JP2005534186A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. ウェハ(1)を提供し、
   このウェハの１表面上に第１の導電型を有する第１の層(2)を形成し、
   その第１の層上に真性層である第２の層(3)を形成し、
   各光検出器に対して、第１の層の前記表面と反対側の第２の層の表面に第１の領域(9A)を形成し、この形成された第１の領域は第２の導電型を有しており、
   このウェハを薄くするステップを含んでいるｐ-真性-ｎ型光検出器(7)のアレイ(20)を形成する方法。
2. 開口(6)を第２の層から少なくとも第１の層まで貫通するように形成し、この開口を通って第１の電気コンタクト(9B,13B,15)と第１の層を電気的に接触させるステップをさらに含んでいる請求項１記載の方法。
3. 各領域を、第２の電気コンタクトの関連したもの(12,13A)と電気的に接触させ、その場合に第１および第２の電気コンタクトがアレイの同じ放射線を受けない面上に配置されるステップを含んでおり、ここで、それぞれを電気的に接触させるステップは、インジウムバンプ(13A,13B)を形成するステップを含み、さらにこのアレイを読出し集積回路(30)と混成するステップを含んでいる請求項２記載の方法。
4. ウェハの表面上に第１の層を形成するステップは、ドープされたエピタキシャル層をこのウェハの表面上で成長させるステップおよびこのウェハの面中に第１の層を注入するステップの一方を含んでいる請求項１記載の方法。
5. 開口を第２の層から少なくとも第１の層まで貫通するように形成するステップは、その開口の側壁上に第１の導電型を有する第２の領域を形成し、第１の領域および第２の領域を形成するステップは、所望の化学種を第２の層中に注入するステップと所望の化学種を第２の層中に拡散するステップの少なくとも一方を含んでいる請求項２記載の方法。
6. 第１の層上に第２の層を形成するステップは、第１の層上に真性エピタキシャル層を成長させるステップを含んでおり、ここで、薄くするステップは機械的にウェハを薄くするステップおよび化学的にウェハを薄くするステップの少なくとも一方を含んでおり、第１の導電型はｎ型であり、第２の導電型はｐ型である請求項１記載の方法。
7. 薄くされた基板(1)と、
   この基板の１表面上に配置された第１の導電型を有する第１の層(2)と、
   その第１の層上に配置された真性層である第２の層(3)と、
   各光検出器単位セルに対して第１の層の前記表面の反対側である第２の層の表面に形成された第１の領域(9A)とを具備し、この形成された領域は第２の導電型を有しており、下方の前記第１の層と共に、前記第２の真性層を介してｐ-真性-ｎ型検出器を形成し、
   さらに、第２の層から少なくとも第１の層まで貫通するように形成された少なくとも１つの開口(6)と、およびこの開口を通って第１の層と電気的に接触する第１の電気コンタクト(9B,15,13B)とを具備しているｐ-真性-ｎ型光検出器単位セル(7)のアレイ(20)。
8. さらに、各領域に対して第２の電気コンタクトの関連したもの(12,13A)を備えており、アレイを読出し集積回路に電気的に結合するために第１および第２の電気コンタクトがアレイの同じ放射線を受けない面上に配置されている請求項７記載のアレイ。
9. 前記第１の層は、前記基板の表面上で成長されたドープされたエピタキシャル層と前記基板の表面に注入された層の一方を備えている請求項７記載のアレイ。
10. 前記第２の層は、前記第１の層上で成長させられた真性のエピタキシャル層で構成され、前記基板はシリコンウェハの薄くされた部分から成り、第１の導電型はｎ型であり、第２の導電型はｐ型である請求項７記載のアレイ。
11. さらに、個々の光検出器単位セルをそれぞれ取り囲む電気的に空乏にされた格子(14)を備えている請求項７記載のアレイ。
12. 前記第１の電気コンタクトは、前記真性層の中の注入された領域または第１の導電型を有する前記真性層中の拡散された領域の一方を含んでいる請求項７記載のアレイ。