被鬆 弛爲泡沬、凝膠、環氧化物、或其他液體。硬化材料7 8 02 可被致使硬化以多種方式。例如，於一實施例中，硬化材 料7802會硬化，當其遭遇周遭空氣時、或者當其遭遇一選 定的氣體或氣體之組合時。於另一實施例中，硬化材料 7 8 02會硬化當其藉由特定晶圓分離技術而被加熱時，諸如 藉由與雷射7 8 1 0之光束接觸或者藉由鋸7 9丨〇之動作所產生 的熱。於另一實施例中，硬化材料7 8 0 2會硬化當其接觸或 混合與一環氧化物或其他材料時。 於另一實施例中，層7704可包含微囊封球或小珠，其 含有硬化材料。球或小珠會破裂當以特定晶圓分離技術破 壞層7 7 0 4時。硬化材料被鬆弛自球或小珠，並會硬化當被 加熱時、當接觸空氣或其他氣體時、或者另以其他方式。 圖80顯示帶結構77〇2上之—分離晶圓400之一部分的 透視圖，以其硬化材料7 802形成一柵狀硬化材料8〇〇〇於多 數晶粒1 04周圍，依據本發明之一範例實施例。 注意其步驟76 02及7604可由此處所述之結構或其他已 知的結構來執行，且可由相同結構、或不同結構來執行。 例如’ 一晶圓備製模組可執行步驟76〇2及76〇4。此一範例 (62) 1226813 晶圓備製模組被進一步描述於以下之章節3·0-3·2。晶圓備 製模組可包含一晶圓供應設備，用以供應晶圓至帶結構 7 7 0 2、及/或可包含一晶圓切斷設備，用以分離/切斷表面 7706上之晶圓，並用以破壞表面7706。例如，晶圓切斷設 備可包含雷射7810及/或鋸7910。 於步驟7606，帶結構被移除以致其柵狀硬化材料可移 除地固持多數晶粒。圖8 1顯示一已被拆卸自帶結構7 7 0 2之 晶粒框8 1 〇 〇，依據本發明之一範例實施例。帶結構7 7 〇 2可 被剝離、溶解、蝕刻、或者以其他方式移除。 晶粒框8 1 0 0依據流程圖7 6 0 0而被形成。晶粒框8 1 0 0可 被使用以多種方式來轉移晶粒至一目標表面，包含任何本 說明書之別處所述用以轉移晶粒的方式。再者，晶粒框 8 1 〇 〇可被結合與本說明書之別處所述的任何其他晶粒轉移 機構及製程以提供增進的晶粒轉移機構及製程。 2-2 後處理 如參考圖3所述，於步驟3 1 0，後處理被執行以完成 RFID標籤100之組裝。 圖5 4係一流程圖，其更詳細地說明步驟3 1 0之執行。 此操作從步驟54〇2開始，其中穿孔被形成於標籤1〇〇之間 的標籤基底1 16上。這些穿孔致使使用者得以分離標籤1〇〇 以供個別放置於各個物體上。 於步驟5404，各標籤1〇〇被檢視以確保適當的組裝。 此步驟包含確保相關電子電路]〇 6及晶粒1 0 4之適當放置。 (63) 1226813 於步驟5 4 Ο 6，標籤1 Ο 〇之、連續輥被切割並配置爲薄片 〇 於步驟5 4 0 8，二黏著劑襯底被塗敷至標籤基底1 1 6。 此黏著劑襯底致使標籤1 0 0得已被安裝至物體，諸如書本 或消費者產品。 3.〇 標籤組裝設備 本發明亦有關一種標籤組裝設備。圖5 5及5 6爲利用此 處所述之技術的兩個標籤組裝設備。 3.1 “墊朝上”組裝設備 圖55顯示一 “墊朝上”組裝設備5 5 00。組裝設備5 5 00 以“墊朝上”方式組裝標籤，如此處所述。因此，組裝設 備5 5 0 0執行此處參考圖3及1 1所述之步驟。 組裝設備5500包含一支撐表面供應器5502、一支撐表 面收集器5 5 04、一晶圓備製模組5 5 06、一第一晶粒轉移模 組5 5 0 8、一轉移表面供應器5 5 1 0、一轉移表面收集器5 5 1 2 、·一第二晶粒轉移模組5 5 1 4、一標籤基底供應器5 5 1 6、一 後處理模組5 5 1 8、一黏著劑塗敷模組5 5 2 0、及一印刷模組 5 5 22 〇 支撐表面供應器5502及支撐表面收集器55 04輸送支撐 表面404以某一方向，如圖55中之箭號所示。這些元件爲 捲軸。然而，其他適當的輸送機構亦可被使用。 晶圓備製模組5 5 06執行步驟3 04及3 06。因此，晶圓備 (64) 1226813 製模組5 5 06供應晶圓400至支撐表面404。此外.，晶圓備製 模組5 5 06分離晶圓400上之多數晶粒104。晶圓備製模組 5 5 06被實施以適當的機構及劃線器具，諸如雷射。 第一晶粒轉移模組5508從支撐表面404轉移晶粒104至 轉移表面1 202。亦即，第一晶粒轉移模組5508執行步驟 1 1 0 2。因此，第一晶粒轉移模組5 5 0 8包含活塞、滾筒、空 氣噴射、及/或衝壓裝置。第一晶粒轉移模組5 5 0 8可包含 一黏著劑帶、一衝壓帶、一多桶輸送機構、及/或晶粒框 ，及關連與這些組件之其他組件，諸如以上進一步用於晶 粒轉移所述者。第一晶粒轉移模組5 5 0 8亦包含用以從支撐 表面404釋放晶粒104之元件，諸如加熱組件及/或輻射裝 置。 轉移表面供應器55 10及轉移表面收集器55 12輸送轉移 表面1202以某一方向，如圖55中之箭號所示。這些元件爲 捲軸。然而，其他適當的輸送機構亦可被使用。 第二晶粒轉移模組55 14從轉移表面1 202轉移晶粒104 至標籤基底1 1 6。因此，第二晶粒轉移模組5 5 1 4執行步騾 1 106。因此，第二晶粒轉移模組55 14包含活塞、滾筒、空 氣噴射、及/或衝壓裝置。第二晶粒轉移模組5 5 1 4可包含 一黏著劑帶、一衝壓帶 '一多桶輸送機構、及/或晶粒框 ，及關連與這些組件之其他組件，諸如以上進一步用於晶 粒轉移所述者。第二晶粒轉移模組5 5 1 4亦包含用以從支撐 表面404釋放晶粒104之元件，諸如加熱組件及/或輻射裝 (65) 1226813 標籤基底供應器5 5 1 6輸送標籤基底1 1 6朝向後處理模 組5 5 1 8，如圖5 5中之箭號所示.。標籤基底供應器5 5 1 6包含 滾筒。然而，其他適當的輸送機構亦可被使用。 後處理模組5 5 1 8執行此處參考步驟3 1 0所述之後處理 操作。 黏著劑塗敷模組5 5 20塗敷黏著劑至標籤基底1 16，根 據步驟1 104。爲了執行此步驟，黏著劑塗敷模組5 5 2 0包含 一噴灑器。然而，黏著劑塗敷模組5 5 2 0可利用其他適當的 裝置以執行此步驟。 印刷及塗敷模組5 5 2 2印刷相關電子電路1 0 6並塗敷一 敷層至標籤基底1 1 6上，根據步驟1 1 0 8及1 1 1 0。因此，印 刷及塗敷模組5 5 22包含絲網印刷組件及噴灑器。然而，印 刷及塗敷模組5522可利用其他適當的裝置，諸如噴墨、熱 噴灑設備、及/或奉獻裝置。 3.2 “墊朝下”組裝設備 圖5 6顯示一 “墊朝下”組裝設備5 60 0。組裝設備5 6 00 以“墊朝下”方式組裝標籤，如此處所述。因此，組裝設 備執行此處參考圖3及1 6所述之步驟。 組裝設備5 600包含一支撐表面供應器5 5 02、一支撐表 面收集器55〇4、一晶圓備製模組5 506、一第一晶粒轉移模 組5 5 0 8、一第一轉移表面供應器5510、一第二晶粒轉移模 組5 6 02 ' —第二轉移表面供應器5 604、一第一轉移表面收 集器5512、一第二轉移表面收集器5606、一標籤基底供應 -69- (66) 1226813 器5 6 Ο 8、一第三晶粒轉移模組5 6 1 Ο、一後處理模組5 5 5 6、 一黏著劑塗敷模組5 6 2 8、及一印刷模組5 6 2 6。' 支撐表面供應器5502及支撐表面收集器5504輸送支撐 表面404以某一方向，如圖56中之箭號所示。這些元件爲 捲軸。然而，其他適當的輸送機構亦可被使用。
晶圓備製模組5 5 06執行步驟3 04及3 06。因此，晶圓備 製模組5 5 06供應晶圓400至支撐表面404。此外，晶圓備製 模組5 5 0 6分離晶圓400上之多數晶粒104。晶圓備製模組 5 5 06被實施以適當的機構及劃線器具，諸如雷射。
第一晶粒轉移模組5 5 0 8從支撐表面404轉移晶粒10 4至 轉移表面1 202。亦即，第一晶粒轉移模組5 5 0 8執行步驟 1 6 2 0。因此，第一晶粒轉移模組5 5 0 8包含活塞、滾筒、空 氣噴射、及/或衝壓裝置。第一晶粒轉移模組5 5 0 8可包含 一黏著劑帶、一衝壓帶、一多桶輸送機構及/或製程、及/ 或晶粒框，及關連與這些組件之其他組件，諸如以上進一 步用於晶粒轉移所述者。第一晶粒轉移模組5 5 0 8亦包含用 以從支撐表面4 04釋放晶粒104之元件，諸如加熱組件及/ 或輻射裝置。 第一轉移表面供應器5510及第一轉移表面收集器5512 輸送轉移表面1202以某一方向，如圖56中之箭號所示。這 些元件爲捲軸。然而，其他適當的輸送機構亦可被使用。 第二晶粒轉移模組5 602從轉移表面〗2〇2轉移晶粒104 至第二轉移表面1 202。因此，第二晶粒轉移模組5 6 02執行 步驟1 6 2 2。因此，第二晶粒轉移模組5 6 〇 2包含活塞、滾筒 -70- (67) 1226813 、空氣噴射、及/或衝壓裝置。第二晶粒轉移模組5 602可 包含一黏著劑帶、一衝壓帶、一多桶輸送機構及/或製程 、及/或晶粒框，及關連與這些組件之其他組件，諸如以 上進一步用於晶粒轉移所述者。第二晶粒轉移模組5 602亦 包含用以從轉移表面1 202釋放晶粒104之元件，諸如加熱 組件及/或輻射裝置。 第二轉移表面供應器5 5 1 0及第二轉移表面收集器5 5 1 2 輸送轉移表面1202以某一方向，如圖56中之箭號所示。這 些元件爲捲軸。然而，其他適當的輸送機構亦可被使用。 標籤基底供應器5608輸送標籤基底116朝向後處理模 組5 5 5 6，如圖56中之箭號所示。標籤基底供應器5 60 8包含 滾筒。然而，其他適當的輸送機構亦可被使用。 第三晶粒轉移模組5 6 1 0從第二轉移表面1 2 0 2轉移晶粒 1 〇4至標籤基底1 16。因此，第三晶粒轉移模組56 10執行步 驟1 60 8。因此，第三晶粒轉移模組56 10包含活塞、滾筒、 空氣噴射、及/或衝壓裝置。第三晶粒轉移模組5 6 1 0可包 含一黏著劑帶、一衝壓帶、一多桶輸送機構及/或製程、 及/或晶粒框，及關連與這些組件之其他組件，諸如以上 進一步用於晶粒轉移所述者。第三晶粒轉移模組5 6 1 0亦包 含用以從第二轉移表面1202釋放晶粒104之元件，諸如加 熱組件及/或輻射裝置。 黏著劑塗敷模組5 62 8塗敷黏著劑至標籤基底1 1 6，根 據步驟1 6 0 6。爲了執行此步驟，黏著劑塗敷模組5 6 2 8包含 一噴灑器。然而，黏著劑塗敷模組5 6 2 8可利用其他適當的 (68) 1226813 裝置以執行此步驟。 印刷模組5 62 6印刷相關電子電路1〇6，根據步驟1606 。因此，印刷模組5 62 6包含絲網印刷組件及噴灑器。然而 ’印刷及塗敷模組5 626可利用其他適當的裝置，諸如噴墨 、熱噴灑設備、及/或奉獻裝置。 後處理模組5 5 5 6執行此處參考步驟3 1 0所述之後處理 操作。 注意其“墊朝下”裝置設備56〇〇 (及其他此處所述之 組裝設備）亦可被調適以直接地從一支撐表面轉移晶粒至 一基底，如熟悉相關技術者從此處之教導所將瞭解。 4 * 0 結論 雖然本發明之數個實施例已被描述於上，但應理解其 僅藉由範例而被提供，而非限制。熟悉相關技術人士將瞭 解其形式及細節上之改變可被執行於其中而不背離本發明 之精神及範圍。因此本發明不應由任何上述範例實施例所 限制’而應僅依下列申請專利範圍及其同等物來界定。 【圖式簡單說明】 後附圖形（其被倂入於此並形成說明書之一部分）說 明本發明，並連同其敘述，進一步用以解釋本發明之原理 且致使熟悉相關技術人士得以製造及使用本發明。 圖1 A顯示一示範R F I D標籤之方塊圖，依據本發明之 -72- (69) 1226813 一實施例。 圖1B及1C顯示示範RFID標籤之詳細視圖，依據本 發明之實施例。 圖2A及2B個別地顯示一示範晶粒之平面及側視圖。 圖2C及2D顯示一安裝有一晶粒之基底的部分，依據 本發明之範例實施例。 圖3係一流程圖，其說明一連續輥（roil)標籤組裝操 作。 圖4A及4B個別爲具有附加至支撐表面之多晶粒的晶 圓之平面及側視圖。 圖5係一具有附加至支撐表面之分離晶粒的晶圓之視 圖。 圖6顯示一流程圖，其提供從第一表面至第二表面轉 移晶粒的步驟，依據本發明之實施例。 圖7顯示一流程圖，其提供使用一黏著劑表面以從第 一表面轉移多數晶粒至第二表面的步驟。 圖8-10顯示多數使用一黏著劑以從第一表面被轉移至 第二表面的多數晶粒之視圖，依據圖7之製程。 圖1 1係一流程圖，其說明將一“墊朝上，，晶粒轉移至 一標籤基底上。 圖12A及12B個別爲接觸與一支撐表面及一轉移表面 之多數晶粒的平面及側視圖。 圖1 3係安裝至一轉移表面之多數晶粒的視圖。 圖Μ係一接觸與一轉移表面及一標籤基底之“墊朝上 -73- (70) 1226813 ”定向的晶粒之視圖。 圖1 5係一安裝至一檩籤基底之“墊朝上，，定向的晶粒 之視圖。 圖1 6係一流程圖，其說明將一 “墊朝下，，晶粒轉移至 一標籤基底上。 圖1 7係多數接觸與主要及次要轉移表面之晶粒的視圖 〇 圖1 8係多數安裝至〜次要轉移表面之晶粒的視圖。 圖19係一接觸與一轉移表面及一標籤基底之“墊朝下 ”定向的晶粒之視圖。 圖2 0係一安裝至一標籤基底之“墊朝下，，定向的晶粒 之視圖。 圖2 1顯示一流程圖，其提供使用一平行衝壓製程以從 第一表面轉移多數晶粒至第二表面的步驟，依據本發明之 實施例。 圖22-29顯示使用圖21之衝壓製程而被從第一表面轉 移至第二表面的多數晶粒之視圖。 圖3 0顯示一流程圖，其提供用以組裝RFID標籤之步 驟，依據本發明之實施例。 圖3 1-3 6顯示使用圖30之衝壓製程而被從一晶片載具 轉移至一基底的多數晶粒之視圖。 圖37-39顯示其包含多數個別基底之基底結構的視圖 〇 圖4 0-4 5顯示使用圖30之衝壓製程而被從一晶片載具 -74 ^ (71) 1226813 轉移至一基底的多數晶粒之視圖。 圖.4 6及4 7顯示形成電導體於一基底上之視匾.。 圖4 8 A及4 8 B顯示一範例多桶晶粒轉移設備之視圖。 圖49顯示一流程圖，其提供使用多桶晶粒轉移設備以 轉移晶粒的範例步驟。 圖5 0顯示一被應用於第一表面之多桶轉移晶粒的橫斷 面圖。
圖5 1及52顯示將晶粒轉移至第二表面之一多桶轉移設 備的橫斷面圖。 圖5 3顯示一內部具有晶粒之範例桶的橫斷面頂視圖， 依據本發明之一實施例。 圖5 4係一流程圖，其說明一後處理操作。 圖5 5及56係標籤組裝裝置之方塊圖。 圖5 7A及57B顯示流程圖，其提供用以製造一晶粒框 之步驟，依據本發明之實施例。
圖5 8 - 6 2顯示不同製程步驟時之一晶圓的範例視圖， 於形成爲一晶粒框時，依據本發明之實施例。 圖6 3顯示一範例晶粒框之橫斷面圖，依據本發明之一 實施例。 圖64A-64C顯示一安裝至黏著劑表面（並固持於晶粒 框）之劃線（scribed )晶圓的視圖。 圖6SA及65B顯示圖64A-64C之劃線晶圓，其塗敷有 可固化材料，依據本發明之範例實施例。 圖6 6顯示一流程圖，其提供使用一晶粒框以轉移晶粒 -75 - (72) 1226813 之範例步驟，依據本發明之一實施例。 圖6 7顯示從一晶粒框被轉移至一基底帶之晶粒的方塊 圖，依據本發明之一範例實施例。 ，" 圖68A及68B顯示流程圖，其提供使用一晶粒框以轉 移晶粒之範例步驟，依據本發明之實施例。 圖6 9顯示一用以從晶粒框堆疊轉移晶粒至一基底結構 的系統，依據本發明之一範例實施例。 圖7 〇顯示從晶粒框堆疊被轉移入一多桶晶粒轉移設備 之晶粒的方塊圖，依據本發明之一範例實施例。 圖7 1 —流程圖，其提供用以製造一晶粒框之步驟，依 據本發明之一範例實施例。 圖72、73A及73B顯示一安裝至帶結構之一黏著劑表 面的分離晶粒之晶圓的視圖，依據本發明之範例實施例。 圖7 4顯示一用以形成硬化柵於帶結構中之系統，此帶 結構係支撐圖7 1 - 7 3中所示之分離晶粒，依據本發明之一 範例實施例。 圖7 5顯示一從硬化柵（如圖7 4中所示）被移動之晶粒 ’依據本發明之一範例實施例。 圖7 6顯示一流程圖，其提供用以製造一晶粒框之步騾 ’依據本發明之一範例實施例。 圖7 7顯示一安裝至帶結構之黏著劑表面的晶圓，此帶 結構包含一囊封硬化材料，依據本發明之一範例實施例。 圖7 8顯示一雷射，其被用以分離圖77之晶圓的晶粒並 被用以致使囊封硬化材料硬化，依據本發明之一範例實施 -76- (73) 1226813
圖79顯不一鋸子（saw )之透視圖，其被用以分離圖 7 7之一部分晶圓的晶粒並被用以致使囊封硬化材料硬化爲 晶粒框’依據本發明之一範例實施例。 Η 8 0顯不圖7 7之一部分晶圓的透視圖，其已被分離於 帶結構上’以一由囊封硬化材料所形成的晶粒框，依據本 發明之一範例實施例。 圖8 1顯示一晶粒框，其係由一已從帶結構被分開之囊 封硬化材料所形成，依據本發明之一範例實施例。 本發明將參考後附圖形而被描述。於圖形中，類似的 參考數字一般係指示完全相同、功能上類似、及/或結構 上類似的元件。參考數字之最左邊數位代表一元件所首先 出現的圖形。 [圖號說明] RFID標籤 晶粒 電子電路 天線 標籤基底 接觸塾 接觸區域 晶圓 列 1 00 1 04 1 06 114 116 2 04a-d 2 1 〇a-d 400 4 0 2 a - η -77- (74)1226813 404 802 804 1202 1204 1402 1 5 0 2, 1 5 04 1702 1902 2200 2202 2204 2 3 02 23 04 2402 2404 2406 2 8 02 2 8 04 3 402 3 602 3 6 04 3 9 02 4 102 支撐表面 第一表面 第二表面 轉移表面 寬度 刻痕 表面 次要轉移表面 衝壓構件 衝壓帶 胞 導引洞 衝壓帶主體 黏著劑帶 衝壓設備 主體 衝壓構件 基底結構 塡充材料層 塡充材料 刮平元件 過量塡充材料 導引洞 衝壓構件
-78· (75)1226813 44 02 空 腔 4 7 02 電 導 體 4 8 02 多 桶 晶 业丄 轉 移 設 備 4 8 04 主 體 4 8 0 6 桶 4 8 0 8 端 48 10 真 空 源 5 0 02 堆 5 0 04 端 5 102 胞 5 3 02 內 部 表 面 5 3 04 通 道 5 5 0 0 組 裝 設 備 5 5 0.2 支 撐 表 面 供 應 器 5 5 04 支 撐 表 面 收 集 器 5 5 0 6 晶 圓 備 製 模 組 5 5 0 8 第 一 晶 虫丄 松 轉 移 模 組 55 10 轉 移 表 面 供 應 器 55 12 轉 移 表 面 收 集 器 55 14 第 二 晶 粒 轉 移 模 組 55 16 標 籤 基 底 供 應 器 55 18 後 處 理 模 組 5 5 2 0 黏 著 劑 塗 敷 模 組 5 5 22 印 刷 模 組
-79- (76) 1226813 5 5 5 6 後 5 60 0 組 5 602 第 5 604 第 5 606 第 5 60 8 標 56 10 第 5 626 印 5 62 8 黏 5 800 晶 5 8 02 環 5 902 柵 5 904 溝 6002 深 6 004 厚 6 102 可 6 3 00 晶 6 3 02 開 6 3 04 硬 6402 晶 64 04 黏 6406 晶 6 5 0 0 空 6 7 0 0 系 處理模組 裝設備 二晶粒轉移模組 二轉移表面供應器 二轉移表面收集器 籤基底供應器 三晶粒轉移模組 刷模組 著劑塗敷模組 圓 狀溝槽 槽 度 度 固化材料 粒框 □ 化材料 圓 著劑表面 圓框 間 統 -80- (77)1226813 6 7 02 晶粒框夾具 6 7 06 第一捲軸 6 7 0 8 第二捲軸 67 10 基底帶 67 12 基底 6 9 02 堆疊 7 0 00 系統 7 002 行 72 00 帶結構 72 02 表面 7 3 02 層 74 00 系統 7 4 0.2 硬化劑源 74 04 硬化齊!1 74 10 溝槽部分 74 20 周邊區域 7 4 3 0 範例部分 7460 晶粒框 7 5 00 柵狀結構 7 7 02 帶結構 7 7 04 層 7 7 06 表面 7 7 0 8 帶層 7 802 硬化材料
-81 - (78) 1226813 78 10 雷射 7 8 2 0 缺口 79 10 鋸 8 0 0 0 柵狀硬化材料 8 100 晶粒框 -82 -

Claims (1)

  1. (1) 1226813 拾、申請專利範圍 1.一種用以組裝多數射頻識別（RFID )標籤之方法， 包含： (a )從一支撐表面轉移多數晶粒至一晶片載具，其 具有多數可存取於晶片載具之一第一表面上的胞，以致其 多數晶粒之各晶粒駐存於多數胞之一相應胞中且係凹陷在 相關於第一表面之相應胞中；及 (b)塗敷塡充材料於多數胞之各胞中，以實質上覆 蓋相應胞中之各晶粒。 2 .如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含： (c )刮平晶片載具之第一表面以致使各胞中之塡充 材料貫質上齊平與晶片載具之第一表面。 3.如申請專利範圍第1項之方法，其中步驟（b)包含 塗敷非導電墳充材料入多數胞之各胞中以實質上覆蓋 各晶粒。 4 .如申專利範圍第1項之方法，其中步驟（b )包含 塗敷各向異丨、生導電塡充材料入多數胞之各胞中以實質 上覆蓋各晶粒。 5 ·如申請專利範s^ ^ 厘1弟1項之方法，其中步驟（b)包含 塗敷同向性導電塡本好μ。 &充材枓入多數胞之各胞中以實質上 覆盖各晶粒。 -83- (2) 1226813 6 .如申請專利範圍第1項之方法，各晶粒具有位於第 一表面上之至少一接觸墊，其中步驟（a)包含： 插入各晶粒於相應胞中以致其具有至少一接觸墊之第 一表面係背向著胞。 7.如申請專利範圍第6項之方法，進一步包含： (c )定位晶片載具之第一表面緊鄰於一具有多數標 籤基底部分之基底結構的一表面； (d )衝壓晶片載具之一第二表面鄰近一相反於多數 胞之各胞的位置以移動各晶粒離開相應的胞，以致其覆蓋 各晶粒之第一表面的塡充材料接觸多數標籤基底部分之一 相應標籤基底；及 (e )安裝各晶粒之第一表面至相應的標籤基底以致 其各晶粒之至少一接觸墊被電耦合至相應標籤基底之至少 一相應接觸墊。 8 ·如申請專利範圍第7項之方法，其中步驟（e )包含 硬化其覆蓋各晶粒之第一表面的塡充材料以安裝各晶 粒至相應的標籤基底。 9.如申請專利範圍第8項之方法，其中塡充材料係一 各向異性導電材料，其中該硬化步驟包含： 閃光硬化塡充材料。 1 0 ·如申請專利範圍第8項之方法，其中塡充材料係一 熱可硬化環氧化物，其中該硬化步驟包含： 供應熱以硬化熱可硬化環氧化物。 -84- (3) 1226813 1 1 .如申請專利範圍第8項之方法，其中塡充材料係一 聲音可硬化環氧化物，其中該硬化步驟包含： 供應一聲源以硬化聲音可硬化環氧化物。 1 2 .如申請專利範圍第8項之方法，其中塡充材料係一 電子光束可硬化環氧化物，其中該硬化步驟包含： 供應一電子光束以硬化電子光束可硬化環氧化物。 1 3 ·如申請專利範圍第8項之方法，其中塡充材料係一 紫外線（UV )光波長可硬化環氧化物，其中該硬化步驟 包含： 供應UV光以硬化UV光波長可硬化環氧化物。 1 4 ·如申請專利範圍第8項之方法，其中塡充材料係一 紅外線（IR )光波長可硬化環氧化物，其中該硬化步驟包 含： 供應IR光以硬化IR光波長可硬化環氧化物。 1 5 ·如申請專利範圍第8項之方法，其中塡充材料係一 壓力可硬化環氧化物，其中該硬化步驟包含： 供應一壓力於各晶粒與相應的標籤基底之間以硬化壓 力可硬化環氧化物。 1 6 ·如申請專利範圍第8項之方法，其中該硬化步驟包 含： 致使塡充材料收縮以減少介於各晶粒與相應標籤基底 之間的距灕以利電耦合各晶粒之至少一接觸墊至相應標籤 基底之至少一相應接觸墊。 1 7 .如申請專利範圍第8項之方法，其中塡充材料包含 (4) 1226813 導電微球以提供導電性，其中該硬化步驟包含： ^使塡充材料收縮，其產生壓力於各晶粒與相應的標 観基底之間’以致使微球至少變形而電耦合各晶粒之至少 一接觸墊至相應標籤基底之至少一相應接觸墊。 1 8 ·如申請專利範圍第7項之方法，其中基底結構之多 數標籤基底部分係串列地對齊，進一步包含： (ί)在步驟（c)之前，分離基底結構自一第二基底 結構，其包含標籤基底部分之一陣列。 1 9 ·如申請專利範圍第7項之方法，其中基底結構之多 數標籤基底部分被配置以標籤基底部分之單一行，其中步 驟（c )包含： 對齊基底結構與晶片載具。 2 0 ·如申請專利範圍第1 9項之方法，其中該對齊步驟 包含： 機械地對齊基底結構與晶片載具。 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項之方法，其中該機械地對 齊步驟包含： 使用一具有其與.晶片載具中之間隔洞連結之間隔栓的 第一輪以對齊晶片載具； 使用一具有其與基底結構中之間隔洞連結之間隔栓的 第二輪以對齊基底結構，其中第一輪及第二輪被同步化 22.如申請專利範圍第19項之方法，其中該對齊步驟 包含： 光學地對齊基底結構與晶片載具。 -86- (5) 1226813 23 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中各晶粒具有至 少一置於第一表面上之接觸墊，其中步驟（a)包含： 插入各晶粒於相應胞中以致其具有至少一接觸墊之第 一表面係面朝向胞。 24·如申請專利範圍第23項之方法，進一步包含： (c) 定位晶片載具之第一表面緊鄰於一具有多數標 籤基底部分之基底結構的一表面； (d) 衝壓晶片載具之一第二表面鄰近其多數胞之各 胞的位置以移動各晶粒離開相應的胞而進入多數標籤基底 部分之一相應標籤基底的一表面中之一相應空腔，以致其 塡充材料實質上塡入一介於各晶粒外緣與一相應空腔壁之 間的相應空腔中的間隙，而以致其各晶粒之第一表面及塡 充材料之一表面係實質上齊平與相應標籤基底之一表面。 2 5 ·如申請專利範圍第2 4項之方法，進一步包含： (e )電親合各晶粒之至少一接觸墊至相應標籤基底 之表面上的至少一相應接觸墊。 2 6.如申請專利範圍第25項之方法，其中步驟（e )包 含： 沈積一導電材料介於各晶粒的每一至少一接觸墊與相 應標籤基底表面上的至少一相應接觸墊之間。 2 7 ·如申請專利範圍第2 5項之方法，其中該沈積步驟 包含： 印刷導電材料介於各晶粒的每一至少一接觸墊與相應 標籁基底表面上的至少一相應接觸墊之間。 -87- (6) 1226813 2 8.如申請專利範圍第25項之方法，其中該沈積步驟 包含： 使用蒸汽沈積製程以塗敷導電材料介於各晶粒的每一 至少一接觸墊與相應標籤基底表面上的至少一相應接觸墊 之間。 2 9.如申請專利範圍第2項之方法，其中各晶粒之高度 約略等於相應胞之高度的一半。其中步驟（b )包含： 以塡充材料塡入相應於各晶粒之胞之剩餘的一半高度 〇 3 〇 ·如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含： (c) 在步驟（a)之前，從一安裝至支撐表面之晶圓 分離多數晶粒以致其多數晶粒被分離且安裝至支撐表面。 3 1 .如申請專利範圍第3 0項之方法，進一步包含： (d) 在步驟（c)之前，安裝晶圓至支撐表面。 3 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含： (c )在步驟（a )之前，形成多數胞於晶片載具中。 3 3 ·如申請專利範圍第3 2項之方法，其中步驟（c )包 含： 形成多數通過晶片載具之串列對齊的開口，其係開口 於晶片載具之第一表面及第二表面上；及 供應一黏著劑結構至晶片載具之第二表面以覆蓋晶片 載具之第二表面上的多數串列對齊開口。 3 4.—種用以組裝多數射頻識別（RFID )標籤之方法 ，包含： -88- (7) 1226813 (a )定位一支撐表面緊鄰於一衝壓帶之表面，以致 其安裝至支撐表面之一第一表面的多數晶粒之各晶粒係緊 鄰於衝壓帶表面中之多數空胞的一相應空胞；及 (b )同時地從支撐表面轉移多數晶粒之各晶粒進入 緊鄰的相應空胞。
    3 5 .如申請專利範圍第3 4項之方法，其中多數晶粒係 實質上等於其安裝至支撐表面之第一表面之晶粒總數的每 N個晶粒之一 5其中步驟（a )包含： 定位支撐表面緊鄰於衝壓帶之表面，以致其安裝至支 撐表面之第一表面之每N個晶粒之一的各晶粒係緊鄰於 衝壓帶表面中之多數空胞的一相應空胞。 3 6 .如申請專利範圍第3 4項之方法，其中步驟（b )包 含： 3 7.如申請專利範圍第36項之方法，進一步包含：
    (c )遞增衝壓帶相對於支撐表面以將其安裝至支撐 表面之第一表面的其他多數晶粒之各晶粒定位緊鄰於衝壓 帶之表面中的其他多數空胞之一相應空胞；及 (d )同時地從支撐表面轉移其他多數晶粒之各晶粒 進入緊鄰的相應空胞。 3 8 .如申請專利範圍第3 7項之方法，進一步包含： (e)重複步驟（c)至（d)直到實質上所有在步驟 (a)之前安裝至支撐表面的晶粒已被轉移自支撐表面。 3 9 .如申請專利範圍第3 4項之方法，其中多數晶粒之 各晶粒具有置於一第一表面上之至少一接觸墊，進一步包 -8S- (8) 1226813 含： (c)在步驟（a)之前，定向支撐表面上之多數晶粒 以致其多數晶粒之各晶粒的第一表面係朝向支撐表面。 4 0.如申請專利範圍第34項之方法，其中多數晶粒之 各晶粒具有置於一第一表面上之至少一接觸墊，進一步包 含： (c )在步驟（a )之前，定向支撐表面上之多數晶粒 以致其多數晶粒之各晶粒的第一表面係背向支撐表面。 4 1 . 一種用以組裝多數射頻識別（RFID )標籤之方法 ，包含： (a) 定位一支撐表面之第一表面以接觸其安裝至第 二支撐表面之實質上各晶粒的第一表面，以致使其安裝至 第二支撐表面之實質上各晶粒的第一表面變爲安裝至第一 支撐表面之第一表面； (b) 增加介於第一支撐表面與第二支撐表面之間的 距離以致使實質上各晶粒變爲拆卸自第二支撐表面； (c) 定位第一支撐表面緊鄰於一衝壓帶之表面’以 致其安裝至第一支撐表面之第一表面的多數晶粒之各晶粒 的第二表面係緊鄰於衝壓帶表面中之多數空胞的一相應空 胞；及 (b )同時地從第一支撐表面轉移多數晶粒之各晶粒 進入緊鄰的相應空胞。 4 2.如申請專利範圍第4 1項之方法，其中步驟（d )包 含： -90 - (9) 1226813 供應一具有多數實質上共平面之衝壓部分的衝壓機構 至第一支撐表面之一第二表面，其中多數衝壓部分之一衝 壓部分係相應於多數空胞之每一空胞。 43·如申請專利範圍第42項之方法，進一步包含： (e )遞增衝壓帶相對於第一支撐表面以將其安裝至 第一支撐表面之第一表面的其他多數晶粒之各晶粒定位緊 鄰於衝壓帶之表面中的其他多數空胞之一相應空胞；及 (f )同時地從第一支撐表面轉移其他多數晶粒之各 晶粒進入其他多數空胞之緊鄰的相應空胞。 4 4 ·如申請專利範圍第4 3項之方法，進一步包含： (g)重複步驟（e)至（f)直到實質上所有在步驟 (a)中安裝至第一支撐表面之第一表面的晶粒已被轉移 自第一支撐表面。 4 5 ·如申請專利範圍第4 1項之方法，進一步包含： 在步驟（a)之前，定向第二支撐表面上之多數晶粒 以致其至少一接觸墊被置於多數晶粒之各晶粒的第一表面 上。 4 6.—種用以組裝多數射頻識別（RFID )標籤之方法 ，包含： (a)塗敷一塡充材料於一具有多數標籤基底部分之 基底結構的表面上； (b )定位一支撐表面緊鄰於基底結構之表面，以致 其安裝至支撐表面之一第一表面的多數晶粒之各晶粒係緊 鄰-於多數標籤基底部分之一相應標籤基底；及 -91 - (10) 1226813 (b )同時地從支撐表面轉移多數晶粒之各晶粒至緊 鄰的相應標籤基底上。 4 7。如申請專利範圍第4 6項之方法，其中步驟)包 含： 供應一具有多數實質上共平面之衝壓部分的衝壓機構 至支撐表面之一第二表面，其中多數衝壓部分之一衝壓部 分係相應於多數空胞之每·一空胞。 4 8 .如申請專利範圍第4 6項之方法，進一步包含： 硬化塡充材料。 4 9.如申請專利範圍第46項之方法，其中多數晶粒係 所有安裝至支撐表面之第一表面的晶粒，其中步驟（c) 包含： 同時地轉移所有安裝至支撐表面之第一表面的晶粒。 5〇·如申請專利範圍第46項之方法，其中多數晶粒係 其安裝至支撐表面之第一表面的一部分晶粒，其中步驟（ c )包含： 同時地轉移其安裝至支撐表面之第一表面的一部分晶 ili丄 松。 5 1·—種用以組裝多數射頻識別（ RFID )標籤之系統 ，包含： 轉移機構，用以從一支撐表面轉移多數晶粒至一晶片 載具，其中晶片載具具有多數可存取於一第一表面上的胞 ，其中多數晶粒之各晶粒被轉移以駐存於多數胞之一相應 胞中且係凹陷在相關於第一表面之相應胞中；及 -92 _ (11) 1226813 塗敷機構，用以塗敷塡充材料於多數胞之各胞中，以 實質上覆蓋相應胞中之各晶粒。 5 2 ·如申請專利範圍第'5 1項之系統，進一步包含： 一刮平元件，其被供應至晶片載具之第一表面以致使 各胞中之塡充材料實質上齊平與晶片載具之第一表面。 5 3，如申請專利範圍第5 1項之系統，進一步包含： 定位機構，用以定位晶片載具之第一表面緊鄰於一具 有多數標籤基底部分之基底結構的一表面。 (e )安裝各晶粒之第一表面至相應的標籤基底。 5 4 .如申請專利範圍第5 1項之系統，進一步包含： 至少一衝壓構件，其衝壓晶片載具之一第二表面鄰近 一相反於多數胞之各胞的位置以移動各晶粒離開相應的胞 ，以致其覆蓋各晶粒之第一表面的塡充材料接觸多數標籤 基底部分之一相應標籤基底。 5 5 ·如申請專利範圍第5 4項之系統，進一步包含： 硬化機構，用以塡充材料以安裝各晶粒之第一表面至 相應的標籤基底，以致其各晶粒之至少一接觸墊被電耦合 至相應標籤基底之至少一相應接觸’墊。 5 6 .如申請專利範圍第5 1項之系統，進一步包含： 至少一衝壓構件，其衝壓晶片載具之一第二表面鄰近 於多數胞之各胞的位置以移動各晶粒離開相應的胞而進入 多數標籤基底部分之一相應標籤基底的一表面中之一相應 空腔，以致其塡充材料實質上塡入一介於各晶粒外緣與一 相應空腔壁之間的相應空腔中的間隙，而以致其各晶粒之 -93- (12) 1226813 第一表面及塡充材料之一表面係實質上齊平與相應標籤基 底之一表面。 5 7 .如申|靑專利範圍第5 6項之系統，進一步包含·· 電耦合機構，用以電耦合各晶粒之至少一接觸墊至相 應標數基底之表面上的至少一相應接觸塾。 5 8 ·如申請專利範圍第5 1項之系統，進一步包含： 安裝機構，用以安裝晶圓至支擦表面。 5 9 ·如申請專利範圍第5 8項之系統，進一步包含： φ 分離機構，用以從一安裝至支撐表面之晶圓分離多數 晶粒以致其多數晶粒被分離且保持安裝至支撐表面。 6 0 ·如申請專利範圍第5 1項之系統，進一步包含： 形成機構，用以形成一具有多數胞之晶片載具。 6 1 . —種用以從一第一表面轉移多數晶粒至一第二表 面之方法，包含： (a )平行地供應多數中空桶之各中空桶至一駐存在 第一表面上之個別晶粒； φ (b)致使個別晶粒平行地移入各中空桶； (c )重複步驟（a )及（b )直到各中空桶含有預定 數目之晶粒堆疊；及 (d )從各中空桶平行地放置一晶粒至第二表面上直 到各中空桶所含有之晶粒堆疊被實質上用盡。 6 2.如申請專利範圍第61項之方法，其中步驟（b )包 含： 供應一真空力至各中空桶之第一端以致使個別晶粒移 -94 - (13) 1226813 入各中空桶之第二端。 6 3 .如申請專利範圍第6 2項之方法，其中步驟（d )包 含： 修改真空力。 6 4 ·如申請專利範圍第6 2項之方法，其中步驟（a )包 含： 平行地供應多數中空桶之各中空桶的第一端至第二表 面以從各中空桶放置個別晶粒至第二表面。 65。如申請專利範圍第62項之方法，其中步驟（a)包 含·· 平行地供應多數中空桶之各中空桶的第二端至第二表 面以從各中空桶放置個別晶粒至第二表面。 6 6 ·如申請專利範圍第6 1項之方法，其中步驟（b )包 含： 使用一氣體壓力以致使個別晶粒移入各中空桶。 6 7 .如申請專利範圍第6 6項之方法，其中步驟（d )包 含： 修改氣體壓力。 6 8 .如申請專利範圍第6 1項之方法，其中步驟（b )包 含： 使用一機械力以致使個別晶粒移入各中空桶。 6 9 .如申請專利範圍第6 1項之方法，其中步驟（b )包 含： 使用一化學力以致使個別晶粒移入各中空桶。 - 95- (14) 1226813 7 Ο ·如申請專利範圍第6 1項之方法，其中步驟（b )包 含·· 使用一靜電力以致使個別晶粒移入各中空桶。 7 1 ·如申請專利範圍第6 1項之方法，其中步驟（b )包 含： 使用一黏著劑材料以致使個別晶粒移入各中空桶。 72·如申請專利範圍第61項之方法，其中步驟（d )包 含： 容許從各中空桶所放置之晶粒固定至第二表面。 7 3 . —種用以從一第一表面轉移多數晶粒至一第二表 面之系統，包含： 多數中空桶，其被對齊以實質上爲平行，該多數中空 桶之各中空桶被構成以含有多數成堆的晶粒； 一真空裝置，其係輔合至該各中空桶之第一端；及 其中該各中空桶之第二端被平行地供應至駐存在第一 表面上之一個別晶粒； 其中該真空裝置供應一真空力至該各中空桶之該第一 端以致使該個別晶粒平行地移入該各中空桶之該第二端； 及 其中該真空力被修改且該各中空桶被供應至第二表面 以將來自該各中空桶之該個別晶粒平行地放置至第二表面 上。 7 4 ·如申請專利範圍第7 3項之系統，其中該各中空桶 之第一端被供應至第二表面以將來自該各中空桶之該個別 ►96- (15) 1226813 晶粒平fT地放置至第二表面。 7 5.如申請專利範圍第73項之系統，其中該各中空桶 之第—端被供應至第二表面以將來自該各中空桶之該個別 晶fei平fr地放置至第_表面。 7 6 ·如申請專利範圍第7 3項之系統，其中該個別晶粒 係駐存在其相應於該各中空桶之第一表面上的多數晶粒之 j 其中該各中空桶之該第二端被依序平行地供應至該相 φ 應多數晶粒之各晶粒，當該真空力被供應以將該相應多數 晶粒之該各晶粒移入該各中空桶之第二端而形成晶粒堆疊 於該各中空桶中時。 7 7 ·如申請專利範圍第7 6項之系統，其中該各中空桶 被平行地供應至第二表面上之多數目標區域，以依序地將 該相應多數晶粒之各晶粒放置於第二表面上。 7 8 .如申請專利範圍第7 3項之系統，其中該第一表面 係一劃線晶圓。 · 7 9 .如申請專利範圍第7 3項之系統，其中該第一表面 係一支撐表面。 80.如申請專利範圍第73項之系統，其中該第二表面 係一中間表面。 8 1 ·如申請專利範圍第7 3項之系統，其中該第二表面 係一基底。 8 2 ·如申請專利範圍第8 1項之系統，其中基底包含多 數天線基底。 -97- (16) 1226813 8 3 · —種用以形成一晶粒框之方法，包含： (a )形成一環狀溝槽於二晶圓之第一表面中，圍繞 晶圓之第一表面中所形成的多·'數晶粒； (b )劃線晶圓之第一表面以形成溝槽之栅於晶圓之 桌一表面中’其分離多數晶粒，其中柵係相交與環狀溝槽
    (c )塗敷一可固化材料至晶圓之第一表面以實質上 塡入環狀溝槽及柵之溝槽； (d )致使可固化材料硬化爲一環狀硬化材料於環狀 溝槽中及硬化爲一柵狀硬化材料於柵之溝槽中；及 (e )減薄晶圓以致其柵狀硬化材料可移除地固持多 數晶粒。 8 4.如申請專利範圍第83項之方法，進一步包含： (f )在步驟（b )之前，塗敷一保護材料層於晶圓之 第一表面上。
    8 5.如申請專利範圍第以項之方法，進一步包含： (g )在步驟（d )之後，從晶圓之第一表面移除保護 材料以移除至少—些過量的可固化材料。 8 6 ·如申請專利範圍第8 5項之方法，其中步驟（g )包 含： 溶解保護材料於一溶劑中。 8 7 .如申專利範圍第8 5項之方法，其中步驟（f )包 含： 方疋塗保邊材料層於晶圓之第一表面上。 -98- (17) 1226813 8 8 ·如申請專利範圍第8 4項之方法，其中保護材料係 光阻材料，其中步驟（f)包含： /' 塗敷光阻材料於晶圓之第一表面上。 8 9 .如申請專利範圍第8 4項之方法，其中步驟 J包 含： 劃線晶圓之第一表面至一所欲深度。 9 0 ·如申請專利範圍第8 4項之方法，其中可固化材料 係聚合物，其中步驟（c )包含： 塗敷聚合物至晶圓之第一表面以實質上塡入環狀溝槽 及柵之溝槽。 9 1 .如申請專利範圍第8 4項之方法，其中可固化材料 係可硬化材料，其中步驟（d )包含： 使可硬化材料硬化。 92·—種依據申請專利範圍第83項之方法所形成的晶 粒框。 93·—種用以組裝多數射頻識別（RFID )標籤之方法 ，包含： (a )定位一晶粒框緊鄰於一包含多數基底之基底帶 的表面，以致其可移除地固持於晶粒框中之多數晶粒的一 晶粒係緊鄰於基底帶之多數基底的一相應基底；及 (b )從晶粒框轉移晶粒至緊鄰的相應基底上。 9 4.如申請專利範圍第93項之方法，進一步包含： (c )遞增基底帶； (d )定位晶粒框緊鄰於基底帶之表面，以致其可移 -99- (18) 1226813 除地固持於晶粒框中之多數晶粒的另一晶粒係緊鄰於基底 帶之多數基底的下一相應基底；及 (e )從晶粒框轉移另一晶粒至緊鄰的下一相應基底 上。 95·如申請專利範圍第94項之方法，進一步包含： (f)重複步驟（c ) 、（ d )、及（e )。 96·如申請專利範圍第94項之方法，進一步包含： (f)重複步驟（c) 、（d)、及（e)直到其可移除 地固持於晶粒框中之多數晶粒的所有晶粒已被轉移至基底 帶之一相應基底。 9 7.如申請專利範圍第93項之方法，其中步驟（b )包 含： 從晶粒框衝壓晶粒至緊鄰的相應基底。 9 8.如申請專别範圍第93項之方法，其中步驟（a)包 含： 定位晶粒框，其中晶粒框包含一具有多數矩形開口之 柵，其中多數矩形開口之各開口可移除地固持一晶粒。 9 9.如申請專利範圍第93項之方法，其中步驟（b )包 含： 供應氣體壓力以從晶粒框移動晶粒至緊鄰的相應基底 上。 1 〇〇. —種用以轉移多數晶粒至一目的地表面之方法， 包含： (a )形成晶粒框之堆疊，各晶粒框包括一具有多數 -100 - (19) 1226813 矩形開口之柵，其中多數矩形開口之各開口可移除地固持 一晶粒，其中堆疊中之晶粒框的相應矩形開口被對齊於一 行以形成多數開口行；及 (b )從多數行之至少一行轉移一可移除地固持於一 開口中之晶粒至目的地表面。 1 0 1 ·如申請專利範圍第1 〇 〇項之方法，其中步驟（b ) 包含： (1 )供應一衝壓構件至晶粒框堆疊之多數開口行的 第一開口行；及 (2 )以衝壓構件衝壓以致其一可移除地固持於第一 開口行之一矩形開口中的晶粒被轉移至目的地表面。 1 0 2 .如申請專利範圍第1 0 1項之方法，其中步驟（b ) 進一步包含： (3 )重複步驟（2 )直到第一開口行中之晶粒已用盡 〇 1 〇 3 .如申請專利範圍第1 0 〇項之方法，其中步驟（b ) 包含： (1 )供應多數衝壓構件之各衝壓構件至晶粒框堆疊 之多數開口行的個別開口行；及 (2 )以多數衝壓構件之各衝壓構件衝壓以致其一可 移除地固持於個別開口行之一矩形開口中的晶粒被轉移至 目的地表面。 1〇4·如申請專利範圍第103項之方法，其中步驟（b ) 進一步包含· -101 - (20) 1226813 (3 )重複步驟（2 )直到堆疊中之晶粒已實質上用盡 〇 1 0 5 .如申請專利範圍第1 〇 〇項之方法，其中步驟（b ) 包含： (1 )供應〜中空桶至晶粒框堆疊之多數開口行的第 一開口行； (2 )致使其可移除地固持於第一開口行之開口中的 晶粒移入中空桶； (3 )重複步驟（1 )及（2 )直到中空桶含有一晶粒 堆疊；及 (4 )從中空桶放置晶粒至目的地表面上直到中空桶 中所含有的晶粒堆疊已用盡。 1 〇 6 ·如申請專利範圍第1 〇 〇項之方法，其中步驟（b ) 包含： (1 )平行地供應多數中空桶之各中空桶至晶粒框堆 疊之多數開口行的個別開口行； (2 )致使其可移除地固持於個別開口行之開口中的 晶粒平行地移入各中空桶； (3 )重複步驟（1 )及（2 )直到各中空桶含有一預 定數目之晶粒堆疊；及 (4 )從各中空桶放置晶粒至目的地表面上直到各中 空桶中所含有的晶粒堆疊已實質上用盡。 1 0 7 .如申請專利範圍第1 0 0項之方法，其中目的地表 靣係一中間表面’其中步騾（b )包含： -102- (21) 1226813 從多數行之至少一行轉移一可移除地固持於一開口中 之晶粒至中間表面。 1 〇 8 .如申請專利範圍第1 0 0項之方法，其中目的地表 面係一基底，其中步驟（b )包含： 從多數行之至少一行轉移一可移除地固持於一開口中 之晶粒至基底。 1 〇 9 .如申請專利範圍第1 〇 8項之方法，其中基底包含 多數天線基底，其中步驟（b)包含： 從多數行之至少一行轉移一可移除地固持於一開口中 之晶粒至多數天線基底之一相應天線基底上。 1 1 〇 ·如申請專利範圍第1 0 0項之方法，其中各晶粒具 有至少一置於晶粒之一第一表面上的接觸墊，其中步驟（ b )包含： 從多數行之至少一行轉移一可移除地固持於一開口中 之晶粒至目的地表面以致其至少一接觸墊係接觸與目的地 表面。 1 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇 〇項之方法，其中各晶粒具 有至少一置於晶粒之一第一表面上的接觸墊，其中步驟（ b )包含： 從多數行之至少一行轉移一可移除地固持於一開口中 之晶粒至目的地表面以致其至少一接觸墊係背向目的地表 面。 1 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇 Q項之方法，進一步包含： (c )在步驟（b )之前，插入晶粒框堆疊於一晶粒放 03- (22) 1226813 置設備中。 1 1 3 . —種晶粒框設備，包含： 一具有多數矩形開口通過之柵；及 / 多數晶粒，其中多數矩形開口之各開口可移.除地固持 該多數晶粒之一相應晶粒。 i 1 4 .如申請專利範圍第1 1 3項之設備，進一步包含： 一安裝於該柵周圍之環。 1 1 5 .如申請專利範圍第1 1 4項之設備，進步包含· 一固持機構，其固持該環並容許該柵之定位’於從該 多數矩形開口轉移該多數晶粒期間。 1 1 6 .如申請專利範圍第1 1 5項之設備’其中該柵爲實 質上平面的，且其中該柵具有實質上等於該多數晶粒之厚 度的厚度。 1 1 7 .如申請專利範圍第1 1 3項之設備，其中該柵包含 一聚合物。 1 1 8 .如申請專利範圍第1 1 3項之設備，其中該柵包含 至少環氧化物、樹脂、氨基鉀酸酯、及玻璃之一。 1 1 9 .如申請專利範圍第11 3項之設備，其中該柵被形 成於該多數晶粒周圍，而該多數晶粒駐存於一晶圓中。 1 2 0 · —種用以形成一晶粒框之方法，包含： (a )劃線一安裝至黏著劑表面之晶圓以致其所得的 多數晶粒係由一溝槽之柵所分離，該溝槽之栅延伸通過晶 圓而至黏著劑表面； (b )供應一可固化材料至劃線晶圓以實質上塡入栅 ^ 104 - (23) 1226813 之溝槽； (c )致使可固化材料硬化爲一柵狀硬化材料於柵之 溝槽中；及 (d )移除黏著劑表面以致其柵狀硬化材料可移除地 固持多數晶粒。 1 2 1 ·如申請專利範圍第1 2 0項之方法，進一步包含： (e)在步驟（b)之前，以一支撐結構固持黏著劑表 1 2 2 ·如申請專利範圍第1 2 1項之方法，其中步驟（b ) 包含： 以可固化材料塡入一介於劃線晶圓的外緣與支撐結構 的內緣之間的間隔。 1 2 3 ·如申請專利範圍第1 2 2項之方法，其中步驟（c ) 包含： 致使間隔中之可固化材料硬化爲一環狀硬化材料，其 支撐柵狀硬化材料於內。 1 24 · —種用以從一第一表面轉移多數晶粒至一第二表 面之方法，包含： (a)定位第二表面緊鄰於第一表面，其安裝有多數 晶粒； (b )減小介於第一表面與第二表面之間的距離直到 多數晶粒接觸第二表面並由於第二表面之黏合性而安裝至 第二表面；及 (c )移開第一表面與第二表面，而多數晶粒保持安 -105- (24) 1226813 裝至第二表面。 12 5.如申請專利範圍第124項之方法，進一步包含： (d)在步驟（b)之前，塗敷一黏著劑材料至第二表 面以致其第二表面之黏合性大於第一表面之黏合性。 1 2 6 ·如申請專利範圍第1 2 4項之方法，進一步包含： (d)在步驟（a)之前，定向多數安裝至第一表面之 晶粒以致其多數晶粒之各晶粒的至少一接觸墊係背向第一 表面。 127·如申請專利範圍第126項之方法，其中步驟（c) 包含： 移開第一表面與第二表面，而多數晶粒保持以墊朝下 方式安裝至第二表面。 1 2 8 .如申請專利範圍第1 2 4項之方法，進一步包含： (d)在步驟（a)之前，定向多數安裝至第一表面之 晶粒以致其多數晶粒之各晶粒的至少一接觸墊係面朝向第 一表面。 1 2 9 .如申請專利範圍第1 2 8項之方法，其中步驟（C ) 包含： 移開第一表面與第二表面’而多數晶粒保持以墊朝上 方式安裝至第二表面。 1 30·如申請專利範圍第124項之方法’其中第一表面 係一劃線晶圓，其中步驟（a )包含： 定位第二表面緊鄰於劃線晶圓’其安裝有多數晶粒。 1 3 1 .如申請專利範圔第1 2 4項之方法，其中第一表面 (25) 1226813 係一支撐表面’其中步驟（a )包含： 定位第二表面緊鄰於支撐表面，其安裝有多數晶粒。 1 3 2 ·如申請專利範圍第1 2 4項之方法，其中第二表面 係一中間表面，其中步驟（a )包含： 定位中間表面緊鄰於支撐表面，其安裝有多數晶粒。 133·如申請專利範圍第124項之方法，其中第二表面 係一基底，其中步驟（a)包含： 定位基底緊鄰於支撐表面，其安裝有多數晶粒。 1 3 4 ·如申請專利範圍第1 2 4項之方法，其中基底包含 多數天線基底，其中步驟（a )包含： 定位基底緊鄰於支撐表面，其安裝有多數晶粒，其中 多數基底之各天線基底被定位緊鄰於多數晶粒之一相應晶 粒。 1 3 5 · —種用以從一第一表面轉移多數晶粒至一第二表 面之系統，包含： 減小機構，用以減小介於第一表面與第二表面之間的 距離直到第一表面之多數晶粒接觸第二表面並安裝至第二 表面；及 移開機構，用以移開第一表面與第二表面，而多數晶 粒保持安裝至第二表面。 1 3 6 .如申請專利範圍第1 3 5項之系統，其中用以減小 距離之該減小機構及用以移開之該移開機構係重疊。 1 3 7 .如申請專利範圍第丨3 5項之系統，其中用以減小 距離之該減小機構及用以移開之該移開機構係分離。 -107- (26) 1226813 1 3 8 ·如申請專利範圍第1 3 5項之系統，其中 被塗敷以一黏著劑.材料以致其第二表面之黏合性 --表面之黏合性。 1 3 9 ·如申請專利範圍第1 3 5項之系統，其中 之多數晶粒被定向以致其多數晶粒之各晶粒的至 墊面朝向第二表面，就在接觸第二表面之前。 1 4 0 ·如申請專利範圍第1 3 9項之系統，其中 係以墊朝下方式安裝至第二表面。 1 4 1 ·如申請專利範圍第1 3 5項之系統，其中 之多數晶粒被定向以致其多數晶粒之各晶粒的至 墊背向第二表面，就在接觸第二表面之前。 1 42 ·如申請專利範圍第i 4 1項之系統，其中 係以墊朝上方式安裝至第二表面。 1 4 3 .如申g靑專利範圍第1 3 5項之系統，其中 係一劃線晶圓。 1 44 ·如申請專利範圍第1 3 5項之系統，其中 係~支撐表面。 1 4 5 .如申請專利範圍第1 3 5項之系統，其中 係一中間表面。 1 46 .如申請專利範圍第1 3 5項之系統，其中 係一基底。 1 4 7 ·如申請專利範圍第1 4 6項之系統，其中 多數天線基底。 1 4 8 . —種用以形成一晶粒框之方法，包含： 第二表面 係大於第 第一表面 少一接觸 多數晶粒 第一表面 少一接觸 多數晶粒 第一表面 第一表面 第二表面 第二表面 基底包含 -108 - (27) 1226813 (a )安裝一包含多數晶粒之晶圓至一帶結構& ^ ® j (b )形成溝槽之栅於晶圓中以分離帶結構之表面上1 的多數晶粒；及 (c )致使一透過柵之溝槽可存取之帶結構的部分硬 化爲柵狀結構； 其中柵狀結構可移除地固持多數晶粒，其中多數晶粒 之一或更多晶粒可從柵狀結構被移至一目標表面上。 鲁 149·如申請專利範圍第148項之方法，其中帶結構包 含一當暴露至光線時會硬化的材料，其中步驟（c )包含 以通過柵之溝槽的光暴露帶結構。 15 0.如申請專利範圍第149項之方法，其中帶結構包 含一當暴露至紫外線（UV )光時會硬化的材料，其中該 暴露步驟包含： 以通過柵之溝槽的紫外線光暴露帶結構。 φ 1 5 1 ·如申請專利範圍第1 4 8項之方法，其中步驟（c ) 包含： 通過柵之溝槽以塗敷一材料至帶結構，其中材料致使 帶結構硬化。 1 5 2 ·如申請專利範圍第1 5 1項之方法，其中該塗敷步 驟包含： 通過柵之溝槽以噴灑材料至帶結構上。 ]5 3 .如申請專利範圍第1 4 8項之方法，其中步驟（b ) ► 109 - (28) 1226813 包含： 爲帶結構之表面上的晶圓劃線。 154·如申請專利範圍第M9項之方法，進一步包含： (d )形成帶結構以包含.一材料層。 1 5 5 .如申請專利範圍第1 5 4項之方法，其中材料_ % 阻材料，其中步驟（d )包含： (d )形成帶結構以包含光阻材料之層。 1 5 6 · —種依據申請專利範圍第1 4 8項之方法所形成白勺 晶粒框。 1 5 7 · —種用以形成晶粒框之系統，包含： 一晶圓備製模組，其供應一晶圓至一帶結構之表面， 並形成溝槽之柵於晶圓中以分離帶結構之表面上的多數晶 粒；及 一硬化劑源，其致使一透過柵之溝槽可存取的帶結構 之一部分硬化爲柵狀結構； 其中樹狀結構可移除地固持多數晶粒，其中多數晶粒 之一或更多晶粒可從柵狀結構被移至一目標表面上。 1 5 8 ·如申請專利範圍第1 5 7項之系統，其中帶結構包 含一當暴露至光線時會硬化的材料，其中硬化劑源包含一 光源’其以通過柵之溝槽的光暴露帶結構。 1 5 9 .如申請專利範圍第1 5 8項之系統，其中帶結構包 3 —呈暴露至紫外線（UV)光時會硬化的材料，其中硬 化劑源以通過柵之溝槽的紫外線光暴露帶結構。 1 6 〇 .如申請專利範圍第1 5 8項之系統，其中帶結構包 -110- (29) 1226813 含包含一材料層。 1 6 1 .如申請專利範圍第1 6 〇項之系統，其中材料爲一 光阻材料。 1 6 2 ·如申請專利範圍第丨5 7項之系統，其中硬化劑源 5¾過柵之溝槽以供應~材料至帶結構，此柵之溝槽致使帶 結構硬化。 1 6 3 .如申Μ專利範圍弟1 6 2項之系統，其中硬化劑源 透過柵之溝槽以噴灑材料至帶結構上。 1 6 4 · —種用以形成一晶粒框之方法，包含： (a)安裝一包含多數晶粒之晶圓至一帶結構之表面 ，其中帶結構包含一囊封的硬化材料； (b )形成溝槽之柵於晶圓中以分離帶結構之表面上 的多數晶粒，其中該形成步驟包含破壞溝槽中之帶結構的 表面之步驟，以致使囊封硬化材料於溝槽中硬化爲柵狀的 硬化材料於柵之溝槽中。 165·如申請專利範圍第164項之方法，進一步包含·· (c )移除帶結構以致其柵狀硬化材料可移除地固持 多數晶粒。 166.如申請專利範圍第164項之方法，進一步包含： (c)在步驟（a)之前，以一支撐表面固持帶結構。 16 7.如申請專利範圍第164項之方法，其中步驟（b ) 包含： 使用雷射以形成溝槽之柵並破壞帶結構之表面以致使 囊封硬化材料鬆弛於溝槽中。 -111 - (30) 1226813 1 6 8 .如申請專利範圍第i 6 4項之方法，其中步驟（b ) 包含： 使用鋸以形成溝槽之柵並破壞帶結構之表面以致使囊 封硬化材料鬆弛於溝槽中。 16 9.—種依據申請專利範圍第ι64項之方法所形成的 晶粒框。 1 7 0 · —種用以形成晶粒框之系統，包含： 一晶圓備製模組，其供應一晶圓至一帶結構之表面， 並形成溝槽之柵於晶圓中以分離帶結構之表面上的多數晶 粒’其中帶結構包含一囊封的硬化材料，其中晶圓備製模 組破壞溝槽中之帶結構的表面當形成溝槽時，以致使囊封 硬化材料於溝槽中硬化爲柵狀的硬化材料於柵之溝槽中。 1 7 1 ·如申請專利範圍第1 7 0項之系統，進一步包含： 一帶移除設備，其移除帶結構以致其柵狀硬化材料可 移除地固持多數晶粒。 1 7 2 ·如申請專利圍第1 7 0項之系統，其中晶圓備製 模組包含一雷射以形成溝槽之柵並致使囊封硬化材料鬆驰 於溝槽中。 173·如申請專利範圍第170項之系統，其中晶圓備製 模組包含一鋸以形成溝槽之柵並致使囊封硬化材料鬆驰於 溝槽中。 17 4.—種用以組裝多數射頻識別（RFID)標籤之方法 ，包含： (a )定位一晶粒框緊鄰於一基底之表面，以致可移 -112 - (31) 1226813 除地固持於晶粒框中之多數晶粒的一晶粒係緊鄰於基底； 及 (b )從晶粒框轉移晶粒至緊鄰的基底上。-1 7 5 ·如申請專利範圍第1 7 4項之方法，進一步包含： (c )定位晶粒框緊鄰於另一基底之表面，以致可移 除地固持於晶粒框中之多數晶粒的另一晶粒係緊鄰於另一 基底；及 (d )從晶粒框轉移另一晶粒至緊鄰的另一基底上。 1 7 6 ·如申請專利範圍第1 7 5項之方法，進一步包含： (e )重複步驟（c )及（d )直到其可移除地固持於 晶粒框中之多數晶粒的所有晶粒已被轉移至一相應基底。 177.如申請專利範圍第174項之方法，其中步驟（b) 包含： 從晶粒框衝壓晶粒至緊鄰的基底上。 17 8.如申請專利範圍第174項之方法，其中步驟（b ) 包含： 供應氣體壓力以從晶粒框移動晶粒至緊鄰的基底上。 -113-
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